JPH0917725A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPH0917725A JPH0917725A JP7188560A JP18856095A JPH0917725A JP H0917725 A JPH0917725 A JP H0917725A JP 7188560 A JP7188560 A JP 7188560A JP 18856095 A JP18856095 A JP 18856095A JP H0917725 A JPH0917725 A JP H0917725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflection mirror
- partial reflection
- reflecting mirror
- exposure apparatus
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 68
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＡｒＦエキシマレーザを光源とした場合に生
じる２光子吸収による投影露光装置の光学素子損傷を抑
え、その性能低下を防止する。 【構成】 ＡｒＦエキシマレーザを光源とする投影露光
装置において、光源２１と投影光学系２との間に、レー
ザ光を異なる光路のレーザ光として２つに分割する分割
手段と、分割されたレーザ光に光路差を与えるための手
段と、前記分割されかつ光路差が与えられたレーザ光を
同一の光軸上に戻すための手段からなるパルス分割装置
１を備える。光はこのパルス分割装置１において２つの
光路に分割され、分割されたレーザ光はそれぞれ異なる
距離を伝搬して再び同一の光軸上に戻るため、１パルス
の光が時間軸上において２つ以上のパルス列に変化さ
れ、レーザ光のパルス強度のピークが低くされ、投影露
光装置の光学素子における２光子吸収による損傷が低減
される。
じる２光子吸収による投影露光装置の光学素子損傷を抑
え、その性能低下を防止する。 【構成】 ＡｒＦエキシマレーザを光源とする投影露光
装置において、光源２１と投影光学系２との間に、レー
ザ光を異なる光路のレーザ光として２つに分割する分割
手段と、分割されたレーザ光に光路差を与えるための手
段と、前記分割されかつ光路差が与えられたレーザ光を
同一の光軸上に戻すための手段からなるパルス分割装置
１を備える。光はこのパルス分割装置１において２つの
光路に分割され、分割されたレーザ光はそれぞれ異なる
距離を伝搬して再び同一の光軸上に戻るため、１パルス
の光が時間軸上において２つ以上のパルス列に変化さ
れ、レーザ光のパルス強度のピークが低くされ、投影露
光装置の光学素子における２光子吸収による損傷が低減
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は投影露光装置に関し、特
に光源としてＡｒＦエキシマレーザを用いる投影露光装
置に関する。
に光源としてＡｒＦエキシマレーザを用いる投影露光装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のエキシマレーザを光源とした投影
露光装置として、例えば特開昭６４−１１３２６号公報
に記述されたものがあり、その概略構成を図 に示す。
この投影露光装置は、光源としてのエキシマレーザ２１
と、このレーザ光のビーム形状を整形するシリンドリカ
ルレンズ２２，２４と、反射ミラー２３と、光分布を均
一化するための蠅の目レンズ２５と、集光用のコンデン
サレンズ２６と、絞り２７と、前記コンデンサレンズ２
６により照明される投影対象としてのレチクル２８と、
レチクルパターンを結像するための投影レンズ２９と、
被投影体としてのウェハ３０と、このウェハ３０を平面
ＸＹ方向に移動させるＸ−Ｙテーブル３１とで構成され
ている。
露光装置として、例えば特開昭６４−１１３２６号公報
に記述されたものがあり、その概略構成を図 に示す。
この投影露光装置は、光源としてのエキシマレーザ２１
と、このレーザ光のビーム形状を整形するシリンドリカ
ルレンズ２２，２４と、反射ミラー２３と、光分布を均
一化するための蠅の目レンズ２５と、集光用のコンデン
サレンズ２６と、絞り２７と、前記コンデンサレンズ２
６により照明される投影対象としてのレチクル２８と、
レチクルパターンを結像するための投影レンズ２９と、
被投影体としてのウェハ３０と、このウェハ３０を平面
ＸＹ方向に移動させるＸ−Ｙテーブル３１とで構成され
ている。
【０００３】この投影露光装置では、レーザ光源２１に
より所望のパターンが形成されたレチクル２８を照明
し、レチクル２８を通過した光を投影レンズ２９を介し
てウェハ３０の上に投影露光することにより、レチクル
パターンをウェハ３０上に転写するものである。
より所望のパターンが形成されたレチクル２８を照明
し、レチクル２８を通過した光を投影レンズ２９を介し
てウェハ３０の上に投影露光することにより、レチクル
パターンをウェハ３０上に転写するものである。
【０００４】この種の投影露光装置では、近年における
半導体素子の微細化、高集積化に伴い、投影露光装置に
おける解像力の向上が要求されている。このため、レー
ザ光の波長を短くし、あるいは照明用光源の単波長化が
進められている。これに伴い、波長１９３ｎｍの真空紫
外光を発生するＡｒＦエキシマレーザが光源として注目
されている。
半導体素子の微細化、高集積化に伴い、投影露光装置に
おける解像力の向上が要求されている。このため、レー
ザ光の波長を短くし、あるいは照明用光源の単波長化が
進められている。これに伴い、波長１９３ｎｍの真空紫
外光を発生するＡｒＦエキシマレーザが光源として注目
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＡｒＦエキ
シマレーザはパルス幅が約１０ｎｓｅｃのパルスレーザ
であるため出力光のピーク強度が高いことと、短波長で
あることから光子エネルギが高いことにより、２光子吸
収の発生確率が水銀ランプやＫｒＦエキシマレーザより
も高い。この結果、従来構成の投影露光装置では、蠅の
目レンズ、コンデンサレンズ、投影レンズ等の光学素子
において、２光子吸収による損傷が発生し、投影露光装
置の性能低下を招くという問題が生じている。また、こ
の種の光学素子は一般に高価であるため、損傷を生じた
場合には、その修理コストが極めて高くつくという問題
もある。
シマレーザはパルス幅が約１０ｎｓｅｃのパルスレーザ
であるため出力光のピーク強度が高いことと、短波長で
あることから光子エネルギが高いことにより、２光子吸
収の発生確率が水銀ランプやＫｒＦエキシマレーザより
も高い。この結果、従来構成の投影露光装置では、蠅の
目レンズ、コンデンサレンズ、投影レンズ等の光学素子
において、２光子吸収による損傷が発生し、投影露光装
置の性能低下を招くという問題が生じている。また、こ
の種の光学素子は一般に高価であるため、損傷を生じた
場合には、その修理コストが極めて高くつくという問題
もある。
【０００６】
【発明の目的】本発明の目的は、２光子吸収による投影
露光装置の光学素子損傷を抑え、性能低下を防止した投
影露光装置を提供することにある。
露光装置の光学素子損傷を抑え、性能低下を防止した投
影露光装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の投影露光装置
は、投影光学系に入射されるレーザ光を異なる光路のレ
ーザ光として２つに分割する分割手段と、分割されたレ
ーザ光に光路差を与えるための手段と、前記分割されか
つ光路差が与えられたレーザ光を同一の光軸上に戻すた
めの手段とを備えている。
は、投影光学系に入射されるレーザ光を異なる光路のレ
ーザ光として２つに分割する分割手段と、分割されたレ
ーザ光に光路差を与えるための手段と、前記分割されか
つ光路差が与えられたレーザ光を同一の光軸上に戻すた
めの手段とを備えている。
【０００８】すなわち、本発明の好ましい態様として
は、光源がＡｒＦエキシマレーザであり、光路を２つに
分割する手段が第１の部分反射ミラーであり、分割され
たレーザ光を同一の光軸上に戻すための手段が第２の部
分反射ミラーで構成される。また、光路差を与える手段
は、第１の部分反射ミラーで反射された光を第２の部分
反射ミラーに向けて反射させる全反射ミラーである。さ
らに、第１の部分反射ミラーと第２の部分反射ミラーを
光源と投影光学系とを結ぶ光軸上に配置し、４個の全反
射ミラーをそれぞれ前記第１及び第２の部分反射ミラー
に対向配置し、かつ全反射ミラーどうしがそれぞれ対向
するように配置される。
は、光源がＡｒＦエキシマレーザであり、光路を２つに
分割する手段が第１の部分反射ミラーであり、分割され
たレーザ光を同一の光軸上に戻すための手段が第２の部
分反射ミラーで構成される。また、光路差を与える手段
は、第１の部分反射ミラーで反射された光を第２の部分
反射ミラーに向けて反射させる全反射ミラーである。さ
らに、第１の部分反射ミラーと第２の部分反射ミラーを
光源と投影光学系とを結ぶ光軸上に配置し、４個の全反
射ミラーをそれぞれ前記第１及び第２の部分反射ミラー
に対向配置し、かつ全反射ミラーどうしがそれぞれ対向
するように配置される。
【０００９】
【作用】本発明によれば、ＡｒＦエキシマレーザ光は第
１の部分反射ミラーにより２つの光路に分割され、これ
らの分割されたレーザ光はそれぞれ異なる距離を伝搬し
て第２の部分反射ミラーにおいて再びレーザ光を同一の
光軸上に戻るため、１パルスの光が時間軸上において２
つ以上のパルス列に変化され、レーザ光のパルス強度の
ピークが低くされ、投影露光装置の光学素子における２
光子吸収による損傷が低減される。
１の部分反射ミラーにより２つの光路に分割され、これ
らの分割されたレーザ光はそれぞれ異なる距離を伝搬し
て第２の部分反射ミラーにおいて再びレーザ光を同一の
光軸上に戻るため、１パルスの光が時間軸上において２
つ以上のパルス列に変化され、レーザ光のパルス強度の
ピークが低くされ、投影露光装置の光学素子における２
光子吸収による損傷が低減される。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の投影露光装置の構成図である。な
お、図３に示した従来の投影露光装置と同一ないし等価
な部分には同一符号を付してある。すなわち、光源とし
てのＡｒＦエキシマレーザ２１からのレーザ光は、詳細
を後述するパルス分割装置１を通過された後、投影露光
系２に入射される。この投影露光系２では、シリンドリ
カルレンズ２２，２４と反射ミラー２３によりレーザ光
のビーム形状が整形され、蠅の目レンズ２５により光分
布が均一化され、コンデンサレンズ２６により集光用さ
れ、かつ絞り２７で絞られた後、レチクル２８を照明す
る。このレチクル２８を通過した光は投影レンズ２９に
よりウェハ３０上に結像され、これによりウェハ３０に
レチクルパターンを露光する。また、Ｘ−Ｙテーブル３
１によりウェハ３０を平面ＸＹ方向に移動させること
で、ウェハ３０にチップ単位の露光が行われる。
する。図１は本発明の投影露光装置の構成図である。な
お、図３に示した従来の投影露光装置と同一ないし等価
な部分には同一符号を付してある。すなわち、光源とし
てのＡｒＦエキシマレーザ２１からのレーザ光は、詳細
を後述するパルス分割装置１を通過された後、投影露光
系２に入射される。この投影露光系２では、シリンドリ
カルレンズ２２，２４と反射ミラー２３によりレーザ光
のビーム形状が整形され、蠅の目レンズ２５により光分
布が均一化され、コンデンサレンズ２６により集光用さ
れ、かつ絞り２７で絞られた後、レチクル２８を照明す
る。このレチクル２８を通過した光は投影レンズ２９に
よりウェハ３０上に結像され、これによりウェハ３０に
レチクルパターンを露光する。また、Ｘ−Ｙテーブル３
１によりウェハ３０を平面ＸＹ方向に移動させること
で、ウェハ３０にチップ単位の露光が行われる。
【００１１】前記パルス分割装置１は、レーザ光を分
割、合成する反射率Ｒ１の部分反射ミラー１１及び反射
率Ｒ２の部分反射ミラー１２と、レーザ光に光路差を与
えるための全反射ミラー１３，１４，１５，１６とで構
成される。そして、部分反射ミラー１１，１２は前記光
源２１と投影光学系を結ぶ光軸上に配置され、各全反射
ミラー１３〜１６はそれぞれ前記部分反射ミラー１１，
１２に対向する位置に配置される。この実施例では、部
分反射ミラー１１，１２はそれぞれ光軸に対して逆方向
に４５°の角度で配置され、全反射ミラー１３，１６は
部分反射ミラー１１に対して光軸と９０°の方向に配置
され、全反射ミラー１４，１５は部分反射ミラー１２に
対して光軸と９０°の方向に配置される。そして、全反
射ミラー１３，１６と１４，１５はそれぞれ光軸と平方
な光路上に対向配置され、かつ各ミラーはその光路に対
して４５°の角度に向けられている。
割、合成する反射率Ｒ１の部分反射ミラー１１及び反射
率Ｒ２の部分反射ミラー１２と、レーザ光に光路差を与
えるための全反射ミラー１３，１４，１５，１６とで構
成される。そして、部分反射ミラー１１，１２は前記光
源２１と投影光学系を結ぶ光軸上に配置され、各全反射
ミラー１３〜１６はそれぞれ前記部分反射ミラー１１，
１２に対向する位置に配置される。この実施例では、部
分反射ミラー１１，１２はそれぞれ光軸に対して逆方向
に４５°の角度で配置され、全反射ミラー１３，１６は
部分反射ミラー１１に対して光軸と９０°の方向に配置
され、全反射ミラー１４，１５は部分反射ミラー１２に
対して光軸と９０°の方向に配置される。そして、全反
射ミラー１３，１６と１４，１５はそれぞれ光軸と平方
な光路上に対向配置され、かつ各ミラーはその光路に対
して４５°の角度に向けられている。
【００１２】したがって、この投影露光装置では、Ａｒ
Ｆエキシマレーザからのレーザ光は、パルス分割装置１
に入射されると、先ず、第１の部分反射ミラー１１にお
いて、その一部は光軸に沿って透過され、他の一部は全
反射ミラー１３に向けて反射される。透過された光は第
２の部分反射ミラー１２に到達され、ここで一部は光軸
に沿って透過され、他の一部は全反射ミラー１５に向け
て反射される。一方、全反射ミラー１３に向けて反射さ
れた光は全反射ミラー１４で再度反射され、第２の部分
反射ミラー１２に到達される。そして、ここでその一部
は光軸に向けて反射され、他の一部は透過されて全反射
ミラー１５に向けられる。そして、全反射ミラー１５に
向けられる前記各光は全反射ミラー１６において再度反
射され、第１の部分反射ミラー１１に到達され、ここで
一部は光軸に向けて反射され、他の一部は全反射ミラー
１３に向けて透過される。
Ｆエキシマレーザからのレーザ光は、パルス分割装置１
に入射されると、先ず、第１の部分反射ミラー１１にお
いて、その一部は光軸に沿って透過され、他の一部は全
反射ミラー１３に向けて反射される。透過された光は第
２の部分反射ミラー１２に到達され、ここで一部は光軸
に沿って透過され、他の一部は全反射ミラー１５に向け
て反射される。一方、全反射ミラー１３に向けて反射さ
れた光は全反射ミラー１４で再度反射され、第２の部分
反射ミラー１２に到達される。そして、ここでその一部
は光軸に向けて反射され、他の一部は透過されて全反射
ミラー１５に向けられる。そして、全反射ミラー１５に
向けられる前記各光は全反射ミラー１６において再度反
射され、第１の部分反射ミラー１１に到達され、ここで
一部は光軸に向けて反射され、他の一部は全反射ミラー
１３に向けて透過される。
【００１３】したがって、説明を簡略化するために、図
２に示すように、第１の部分反射ミラー１１において透
過されかつ第２の部分反射ミラー１２を透過された光Ｌ
１と、第１の部分反射ミラー１１において反射され、か
つ全反射ミラー１３，１４で反射され、さらに第２の部
分反射ミラー１２において反射される光Ｌ２との関係に
ついてみると、両者は第１の部分反射ミラー１１と全反
射ミラー１３との距離と、全反射ミラー１４と第２の部
分反射ミラー１２との距離の和だけ光路に差が生じるこ
とになる。すなわち、図１，図２において、各ミラーの
位置をＡ〜Ｆで示すと、部分反射ミラー１１において分
割された光のパルスは、光路差Ｌ１＝ＡＣ＋ＣＤ＋ＤＢ
−ＡＢだけ部分反射ミラー１２に到達する時間に差が生
じる。
２に示すように、第１の部分反射ミラー１１において透
過されかつ第２の部分反射ミラー１２を透過された光Ｌ
１と、第１の部分反射ミラー１１において反射され、か
つ全反射ミラー１３，１４で反射され、さらに第２の部
分反射ミラー１２において反射される光Ｌ２との関係に
ついてみると、両者は第１の部分反射ミラー１１と全反
射ミラー１３との距離と、全反射ミラー１４と第２の部
分反射ミラー１２との距離の和だけ光路に差が生じるこ
とになる。すなわち、図１，図２において、各ミラーの
位置をＡ〜Ｆで示すと、部分反射ミラー１１において分
割された光のパルスは、光路差Ｌ１＝ＡＣ＋ＣＤ＋ＤＢ
−ＡＢだけ部分反射ミラー１２に到達する時間に差が生
じる。
【００１４】これにより、光速ｃ，レーザ光パルス幅Δ
ｔにおいて、Ｌ１／ｃ＞Δｔの関係が成り立つようにミ
ラーを配置すると、部分反射ミラー１２で同じ光軸上に
戻された２つのパルスＰ１，Ｐ２は図３に示すように、
時間的にずれることになる。これにより、パルスの全エ
ネルギが時間的に分割された状態となり、パルスのピー
クが低下される。したがって、以降の投影露光装置の光
学素子における２光子吸収の発生確率が低減され、光学
素子における損傷が抑制される。
ｔにおいて、Ｌ１／ｃ＞Δｔの関係が成り立つようにミ
ラーを配置すると、部分反射ミラー１２で同じ光軸上に
戻された２つのパルスＰ１，Ｐ２は図３に示すように、
時間的にずれることになる。これにより、パルスの全エ
ネルギが時間的に分割された状態となり、パルスのピー
クが低下される。したがって、以降の投影露光装置の光
学素子における２光子吸収の発生確率が低減され、光学
素子における損傷が抑制される。
【００１５】なお、実際には、前記したように、全反射
ミラー１５，１６で反射される光の一部は、部分反射ミ
ラー１１，１２で反射された上で光軸上に戻されるた
め、前記したパルスにこれらの光が加えられることにな
り、複雑な計算式によってパルス強度が求められること
になる。このため、パルス分割装置からの出力光パルス
強度は、光源から入射されるパルスに対して分割を繰返
す毎に等比級数的に小さくなり、どの出力パルス強度も
入射パルス強度よりも小さくなる。しかしながらその一
方で、繰り返しの毎に光の一部が光軸に戻されるため、
結果的にはエネルギの損失が生じることはない。
ミラー１５，１６で反射される光の一部は、部分反射ミ
ラー１１，１２で反射された上で光軸上に戻されるた
め、前記したパルスにこれらの光が加えられることにな
り、複雑な計算式によってパルス強度が求められること
になる。このため、パルス分割装置からの出力光パルス
強度は、光源から入射されるパルスに対して分割を繰返
す毎に等比級数的に小さくなり、どの出力パルス強度も
入射パルス強度よりも小さくなる。しかしながらその一
方で、繰り返しの毎に光の一部が光軸に戻されるため、
結果的にはエネルギの損失が生じることはない。
【００１６】すなわち、前記したように第１、第２の各
部分反射ミラー１１，１２の反射率がＲ１，Ｒ２の場合
で、前記したように第１の部分反射ミラー１１を透過し
た光と反射した光が第２の部分反射ミラー１２で合成さ
れた場合のみを試算すると、前者の光のパルス強度は、
入射光強度１に対して、（１−Ｒ１）×（１−Ｒ２）と
なり、後者の光のパルス強度はＲ１×Ｒ２となる。０＜
Ｒ１＜１，０＜Ｒ２＜１であるから、共に入力光強度よ
り低くなる。
部分反射ミラー１１，１２の反射率がＲ１，Ｒ２の場合
で、前記したように第１の部分反射ミラー１１を透過し
た光と反射した光が第２の部分反射ミラー１２で合成さ
れた場合のみを試算すると、前者の光のパルス強度は、
入射光強度１に対して、（１−Ｒ１）×（１−Ｒ２）と
なり、後者の光のパルス強度はＲ１×Ｒ２となる。０＜
Ｒ１＜１，０＜Ｒ２＜１であるから、共に入力光強度よ
り低くなる。
【００１７】例えば、部分反射ミラー１１，１２が半透
過ミラー、すなわち、Ｒ１とＲ２が０．５の場合、透過
光のパルス強度は０．２５となり、反射光のパルス強度
も０．２５となり、図３に示した各パルスＰ１，Ｐ２の
ピークはそれぞれ０．２５となる。そして、残りの強度
分である０．５の分は、さらに時間差をもって合成され
ることになり、例えは図２に破線で示すようになる。
過ミラー、すなわち、Ｒ１とＲ２が０．５の場合、透過
光のパルス強度は０．２５となり、反射光のパルス強度
も０．２５となり、図３に示した各パルスＰ１，Ｐ２の
ピークはそれぞれ０．２５となる。そして、残りの強度
分である０．５の分は、さらに時間差をもって合成され
ることになり、例えは図２に破線で示すようになる。
【００１８】なお、前記したパルス分割装置は部分反射
ミラーや全反射ミラーの個数や配置を任意に設計するこ
とができ、それに応じて光路差を適宜に設定することが
できる。また、光特性に影響を与えない範囲で光路上に
ガラス等を設置することで、光路差を変化させることも
可能である。
ミラーや全反射ミラーの個数や配置を任意に設計するこ
とができ、それに応じて光路差を適宜に設定することが
できる。また、光特性に影響を与えない範囲で光路上に
ガラス等を設置することで、光路差を変化させることも
可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、投
影光学系に入射されるレーザ光を異なる光路のレーザ光
として２つに分割し、かつ分割されたレーザ光に光路差
を与え、かつ分割されかつ光路差が与えられたレーザ光
を同一の光軸上に戻すことが可能なパルス分割装置を備
えているので、光源としてのＡｒＦエキシマレーザ光は
１パルスの光が時間軸上において２つ以上のパルス列に
変化され、レーザ光のパルス強度のピークが低くされ、
投影露光装置の光学素子における２光子吸収による損傷
が低減される。
影光学系に入射されるレーザ光を異なる光路のレーザ光
として２つに分割し、かつ分割されたレーザ光に光路差
を与え、かつ分割されかつ光路差が与えられたレーザ光
を同一の光軸上に戻すことが可能なパルス分割装置を備
えているので、光源としてのＡｒＦエキシマレーザ光は
１パルスの光が時間軸上において２つ以上のパルス列に
変化され、レーザ光のパルス強度のピークが低くされ、
投影露光装置の光学素子における２光子吸収による損傷
が低減される。
【００２０】特に、パルス分割装置を、第１の部分反射
ミラーと第２の部分反射ミラーを光源と投影光学系とを
結ぶ光軸上に配置し、４個の全反射ミラーをそれぞれ前
記第１及び第２の部分反射ミラーに対向配置し、かつ全
反射ミラーどうしがそれぞれ対向するように配置した構
成とすることで、パルスのエネルギの損失が生じること
なく、パルス強度を時間軸上で分割してパルスピークを
低減した光として投影光学系に入力させることが可能と
なる。
ミラーと第２の部分反射ミラーを光源と投影光学系とを
結ぶ光軸上に配置し、４個の全反射ミラーをそれぞれ前
記第１及び第２の部分反射ミラーに対向配置し、かつ全
反射ミラーどうしがそれぞれ対向するように配置した構
成とすることで、パルスのエネルギの損失が生じること
なく、パルス強度を時間軸上で分割してパルスピークを
低減した光として投影光学系に入力させることが可能と
なる。
【図１】本発明の投影露光装置の全体構成を示す光学構
成図である。
成図である。
【図２】パルス分割装置に入力されるパルス強度特性
と、出力されるパルス強度特性を比較して示す図であ
る。
と、出力されるパルス強度特性を比較して示す図であ
る。
【図３】従来の投影露光装置の構成を示す光学構成図で
ある。
ある。
１ パルス分割装置 １１，１２ 部分反射ミラー １３〜１６ 全反射ミラー ２１ 光源 ２５ 蠅の目レンズ ２６ 投影レンズ ２８ レチクル ３０ ウェハ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１１月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の投影露光装置の全体構成を示す光学構
成図である。
成図である。
【図２】部分反射ミラーによる光路差を説明するための
パルス分割装置の構成図である。
パルス分割装置の構成図である。
【図３】 パルス分割装置に入力されるパルス強度特性
と、出力されるパルス強度特性を比較して示す図であ
る。
と、出力されるパルス強度特性を比較して示す図であ
る。
【図４】 従来の投影露光装置の構成を示す光学構成図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １ パルス分割装置 １１，１２ 部分反射ミラー １３〜１６ 全反射ミラー ２１ 光源 ２５ 蠅の目レンズ ２６ 投影レンズ ２８ レチクル ３０ ウェハ
Claims (4)
- 【請求項１】 光源から射出されるレーザ光を投影光学
系により被露光体に露光するための投影露光装置におい
て、前記投影光学系に入射されるレーザ光を異なる光路
のレーザ光として２つに分割する分割手段と、分割され
たレーザ光に光路差を与えるための手段と、前記分割さ
れかつ光路差が与えられたレーザ光を同一の光軸上に戻
すための手段とを備えることを特徴とする投影露光装
置。 - 【請求項２】 光源がＡｒＦエキシマレーザであり、光
路を２つに分割する手段が第１の部分反射ミラーであ
り、分割されたレーザ光を同一の光軸上に戻すための手
段が第２の部分反射ミラーである請求項１の投影露光装
置。 - 【請求項３】 光路差を与える手段は、第１の部分反射
ミラーで反射された光を第２の部分反射ミラーに向けて
反射させる全反射ミラーである請求項２の投影露光装
置。 - 【請求項４】 第１の部分反射ミラーと第２の部分反射
ミラーを光源と投影光学系とを結ぶ光軸上に配置し、４
個の全反射ミラーをそれぞれ前記第１及び第２の部分反
射ミラーに対向配置し、かつ全反射ミラーどうしがそれ
ぞれ対向するように配置されてなる請求項３の投影露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7188560A JPH0917725A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7188560A JPH0917725A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917725A true JPH0917725A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=16225832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7188560A Pending JPH0917725A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917725A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6549267B1 (en) | 1996-02-22 | 2003-04-15 | Nikon Corporation | Pulse-width extending optical systems, projection-exposure apparatus comprising same, and manufacturing methods using same |
| US7432517B2 (en) | 2004-11-19 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Pulse modifier, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| EP2109004A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-14 | ASML Holding N.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373221A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Nikon Corp | スペツクル消去光学装置 |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP7188560A patent/JPH0917725A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373221A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Nikon Corp | スペツクル消去光学装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6549267B1 (en) | 1996-02-22 | 2003-04-15 | Nikon Corporation | Pulse-width extending optical systems, projection-exposure apparatus comprising same, and manufacturing methods using same |
| US7432517B2 (en) | 2004-11-19 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Pulse modifier, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| EP2109004A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-14 | ASML Holding N.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8654311B2 (en) | 2008-04-09 | 2014-02-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100305657B1 (ko) | 조명장치및이조명장치를가진노광장치 | |
| KR100483981B1 (ko) | 펄스폭신장광학계및이러한광학계를갖춘노광장치 | |
| US5650877A (en) | Imaging system for deep ultraviolet lithography | |
| TWI407267B (zh) | 具有可調式光擴展性（ｅｔｅｎｄｕｅ）的脈衝調節器 | |
| JPH07111512B2 (ja) | 補償型光学システム | |
| US5303001A (en) | Illumination system for half-field dyson stepper | |
| JPH09288251A (ja) | パルス幅伸長光学系および該光学系を備えた露光装置 | |
| JPH06214318A (ja) | 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置 | |
| JPH10209028A (ja) | 照明光学装置及び半導体素子の製造方法 | |
| WO2000067303A1 (en) | Exposure method and apparatus | |
| JP3658209B2 (ja) | 円弧照明光学系及びそれを用いた露光装置 | |
| JP2565134B2 (ja) | 照明光学装置 | |
| JP2026009870A (ja) | 特にマイクロリソグラフィ用の、光学構成要素および光学系 | |
| JPH01114035A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0917725A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS62188316A (ja) | 投影露光装置 | |
| US7099087B2 (en) | Catadioptric projection objective | |
| JPH1062710A (ja) | 照明光学系 | |
| JP2000223396A (ja) | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 | |
| JP2004325649A (ja) | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JP2002350620A (ja) | 光学部材、当該光学部材を用いた照明装置及び露光装置 | |
| JPH04250455A (ja) | 円弧照明装置 | |
| JP2003303750A (ja) | 結像光学系、該光学系を有する露光装置、収差低減方法 | |
| JPH04314321A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0629177A (ja) | 半導体露光装置 |