JPH09172231A - セラミック基板の分割方法 - Google Patents
セラミック基板の分割方法Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0097—Processing two or more printed circuits simultaneously, e.g. made from a common substrate, or temporarily stacked circuit boards
Landscapes
- Devices For Post-Treatments, Processing, Supply, Discharge, And Other Processes (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 蒸着金属により導体パターンと裏面の接地導
体を形成したセラミック基板の分割に際し、裏面側にバ
リが突出しない分割方法を提供する。 【構成】 ダイシングラインに対応する部分のセラミッ
ク基板１２裏面に分離溝１１を形成し、分離溝１１を覆
うように全面に接地導体１４を形成する。表面側からダ
イシングすることによりセラミック基板１２を分離して
個々の基板に分離する。ダイシング時に発生する接地導
体１４のバリは分離溝１１の中に収まる。
体を形成したセラミック基板の分割に際し、裏面側にバ
リが突出しない分割方法を提供する。 【構成】 ダイシングラインに対応する部分のセラミッ
ク基板１２裏面に分離溝１１を形成し、分離溝１１を覆
うように全面に接地導体１４を形成する。表面側からダ
イシングすることによりセラミック基板１２を分離して
個々の基板に分離する。ダイシング時に発生する接地導
体１４のバリは分離溝１１の中に収まる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に放熱板上にセ
ラミック基板を搭載する半導体装置用の、セラミック基
板の分割方法に関する。
ラミック基板を搭載する半導体装置用の、セラミック基
板の分割方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＶ、ＨＤＴＶ、ＣＲＴ等の偏向回路を
集積化したビデオパック（商品名）なる半導体装置が本
願出願人において商品化されている。半導体素子その他
を固着したセラミック基板を一つのパッケージに収納し
たものであるが、低コスト化の当然の指向として樹脂モ
ールドで製品を供給することがなされている。また、製
造ラインに投入しやすいように他の半導体装置と同様に
リードフレームを用いる手法を例えば特開平６ー２５８
４１１号に提案している。
集積化したビデオパック（商品名）なる半導体装置が本
願出願人において商品化されている。半導体素子その他
を固着したセラミック基板を一つのパッケージに収納し
たものであるが、低コスト化の当然の指向として樹脂モ
ールドで製品を供給することがなされている。また、製
造ラインに投入しやすいように他の半導体装置と同様に
リードフレームを用いる手法を例えば特開平６ー２５８
４１１号に提案している。
【０００３】この様な半導体装置では、セラミック基板
を半田ペーストなどにより放熱板に固着するためおよび
セラミック基板の浮遊容量を減じるために、セラミック
基板の裏面側にも全面に金属導体を形成する必要が生じ
る。そして前記セラミック基板に形成したスルーホール
を通して前記金属導体を接地するものである。前記セラ
ミック基板は、一枚の大きなセラミック基板を複数に分
割することにより形成する。図３（Ａ）を参照して、先
ずセラミック基板１の表面側には回路網を構成するため
の配線パターン２を、金属導体の蒸着とホトマスクを用
いたパターニングで形成し、同じく裏面側には蒸着によ
り接地導体３を形成した一枚の大きな基板１を準備す
る。続いて図３（Ｂ）を参照して、セラミック基板１の
表面側からダイシングによりセラミック基板１を個々の
基板に分割するものである。
を半田ペーストなどにより放熱板に固着するためおよび
セラミック基板の浮遊容量を減じるために、セラミック
基板の裏面側にも全面に金属導体を形成する必要が生じ
る。そして前記セラミック基板に形成したスルーホール
を通して前記金属導体を接地するものである。前記セラ
ミック基板は、一枚の大きなセラミック基板を複数に分
割することにより形成する。図３（Ａ）を参照して、先
ずセラミック基板１の表面側には回路網を構成するため
の配線パターン２を、金属導体の蒸着とホトマスクを用
いたパターニングで形成し、同じく裏面側には蒸着によ
り接地導体３を形成した一枚の大きな基板１を準備す
る。続いて図３（Ｂ）を参照して、セラミック基板１の
表面側からダイシングによりセラミック基板１を個々の
基板に分割するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダイシ
ングブレードによりフルカットするとは言え、裏面に形
成した接地導体がブレードに引きずられて、図３（Ｂ）
のバリ４が生じやすく、これが製造工程（セラミック基
板上に能動素子、受動素子を搭載する工程）において平
坦面を滑らせる搬送時のトラブルを発生させるという欠
点があった。
ングブレードによりフルカットするとは言え、裏面に形
成した接地導体がブレードに引きずられて、図３（Ｂ）
のバリ４が生じやすく、これが製造工程（セラミック基
板上に能動素子、受動素子を搭載する工程）において平
坦面を滑らせる搬送時のトラブルを発生させるという欠
点があった。
【０００５】セラミック基板上の配線導体を蒸着に依ら
ず印刷パターンで形成する場合には、セラミック基板に
Ｖ溝を形成してブレイキングに依り分割することも可能
ではあるが、高周波用の微細化パターンを形成するには
印刷パターンは不向きである。またＶ溝上に金属導体を
蒸着、パターニングするには、ホトレジスト形成時にホ
トレジストがＶ溝上に盛り上がるような形になり、これ
がホトマスクと接触してしまうために実施が困難であ
る。故にホトマスクを用いたパターニングを用いるため
には、セラミック基板上からのダイシングがセラミック
基板分割の唯一の手法である。
ず印刷パターンで形成する場合には、セラミック基板に
Ｖ溝を形成してブレイキングに依り分割することも可能
ではあるが、高周波用の微細化パターンを形成するには
印刷パターンは不向きである。またＶ溝上に金属導体を
蒸着、パターニングするには、ホトレジスト形成時にホ
トレジストがＶ溝上に盛り上がるような形になり、これ
がホトマスクと接触してしまうために実施が困難であ
る。故にホトマスクを用いたパターニングを用いるため
には、セラミック基板上からのダイシングがセラミック
基板分割の唯一の手法である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の課題
に鑑みなされたもので、セラミック基板のダイシングラ
イン予定部分に分割溝を形成し、その上に接地導体を形
成すると共に、セラミック基板の表面側からダイシング
によってセラミック基板を個々に分割することにより、
前記接地導体のバリが前記分割溝内に収まるようにする
ものである。
に鑑みなされたもので、セラミック基板のダイシングラ
イン予定部分に分割溝を形成し、その上に接地導体を形
成すると共に、セラミック基板の表面側からダイシング
によってセラミック基板を個々に分割することにより、
前記接地導体のバリが前記分割溝内に収まるようにする
ものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の具体的な実施の形
態を図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明
の製造方法を示す断面図である。先ず図１（Ａ）に示す
ように、裏面側のダイシングラインに相当する部分に深
さ５００μ、幅５００μ程度のＶ字型の分離溝１１を形
成した、板厚０．５〜０．８ｍｍのセラミック基板１２
を準備する。分離溝１１の形状はＵ字型等でもよい。形
成は、焼成前のセラミック素材に鋳型を押しつけて分離
溝１１を形成した後に、前記セラミック素材を焼成する
ことで形成することができる。
態を図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明
の製造方法を示す断面図である。先ず図１（Ａ）に示す
ように、裏面側のダイシングラインに相当する部分に深
さ５００μ、幅５００μ程度のＶ字型の分離溝１１を形
成した、板厚０．５〜０．８ｍｍのセラミック基板１２
を準備する。分離溝１１の形状はＵ字型等でもよい。形
成は、焼成前のセラミック素材に鋳型を押しつけて分離
溝１１を形成した後に、前記セラミック素材を焼成する
ことで形成することができる。
【０００８】次いで図１（Ｂ）に示すように、セラミッ
ク基板１２の表面に金等の導電材料を全面に蒸着した
後、その上にホトレジスト膜を形成し、ホトマスクを用
いて露光、現像してレジスト膜を形成し、該レジスト膜
をマスクにして前記導電材料のエッチングを行うことに
より回路網構成に必要な導電パターンを１３を形成す
る。また、セラミック基板１２の裏面の全面には膜厚１
０００オングストローム程度の金を蒸着して接地導体１
４とする。この接地導体１４は分離溝１１内にも同様の
膜厚で被着される。表面側の導電パターンの内接地電位
（ＧＮＤ）を印加するパターンと接地導体とは基板１２
に形成したビアホールを介して電気的に接続される。セ
ラミック基板１２表面側のダイシングライン１５部分は
平坦なセラミック素材が露出しているものとする。
ク基板１２の表面に金等の導電材料を全面に蒸着した
後、その上にホトレジスト膜を形成し、ホトマスクを用
いて露光、現像してレジスト膜を形成し、該レジスト膜
をマスクにして前記導電材料のエッチングを行うことに
より回路網構成に必要な導電パターンを１３を形成す
る。また、セラミック基板１２の裏面の全面には膜厚１
０００オングストローム程度の金を蒸着して接地導体１
４とする。この接地導体１４は分離溝１１内にも同様の
膜厚で被着される。表面側の導電パターンの内接地電位
（ＧＮＤ）を印加するパターンと接地導体とは基板１２
に形成したビアホールを介して電気的に接続される。セ
ラミック基板１２表面側のダイシングライン１５部分は
平坦なセラミック素材が露出しているものとする。
【０００９】次いで図１（Ｃ）に示すように、ダイシン
グライン１５上からダイシングブレードによりセラミッ
ク基板１２を完全に切断して、横１０ｍｍ縦８ｍｍの如
き複数の基板に分離する。ダイシングブレードがセラミ
ック基板１２を貫通するとき、ブレードが分離溝１１内
の接地導体１４を引きずり図面下方へ押し出してバリ１
６を発生させる。このバリ１６はダイシングブレードの
切断速度と接地導体１４の膜厚との関係に依るが、高さ
が概ね数十μの範囲内に収まることが確認されている。
従って、分離溝１１の深さを適当な値（バリ１６の突起
が分離溝１１の深さを超えない様な深さ）にしておくこ
とにより、バリ１６は接地導体１４の水平面から突出す
ることがない。
グライン１５上からダイシングブレードによりセラミッ
ク基板１２を完全に切断して、横１０ｍｍ縦８ｍｍの如
き複数の基板に分離する。ダイシングブレードがセラミ
ック基板１２を貫通するとき、ブレードが分離溝１１内
の接地導体１４を引きずり図面下方へ押し出してバリ１
６を発生させる。このバリ１６はダイシングブレードの
切断速度と接地導体１４の膜厚との関係に依るが、高さ
が概ね数十μの範囲内に収まることが確認されている。
従って、分離溝１１の深さを適当な値（バリ１６の突起
が分離溝１１の深さを超えない様な深さ）にしておくこ
とにより、バリ１６は接地導体１４の水平面から突出す
ることがない。
【００１０】個々の基板に分離した後、セラミック基板
１２に能動素子、受動素子をダイボンド、ワイヤボンド
して前記導電パターン１３により回路網を構成し、次い
で基板１２を鉄系、銅系のリードフレームの放熱板上に
銀ペーストなどで固着し、リードと前記回路網とをワイ
ヤボンドした後全体を樹脂モールドして製品が完成す
る。前記放熱板は前記接地導体と銀ペーストを介して接
地電位が与えられる。
１２に能動素子、受動素子をダイボンド、ワイヤボンド
して前記導電パターン１３により回路網を構成し、次い
で基板１２を鉄系、銅系のリードフレームの放熱板上に
銀ペーストなどで固着し、リードと前記回路網とをワイ
ヤボンドした後全体を樹脂モールドして製品が完成す
る。前記放熱板は前記接地導体と銀ペーストを介して接
地電位が与えられる。
【００１１】本発明に依れば、上記のダイボンド、ワイ
ヤボンド工程において、接地導体１４の裏面側と作業台
の平坦表面とを当接させながら基板１２を滑らせる搬送
時に、バリ１６が引っかかってトラブルを発生させると
いうような現象を防止できる。図２は第２の実施の形態
を示すものである。セラミック基板１２の分離を、図２
（Ａ）に示すように基板１２の途中までダイシングした
後、図２（Ｂ）で図示したＡの方向に力を加えることに
より、セラミック基板１２をブレイキングして分離す
る。ブレイキングでも同様にバリ１６が発生するが、先
の実施の形態と同様に分離溝１１の深さを適宜設定して
おくことで、接地導体１４表面より突出しないように製
造することができる。本実施例ではダイシングがセラミ
ック基板１２の途中までで済むので、フルカット工程よ
りは工程を簡素化できる。
ヤボンド工程において、接地導体１４の裏面側と作業台
の平坦表面とを当接させながら基板１２を滑らせる搬送
時に、バリ１６が引っかかってトラブルを発生させると
いうような現象を防止できる。図２は第２の実施の形態
を示すものである。セラミック基板１２の分離を、図２
（Ａ）に示すように基板１２の途中までダイシングした
後、図２（Ｂ）で図示したＡの方向に力を加えることに
より、セラミック基板１２をブレイキングして分離す
る。ブレイキングでも同様にバリ１６が発生するが、先
の実施の形態と同様に分離溝１１の深さを適宜設定して
おくことで、接地導体１４表面より突出しないように製
造することができる。本実施例ではダイシングがセラミ
ック基板１２の途中までで済むので、フルカット工程よ
りは工程を簡素化できる。
【００１２】
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明によれば、
セラミック基板１２裏面側に分離溝１１を形成すること
で、搬送時のトラブル要因となる接地導体１４のバリ１
６が接地導体１４より突出しないようにできる利点を有
する。また、第２の実施の形態に依ればダイシングのハ
ーフカットとブレイキングとの組み合わせであるので、
フルカットよりは工程を簡素にでき、コストを下げられ
る利点を有する。
セラミック基板１２裏面側に分離溝１１を形成すること
で、搬送時のトラブル要因となる接地導体１４のバリ１
６が接地導体１４より突出しないようにできる利点を有
する。また、第２の実施の形態に依ればダイシングのハ
ーフカットとブレイキングとの組み合わせであるので、
フルカットよりは工程を簡素にでき、コストを下げられ
る利点を有する。
【図１】本発明を説明するための平面図である。
【図２】本発明を説明するための平面図である。
【図３】従来例をを説明するための平面図である。
１１ 分離溝 １２ セラミック基板 １４ 接地導体
Claims (3)
- 【請求項１】 一枚のセラミック基板の裏面に分割溝を
形成する工程と、 前記セラミック基板の表面側にはダイシングライン部分
を除いて導電パターンを形成し、前記セラミック基板の
裏面全面には接地導体を形成する工程と、 前記セラミック基板の表面側からダイシングすることに
より前記セラミック基板を複数の基板に分割する工程
と、を具備することを特徴とするセラミック基板の分割
方法。 - 【請求項２】 前記分割が、前記セラミック基板の板厚
の全部をダイシングすることによることを特徴とする請
求項１記載のセラミック基板の分割方法。 - 【請求項３】 前記分割が、前記セラミック基板の板厚
の一部を残してダイシングした後にブレイキングにより
行うことを特徴とする請求項１記載のセラミック基板の
分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33057295A JPH09172231A (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | セラミック基板の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33057295A JPH09172231A (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | セラミック基板の分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172231A true JPH09172231A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=18234158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33057295A Pending JPH09172231A (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | セラミック基板の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09172231A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020017254A (ko) * | 2000-08-29 | 2002-03-07 | 이형도 | 기판의 홀 형성방법 |
| JP2011071181A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板 |
| KR101388741B1 (ko) * | 2012-10-04 | 2014-04-25 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈용 기판 및 그 제조방법 |
| JP2019004132A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 配線基板およびその製造方法とその配線基板を用いた自動車のヘッドライト |
| JP2019129207A (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法及びセラミックス‐銅接合体 |
-
1995
- 1995-12-19 JP JP33057295A patent/JPH09172231A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020017254A (ko) * | 2000-08-29 | 2002-03-07 | 이형도 | 기판의 홀 형성방법 |
| JP2011071181A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板 |
| KR101388741B1 (ko) * | 2012-10-04 | 2014-04-25 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈용 기판 및 그 제조방법 |
| JP2019004132A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 配線基板およびその製造方法とその配線基板を用いた自動車のヘッドライト |
| JP2019129207A (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法及びセラミックス‐銅接合体 |
| WO2019146638A1 (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法及びセラミックス‐銅接合体 |
| US11676882B2 (en) | 2018-01-24 | 2023-06-13 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of manufacturing power module substrate board and ceramic-copper bonded body |
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