JPH0918022A - 半導体力学量センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】パッシベーション膜のエッチング時に可動部形
成用薄膜をエッチングすることなく可動部形成領域のパ
ッシベーション膜を除去することができる半導体力学量
センサの製造方法を提供する。 【構成】シリコン基板１上にシリコン酸化膜１８を形成
し、シリコン酸化膜１８の上にポリシリコン薄膜１９を
形成し、ポリシリコン薄膜１９の上にシリコン酸化膜２
０を介してアルミ薄膜２１を形成し、アルミ薄膜２１の
上を含む基板全面にパッシベーション膜２２を成膜し、
可動部形成領域におけるパッシベーション膜２２を開口
すべくパッシベーション膜２２をエッチングし、可動部
形成領域におけるアルミ薄膜２１をエッチング除去し、
ポリシリコン薄膜１９の下のシリコン酸化膜１８をエッ
チング除去して梁構造の可動部を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板を用いた
半導体力学量センサに係わり、詳しくは梁構造の可動部
を有するセンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の薄膜梁構造を有する加速度センサ
としては、Ｓolid Ｓtate Ｔechnology １９９３ Ｏ
ctober ３９〜４７頁に示されたものがある。図１４は
その加速度センサ全体を示す図である。図１４中のＤ−
Ｄ断面を図１５に、Ｅ−Ｅ断面を図１６に示す。

【０００３】シリコン基板３０の上において、アンカー
部３１から梁３２が延び、この梁３２にマス３３が支持
され、さらに、マス３３から可動電極３４が突設されて
いる。一方、シリコン基板３０の上には１つの可動電極
３４に対し２つの固定電極３５が対向するように配置さ
れている。この可動電極３４と固定電極３５とにより静
電容量を形成し、サーボ動作を行う。アンカー部３１と
梁３２とマス３３と可動電極３４とはポリシリコンで形
成されており、かつ、シリコン基板３０より所定の間隔
を隔てて配置されている。又、固定電極３５は端部のア
ンカー部４３において基板１に固定されている。これら
は、シリコン基板３０上に表面マイクロマシニング技術
を用いて形成したものである。

【０００４】検出原理を図１５を用いて説明する。可動
電極３４は両側の固定電極３５ａと３５ｂの中心にあ
り、可動電極３４と固定電極３５ａ，３５ｂ間の静電容
量Ｃ１，Ｃ２は等しい。又、可動電極３４と固定電極３
５ａ，３５ｂ間には電圧Ｖ１，Ｖ２が印加されており、
加速度が生じていないときにはＶ１＝Ｖ２であり、可動
電極３４は固定電極３５ａと３５ｂから等しい静電気力
で引かれている。ここで加速度が基板表面に平行な方向
に作用し、可動電極３４が変位すると可動電極３４と固
定電極３５ａ，３５ｂとの間の距離が変わり静電容量Ｃ
１，Ｃ２が等しくなくなる。このときに静電容量が等し
くなるように、例えば可動電極３４が固定電極３５ａ側
に変位したとすると、電圧Ｖ１が下がり、電圧Ｖ２が上
がる。これにより静電気力で固定電極３５ｂ側に可動電
極３４は引かれる。可動電極３４が中心位置となり静電
容量Ｃ１，Ｃ２が等しくなれば、加速度と静電気力が等
しく釣り合っており、このときの電圧Ｖ１，Ｖ２から加
速度の大きさを求めることができる。

【０００５】製造は、図１７に示す工程にて行う。図１
７において、左部に回路部、右部にセンサエレメント部
を示す。（ａ）に示すように、シリコン基板３０上に犠
牲層３６を形成しポリシリコン薄膜３７を形成する。次
に、（ｂ）に示すように配線用アルミ薄膜３８を形成す
る。そして、（ｃ）に示すようにパッシベーション膜３
９を全面にデポした後、パッシベーション膜３９の一部
をエッチングし、回路のパッド部並びにセンサエレメン
ト部に開口部４０，４１を形成する。最後に、（ｄ）に
示すように犠牲層３６をエッチング除去してエアギャッ
プ４２を形成しポリシリコン薄膜３７よりなる梁構造体
とする。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１７
に示す製作プロセスでは、犠牲層エッチングを最終工程
で行うために、梁，マス，可動電極となるポリシリコン
薄膜３７の上方のパッシベーション膜３９を除去し開口
部４１を設ける工程が生じる。ＳｉＮパッシベーション
膜をエッチング除去する場合に通常のＩＣプロセスで
は、ＣＦ₄ ，ＣＨＦ ₃ 等のガスを使用するドライエッチ
ングが用いられるが、この場合ポリシリコンとのエッチ
ング選択比が充分でないため、梁，マス，可動電極とな
るポリシリコン薄膜３７をエッチングしてしまうという
問題点がある。

【０００７】そこで、この発明の目的は、パッシベーシ
ョン膜のエッチング時に可動部形成用薄膜をエッチング
することなく可動部形成領域のパッシベーション膜を除
去することができる半導体力学量センサの製造方法を提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔
を隔てて配置された薄膜よりなる梁構造の可動部とを備
え、力学量の作用に伴う前記可動部の変位から力学量を
検出するようにした半導体力学量センサの製造方法であ
って、半導体基板上に犠牲層を形成する第１工程と、前
記犠牲層の上に可動部形成用薄膜を形成する第２工程
と、前記可動部形成用薄膜の上にエッチングストッパ層
を形成する第３工程と、前記エッチングストッパ層の上
を含む基板全面にパッシベーション膜を成膜する第４工
程と、可動部形成領域における前記パッシベーション膜
を開口すべく前記パッシベーション膜をエッチングする
第５工程と、可動部形成領域における前記エッチングス
トッパ層をエッチング除去するとともに、前記可動部形
成用薄膜の下の犠牲層をエッチング除去して梁構造の可
動部を形成する第６工程とを備えた半導体力学量センサ
の製造方法をその要旨とする。

【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記可動部形成用薄膜がポリシリコン
薄膜またはアモルファスシリコン薄膜よりなり、前記エ
ッチングストッパ層がアルミ薄膜よりなる半導体力学量
センサの製造方法をその要旨とする。

【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記エッチングストッパ層がアルミ薄
膜よりなり、当該膜をアルミ配線と同時に形成する半導
体力学量センサの製造方法をその要旨とする。

【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記可動部形成用薄膜と前記エッチン
グストッパ層との間に拡散防止層を介在させた半導体力
学量センサの製造方法をその要旨とする。

【００１２】

【作用】請求項１に記載の発明によれば、第１工程によ
り、半導体基板上に犠牲層が形成され、第２工程によ
り、犠牲層の上に可動部形成用薄膜が形成され、第３工
程により、可動部形成用薄膜の上にエッチングストッパ
層が形成され、第４工程により、エッチングストッパ層
の上を含む基板全面にパッシベーション膜が成膜され、
第５工程により、可動部形成領域におけるパッシベーシ
ョン膜を開口すべくパッシベーション膜がエッチングさ
れる。このとき、開口部の下方にある可動部形成用薄膜
がエッチングストッパ層にて保護される。

【００１３】さらに、第６工程により、可動部形成領域
におけるエッチングストッパ層がエッチング除去される
とともに、可動部形成用薄膜の下の犠牲層がエッチング
除去されて梁構造の可動部が形成される。

【００１４】このように、第５工程においてパッシベー
ション膜をエッチングするときに可動部形成用薄膜がエ
ッチングされることを防ぎ、設計通りの可動部が形成さ
れる。

【００１５】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、可動部形成用薄膜がポリシ
リコン薄膜またはアモルファスシリコン薄膜よりなり、
エッチングストッパ層がアルミ薄膜よりなるので、パッ
シベーション膜としてＳｉＮを用いた場合において、エ
ッチング選択比の大きなアルミニウムをエッチングスト
ッパ層として用いることにより安定したエッチングを行
うことができる。

【００１６】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、エッチングストッパ層がア
ルミ薄膜よりなり、この膜が配線と同時に形成され、プ
ロセスを増やすことなく、エッチングストッパ層を形成
できる。

【００１７】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、可動部形成用薄膜とエッチ
ングストッパ層との間に拡散防止層が介在され、エッチ
ングストッパ層の成分が可動部形成用薄膜に拡散するの
が防止される。例えば、エッチングストッパ層としてア
ルミ薄膜して用い、可動部形成用薄膜としてポリシリコ
ン薄膜を用いた場合において、ポリシリコンがアルミニ
ウムに侵されることが防止される。

【００１８】

【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図面
に従って説明する。図１は、本実施例の半導体加速度セ
ンサの平面図を示す。又、図２には図１のＡ−Ａ断面を
示し、図３には図１のＢ−Ｂ断面を示し、図４には図１
のＣ−Ｃ断面を示す。

【００１９】半導体基板としてのＰ型シリコン基板１の
上の一部には、ゲート絶縁膜としてのシリコン酸化膜２
が形成されている。このシリコン酸化膜２は基板表面の
リーク電流を低減するとともにトランジスタ特性の経時
変化を抑制するためのものである。また同様にＰ型シリ
コン基板１の上の一部には所定の厚みを有する絶縁分離
用シリコン酸化膜３（本実施例ではＬＯＣＯＳ酸化膜）
が形成されている。さらに、シリコン酸化膜２とシリコ
ン酸化膜３の上には、後述する犠牲層をエッチングする
時のシリコン酸化膜２の保護用として、シリコン窒化膜
（絶縁膜）４が形成されている。

【００２０】シリコン酸化膜３の形成領域におけるシリ
コン窒化膜４上には４つのアンカー部５が配置され、シ
リコン酸化膜２の形成領域の上方においてアンカー部５
を基端とする可動部６が架設されている。可動部６は４
本の梁部７と重り部８とゲート電極部としての可動ゲー
ト電極部９，１０とからなり梁構造をなしている。より
詳しくは、アンカー部５から帯状の４本の梁部７が延
び、四角形状の重り部８が支持されている。又、重り部
８には長方形状の可動ゲート電極部９，１０が相反する
方向に突設されている。可動部６とアンカー部５とは、
ポリシリコン薄膜よりなる。又、可動部６（梁部７、重
り部８、可動ゲート電極部９，１０）は、シリコン基板
１（シリコン窒化膜４）の上方に所定の間隔を隔てて配
置され、シリコン基板１の表面に垂直な方向と平行な方
向とに変位できるようになっている。

【００２１】又、重り部８は矩形の開口部１１が開けら
れており、後述する犠牲層エッチングの際のエッチング
液が浸透しやすくなっている。図４に示すように、可動
部６の可動ゲート電極部１０の下方でのシリコン基板１
には、可動ゲート電極部１０に対しその両側にＮ型不純
物拡散層よりなるソース・ドレイン部としての固定電極
１２，１３が形成されている。同様に、図１に示すよう
に、可動部６の可動ゲート電極部９の下方でのシリコン
基板１には、可動ゲート電極部９に対しその両側にＮ型
不純物拡散層よりなるソース・ドレイン部としての固定
電極１４，１５が形成されている。図４に示すように、
シリコン基板１における固定電極１２，１３間にはチャ
ネル領域１６が形成され、同チャネル領域１６はシリコ
ン基板１と可動ゲート電極部１０との間に電圧を印加す
ることにより生じたものである。そして、固定電極１
２，１３間に電圧を印加することによりこのチャネル領
域１６にドレイン電流が流れる。同様に、シリコン基板
１における固定電極１４，１５間にはチャネル領域（図
示略）が形成され、同チャネル領域はシリコン基板１と
可動ゲート電極部９との間に電圧を印加することにより
生じたものである。そして、固定電極１４，１５間に電
圧を印加することによりこのチャネル領域にドレイン電
流が流れる。

【００２２】又、シリコン基板１の表面には、可動部６
と対向した部分での固定電極１２，１３，１４，１５の
ない領域においてＮ型不純物拡散層よりなる下部電極１
７が形成されている。この下部電極１７は可動部６の電
位と等電位に保たれており、シリコン基板１と可動部６
との間で発生する静電気力を抑えるものである。

【００２３】図１，２に示すように、アンカー部５の上
には層間絶縁膜２４が形成され、その層間絶縁膜２４に
は開口部２５が形成されている。この開口部２５内には
アルミ配線２６が形成され、アルミ配線２６と可動部６
との電気的コンタクトがとられている。

【００２４】シリコン基板１における可動部６の配置領
域の周辺には周辺回路（図示略）が形成されている。そ
して、周辺回路と可動部６（可動ゲート電極部９，１
０）とがアルミ配線２６により接続されるとともに、周
辺回路と固定電極１２，１３，１４，１５とが電気的に
接続され、さらに、周辺回路と下部電極１７とが電気的
に接続されている。

【００２５】さらに、図１のＢ−Ｂ断面における詳細を
図５に示す。この図５は図３において可動部６の周辺の
構造をより詳細に示したものである。図５において、可
動部６の形成領域の周辺にはシリコン酸化膜１８、ポリ
シリコン薄膜１９、シリコン酸化膜２０が順に積層さ
れ、その上はパッシベーション膜２２にて覆われてい
る。これらの膜は、可動部６の形成領域においては配置
されず開口した構造となり、可動部６が変位可能となっ
ている。

【００２６】次に、この半導体加速度センサの動作を説
明する。可動部６とシリコン基板１との間、および固定
電極１２，１３（１４，１５）間に電圧をかけると、チ
ャネル領域１６が形成され、固定電極１２，１３（１
４，１５）間に電流が流れる。ここで、本半導体加速度
センサが加速度を受けて、図１に示すＸ₊ 方向（基板１
の表面に平行な方向）に可動ゲート電極部９，１０（可
動部６）が変位した場合には、固定電極間のチャネル領
域の面積（トランジスタでいうチャネル幅）が変わるこ
とにより、固定電極１２，１３に流れる電流は減少し、
固定電極１４，１５に流れる電流は増大する。又、図１
に示すＸ_- 方向（基板１の表面に平行な方向）に可動ゲ
ート電極部９，１０（可動部６）が変位した場合には、
固定電極間のチャネル領域の面積（トランジスタでいう
チャネル幅）が変わることにより、固定電極１２，１３
に流れる電流は増加し、固定電極１４，１５に流れる電
流は減少する。

【００２７】一方、本半導体加速度センサが加速度を受
けて、図４に示すＺ方向（基板１の表面に垂直な方向）
に可動ゲート電極部９，１０が変位した場合には、電界
強度の変化によってチャネル領域１６のキャリア濃度が
減少するため、前記電流は同時に減少する。

【００２８】このように本半導体加速度センサは、加速
度による可動ゲート電極部９，１０と固定電極１２，１
３、および１４，１５との相対的位置の変化により固定
電極１２，１３間と固定電極１４，１５間に流れる電流
が変化し、この電流変化の大きさ、位相により二次元の
加速度を検出することができる。

【００２９】次に、本加速度センサの製造工程を、図１
のＢ−Ｂ断面について、図５〜図１３を用いて説明す
る。図６に示すように、まずＰ型シリコン基板１を用意
し、その表面の所定領域にシリコン酸化膜３（本実施例
ではＬＯＣＯＳ酸化膜）を形成する。そして、Ｐ型シリ
コン基板１の上のシリコン酸化膜３以外の表面にシリコ
ン酸化膜２を熱酸化により形成し、さらにその下に、Ｎ
型不純物拡散層よりなる下部電極１７並びに図示しない
ＭＩＳＦＥＴのソース部（１２），（１４）とドレイン
部（１３），（１５）を形成すべく、同時にイオン注入
等により不純物を導入し、熱処理を行う。さらに、シリ
コン酸化膜２およびシリコン酸化膜３の上に全面にシリ
コン窒化膜４を減圧ＣＶＤ等により形成する。

【００３０】引き続き、図７に示すように、シリコン窒
化膜４の上に犠牲層となるシリコン酸化膜１８をプラズ
マＣＶＤ等により全面に形成する。その後、図８に示す
ように、シリコン酸化膜１８の上に、可動部形成用薄膜
としてのポリシリコン薄膜１９を、減圧ＣＶＤにより成
膜する。

【００３１】そして、図９に示すように、ポリシリコン
薄膜１８の上にプラズマＣＶＤ等により厚さが０．５〜
０．６μｍ程度のシリコン酸化膜２０を成膜する。この
膜２０は、次の工程でデポするアルミニウムとポリシリ
コンとが直接接触することを防ぎ、ポリシリコンがアル
ミニウムに侵されることを防止するためのものである。
つまり、シリコン酸化膜２０が拡散防止層として機能す
る。

【００３２】その後、図１０に示すように、厚さが０．
５〜１μｍのアルミ薄膜２１を、ポリシリコン薄膜１９
上の可動部形成領域と図示しない回路部（図２に示した
アルミ配線２６の形成領域）とに同時に配置する。この
アルミ薄膜２１は、図示しない回路部に対しては配線材
（図２のアルミ配線２６）であり、ポリシリコン薄膜１
９上のものはエッチングストッパ層となる。ここで、エ
ッチングストッパ層として機能するアルミ薄膜２１は犠
牲層エッチングのために形成する開口部（図５に示した
開口部）と等しい大きさであることが望ましい。

【００３３】さらに、図１１に示すように、全体にシリ
コン窒化膜よりなるパッシベーション膜２２をデポす
る。そして、図１２に示すように、パッシベーション膜
２２に対し可動部形成領域に犠牲層エッチングを行うた
めの開口部２３を設ける。これは、ＣＨＦ₃ ＋ＮＦ ₃ 系
のガスを用いたドライエッチングにより行う。この際、
アルミとＳｉＮとのエッチング選択比は「２０」となっ
ており、選択的にエッチングを行う上で十分大きな値で
あり、エッチングストッパ層としてのアルミ薄膜２１に
よりエッチングが停止され工程管理が容易となる。つま
り、エッチングストッパ層としてのアルミ薄膜２１がな
い場合にはエッチング時間を厳密に管理しないとポリシ
リコン薄膜１９（シリコン酸化膜２０）までエッチング
が進んでしまうが、アルミ薄膜２１により確実にエッチ
ングが停止される。

【００３４】引き続き、図１３に示すように、露出した
アルミ薄膜２１およびシリコン酸化膜２６をエッチング
除去する。このエッチングにはＨＦ系のエッチング液を
用いる。さらに、露出したポリシリコン薄膜１９をパタ
ーニングして図１に示す可動部６の形状にする。

【００３５】最後に、犠牲層としてのシリコン酸化膜１
８をエッチングすると、図５に示すように、可動部６が
下地であるシリコン窒化膜４から離間され、可動構造を
形成する。この時の犠牲層エッチング液にＨＦ系の溶液
が用いられる。

【００３６】このように本実施例では、半導体基板とし
てのシリコン基板１上に犠牲層としてのシリコン酸化膜
１８を形成し（第１工程）と、シリコン酸化膜１８の上
に可動部形成用薄膜としてのポリシリコン薄膜１９を形
成し（第２工程）、ポリシリコン薄膜１９の上にエッチ
ングストッパ層としてのアルミ薄膜２１を形成し（第３
工程）、アルミ薄膜２１の上を含む基板全面にパッシベ
ーション膜２２を成膜し（第４工程）、可動部形成領域
におけるパッシベーション膜２２を開口すべくパッシベ
ーション膜２２をエッチングし（第５工程）、可動部形
成領域におけるアルミ薄膜２１をエッチング除去すると
ともに、ポリシリコン薄膜１９の下のシリコン酸化膜１
８をエッチング除去して梁構造の可動部６を形成した
（第６工程）。第５工程においてパッシベーション膜２
２をエッチングするときに開口部の下方にあるポリシリ
コン薄膜１９がアルミ薄膜２１にて保護され、ポリシリ
コン薄膜１９がエッチングされることを防ぐことが可能
となり、これにより設計通りの可動部６が形成され、設
計通りのセンサを製作することができる。

【００３７】又、可動部形成用薄膜（１９）がポリシリ
コン薄膜よりなり、エッチングストッパ層（２１）がア
ルミ薄膜よりなるので、パッシベーション膜としてＳｉ
Ｎを用いた本実施例において、エッチング選択比の大き
なアルミニウムをエッチングストッパ層として用いるこ
とにより安定したエッチングを行うことができる。

【００３８】さらに、エッチングストッパ層（２１）を
アルミ配線（２６）と同時に形成することでプロセスを
増やすことなく、エッチングストッパ層を形成できる。
この発明は、可動部形成用薄膜としてアモルファスシリ
コン薄膜を用いてもよく、この場合にもパッシベーンョ
ン用の絶縁膜（例えばＳｉＮ）とエッチング選択比の大
きなアルミニウムをエッチングストッパ層として用いる
ことでより安定したエッチングを行うことができる。

【００３９】又、加速度の他にも、ヨーレート、振動等
の力学量を検出する力学量センサに具体化できる。

【００４０】

【発明の効果】以上詳述したように請求項１に記載の発
明によれば、パッシベーション膜のエッチング時に可動
部形成用薄膜をエッチングすることなく可動部形成領域
のパッシベーション膜を除去することができる優れた効
果を発揮する。

【００４１】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の効果に加え、アルミニウムを用いて安定
したエッチングを行うことができる。請求項３に記載の
発明によれば、請求項１に記載の発明の効果に加え、プ
ロセスを増やすことなく、エッチングストッパ層を形成
することができる。

【００４２】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の効果に加え、可動部形成用薄膜の汚染を
防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の半導体加速度センサの平面図。

【図２】図１のＡ−Ａ断面図。

【図３】図１のＢ−Ｂ断面図。

【図４】図１のＣ−Ｃ断面図。

【図５】図１のＢ−Ｂ断面をより詳細に示す断面図。

【図６】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。

【図７】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。

【図８】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。

【図９】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。

【図１０】半導体加速度センサの製造工程を示す断面
図。

【図１１】半導体加速度センサの製造工程を示す断面
図。

【図１２】半導体加速度センサの製造工程を示す断面
図。

【図１３】半導体加速度センサの製造工程を示す断面
図。

【図１４】従来の半導体加速度センサの全体図。

【図１５】図１４のＤ−Ｄ断面図。

【図１６】図１４のＥ−Ｅ断面図。

【図１７】従来の半導体加速度センサの製造工程を示す
図。

【符号の説明】

１…半導体基板としてのシリコン基板、６…可動部、１
８…犠牲層としてのシリコン酸化膜、１９…可動部形成
用薄膜としてのポリシリコン薄膜、２０…拡散防止層と
してのシリコン酸化膜、２１…エッチングストッパ層と
してのアルミ薄膜、２２…パッシベーション膜、２６…
アルミ配線

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置された
   薄膜よりなる梁構造の可動部とを備え、力学量の作用に
   伴う前記可動部の変位から力学量を検出するようにした
   半導体力学量センサの製造方法であって、 半導体基板上に犠牲層を形成する第１工程と、 前記犠牲層の上に可動部形成用薄膜を形成する第２工程
   と、 前記可動部形成用薄膜の上にエッチングストッパ層を形
   成する第３工程と、 前記エッチングストッパ層の上を含む基板全面にパッシ
   ベーション膜を成膜する第４工程と、 可動部形成領域における前記パッシベーション膜を開口
   すべく前記パッシベーション膜をエッチングする第５工
   程と、 可動部形成領域における前記エッチングストッパ層をエ
   ッチング除去するとともに、前記可動部形成用薄膜の下
   の犠牲層をエッチング除去して梁構造の可動部を形成す
   る第６工程とを備えたことを特徴とする半導体力学量セ
   ンサの製造方法。
2. 【請求項２】 前記可動部形成用薄膜がポリシリコン薄
   膜またはアモルファスシリコン薄膜よりなり、前記エッ
   チングストッパ層がアルミ薄膜よりなる請求項１に記載
   の半導体力学量センサの製造方法。
3. 【請求項３】 前記エッチングストッパ層がアルミ薄膜
   よりなり、当該膜をアルミ配線と同時に形成する請求項
   １に記載の半導体力学量センサの製造方法。
4. 【請求項４】 前記可動部形成用薄膜と前記エッチング
   ストッパ層との間に拡散防止層を介在させた請求項１に
   記載の半導体力学量センサの製造方法。