JPH09169566A - 圧電体磁器組成物 - Google Patents
圧電体磁器組成物Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電気機械結合係数などの圧電特性に優れた、低
温焼結が可能な圧電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの元素を含むペロブス
カイト構造を有する複合酸化物を主成分とし、Ｍｎ及び
Ｃｒのうち少なくとも１種の元素を副成分として含む圧
電体磁器組成物中にＣｕ元素を含む。又、Ｗ元素を、よ
り好ましくはＷ／Ｃｕ≧１．１の関係で含む。さらに好
ましくは、複合酸化物を一般式ＡＢＯ3 で表したとき、
この複合酸化物のＡサイトに入る化学量論量のＰｂ量を
超えてＰｂ元素を含む。
温焼結が可能な圧電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの元素を含むペロブス
カイト構造を有する複合酸化物を主成分とし、Ｍｎ及び
Ｃｒのうち少なくとも１種の元素を副成分として含む圧
電体磁器組成物中にＣｕ元素を含む。又、Ｗ元素を、よ
り好ましくはＷ／Ｃｕ≧１．１の関係で含む。さらに好
ましくは、複合酸化物を一般式ＡＢＯ3 で表したとき、
この複合酸化物のＡサイトに入る化学量論量のＰｂ量を
超えてＰｂ元素を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は圧電体磁器組成物、
特に積層高調波共振子、積層高調波フィルタ、積層圧電
トランスなどの材料として有用な圧電体磁器組成物に関
する。
特に積層高調波共振子、積層高調波フィルタ、積層圧電
トランスなどの材料として有用な圧電体磁器組成物に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、圧電体磁器を用いた電子デバイス
が、種々開発され実用化されてきている。その中には、
圧電体磁器原料組成物を含むグリーンシートに電極材料
層を形成し、積層して一体化し、共焼結させた積層タイ
プの高調波共振子、高調波フィルタ、圧電トランスなど
がある。
が、種々開発され実用化されてきている。その中には、
圧電体磁器原料組成物を含むグリーンシートに電極材料
層を形成し、積層して一体化し、共焼結させた積層タイ
プの高調波共振子、高調波フィルタ、圧電トランスなど
がある。
【０００３】これら電子デバイス用の圧電体磁器の特性
としては、電気機械結合係数（Ｋｐ）、機械的品質係数
（Ｑｍ）が大きいのが好ましい。
としては、電気機械結合係数（Ｋｐ）、機械的品質係数
（Ｑｍ）が大きいのが好ましい。
【０００４】そして、これら特性に優れた圧電体磁器組
成物としては、Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 がよく知られて
いる。
成物としては、Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 がよく知られて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｐｂ
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 組成物は、一般に焼結温度が１２０
０℃以上と高い。したがって、比較的安価なＡｇリッチ
のＡｇ／Ｐｄを内部電極として、積層タイプの圧電体デ
バイスを得ることができなかった。
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 組成物は、一般に焼結温度が１２０
０℃以上と高い。したがって、比較的安価なＡｇリッチ
のＡｇ／Ｐｄを内部電極として、積層タイプの圧電体デ
バイスを得ることができなかった。
【０００６】このため、焼結温度を下げるために、Ｐｂ
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 を基本組成とし、他の化合物を加え
て種々変性したものが提案されている。
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 を基本組成とし、他の化合物を加え
て種々変性したものが提案されている。
【０００７】例えば、特開平２−３０３０８１号公報に
は、Ｐｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3 −Ｐ
ｂＴｉＯ3 組成物に、Ｐｂ（Ｃｕ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 を添
加して低温焼結を可能としたものが開示されている。
は、Ｐｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3 −Ｐ
ｂＴｉＯ3 組成物に、Ｐｂ（Ｃｕ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 を添
加して低温焼結を可能としたものが開示されている。
【０００８】しかしながら、このようなＰｂ（Ｔｉ，Ｚ
ｒ）Ｏ3 を変性して低温焼結化した従来の圧電体磁器組
成物は、元来Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 が有していた圧電
特性、例えば電気機械結合係数（Ｋｐ）などが悪くなる
という問題点を有していた。そこで、本発明の目的は、
電気機械結合係数（Ｋｐ）などの圧電特性に優れた、低
温焼結が可能な圧電体磁器組成物を提供することにあ
る。
ｒ）Ｏ3 を変性して低温焼結化した従来の圧電体磁器組
成物は、元来Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 が有していた圧電
特性、例えば電気機械結合係数（Ｋｐ）などが悪くなる
という問題点を有していた。そこで、本発明の目的は、
電気機械結合係数（Ｋｐ）などの圧電特性に優れた、低
温焼結が可能な圧電体磁器組成物を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の圧電体磁器組成物は、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉ
の元素を含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物を
主成分とし、Ｍｎ及びＣｒのうち少なくとも１種の元素
を副成分として含む圧電体磁器組成物であって、該圧電
体磁器組成物はＣｕ元素を含むことを特徴とする。
め、本発明の圧電体磁器組成物は、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉ
の元素を含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物を
主成分とし、Ｍｎ及びＣｒのうち少なくとも１種の元素
を副成分として含む圧電体磁器組成物であって、該圧電
体磁器組成物はＣｕ元素を含むことを特徴とする。
【００１０】又、前記圧電体磁器組成物は、上記組成に
加えて、Ｗ元素を含むことが好ましい。
加えて、Ｗ元素を含むことが好ましい。
【００１１】そして、前記Ｃｕの量は０．０１〜５．０
原子モル％であることが好ましく、前記Ｗの量は０．０
１〜５．０原子モル％であることが好ましく、前記Ｗと
Ｃｕの原子モル比が１．１以上であることがより好まし
い。
原子モル％であることが好ましく、前記Ｗの量は０．０
１〜５．０原子モル％であることが好ましく、前記Ｗと
Ｃｕの原子モル比が１．１以上であることがより好まし
い。
【００１２】又、前記複合酸化物を一般式ＡＢＯ3 で表
したとき、該複合酸化物のＡサイトに入る化学量論量の
Ｐｂ量を超えてＰｂ元素を含むことが好ましい。
したとき、該複合酸化物のＡサイトに入る化学量論量の
Ｐｂ量を超えてＰｂ元素を含むことが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の圧電体磁器組成物
について、その実施の形態を実施例をもとに説明する。
について、その実施の形態を実施例をもとに説明する。
【００１４】（実施例１）まず、出発原料として、Ｐｂ
Ｏ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3、Ｍｎ
Ｏ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 及びＣｕＯを用意した。その後、これ
ら各粉末を、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物と
しての０．０５Ｐｂ（Ｓｎ1/2 Ｓｂ1/2 ）Ｏ3 −０．４
７ＰｂＴｉＯ3 −０．４８ＰｂＺｒＯ3 （但し、係数は
モル分率）に、ａＭｎＯ2 ＋ｂＣｒ2 Ｏ3 ＋ｃＣｕＯ
（但し、ａ、ｂ及びｃはモル％であり表１に示す）を含
有する組成の磁器が得られるように秤量し、ボールミル
中で水を加えて湿式混合及び粉砕した後、７００〜１０
００℃の温度で２時間仮焼した。
Ｏ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3、Ｍｎ
Ｏ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 及びＣｕＯを用意した。その後、これ
ら各粉末を、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物と
しての０．０５Ｐｂ（Ｓｎ1/2 Ｓｂ1/2 ）Ｏ3 −０．４
７ＰｂＴｉＯ3 −０．４８ＰｂＺｒＯ3 （但し、係数は
モル分率）に、ａＭｎＯ2 ＋ｂＣｒ2 Ｏ3 ＋ｃＣｕＯ
（但し、ａ、ｂ及びｃはモル％であり表１に示す）を含
有する組成の磁器が得られるように秤量し、ボールミル
中で水を加えて湿式混合及び粉砕した後、７００〜１０
００℃の温度で２時間仮焼した。
【００１５】その後、仮焼済み粉末にポリビニルアルコ
ール系のバインダを１〜２重量％加え、混合粉砕し整粒
した後、５００〜２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でプレス
成形して直径１２ｍｍ、厚み１．２ｍｍの円板状成形体
を得た。
ール系のバインダを１〜２重量％加え、混合粉砕し整粒
した後、５００〜２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でプレス
成形して直径１２ｍｍ、厚み１．２ｍｍの円板状成形体
を得た。
【００１６】次に、得られた円板状成形体を、１１００
℃又は１２５０℃の温度で２時間焼成し、円板状磁器を
得た。その後、この円板状磁器の両面に銀電極を焼き付
けし、４０〜１５０℃の絶縁油中で１〜５ｋＶ／ｍｍの
電界を１０〜６０分間印加し、分極処理を行なった。
℃又は１２５０℃の温度で２時間焼成し、円板状磁器を
得た。その後、この円板状磁器の両面に銀電極を焼き付
けし、４０〜１５０℃の絶縁油中で１〜５ｋＶ／ｍｍの
電界を１０〜６０分間印加し、分極処理を行なった。
【００１７】その後、上記のようにして得た円板状圧電
磁器について、比誘電率（εr ）、電気機械結合係数
（Ｋｐ）及び機械的品質係数（Ｑｍ）を求めた。なお、
比誘電率（εr ）は静電容量を測定し計算により求め、
電気機械結合係数（Ｋｐ）はインピーダンス測定器によ
り共振、反共振周波数を測定し計算により求め、さらに
機械的品質係数（Ｑｍ）は共振周波数、反共振周波数、
共振抵抗、静電容量を測定し計算により求めた。これら
の結果を表１に示す。なお、表１において、＊印を付し
たものは本発明の範囲外のものであり、その他は本発明
の範囲内のものである。
磁器について、比誘電率（εr ）、電気機械結合係数
（Ｋｐ）及び機械的品質係数（Ｑｍ）を求めた。なお、
比誘電率（εr ）は静電容量を測定し計算により求め、
電気機械結合係数（Ｋｐ）はインピーダンス測定器によ
り共振、反共振周波数を測定し計算により求め、さらに
機械的品質係数（Ｑｍ）は共振周波数、反共振周波数、
共振抵抗、静電容量を測定し計算により求めた。これら
の結果を表１に示す。なお、表１において、＊印を付し
たものは本発明の範囲外のものであり、その他は本発明
の範囲内のものである。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１に示す通り、０．０５Ｐｂ（Ｓｎ1/2
Ｓｂ1/2 ）Ｏ3 −０．４７ＰｂＴｉＯ3 −０．４８Ｐｂ
ＺｒＯ3 （但し、係数はモル分率）を主成分とし、Ｍｎ
及び／又はＣｒの元素を副成分として含む磁器組成物
に、Ｃｕ元素を含む本発明の範囲内の試料は、１１００
℃で焼結する。これに対して、Ｃｕ元素を含まない試料
番号１、１３に示す組成のものを１１００℃で焼成した
場合は、電気機械結合係数（Ｋｐ）や機械的品質係数
（Ｑｍ）が大幅に低下するか、焼結不十分となる。
Ｓｂ1/2 ）Ｏ3 −０．４７ＰｂＴｉＯ3 −０．４８Ｐｂ
ＺｒＯ3 （但し、係数はモル分率）を主成分とし、Ｍｎ
及び／又はＣｒの元素を副成分として含む磁器組成物
に、Ｃｕ元素を含む本発明の範囲内の試料は、１１００
℃で焼結する。これに対して、Ｃｕ元素を含まない試料
番号１、１３に示す組成のものを１１００℃で焼成した
場合は、電気機械結合係数（Ｋｐ）や機械的品質係数
（Ｑｍ）が大幅に低下するか、焼結不十分となる。
【００２０】そして、Ｃｕ元素の含有量について好まし
い範囲は０．０１〜５．０原子モル％である。即ちＣｕ
Ｏの含有量が０．０１〜５．０モル％の範囲内において
は、１２５０℃で焼成した試料番号１２及び１５と比較
して明らかなように、１２５０℃より低い温度で焼成し
ても比誘電率（εr ）、電気機械結合係数（Ｋｐ）、機
械的品質係数（Ｑｍ）の低下が抑えられる。
い範囲は０．０１〜５．０原子モル％である。即ちＣｕ
Ｏの含有量が０．０１〜５．０モル％の範囲内において
は、１２５０℃で焼成した試料番号１２及び１５と比較
して明らかなように、１２５０℃より低い温度で焼成し
ても比誘電率（εr ）、電気機械結合係数（Ｋｐ）、機
械的品質係数（Ｑｍ）の低下が抑えられる。
【００２１】（実施例２）まず、出発原料として、Ｐｂ
Ｏ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3、Ｍｎ
Ｏ2 、ＣｕＯ及びＷＯ3 を用意した。その後、これら各
粉末を、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物として
の０．０５Ｐｂ（Ｓｎ1/2 Ｓｂ1/2 ）Ｏ3−０．４７Ｐ
ｂＴｉＯ3 −０．４８ＰｂＺｒＯ3 （但し、係数はモル
分率）に、１．０モル％ＭｎＯ2 ＋０．５モル％ＣｕＯ
＋ｄＷＯ3 （但し、ｄはモル％であり表２に示す）を含
有する組成の磁器が得られるように秤量し、ボールミル
中で水を加えて湿式混合及び粉砕した後、７００〜１０
００℃の温度で２時間仮焼した。
Ｏ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3、Ｍｎ
Ｏ2 、ＣｕＯ及びＷＯ3 を用意した。その後、これら各
粉末を、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物として
の０．０５Ｐｂ（Ｓｎ1/2 Ｓｂ1/2 ）Ｏ3−０．４７Ｐ
ｂＴｉＯ3 −０．４８ＰｂＺｒＯ3 （但し、係数はモル
分率）に、１．０モル％ＭｎＯ2 ＋０．５モル％ＣｕＯ
＋ｄＷＯ3 （但し、ｄはモル％であり表２に示す）を含
有する組成の磁器が得られるように秤量し、ボールミル
中で水を加えて湿式混合及び粉砕した後、７００〜１０
００℃の温度で２時間仮焼した。
【００２２】その後、実施例１と同様にして、円板状磁
器を得た後、外部電極を形成し、分極処理を行なった。
但し、焼成温度は全て１１００℃とした。
器を得た後、外部電極を形成し、分極処理を行なった。
但し、焼成温度は全て１１００℃とした。
【００２３】そして、実施例１と同様にして、比誘電率
（ε）、電気機械結合係数（Ｋｐ）及び機械的品質係数
（Ｑｍ）を求めた。これらの結果を表２に示す。
（ε）、電気機械結合係数（Ｋｐ）及び機械的品質係数
（Ｑｍ）を求めた。これらの結果を表２に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】表２に示す通り、０．０５Ｐｂ（Ｓｎ1/2
Ｓｂ1/2 ）Ｏ3 −０．４７ＰｂＴｉＯ3 −０．４８Ｐｂ
ＺｒＯ3 （但し、係数はモル分率）を主成分とし、Ｍｎ
及びＣｕの元素を副成分として含む磁器組成物に、Ｗ元
素を含ませることにより、電気機械結合係数（Ｋｐ）な
どの圧電特性が改善される。
Ｓｂ1/2 ）Ｏ3 −０．４７ＰｂＴｉＯ3 −０．４８Ｐｂ
ＺｒＯ3 （但し、係数はモル分率）を主成分とし、Ｍｎ
及びＣｕの元素を副成分として含む磁器組成物に、Ｗ元
素を含ませることにより、電気機械結合係数（Ｋｐ）な
どの圧電特性が改善される。
【００２６】そして、Ｗ元素の含有量について好ましい
範囲は０．０１〜５．０原子モル％である。即ちＷＯ3
の含有量が０．０１〜５．０モル％の範囲内において
は、ＷＯ3 を含まない試料番号２１と比較して、電気機
械結合係数（Ｋｐ）及び機械的品質係数（Ｑｍ）の値が
大きくなり、圧電特性が向上する。
範囲は０．０１〜５．０原子モル％である。即ちＷＯ3
の含有量が０．０１〜５．０モル％の範囲内において
は、ＷＯ3 を含まない試料番号２１と比較して、電気機
械結合係数（Ｋｐ）及び機械的品質係数（Ｑｍ）の値が
大きくなり、圧電特性が向上する。
【００２７】（実施例３）まず、出発原料として、Ｐｂ
Ｏ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3、Ｍｎ
Ｏ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣｕＯ及びＷＯ3 を用意した。その
後、これら各粉末を、ペロブスカイト構造を有する複合
酸化物としての０．０５Ｐｂ（Ｓｎ1/2 Ｓｂ1/2 ）Ｏ3
−０．４７ＰｂＴｉＯ3 −０．４８ＰｂＺｒＯ3 （但
し、係数はモル分率）に、ａＭｎＯ2 ＋ｂＣｒ2 Ｏ3 ＋
ｃＣｕＯ＋ｄＷＯ3 ＋ｅＰｂＯ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ
及びｅはモル％であり表１に示す）を含有する組成の磁
器が得られるように秤量し、ボールミル中で水を加えて
湿式混合及び粉砕した後、７００〜１０００℃の温度で
２時間仮焼した。
Ｏ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3、Ｍｎ
Ｏ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣｕＯ及びＷＯ3 を用意した。その
後、これら各粉末を、ペロブスカイト構造を有する複合
酸化物としての０．０５Ｐｂ（Ｓｎ1/2 Ｓｂ1/2 ）Ｏ3
−０．４７ＰｂＴｉＯ3 −０．４８ＰｂＺｒＯ3 （但
し、係数はモル分率）に、ａＭｎＯ2 ＋ｂＣｒ2 Ｏ3 ＋
ｃＣｕＯ＋ｄＷＯ3 ＋ｅＰｂＯ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ
及びｅはモル％であり表１に示す）を含有する組成の磁
器が得られるように秤量し、ボールミル中で水を加えて
湿式混合及び粉砕した後、７００〜１０００℃の温度で
２時間仮焼した。
【００２８】その後、実施例１と同様にして、円板状磁
器を得た後、外部電極を形成し、分極処理を行なった。
但し、焼成温度は全て１１００℃とした。
器を得た後、外部電極を形成し、分極処理を行なった。
但し、焼成温度は全て１１００℃とした。
【００２９】そして、実施例１と同様にして、比誘電率
（ε）、電気機械結合係数（Ｋｐ）及び機械的品質係数
（Ｑｍ）を求めた。これらの結果を表３に示す。
（ε）、電気機械結合係数（Ｋｐ）及び機械的品質係数
（Ｑｍ）を求めた。これらの結果を表３に示す。
【００３０】
【表３】
【００３１】表３に示す通り、０．０５Ｐｂ（Ｓｎ1/2
Ｓｂ1/2 ）Ｏ3 −０．４７ＰｂＴｉＯ3 −０．４８Ｐｂ
ＺｒＯ3 （但し、係数はモル分率）を主成分とし、Ｍｎ
及び／又はＣｒの元素を副成分として含む磁器組成物お
いて、ＷとＣｕの元素の原子モル比の好ましい範囲は
１．１以上である。即ち、ＷＯ3 とＣｕＯのモル比が
１．１以上の試料番号４４〜４９、５３、５４、５６の
場合には、ＷＯ3 とＣｕＯのモル比が１．１未満の試料
番号４１〜４３又は５２と比較して、電気機械結合係数
（Ｋｐ）及び機械的品質係数（Ｑｍ）の値が大きくな
り、圧電特性が向上する。
Ｓｂ1/2 ）Ｏ3 −０．４７ＰｂＴｉＯ3 −０．４８Ｐｂ
ＺｒＯ3 （但し、係数はモル分率）を主成分とし、Ｍｎ
及び／又はＣｒの元素を副成分として含む磁器組成物お
いて、ＷとＣｕの元素の原子モル比の好ましい範囲は
１．１以上である。即ち、ＷＯ3 とＣｕＯのモル比が
１．１以上の試料番号４４〜４９、５３、５４、５６の
場合には、ＷＯ3 とＣｕＯのモル比が１．１未満の試料
番号４１〜４３又は５２と比較して、電気機械結合係数
（Ｋｐ）及び機械的品質係数（Ｑｍ）の値が大きくな
り、圧電特性が向上する。
【００３２】又、試料番号５０、５１、５５に示すよう
に、一般式ＡＢＯ3 で表わされる複合酸化物のＡサイト
に入る化学量論量のＰｂ量を超えて過剰のＰｂを含有す
る場合には、過剰のＰｂを含有しない試料番号４１、４
９又は５４と比較して、電気機械結合係数（Ｋｐ）及び
機械的品質係数（Ｑｍ）の値が大きくなり、圧電特性が
向上する。
に、一般式ＡＢＯ3 で表わされる複合酸化物のＡサイト
に入る化学量論量のＰｂ量を超えて過剰のＰｂを含有す
る場合には、過剰のＰｂを含有しない試料番号４１、４
９又は５４と比較して、電気機械結合係数（Ｋｐ）及び
機械的品質係数（Ｑｍ）の値が大きくなり、圧電特性が
向上する。
【００３３】なお、上記実施の形態においては、副成分
としての各元素をそれぞれ単独の金属酸化物の形態で添
加しているが、炭酸塩又はＰｂＷＯ4 などの複合酸化物
の形態で添加しても同様の効果が得られる。
としての各元素をそれぞれ単独の金属酸化物の形態で添
加しているが、炭酸塩又はＰｂＷＯ4 などの複合酸化物
の形態で添加しても同様の効果が得られる。
【００３４】又、上記実施例においては、ペロブスカイ
ト構造を有する主成分としての複合酸化物が０．０５Ｐ
ｂ（Ｓｎ1/2 Ｓｂ1/2 ）Ｏ3 −０．４７ＰｂＴｉＯ3 −
０．４８ＰｂＺｒＯ3 の場合について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではない。
ト構造を有する主成分としての複合酸化物が０．０５Ｐ
ｂ（Ｓｎ1/2 Ｓｂ1/2 ）Ｏ3 −０．４７ＰｂＴｉＯ3 −
０．４８ＰｂＺｒＯ3 の場合について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではない。
【００３５】即ち、Ｐｂ（Ｍｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −Ｐ
ｂＴｉＯ3 −ＰｂＺｒＯ3 系、Ｐｂ（Ｍｎ1/3 Ｓ
ｂ2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 −ＰｂＺｒＯ3 系、Ｐｂ
（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 −ＰｂＺｒＯ
3 系を始めとして、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの元素を含むペ
ロブスカイト構造を有する複合酸化物を主成分とする圧
電体磁器組成物においても同様の効果を得ることができ
る。
ｂＴｉＯ3 −ＰｂＺｒＯ3 系、Ｐｂ（Ｍｎ1/3 Ｓ
ｂ2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 −ＰｂＺｒＯ3 系、Ｐｂ
（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 −ＰｂＺｒＯ
3 系を始めとして、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの元素を含むペ
ロブスカイト構造を有する複合酸化物を主成分とする圧
電体磁器組成物においても同様の効果を得ることができ
る。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、Ｐｂ、Ｚ
ｒ及びＴｉの元素を含むペロブスカイト構造を有する複
合酸化物を主成分とし、Ｍｎ及び／又はＣｒの元素を副
成分として含む圧電体磁器組成物に、Ｃｕ元素を含ませ
ることにより、圧電特性に優れた低温焼結が可能な圧電
体磁器組成物を得ることができる。
ｒ及びＴｉの元素を含むペロブスカイト構造を有する複
合酸化物を主成分とし、Ｍｎ及び／又はＣｒの元素を副
成分として含む圧電体磁器組成物に、Ｃｕ元素を含ませ
ることにより、圧電特性に優れた低温焼結が可能な圧電
体磁器組成物を得ることができる。
【００３７】そして、上記組成物にＷ元素を含ませ、よ
り好ましくはＷとＣｕの原子モル比を１．１以上とする
ことにより、さらに圧電特性を改善することができる。
り好ましくはＷとＣｕの原子モル比を１．１以上とする
ことにより、さらに圧電特性を改善することができる。
【００３８】さらに、上記組成物において、一般式ＡＢ
Ｏ3 で表わされる複合酸化物のＡサイトに入る化学量論
量のＰｂ量を超えて過剰のＰｂを含ませることにより、
より一層、圧電特性に優れて低温焼結が可能な圧電体磁
器組成物を得ることができる。
Ｏ3 で表わされる複合酸化物のＡサイトに入る化学量論
量のＰｂ量を超えて過剰のＰｂを含ませることにより、
より一層、圧電特性に優れて低温焼結が可能な圧電体磁
器組成物を得ることができる。
【００３９】したがって、本発明の圧電体磁器組成物を
用いることにより、比較的安価なＡｇ／Ｐｄを内部電極
とした、圧電特性に優れた、積層高調波共振子、積層高
調波フィルタ、積層圧電トランスなどの積層タイプの圧
電体デバイスを得ることができる。
用いることにより、比較的安価なＡｇ／Ｐｄを内部電極
とした、圧電特性に優れた、積層高調波共振子、積層高
調波フィルタ、積層圧電トランスなどの積層タイプの圧
電体デバイスを得ることができる。
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの元素を含むペロブ
スカイト構造を有する複合酸化物を主成分とし、Ｍｎ及
びＣｒのうち少なくとも１種の元素を副成分として含む
圧電体磁器組成物であって、該圧電体磁器組成物はＣｕ
元素を含むことを特徴とする圧電体磁器組成物。 - 【請求項２】 前記圧電体磁器組成物はＷ元素を含むこ
とを特徴とする請求項１記載の圧電体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記Ｃｕの量は、０．０１〜５．０原子
モル％であることを特徴とする請求項１又は２記載の圧
電体磁器組成物。 - 【請求項４】 前記Ｗの量は、０．０１〜５．０原子モ
ル％であることを特徴とする請求項２又は３記載の圧電
体磁器組成物。 - 【請求項５】 前記ＷとＣｕの原子モル比が１．１以上
であることを特徴とする請求項２〜４のうちいずれかに
記載の圧電体磁器組成物。 - 【請求項６】 前記複合酸化物を一般式ＡＢＯ3 で表し
たとき、該複合酸化物のＡサイトに入る化学量論量のＰ
ｂ量を超えてＰｂ元素を含むことを特徴とする請求項１
〜５のうちいずれかに記載の圧電体磁器組成物。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33183395A JP3198906B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 圧電体磁器組成物 |
| US08/768,406 US5798052A (en) | 1995-12-20 | 1996-12-18 | Piezoelectric ceramic composition |
| TW85115615A TW400315B (en) | 1995-12-20 | 1996-12-18 | Piezoelectric ceramic composition |
| KR1019960067232A KR970054596A (ko) | 1995-12-20 | 1996-12-18 | 압전 세라믹 조성물 |
| EP19960120548 EP0780350B1 (en) | 1995-12-20 | 1996-12-19 | Piezoelectric ceramic composition |
| DE69607119T DE69607119T2 (de) | 1995-12-20 | 1996-12-19 | Piezoelektrische keramische Zusammensetzung |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33183395A JP3198906B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 圧電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09169566A true JPH09169566A (ja) | 1997-06-30 |
| JP3198906B2 JP3198906B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=18248162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33183395A Expired - Lifetime JP3198906B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 圧電体磁器組成物 |
Country Status (7)
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|---|---|
| US (1) | US5798052A (ja) |
| EP (1) | EP0780350B1 (ja) |
| JP (1) | JP3198906B2 (ja) |
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| DE (1) | DE69607119T2 (ja) |
| TW (1) | TW400315B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7305743B2 (en) | 2003-11-28 | 2007-12-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing piezoelectric ceramic device |
| JP2019517978A (ja) * | 2016-04-21 | 2019-06-27 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ | 圧電セラミックス、その製造のための方法、及び、圧電セラミックスを含む電子セラミック部品 |
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| JP2001080956A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-27 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電体セラミックおよびそれを用いた積層型圧電振動子 |
| US6787975B2 (en) | 2000-05-31 | 2004-09-07 | Denso Corporation | Piezoelectric device for injector |
| JP3970588B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2007-09-05 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 低温焼成化誘電体セラミックス、積層型誘電体素子、誘電体セラミックスの製造方法および助剤酸化物 |
| WO2003104163A1 (ja) * | 2002-06-05 | 2003-12-18 | 松下電器産業株式会社 | 圧電磁器組成物とこれを用いた積層圧電デバイスおよびその製造方法 |
| JP5786224B2 (ja) * | 2011-03-10 | 2015-09-30 | キヤノン株式会社 | 圧電素子、圧電素子を有する圧電アクチュエータおよび振動波モータ |
| CN110083944B (zh) * | 2019-04-28 | 2023-04-07 | 重庆理工大学 | 电驱动系统机电耦合混合建模方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613033B2 (ja) * | 1973-08-31 | 1981-03-25 | ||
| JPS5264700A (en) * | 1975-11-25 | 1977-05-28 | Murata Manufacturing Co | Piezooelectric ceramic for elastic surface wave element |
| DE2940393A1 (de) * | 1979-10-05 | 1981-04-16 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Piezoelektrische keramik |
| JPH02303081A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電性磁器組成物 |
| JP2884635B2 (ja) * | 1989-11-22 | 1999-04-19 | 松下電器産業株式会社 | 圧電セラミックスおよびその製造方法 |
| JPH0570225A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-23 | Hitachi Metals Ltd | 圧電磁器組成物 |
| EP0575966B1 (en) * | 1992-06-23 | 1998-04-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric ceramics |
| US5433917A (en) * | 1993-09-16 | 1995-07-18 | The Penn State Research Foundation | PZT ceramic compositions having reduced sintering temperatures and process for producing same |
| JPH07291727A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電磁器組成物 |
-
1995
- 1995-12-20 JP JP33183395A patent/JP3198906B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-12-18 KR KR1019960067232A patent/KR970054596A/ko not_active Ceased
- 1996-12-18 US US08/768,406 patent/US5798052A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-18 TW TW85115615A patent/TW400315B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-12-19 DE DE69607119T patent/DE69607119T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-19 EP EP19960120548 patent/EP0780350B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-20 CN CN961231769A patent/CN1064940C/zh not_active Expired - Lifetime
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| US7305743B2 (en) | 2003-11-28 | 2007-12-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing piezoelectric ceramic device |
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|---|---|
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| DE69607119D1 (de) | 2000-04-20 |
| KR970054596A (ko) | 1997-07-31 |
| DE69607119T2 (de) | 2000-08-10 |
| EP0780350A1 (en) | 1997-06-25 |
| US5798052A (en) | 1998-08-25 |
| TW400315B (en) | 2000-08-01 |
| CN1064940C (zh) | 2001-04-25 |
| CN1159435A (zh) | 1997-09-17 |
| EP0780350B1 (en) | 2000-03-15 |
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