JPH09181157A - ウェーハホルダ - Google Patents
ウェーハホルダInfo
- Publication number
- JPH09181157A JPH09181157A JP19931496A JP19931496A JPH09181157A JP H09181157 A JPH09181157 A JP H09181157A JP 19931496 A JP19931496 A JP 19931496A JP 19931496 A JP19931496 A JP 19931496A JP H09181157 A JPH09181157 A JP H09181157A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafer holder
- present
- outer edge
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H10P72/7606—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の収率を高め得るウェーハホルダ
を提供する。 【解決手段】 本発明によるウェーハホルダ４０は、内
側縁はウェーハの外周と相似形であり、外側縁には複数
の脚部４２が形成されており、前記外側縁と内側縁との
間の幅は前記ウェーハの外周全体を支持するに十分な幅
を有する。したがって、本発明によるウェーハホルダは
広い面にかけて均一な力を加えることができる。したが
って、ウェーハ上に形成された薄膜が損なわれることを
防止し半導体装置の収率を高めることができる。
を提供する。 【解決手段】 本発明によるウェーハホルダ４０は、内
側縁はウェーハの外周と相似形であり、外側縁には複数
の脚部４２が形成されており、前記外側縁と内側縁との
間の幅は前記ウェーハの外周全体を支持するに十分な幅
を有する。したがって、本発明によるウェーハホルダは
広い面にかけて均一な力を加えることができる。したが
って、ウェーハ上に形成された薄膜が損なわれることを
防止し半導体装置の収率を高めることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体の製造装置に
係り、特にウェーハの損傷が防止できるウェーハホルダ
に関する。
係り、特にウェーハの損傷が防止できるウェーハホルダ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業は精密産業である。したがっ
て、半導体装置の製造工程はすべての汚染源を取り除い
た非常に清潔な場所で行われる。現在ほとんどの半導体
装置の製造工程は清浄室で行われる。
て、半導体装置の製造工程はすべての汚染源を取り除い
た非常に清潔な場所で行われる。現在ほとんどの半導体
装置の製造工程は清浄室で行われる。
【０００３】半導体装置の集積度が増加することにより
ウェーハ上に形成される各種パターン間の間隔も共に狭
まる。パターン間の間隔はサブミクロン単位である。こ
のような微細な間隔を有する各種パターンをウェーハ上
に形成する過程で流入される汚染粒子はいくら小さいも
のであっても半導体装置の製造工程に重大な影響を及ぼ
し得る。
ウェーハ上に形成される各種パターン間の間隔も共に狭
まる。パターン間の間隔はサブミクロン単位である。こ
のような微細な間隔を有する各種パターンをウェーハ上
に形成する過程で流入される汚染粒子はいくら小さいも
のであっても半導体装置の製造工程に重大な影響を及ぼ
し得る。
【０００４】最近の半導体装置の製造工程は、清浄室内
でこのような汚染粒子が発生することを最大限減少させ
るため、ほとんどの工程を自動化しようとする趨勢にあ
る。
でこのような汚染粒子が発生することを最大限減少させ
るため、ほとんどの工程を自動化しようとする趨勢にあ
る。
【０００５】半導体の製造工程のうち、発生する汚染粒
子によりウェーハが損なわれることを防止するためウェ
ーハの保管や運搬時にはウェーハホルダを用いる。
子によりウェーハが損なわれることを防止するためウェ
ーハの保管や運搬時にはウェーハホルダを用いる。
【０００６】図１は従来の技術によるウェーハホルダの
平面図である。図１を参照すると、ウェーハホルダの胴
体１０の外側縁には二つの溝１４が対称的に形成されて
いる。この溝１４はウェーハホルダが装着される装備と
ウェーハホルダが結合される部分である。ウェーハホル
ダの内側縁にはウェーハと直接に接触される突出した八
つのピン１２がある。八つのピン１２は同一な大きさで
ある。かつ、ピン１２の間の角度は一定である。参照符
号Ａはウェーハのフラットゾーンに該当する。
平面図である。図１を参照すると、ウェーハホルダの胴
体１０の外側縁には二つの溝１４が対称的に形成されて
いる。この溝１４はウェーハホルダが装着される装備と
ウェーハホルダが結合される部分である。ウェーハホル
ダの内側縁にはウェーハと直接に接触される突出した八
つのピン１２がある。八つのピン１２は同一な大きさで
ある。かつ、ピン１２の間の角度は一定である。参照符
号Ａはウェーハのフラットゾーンに該当する。
【０００７】このような構成を有する従来の技術による
半導体装置のウェーハホルダはウェーハを八つのピン１
２にて支持する。したがって、ウェーハは八つのピン１
２と直接に接触される部分に集中した力を受ける。それ
故に、ウェーハ上に薄膜が形成された場合、薄膜は八つ
のピンにより掻かれ損なわれる可能性が大きい。ウェー
ハ上に形成された薄膜が掻かれる場合、微細なほこりが
発生されてこのようなほこりは次の工程で汚染物質とし
て作用する。このような汚染粒子を含む半導体装置は正
常的に作動しない。結果的に、従来の技術によるウェー
ハホルダを用いることは半導体装置の収率を低下させる
一つの原因を提供する。
半導体装置のウェーハホルダはウェーハを八つのピン１
２にて支持する。したがって、ウェーハは八つのピン１
２と直接に接触される部分に集中した力を受ける。それ
故に、ウェーハ上に薄膜が形成された場合、薄膜は八つ
のピンにより掻かれ損なわれる可能性が大きい。ウェー
ハ上に形成された薄膜が掻かれる場合、微細なほこりが
発生されてこのようなほこりは次の工程で汚染物質とし
て作用する。このような汚染粒子を含む半導体装置は正
常的に作動しない。結果的に、従来の技術によるウェー
ハホルダを用いることは半導体装置の収率を低下させる
一つの原因を提供する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述した従
来の技術により発生される問題点を解決するため案出さ
れたものであり、半導体装置の収率を高め得るウェーハ
ホルダを提供するにその目的がある。
来の技術により発生される問題点を解決するため案出さ
れたものであり、半導体装置の収率を高め得るウェーハ
ホルダを提供するにその目的がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明によるウェーハホルダは、内側縁はウェー
ハの外周と相似形であり、外側縁には複数の脚部が形成
されており、前記外側縁と内側縁との間の幅は前記ウェ
ーハの縁全体を支持するに十分な幅を有する。
めに、本発明によるウェーハホルダは、内側縁はウェー
ハの外周と相似形であり、外側縁には複数の脚部が形成
されており、前記外側縁と内側縁との間の幅は前記ウェ
ーハの縁全体を支持するに十分な幅を有する。
【００１０】前記ウェーハホルダにより支持されるウェ
ーハの外周部分はパターンが形成されない部分である。
前記ウェーハホルダの外側縁には四つの脚部が形成され
ている。
ーハの外周部分はパターンが形成されない部分である。
前記ウェーハホルダの外側縁には四つの脚部が形成され
ている。
【００１１】本発明はウェーハの外周部分の全体に均一
な支持力を加えられる手段を具備しているので従来の技
術によるウェーハホルダのように汚染粒子を発生させる
恐れが無い。したがって、本発明によるウェーハホルダ
を用いる場合、半導体装置の収率を従来よりなおさら高
めることができる。
な支持力を加えられる手段を具備しているので従来の技
術によるウェーハホルダのように汚染粒子を発生させる
恐れが無い。したがって、本発明によるウェーハホルダ
を用いる場合、半導体装置の収率を従来よりなおさら高
めることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明をさらに詳細に説明する。図２に示されたウェーハホ
ルダ４０は、外側縁に複数（例えば、四つ）の脚部４２
が形成されており、脚部４２は相互に所定の角度ずつ離
れている。そして、前記外側縁と内側縁の間の幅は前記
ウェーハの外周全体を支持し得る程度の十分な幅を有し
ている。すなわち、前記ウェーハの外周は本発明による
ウェーハホルダ４０の内側縁と外側縁との間に位置す
る。このとき、前記ウェーハホルダ４０のフラットゾー
ン４４とウェーハのフラットゾーンは一致するようにな
る。
明をさらに詳細に説明する。図２に示されたウェーハホ
ルダ４０は、外側縁に複数（例えば、四つ）の脚部４２
が形成されており、脚部４２は相互に所定の角度ずつ離
れている。そして、前記外側縁と内側縁の間の幅は前記
ウェーハの外周全体を支持し得る程度の十分な幅を有し
ている。すなわち、前記ウェーハの外周は本発明による
ウェーハホルダ４０の内側縁と外側縁との間に位置す
る。このとき、前記ウェーハホルダ４０のフラットゾー
ン４４とウェーハのフラットゾーンは一致するようにな
る。
【００１３】前記ウェーハホルダ４０の外側縁の形態に
は制限が無い。したがって、図２では円形に示したが、
他の形態（例えば、四角形）であることもできる。
は制限が無い。したがって、図２では円形に示したが、
他の形態（例えば、四角形）であることもできる。
【００１４】本発明による実施例で、ウェーハホルダ４
０は前記フラットゾーン４４を除いた残りの部分では縁
の幅が一定である。
０は前記フラットゾーン４４を除いた残りの部分では縁
の幅が一定である。
【００１５】前記ウェーハホルダ４０はウェーハの外周
全体を支持する。その故に、局部的に集中された力がウ
ェーハに加えられることを阻み得る。かつ、本発明によ
るウェーハホルダはウェーハを支持するため連続された
面積を用いる。したがって、均一な力がウェーハに加え
られる。このような理由により前記ウェーハ上の薄膜が
剥げる可能性はほとんど無い。
全体を支持する。その故に、局部的に集中された力がウ
ェーハに加えられることを阻み得る。かつ、本発明によ
るウェーハホルダはウェーハを支持するため連続された
面積を用いる。したがって、均一な力がウェーハに加え
られる。このような理由により前記ウェーハ上の薄膜が
剥げる可能性はほとんど無い。
【００１６】前記脚部４２の立体的な形態はウェーハホ
ルダ４０の斜視図を示した図３で見られるが、脚部４２
は下方に曲がった部分を有している。
ルダ４０の斜視図を示した図３で見られるが、脚部４２
は下方に曲がった部分を有している。
【００１７】
【発明の効果】以上、前述したように本発明によるウェ
ーハホルダは従来の技術によるウェーハホルダのように
ウェーハに局部的な支持力を加えずに広い面にかけて均
一な支持力を加える。したがって、ウェーハ上に形成さ
れた薄膜の損傷を防止し半導体装置の収率を高めること
ができる。
ーハホルダは従来の技術によるウェーハホルダのように
ウェーハに局部的な支持力を加えずに広い面にかけて均
一な支持力を加える。したがって、ウェーハ上に形成さ
れた薄膜の損傷を防止し半導体装置の収率を高めること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の技術によるウェーハホルダの平面図で
ある。
ある。
【図２】 本発明の一実施例によるウェーハホルダの平
面図である。
面図である。
【図３】 本発明によるウェーハホルダの斜視図であ
る。
る。
４０ ウェーハホルダ、４２ 脚部、４４ フラットゾ
ーン
ーン
Claims (2)
- 【請求項１】 内側縁はウェーハの外周と相似形であ
り、外側縁には複数の脚部が形成されており、前記外側
縁と内側縁との間の幅は前記ウェーハの外周全体を支持
するに十分な幅を有することを特徴とするウェーハホル
ダ。 - 【請求項２】 前記脚部の数は四つであることを特徴と
する請求項１に記載のウェーハホルダ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1995-P-052705 | 1995-12-20 | ||
| KR1019950052705A KR970051805A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 새로운 웨이퍼 홀더(wafer holder)를 구비하는 반도체 제조장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181157A true JPH09181157A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=19441874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19931496A Pending JPH09181157A (ja) | 1995-12-20 | 1996-07-29 | ウェーハホルダ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181157A (ja) |
| KR (1) | KR970051805A (ja) |
| TW (1) | TW300328B (ja) |
-
1995
- 1995-12-20 KR KR1019950052705A patent/KR970051805A/ko not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-06-10 TW TW085106965A patent/TW300328B/zh active
- 1996-07-29 JP JP19931496A patent/JPH09181157A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970051805A (ko) | 1997-07-29 |
| TW300328B (en) | 1997-03-11 |
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