JPH0917258A - 複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシング - Google Patents
複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシングInfo
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- JPH0917258A JPH0917258A JP7159518A JP15951895A JPH0917258A JP H0917258 A JPH0917258 A JP H0917258A JP 7159518 A JP7159518 A JP 7159518A JP 15951895 A JP15951895 A JP 15951895A JP H0917258 A JPH0917258 A JP H0917258A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】簡単な構造により複合絶縁碍管表面の漏洩電流
を高精度に測定可能とする。 【構成】ガス状の絶縁媒体２が充填された複合絶縁碍管
１に、これと同軸状に高電圧導体３および接地シールド
電極４を配置した複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシン
グにおいて、複合絶縁碍管１表面に検電シールド電極８
を設け、この検電シールド電極８を通して複合絶縁碍管
１の漏洩電流を測定可能に構成した。
を高精度に測定可能とする。 【構成】ガス状の絶縁媒体２が充填された複合絶縁碍管
１に、これと同軸状に高電圧導体３および接地シールド
電極４を配置した複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシン
グにおいて、複合絶縁碍管１表面に検電シールド電極８
を設け、この検電シールド電極８を通して複合絶縁碍管
１の漏洩電流を測定可能に構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は複合絶縁碍管内にＦＲＰ
（繊維強化プラスチック）絶縁筒と高分子材料構造物を
配置してなる複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシングに
係り、特に複合絶縁碍管の漏洩電流あるいは部分放電を
検出可能な複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシングに関
する。
（繊維強化プラスチック）絶縁筒と高分子材料構造物を
配置してなる複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシングに
係り、特に複合絶縁碍管の漏洩電流あるいは部分放電を
検出可能な複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシングに関
する。
【０００２】
【従来の技術】ガス絶縁ブッシングは、ガス状の絶縁媒
体が充填された碍管内に、これと同軸状に高電圧導体を
配置してなるブッシングである。このようなガス絶縁ブ
ッシングにおいて、碍管内部に充填されているガス状の
絶縁媒体の封入圧力は、例えば０．５ＭＰａと高いた
め、万一碍管が破損した場合には、破損した碍管が飛散
する可能性がある。このような碍管の飛散を防止するた
めに、最近では、磁器製の碍管に替わって高分子材料を
用いた複合絶縁碍管を配置した複合絶縁碍管方式のガス
絶縁ブッシングが提案されている。
体が充填された碍管内に、これと同軸状に高電圧導体を
配置してなるブッシングである。このようなガス絶縁ブ
ッシングにおいて、碍管内部に充填されているガス状の
絶縁媒体の封入圧力は、例えば０．５ＭＰａと高いた
め、万一碍管が破損した場合には、破損した碍管が飛散
する可能性がある。このような碍管の飛散を防止するた
めに、最近では、磁器製の碍管に替わって高分子材料を
用いた複合絶縁碍管を配置した複合絶縁碍管方式のガス
絶縁ブッシングが提案されている。
【０００３】この複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシン
グは、図５に示すように複合絶縁碍管１内に、ＳＦ6 ガ
スなどの絶縁媒体２が封入されるとともに、複合絶縁碍
管１と同軸状に高電圧導体３が配置されている。複合絶
縁碍管１の下端部内部における高電圧導体３の外周部に
は、高電圧導体３と同軸状でかつ高電圧導体３と一定の
間隔をおいて接地シールド（接地シールド電極）４が配
置されている。
グは、図５に示すように複合絶縁碍管１内に、ＳＦ6 ガ
スなどの絶縁媒体２が封入されるとともに、複合絶縁碍
管１と同軸状に高電圧導体３が配置されている。複合絶
縁碍管１の下端部内部における高電圧導体３の外周部に
は、高電圧導体３と同軸状でかつ高電圧導体３と一定の
間隔をおいて接地シールド（接地シールド電極）４が配
置されている。
【０００４】さらに、系統回路電圧の高いクラスのブッ
シングにおいては、高電圧導体３と接地シールド４との
間に、高電圧導体３と同軸状でかつ高電圧導体３と一定
の間隔をおいて電界制御用シールド（電界制御用シール
ド電極）５が配置されている。この電界制御用シールド
５は絶縁物６により接地シールド４に支持固定されてい
る。
シングにおいては、高電圧導体３と接地シールド４との
間に、高電圧導体３と同軸状でかつ高電圧導体３と一定
の間隔をおいて電界制御用シールド（電界制御用シール
ド電極）５が配置されている。この電界制御用シールド
５は絶縁物６により接地シールド４に支持固定されてい
る。
【０００５】そして、複合絶縁碍管１は、ガラスクロス
をエポキシ樹脂含浸したＦＲＰ絶縁筒１ａの外周側に、
これと同軸状に例えばシリコーンゴム材料などの高分子
材料からなる高分子材料構造物（笠形状構造物）１ｂを
接着して構成されている。そのため、ブッシングとして
の絶縁媒体２および外部の機械応力に対しては、ＦＲＰ
絶縁筒１ａにて耐え、汚損物に対する絶縁性能は、高分
子材料構造物１ｂにて耐えるようになっている。また、
万一複合絶縁碍管１が破損した場合でも、磁器製の碍管
と異なり飛散することがない。このように、図５に示す
複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシングにおいては、複
合絶縁碍管１を配置した構造により、碍管の飛散を確実
に防止可能である。
をエポキシ樹脂含浸したＦＲＰ絶縁筒１ａの外周側に、
これと同軸状に例えばシリコーンゴム材料などの高分子
材料からなる高分子材料構造物（笠形状構造物）１ｂを
接着して構成されている。そのため、ブッシングとして
の絶縁媒体２および外部の機械応力に対しては、ＦＲＰ
絶縁筒１ａにて耐え、汚損物に対する絶縁性能は、高分
子材料構造物１ｂにて耐えるようになっている。また、
万一複合絶縁碍管１が破損した場合でも、磁器製の碍管
と異なり飛散することがない。このように、図５に示す
複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシングにおいては、複
合絶縁碍管１を配置した構造により、碍管の飛散を確実
に防止可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したよ
うな複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシングに用いられ
る複合絶縁碍管１は、本質的に磁器製碍管と同程度の長
さが必要である。この場合、複合絶縁碍管１の長さは、
例えば系統回路電圧が５００ｋＶ用のブッシングにおい
て５．４ｍ以上であり、将来、実用化が考えられている
１１００ｋＶ用のブッシングにおいては１０ｍ以上にも
なる。
うな複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシングに用いられ
る複合絶縁碍管１は、本質的に磁器製碍管と同程度の長
さが必要である。この場合、複合絶縁碍管１の長さは、
例えば系統回路電圧が５００ｋＶ用のブッシングにおい
て５．４ｍ以上であり、将来、実用化が考えられている
１１００ｋＶ用のブッシングにおいては１０ｍ以上にも
なる。
【０００７】このような長大な複合絶縁碍管１を構成す
るＦＲＰ絶縁筒１ａは、真空中で含浸できないため、ボ
イドの発生が懸念される。万一、ＦＲＰ絶縁筒１ａ内部
にボイドが形成されていると、運転中にボイド箇所にお
いて部分放電が発生し、絶縁劣化をきたし、複合絶縁碍
管方式のガス絶縁ブッシングの耐電圧性能を低下させる
問題点がある。
るＦＲＰ絶縁筒１ａは、真空中で含浸できないため、ボ
イドの発生が懸念される。万一、ＦＲＰ絶縁筒１ａ内部
にボイドが形成されていると、運転中にボイド箇所にお
いて部分放電が発生し、絶縁劣化をきたし、複合絶縁碍
管方式のガス絶縁ブッシングの耐電圧性能を低下させる
問題点がある。
【０００８】また、長大な複合絶縁碍管１を構成する一
方の高分子材料構造物１ｂは、一体物での製作が困難
で、高さ方向に複数に分割され、これらをＦＲＰ絶縁筒
１ａに接着して組み立てられる。そのため、接着部分で
ボイドの発生が懸念される。万一、ボイドが形成されて
いると、上述のＦＲＰ絶縁筒１ａと同様な絶縁劣化をき
たす問題点がある。
方の高分子材料構造物１ｂは、一体物での製作が困難
で、高さ方向に複数に分割され、これらをＦＲＰ絶縁筒
１ａに接着して組み立てられる。そのため、接着部分で
ボイドの発生が懸念される。万一、ボイドが形成されて
いると、上述のＦＲＰ絶縁筒１ａと同様な絶縁劣化をき
たす問題点がある。
【０００９】さらに、複合絶縁碍管１を構成する高分子
材料構造物１ｂは、屋外に晒されて系統回路電圧が常時
印加されているため、高分子材料構造物１ｂの表面汚損
が著しく、表面を長時間に亘り漏洩電流が流れ続ける
と、エロージョンやトラッキングなどの表面絶縁劣化を
きたす問題点がある。この種の高分子材料構造物１ｂに
用いられる材料は、表面の撥水性が磁器製材料より優れ
た特性を有しており、汚損特性に優れているものの、有
機材料であり、適用の仕方により万一の耐電圧性能の低
下が懸念される。
材料構造物１ｂは、屋外に晒されて系統回路電圧が常時
印加されているため、高分子材料構造物１ｂの表面汚損
が著しく、表面を長時間に亘り漏洩電流が流れ続ける
と、エロージョンやトラッキングなどの表面絶縁劣化を
きたす問題点がある。この種の高分子材料構造物１ｂに
用いられる材料は、表面の撥水性が磁器製材料より優れ
た特性を有しており、汚損特性に優れているものの、有
機材料であり、適用の仕方により万一の耐電圧性能の低
下が懸念される。
【００１０】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、簡単な構造により複合絶縁碍管表面の漏洩電流
を高精度に測定でき、また複合絶縁碍管内部のボイドな
どの欠陥の部分放電を高精度に測定可能な複合絶縁碍管
方式のガス絶縁ブッシングを提供することを目的とす
る。
もので、簡単な構造により複合絶縁碍管表面の漏洩電流
を高精度に測定でき、また複合絶縁碍管内部のボイドな
どの欠陥の部分放電を高精度に測定可能な複合絶縁碍管
方式のガス絶縁ブッシングを提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明の請求項１は、ガス状の絶縁媒体が充填
された複合絶縁碍管内に、これと同軸状に高電圧導体お
よび接地シールド電極を配置した複合絶縁碍管方式のガ
ス絶縁ブッシングにおいて、前記複合絶縁碍管表面に検
電シールド電極を設け、この検電シールド電極を通して
前記複合絶縁碍管の漏洩電流を測定可能に構成したこと
を特徴とする。
ために、本発明の請求項１は、ガス状の絶縁媒体が充填
された複合絶縁碍管内に、これと同軸状に高電圧導体お
よび接地シールド電極を配置した複合絶縁碍管方式のガ
ス絶縁ブッシングにおいて、前記複合絶縁碍管表面に検
電シールド電極を設け、この検電シールド電極を通して
前記複合絶縁碍管の漏洩電流を測定可能に構成したこと
を特徴とする。
【００１２】請求項２は、ガス状の絶縁媒体が充填され
た複合絶縁碍管内に、これと同軸状に高電圧導体および
接地シールド電極を配置した複合絶縁碍管方式のガス絶
縁ブッシングにおいて、前記複合絶縁碍管を構成する高
分子材料構造物内部に検電シールド電極を埋め込み、こ
の検電シールド電極を通して前記高分子材料構造物の部
分放電を測定可能に構成したことを特徴とする。
た複合絶縁碍管内に、これと同軸状に高電圧導体および
接地シールド電極を配置した複合絶縁碍管方式のガス絶
縁ブッシングにおいて、前記複合絶縁碍管を構成する高
分子材料構造物内部に検電シールド電極を埋め込み、こ
の検電シールド電極を通して前記高分子材料構造物の部
分放電を測定可能に構成したことを特徴とする。
【００１３】請求項３は、ガス状の絶縁媒体が充填され
た複合絶縁碍管内に、これと同軸状に高電圧導体および
接地シールド電極を配置した複合絶縁碍管方式のガス絶
縁ブッシングにおいて、前記複合絶縁碍管は、ＦＲＰ絶
縁筒と、このＦＲＰ絶縁筒の外周側に同軸状に接着した
高分子材料構造物とで構成され、これらＦＲＰ絶縁筒と
高分子材料構造物との境界面に検電シールド電極を設
け、この検電シールド電極を通して前記複合絶縁碍管の
部分放電を測定可能に構成したことを特徴とする。
た複合絶縁碍管内に、これと同軸状に高電圧導体および
接地シールド電極を配置した複合絶縁碍管方式のガス絶
縁ブッシングにおいて、前記複合絶縁碍管は、ＦＲＰ絶
縁筒と、このＦＲＰ絶縁筒の外周側に同軸状に接着した
高分子材料構造物とで構成され、これらＦＲＰ絶縁筒と
高分子材料構造物との境界面に検電シールド電極を設
け、この検電シールド電極を通して前記複合絶縁碍管の
部分放電を測定可能に構成したことを特徴とする。
【００１４】
【作用】上記の構成を有する本発明の請求項１において
は、複合絶縁碍管表面に検電シールド電極を設け、この
検電シールド電極を通して前記複合絶縁碍管の漏洩電流
を測定可能に構成したことにより、複合絶縁碍管表面の
漏洩電流を直接検出可能となる。そのため、系統運転中
に常時監視可能となり、高分子材料構造物表面のエロー
ジョンやトラッキングの絶縁劣化が発生する以前に異常
を検出することができる。
は、複合絶縁碍管表面に検電シールド電極を設け、この
検電シールド電極を通して前記複合絶縁碍管の漏洩電流
を測定可能に構成したことにより、複合絶縁碍管表面の
漏洩電流を直接検出可能となる。そのため、系統運転中
に常時監視可能となり、高分子材料構造物表面のエロー
ジョンやトラッキングの絶縁劣化が発生する以前に異常
を検出することができる。
【００１５】請求項２においては、複合絶縁碍管を構成
する高分子材料構造物内部に検電シールド電極を埋め込
み、この検電シールド電極を通して前記高分子材料構造
物の部分放電を測定可能に構成したことにより、高分子
材料構造物内部の欠陥で生じた部分放電を直接検出する
ことができる。そのため、複合絶縁碍管方式のガス絶縁
ブッシングと並列に接続するカップリングコンデンサか
ら測定する場合や、高電圧導体を支持する絶縁支持物の
検電シールド電極を利用して測定する場合などのよう
に、間接的に検出する場合に比べて、部分放電の検出精
度を格段に向上させることができる。
する高分子材料構造物内部に検電シールド電極を埋め込
み、この検電シールド電極を通して前記高分子材料構造
物の部分放電を測定可能に構成したことにより、高分子
材料構造物内部の欠陥で生じた部分放電を直接検出する
ことができる。そのため、複合絶縁碍管方式のガス絶縁
ブッシングと並列に接続するカップリングコンデンサか
ら測定する場合や、高電圧導体を支持する絶縁支持物の
検電シールド電極を利用して測定する場合などのよう
に、間接的に検出する場合に比べて、部分放電の検出精
度を格段に向上させることができる。
【００１６】請求項３においては、複合絶縁碍管は、Ｆ
ＲＰ絶縁筒と、このＦＲＰ絶縁筒の外周側に同軸状に接
着した高分子材料構造物とで構成され、これらＦＲＰ絶
縁筒と高分子材料構造物との境界面に検電シールド電極
を設け、この検電シールド電極を通して前記複合絶縁碍
管の部分放電を測定可能に構成したことにより、複合絶
縁碍管の欠陥で生じた部分放電を直接検出することがで
きる。
ＲＰ絶縁筒と、このＦＲＰ絶縁筒の外周側に同軸状に接
着した高分子材料構造物とで構成され、これらＦＲＰ絶
縁筒と高分子材料構造物との境界面に検電シールド電極
を設け、この検電シールド電極を通して前記複合絶縁碍
管の部分放電を測定可能に構成したことにより、複合絶
縁碍管の欠陥で生じた部分放電を直接検出することがで
きる。
【００１７】そのため、複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブ
ッシングと並列に接続するカップリングコンデンサから
測定する場合や、高電圧導体を支持する絶縁支持物の検
電シールド電極を利用して測定する場合などのように、
間接的に検出する場合に比べて、部分放電の検出精度を
格段に向上させることができる。その結果、万一、複合
絶縁碍管に微小ボイドなどの欠陥が存在しても、複合絶
縁碍管方式のガス絶縁ブッシングの運転を開始する前
に、工場試験で事前に診断することができる。
ッシングと並列に接続するカップリングコンデンサから
測定する場合や、高電圧導体を支持する絶縁支持物の検
電シールド電極を利用して測定する場合などのように、
間接的に検出する場合に比べて、部分放電の検出精度を
格段に向上させることができる。その結果、万一、複合
絶縁碍管に微小ボイドなどの欠陥が存在しても、複合絶
縁碍管方式のガス絶縁ブッシングの運転を開始する前
に、工場試験で事前に診断することができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１９】図１は本発明に係る複合絶縁碍管方式のガ
ス絶縁ブッシングの第１実施例を示す断面図である。な
お、従来の構成と同一の部分には図５と同一の符号を付
して説明する。
ス絶縁ブッシングの第１実施例を示す断面図である。な
お、従来の構成と同一の部分には図５と同一の符号を付
して説明する。
【００２０】図１に示すように，複合絶縁碍管１内に
は、ＳＦ6 ガスなどの絶縁媒体２が封入されるととも
に、複合絶縁碍管１と同軸状に高電圧導体３が配置され
ている。複合絶縁碍管１の下端部内部における高電圧導
体３の外周部には、高電圧導体３と同軸状でかつ高電圧
導体３と一定の間隔をおいて接地シールド４が配置され
ている。
は、ＳＦ6 ガスなどの絶縁媒体２が封入されるととも
に、複合絶縁碍管１と同軸状に高電圧導体３が配置され
ている。複合絶縁碍管１の下端部内部における高電圧導
体３の外周部には、高電圧導体３と同軸状でかつ高電圧
導体３と一定の間隔をおいて接地シールド４が配置され
ている。
【００２１】また、高電圧導体３と接地シールド４との
間には、高電圧導体３と同軸状でかつ高電圧導体３と一
定の間隔をおいて電界制御用シールド５が配置されてい
る。この電界制御用シールド５は絶縁物６により接地シ
ールド４に支持固定されている。
間には、高電圧導体３と同軸状でかつ高電圧導体３と一
定の間隔をおいて電界制御用シールド５が配置されてい
る。この電界制御用シールド５は絶縁物６により接地シ
ールド４に支持固定されている。
【００２２】さらに、複合絶縁碍管１を構成する高分子
材料構造物１ｂ外周面には、検電シールド電極８が取り
付けられ、この検電シールド電極８は検電リード線１１
により碍管フランジ７内部を貫通して検電端子１２に導
通されている。
材料構造物１ｂ外周面には、検電シールド電極８が取り
付けられ、この検電シールド電極８は検電リード線１１
により碍管フランジ７内部を貫通して検電端子１２に導
通されている。
【００２３】検電シールド電極８は、図２に示すように
導電性材料８ａの片側表面に絶縁材料８ｂが覆われて検
電リード線１１が引き出されている。すなわち、検電シ
ールド電極８の導電性材料８ａは高分子材料構造物１ｂ
に接触し、かつ絶縁材料８ｂにより碍管フランジ７から
絶縁されている。検電リード線１１は碍管フランジ７に
形成されたリード引き出し孔７ａを通して検電端子１２
に導かれている。そして、検電リード線１１は碍管フラ
ンジ７に対して絶縁されている。
導電性材料８ａの片側表面に絶縁材料８ｂが覆われて検
電リード線１１が引き出されている。すなわち、検電シ
ールド電極８の導電性材料８ａは高分子材料構造物１ｂ
に接触し、かつ絶縁材料８ｂにより碍管フランジ７から
絶縁されている。検電リード線１１は碍管フランジ７に
形成されたリード引き出し孔７ａを通して検電端子１２
に導かれている。そして、検電リード線１１は碍管フラ
ンジ７に対して絶縁されている。
【００２４】次に、本実施例の作用について説明する。
【００２５】検電端子１２に図示しない漏洩電流測定装
置を接続することにより、高分子材料構造物１ｂ表面を
流れる漏洩電流は、検電シールド電極８から検電リード
線１１を通して検電端子１２に接続された前記漏洩電流
測定装置に流れ、この漏洩電流測定装置により検出され
る。
置を接続することにより、高分子材料構造物１ｂ表面を
流れる漏洩電流は、検電シールド電極８から検電リード
線１１を通して検電端子１２に接続された前記漏洩電流
測定装置に流れ、この漏洩電流測定装置により検出され
る。
【００２６】このように本実施例によれば、複合絶縁碍
管１表面が汚損されて表面を流れる漏洩電流が異常値と
なった場合、複合絶縁碍管１表面の検電シールド電極８
から検電端子１２に流れる漏洩電流により、複合絶縁碍
管１表面の漏洩電流を直接検出することができる。した
がって、複合絶縁碍管１表面の漏洩電流を、従来に比べ
非常に高精度で検出することができるため、複合絶縁碍
管１表面の絶縁劣化の有無を迅速に検出し、早期におけ
る適切な対応が可能となり、絶縁信頼性を向上させるこ
とができる。
管１表面が汚損されて表面を流れる漏洩電流が異常値と
なった場合、複合絶縁碍管１表面の検電シールド電極８
から検電端子１２に流れる漏洩電流により、複合絶縁碍
管１表面の漏洩電流を直接検出することができる。した
がって、複合絶縁碍管１表面の漏洩電流を、従来に比べ
非常に高精度で検出することができるため、複合絶縁碍
管１表面の絶縁劣化の有無を迅速に検出し、早期におけ
る適切な対応が可能となり、絶縁信頼性を向上させるこ
とができる。
【００２７】また、本実施例によれば、複合絶縁碍管１
の外部絶縁を構成する高分子材料構造物１ｂ外周面に設
けた検電シールド電極８により、複合絶縁碍管１表面の
漏洩電流を直接検出可能に構成したので、系統運転中に
常時監視可能となり、高分子材料構造物１ｂ表面のエロ
ージョンやトラッキングの絶縁劣化が発生する以前に異
常を検出することができる。
の外部絶縁を構成する高分子材料構造物１ｂ外周面に設
けた検電シールド電極８により、複合絶縁碍管１表面の
漏洩電流を直接検出可能に構成したので、系統運転中に
常時監視可能となり、高分子材料構造物１ｂ表面のエロ
ージョンやトラッキングの絶縁劣化が発生する以前に異
常を検出することができる。
【００２８】図３は本発明に係る複合絶縁碍管方式のガ
ス絶縁ブッシングの第２実施例における検電シールド電
極を示す断面図である。なお、前記第１実施例と同一の
部分には同一の符号を付して説明する。以下の実施例に
ついても同様である。
ス絶縁ブッシングの第２実施例における検電シールド電
極を示す断面図である。なお、前記第１実施例と同一の
部分には同一の符号を付して説明する。以下の実施例に
ついても同様である。
【００２９】本実施例では、図３に示すように高分子材
料構造物１ｂ内に検電シールド電極９が埋め込まれてお
り、この検電シールド電極９には検電リード線１１が接
続して引き出され、この検電リード線１１は碍管フラン
ジ７に形成されたリード引き出し孔７ａを通して検電端
子１２に導びかれている。そして、検電リード線１１は
碍管フランジ７から絶縁されている。
料構造物１ｂ内に検電シールド電極９が埋め込まれてお
り、この検電シールド電極９には検電リード線１１が接
続して引き出され、この検電リード線１１は碍管フラン
ジ７に形成されたリード引き出し孔７ａを通して検電端
子１２に導びかれている。そして、検電リード線１１は
碍管フランジ７から絶縁されている。
【００３０】次に、本実施例の作用について説明する。
【００３１】検電端子１２に部分放電検出装置を接続す
ることにより、複合絶縁碍管１内部のボイド放電で流れ
る放電パルス電流は、必ず検電シールド電極９から検電
リード線１１を通して検電端子１２に接続された前記部
分放電検出装置に流れ、この部分放電検出装置により検
出される。
ることにより、複合絶縁碍管１内部のボイド放電で流れ
る放電パルス電流は、必ず検電シールド電極９から検電
リード線１１を通して検電端子１２に接続された前記部
分放電検出装置に流れ、この部分放電検出装置により検
出される。
【００３２】このように本実施例によれば、複合絶縁碍
管１を構成する高分子材料構造物１ｂ内に埋め込まれた
検電シールド電極９により、高分子材料構造物１ｂ内部
の欠陥で生じた部分放電を直接検出することができるた
め、複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシングと並列に接
続するカップリングコンデンサから測定する場合や、高
電圧導体を支持する絶縁支持物の検電シールド電極を利
用して測定する場合などのように、間接的に検出する場
合に比べて、部分放電の検出精度を格段に向上させるこ
とができる。
管１を構成する高分子材料構造物１ｂ内に埋め込まれた
検電シールド電極９により、高分子材料構造物１ｂ内部
の欠陥で生じた部分放電を直接検出することができるた
め、複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシングと並列に接
続するカップリングコンデンサから測定する場合や、高
電圧導体を支持する絶縁支持物の検電シールド電極を利
用して測定する場合などのように、間接的に検出する場
合に比べて、部分放電の検出精度を格段に向上させるこ
とができる。
【００３３】図４は本発明に係る複合絶縁碍管方式のガ
ス絶縁ブッシングの第３実施例における検電シールド電
極を示す断面図である。本実施例では、図４に示すよう
に複合絶縁碍管１を構成するＦＲＰ絶縁筒１ａと高分子
材料構造物１ｂの接着境界面の円周方向に検電シールド
電極１０が埋め込まれている。この検電シールド電極１
０には検電リード線１１が接続して引き出され、この検
電リード線１１は碍管フランジ７に形成されたリード引
き出し孔７ａを通して検電端子１２に導びかれている。
そして、検電リード線１１は碍管フランジ７から絶縁さ
れている。
ス絶縁ブッシングの第３実施例における検電シールド電
極を示す断面図である。本実施例では、図４に示すよう
に複合絶縁碍管１を構成するＦＲＰ絶縁筒１ａと高分子
材料構造物１ｂの接着境界面の円周方向に検電シールド
電極１０が埋め込まれている。この検電シールド電極１
０には検電リード線１１が接続して引き出され、この検
電リード線１１は碍管フランジ７に形成されたリード引
き出し孔７ａを通して検電端子１２に導びかれている。
そして、検電リード線１１は碍管フランジ７から絶縁さ
れている。
【００３４】次に、本実施例の作用について説明する。
【００３５】検電端子１２に部分放電検出装置を接続す
ることにより、複合絶縁碍管１内部のボイド放電で流れ
る放電パルス電流は、必ず検電シールド電極１０から検
電リード線１１を通して検電端子１２に接続された部分
放電検出装置に流れ、この部分放電検出装置により検出
される。
ることにより、複合絶縁碍管１内部のボイド放電で流れ
る放電パルス電流は、必ず検電シールド電極１０から検
電リード線１１を通して検電端子１２に接続された部分
放電検出装置に流れ、この部分放電検出装置により検出
される。
【００３６】このように本実施例によれば、複合絶縁碍
管１を構成するＦＲＰ絶縁筒１ａと高分子材料構造物１
ｂとの境界面に設けた検電シールド電極１０により、複
合絶縁碍管１の欠陥で生じた部分放電を直接検出するこ
とができるため、複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシン
グと並列に接続するカップリングコンデンサから測定す
る場合や、高電圧導体を支持する絶縁支持物の検電シー
ルド電極を利用して測定する場合などのように、間接的
に検出する場合に比べて、部分放電の検出精度を格段に
向上させることができる。そのため、万一、複合絶縁碍
管１に微小ボイドなどの欠陥が存在しても、複合絶縁碍
管方式のガス絶縁ブッシングの運転を開始する前に、工
場試験で事前に診断することができる。
管１を構成するＦＲＰ絶縁筒１ａと高分子材料構造物１
ｂとの境界面に設けた検電シールド電極１０により、複
合絶縁碍管１の欠陥で生じた部分放電を直接検出するこ
とができるため、複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシン
グと並列に接続するカップリングコンデンサから測定す
る場合や、高電圧導体を支持する絶縁支持物の検電シー
ルド電極を利用して測定する場合などのように、間接的
に検出する場合に比べて、部分放電の検出精度を格段に
向上させることができる。そのため、万一、複合絶縁碍
管１に微小ボイドなどの欠陥が存在しても、複合絶縁碍
管方式のガス絶縁ブッシングの運転を開始する前に、工
場試験で事前に診断することができる。
【００３７】また、系統回路で運転中に複合絶縁碍管１
に部分放電が生じたとしても、検電端子１２に部分放電
検出装置を接続しておくことにより、複合絶縁碍管１内
部の部分放電を高精度に検出し、複合絶縁碍管１内部の
欠陥の存在を診断することができる。
に部分放電が生じたとしても、検電端子１２に部分放電
検出装置を接続しておくことにより、複合絶縁碍管１内
部の部分放電を高精度に検出し、複合絶縁碍管１内部の
欠陥の存在を診断することができる。
【００３８】このように、前記第２，第３実施例によれ
ば、複合絶縁碍管１内部に部分放電が発生した場合、複
合絶縁碍管１内部に埋め込まれた検電シールド電極９，
１０から検電端子１２に流れる放電電流により複合絶縁
碍管１内部の部分放電を直接検出することができる。し
たがって、複合絶縁碍管１内部の部分放電を、従来に比
べ非常に高精度で検出することができるため、複合絶縁
碍管１表面の絶縁劣化の有無を迅速に検出し、早期にお
ける適切な対応が可能となり、絶縁信頼性を向上させる
ことができる。
ば、複合絶縁碍管１内部に部分放電が発生した場合、複
合絶縁碍管１内部に埋め込まれた検電シールド電極９，
１０から検電端子１２に流れる放電電流により複合絶縁
碍管１内部の部分放電を直接検出することができる。し
たがって、複合絶縁碍管１内部の部分放電を、従来に比
べ非常に高精度で検出することができるため、複合絶縁
碍管１表面の絶縁劣化の有無を迅速に検出し、早期にお
ける適切な対応が可能となり、絶縁信頼性を向上させる
ことができる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
〜３によれば、複合絶縁碍管に検電シールド電極を配置
するという簡単な構成により、複合絶縁碍管表面の絶縁
低下による漏洩電流の増大および内部のボイドなどの欠
陥の部分放電を高精度に測定することができ、絶縁信頼
性を大幅に高めることができる。
〜３によれば、複合絶縁碍管に検電シールド電極を配置
するという簡単な構成により、複合絶縁碍管表面の絶縁
低下による漏洩電流の増大および内部のボイドなどの欠
陥の部分放電を高精度に測定することができ、絶縁信頼
性を大幅に高めることができる。
【００４０】また、本発明の請求項１によれば、複合絶
縁碍管表面に検電シールド電極を設け、この検電シール
ド電極を通して前記複合絶縁碍管の漏洩電流を測定可能
に構成したことにより、複合絶縁碍管表面の漏洩電流を
直接検出可能となる。その結果、系統運転中に常時監視
可能となり、高分子材料構造物表面のエロージョンやト
ラッキングの絶縁劣化が発生する以前に異常を検出する
ことができる。
縁碍管表面に検電シールド電極を設け、この検電シール
ド電極を通して前記複合絶縁碍管の漏洩電流を測定可能
に構成したことにより、複合絶縁碍管表面の漏洩電流を
直接検出可能となる。その結果、系統運転中に常時監視
可能となり、高分子材料構造物表面のエロージョンやト
ラッキングの絶縁劣化が発生する以前に異常を検出する
ことができる。
【００４１】さらに、請求項２，３によれば、複合絶縁
碍管内部に部分放電が発生した場合、複合絶縁碍管内部
に埋め込まれた検電シールド電極から検電端子に流れる
放電電流により複合絶縁碍管内部の部分放電を直接検出
することができる。したがって、複合絶縁碍管内部の部
分放電を、従来に比べ非常に高精度で検出することがで
きるため、複合絶縁碍管表面の絶縁劣化の有無を迅速に
検出し、早期における適切な対応が可能となり、絶縁信
頼性を向上させることができる。
碍管内部に部分放電が発生した場合、複合絶縁碍管内部
に埋め込まれた検電シールド電極から検電端子に流れる
放電電流により複合絶縁碍管内部の部分放電を直接検出
することができる。したがって、複合絶縁碍管内部の部
分放電を、従来に比べ非常に高精度で検出することがで
きるため、複合絶縁碍管表面の絶縁劣化の有無を迅速に
検出し、早期における適切な対応が可能となり、絶縁信
頼性を向上させることができる。
【図１】本発明に係る複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッ
シングの第１実施例を示す断面図。
シングの第１実施例を示す断面図。
【図２】図１の検電シールド電極を示す拡大断面図。
【図３】本発明に係る複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッ
シングの第２実施例における検電シールド電極を示す拡
大断面図。
シングの第２実施例における検電シールド電極を示す拡
大断面図。
【図４】本発明に係る複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッ
シングの第３実施例における検電シールド電極を示す拡
大断面図。
シングの第３実施例における検電シールド電極を示す拡
大断面図。
【図５】従来の複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシング
の一例を示す断面図。
の一例を示す断面図。
１ 複合絶縁碍管 １ａ ＦＲＰ絶縁筒 １ｂ 高分子材料構造物 ２ 絶縁媒体 ３ 高電圧導体 ４ 接地シールド（接地シールド電極） ５ 電界制御用シールド（電界制御用シールド電極） ６ 絶縁物 ７ 碍管フランジ ７ａ リード引き出し孔 ８ 検電シールド電極 ８ａ 導電性材料 ８ｂ 絶縁材料 ９ 検電シールド電極 １０ 検電シールド電極 １１ 検電リード線 １２ 検電端子
Claims (3)
- 【請求項１】 ガス状の絶縁媒体が充填された複合絶縁
碍管内に、これと同軸状に高電圧導体および接地シール
ド電極を配置した複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシン
グにおいて、前記複合絶縁碍管表面に検電シールド電極
を設け、この検電シールド電極を通して前記複合絶縁碍
管の漏洩電流を測定可能に構成したことを特徴とする複
合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシング。 - 【請求項２】 ガス状の絶縁媒体が充填された複合絶縁
碍管内に、これと同軸状に高電圧導体および接地シール
ド電極を配置した複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシン
グにおいて、前記複合絶縁碍管を構成する高分子材料構
造物内部に検電シールド電極を埋め込み、この検電シー
ルド電極を通して前記高分子材料構造物の部分放電を測
定可能に構成したことを特徴とする複合絶縁碍管方式の
ガス絶縁ブッシング。 - 【請求項３】 ガス状の絶縁媒体が充填された複合絶縁
碍管内に、これと同軸状に高電圧導体および接地シール
ド電極を配置した複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシン
グにおいて、前記複合絶縁碍管は、ＦＲＰ絶縁筒と、こ
のＦＲＰ絶縁筒の外周側に同軸状に接着した高分子材料
構造物とで構成され、これらＦＲＰ絶縁筒と高分子材料
構造物との境界面に検電シールド電極を設け、この検電
シールド電極を通して前記複合絶縁碍管の部分放電を測
定可能に構成したことを特徴とする複合絶縁碍管方式の
ガス絶縁ブッシング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7159518A JPH0917258A (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7159518A JPH0917258A (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシング |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917258A true JPH0917258A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15695526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7159518A Pending JPH0917258A (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 複合絶縁碍管方式のガス絶縁ブッシング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917258A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103825233A (zh) * | 2014-03-07 | 2014-05-28 | 解文 | 高压母线以及增大高压母线载流能力的方法 |
| CN112595993A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-02 | 江苏神马电力股份有限公司 | 一种绝缘介质界面泄漏电流测量系统及方法 |
| DE102020212384A1 (de) | 2020-09-30 | 2022-03-31 | Siemens Energy Global GmbH & Co. KG | Beschichteter Leiter in einem Hochspannungsgerät und Verfahren zur Erhöhung der dielektrischen Festigkeit |
-
1995
- 1995-06-26 JP JP7159518A patent/JPH0917258A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103825233A (zh) * | 2014-03-07 | 2014-05-28 | 解文 | 高压母线以及增大高压母线载流能力的方法 |
| DE102020212384A1 (de) | 2020-09-30 | 2022-03-31 | Siemens Energy Global GmbH & Co. KG | Beschichteter Leiter in einem Hochspannungsgerät und Verfahren zur Erhöhung der dielektrischen Festigkeit |
| CN112595993A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-02 | 江苏神马电力股份有限公司 | 一种绝缘介质界面泄漏电流测量系统及方法 |
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