JPH0916950A - 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造装置Info
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- JPH0916950A JPH0916950A JP18808295A JP18808295A JPH0916950A JP H0916950 A JPH0916950 A JP H0916950A JP 18808295 A JP18808295 A JP 18808295A JP 18808295 A JP18808295 A JP 18808295A JP H0916950 A JPH0916950 A JP H0916950A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 テープ長手方向のスリット断面に露出する磁
性薄膜の摩耗、剥離を防止する磁気記録媒体を提供す
る。 【構成】 高分子フィルム１２上に磁性膜１３を形成し
た薄膜テープ１０であって、磁性膜１３を形成しかつ所
定の幅Ｌにスリットされた長手方向のスリット断面６上
に、保護膜４、潤滑膜５を形成する。
性薄膜の摩耗、剥離を防止する磁気記録媒体を提供す
る。 【構成】 高分子フィルム１２上に磁性膜１３を形成し
た薄膜テープ１０であって、磁性膜１３を形成しかつ所
定の幅Ｌにスリットされた長手方向のスリット断面６上
に、保護膜４、潤滑膜５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体、磁気記録
媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造装置に関する。
媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度特性に優れた磁気記録媒体とし
て、基体フィルム上に金属磁性薄膜を形成した、いわゆ
る薄膜テープがある。図４は従来の薄膜テープの構造を
説明するための図であり、薄膜テープは以下のように作
成される。
て、基体フィルム上に金属磁性薄膜を形成した、いわゆ
る薄膜テープがある。図４は従来の薄膜テープの構造を
説明するための図であり、薄膜テープは以下のように作
成される。
【０００３】薄膜テープ２０は、図４（Ａ）に示すよう
に、１００ｍｍ〜１０００ｍｍ幅のポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）フィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルム、
アラミドフィルム等の高分子フィルム１の上に、ＣｏＮ
ｉ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＯ，ＣｏＯ，ＣｏＣｒ，Ｃ
ｏＣｒＴａ，ＣｏＳｍ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ等のＣ
ｏ系磁性薄膜３をスパッタ法、蒸着法、イオンプレーテ
ィング法等により形成する。
に、１００ｍｍ〜１０００ｍｍ幅のポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）フィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルム、
アラミドフィルム等の高分子フィルム１の上に、ＣｏＮ
ｉ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＯ，ＣｏＯ，ＣｏＣｒ，Ｃ
ｏＣｒＴａ，ＣｏＳｍ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ等のＣ
ｏ系磁性薄膜３をスパッタ法、蒸着法、イオンプレーテ
ィング法等により形成する。
【０００４】磁性薄膜３上には記録再生ヘッドやＶＴＲ
走行系におけるテープガイド、固定ロアードラム等との
摺動による磁性膜の摩耗、損傷を防止するために、スパ
ッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等により、ダイヤモンドライ
クカーボン（ＤＬＣ）、ＳｉＯ2 、アモルファスカーボ
ン等の保護膜７を形成し、この上にパーフルオロポリエ
ーテル、パーフルオロカルボン酸エステル等の潤滑膜８
を形成する。この成膜を施した長尺テープ原反をスリッ
タにより所定テープ幅Ｌにスリットして図４（Ｂ）に示
す薄膜磁気テープ２０が完成する。１２Ａはスリットさ
れた高分子フィルム１２の長尺方向の断面、１３Ａはス
リットされた磁性薄膜１３の長尺方向のスリット断面、
１６は薄膜テープ２０の長尺方向のスリット断面であ
る。
走行系におけるテープガイド、固定ロアードラム等との
摺動による磁性膜の摩耗、損傷を防止するために、スパ
ッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等により、ダイヤモンドライ
クカーボン（ＤＬＣ）、ＳｉＯ2 、アモルファスカーボ
ン等の保護膜７を形成し、この上にパーフルオロポリエ
ーテル、パーフルオロカルボン酸エステル等の潤滑膜８
を形成する。この成膜を施した長尺テープ原反をスリッ
タにより所定テープ幅Ｌにスリットして図４（Ｂ）に示
す薄膜磁気テープ２０が完成する。１２Ａはスリットさ
れた高分子フィルム１２の長尺方向の断面、１３Ａはス
リットされた磁性薄膜１３の長尺方向のスリット断面、
１６は薄膜テープ２０の長尺方向のスリット断面であ
る。
【０００５】上記の各膜以外に磁性面とは反対の面にテ
ープ走行の改善と帯電防止のために主としてカーボンブ
ラックから成るバックコート層を形成しても良い。
ープ走行の改善と帯電防止のために主としてカーボンブ
ラックから成るバックコート層を形成しても良い。
【０００６】一方、他の構造の薄膜テープとしては、高
分子成形物基板上に薄膜磁性層、保護層を順次形成し、
薄膜磁性層、保護層が積層された高分子成形物基板の少
なくとも片方の裁断面（薄膜テープの長手方向のスリッ
ト断面）に導電層を有する磁気テープがある。これによ
り、薄膜テープをテープレコーダに装着して走行する場
合に発生する静電気を導電層を介して外部へ逃がして静
帯電ノイズの少ない効果を得ることができる（特開昭６
０−１６００２９号公報）。
分子成形物基板上に薄膜磁性層、保護層を順次形成し、
薄膜磁性層、保護層が積層された高分子成形物基板の少
なくとも片方の裁断面（薄膜テープの長手方向のスリッ
ト断面）に導電層を有する磁気テープがある。これによ
り、薄膜テープをテープレコーダに装着して走行する場
合に発生する静電気を導電層を介して外部へ逃がして静
帯電ノイズの少ない効果を得ることができる（特開昭６
０−１６００２９号公報）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図４（Ｂ）に示した薄
膜テープ２０の記録再生面（特に磁性薄膜１３）は記録
再生中に、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、ＶＴＲ等
の固定ガイドポール３１と摺動走行する。図５（Ａ）は
薄膜テープ２０と固定ガイドポール３１との摺動状態を
説明する図、同図（Ｂ）はその半断面図である。
膜テープ２０の記録再生面（特に磁性薄膜１３）は記録
再生中に、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、ＶＴＲ等
の固定ガイドポール３１と摺動走行する。図５（Ａ）は
薄膜テープ２０と固定ガイドポール３１との摺動状態を
説明する図、同図（Ｂ）はその半断面図である。
【０００８】同様に、薄膜テープ２０の記録再生面は記
録再生中に、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、ＶＴＲ
の固定ロアードラム４１と摺動走行する。図６（Ａ）は
薄膜テープ２０と固定ロアードラム４１との摺動状態を
説明する図、同図（Ｂ）はその半断面図である。上記し
た図５（Ａ），図６（Ａ）中の矢印はいずれも薄膜テー
プ２０の走行方向を示す。前述した摺動走行状態の薄膜
テープ２０の記録再生面には、保護膜１４、潤滑膜１５
が、裏面にはバックコート層が形成されているため、記
録再生面及び裏面は損傷を受けることが少ない。
録再生中に、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、ＶＴＲ
の固定ロアードラム４１と摺動走行する。図６（Ａ）は
薄膜テープ２０と固定ロアードラム４１との摺動状態を
説明する図、同図（Ｂ）はその半断面図である。上記し
た図５（Ａ），図６（Ａ）中の矢印はいずれも薄膜テー
プ２０の走行方向を示す。前述した摺動走行状態の薄膜
テープ２０の記録再生面には、保護膜１４、潤滑膜１５
が、裏面にはバックコート層が形成されているため、記
録再生面及び裏面は損傷を受けることが少ない。
【０００９】しかし、図４（Ｂ）の薄膜テープ２０のス
リット断面１６はベースフィルムである高分子フィルム
１２の断面１２Ａ及び磁性薄膜１３の断面１３Ａが長尺
方向に渡り連続して露出しており、また、図５の固定ガ
イド３１のテープ規制フランジ３２や図６の固定ロアー
ドラム４１に設けられたテープ走行を規制するリード４
２にスリット断面１６（高分子フィルム１２の断面１２
Ａ、磁性薄膜１３の断面１３Ａ）が常時接触、摺動して
以下の問題（１），（２）が生じていた。
リット断面１６はベースフィルムである高分子フィルム
１２の断面１２Ａ及び磁性薄膜１３の断面１３Ａが長尺
方向に渡り連続して露出しており、また、図５の固定ガ
イド３１のテープ規制フランジ３２や図６の固定ロアー
ドラム４１に設けられたテープ走行を規制するリード４
２にスリット断面１６（高分子フィルム１２の断面１２
Ａ、磁性薄膜１３の断面１３Ａ）が常時接触、摺動して
以下の問題（１），（２）が生じていた。
【００１０】（１） 薄膜テープ２０のスリット断面１
６（露出した高分子フィルム１２の断面１２Ａ及び磁性
薄膜１３の断面１３Ａ）は、前記した固定ガイド３１の
テープ規制フランジ３２やリード４２等の金属部品との
接触、摺動により、摩耗しやすく、特に、磁性薄膜１３
の断面１３Ａには長尺な原反テープから所定の幅Ｌのテ
ープを切り出すスリット過程でクラックが発生し、磁性
薄膜１３自体の摩耗や、高分子フィルム１２からの磁性
薄膜１３の剥離が生じやすい。この摩耗、剥離により発
生する摩耗、剥離粉が記録再生面（特に磁性薄膜１３の
上面）に付着すると、記録再生時にドロップアウトや記
録再生ヘッドの目詰まり、損傷の原因となる。また、薄
膜テープの記録再生面及び裏面に付着した摩耗、剥離粉
は薄膜テープカセット中でテープ間に挟まれると、摩
耗、剥離粉による凹凸が転写されて、テープ面に凹凸が
生じる。これは摩耗、剥離粉がテープ面（記録再生面）
より移動しても残り、再生時のドロップアウトや記録再
生ヘッド損傷の問題となる。
６（露出した高分子フィルム１２の断面１２Ａ及び磁性
薄膜１３の断面１３Ａ）は、前記した固定ガイド３１の
テープ規制フランジ３２やリード４２等の金属部品との
接触、摺動により、摩耗しやすく、特に、磁性薄膜１３
の断面１３Ａには長尺な原反テープから所定の幅Ｌのテ
ープを切り出すスリット過程でクラックが発生し、磁性
薄膜１３自体の摩耗や、高分子フィルム１２からの磁性
薄膜１３の剥離が生じやすい。この摩耗、剥離により発
生する摩耗、剥離粉が記録再生面（特に磁性薄膜１３の
上面）に付着すると、記録再生時にドロップアウトや記
録再生ヘッドの目詰まり、損傷の原因となる。また、薄
膜テープの記録再生面及び裏面に付着した摩耗、剥離粉
は薄膜テープカセット中でテープ間に挟まれると、摩
耗、剥離粉による凹凸が転写されて、テープ面に凹凸が
生じる。これは摩耗、剥離粉がテープ面（記録再生面）
より移動しても残り、再生時のドロップアウトや記録再
生ヘッド損傷の問題となる。
【００１１】（２） スリット断面１６の露出した磁性
薄膜１３の断面１３Ａと固定ガイド３１のテープ規制フ
ランジ３２や固定ロアードラム４１に設けられたリード
４２との激しい接触摺動により、テープ規制フランジ３
２やリード４２は摩耗し、部品寿命が低下する。特に、
磁性薄膜１３の断面１３Ａから生じた摩耗粉による研磨
効果により摩耗速度が速まり、部品寿命が著しく低下す
る。また、リード４２が部分的に摩耗すると、テープ規
制の直線性が悪化し、テープ走行時におけるテープとヘ
ッドの相対位置関係が変動し、再生画像品質が劣化する
問題となる。
薄膜１３の断面１３Ａと固定ガイド３１のテープ規制フ
ランジ３２や固定ロアードラム４１に設けられたリード
４２との激しい接触摺動により、テープ規制フランジ３
２やリード４２は摩耗し、部品寿命が低下する。特に、
磁性薄膜１３の断面１３Ａから生じた摩耗粉による研磨
効果により摩耗速度が速まり、部品寿命が著しく低下す
る。また、リード４２が部分的に摩耗すると、テープ規
制の直線性が悪化し、テープ走行時におけるテープとヘ
ッドの相対位置関係が変動し、再生画像品質が劣化する
問題となる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、下記（１）〜（５）の構成になる磁
気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の
製造装置を提供する。
ために、本発明は、下記（１）〜（５）の構成になる磁
気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の
製造装置を提供する。
【００１３】（１） 図１（Ｂ）に示すように、非磁性
体（高分子フィルム）１２上に磁性膜（磁性薄膜）１３
を形成し長手方向にスリットした磁気記録媒体（薄膜テ
ープ）１０において、少なくとも長手方向のスリット断
面６に保護膜４を形成したことを特徴とする磁気記録媒
体。
体（高分子フィルム）１２上に磁性膜（磁性薄膜）１３
を形成し長手方向にスリットした磁気記録媒体（薄膜テ
ープ）１０において、少なくとも長手方向のスリット断
面６に保護膜４を形成したことを特徴とする磁気記録媒
体。
【００１４】（２） 図１（Ｂ）に示すように、非磁性
体（高分子フィルム）１２上に磁性膜（磁性薄膜）１３
を形成し長手方向にスリットした磁気記録媒体（薄膜テ
ープ）１０において、少なくとも長手方向のスリット断
面６に、保護膜４、潤滑膜５を順次形成したことを特徴
とする磁気記録媒体。
体（高分子フィルム）１２上に磁性膜（磁性薄膜）１３
を形成し長手方向にスリットした磁気記録媒体（薄膜テ
ープ）１０において、少なくとも長手方向のスリット断
面６に、保護膜４、潤滑膜５を順次形成したことを特徴
とする磁気記録媒体。
【００１５】（３） 前記保護膜４がダイヤモンドライ
クカーボンであることを特徴とする上記（１）又は
（２）記載の磁気記録媒体。
クカーボンであることを特徴とする上記（１）又は
（２）記載の磁気記録媒体。
【００１６】（４） 図１（Ａ）、図２、図３に示すよ
うに、非磁性体（高分子フィルム）１上に磁性膜（磁性
薄膜）３を形成した長尺原反５２を所定の幅Ｌに真空中
でスリットし、スリット後、スリットされた長尺テープ
７１を大気にさらさずに、真空中で前記長尺テープ７１
同士の間隔を所定の間隔Ｍに拡げた状態で、少なくとも
長手方向のスリット断面６上に保護膜４を真空中で形成
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
うに、非磁性体（高分子フィルム）１上に磁性膜（磁性
薄膜）３を形成した長尺原反５２を所定の幅Ｌに真空中
でスリットし、スリット後、スリットされた長尺テープ
７１を大気にさらさずに、真空中で前記長尺テープ７１
同士の間隔を所定の間隔Ｍに拡げた状態で、少なくとも
長手方向のスリット断面６上に保護膜４を真空中で形成
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１７】（５） 図１（Ａ），図２，図３に示すよ
うに、真空容器５０Ａ内で巻き出しロール５１から引き
出した非磁性体（高分子フィルム）１を走行させ、この
間に、前記非磁性体（高分子フィルム）１上に磁性膜
（磁性薄膜）３、保護膜４を順次形成した後、巻き取り
リール６７に巻き取る構成を有する磁気記録媒体の製造
装置５０において、前記非磁性体（高分子フィルム）１
上に磁性膜（磁性薄膜）３を形成する（メインドラム５
３，ガス導入部５４，ＣｏＣｒターゲット５５から構成
される）磁性膜形成部と、この磁性膜形成部により形成
した前記磁性膜（磁性薄膜）３及び非磁性体（長尺テー
プ）７１の長手方向に保護膜４を形成する（高周波供給
電圧５８，接地電極５９，ガス導入部６０から構成され
る）保護膜形成部と、前記磁性膜形成部の直後に設置さ
れ、前記非磁性体（長尺テープ）７１上に磁性膜（磁性
薄膜）３を有する長尺原反５２を所定の幅Ｌにスリット
するスリッタ５６と、前記保護膜形成部に設置され、所
定の幅Ｌにスリットされた長尺テープ７１同士の間隔を
所定の間隔Ｍに拡げるテープ間隔制御ローラ７２とを備
えたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
うに、真空容器５０Ａ内で巻き出しロール５１から引き
出した非磁性体（高分子フィルム）１を走行させ、この
間に、前記非磁性体（高分子フィルム）１上に磁性膜
（磁性薄膜）３、保護膜４を順次形成した後、巻き取り
リール６７に巻き取る構成を有する磁気記録媒体の製造
装置５０において、前記非磁性体（高分子フィルム）１
上に磁性膜（磁性薄膜）３を形成する（メインドラム５
３，ガス導入部５４，ＣｏＣｒターゲット５５から構成
される）磁性膜形成部と、この磁性膜形成部により形成
した前記磁性膜（磁性薄膜）３及び非磁性体（長尺テー
プ）７１の長手方向に保護膜４を形成する（高周波供給
電圧５８，接地電極５９，ガス導入部６０から構成され
る）保護膜形成部と、前記磁性膜形成部の直後に設置さ
れ、前記非磁性体（長尺テープ）７１上に磁性膜（磁性
薄膜）３を有する長尺原反５２を所定の幅Ｌにスリット
するスリッタ５６と、前記保護膜形成部に設置され、所
定の幅Ｌにスリットされた長尺テープ７１同士の間隔を
所定の間隔Ｍに拡げるテープ間隔制御ローラ７２とを備
えたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【００１８】
【作用】非磁性体フィルム（高分子フィルム）１上に磁
性薄膜１３を（メインドラム５３，ガス導入部５４，Ｃ
ｏＣｒターゲット５５から構成される）磁性膜形成部に
て形成し、スリッタ５６で所定のテープ幅Ｌにスリット
し、テープ間隔制御ローラ７２，７２Ａでスリットされ
た長尺テープ７１同士の間隔を所定の間隔Ｍに拡げた
後、長尺テープ７１の長手方向のスリット断面６上に保
護膜４、潤滑膜５を形成する。
性薄膜１３を（メインドラム５３，ガス導入部５４，Ｃ
ｏＣｒターゲット５５から構成される）磁性膜形成部に
て形成し、スリッタ５６で所定のテープ幅Ｌにスリット
し、テープ間隔制御ローラ７２，７２Ａでスリットされ
た長尺テープ７１同士の間隔を所定の間隔Ｍに拡げた
後、長尺テープ７１の長手方向のスリット断面６上に保
護膜４、潤滑膜５を形成する。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の磁気記録媒体、磁気記録媒体
の製造方法、磁気記録媒体の製造装置を図１〜図３に沿
って説明する。
の製造方法、磁気記録媒体の製造装置を図１〜図３に沿
って説明する。
【００２０】本発明の磁気記録媒体は、大略、前述の薄
膜テープ２０（図４（Ｂ）に図示）のスリット断面１６
において、高分子フィルム１２の断面１２Ａ及び磁性薄
膜１３の断面１３Ａが外部へ露出して摩耗や剥離がない
ように、磁性薄膜１３が形成された高分子フィルム１２
の上面及びその左右両側面全体（即ち、高分子フィルム
１２の左右両断面１２Ａ〜磁性薄膜１３の上面１３Ｂ〜
磁性薄膜１３の左右両断面１３Ａの全て）を覆うよう
に、保護膜４、潤滑膜５を形成したものである。また、
本発明の磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造
装置は、後述するように、こうした構造の磁気記録媒体
を製造するための製造方法、製造装置である。
膜テープ２０（図４（Ｂ）に図示）のスリット断面１６
において、高分子フィルム１２の断面１２Ａ及び磁性薄
膜１３の断面１３Ａが外部へ露出して摩耗や剥離がない
ように、磁性薄膜１３が形成された高分子フィルム１２
の上面及びその左右両側面全体（即ち、高分子フィルム
１２の左右両断面１２Ａ〜磁性薄膜１３の上面１３Ｂ〜
磁性薄膜１３の左右両断面１３Ａの全て）を覆うよう
に、保護膜４、潤滑膜５を形成したものである。また、
本発明の磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造
装置は、後述するように、こうした構造の磁気記録媒体
を製造するための製造方法、製造装置である。
【００２１】即ち、本発明の磁気記録媒体の一実施例で
ある薄膜テープ１０は、図１（Ａ）に示すように、１０
０ｍｍ〜１０００ｍｍ幅のポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）フィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルム、アラミド
フィルム等の高分子フィルム１の上に、ＣｏＮｉ，Ｃｏ
ＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＯ，ＣｏＯ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴ
ａ，ＣｏＳｍ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ等のＣｏ系磁性
薄膜３をスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法
等により形成する。この後、高分子フィルム１の上に磁
性薄膜３を形成した長尺原反５２を後述するように、所
定のテープ幅Ｌにスリットする。
ある薄膜テープ１０は、図１（Ａ）に示すように、１０
０ｍｍ〜１０００ｍｍ幅のポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）フィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルム、アラミド
フィルム等の高分子フィルム１の上に、ＣｏＮｉ，Ｃｏ
ＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＯ，ＣｏＯ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴ
ａ，ＣｏＳｍ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ等のＣｏ系磁性
薄膜３をスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法
等により形成する。この後、高分子フィルム１の上に磁
性薄膜３を形成した長尺原反５２を後述するように、所
定のテープ幅Ｌにスリットする。
【００２２】この後、図１（Ｂ）中、スリットされた高
分子フィルム１２の左右両側面（断面１２Ａ）上、磁性
薄膜１３の上面１３Ｂ及び左右両側面（断面１３Ａ）上
にそれぞれ、記録再生ヘッドやＶＴＲ走行系におけるテ
ープガイド、固定ロアードラム等との摺動による磁性薄
膜１３の摩耗、損傷、剥離を防止するために、スパッタ
法、蒸着法、ＣＶＤ法等により、ダイヤモンドライクカ
ーボン（ＤＬＣ）、ＳｉＯ2 、アモルファスカーボン等
の保護膜４を形成する。この後、保護膜４の左右両側面
４Ａ及び上面４Ｂ上にパーフルオロポリエーテル、パー
フルオロカルボン酸エステル等の潤滑膜５を形成する。
こうして、薄膜テープ１０が完成する。５Ａは薄膜テー
プ１０の長尺方向の側面であり、ここには薄膜テープ２
０（図４（Ｂ）に図示）と比較して、高分子フィルム１
２のスリット断面１２Ａ及び磁性薄膜１３のスリット断
面１３Ａは露出していない。
分子フィルム１２の左右両側面（断面１２Ａ）上、磁性
薄膜１３の上面１３Ｂ及び左右両側面（断面１３Ａ）上
にそれぞれ、記録再生ヘッドやＶＴＲ走行系におけるテ
ープガイド、固定ロアードラム等との摺動による磁性薄
膜１３の摩耗、損傷、剥離を防止するために、スパッタ
法、蒸着法、ＣＶＤ法等により、ダイヤモンドライクカ
ーボン（ＤＬＣ）、ＳｉＯ2 、アモルファスカーボン等
の保護膜４を形成する。この後、保護膜４の左右両側面
４Ａ及び上面４Ｂ上にパーフルオロポリエーテル、パー
フルオロカルボン酸エステル等の潤滑膜５を形成する。
こうして、薄膜テープ１０が完成する。５Ａは薄膜テー
プ１０の長尺方向の側面であり、ここには薄膜テープ２
０（図４（Ｂ）に図示）と比較して、高分子フィルム１
２のスリット断面１２Ａ及び磁性薄膜１３のスリット断
面１３Ａは露出していない。
【００２３】上記の各膜以外に高分子フィルム１２が接
する磁性面とは反対の面に、テープ走行の改善と帯電防
止のために、主としてカーボンブラックから成るバック
コート層を形成しても良い。
する磁性面とは反対の面に、テープ走行の改善と帯電防
止のために、主としてカーボンブラックから成るバック
コート層を形成しても良い。
【００２４】次に、上述した構造の薄膜テープ１０の製
造について説明する。
造について説明する。
【００２５】［実施例］本発明の磁気記録媒体製造装置
５０は、図２の右端から左端へ亘る一連の工程により薄
膜テープの製造を行う装置である。即ち、下記するよう
に、真空容器５０Ａ内で巻き出しロール５１から引き出
した非磁性体フィルムである高分子フィルム１としてポ
リイミドフィルムを走行させる間に、磁性薄膜３を形成
した後、長尺原反５２を大気にさらさずに、真空中でス
リッタ５６によりスリットし、ガイドローラ７２，７２
Ａによりスリットされた長尺テープ７１同士の間隔を所
定の間隔Ｍに拡げた状態で、スリットされた断面６及び
磁性薄膜１３の上面１３Ｂに保護膜４を真空中で形成し
た後、巻き取りリール６７に巻き取る構成を有する。潤
滑膜５は真空装置５０Ａ外で必要に応じて成膜される。
５０は、図２の右端から左端へ亘る一連の工程により薄
膜テープの製造を行う装置である。即ち、下記するよう
に、真空容器５０Ａ内で巻き出しロール５１から引き出
した非磁性体フィルムである高分子フィルム１としてポ
リイミドフィルムを走行させる間に、磁性薄膜３を形成
した後、長尺原反５２を大気にさらさずに、真空中でス
リッタ５６によりスリットし、ガイドローラ７２，７２
Ａによりスリットされた長尺テープ７１同士の間隔を所
定の間隔Ｍに拡げた状態で、スリットされた断面６及び
磁性薄膜１３の上面１３Ｂに保護膜４を真空中で形成し
た後、巻き取りリール６７に巻き取る構成を有する。潤
滑膜５は真空装置５０Ａ外で必要に応じて成膜される。
【００２６】まず、図２中右端の巻き出しロール５１よ
り高分子フィルム１として厚さ１０μｍ，幅２００ｍの
長尺なポリイミドフィルムを順次引き出し、２００℃に
加熱したメインドラム５３に沿ってこれを移動する。こ
の移動途中で、ガス導入部５４よりＡｒガスを導入し、
ＣｏＣｒターゲット５５をガス圧１ｍＴｏｒｒでスパッ
タすることにより、０．２μｍのＣｏＣｒ垂直磁化膜
（図１（Ａ）に図示の磁性薄膜３に対応）を高分子フィ
ルム１上に形成する。
り高分子フィルム１として厚さ１０μｍ，幅２００ｍの
長尺なポリイミドフィルムを順次引き出し、２００℃に
加熱したメインドラム５３に沿ってこれを移動する。こ
の移動途中で、ガス導入部５４よりＡｒガスを導入し、
ＣｏＣｒターゲット５５をガス圧１ｍＴｏｒｒでスパッ
タすることにより、０．２μｍのＣｏＣｒ垂直磁化膜
（図１（Ａ）に図示の磁性薄膜３に対応）を高分子フィ
ルム１上に形成する。
【００２７】次に、スリッタ５６により８ｍｍのテープ
幅Ｌにスリットし、３０秒後にＣＶＤ法によりスリット
断面６及びＣｏＣｒ垂直磁化膜面にＤＬＣ膜（図１
（Ｂ）に図示の保護膜４に対応）を１００オングストロ
ーム形成した。ＤＬＣ成膜領域はプラズマ５７を発生さ
せる高周波供給電圧５８と接地電極５９から成り、ガス
導入部６０よりメタンガスを導入し、０．１Ｔｏｒｒに
制御してＤＬＣ膜を形成した。
幅Ｌにスリットし、３０秒後にＣＶＤ法によりスリット
断面６及びＣｏＣｒ垂直磁化膜面にＤＬＣ膜（図１
（Ｂ）に図示の保護膜４に対応）を１００オングストロ
ーム形成した。ＤＬＣ成膜領域はプラズマ５７を発生さ
せる高周波供給電圧５８と接地電極５９から成り、ガス
導入部６０よりメタンガスを導入し、０．１Ｔｏｒｒに
制御してＤＬＣ膜を形成した。
【００２８】また、このＤＬＣ成膜過程では、図３に示
すように、ガイドローラ７２，７２Ａにより、所定の幅
Ｌにスリットされた長尺テープ７１同士の間隔を拡げ、
長尺テープ７１は所定の間隔Ｍを隔てて走行される。こ
うして、各長尺テープ７１の長手方向のスリット断面６
には良好にＤＬＣが成膜されると共に、各長尺テープ７
１のＣｏＣｒ垂直磁化膜面にＤＬＣが成膜される。スパ
ッタ室６１、スリット室６２、ＣＶＤ室６３はそれぞ
れ、ポンプ６４，６５，６６により排気され、スパッタ
条件、ＣＶＤ条件に適合したガス圧が維持される。成膜
を終えた長尺テープ７１は巻き取りリール６７に巻き取
られる。
すように、ガイドローラ７２，７２Ａにより、所定の幅
Ｌにスリットされた長尺テープ７１同士の間隔を拡げ、
長尺テープ７１は所定の間隔Ｍを隔てて走行される。こ
うして、各長尺テープ７１の長手方向のスリット断面６
には良好にＤＬＣが成膜されると共に、各長尺テープ７
１のＣｏＣｒ垂直磁化膜面にＤＬＣが成膜される。スパ
ッタ室６１、スリット室６２、ＣＶＤ室６３はそれぞ
れ、ポンプ６４，６５，６６により排気され、スパッタ
条件、ＣＶＤ条件に適合したガス圧が維持される。成膜
を終えた長尺テープ７１は巻き取りリール６７に巻き取
られる。
【００２９】この後、大気中でグラビアコータによりパ
ーフルオロポリエーテルを２０オングストローム、保護
膜４の左右両側面４Ａ及び上面４Ｂ上に形成しテープを
作成した。
ーフルオロポリエーテルを２０オングストローム、保護
膜４の左右両側面４Ａ及び上面４Ｂ上に形成しテープを
作成した。
【００３０】［比較例１］図２に示す磁気記録媒体製造
装置５０において、スリッタ５６がなく、テープ間隔制
御ローラ７２を一般のガイドローラに置き換えた装置に
より、上記した［実施例］と同じスパッタ条件、ＣＶＤ
条件により厚さ１０μｍ，幅２００ｍの長尺なポリイミ
ドフィルム上にＣｏＣｒ膜を０．２μｍ、ＤＬＣ膜を１
００オングストローム順次成膜し、大気中でこの上に
［実施例］と同じ潤滑剤、同一塗布条件でグラビアコー
タによりパーフルオロポリエーテルを２０オングストロ
ームを形成後、スリッタにより８ｍｍ幅にスリットしテ
ープを作成した。
装置５０において、スリッタ５６がなく、テープ間隔制
御ローラ７２を一般のガイドローラに置き換えた装置に
より、上記した［実施例］と同じスパッタ条件、ＣＶＤ
条件により厚さ１０μｍ，幅２００ｍの長尺なポリイミ
ドフィルム上にＣｏＣｒ膜を０．２μｍ、ＤＬＣ膜を１
００オングストローム順次成膜し、大気中でこの上に
［実施例］と同じ潤滑剤、同一塗布条件でグラビアコー
タによりパーフルオロポリエーテルを２０オングストロ
ームを形成後、スリッタにより８ｍｍ幅にスリットしテ
ープを作成した。
【００３１】［比較例２］上記した［比較例１］で用い
た装置で、［実施例］と同じスパッタ条件で厚さ１０μ
ｍ，幅２００ｍｍの長尺なポリイミドフィルム上にＣｏ
Ｃｒ膜を０．２μｍ形成し、ＤＬＣ膜は形成せずに、真
空装置５０Ａ内から大気中に取り出し、スリッタにより
８ｍｍ幅にスリットした。スリットしたテープ７１を再
度［実施例］で用いた装置の走行系に設置し、［実施
例］と同じＣＶＤ条件でＤＬＣ膜をスリット断面とＣｏ
Ｃｒ膜面に１００オングストローム形成後、大気中で
［実施例］と同じ潤滑剤塗布条件でパーフルオロポリエ
ーテルを２０オングストロームを保護膜４の左右両側面
４Ａ及び上面４Ｂ上に形成し、テープを作成した。
た装置で、［実施例］と同じスパッタ条件で厚さ１０μ
ｍ，幅２００ｍｍの長尺なポリイミドフィルム上にＣｏ
Ｃｒ膜を０．２μｍ形成し、ＤＬＣ膜は形成せずに、真
空装置５０Ａ内から大気中に取り出し、スリッタにより
８ｍｍ幅にスリットした。スリットしたテープ７１を再
度［実施例］で用いた装置の走行系に設置し、［実施
例］と同じＣＶＤ条件でＤＬＣ膜をスリット断面とＣｏ
Ｃｒ膜面に１００オングストローム形成後、大気中で
［実施例］と同じ潤滑剤塗布条件でパーフルオロポリエ
ーテルを２０オングストロームを保護膜４の左右両側面
４Ａ及び上面４Ｂ上に形成し、テープを作成した。
【００３２】上記した［実施例］，［比較例１］，［比
較例２］の各テープを用いて、４０℃，８０％ＲＨのも
とで、ＶＴＲデッキで連続走行させた際の、固定ロアー
ドラム４１のリード部４２に付着した摩耗粉量とドロッ
プアウトについて時間変化を調べた。その結果を表に示
す。
較例２］の各テープを用いて、４０℃，８０％ＲＨのも
とで、ＶＴＲデッキで連続走行させた際の、固定ロアー
ドラム４１のリード部４２に付着した摩耗粉量とドロッ
プアウトについて時間変化を調べた。その結果を表に示
す。
【表１】
【００３３】摩耗粉量は長さ５０ｍのテープをＶＴＲで
所定のパス数繰り返し走行させた後に、リード部を顕微
鏡で観察し、その評価結果は次のように表示した。 摩耗粉なし：○ ，摩耗粉が少しある場合：△ ，摩耗
粉が多くある場合：×，
所定のパス数繰り返し走行させた後に、リード部を顕微
鏡で観察し、その評価結果は次のように表示した。 摩耗粉なし：○ ，摩耗粉が少しある場合：△ ，摩耗
粉が多くある場合：×，
【００３４】また、ドロップアウトは所定のパス数テー
プを繰り返し走行させた後に、記録再生したときのＦＭ
出力が２０ｄＢ低下し、その継続時間が５μｓｅｃ以上
の、１分間当りのドロップアウト数Ｄを、繰り返し走行
スタート時のドロップアウト数Ｄ0 で規格化した（Ｄ／
Ｄ0 ）で評価した。
プを繰り返し走行させた後に、記録再生したときのＦＭ
出力が２０ｄＢ低下し、その継続時間が５μｓｅｃ以上
の、１分間当りのドロップアウト数Ｄを、繰り返し走行
スタート時のドロップアウト数Ｄ0 で規格化した（Ｄ／
Ｄ0 ）で評価した。
【００３５】上記した表中の実施例と比較例１から、薄
膜テープ１０のスリット断面６に保護膜４、潤滑膜５を
形成することにより、テープ摩耗がドロップアウトの少
ない、信頼性に優れたテープが得られることが分かる。
膜テープ１０のスリット断面６に保護膜４、潤滑膜５を
形成することにより、テープ摩耗がドロップアウトの少
ない、信頼性に優れたテープが得られることが分かる。
【００３６】さらに、上記した表中の実施例と比較例２
から、磁性膜１３を形成した長尺原反５２を真空中でス
リットした後、スリット断面部を大気にさらさずに、真
空中で保護膜を形成することにより、清浄で、エネルギ
ー的に活性な磁性膜の断面１３Ａ、高分子フィルムの断
面１２Ａに保護膜４を形成することができ、付着強度の
強い保護膜が得られ、テープ摩耗量、ドロップアウトの
増加を大幅に低減できることが分かる。
から、磁性膜１３を形成した長尺原反５２を真空中でス
リットした後、スリット断面部を大気にさらさずに、真
空中で保護膜を形成することにより、清浄で、エネルギ
ー的に活性な磁性膜の断面１３Ａ、高分子フィルムの断
面１２Ａに保護膜４を形成することができ、付着強度の
強い保護膜が得られ、テープ摩耗量、ドロップアウトの
増加を大幅に低減できることが分かる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の磁気記録媒
体によれば、例えば薄膜テープのスリット断面におい
て、高分子フィルムの断面及び磁性薄膜の断面が外部へ
露出しないよう、その断面を覆うように保護膜を形成し
たため次の効果を奏する。この磁気記録媒体を装置に装
填して摺動走行する際に、スリット断面の磁性薄膜の剥
離、摩耗、高分子フィルムの摩耗が生じない。このた
め、摩耗、剥離粉の記録再生面への付着に起因す磁気テ
ープの記録再生時のドロップアウト、摩耗、剥離粉によ
る記録再生ヘッドの目詰まり、損傷及びテープ走行系の
部品摩耗を防止でき、テープ及びＶＴＲ機器の信頼性を
高めることができる。また、磁性薄膜を形成した長尺原
反を真空中でスリット後、その断面を大気に晒さずに真
空中で保護膜を形成することにより、付着強度の強い保
護膜が得られ、より優れたテープを提供でき、このテー
プを用いたＶＴＲ機器の信頼性を獲得することができ
る。
体によれば、例えば薄膜テープのスリット断面におい
て、高分子フィルムの断面及び磁性薄膜の断面が外部へ
露出しないよう、その断面を覆うように保護膜を形成し
たため次の効果を奏する。この磁気記録媒体を装置に装
填して摺動走行する際に、スリット断面の磁性薄膜の剥
離、摩耗、高分子フィルムの摩耗が生じない。このた
め、摩耗、剥離粉の記録再生面への付着に起因す磁気テ
ープの記録再生時のドロップアウト、摩耗、剥離粉によ
る記録再生ヘッドの目詰まり、損傷及びテープ走行系の
部品摩耗を防止でき、テープ及びＶＴＲ機器の信頼性を
高めることができる。また、磁性薄膜を形成した長尺原
反を真空中でスリット後、その断面を大気に晒さずに真
空中で保護膜を形成することにより、付着強度の強い保
護膜が得られ、より優れたテープを提供でき、このテー
プを用いたＶＴＲ機器の信頼性を獲得することができ
る。
【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施例である薄膜テ
ープの構造を説明するための図である。
ープの構造を説明するための図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造装置を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図３】本発明の磁気記録媒体の製造装置を構成する成
膜工程を説明するための図である。
膜工程を説明するための図である。
【図４】従来の薄膜テープの構造を説明するための図で
ある。
ある。
【図５】薄膜テープと固定ガイドポールとの摺動状態を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図６】薄膜テープと固定ロアードラムとの摺動状態を
説明するための図である。
説明するための図である。
１，１２ 高分子フィルム（非磁性体） ３，１３ 磁性薄膜（磁性膜） ４ 保護膜 ５ 潤滑膜 ５Ａ，６，１６ スリット断面（断面） １０，２０ 薄膜テープ（磁気記録媒体） ５０ 磁気記録媒体製造装置 ５０Ａ 真空装置 ５１ 巻き出しロール ５２ 長尺原反 ５３ メインドラム ５４，６０ ガス導入部 ５５ ＣｏＣｒターゲット ５６ スリッタ ５８ 高周波供給電圧 ５９ 接地電極 ６７ 巻き取りリール ７１ 長尺テープ ７２，７２Ａ テープ間隔制御ローラ Ｌ テープ幅 Ｍ 間隔
Claims (5)
- 【請求項１】非磁性体上に磁性膜を形成し長手方向にス
リットした磁気記録媒体において、 少なくとも長手方向のスリット断面に保護膜を形成した
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】非磁性体上に磁性膜を形成し長手方向にス
リットした磁気記録媒体において、少なくとも長手方向
のスリット断面に、保護膜、潤滑膜を順次形成したこと
を特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】前記保護膜がダイヤモンドライクカーボン
であることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項４】非磁性体上に磁性膜を形成した長尺原反を
所定の幅に真空中でスリットし、 スリット後、スリットされた長尺テープを大気にさらさ
ずに、真空中で前記長尺テープ同士の間隔を所定の間隔
に拡げた状態で、少なくとも長手方向のスリット断面に
保護膜を真空中で形成することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項５】真空容器内で巻き出しロールから引き出し
た非磁性体を走行させ、この間に、前記非磁性体上に磁
性膜、保護膜を順次形成した後、巻き取りリールに巻き
取る構成を有する磁気記録媒体の製造装置において、 前記非磁性体上に磁性膜を形成する磁性膜形成部と、 この磁性膜形成部により形成した前記磁性膜及び非磁性
体の長手方向に保護膜を形成する保護膜形成部と、 前記磁性膜形成部の直後に設置され、前記非磁性体上に
磁性膜を有する長尺原反を所定の幅にスリットするスリ
ッタと、 前記保護膜形成部に設置され、所定の幅にスリットされ
た長尺テープ同士の間隔を所定の間隔に拡げるテープ間
隔制御ローラとを備えたことを特徴とする磁気記録媒体
の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18808295A JPH0916950A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18808295A JPH0916950A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0916950A true JPH0916950A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=16217394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18808295A Pending JPH0916950A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0916950A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1607492A1 (de) * | 2004-06-02 | 2005-12-21 | Applied Films GmbH & Co. KG | Bandbehandlungsanlage mit mindestens einer Vakuumkammer |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP18808295A patent/JPH0916950A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1607492A1 (de) * | 2004-06-02 | 2005-12-21 | Applied Films GmbH & Co. KG | Bandbehandlungsanlage mit mindestens einer Vakuumkammer |
| KR100714072B1 (ko) * | 2004-06-02 | 2007-05-02 | 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 | 적어도 하나의 진공 챔버를 갖는 웹 처리 장치 |
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