JPH09186195A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH09186195A JPH09186195A JP7354176A JP35417695A JPH09186195A JP H09186195 A JPH09186195 A JP H09186195A JP 7354176 A JP7354176 A JP 7354176A JP 35417695 A JP35417695 A JP 35417695A JP H09186195 A JPH09186195 A JP H09186195A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- substrate
- electrical inspection
- electrical
- semiconductor chip
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H10W72/07554—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in dispositions
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装後も電気検査が行える電気検査用パッド
の配線が高密度でなかった。 【解決手段】 半導体チップ4の外周部のプリント配線
基板1に実装後の電気検査のための電気検査用パッド1
1を設ける。これらの電気検査用パッド11は2列に配
線され、また、千鳥状に配列されている。
の配線が高密度でなかった。 【解決手段】 半導体チップ4の外周部のプリント配線
基板1に実装後の電気検査のための電気検査用パッド1
1を設ける。これらの電気検査用パッド11は2列に配
線され、また、千鳥状に配列されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はたとえばボールグリ
ッドアレイ(BGA)型の半導体装置、特に、その電気
検査に関する。
ッドアレイ(BGA)型の半導体装置、特に、その電気
検査に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のBGA型半導体装置を図5,図6
を参照して説明する。なお、図5の(A),(B)は上
面図、下面図であり、図6の(A)は断面図である。ま
た、図6の(B)はプリント配線基板(PCB)の上面
図である。厚さ0.1〜2mm、外形寸法20〜50mmの
PCB1の表面には、銅等よりなる導電配線2が形成さ
れ、ビスマレイミドトリアジン(BT樹脂)を含浸した
ガラスが敷布されている。また、PCB1の上面の素子
搭載部3には半導体チップ4が銀ペーストにより装着さ
れ、この半導体チップ4の電気パッド4aと導電配線2
のインナリード5とがボンディングワイヤ6によって電
気的に接続されている。半導体チップ4はボンディング
ワイヤ6と共にトランスファモールドによってモールド
樹脂層7によって封止される。
を参照して説明する。なお、図5の(A),(B)は上
面図、下面図であり、図6の(A)は断面図である。ま
た、図6の(B)はプリント配線基板(PCB)の上面
図である。厚さ0.1〜2mm、外形寸法20〜50mmの
PCB1の表面には、銅等よりなる導電配線2が形成さ
れ、ビスマレイミドトリアジン(BT樹脂)を含浸した
ガラスが敷布されている。また、PCB1の上面の素子
搭載部3には半導体チップ4が銀ペーストにより装着さ
れ、この半導体チップ4の電気パッド4aと導電配線2
のインナリード5とがボンディングワイヤ6によって電
気的に接続されている。半導体チップ4はボンディング
ワイヤ6と共にトランスファモールドによってモールド
樹脂層7によって封止される。
【0003】他方、PCB1の裏面においては、直径
0.5〜0.8mmの半田ボール端子8が1.27mmピッ
チで格子状に配列されており、これら半田ボール端子8
は半田ボールパッド(図示せず)上に形成され、導電配
線9及びビアホール10を介してPCB1の表面の導電
配線2に接続されている。
0.5〜0.8mmの半田ボール端子8が1.27mmピッ
チで格子状に配列されており、これら半田ボール端子8
は半田ボールパッド(図示せず)上に形成され、導電配
線9及びビアホール10を介してPCB1の表面の導電
配線2に接続されている。
【0004】図5、図6のBPG型半導体装置において
は、実装前にあっては、半田ボール端子8に測定用フロ
ーブを直接当てることにより電気検査を行うことができ
る。
は、実装前にあっては、半田ボール端子8に測定用フロ
ーブを直接当てることにより電気検査を行うことができ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図5、
図6のBPG型半導体装置においては、実装後において
は、半田ボール端子8が半導体装置と実装基板(図示せ
ず)との間の0.4〜0.8mm程度のに格子状に存在す
るので、半田ボール端子8に測定用プローグを当てるこ
とはできず、従って、電気検査を行うことができない。
なお、実装後も電気検査を行えるように基板の上面に1
列の電気検査用パッドを設けることが知られているが
(参照:特開平1−220855号)、電気検査用パッ
ドの配列が効率的でなかった。従って、本発明の目的
は、半導体装置において、実装後も電気検査が行える電
気検査用パッドの効率的な配列を提供するものである。
図6のBPG型半導体装置においては、実装後において
は、半田ボール端子8が半導体装置と実装基板(図示せ
ず)との間の0.4〜0.8mm程度のに格子状に存在す
るので、半田ボール端子8に測定用プローグを当てるこ
とはできず、従って、電気検査を行うことができない。
なお、実装後も電気検査を行えるように基板の上面に1
列の電気検査用パッドを設けることが知られているが
(参照:特開平1−220855号)、電気検査用パッ
ドの配列が効率的でなかった。従って、本発明の目的
は、半導体装置において、実装後も電気検査が行える電
気検査用パッドの効率的な配列を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、基板と、基板の一主面に搭載された半導
体チップとを有する半導体装置において、基板の一主面
上の半導体チップの外周部に配列された複数列の電気検
査用パッドを設けたものである。また、電気検査用パッ
ドを千鳥状に配列する。さらに、基板が複数段に形成さ
れているときに、電気検査用パッドを格段に設ける。こ
れにより、電気検査用パッドが効率よく配列される。
めに本発明は、基板と、基板の一主面に搭載された半導
体チップとを有する半導体装置において、基板の一主面
上の半導体チップの外周部に配列された複数列の電気検
査用パッドを設けたものである。また、電気検査用パッ
ドを千鳥状に配列する。さらに、基板が複数段に形成さ
れているときに、電気検査用パッドを格段に設ける。こ
れにより、電気検査用パッドが効率よく配列される。
【0007】
【発明の実施の形態】図1、図2は本発明に係るBGA
型半導体装置の第1の実施の形態を示す。なお、図1の
(A),(B)は上面図、下面図であり、図2の(A)
は断面図である。また、図2の(B)はPCBの上面図
である。すなわち、半導体チップ4の外周部のPCB1
上に2列の電気検査用パッド11が千鳥状に配列されて
いる。その詳細を図2の(B)に示すように、各電気検
査用パッド11はビアホール10に電気的に接続されて
いる。従って、各電気検査用パッド11は導電配線2及
びインナリード5を介して半導体チップ4に電気的に接
続されると共に、導電配線9を介して半田ボール端子8
に電気的に接続されている。なお、電気検査用パッド1
1の表面はニッケルもしくは金メッキを施してある。
型半導体装置の第1の実施の形態を示す。なお、図1の
(A),(B)は上面図、下面図であり、図2の(A)
は断面図である。また、図2の(B)はPCBの上面図
である。すなわち、半導体チップ4の外周部のPCB1
上に2列の電気検査用パッド11が千鳥状に配列されて
いる。その詳細を図2の(B)に示すように、各電気検
査用パッド11はビアホール10に電気的に接続されて
いる。従って、各電気検査用パッド11は導電配線2及
びインナリード5を介して半導体チップ4に電気的に接
続されると共に、導電配線9を介して半田ボール端子8
に電気的に接続されている。なお、電気検査用パッド1
1の表面はニッケルもしくは金メッキを施してある。
【0008】このように、図1、図2においては、電気
検査用パッド11は2列かつ千鳥状にして高密度に配列
されているので、実装後も測定用プローブを電気検査用
パッド11に当てることにより電気検査できる高密度実
装の効率化を達成できる。なお、図1、図2において
は、電気検査用パッド11を3列以上にすることもでき
る。また、PCB1が多層の場合、各層の段差に電気検
査用パッドを設けることもできる。
検査用パッド11は2列かつ千鳥状にして高密度に配列
されているので、実装後も測定用プローブを電気検査用
パッド11に当てることにより電気検査できる高密度実
装の効率化を達成できる。なお、図1、図2において
は、電気検査用パッド11を3列以上にすることもでき
る。また、PCB1が多層の場合、各層の段差に電気検
査用パッドを設けることもできる。
【0009】図3、図4は本発明に係るBGA型半導体
装置の第2の実施の形態を示し、キャビティダウン型プ
ラスチックBGA型半導体装置に適用したものである。
尚、図3の(A),(B)は上面図、下面図であり、図
4は断面図である。図3、図4においては、3層のPC
B1a,1b,1cの中央の貫通孔上にヒートシンク2
1を設け、このヒートシンク21に半導体チップ4を銀
ペーストにより装着する。半導体チップ4の電気パッド
4aとPCB1b,1cの導電配線のインナリード(図
示せず)とがボンディングワイヤ6によって電気的に接
続されている。PCB1a,1b,1c,ヒートシンク
21によて囲まれたキャビティ22には液状樹脂23を
流し込み、半導体チップ4及びボンディングワイヤ6を
蓋24により封入する。
装置の第2の実施の形態を示し、キャビティダウン型プ
ラスチックBGA型半導体装置に適用したものである。
尚、図3の(A),(B)は上面図、下面図であり、図
4は断面図である。図3、図4においては、3層のPC
B1a,1b,1cの中央の貫通孔上にヒートシンク2
1を設け、このヒートシンク21に半導体チップ4を銀
ペーストにより装着する。半導体チップ4の電気パッド
4aとPCB1b,1cの導電配線のインナリード(図
示せず)とがボンディングワイヤ6によって電気的に接
続されている。PCB1a,1b,1c,ヒートシンク
21によて囲まれたキャビティ22には液状樹脂23を
流し込み、半導体チップ4及びボンディングワイヤ6を
蓋24により封入する。
【0010】さらに、PCB1bの外周部に電気検査用
パッド25を設けている。この電気検査用パッド25は
ビアホール10aに電気的に接続されている。従って、
電気検査用パッド25はPCB1b上の導電配線及びイ
ンナリードを介して半導体チップ4に電気的に接続され
ると共に、半田ボール端子8に電気的に接続されてい
る。同様に、PCB1cの外周部に電気検査用パッド2
6を設けている。この電気検査用パッド25はビアホー
ル10bに電気的に接続されている。従って、電気検査
用パッド26はPCB1c上の導電配線及びインナリー
ドを介して半導体チップ4に電気的に接続されると共
に、半田ボール端子8に電気的に接続されている。
パッド25を設けている。この電気検査用パッド25は
ビアホール10aに電気的に接続されている。従って、
電気検査用パッド25はPCB1b上の導電配線及びイ
ンナリードを介して半導体チップ4に電気的に接続され
ると共に、半田ボール端子8に電気的に接続されてい
る。同様に、PCB1cの外周部に電気検査用パッド2
6を設けている。この電気検査用パッド25はビアホー
ル10bに電気的に接続されている。従って、電気検査
用パッド26はPCB1c上の導電配線及びインナリー
ドを介して半導体チップ4に電気的に接続されると共
に、半田ボール端子8に電気的に接続されている。
【0011】このように、図3、図4においては、電気
検査用パッド25,26はPCB1b,1cの段を跨い
で2列かつ千鳥状にして高密度に配列されているので、
実装後も測定用プローブを電気検査用パッド25,26
に当てることにより電気検査できる高密度実装の効率化
を達成できる。また、図3、図4においては、PCBが
より多層となって内層に多くの配線を設けるようになっ
ても、各端子のメッキ引出線も多層となるので、これを
利用している。従って、無駄な配線の引回し、ビアホー
ルはなく、動作周波数が高い半導体チップ4に特に有効
である。また、各層に電気検査用パッド25,26を設
けているので、電源線、接地線、信号線のインダクタン
スの低減にも有効である。
検査用パッド25,26はPCB1b,1cの段を跨い
で2列かつ千鳥状にして高密度に配列されているので、
実装後も測定用プローブを電気検査用パッド25,26
に当てることにより電気検査できる高密度実装の効率化
を達成できる。また、図3、図4においては、PCBが
より多層となって内層に多くの配線を設けるようになっ
ても、各端子のメッキ引出線も多層となるので、これを
利用している。従って、無駄な配線の引回し、ビアホー
ルはなく、動作周波数が高い半導体チップ4に特に有効
である。また、各層に電気検査用パッド25,26を設
けているので、電源線、接地線、信号線のインダクタン
スの低減にも有効である。
【0012】なお、上述の実施の形態においては、電気
検査用パッドを用いて半田ボール端子の電気的接続の検
査もできる。
検査用パッドを用いて半田ボール端子の電気的接続の検
査もできる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、実
装後も電気検査できる高密度実装の効率化を達成でき
る。
装後も電気検査できる高密度実装の効率化を達成でき
る。
【図1】本発明に係るBGA型半導体装置の第1の実施
の形態を示し、(A)は上面図、(B)は下面図であ
る。
の形態を示し、(A)は上面図、(B)は下面図であ
る。
【図2】本発明に係るBGA型半導体装置の第1の実施
の形態を示し、(A)は断面図、(B)はPCBの上面
図である。
の形態を示し、(A)は断面図、(B)はPCBの上面
図である。
【図3】本発明に係るBGA型半導体装置の第2の実施
の形態を示し、(A)は上面図、(B)は下面図であ
る。
の形態を示し、(A)は上面図、(B)は下面図であ
る。
【図4】本発明に係るBGA型半導体装置の第2の実施
の形態を示す断面図である。
の形態を示す断面図である。
【図5】従来のBGA型半導体装置を示し、(A)は上
面図、(B)は下面図である。
面図、(B)は下面図である。
1,1a,1b,1c…PCB 2…電気配線 3…素子搭載部 4…半導体チップ 4a…電気パッド 5…インナリード 6…ボンディングワイヤ 7…モールド樹脂層 8…半田ボール端子 9…導電配線 10…ビアホール 11…電気検査用パッド 21…ヒートシンク 22…キャビティ 23…液状樹脂 24…蓋 25,26…電気検査用パッド
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成8年4月8日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るBGA型半導体装置の第1の実施
の形態を示し、(A)は上面図、(B)は下面図であ
る。
の形態を示し、(A)は上面図、(B)は下面図であ
る。
【図2】本発明に係るBGA型半導体装置の第1の実施
の形態を示し、(A)は断面図、(B)はPCBの上面
図である。
の形態を示し、(A)は断面図、(B)はPCBの上面
図である。
【図3】本発明に係るBGA型半導体装置の第2の実施
の形態を示し、(A)は上面図、(B)は下面図であ
る。
の形態を示し、(A)は上面図、(B)は下面図であ
る。
【図4】本発明に係るBGA型半導体装置の第2の実施
の形態を示す断面図である。
の形態を示す断面図である。
【図5】従来のBGA型半導体装置を示し、(A)は上
面図、(B)は下面図である。
面図、(B)は下面図である。
【図6】従来のBGA型半導体装置を示し、(A)は断
面図、(B)はプリント配線基板の上面図である。
面図、(B)はプリント配線基板の上面図である。
【符号の説明】 1,1a,1b,1c…PCB 2…電気配線 3…素子搭載部 4…半導体チップ 4a…電気パッド 5…インナリード 6…ボンディングワイヤ 7…モールド樹脂層 8…半田ボール端子 9…導電配線 10…ビアホール 11…電気検査用パッド 21…ヒートシンク 22…キャビティ 23…液状樹脂 24…蓋 25,26…電気検査用パッド
Claims (10)
- 【請求項1】 基板(1)と、 該基板の一主面に搭載された半導体チップ(4)と、 前記基板の一主面上の前記半導体チップの外周部に配列
された複数列の電気検査用パッド(11)とを具備する
半導体装置。 - 【請求項2】 前記電気検査用パッドが千鳥状に配列さ
れた請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記基板が複数段に形成され、前記電気
検査用パッドが該格段に分配されている請求項1に記載
の半導体装置。 - 【請求項4】 一主面に半田ボール端子(8)が設けら
れた基板(1)と、 該基板の他の主面に搭載された半導体チップ(4)と、 前記基板の他の主面上の前記半導体チップの外周部に配
列され、前記半田ボール端子に電気的に接続された複数
列の電気検査用パッド(11)とを具備する半導体装
置。 - 【請求項5】 前記電気検査用パッドが千鳥状に配列さ
れた請求項4に記載の半導体装置。 - 【請求項6】 前記基板が複数段に形成され、前記電気
検査用パッドが該各段に分配されている請求項4に記載
の半導体装置。 - 【請求項7】 キャビティ(22)を形成し外周部に段
差を有する多層基板(11a,11b,11c)と、 該多層基板の一方側に前記キャビティを塞ぐように設け
られたヒートシンク(21)と、 該ヒートシンクの前記キャビティ内に搭載された半導体
チップ(4)と、 前記多層基板の各段差に配列された複数列の電気検査用
パッド(25,26)とを具備する半導体装置。 - 【請求項8】 前記電気検査用パッドが千鳥状に配列さ
れた請求項6に記載の半導体装置。 - 【請求項9】 キャビティ(22)を形成し外周部に段
差を有する多層基板(11a,11b,11c)と、 該多層基板の一方側に前記キャビティを塞ぐように設け
られたヒートシンク(21)と、 該ヒートシンクの前記キャビティ内に搭載された半導体
チップ(4)と、 前記多層基板の他方側に設けられた半田ボール端子
(8)と、 前記多層基板の各段差に配列された、前記半田ボール端
子に電気的に接続された複数列の電気検査用パッド(2
5,26)とを具備する半導体装置。 - 【請求項10】 前記電気検査用パッドが千鳥状に配列
された請求項9に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7354176A JP2792493B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7354176A JP2792493B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186195A true JPH09186195A (ja) | 1997-07-15 |
| JP2792493B2 JP2792493B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=18435805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7354176A Expired - Lifetime JP2792493B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2792493B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04312961A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-11-04 | Nec Corp | 印刷配線板 |
| JPH05129366A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-05-25 | Fujitsu Ltd | 集積回路用tab実装構造 |
| JPH08148608A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法及び半導体装置用基板 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP7354176A patent/JP2792493B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04312961A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-11-04 | Nec Corp | 印刷配線板 |
| JPH05129366A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-05-25 | Fujitsu Ltd | 集積回路用tab実装構造 |
| JPH08148608A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法及び半導体装置用基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2792493B2 (ja) | 1998-09-03 |
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