JPH09165671A - 蒸着方法 - Google Patents
蒸着方法Info
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- JPH09165671A JPH09165671A JP32444595A JP32444595A JPH09165671A JP H09165671 A JPH09165671 A JP H09165671A JP 32444595 A JP32444595 A JP 32444595A JP 32444595 A JP32444595 A JP 32444595A JP H09165671 A JPH09165671 A JP H09165671A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 蒸着方法に関し、特にＣｒ2Ｏ3の蒸着方法に
おいて、六価クロムを発生させることなく蒸着を行う方
法を提供する。 【解決手段】 蒸着行程の蒸着時を酸素雰囲気中とし、
Ｃｒを試料として蒸散させることにより、基板にＣｒ2
Ｏ3膜を形成する。
おいて、六価クロムを発生させることなく蒸着を行う方
法を提供する。 【解決手段】 蒸着行程の蒸着時を酸素雰囲気中とし、
Ｃｒを試料として蒸散させることにより、基板にＣｒ2
Ｏ3膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は蒸着方法に関するも
ので、特にＣｒ2Ｏ3の真空蒸着方法に関するものであ
る。
ので、特にＣｒ2Ｏ3の真空蒸着方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣｒ2Ｏ3の真空蒸着方法は図１の
ようなフローよりなる。以下各フローを説明する。
ようなフローよりなる。以下各フローを説明する。
【０００３】ａ）排気スタート 基板および蒸着材料のセッティングが完了すると、真空
排気を開始する。
排気を開始する。
【０００４】ｂ）基板加熱 蒸着材料の屈折率などの光学特性や膜の信頼性を安定さ
せるために基板加熱を行う。場合によっては基板加熱を
行わないこともある。
せるために基板加熱を行う。場合によっては基板加熱を
行わないこともある。
【０００５】ｃ）目標真空度到達 設定条件に合わせた目標真空度まで排気が行われたこと
を確認する。通常は１×（１／１０）5ｍｂａｒ台まで
排気を行う。
を確認する。通常は１×（１／１０）5ｍｂａｒ台まで
排気を行う。
【０００６】ｄ）基板温度確認 基板温度が設定条件に合わせた目標温度まで到達してい
ることを確認する。
ることを確認する。
【０００７】ｅ）Ｃｒ2Ｏ3を蒸散。
【０００８】材料として、Ｃｒ2Ｏ3を用いて蒸散させ
る。この際の蒸着手法としては電子銃による方法や抵抗
加熱ボートを用いた方法などがある。
る。この際の蒸着手法としては電子銃による方法や抵抗
加熱ボートを用いた方法などがある。
【０００９】ｆ）基板にＣｒ2Ｏ3膜が形成される。
【００１０】基板上にＣｒ2Ｏ3膜が形成される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法でＣｒ2Ｏ3
の真空蒸着を行うと、蒸着中に多量の六価クロムが発生
する。このため、六価クロムは基板上はだけではなく、
蒸着ドーム、ホルダーなどの治具や装置外壁にも付着
し、環境上多大な悪影響を及ぼす。このため、六価クロ
ムを除去するための装置が必要となるとともに、真空蒸
着工程中に六価クロムを除去する装置を使用する工程を
付加しなければならず、レンズのコストアップを将来し
ていた。
の真空蒸着を行うと、蒸着中に多量の六価クロムが発生
する。このため、六価クロムは基板上はだけではなく、
蒸着ドーム、ホルダーなどの治具や装置外壁にも付着
し、環境上多大な悪影響を及ぼす。このため、六価クロ
ムを除去するための装置が必要となるとともに、真空蒸
着工程中に六価クロムを除去する装置を使用する工程を
付加しなければならず、レンズのコストアップを将来し
ていた。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の蒸着方法は、真空装置中にて基板にＣｒ2Ｏ3の蒸着
を行う真空蒸着工程において、真空排気を行い目標とす
る真空度に到達後、酸素を導入し、酸素雰囲気中でＣｒ
を蒸散させることにより、基板上にＣｒ2Ｏ3膜を形成す
ることを特徴とする真空蒸着方法である。
明の蒸着方法は、真空装置中にて基板にＣｒ2Ｏ3の蒸着
を行う真空蒸着工程において、真空排気を行い目標とす
る真空度に到達後、酸素を導入し、酸素雰囲気中でＣｒ
を蒸散させることにより、基板上にＣｒ2Ｏ3膜を形成す
ることを特徴とする真空蒸着方法である。
【００１３】本発明方法によると、Ｃｒ2Ｏ3成膜後に六
価クロムは検出されない。また基板上のＣｒ2Ｏ3膜から
だけでなく、蒸着材料の残さからも六価クロムは検出さ
れない。
価クロムは検出されない。また基板上のＣｒ2Ｏ3膜から
だけでなく、蒸着材料の残さからも六価クロムは検出さ
れない。
【００１４】
【実施例】図２と図１６を用いて本発明の蒸着方法を以
下に説明する。図１６は本発明で用いられる真空蒸着装
置図である。この装置を用いて、図２に示されるフロー
に基づき、基板に蒸着が施されていく。図１６（ａ）は
電子銃による試料（Ｃｒ）の蒸散を行うタイプである。
下に説明する。図１６は本発明で用いられる真空蒸着装
置図である。この装置を用いて、図２に示されるフロー
に基づき、基板に蒸着が施されていく。図１６（ａ）は
電子銃による試料（Ｃｒ）の蒸散を行うタイプである。
【００１５】ａ）蒸着用ドーム３に基板４を設置した
後、電子銃７に、試料６をセットする。そして、真空装
置を稼動させ、排気スタートする。
後、電子銃７に、試料６をセットする。そして、真空装
置を稼動させ、排気スタートする。
【００１６】ｂ）次に、基板加熱用ヒーターにより、基
板４を加熱する。本実施例においては、目標温度は、３
００度とした。この行程は必要時に行う。
板４を加熱する。本実施例においては、目標温度は、３
００度とした。この行程は必要時に行う。
【００１７】ｃ）目標真空度に到達したことを確認す
る。通常は１×（１／１０）5ｍｂａｒ台まで排気を行
う。
る。通常は１×（１／１０）5ｍｂａｒ台まで排気を行
う。
【００１８】ｄ）基板が目標温度に到達しているかどう
かを確認する。
かを確認する。
【００１９】ｅ）次に酸素導入口５より酸素ガスを導入
し、真空装置中を酸素雰囲気とする。酸素ガスは全体の
真空度が好ましくは１×（１／１０）4ｍｂａｒから２
×（１／１０）4ｍｂａｒの間になるように導入する。
このとき、酸素雰囲気が２×（１／１０）4ｍｂａｒを
越える、特に４×（１／１０）4ｍｂａｒを越えると、
真空ポンプ（油拡散ポンプ）に損傷を与えるので望まし
くない。さらに、完全な酸素中で蒸着を行うと、サンプ
ルが酸化したり燃焼してしまうため蒸着そのものができ
なくなる。また、真空度を１×（１／１０）6ｍｂａｒ
程度とし、酸素雰囲気を１〜２×（１／１０）5ｍｂａ
ｒ程度としても六価クロムは生成されにくい。しかしな
がら、この真空度にするには時間がかかり過ぎ、実用的
ではない。
し、真空装置中を酸素雰囲気とする。酸素ガスは全体の
真空度が好ましくは１×（１／１０）4ｍｂａｒから２
×（１／１０）4ｍｂａｒの間になるように導入する。
このとき、酸素雰囲気が２×（１／１０）4ｍｂａｒを
越える、特に４×（１／１０）4ｍｂａｒを越えると、
真空ポンプ（油拡散ポンプ）に損傷を与えるので望まし
くない。さらに、完全な酸素中で蒸着を行うと、サンプ
ルが酸化したり燃焼してしまうため蒸着そのものができ
なくなる。また、真空度を１×（１／１０）6ｍｂａｒ
程度とし、酸素雰囲気を１〜２×（１／１０）5ｍｂａ
ｒ程度としても六価クロムは生成されにくい。しかしな
がら、この真空度にするには時間がかかり過ぎ、実用的
ではない。
【００２０】ｆ）目標の酸素雰囲気に達した後、電子銃
７によって、試料６を蒸散させる。
７によって、試料６を蒸散させる。
【００２１】ｇ）これによって、基板４の表面にＣｒ2
Ｏ3膜が形成されていく。このとき膜厚は膜厚監視モニ
ター１によって、必要な膜厚に達するまで監視される。
必要な膜厚に達すると、蒸着完了である。
Ｏ3膜が形成されていく。このとき膜厚は膜厚監視モニ
ター１によって、必要な膜厚に達するまで監視される。
必要な膜厚に達すると、蒸着完了である。
【００２２】また図１６（ｂ）は試料の蒸散に抵抗加熱
用ボート８を用いる場合の図で、それ以外は図１６
（ａ）と同じである。
用ボート８を用いる場合の図で、それ以外は図１６
（ａ）と同じである。
【００２３】次に、本発明による蒸着を行った場合と、
従来法による蒸着を行った場合、さらに、従来法の改善
法による場合との蒸着結果を図３により一覧とした。従
来法によると、六価クロムの発生度は２０％に達する。
これらの改善策として検討された方法が２つある。それ
は、蒸着速度を速める方法と、真空度を高くする方法で
ある。しかし、どちらも六価クロムが１０％発生してし
まう。しかし、本発明による蒸着を行うと、六価クロム
は検出されなかった。
従来法による蒸着を行った場合、さらに、従来法の改善
法による場合との蒸着結果を図３により一覧とした。従
来法によると、六価クロムの発生度は２０％に達する。
これらの改善策として検討された方法が２つある。それ
は、蒸着速度を速める方法と、真空度を高くする方法で
ある。しかし、どちらも六価クロムが１０％発生してし
まう。しかし、本発明による蒸着を行うと、六価クロム
は検出されなかった。
【００２４】次からは、本蒸着方法によって、Ｃｒ2Ｏ3
を用いた反射防止コートを行った場合の、性能比較をし
ていく。
を用いた反射防止コートを行った場合の、性能比較をし
ていく。
【００２５】図４はＣｒ2Ｏ3を用いない従来様の反射防
止コートの膜厚構成と、波長７８０ｎｍに対しての入射
角依存性を示す図である。また、図１０により、波長７
８０ｎｍに対しての入射角依存性はグラフ化されてい
る。膜構成は、第１層ＳｉＯ2膜１２８．２ｎｍ、第２
層Ｓｉ膜４５．２ｎｍ、第３層Ｃｒ膜２００ｎｍよりな
る、３層コートである。このときの入射角による依存性
は、入射角４０度を越えると、反射率が高くなってきて
いる。入射角が５５度を越えると、反射率が３０％を越
えてしまい、実用に耐え難くなる。
止コートの膜厚構成と、波長７８０ｎｍに対しての入射
角依存性を示す図である。また、図１０により、波長７
８０ｎｍに対しての入射角依存性はグラフ化されてい
る。膜構成は、第１層ＳｉＯ2膜１２８．２ｎｍ、第２
層Ｓｉ膜４５．２ｎｍ、第３層Ｃｒ膜２００ｎｍよりな
る、３層コートである。このときの入射角による依存性
は、入射角４０度を越えると、反射率が高くなってきて
いる。入射角が５５度を越えると、反射率が３０％を越
えてしまい、実用に耐え難くなる。
【００２６】図５はＣｒ2Ｏ3を用いた実施例１の反射防
止コートの膜厚構成と、波長７８０ｎｍに対しての入射
角依存性を示す図である。また、図１１により、波長７
８０ｎｍに対しての入射角依存性はグラフ化されてい
る。膜構成は、第１層（ＴｉＯ 2＋ＺｎＯ2）膜４１．７
ｎｍ、第２層ＴｉＯ2膜３８ｎｍ、第３層Ｃｒ2Ｏ3膜１
８０ｎｍ、第４層Ｃｒ膜２０ｎｍよりなる４層コートで
ある。このときの入射角による依存性は、入射角３５度
で非常に小さな反射率増加を呈するものの、入射角７０
度にいたるまで反射率は１０％以下という非常にフラッ
トな反射率特性を有する。また、実用限界の反射率３０
％を越えるのは、実に、入射角８０度を越えてからであ
る。
止コートの膜厚構成と、波長７８０ｎｍに対しての入射
角依存性を示す図である。また、図１１により、波長７
８０ｎｍに対しての入射角依存性はグラフ化されてい
る。膜構成は、第１層（ＴｉＯ 2＋ＺｎＯ2）膜４１．７
ｎｍ、第２層ＴｉＯ2膜３８ｎｍ、第３層Ｃｒ2Ｏ3膜１
８０ｎｍ、第４層Ｃｒ膜２０ｎｍよりなる４層コートで
ある。このときの入射角による依存性は、入射角３５度
で非常に小さな反射率増加を呈するものの、入射角７０
度にいたるまで反射率は１０％以下という非常にフラッ
トな反射率特性を有する。また、実用限界の反射率３０
％を越えるのは、実に、入射角８０度を越えてからであ
る。
【００２７】図６はＣｒ2Ｏ3を用いた実施例２の反射防
止コートの膜厚構成と、波長７８０ｎｍに対しての入射
角依存性を示す図である。また、図１２により、波長７
８０ｎｍに対しての入射角依存性はグラフ化されてい
る。膜構成は、第１層（ＴｉＯ2＋ＺｎＯ2）膜４１．７
ｎｍ、第２層Ａｌ2Ｏ3膜５４ｎｍ、第３層ＴｉＯ2膜３
８ｎｍ、第４層Ｃｒ2Ｏ3膜２４０ｎｍ、第５層Ｃｒ膜２
０ｎｍよりなる５層コートである。このときの入射角に
よる依存性は、入射角７５度にいたるまで反射率は１０
％以下という非常にフラットな反射率特性を有する。ま
た、実用限界の反射率３０％を越えるのは、実に、入射
角８０度をさらに越えてからである。
止コートの膜厚構成と、波長７８０ｎｍに対しての入射
角依存性を示す図である。また、図１２により、波長７
８０ｎｍに対しての入射角依存性はグラフ化されてい
る。膜構成は、第１層（ＴｉＯ2＋ＺｎＯ2）膜４１．７
ｎｍ、第２層Ａｌ2Ｏ3膜５４ｎｍ、第３層ＴｉＯ2膜３
８ｎｍ、第４層Ｃｒ2Ｏ3膜２４０ｎｍ、第５層Ｃｒ膜２
０ｎｍよりなる５層コートである。このときの入射角に
よる依存性は、入射角７５度にいたるまで反射率は１０
％以下という非常にフラットな反射率特性を有する。ま
た、実用限界の反射率３０％を越えるのは、実に、入射
角８０度をさらに越えてからである。
【００２８】図７はＣｒ2Ｏ3を用いた実施例３反射防止
コートの膜厚構成と、波長７８０ｎｍに対しての入射角
依存性を示す図である。また、図１３により、波長７８
０ｎｍに対しての入射角依存性はグラフ化されている。
膜構成は、第１層（ＴｉＯ2＋ＺｎＯ2）膜６５．３ｎ
ｍ、第２層Ａｌ2Ｏ3膜８２．１ｎｍ、第３層ＴｉＯ2膜
５７．８ｎｍ、第４層Ｃｒ2Ｏ3膜５０ｎｍ、第５層Ｃｒ
膜２０ｎｍよりなる５層コートである。このときの入射
角による依存性は、入射角３５度で一旦２０％近くまで
反射率増加を呈するものの、それ以外で入射角８０度に
いたるまで反射率は１０％以下という非常にフラットな
反射率特性を有する。また、実用限界の反射率３０％を
越えことはなく、入射角８５度まで、実に反射率２０％
以下という反射率特性を得ることができる。
コートの膜厚構成と、波長７８０ｎｍに対しての入射角
依存性を示す図である。また、図１３により、波長７８
０ｎｍに対しての入射角依存性はグラフ化されている。
膜構成は、第１層（ＴｉＯ2＋ＺｎＯ2）膜６５．３ｎ
ｍ、第２層Ａｌ2Ｏ3膜８２．１ｎｍ、第３層ＴｉＯ2膜
５７．８ｎｍ、第４層Ｃｒ2Ｏ3膜５０ｎｍ、第５層Ｃｒ
膜２０ｎｍよりなる５層コートである。このときの入射
角による依存性は、入射角３５度で一旦２０％近くまで
反射率増加を呈するものの、それ以外で入射角８０度に
いたるまで反射率は１０％以下という非常にフラットな
反射率特性を有する。また、実用限界の反射率３０％を
越えことはなく、入射角８５度まで、実に反射率２０％
以下という反射率特性を得ることができる。
【００２９】図８はＣｒ2Ｏ3を用いた実施例４反射防止
コートの膜厚構成と、波長７８０ｎｍに対しての入射角
依存性を示す図である。また、図１４により、波長７８
０ｎｍに対しての入射角依存性はグラフ化されている。
膜構成は、第１層（ＴｉＯ2＋ＺｎＯ2）膜１６．７ｎ
ｍ、第２層Ｃｒ2Ｏ3膜１５０ｎｍ、第３層Ｓｉ膜５７ｎ
ｍ、第４層Ｃｒ膜２０ｎｍよりなる４層コートである。
このときの入射角による依存性は、入射角３５度で一旦
２０％近くまで反射率増加を呈するものの、それ以外で
入射角６５度にいたるまで反射率は１０％以下という非
常にフラットな反射率特性を有する。また、入射角７５
度まで、反射率３０％以下という反射率特性を得ること
ができる。
コートの膜厚構成と、波長７８０ｎｍに対しての入射角
依存性を示す図である。また、図１４により、波長７８
０ｎｍに対しての入射角依存性はグラフ化されている。
膜構成は、第１層（ＴｉＯ2＋ＺｎＯ2）膜１６．７ｎ
ｍ、第２層Ｃｒ2Ｏ3膜１５０ｎｍ、第３層Ｓｉ膜５７ｎ
ｍ、第４層Ｃｒ膜２０ｎｍよりなる４層コートである。
このときの入射角による依存性は、入射角３５度で一旦
２０％近くまで反射率増加を呈するものの、それ以外で
入射角６５度にいたるまで反射率は１０％以下という非
常にフラットな反射率特性を有する。また、入射角７５
度まで、反射率３０％以下という反射率特性を得ること
ができる。
【００３０】図９はＣｒ2Ｏ3を用いた実施例５反射防止
コートの膜厚構成と、波長７８０ｎｍに対しての入射角
依存性を示す図である。また、図１５により、波長７８
０ｎｍに対しての入射角依存性はグラフ化されている。
膜構成は、第１層（ＴｉＯ2＋ＺｎＯ2）膜１７．３ｎ
ｍ、第２層Ｃｒ2Ｏ3膜１５０ｎｍ、第３層Ｓｉ膜５２ｎ
ｍ、第４層Ｃｒ膜２０ｎｍよりなる４層コートである。
このときの入射角による依存性は、入射角３５度で一旦
２０％近くまで反射率増加を呈するものの、それ以外で
入射角６５度にいたるまで反射率は１０％以下という非
常にフラットな反射率特性を有する。また、入射角７５
度まで、反射率３０％以下という反射率特性を得ること
ができる。
コートの膜厚構成と、波長７８０ｎｍに対しての入射角
依存性を示す図である。また、図１５により、波長７８
０ｎｍに対しての入射角依存性はグラフ化されている。
膜構成は、第１層（ＴｉＯ2＋ＺｎＯ2）膜１７．３ｎ
ｍ、第２層Ｃｒ2Ｏ3膜１５０ｎｍ、第３層Ｓｉ膜５２ｎ
ｍ、第４層Ｃｒ膜２０ｎｍよりなる４層コートである。
このときの入射角による依存性は、入射角３５度で一旦
２０％近くまで反射率増加を呈するものの、それ以外で
入射角６５度にいたるまで反射率は１０％以下という非
常にフラットな反射率特性を有する。また、入射角７５
度まで、反射率３０％以下という反射率特性を得ること
ができる。
【００３１】図１７に多層膜の例として４層構造による
多層膜を示す。基板１０に対し、多層コート９は、基板
１０に近い方から、第１層、第２層、第３層、第４層か
ら膜が構成されている。このような構成を有する本実施
例は、実施例１、実施例４、実施例５である。この膜の
層の数は必要、設計に応じて、随時変更される。
多層膜を示す。基板１０に対し、多層コート９は、基板
１０に近い方から、第１層、第２層、第３層、第４層か
ら膜が構成されている。このような構成を有する本実施
例は、実施例１、実施例４、実施例５である。この膜の
層の数は必要、設計に応じて、随時変更される。
【００３２】次に、反射防止コートを鏡面とスリ面に行
った場合の相違を示す。鏡面とは、基板表面が非常にフ
ラットな平面となるように、磨き上げたものである。ま
た、スリ面とは、基板が作り出されたときのまま、また
は粗く平面だしをされた状態の表面である。
った場合の相違を示す。鏡面とは、基板表面が非常にフ
ラットな平面となるように、磨き上げたものである。ま
た、スリ面とは、基板が作り出されたときのまま、また
は粗く平面だしをされた状態の表面である。
【００３３】図１８は、鏡面を有する基板１０に反射防
止コート９を施した例である。入射光１１は基板１０に
対して、ある入射角１４をもって、入射する。このと
き、基板１０と多層コート９の境で、反射光１３と射出
光１２とに分かれる。このとき、反射光１３は入射光１
１側への戻り光となってしまい、非常に好ましくない。
したがって、様々な入射角の入射光１１を入射させる基
板１０に対し、図４、図１０に示す従来様の多層コート
を行っても、大きな入射角度を有する入射光１１の反射
光１３による悪影響は避けられない。しかし、実施例１
〜５に示す多層コートを行えば反射光１３による悪影響
を極力抑えることができる。
止コート９を施した例である。入射光１１は基板１０に
対して、ある入射角１４をもって、入射する。このと
き、基板１０と多層コート９の境で、反射光１３と射出
光１２とに分かれる。このとき、反射光１３は入射光１
１側への戻り光となってしまい、非常に好ましくない。
したがって、様々な入射角の入射光１１を入射させる基
板１０に対し、図４、図１０に示す従来様の多層コート
を行っても、大きな入射角度を有する入射光１１の反射
光１３による悪影響は避けられない。しかし、実施例１
〜５に示す多層コートを行えば反射光１３による悪影響
を極力抑えることができる。
【００３４】図１９は入射光１１が一定の方向から来る
場合の反射を示す図である。図１９（ａ）は基板がスリ
面の場合、図１９（ｂ）は基板が鏡面の場合である。両
図とも多層コート９と射出光１２は不図示である。ま
た、反射光１３は入射光１１と異なる位置から反射して
いるように見えるが、これは図面をわかりやすく表記し
たもので、本来は同じ点に入射して反射するものであ
る。
場合の反射を示す図である。図１９（ａ）は基板がスリ
面の場合、図１９（ｂ）は基板が鏡面の場合である。両
図とも多層コート９と射出光１２は不図示である。ま
た、反射光１３は入射光１１と異なる位置から反射して
いるように見えるが、これは図面をわかりやすく表記し
たもので、本来は同じ点に入射して反射するものであ
る。
【００３５】図１９（ｂ）は入射光１１の入射角は一定
なので、反射光１３（ｃ）は全て同じ方向になる。よっ
て、この入射角が小さければよいので、従来様のコート
を行って、入射角１４を小さくすればよい。
なので、反射光１３（ｃ）は全て同じ方向になる。よっ
て、この入射角が小さければよいので、従来様のコート
を行って、入射角１４を小さくすればよい。
【００３６】図１９（ａ）は反射面がスリ面なので、入
射角１４が一定とはならない。よって、反射方向の異な
る反射光１３（ａ），１３（ｂ）を発生させてしまう。
したがって、従来様のコートを行っていては、反射によ
る戻り光の影響を受けてしまう。ここで、実施例１〜５
などによるＣｒ2Ｏ3を用いた多層コートを施すことによ
り、広範囲な入射角にたいしても、非常に良好な反射防
止特性を持たせることができる。
射角１４が一定とはならない。よって、反射方向の異な
る反射光１３（ａ），１３（ｂ）を発生させてしまう。
したがって、従来様のコートを行っていては、反射によ
る戻り光の影響を受けてしまう。ここで、実施例１〜５
などによるＣｒ2Ｏ3を用いた多層コートを施すことによ
り、広範囲な入射角にたいしても、非常に良好な反射防
止特性を持たせることができる。
【００３７】図２０は反射面１５がスリ面であるプリズ
ムの例である。入射光１１がプリズムに入射し射出光１
２と反射光１３に分かれる。反射光１３は反射面１５で
さらに戻り光１６となって、入射光１１側へ戻ってい
く。これは、大きな悪影響を入射光側にもたらす。した
がって、ここに、多層コートを行うことが必要となって
くる。ここで、従来様の多層コートを行っても良いが、
入射角が大きくなると、効果が小さくなる。そこで、本
実施例によるＣｒ2Ｏ3を用いた多層コートを施すことに
より、非常に良好な反射特性を持つことができる。さら
に、反射面１５はスリ面のままでも良いことになる。こ
れは、プリズムの１面を鏡面研磨しなくて良いことにな
り、コストダウン、作業工程の削減など非常に好ましい
効果をもたらすことになる。
ムの例である。入射光１１がプリズムに入射し射出光１
２と反射光１３に分かれる。反射光１３は反射面１５で
さらに戻り光１６となって、入射光１１側へ戻ってい
く。これは、大きな悪影響を入射光側にもたらす。した
がって、ここに、多層コートを行うことが必要となって
くる。ここで、従来様の多層コートを行っても良いが、
入射角が大きくなると、効果が小さくなる。そこで、本
実施例によるＣｒ2Ｏ3を用いた多層コートを施すことに
より、非常に良好な反射特性を持つことができる。さら
に、反射面１５はスリ面のままでも良いことになる。こ
れは、プリズムの１面を鏡面研磨しなくて良いことにな
り、コストダウン、作業工程の削減など非常に好ましい
効果をもたらすことになる。
【００３８】
【発明の効果】本発明方法によると、蒸着によるＣｒ2
Ｏ3膜形成において、六価クロムを発生させることなく
蒸着が完了する。
Ｏ3膜形成において、六価クロムを発生させることなく
蒸着が完了する。
【図１】従来のフローによる蒸着行程
【図２】本発明のフローによる蒸着行程
【図３】従来と本発明による差異
【図４】従来の多層コートの例と性能
【図５】実施例１の多層コートと性能
【図６】実施例２の多層コートと性能
【図７】実施例３の多層コートと性能
【図８】実施例４の多層コートと性能
【図９】実施例５の多層コートと性能
【図１０】従来の多層コートの例の性能グラフ
【図１１】実施例１の多層コートの性能グラフ
【図１２】実施例１の多層コートの性能グラフ
【図１３】実施例１の多層コートの性能グラフ
【図１４】実施例１の多層コートの性能グラフ
【図１５】実施例１の多層コートの性能グラフ
【図１６】本発明の装置図
【図１７】多層コートの説明図
【図１８】反射光説明図
【図１９】スリ面と鏡面による反射光の説明図
【図２０】本発明を適用するのに適したプリズムの例
１ 膜厚監視モニター ２ 基板加熱用ヒータ ３ 蒸着用ドーム ４ 基板 ５ 酸素ガス導入口 ６ 試料 ７ 電子銃 ８ 抵抗加熱用ボート ９ 多層コート １０ 基板 １１ 入射光 １２ 射出光 １３ 反射光 １４ 入射角 １５ 反射面 １６ 戻り光
Claims (1)
- 【請求項１】 真空装置中にて基板にＣｒ2Ｏ3の蒸着を
行う真空蒸着工程において、真空排気を行い目標とする
真空度に到達後、酸素を導入し、酸素雰囲気中でＣｒを
蒸散させ、基板上にＣｒ2Ｏ3膜を形成することを特徴と
する真空蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32444595A JPH09165671A (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32444595A JPH09165671A (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09165671A true JPH09165671A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18165900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32444595A Pending JPH09165671A (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09165671A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003043211A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Nidec Copal Corp | 薄膜型ｎｄフィルタ及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-13 JP JP32444595A patent/JPH09165671A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003043211A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Nidec Copal Corp | 薄膜型ｎｄフィルタ及びその製造方法 |
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