JPH09165674A - 真空被覆装置 - Google Patents
真空被覆装置Info
- Publication number
- JPH09165674A JPH09165674A JP28559496A JP28559496A JPH09165674A JP H09165674 A JPH09165674 A JP H09165674A JP 28559496 A JP28559496 A JP 28559496A JP 28559496 A JP28559496 A JP 28559496A JP H09165674 A JPH09165674 A JP H09165674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- metal
- graphite
- vaporized
- sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002304 perfume Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 SiO x Chemical class 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 235000020130 leben Nutrition 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000012254 powdered material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/31—Processing objects on a macro-scale
- H01J2237/3132—Evaporating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属酸化物、または金属酸化物と金属との混
合物を、スパッタ粒子を生ぜしめることなしに高速かつ
高品質でシートに被覆する。 【解決手段】 坩堝２が、高融点金属、黒鉛、黒鉛複合
体またはセラミックス材料から形成されている。
合物を、スパッタ粒子を生ぜしめることなしに高速かつ
高品質でシートに被覆する。 【解決手段】 坩堝２が、高融点金属、黒鉛、黒鉛複合
体またはセラミックス材料から形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空被覆装置であ
って、蒸発させようとする材料を収容するための坩堝が
真空室内に配置されており、坩堝内に存在する、金属、
例えばＳｉＯ、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２のよ
うな金属酸化物、または金属と金属酸化物とから成る混
合物のような材料を蒸発させるための電子ビーム源が坩
堝に向けられており、蒸発させようとする材料から所定
の間隔を置いて基体、例えばローラを介して案内された
シートが保持されている形式のものに関する。
って、蒸発させようとする材料を収容するための坩堝が
真空室内に配置されており、坩堝内に存在する、金属、
例えばＳｉＯ、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２のよ
うな金属酸化物、または金属と金属酸化物とから成る混
合物のような材料を蒸発させるための電子ビーム源が坩
堝に向けられており、蒸発させようとする材料から所定
の間隔を置いて基体、例えばローラを介して案内された
シートが保持されている形式のものに関する。
【０００２】
【従来の技術】ドイツ連邦共和国特許第２６２８７６５
号明細書に基づき、特に昇華可能な材料を真空中で蒸着
する装置が公知である。この公知の装置は、蒸発させよ
うとする材料のための、開口を備えた容器と、加速され
かつ集束された電子ビームを発生させるための加速アノ
ードを備えた電子ビーム源とから成っている。この電子
ビーム源は容器に向けられている。電子ビーム源と容器
との間のビーム経路には、電子ビームのための水平方向
の跳ね返りプレートが配置されている。この跳ね返りプ
レートの、跳ね返り面とは離反した下面は容器中空室に
向いており、跳ね返りプレートは電子ビームのための衝
突個所の外部に設けられた、蒸気噴流のための流出口を
残して、容器をカバーしている。
号明細書に基づき、特に昇華可能な材料を真空中で蒸着
する装置が公知である。この公知の装置は、蒸発させよ
うとする材料のための、開口を備えた容器と、加速され
かつ集束された電子ビームを発生させるための加速アノ
ードを備えた電子ビーム源とから成っている。この電子
ビーム源は容器に向けられている。電子ビーム源と容器
との間のビーム経路には、電子ビームのための水平方向
の跳ね返りプレートが配置されている。この跳ね返りプ
レートの、跳ね返り面とは離反した下面は容器中空室に
向いており、跳ね返りプレートは電子ビームのための衝
突個所の外部に設けられた、蒸気噴流のための流出口を
残して、容器をカバーしている。
【０００３】このような公知の装置は、一般的に使用可
能な電子ビーム蒸発器によって、粉末状の材料を初めか
ら連続的に、かつスパッタ粒子(Spritzen)およびダスト
を生ぜしめることなしに、比較的長時間にわたって蒸発
させるという課題を解決する。
能な電子ビーム蒸発器によって、粉末状の材料を初めか
ら連続的に、かつスパッタ粒子(Spritzen)およびダスト
を生ぜしめることなしに、比較的長時間にわたって蒸発
させるという課題を解決する。
【０００４】さらに、ドイツ連邦共和国特許出願公開第
４２０３６３２号明細書に基づき公知の真空被覆装置に
は、蒸発させようとする材料が位置する容器と、この容
器に位置する材料を蒸発させるための蒸発装置とが設け
られている。被覆しようとする材料は、蒸発しようとす
る材料から所定の間隔を置いて位置している。さらにこ
の公知の真空被覆装置には、蒸発させようとする材料
と、被覆しようとする材料との間の空間にマイクロ波を
発振するマイクロ波発振器が設けられている。
４２０３６３２号明細書に基づき公知の真空被覆装置に
は、蒸発させようとする材料が位置する容器と、この容
器に位置する材料を蒸発させるための蒸発装置とが設け
られている。被覆しようとする材料は、蒸発しようとす
る材料から所定の間隔を置いて位置している。さらにこ
の公知の真空被覆装置には、蒸発させようとする材料
と、被覆しようとする材料との間の空間にマイクロ波を
発振するマイクロ波発振器が設けられている。
【０００５】このような公知の装置により、プラスチッ
クシートにおける金属酸化物被覆体の特性を改善するこ
とができる。
クシートにおける金属酸化物被覆体の特性を改善するこ
とができる。
【０００６】透明なプラスチックシートが、強化されて
食品の包装のために使用される。この場合、第１にポリ
マープラスチックから成るシートが考えられる。このよ
うなシートはフレキシブルではあるものの、香料、水ま
たは酸素を透過させるという欠点を有している。このよ
うな物質の拡散を回避したい場合には、一般的には、ア
ルミニウムフォイルまたはアルミニウムが蒸着されたプ
ラスチックシートが使用される。しかしながらこのよう
なフォイルおよびシートは、比較的廃棄しにくく、マイ
クロ波および光を透過させないという欠点を有してい
る。工業諸国のほぼ全ての家庭に電子レンジが普及して
いることにより、包装材料のマイクロ波透過性は多くの
場合、極めて重要である。
食品の包装のために使用される。この場合、第１にポリ
マープラスチックから成るシートが考えられる。このよ
うなシートはフレキシブルではあるものの、香料、水ま
たは酸素を透過させるという欠点を有している。このよ
うな物質の拡散を回避したい場合には、一般的には、ア
ルミニウムフォイルまたはアルミニウムが蒸着されたプ
ラスチックシートが使用される。しかしながらこのよう
なフォイルおよびシートは、比較的廃棄しにくく、マイ
クロ波および光を透過させないという欠点を有してい
る。工業諸国のほぼ全ての家庭に電子レンジが普及して
いることにより、包装材料のマイクロ波透過性は多くの
場合、極めて重要である。
【０００７】マイクロ波を透過させるプラスチックシー
トの利点と、香料、水および酸素を完全に遮断するアル
ミニウムフォイルの利点とを１つにまとめるために、ポ
リマーシートを金属酸化物で被覆することが既に公知で
ある。この場合、酸化珪素が被覆材料として特に大きな
役割を有する。酸化珪素で被覆されたプラスチックシー
トは、その積層構造、および、酸素と水蒸気と香料とに
対するバリア特性の点で見て、アルミニウムフォイルま
たはアルミニウムで被覆されたプラスチックシートと類
似の特性を有している。しかしながら、ＳｉＯｘのよう
な金属酸化物でプラスチックシートを被覆するために
は、一般の被覆技術とは著しく異なるプロセス技術が必
要となる。それというのは金属酸化物は金属と異なり、
固相から蒸発させられなければならないからである。
トの利点と、香料、水および酸素を完全に遮断するアル
ミニウムフォイルの利点とを１つにまとめるために、ポ
リマーシートを金属酸化物で被覆することが既に公知で
ある。この場合、酸化珪素が被覆材料として特に大きな
役割を有する。酸化珪素で被覆されたプラスチックシー
トは、その積層構造、および、酸素と水蒸気と香料とに
対するバリア特性の点で見て、アルミニウムフォイルま
たはアルミニウムで被覆されたプラスチックシートと類
似の特性を有している。しかしながら、ＳｉＯｘのよう
な金属酸化物でプラスチックシートを被覆するために
は、一般の被覆技術とは著しく異なるプロセス技術が必
要となる。それというのは金属酸化物は金属と異なり、
固相から蒸発させられなければならないからである。
【０００８】ＳｉＯｘ層は、蒸発炉または電子ビーム蒸
発器を用いてＳｉＯを蒸発させることにより製造される
（T. Krug, K. Ruebsam: Die neue “glaeserne Lebens
mittelverpackung” in “neue Verpackung”, Huethig
-Verlag, 1991参照)。ＳｉＯは昇華するので、つまり固
体状態から液相を介さずに直接に蒸発するので、特別な
坩堝が必要である。許容範囲内のコストで経済的に生産
するための前提となる数ｍ／ｓの帯状シート速度を達成
するためには、約１３５０℃の蒸発温度に合わせた坩堝
が必要となる。ＳｉＯｘ−１の蒸気が、制御された反応
性の雰囲気で酸化し、これにより、被覆しようとするシ
ートに、ｘ＝１．５〜１．８の酸化度が達成される。２
０００Åよりも薄いＳｉＯｘ層は、容易に曲げ可能であ
るという利点を有している。さらに、ＳｉＯｘは化学的
に不活性であり、水に対して耐腐食性を有している。Ｓ
ｉＯは、電子ビームによって蒸発することができる。そ
れというのはこのＳｉＯは比較的高い蒸気圧を有してい
るからである。しかしながら他の金属酸化物、例えばＭ
ｇＯ＋ＳｉＯ２の場合にも所要の高い蒸着速度を達成す
るためには、１８００℃以上の温度が必要となる。
発器を用いてＳｉＯを蒸発させることにより製造される
（T. Krug, K. Ruebsam: Die neue “glaeserne Lebens
mittelverpackung” in “neue Verpackung”, Huethig
-Verlag, 1991参照)。ＳｉＯは昇華するので、つまり固
体状態から液相を介さずに直接に蒸発するので、特別な
坩堝が必要である。許容範囲内のコストで経済的に生産
するための前提となる数ｍ／ｓの帯状シート速度を達成
するためには、約１３５０℃の蒸発温度に合わせた坩堝
が必要となる。ＳｉＯｘ−１の蒸気が、制御された反応
性の雰囲気で酸化し、これにより、被覆しようとするシ
ートに、ｘ＝１．５〜１．８の酸化度が達成される。２
０００Åよりも薄いＳｉＯｘ層は、容易に曲げ可能であ
るという利点を有している。さらに、ＳｉＯｘは化学的
に不活性であり、水に対して耐腐食性を有している。Ｓ
ｉＯは、電子ビームによって蒸発することができる。そ
れというのはこのＳｉＯは比較的高い蒸気圧を有してい
るからである。しかしながら他の金属酸化物、例えばＭ
ｇＯ＋ＳｉＯ２の場合にも所要の高い蒸着速度を達成す
るためには、１８００℃以上の温度が必要となる。
【０００９】直接的に電子ビームによって金属酸化物
（例えばＳｉＯｘ）を蒸発させる場合には、電子ビーム
の衝突点における酸化物表面の高い温度に帰因するスパ
ッタ粒子が生ぜしめられる。このような材料粒子はシー
トに衝突し、その場所で付着したままになるか、または
そればかりかシートを貫通してしまう。これによりバリ
ア特性を悪化させる孔がシートに形成されてしまう。シ
ートに付着した粒子は、のちの印刷時に不都合を生ぜし
める。
（例えばＳｉＯｘ）を蒸発させる場合には、電子ビーム
の衝突点における酸化物表面の高い温度に帰因するスパ
ッタ粒子が生ぜしめられる。このような材料粒子はシー
トに衝突し、その場所で付着したままになるか、または
そればかりかシートを貫通してしまう。これによりバリ
ア特性を悪化させる孔がシートに形成されてしまう。シ
ートに付着した粒子は、のちの印刷時に不都合を生ぜし
める。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
で述べた形式の真空被覆装置を改良して、金属酸化物、
または金属酸化物と金属との混合物を、スパッタ粒子を
生ぜしめることなしに高速かつ高品質でシートに被覆す
ることを可能にすることである。このような装置は長い
耐用寿命を有し、かつ高いプロセス安定性を可能にする
のが望ましい。さらに、コンベンショナルな蒸発炉に比
べて特に良好な横方向調整が可能になるのが望ましい。
で述べた形式の真空被覆装置を改良して、金属酸化物、
または金属酸化物と金属との混合物を、スパッタ粒子を
生ぜしめることなしに高速かつ高品質でシートに被覆す
ることを可能にすることである。このような装置は長い
耐用寿命を有し、かつ高いプロセス安定性を可能にする
のが望ましい。さらに、コンベンショナルな蒸発炉に比
べて特に良好な横方向調整が可能になるのが望ましい。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の構成では、坩堝が、例えばモリブデン、タン
タルまたはタングステンのような高融点金属、黒鉛、黒
鉛複合体またはセラミックス材料から形成されているよ
うにした。
に本発明の構成では、坩堝が、例えばモリブデン、タン
タルまたはタングステンのような高融点金属、黒鉛、黒
鉛複合体またはセラミックス材料から形成されているよ
うにした。
【００１２】
【発明の効果】本発明のように構成されていると、金属
酸化物、または金属酸化物と金属との混合物をシートに
高速かつ高品質で被覆することができる。
酸化物、または金属酸化物と金属との混合物をシートに
高速かつ高品質で被覆することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に本発明を図面に示した実施の
形態について説明する。
形態について説明する。
【００１４】図面には円筒形の受容体１が示されてい
る。この受容体には、開口を備えた細長い坩堝２が配置
されている。この坩堝２の上方には、被覆ローラ３が設
けられている。この被覆ローラは被覆室４を上方に向か
って仕切っている。この被覆ローラ３を介して連続的
に、被覆しようとするシート５が走行する。このシート
は、供給側ロール６から繰り出されて、巻き取り側ロー
ル７に巻き取られる。
る。この受容体には、開口を備えた細長い坩堝２が配置
されている。この坩堝２の上方には、被覆ローラ３が設
けられている。この被覆ローラは被覆室４を上方に向か
って仕切っている。この被覆ローラ３を介して連続的
に、被覆しようとするシート５が走行する。このシート
は、供給側ロール６から繰り出されて、巻き取り側ロー
ル７に巻き取られる。
【００１５】坩堝２を加熱するためには電子銃８が役立
つ。この電子銃の電子ビーム９は、磁気コイル１０によ
って坩堝１０に向かって変向させられる。蒸発させよう
とする材料（ＳｉＯｘのような金属酸化物、金属または
金属化合物）が坩堝２内に位置している。この坩堝は開
口、ギャップまたはスリット１５を被覆ローラ３に向か
って備えている。
つ。この電子銃の電子ビーム９は、磁気コイル１０によ
って坩堝１０に向かって変向させられる。蒸発させよう
とする材料（ＳｉＯｘのような金属酸化物、金属または
金属化合物）が坩堝２内に位置している。この坩堝は開
口、ギャップまたはスリット１５を被覆ローラ３に向か
って備えている。
【００１６】発生する蒸気塊にプラズマを発生させるた
めに、ホーンアンテナ１１によってマイクロ波エネルギ
が被覆室４内にもたらされる。
めに、ホーンアンテナ１１によってマイクロ波エネルギ
が被覆室４内にもたらされる。
【００１７】上記のような装置において、筒形もしくは
管形の坩堝２は電子ビーム９によって全被覆幅にわたっ
て均一に加熱される。坩堝２の上面には、スリット１５
が位置している。これらのスリットを通って、蒸気状の
金属酸化物が流出し、シートに凝縮する。材料全体が均
一に加熱され、蒸気が比較的小さな孔を通ってしか逃げ
ることができないので、被覆速度が極めて高い場合にも
スパッタ粒子発生が阻止される。
管形の坩堝２は電子ビーム９によって全被覆幅にわたっ
て均一に加熱される。坩堝２の上面には、スリット１５
が位置している。これらのスリットを通って、蒸気状の
金属酸化物が流出し、シートに凝縮する。材料全体が均
一に加熱され、蒸気が比較的小さな孔を通ってしか逃げ
ることができないので、被覆速度が極めて高い場合にも
スパッタ粒子発生が阻止される。
【００１８】坩堝は、例えばモリブデン、タングステ
ン、黒鉛、黒鉛繊維複合材料またはセラミックス材料の
ような極めて高い融点を有する材料から成っている。
ン、黒鉛、黒鉛繊維複合材料またはセラミックス材料の
ような極めて高い融点を有する材料から成っている。
【００１９】図示の装置においては、蒸発器とシートと
の間にプラズマを例えばマイクロ波励起によって点火す
ることも可能である。これによりシートが、場合によっ
て衝突する、電子ビームの散乱電子によって放電され
る。
の間にプラズマを例えばマイクロ波励起によって点火す
ることも可能である。これによりシートが、場合によっ
て衝突する、電子ビームの散乱電子によって放電され
る。
【００２０】酸素源１２は、被覆室４に接続された導管
１３を介して、必要な場合に酸素を供給することができ
るので、例えばＳｉＯが蒸発してＳｉＯｘとしてシート
に沈積させられる。
１３を介して、必要な場合に酸素を供給することができ
るので、例えばＳｉＯが蒸発してＳｉＯｘとしてシート
に沈積させられる。
【図１】本発明による真空被覆装置の１実施例を示す部
分概略図である。
分概略図である。
１ 受容体、 ２ 坩堝、 ３ 被覆ローラ、 ４ 被
覆室、 ５ シート、６ 供給側ロール、 ７ 巻き取
り側ロール、 ８ 電子銃、 ９ 電子ビーム、 １０
磁気コイル、 １１ ホーンアンテナ、 １２ 酸素
源、 １３導管、 １５ 貫通孔
覆室、 ５ シート、６ 供給側ロール、 ７ 巻き取
り側ロール、 ８ 電子銃、 ９ 電子ビーム、 １０
磁気コイル、 １１ ホーンアンテナ、 １２ 酸素
源、 １３導管、 １５ 貫通孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲルト ホフマン ドイツ連邦共和国 ブルーフケーベル ラ ングシュトラーセ 13 (72)発明者 ライナー ルートヴィッヒ ドイツ連邦共和国 ヘースバッハ グリュ ンタール 15 (72)発明者 ノルベルト ロス ドイツ連邦共和国 マインタール ハイン シュトラーセ １ (72)発明者 ゲルハルト シュタイニーガー ドイツ連邦共和国 ロネブルク フェルト シュトラーセ ８
Claims (2)
- 【請求項１】 真空被覆装置であって、蒸発させようと
する材料を収容するための坩堝（２）が真空室内に配置
されており、坩堝（２）内に存在する、金属、金属酸化
物または金属と金属酸化物との混合物のような材料を蒸
発させるための電子ビーム源（８）が坩堝（２）に向け
られており、蒸発させようとする材料から所定の間隔を
置いて基体が保持されている形式のものにおいて、 坩堝（２）が、高融点金属、黒鉛、黒鉛複合体またはセ
ラミックス材料から形成されていることを特徴とする、
真空被覆装置。 - 【請求項２】 真空被覆装置であって、蒸発させようと
する材料を収容するための坩堝（２）が被覆室（４）内
に配置されており、該坩堝（２）内に存在する、金属、
金属酸化物または金属と金属酸化物との混合物のような
材料を蒸発させるための電子ビーム源（８）が坩堝
（２）に向けられており、蒸発させようとする材料から
所定の間隔を置いて基体が保持されており、さらに、該
基体（５）と、蒸発させようとする材料との間に生ぜし
められた蒸気塊にプラズマを発生させるためのマイクロ
波エネルギを供給するためにホーンアンテナ（１１）が
設けられている形式のものにおいて、 坩堝（２）が、ほぼ閉じられた容器の形で形成されてい
て、基体（５）に向いた側に、多数の開口、スリットま
たは貫通孔（１５）を有しており、該開口、スリットま
たは貫通孔（１５）を通って、蒸発させられた材料が、
基体（５）の方向に流出可能であり、坩堝（２）が、高
融点金属、黒鉛、黒鉛複合体またはセラミックス材料か
ら形成されていることを特徴とする、真空被覆装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19539986.2 | 1995-10-27 | ||
| DE1995139986 DE19539986A1 (de) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | Vakuumbeschichtungsanlage mit einem in der Vakuumkammer angeordneten Tiegel zur Aufnahme von zu verdampfendem Material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09165674A true JPH09165674A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=7775904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28559496A Pending JPH09165674A (ja) | 1995-10-27 | 1996-10-28 | 真空被覆装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09165674A (ja) |
| DE (1) | DE19539986A1 (ja) |
| GB (1) | GB2306512B (ja) |
| IT (1) | IT1284577B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8273180B2 (en) | 2008-06-30 | 2012-09-25 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Device for film coating |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2339800B (en) * | 1998-07-24 | 2003-04-09 | Gen Vacuum Equipment Ltd | A vacuum process for depositing zinc sulphide and other coatings on flexible moving web |
| CN107686968A (zh) * | 2017-08-14 | 2018-02-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀坩埚及蒸镀系统 |
| CN109609922B (zh) * | 2019-01-02 | 2021-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜制备装置、方法及系统 |
| CN114622169A (zh) * | 2022-04-27 | 2022-06-14 | 华天慧创科技（西安）有限公司 | 一种防污膜镀膜装置及镀膜方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3552352A (en) * | 1968-02-13 | 1971-01-05 | Du Pont | Electron beam vaporization coating apparatus |
| US4029466A (en) * | 1974-08-08 | 1977-06-14 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Container for evaporation of metal |
| DE2628765C3 (de) * | 1976-06-26 | 1979-01-11 | Leybold-Heraeus Gmbh & Co Kg, 5000 Koeln | Vorrichtung zum Aufdampfen insbesondere sublimierbarer Stoffe im Vakuum mittels einer Elektronenstrahlquelle |
| JPS6037530B2 (ja) * | 1980-05-29 | 1985-08-27 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS58130443A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| DE3276333D1 (en) * | 1982-10-28 | 1987-06-19 | Ibm | Method and apparatus for vacuum evaporation coating using an electron gun |
| JPS60200979A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
| GB8425917D0 (en) * | 1984-10-13 | 1984-11-21 | Metal Box Plc | Evaporating metal |
| JPS61187126A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| DE3641718A1 (de) * | 1986-12-06 | 1988-06-16 | Leybold Ag | Verfahren zum herstellen von wickeln aus im vakuum leitfaehig beschichteten isolierstoff-folien |
| DE3708716C2 (de) * | 1987-03-18 | 1993-11-04 | Hans Prof Dr Rer Nat Oechsner | Hochfrequenz-ionenquelle |
| JPS6428366A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-30 | Shimadzu Corp | Crucible of vacuum deposition device |
| JP2612602B2 (ja) * | 1987-12-17 | 1997-05-21 | 東洋インキ製造 株式会社 | 連続蒸着フィルムの製造方法および装置 |
| JP2790654B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1998-08-27 | ホーヤ株式会社 | プラスチックレンズ基板への二酸化チタン膜の形成方法 |
| DE3920834A1 (de) * | 1989-06-24 | 1991-02-21 | Leybold Ag | Mikrowellen-kathodenzerstaeubungseinrichtung |
| US5122389A (en) * | 1990-03-02 | 1992-06-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Vacuum evaporation method and apparatus |
| JPH04116155A (ja) * | 1990-09-06 | 1992-04-16 | Seiko Instr Inc | 薄膜の形成方法 |
| GB2251631B (en) * | 1990-12-19 | 1994-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | Thin-film forming apparatus |
| US5133604A (en) * | 1991-07-30 | 1992-07-28 | Davidson Textron Inc. | Method and apparatus for evaluating evaporating boats based on evaporation rate characteristics |
| CH683776A5 (de) * | 1991-12-05 | 1994-05-13 | Alusuisse Lonza Services Ag | Beschichten einer Substratfläche mit einer Permeationssperre. |
| DE4203631C2 (de) * | 1992-02-08 | 2000-06-08 | Leybold Ag | Vorrichtung für die Behandlung einer Oxidschicht |
| DE4203632C2 (de) * | 1992-02-08 | 2003-01-23 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Vakuumbeschichtungsanlage |
| CN1047209C (zh) * | 1994-09-28 | 1999-12-08 | 先进陶瓷公司 | 高密度闪蒸器 |
-
1995
- 1995-10-27 DE DE1995139986 patent/DE19539986A1/de not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-09-24 IT IT96MI001952A patent/IT1284577B1/it active IP Right Grant
- 1996-09-24 GB GB9619914A patent/GB2306512B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-28 JP JP28559496A patent/JPH09165674A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8273180B2 (en) | 2008-06-30 | 2012-09-25 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Device for film coating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19539986A1 (de) | 1997-04-30 |
| GB9619914D0 (en) | 1996-11-06 |
| GB2306512B (en) | 1999-06-16 |
| GB2306512A (en) | 1997-05-07 |
| IT1284577B1 (it) | 1998-05-21 |
| ITMI961952A1 (it) | 1998-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Tudose et al. | Chemical and physical methods for multifunctional nanostructured interface fabrication | |
| US5296274A (en) | Method of producing carbon-containing materials by electron beam vacuum evaporation of graphite and subsequent condensation | |
| CA1157806A (en) | Cubic boron nitride preparation | |
| US4863581A (en) | Hollow cathode gun and deposition device for ion plating process | |
| JPH08505434A (ja) | プラズマ補助高速電子ビーム蒸発用の装置 | |
| EP1902152B1 (en) | Apparatus and method for coating a substrate | |
| JPH02290965A (ja) | 薄膜の真空蒸着システム及び方法 | |
| US4415420A (en) | Cubic boron nitride preparation | |
| JPH0559538A (ja) | 列形蒸発器 | |
| JPH02186548A (ja) | 基板上への誘電ないし金属材料の塗布装置 | |
| US5885357A (en) | Process and device for coating a substrate surface with vaporized inorganic material | |
| CA1264613A (en) | Process and apparatus for metallising foils in a vacuum roll coating machine | |
| GB2306512A (en) | Electron beam vacuum coating plant having a crucible of high melting material | |
| US3373050A (en) | Deflecting particles in vacuum coating process | |
| JPS588640B2 (ja) | スピ−カ−シンドウバンノセイゾウホウ | |
| JP3901336B2 (ja) | イオンプレーティング装置の運転方法 | |
| JPH07150341A (ja) | 反応性イオンクラスタービーム蒸着法及びその装置 | |
| JP2548387B2 (ja) | 液晶の配向膜の製造装置 | |
| JP3152548B2 (ja) | 高周波誘導プラズマ成膜装置 | |
| JP2667309B2 (ja) | Ｈｃｄイオンプレーティングによる耐摩耗性被膜形成法 | |
| JP3837782B2 (ja) | 酸化アルミニウム蒸着フィルムの製造方法 | |
| JP2898652B2 (ja) | イオンプレーティング用蒸発装置 | |
| JPH0477074B2 (ja) | ||
| JPH05239630A (ja) | イオンプレーティング方法及び装置 | |
| Suchea | Chemical and physical methods for |