JPH1064019A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、ＭＲ素子感度及び出力を大幅に向
上させることができる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供
することを課題とする。 【解決手段】 磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が垂直となるように配された２つの磁気抵抗効果素子
５Ａ，５Ｂと、磁気記録媒体との対向面ｙに臨み上記各
磁気抵抗効果素子５Ａ，５Ｂの先端側に積層される先端
電極７と、各磁気抵抗効果素子５Ａ，５Ｂの後端側に各
々積層される第１の後端電極８Ａと第２の後端電極８Ｂ
とを備える。そして、２つの磁気抵抗効果素子５Ａ，５
Ｂがトラック幅Ｔｗの方向に直列状態で接続され、各磁
気抵抗効果素子５Ａ，５Ｂが上側の磁気抵抗効果感磁層
１１と下側の磁気抵抗効果安定化層１３からなる２層構
造とされ、非磁性絶縁層１２ａ，１２ｂ，１２ｃを介し
て磁気抵抗効果感磁層１１のみが上記電極７，８Ａ，８
Ｂと接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体から
の記録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有
する磁性層が設けられてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッド
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置における小型
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチ程度の小
型ハードディスク装置に対する要求が高まっている。

【０００３】このような小型ハードディスクでは、ディ
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。

【０００４】これに対して、磁界によって抵抗率が変化
する磁気抵抗効果を有する磁性膜を用いた感磁素子（以
下、単にＭＲ素子と称する。）の抵抗変化を再生出力電
圧として検出する磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、単
にＭＲヘッドと称する。）は、その再生出力が媒体速度
に依存せず、低媒体速度でも高再生出力が得られるとい
う特徴を有するため、小型ハードディスクにおいて大容
量化を実現する磁気ヘッドとして注目されている。

【０００５】このＭＲヘッドは、遷移金属に見られる磁
化の向きとその内部を流れる電流の向きのなす角によっ
て電気抵抗値が変化する、いわゆる磁気抵抗効果現象を
利用した再生用磁気ヘッドである。すなわち、磁気記録
媒体からの漏洩磁束を上記ＭＲ素子が受けると、その磁
束により上記ＭＲ素子の磁化の向きが変化し、上記ＭＲ
素子内部に流れる電流の向きに対して、磁束に応じた角
度をもつようになる。それ故に上記ＭＲ素子の電気抵抗
値が変化し、この変化量に応じた電圧変化が電流が流れ
ているＭＲ素子の両端の電極に現れる。したがって、こ
の電圧変化を電圧信号として磁気記録信号を読みだせる
ことになる。

【０００６】図４，図５に従来のＭＲヘッドの構造を示
す。このＭＲヘッド１０１は、基板１０２上にＭＲ素子
１０５を、その長手方向を媒体対向面と垂直方向に配し
てなる、いわゆる縦型のＭＲヘッド１０１である、そし
て、ＭＲ素子１０５の長手方向の両端から電極を取り出
すとともに、該ＭＲ素子１０５の上下に絶縁層１０４ｂ
を介してシールド磁性体１０３，１０９を配して構成さ
れている。

【０００７】ところで、この縦型のＭＲヘッド１０１で
は、ＭＲ素子１０５は、図６，図７に示すように、磁壁
が発生しないように、磁気的絶縁中間膜１０５ａを介し
て２層のＮｉ−Ｆｅからなる磁性体膜１０５ｂ，１０５
ｃを積層することにより構成されている。これは、従
来、ＭＲ素子１０５は、単層構造が採用されていたが、
単層構造のＭＲ素子では、磁壁が生じやすく、磁壁の移
動によるバルクハウゼンノイズが発生しやすいといった
問題点があった。そこで、これを防止するために２層構
造のＭＲ素子が採用されている。

【０００８】この２層構造のＭＲ素子１０５によれば、
２層構造の一方の層に流れるセンス電流から発生する磁
界により他方の層の磁区を安定化することができるとと
もに、図７に示すように、センス電流によらない２層相
互のいわゆる静磁気結合によって、互いの磁区を安定化
することができる。このため、ＭＲ素子１０５の構造と
しては、この２層構造が主流になりつつある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ＭＲヘッドには、再生
出力の向上が望まれている。ここで、ＭＲヘッドの出力
電圧ΔＶについては、ＭＲヘッドの構造を別にすれば、
ＭＲ素子感度（単位磁界当たりの抵抗変化率）、センス
電流Ｉｓ、磁束の引き込み量をパラメータとすることが
できる。

【００１０】ＭＲ素子感度は、図８に示すように、ＭＲ
カーブで示すことができ、出力に関係する素子感度ΔＶ
（飽和出力）／Ｈｋ（異方性磁界）は急峻なほど良好な
傾向を示す。このなかで、ＭＲ素子感度である出力電圧
ΔＶはＩｓ（センス電流）×ΔＲ（抵抗変化）として表
され、センス電流Ｉｓの増加と比例し大きくなる。

【００１１】しかしながら、上記従来の２層のＭＲ素子
１０５の場合、センス電流Ｉｓを大きくするとセルフバ
イアスの効果も大きくなるので、図９に示すように、異
方性磁界Ｈｋも増加し、ＭＲ素子感度としては、ある電
流値を境に低下することになる。そのため、必然的にＭ
Ｒ素子としての出力が決定されてしまい、期待される大
幅な出力の向上が得られない。

【００１２】なお、センス電流Ｉｓを大きくする以外に
ＭＲ素子の厚みを薄くして、電流密度を上げることで出
力を上げることも考えられるが、薄膜化にともない膜質
の問題が絡んでくるので、限界がある。また、磁束の引
き込み量については、ＭＲ素子の透磁率を上げることに
関係し、特に、先端電極側の透磁率を低下させないこと
が必要である。

【００１３】そこで、本発明は、ＭＲ素子感度及び出力
を大幅に向上させることができる磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを提供することを課題とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
磁気ヘッドは、上記課題を解決するために、磁気記録媒
体摺動面に対してセンス電流が略垂直に供給され、非磁
性層を介して磁気抵抗効果層と磁気抵抗効果安定化層と
が積層されてなる一対の磁気抵抗効果素子と、磁気記録
媒体摺動面に臨み上記一対の磁気抵抗効果素子の先端側
に積層される先端電極と、上記各磁気抵抗効果素子の後
端部に各々積層される第１の後端電極と第２の後端電極
とを備える。この磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、上記
一対の磁気抵抗効果素子がトラック幅方向に並設され、
上記一対の磁気抵抗効果素子の各磁気抵抗効果層が上記
先端電極を介して電気的に接続されていることを特徴と
する。

【００１５】以上のように構成された本発明に係る磁気
抵抗効果型磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果層が磁気記録
媒体の信号磁界により抵抗変化を示す磁性層（Ａｃｔｉ
ｖｅ−ｌａｙｅｒ）として使われ、磁気抵抗効果安定化
層が抵抗変化をするかどうかを問わない磁性層（Ｐｉｎ
−ｌａｙｅｒ）として使われる。すなわち、この磁気抵
抗効果型磁気ヘッドでは、一対の磁気抵抗効果層の先端
部が先端電極を介して電気的に接続され、各磁気抵抗効
果層の後端部が第１の後端電極と第２の後端電極とそれ
ぞれ接続されてなるために、センス電流が磁気抵抗効果
層にのみ供給される。このとき、センス電流は、第１の
後端電極より一方の磁気抵抗効果層に供給され、先端電
極を通り他方の磁気抵抗効果層に供給され、第２の後端
電極に供給さる。そして、下側の磁気抵抗効果安定化層
の磁区制御は、上側の磁気抵抗効果感磁層の静磁結合と
磁気抵抗効果感磁層のセルフバイアスによって行い、他
方、上側の磁気抵抗効果感磁層の磁区制御は、下側の磁
気抵抗効果安定化層の磁化によって行う。

【００１６】このため、出力電圧ΔＶは、センス電流Ｉ
ｓの増加で増える一方、異方性磁界Ｈｋはセンス電流Ｉ
ｓに依存しにくい構造となり、出力電圧ΔＶ／異方性磁
界Ｈｋはセンス電流Ｉｓの増加で増える。

【００１７】しかも、上記構造の上記２つの磁気抵抗効
果素子がトラック幅の方向に直列状態で接続されるため
に、異方性磁界Ｈｋは同程度の値をもちつつ抵抗変化量
ΔＲが２倍になる効果で、出力電圧ΔＶは２^1/2倍とな
り、ＭＲ素子感度も２^1/2相当になる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るＭＲヘッドの
実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１９】本実施の形態のＭＲヘッド１の主要な構成
は、図１及び図２に示すように、磁気記録媒体との対向
面ｙに対して長手方向が垂直となるように配された２つ
の磁気抵抗効果素子５Ａ，５Ｂと、磁気記録媒体との対
向面ｙに臨み上記各磁気抵抗効果素子５Ａ，５Ｂの先端
側に積層される先端電極７と、各磁気抵抗効果素子５
Ａ，５Ｂの後端側に積層される第１の後端電極８Ａと第
２の後端電極８Ｂとを備えた構成とされている。

【００２０】すなわち、ＭＲヘッド１は、スライダーと
して機能する基板２上に配される下部シールド磁性体３
と上部シールド磁性体９がヘッド摺動面ｙに臨む再生ギ
ャップを構成するように対向して配され、これら下部シ
ールド磁性体３と上部シールド磁性体９との間に、上記
磁気抵抗効果素子５Ａ，５Ｂがその一端を媒体対向面ｙ
に臨ませるように配されている。なお、以下、上記磁気
抵抗効果素子５Ａを「第１のＭＲ素子５Ａ」、上記磁気
抵抗効果素子５Ｂを「第２のＭＲ素子５Ｂ」と称して説
明する。

【００２１】まず、上記下部シールド磁性体３及び上部
シールド磁性体９と第１のＭＲ素子５Ａ及び第２のＭＲ
素子５Ｂ間には、それぞれ絶縁層４ａ，４ｂが介在さ
れ、磁気的に分離されている。

【００２２】また、上部シールド磁性体９は、媒体対向
面ｙ付近で屈曲した形状となされており、該上部シール
ド磁性体９と下部シールド磁性体３間の距離が媒体対向
面ｙ側において狭まるようになされ、上部シールド磁性
体９と下部シールド磁性体３の先端部間に再生用ギャッ
プが形成されている。

【００２３】一方、下部シールド磁性体３は、Ａｌ₂ ０
₃ −ＴｉＣ等の非磁性材料からなる基板２上に配置され
ている。第１のＭＲ素子５Ａ及び第２のＭＲ素子５Ｂの
媒体対向面ｙと反対側には、第１の後端電極８Ａ及び第
２の後端電極８Ｂが第１のＭＲ素子５Ａ及び第２のＭＲ
素子５Ｂ上に積層されるように接続されている。

【００２４】また、バイアス導体１０は、第１のＭＲ素
子５Ａ及び第２のＭＲ素子５Ｂにバイアス磁界を印加す
るためのもので、先端電極７と第１の後端電極８Ａ及び
第２の後端電極８Ｂの間であって、該第１のＭＲ素子５
Ａ及び第２のＭＲ素子５Ｂと上部シールド磁性体４との
間に絶縁層を介して設けられている。このバイアス導体
１０は、第１のＭＲ素子５Ａ及び第２のＭＲ素子５Ｂの
長手方向に亘ってバイアス磁界を印加する役目をするも
ので、第１のＭＲ素子５Ａ及び第２のＭＲ素子５Ｂと直
交させて配置されている。

【００２５】このバイアス導体１０と第１のＭＲ素子５
Ａ及び第２のＭＲ素子５Ｂとの間には、これらの間の絶
縁を図る絶縁膜４ｃが介在されている。なお、このバイ
アス導体１０には、例えば、電導性の良いＡｕ，Ｃｕ等
を用いる。

【００２６】そして特に、上記第１のＭＲ素子５Ａ及び
第２のＭＲ素子５Ｂは、その長手方向が磁気記録媒体、
例えば磁気ディスクと対向する媒体対向面ｙに対し垂直
となるように形成され、この２つの第１のＭＲ素子５Ａ
と第２のＭＲ素子５Ｂは、トラック幅Ｔｗの方向に並設
されている。

【００２７】すなわち、第１のＭＲ素子５Ａと第２のＭ
Ｒ素子５Ｂは、図２に示すように、非磁性絶縁層１２ａ
を介して、第１のＭＲ素子５Ａと第２のＭＲ素子５Ｂと
の間隔Ｄをおいて、トラック幅Ｔｗの方向に並設されて
いる。

【００２８】ここで、ＭＲヘッド１のトラック幅をＴ
ｗ、第１のＭＲ素子５Ａの幅をＴｒ１、第２のＭＲ素子
５Ｂの幅をＴｒ２、第１のＭＲ素子５Ａと第２のＭＲ素
子５Ｂとの間隔をＤとすると、Ｔｗ＝Ｔｒ１＋Ｔｒ２＋
Ｄで表されるようになされている。

【００２９】また、本実施の形態の第１のＭＲ素子５Ａ
と第２のＭＲ素子５Ｂの感磁部長Ｈは、０．１μｍ〜
３．０μｍであり、第１のＭＲ素子５Ａと第２のＭＲ素
子５Ｂとの間隔Ｄは、０．５μｍ〜３．０μｍであり、
第１のＭＲ素子５Ａと第２のＭＲ素子５Ｂの幅Ｔｒ１，
ｒ２は、各々０．１μｍ〜２．０μｍである。

【００３０】ただし、本実施の形態では、第１のＭＲ素
子５Ａと第２のＭＲ素子５Ｂの寸法が同一のもので説明
したが、必ずしも第１のＭＲ素子５Ａと第２のＭＲ素子
５Ｂの寸法はは、同一寸法でなくともよい。

【００３１】上記第１のＭＲ素子５Ａと第２のＭＲ素子
５Ｂは、各々、図３に示すように、磁気抵抗効果感磁層
１３のみが先端電極７と第１の後端電極８Ａ及び第２の
後端電極８Ｂと接続されている。すなわち、第１のＭＲ
素子５Ａと第２のＭＲ素子５Ｂは、これら第１のＭＲ素
子５Ａと第２のＭＲ素子５Ｂとの間に配される非磁性絶
縁層１２ａと、両側の非磁性絶縁層１２ｂにより、側方
側の絶縁が図られている。また、第１のＭＲ素子５Ａと
第２のＭＲ素子５Ｂは、各々、磁気抵抗効果安定化層１
１と磁気抵抗効果感磁性層１３との間に、非磁性絶縁層
１２ｃが介在されている。

【００３２】そして、先端電極７と第１の後端電極８Ａ
及び第２の後端電極８Ｂに、上記各磁気抵抗効果感磁層
１３の上側が接続されている。このため、磁気抵抗効果
安定化層１１と磁気抵抗効果感磁層１３は、磁気的には
結合しているが、電気的には分離されている。したがっ
て、センス電流Ｉｓは、磁気抵抗効果感磁性層１３にの
み流れ、磁気抵抗効果安定化層１１にセンス電流Ｉｓが
流れない構成とされている。したがって、第１のＭＲ素
子５Ａと第２のＭＲ素子５Ｂは、磁気抵抗効果感磁性層
１３が抵抗変化をする磁性層（Ａｃｔｉｖｅ−ｌａｙｅ
ｒ）として使われ、磁気抵抗効果安定化層１１が抵抗変
化をするかどうかを問わない磁性層（Ｐｉｎ−ｌａｙｅ
ｒ）として使われる。

【００３３】上記非磁性絶縁層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ
は、Ａｌ₂Ｏ₃等のような電気的に絶縁性を有する非磁性
材料からなるものであればよい。

【００３４】また、上記磁気抵抗効果感磁性層１３と磁
気抵抗効果安定化層１１は、磁気抵抗効果を有する磁気
抵抗効果膜を含んでいればよく、例えば、ＮｉＦｅ等か
らなる磁気抵抗効果膜だけからなるものであっても、あ
るいは、Ｔａ等からなる下地膜上にＮｉＦｅ等からなる
磁気抵抗効果膜が成膜されたものであってもよい。

【００３５】本実施の形態では、膜厚２５ｎｍのＮｉＦ
ｅ膜／膜厚３〜２０ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃膜／膜厚２５ｎｍの
ＮｉＦｅ膜を順次蒸着又はスパッタリングによって成膜
して第１のＭＲ素子５Ａ及び第２のＭＲ素子５Ｂを形成
するようにしている。

【００３６】さらに、本実施の形態のＭＲヘッド１は、
上記第１のＭＲ素子５Ａ及び第２のＭＲ素子５Ｂの一方
の端面を記録媒体摺動面ｙに露出させたかたちになって
いる。この第１のＭＲ素子５Ａ及び第２のＭＲ素子５Ｂ
の記録媒体摺動面側端（前端側）には先端部電極７が形
成され、後端側には後端電極８Ａ及び第２の後端電極８
Ｂが形成されている。

【００３７】先端電極７は、磁気記録媒体との対向面ｙ
に臨み上記各第１のＭＲ素子５Ａ，第２のＭＲ素子５Ｂ
の先端側に積層され、上記第１のＭＲ素子５Ａ及び第２
のＭＲ素子５Ｂと電気的に接続されるようになってい
る。この先端電極７は、上記第１のＭＲ素子５Ａ及び第
２のＭＲ素子５Ｂにセンス電流Ｉｓを通電する電極とし
て機能を有する他、再生用磁気ギャップの上層ギャップ
膜として機能するようになっている。したがって、先端
電極７には、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ等の如き電導
性を有し且つ非磁性の金属材料を用いることが好まし
い。

【００３８】一方、第１の後端電極８Ａと第２の後端電
極８Ｂは、上記第１のＭＲ素子５Ａ及び第２のＭＲ素子
５Ｂの後端側に各々積層され、各々、第１の後端電極８
Ａと第２の後端電極８Ｂに電気的に接続されるようにな
っている。

【００３９】この第１の後端電極８Ａと第２の後端電極
８Ｂは、先の先端電極７とは異なりギャップ膜としての
機能はなく、単に上記第１のＭＲ素子５Ａ及び第２のＭ
Ｒ素子５Ｂにセンス電流Ｉｓを通電する役目を有する。

【００４０】このように、先端電極７と、第１の後端電
極８Ａと第２の後端電極８Ｂを配することにより、セン
ス電流Ｉｓは、第１の後端電極８Ａから先端電極７へ、
この先端電極７から第２の後端電極８Ｂへと、図２中符
号Ｆに示すように流されることになる。そして、図２中
符号Ｍに示すような誘導磁化が生じる。

【００４１】ところで、ＭＲ素子抵抗Ｒは、図８に示す
ように、素子に入力される磁界強度（磁束量）に応じて
変化する。すなわち、ＭＲ素子抵抗Ｒの外部磁界依存性
がＭＲ曲線である。実際にＭＲ素子を駆動させる場合、
外部磁界に対する抵抗変化の線形性が良く、且つ最もＭ
Ｒ素子抵抗Ｒの変化するところまで予めバイアス磁界Ｈ
ｂを加えておき、その点を動作ポイントとする。

【００４２】そこに、メディアからの信号磁界が入力さ
れると、それを抵抗変化に変換するのがＭＲ素子であ
る。ＭＲ素子にセンス電流Ｉｓを流しておけば、この抵
抗変化を電圧出力ΔＶとして取り出せるわけである。す
なわち、オームの法則（ΔＶ＝Ｒ×Ｉｓ）に準ずる。

【００４３】このことにより、ＭＲ素子感度とは、信号
磁界の抵抗変化への変換効率であり、素子動作ポイント
におけるＭＲ曲線の傾きで決まる。つまり、単位磁界強
度当たりの抵抗変化量がＭＲ素子感度となるわけであ
る。このＭＲ素子感度を決めるパラメータは、図９に示
すように、抵抗変化量ΔＲとＭＲ素子の異方性磁界Ｈｋ
である。ここでの抵抗変化量ΔＲは、ＭＲ素子抵抗Ｒの
の最大値と最小値の差である。一方、異方性磁界Ｈｋ
は、ＭＲ曲線の傾きの最大点に接線を引いて、ベースラ
インと交わる磁界強度と定義して算出する。

【００４４】ＭＲ素子抵抗変化量ΔＲが同じ場合、異方
性磁界Ｈｋが小さい程、また、異方性磁界Ｈｋが同じ場
合、ＭＲ素子抵抗変化量ΔＲが大きい程、素子動作点Ａ
でのＭＲ曲線が急峻となり、ＭＲ素子感度が大きくなる
と言える。

【００４５】このなかで、出力電圧ΔＶはセンス電流Ｉ
ｓ×ΔＲ（抵抗変化）として表され、センス電流Ｉｓの
増加と比例し大きくなる。一方、センス電流Ｉｓの増加
はセルフバイアスの増加を生むために異方性磁界Ｈｋの
増加を引き起こす。そのため、磁気抵抗効果安定化層１
１の感度は、あるセンス電流Ｉｓの値で飽和する。

【００４６】この点、本実施の形態のＭＲヘッド１は、
磁気抵抗効果素子５が磁気抵抗効果感磁層１３と磁気抵
抗効果安定化層１１からなる２層構造とされ、非磁性絶
縁層１２ａ，１２ｂ，１２ｃを介して磁気抵抗効果感磁
層１３のみが上記先端電極７と第１の後端電極８Ａ及び
第２の後端電極８と接続されることから、出力電圧ΔＶ
は、センス電流Ｉｓの増加で増える一方、異方性磁界Ｈ
ｋはセンス電流Ｉｓに依存しにくい構造となり、出力電
圧ΔＶ／異方性磁界Ｈｋで表されるＭＲ素子感度はセン
ス電流Ｉｓの増加で増える。

【００４７】ただし、この構造としても、出力電圧ΔＶ
は、センス電流Ｉｓ以外でΔρ（磁気記録媒体からの信
号磁界の強さによって変化する磁気抵抗効果膜の比抵抗
の変化量）と素子サイズに依存し、上限を持つ。

【００４８】そこで、上記２つの磁気抵抗効果素子がト
ラック幅の方向に直列状態で接続されいる。このため、
異方性磁界Ｈｋは同程度の値をもちつつ抵抗変化ΔＲが
２倍になる効果で出力電圧ΔＶは２^1/2倍となり、ＭＲ
素子感度も２^1/2相当になる。したがって、本実施の形
態のＭＲヘッド１によれば、１．４倍程度にすることが
できる。

【００４９】これにより、本実施の形態のＭＲヘッド１
は、強磁性材よりなる磁性層と導電層を有する非磁性材
よりなる導電層とが交互に複数層積層された多層膜素子
である、いわゆる人工格子膜である巨大磁気抵抗効果素
子（ＧＭＲ素子）を磁気抵抗効果素子として用いたもの
であってもよい

【００５０】

【発明の効果】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、
磁気抵抗効果素子が磁気抵抗効果感磁層と磁気抵抗効果
安定化層からなる２層構造とされ、非磁性層を介して磁
気抵抗効果感磁層のみが上記先端電極及び後端電極と接
続されることから、出力電圧ΔＶは、センス電流Ｉｓの
増加で増える一方、異方性磁界Ｈｋはセンス電流Ｉｓに
依存しにくい構造となり、出力電圧ΔＶ／異方性磁界Ｈ
ｋはセンス電流Ｉｓの増加で増える。

【００５１】しかも、上記２つの磁気抵抗効果素子がト
ラック幅の方向に直列状態で接続されているために、異
方性磁界Ｈｋは同程度の値をもちつつΔＲ（抵抗変化）
が２倍になる効果で出力電圧ΔＶは２倍となり、ＭＲ素
子感度も２^1/2相当になる。

【００５２】したがって、本発明の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドによれば、ＭＲ素子感度及び出力を大幅に向上さ
せることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＭＲヘッドの一実施例の概略構成
を示す断面図である。

【図２】上記ＭＲヘッドの第１のＭＲ素子、第２のＭＲ
素子等の主要部を示す斜視図である。

【図３】上記第１のＭＲ素子と第２のＭＲ素子の構造を
示す断面図である。

【図４】従来のＭＲヘッドを示す断面図である。

【図５】上記ＭＲヘッドのＭＲ素子及び電極を示す要部
斜視図である。

【図６】上記ＭＲヘッドのＭＲ素子膜を示す拡大断面図
である。

【図７】上記ＭＲヘッドのＭＲ素子のセルフバイアスを
示す模式図である。

【図８】上記ＭＲ素子の動作原理を示す特性図である。

【図９】上記ＭＲ素子の異方性磁界Ｈｋを示す特性図で
ある。

【符号の説明】

１ ＭＲヘッド、５Ａ 第１のＭＲ素子（磁気抵抗効果
素子）、 ５Ｂ 第２のＭＲ素子（磁気抵抗効果素
子）、７ 先端電極、８Ａ 第１の後端電極、８Ｂ第２
の後端電極、１１ 磁気抵抗効果安定化層、１２ａ，１
２ｂ，１２ｃ 非磁性絶縁層、１３ 磁気抵抗効果感磁
層 Ｔｗ トラック幅、ｙ 磁気記録媒体との対向面

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気記録媒体摺動面に対してセンス電流
   が略垂直に供給され、非磁性層を介して磁気抵抗効果層
   と磁気抵抗効果安定化層とが積層されてなる一対の磁気
   抵抗効果素子と、 磁気記録媒体摺動面に臨み上記一対の磁気抵抗効果素子
   の先端側に積層される先端電極と、 上記各磁気抵抗効果素子の後端部に各々積層される第１
   の後端電極と第２の後端電極とを備え、 上記一対の磁気抵抗効果素子がトラック幅方向に並設さ
   れ、 上記一対の磁気抵抗効果素子の各磁気抵抗効果層が上記
   先端電極を介して電気的に接続されていることを特徴と
   する磁気抵抗効果型磁気ヘッド。