JPH09193546A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 基板上に、記録層、反射層、保護層等を
有する光記録媒体において、該記録層中に、波長４５０
ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収極大を有するシアノホルマザン
化合物、あるいは、該シアノホルマザン化合物及び波長
６５０ｎｍ〜９００ｎｍに吸収極大を有するフタロシア
ニン化合物を含有することを特徴とする光記録媒体。 【効果】 ７７０〜８３０ｎｍから選択される波長の光
に対してＣＤ規格に準拠した記録及び／または再生が可
能で、且つ、波長６２０〜６９０ｎｍから選択される波
長の光に対して記録及び／または再生ができる良好な記
録特性を有する互換性のある光記録媒体を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体、特に
複数のレーザー波長による記録及び又は再生可能な光記
録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンパクトディスク（以下、ＣＤと略
す）規格に対応した追記型光記録媒体として、ＣＤ−Ｒ
（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）が提案され、開発され
ている〔例えば、日経エレクトロニクス No.465, p.10
7, 1989 年１月23日号、OPTICALDATA STORAGE DIGEST S
ERIES vol.1, p.45, 1989等〕。このＣＤ−Ｒは、透明
樹脂基板上に、記録層、反射層、保護層がこの順で積層
されており、該記録層に高パワーのレーザー光を照射す
ることにより、記録層が物理的あるいは化学的変化を起
こし、ピットの形で情報を記録する。また、形成された
ピット部位に低パワーのレーザー光を照射し、反射率の
変化を検出することによりピットの情報を再生すること
ができる。このような光記録媒体は、７７０〜８３０ｎ
ｍの近赤外半導体レーザーを用いて記録・再生を行い、
レッドブックやオレンジブック等のＣＤの規格に準拠し
ているため、ＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤー
と互換性を有するという特徴を有する。

【０００３】最近、７７０ｎｍよりも短波長の半導体レ
ーザーの開発が進み、波長６８０ｎｍ及び６３０ｎｍの
赤色半導体レーザーが実用化されている〔例えば、日経
エレクトロニクス、No.592, p.65, 1993年10月11日
号〕。記録・再生用レーザーの短波長化によりビームス
ポットを小さくできるため、高密度の記録・再生ができ
る光記録媒体が可能になる。実際に、半導体レーザーの
短波長化とデータ圧縮技術などにより動画を長時間記録
できる大容量の光記録媒体及びプレーヤーが検討されて
いる〔例えば、日経エレクトロニクス、No.589, p.55,
1993年８月30日号、No.594, p.169, 1993 年11月８日
号〕。しかしながら、このような赤色レーザーを用いた
高密度光記録媒体及びプレーヤーが検討されても、ソフ
トの継続性の観点からも、既に大量に普及している従来
のシステムとの互換性を無視することはできない。即
ち、赤色レーザーで記録・再生または再生が可能で従来
の７８０ｎｍ近赤外半導体レーザーでの記録・再生また
は再生が可能であるという互換性のある光記録媒体が必
要となる。

【０００４】従来のＣＤやＣＤ−ＲＯＭ媒体は反射率に
関して波長依存性が少なく、高密度対応プレーヤーで容
易に再生が可能であるが、一方、従来のＣＤ−Ｒ媒体は
記録層に色素を用いているため光学特性の波長依存性が
大きく、その結果ＣＤ−Ｒ媒体の反射率が波長によって
大きく変化する。例えば、７８０ｎｍ付近の光に対する
反射率は６５％以上有するが、６２０〜６９０ｎｍから
選ばれた赤色光に対しては記録層に用いている色素の吸
収が大きく屈折率が小さいため反射率は１０％程度と小
さく、変調度も小さく、且つ、記録波形に大きな歪が観
測される。反射率が１０％程度では信号の検出が困難に
なり、仮になんとか検出できたとしても、エラーレート
やジッターが大きくなり高密度対応再生プレーヤーで再
生することは難しい。また、再生光安定性に劣り、同じ
トラックを数回連続再生しても劣化が生じ、実用に耐え
ることが出来ないという問題も生じた。さらに、記録部
の反射率が未記録部より大きくなるlow to high 記録と
なり、通常のＣＤ等（highto low 記録）とは極性が逆
になり好ましくない。

【０００５】二層色素膜を設けた光記録媒体の例とし
て、特開昭58-112794 ではレーザービームで変化を生じ
ない高反射率の色素層と、光吸収能を有する有機物質を
順次積層した機能分離記録膜を提案している。特開昭60
-239948 では、高反射率のシアニン色素またはメロシア
ニン色素と、有機光吸収層を積層した媒体を提案してい
る。特開昭63-153192 では異なる光学定数を有する色素
記録層を提案している。特開平1-10193 には、あるレー
ザー波長に対して透過率・吸収率の異なる二種の有機色
素の積層媒体が提案されている。特開平4-330649は、あ
るレーザー光に対しての吸収率または融点の異なる有機
二層記録層の積層を提案している。しかしながら、これ
らの提案はある一つの波長のレーザー光に対する反射
率、光劣化、高感度記録、エラー発生率等に対する改良
にとどまるものであり、複数のレーザー光に対して記録
・再生の互換性を有する光記録媒体ではない。

【０００６】また、特開昭61-74149は吸収波長の異なる
有機色素を積層して、ピットの深さ方向の差をつけるこ
とで記録容量を上げることを提案しているが、これも複
数のレーザー光に対して記録・再生の互換性を有する光
記録媒体ではない。一方、特開昭62-30090、特開昭63-9
577 、特開昭63-9578 、特開昭63-9579 、特開平3-2689
94、特開平4-46186 、国際出願特許WO91/14740、特開平
4-308791、国際出願特許WO91/18057、国際出願特許WO91
/18950、特開平4-361088、特開平5-279580、特開平6-65
514 では、アゾ化合物の金属錯体を「記録層」に用いた
媒体が開示されている。しかしながら、これらの公報で
提案されている媒体は、オレンジブックを満足し、且つ
６２０〜６９０ｎｍの光でも再生したり、または記録及
び再生することはできない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の問題を解決すること、即ち、波長６２０〜６９０ｎｍ
から選択される波長の光に対して記録及び再生または再
生が出来、且つ、従来の７７０〜８３０ｎｍから選択さ
れる波長の光に対してＣＤ規格に準拠した記録及び再生
または再生が可能な、良好な記録特性を有する光記録媒
体を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、ある種のホルマザ
ン化合物を用いることにより、上記課題を解決しえるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明
は、 基板上に少なくとも、記録層、反射層及び保護
層を有する光記録媒体において、記録層中に、波長４５
０ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収極大を有する一般式（１）
（化３）で表されるシアノホルマザン化合物を含有する
ことを特徴とする光記録媒体、

【０００９】

【化３】 〔式中、Ｒ₁ 及びＲ₂ は各々独立に水素原子、炭素数１
〜１０の置換または未置換のアルキル基、炭素数１〜１
０の置換または未置換のアルコキシ基、炭素数１〜１０
の置換または未置換のアルキルアミノ基、ヒドロキシ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、あるいは、シアノ基を表
し、ｎは１〜４の整数を表す。２つのＲ₁ がアルコキシ
基の場合には、連結基を介して環を形成してもよい。Ｙ
は水素原子、アルカリ金属原子またはアルカリ土類金属
原子／２を表す。〕 記録層中に、さらに、波長６５０ｎｍ〜９００ｎｍ
に吸収極大を有する一般式（２）（化４）で示されるフ
タロシアニン化合物を含有することを特徴とするの光
記録媒体、

【００１０】

【化４】 （式中、Ｙ₁ 〜Ｙ₈ は各々独立に水素原子、炭素数１〜
２０の無置換または置換炭化水素基、炭素数１〜２０の
無置換または置換炭化水素オキシ基、炭素数１〜２０の
無置換または置換炭化水素チオ基を表し、Ｙ₁ とＹ₂ 、
Ｙ₃ とＹ₄ 、Ｙ₅とＹ₆ 、及びＹ₇ とＹ₈ は互いに隣接
している場合は連結して環状となってもよく、Ａ₁ 〜Ａ
₄ は各々独立にハロゲン原子、ニトロ基を表す。ｌ1 、
ｌ2 、ｌ3及びｌ4 は０〜３の整数を表し、ｍ1 、ｍ2
、ｍ3 及びｍ4 は０〜３の整数を表す。Ｍは２個の水
素原子、２価の金属原子、３価または４価の置換金属原
子、あるいはオキシ金属を表す。）

【００１１】 記録層が、シアノホルマザン化合物と
フタロシアニン化合物の混合物を含有する１層構造であ
るの光記録媒体、 記録層が、シアノホルマザン化合物を主成分として
含有する光干渉層、及び、フタロシアニン化合物を主成
分として含有する記録層の２層構造であるの光記録媒
体、 光干渉層の複屈折率をｎ_i 、膜厚をｄ_i （ｎｍ）と
した時、記録及び再生波長の光に対して、７０≦ｎ_i ×
ｄ_i ≦３００であることを特徴とするの光記録媒体、 波長７７０〜８３０ｎｍの範囲から選択される波長
λ₁ のレーザー光に対する基板を通して測定した反射率
が６５％以上で、波長７７０〜８３０ｎｍの範囲から選
択される波長λ₁ のレーザー光を用いて記録及び／また
は再生が可能であり、且つ、６２０〜６９０ｎｍの範囲
から選択される波長λ₂ のレーザー光に対する基板を通
して測定した反射率が１５％以上で、６２０〜６９０ｎ
ｍの範囲から選択される波長λ₂ のレーザー光を用いて
記録及び／または再生が可能である〜のいずれかの
光記録媒体、に関するものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明は、一般式（１）で示され
る波長４５０ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収極大を有するシア
ノホルマザン化合物、あるいは、該シアノホルマザン化
合物及び波長６５０ｎｍ〜９００ｎｍに吸収極大を有す
る一般式（２）で示されるフタロシアニン化合物を記録
層に含有させることにより、波長７７０〜８３０ｎｍの
範囲から選択されるレーザー光を用いて記録及び／また
は再生が可能であり、且つ、６２０〜６９０ｎｍの範囲
から選択されるレーザー光を用いて記録及び／または再
生が可能である光記録媒体を提供する。

【００１３】本発明について以下に具体的に説明する。
本発明の光記録媒体の構成は、基板上に記録層が形成さ
れており、その上に反射層が設けられている。さらに反
射層を保護するために反射層の上に保護層を設けたり、
２枚の媒体を貼り合わせても良い。記録層は１層であっ
ても、記録層と光干渉層の２層構造であってもよい。記
録層が記録層と光干渉層の２層構造から成る場合、記録
層と光干渉層の積層順序は逆転してもよく、基板と記録
層または光干渉層との間、又は記録層または光干渉層と
反射層との間には他の層が存在してもかまわない。

【００１４】基板の材質としては、記録光及び再生光の
波長に対して透明であればよい。例えば、ポリカーボネ
ート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等
のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の
高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。これら
の基板材料は射出成形法等により円盤状の基板に成形さ
れる。必要に応じて、基板表面に記録位置を表す案内溝
やピットを形成することもある。このような案内溝やピ
ットは、基板の成形時に付与するのが好ましいが、基板
の上に紫外線硬化樹脂層を設けて付与することもでき
る。通常、ＣＤとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程
度、直径８０ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であり、中
央に直径１５ｍｍ程度の穴が開いている。

【００１５】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、吸収極大波長λmax が４５０
ｎｍ〜６３０ｎｍに存在する一般式（１）で示されるシ
アノホルマザン化合物を含有する。中でも、波長６２０
〜８３０ｎｍでの屈折率が大きく、吸光度が小さい化合
物が好ましい。記録層が記録層と光干渉層の２層構造か
ら成る場合、シアノホルマザン化合物を主成分とする光
干渉層の波長λ₁ における消衰係数が０．１５以下で、
波長λ₂ の消衰係数が０．２以下となることが好まし
い。

【００１６】本発明で用いるシアノホルマザン化合物
は、前記式（１）で表されるシアノホルマザン化合物で
ある。前記式（１）の置換基の具体例として、ハロゲン
原子としては、フッ素、塩素、臭素、沃素であり、好ま
しくは、フッ素、塩素、臭素である。置換または未置換
のアルキル基としては、直鎖または分岐のアルキル基、
アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル
基、ハロゲン化アルキル基、及び、ヒドロキシアルキル
基の中から選択される。

【００１７】直鎖または分岐のアルキル基としては炭素
数１〜１０のアルキル基で、ポリカーボネート、アクリ
ル、エポキシ、ポリオレフィン基板等への塗布による加
工性を考慮すれば、メチル基、エチル基、n-プロピル
基、iso-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブ
チル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メチルブチ
ル基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチ
ルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル
基、4-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、2-メチ
ルペンチル基、1-メチルペンチル基、3,3-ジメチルブチ
ル基、2,3-ジメチルブチル基、1,3-ジメチルブチル基、
2,2-ジメチルブチル基、1,2-ジメチルブチル基、1,1-ジ
メチルブチル基、3-エチルブチル基、2-エチルブチル
基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリメチルブチル基、1,
1,2-トリメチルブチル基、1-エチル-2-メチルプロピル
基、n-ヘプチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキ
シル基、4-メチルヘキシル基、5-メチルヘキシル基、2,
4-ジメチルペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシ
ル基、2,5-ジメチルヘキシル基、2,5,5-トリメチルペン
チル基、2,4-ジメチルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペ
ンチル基、n-ノニル基、n-デシル基、4-エチルオクチル
基、4-エチル-4,5- メチルヘキシル基、3,5-ジメチルヘ
プチル基、2,6-ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチルヘプ
チル基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル基、1-cyclo-ペ
ンチル-2,2- ジメチルプロピル基基等が挙げられる。

【００１８】アルコキシアルキル基としては、メトキシ
メチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブ
トキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル
基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、n-ヘキシ
ルオキシエチル基、4-メチルペントキシエチル基、1,3-
ジメチルブトキシエチル基、2-エチルヘキシルオキシエ
チル基、n-オクチルオキシエチル基、3,5,5-トリメチル
ヘキシルオキシエチル基、2-メチル-1-iso- プロピルプ
ロポキシエチル基、3-メチル-1-iso- プロピルブチルオ
キシエチル基、2-エトキシ-1- メチルエチル基、3-メト
キシブチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエチル
基、3,3,3-トリクロロプロポキシエチル基等の炭素数２
〜１０のものが挙げられる。アルコキシアルコキシアル
キル基の例としては、メトキシエトキシエチル基、エト
キシエトキシエチル基、プロポキシエトキシエチル基、
ブトキシエトキシエチル基、ヘキシルオキシエトキシエ
チル基、1,2-ジメチルプロポキシエトキシエチル基、3-
メチル-1-iso- ブチルブトキシエトキシエチル基、2-メ
トキシ-1- メチルエトキシエチル基、2-ブトキシ-1- メ
チルエトキシエチル基、2-(2'-エトキシ-1'-メチルエト
キシ)-1-メチルエチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキ
シエトキシエチル基、3,3,3-トリクロロプロポキシエト
キシエチル基等が挙げられる。

【００１９】ヒドロキシアルキル基の例としては、2-ヒ
ドロキシエチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキ
シ-3- メトキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- クロロプ
ロピル基、2-ヒドロキシ-3- エトキシプロピル基、3-ブ
トキシ-2- ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- フ
ェノキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、3-ヒド
ロキシプロピル基、2-ヒドロキシブチル基、4-ヒドロキ
シブチル基等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基の例
としては、クロルメチル基、クロルエチル基、2,2,2-ト
リフルオロエチル基、トリフルオロメチル基、ブロムメ
チル基、ヨウ化メチル基などが挙げられる。

【００２０】置換または未置換のアルコキシ基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルコキシ基であり、好ましくは、メトキシ基、エトキ
シ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ
基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、
n-ペントキシ基、iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ
基、2-メチルブトキシ基などのアルコキシ基が挙げられ
る。置換または未置換のアルキルアミノ基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
ルキルアミノ基であり、好ましくは、N-メチルアミノ
基、N,N-ジメチルアミノ基、N,N-ジエチルアミノ基、N,
N-ジプロピルアミノ基、N,N-ジブチルアミノ基等のアル
キルアミノ基が挙げられる。Ｒ₁ が連結基を介して環を
形成した例としては、下記（化５）のものが挙げられ
る。

【００２１】

【化５】

【００２２】アルカリ金属の例としては、Ｌｉ、Ｎａ、
Ｋ、Ｒｂ等が挙げられる。アルカリ土類金属の例として
は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ等が挙げられる。本発明の一般式
（１）で表される化合物は公知の方法〔ツァーナル・オ
ブシュショイ・ヒミィー（ Zhurnal Obshchei Khimi
）, Vol.51, No.10, p.2324-2331 (1981 ) 〕により次
の様に製造される。即ち、一般式（３）（化６）で示さ
れるアミン成分をジアゾ化し、シアノ酢酸エチルのナト
リウム塩の溶液に添加し、カップリング反応させて一般
式（１）で示されるシアノホルマザン化合物が得られ
る。環状シアノホルマザン化合物は、一般式（４）（化
６）で示されるアミン成分をジアゾ化し、同様にして得
ることができる。

【００２３】

【化６】 〔上式中、Ｒ₁ 及びＲ₂ は、式（１）の場合と同じ意味
を表す。〕 また、シアノホルマザン化合物のアルカリ金属錯体また
はアルカリ土類金属錯体は、得られたシアノホルマザン
化合物を有機溶媒中、有機アルカリ金属または有機アル
カリ土類金属と反応することにより得られる。本発明で
用い得るシアノホルマザン化合物の例を表−１（表１、
２）に示すが、本発明の化合物はこれによりなんら限定
されるものではない。

【００２４】

【表１】

【００２５】

【表２】

【００２６】記録層に含有するフタロシアニン化合物
は、好ましくは６５０〜９００ｎｍに大きな吸収極大を
有する一般式（２）で表されるフタロシアニン化合物で
あり、７７０〜８３０ｎｍでの屈折率が大きく、吸光度
が小さいものである。記録層が、記録層及び光干渉層の
２層構造をとる場合、フタロシアニン化合物を主成分と
する記録層に必要な光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
は、前記レーザー光の波長λ₁ においてｎが１．８以上
で、且つ、ｋが０．０４〜０．２０であり、λ₂におい
てｎが１．１以上で、且つ、ｋが０．０４〜０．６であ
る。波長λ₁ で、ｎがこれより小さい値になるとＣＤ規
格を満足する反射率と信号変調度は得られにくく、波長
λ₂ においても、ｎがこれより小さい値となると正確な
信号読みとりに必要な反射率が得られにくくなる。ま
た、波長λ₁ において、ｋが０．２０を越えると反射率
が低下してＣＤ規格を満足しにくくなり、ｋが０．０４
未満だと記録ができない。また、波長λ₂ において、ｋ
が０．６を越えると吸収が大きくなりすぎ再生に必要な
反射率が得られないだけでなく、再生光により信号が変
化しやすくなり実用に適さない。なお、λ₂ での記録を
考慮するとｋは０．０４以上必要である。

【００２７】前記式（２）の置換基において、炭化水素
部としては、メチル、エチル、ブチル、ペンチル、ヘキ
シル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシ
ル、シクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル等の飽和
炭化水素基、エテニル、ブテニル、ヘキセニル、オクテ
ニル、ドデセニル、ブチニル、ヘプチニル、フェニル、
メチルフェニル、ブチルフェニル、ヘキシルフェニル等
の不飽和炭化水素基が挙げれる。これらの炭化水素部
は、直鎖、分岐または環状であっても良い。また、これ
らの炭化水素部はハロゲン、アミノ基、シアノ基、エー
テル基、水酸基等で置換されていても良い。ハロゲン原
子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ
る。

【００２８】また、フタロシアニン環を構成するベンゼ
ン環に結合している前記したＹ₁ 〜Ｙ₈ およびＡ₁ 〜Ａ
₄ の置換基の置換位置は特に限定するものではなく、又
置換基の種類及び数は一分子中の４つのベンゼン環で異
なっていても良い。Ｍで表される２価の金属原子として
は、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｂａ，Ｐｂ，Ｃｄ等が挙
げられ、１置換の３価金属としては、Ａｌ−Ｃｌ，Ａｌ
−Ｂｒ，Ｇａ−Ｃｌ，Ｇａ−Ｂｒ，Ｉｎ−Ｃｌ，Ｉｎ−
Ｂｒ，Ｔｉ−Ｃｌ，Ｔｉ−Ｂｒ，Ａｌ−Ｃ₆ Ｈ₅ ，Ａｌ
−Ｃ₆ Ｈ ₄ （ＣＨ₃ ），Ｉｎ−Ｃ₁₀Ｈ₇ ，Ｍｎ（Ｏ
Ｈ），Ｍｎ（ＯＣ₆ Ｈ₅ ），Ｍｎ［ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ₃ ）₃ ］、ＦｅＣｌ、ＲｕＣｌ等が挙げられ、２置換
の４価金属としては、ＣｒＣｌ₂ ，ＳｉＣｌ₂ ，ＧｅＢ
ｒ₂ ，ＳｎＣｌ₂ ，ＴｉＣｌ₂ ，Ｍｎ（ＯＨ）₂ ，Ｓｎ
（ＯＨ）₂ ，ＴｉＲ₂ ，ＣｒＲ₂ ，ＳｉＲ₂ ，Ｓｎ
Ｒ₂ ，ＧｅＲ ₂ 〔Ｒはアルキル基、フェニル基、ナフチ
ル基及びその誘導体を表す〕，Ｔｉ（ＯＲ’）₂ ，Ｃｒ
（ＯＲ’）₂ ，Ｓｉ（ＯＲ’）₂ ，Ｓｎ（ＯＲ’）
₂ 〔Ｒ’はアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリ
アルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基及び
その誘導体を表す〕等が挙げられ、オキシ金属として
は、ＶＯ，ＭｎＯ，ＴｉＯ等が挙げられる。

【００２９】一般式（２）で表されるフタロシアニン化
合物の合成法としては、下記式（５）または（６）（化
７）で表される化合物の１〜４種を混合して、例えば、
１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕−７−ウンデセ
ン（ＤＢＵ）存在下、金属誘導体とアルコール中加熱反
応する、あるいは、金属誘導体と高沸点溶媒（例えば、
クロロナフタレン、ブロモナフタレン、トリクロロベン
ゼン）中で反応する、等の方法が挙げられる。

【００３０】

【化７】 なお、式（５）、（６）のベンゼン環は、式（２）にお
いてＹ₁ 〜Ｙ₈ 、Ａ₁ 〜Ａ₄ で表される置換基を有す
る。本発明で用いられる式（２）であらわされるフタロ
シアニン化合物を表−２（表３、４、５）に例示する
が、これにより、なんら限定されるものではない。

【００３１】

【表３】

【００３２】

【表４】

【００３３】

【表５】

【００３４】本発明において記録層を設ける方法は、例
えば、浸漬法、スプレー法、スピンコート法、キャスト
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法等があるが、
スピンコート法が簡便で好ましい。スピンコート法にお
いては、化合物を０．０５〜３０重量％、好ましくは
０．５〜２０重量％となるように溶媒に溶解あるいは分
散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は基板にダメ
ージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、メ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール、オク
タフルオロペンタノール、アリルアルコール、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノ
ール等のアルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オク
タン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン等
の脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレ
ン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、
クロロホルム、テトラクロロエタン、ジブロモエタン等
のハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブ
チルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン等
のエーテル系溶媒、アセトン、3-ヒドロキシ-3- メチル
-2- ブタノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチ
ル等のエステル系溶媒、水などが１種あるいは複数混合
して用いられる。

【００３５】また、記録層が、記録層及び光干渉層の２
層構造をとる場合、記録層に使用するフタロシアニン化
合物と光干渉層に使用するシアノホルマザン化合物は、
各々異なる極性の溶媒に溶解し、互いに他の溶媒には溶
解しないものが好ましい。例えば、光干渉層に使用する
化合物は、極性の高い溶媒、アルコール系溶媒、水等に
溶解し、記録層に使用する化合物は、極性の低い溶媒、
例えば、脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒、芳香族炭化
水素系溶媒、四塩化炭素、エーテル系溶媒に溶解して塗
布する。なお、樹脂性基板への障害、あるいは多層膜の
影響を減少させるためには、各化合物層塗布成膜のため
の溶媒は、脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒および他溶
媒の混合溶媒と、アルコール系溶媒およびこれらと他溶
媒の混合溶媒であり、それぞれに可溶な化合物の組み合
わせが特に望ましい。なお、必要に応じて、記録層の化
合物を高分子薄膜などに分散して用いたりすることもで
きる。また、基板にダメージを与えない溶媒を選択でき
ない場合はスパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法などが
有効である。

【００３６】記録層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０〜３００ｎｍである。記録層の膜
厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため記録
出来ないか、記録信号に歪みが発生する上、信号振幅が
小さくなりＣＤ規格を満足しなくなる。また、膜厚が３
００ｎｍより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性
が悪化する。記録層が、記録層及び光干渉層の２層構造
から成る場合、光干渉層の平均膜厚はλ₁ 及びλ₂ の波
長において下記の式を満足し、各レーザー波長に対して
反射率が高くなる値に合わすことが好ましい。 ７０≦ｎ_i ×ｄ_i ≦３００ （ただし、ｎ_i は光干渉層の屈折率、ｄ_i は光干渉層の
膜厚） ここで、ｎ_i ×ｄ_i が７０未満の場合はλ₂ の波長に対
する反射率が１５％未満となり、且つ変調度も小さくな
る。ｎ_i ×ｄ_i が３００を越える場合はλ₁ の波長の光
に対する反射率が６５％未満となる。

【００３７】記録層を成膜する際に、必要に応じ、色素
に、クエンチャー、熱分解促進剤、紫外線吸収剤、接着
剤等の添加剤を混合あるいは置換基として導入すること
も可能である。クエンチャーとしては、アセチルアセト
ナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフェニル
ジチオール系などのビスジチオール系、チオカテコール
系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフェノレ
ート系等の金属錯体が好ましい。またアミン系も好適で
ある。熱分解促進剤としては、化合物熱分解の促進が熱
減量分析(TG 分析) により確認できるものであれば特に
限定されず、例えば、金属系アンチノッキング剤、メタ
ロセン化合物、アセチルアセトナト系金属錯体等の金属
化合物が挙げられる。さらに、必要に応じて、バインダ
ー、レベリング剤、消泡剤等を併用することもできる。
好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロ
ース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、
ウレタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィン等が挙げられる。又、記録特性など
の改善のために前記以外の色素を添加することもでき
る。

【００３８】本発明で用い得る他の色素の例としては、
ペンタメチンシアニン系色素、ヘプタメチンシアニン系
色素、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系色素、ア
ゾ系色素、ナフタロシアニン系色素、フタロシアニン系
色素、アントラキノン系色素等が挙げられる。これらの
他の色素の混合割合は、全色素量に対し、０．１〜１０
％程度である。ここで、記録層で使用する色素の含有量
は、３０％以上、好ましくは６０％以上である。尚、実
質的に色素１００％であることも好ましい。なお、記録
層を基板の上に成膜する際に、基板の耐溶剤性や反射
率、記録感度等を向上させるために、基板の上に無機物
やポリマーからなる層を設けても良い。

【００３９】次に、前記した記録層の上に、好ましく
は、厚さ５０〜３００ｎｍの反射層を形成する。反射層
の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いも
の、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を、単独あるいは
合金にして用いることが可能である。なかでもＡｕやＡ
ｌは反射率が高く反射層の材料として適している。これ
以外に、例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、
Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐ
ｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属を含んでいてもよ
い。Ａｕを主成分としているものは反射率の高い反射層
が容易に得られるため好適である。ここで主成分という
のは含有率が５０％以上のものをいう。金属以外の材料
で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層
膜を形成し、反射層として用いることも可能である。反
射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イ
オンプレーテイング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙
げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上
や記録特性の改善のために公知の無機系又は有機系の中
間層、接着層を設けても良い。

【００４０】更に、記録層や反射層を保護するために、
反射層の上に保護層を設ける。２枚の媒体を貼り合わせ
ても良い。保護層の材料としては反射層を外力から保護
するものであれば特に限定しない。有機物質としては、
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ
硬化性樹脂等を挙げることができる。又、無機物質とし
ては、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＮ₄ 、ＭｇＦ₂ 、ＳｎＯ₂ 等が挙
げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶
剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって形
成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、そのまま、も
しくは、適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、こ
の塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることに
よって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂として
は、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレ
ート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹
脂を用いることができる。これらの材料は単独であるい
は混合して用いても良いし、１層だけでなく多層膜にし
て用いても良い。

【００４１】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、このなかで
もスピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般に
は０．１〜１００μｍの範囲であるが、本発明において
は、３〜３０μｍであり、好ましくは５〜２０μｍがよ
り好ましい。保護層の上に、更にレーベル等の印刷を行
うこともできる。また、基板鏡面側（記録層のない側）
に、表面保護やゴミ等の付着防止のために紫外線硬化樹
脂、無機系薄膜等を成膜しても良い。

【００４２】このようにして得られた本発明の光記録媒
体は、レーザー光を記録層に集束することにより記録や
再生を行うことが出来る。記録する際の信号としては、
例えば、ＣＤ等に用いられているＥＦＭ変調信号が挙げ
られる。本発明の媒体は、特に７８０ｎｍのレーザー光
で記録出来、且つ、該光に対する反射率が６５％以上得
られ、７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長の光に対す
る反射率が６５％以上得られるので、７８０ｎｍ前後の
波長のレーザー光により記録及び再生ができる。又、記
録した情報を市販のＣＤやＣＤーＲＯＭプレーヤーで再
生することができる。再生した信号特性はＣＤ−Ｒの規
格であるオレンジブック規格を満足する。更に、６２０
〜６９０ｎｍの光に対する反射率が１５％以上得られ、
６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長のレーザーを搭載
した高密度対応光ディスクプレーヤーでも再生可能であ
る。

【００４３】次期の高密度対応プレーヤーに用いられる
光の波長は６２０〜６９０ｎｍである。可視領域の広範
囲で波長選択のできる色素レーザーや、波長６３３ｎｍ
のヘリウムネオンレーザーもあるが、実用に供せられる
半導体レーザーの波長としては、例えば、６３５ｎｍ、
６５０ｎｍ又は６８０ｎｍ前後である。本発明の媒体
は、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長の光を用いて
記録することができ、次期の高密度対応プレーヤー用と
して利用できるものである。

【００４４】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。 実施例１ 一般式（１）で表されるシアノホルマザン化合物のう
ち、表−１に記載したシアノホルマザン化合物の式No.
(S-3)０．２ｇと、一般式（２）で表されるフタロシア
ニン化合物のうち、表−２に記載したフタロシアニン化
合物の式No.(Pc-1)０．０２ｇを2,2,3,3-テトラフルオ
ロ-1- プロパノール１０mlに溶解し、色素溶液を調製し
た。基板は、ポリカーボネート樹脂製で、連続した案内
溝（トラックピッチ：１．６μｍ）を有する直径１２０
ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のものを用いた。この
基板上に、色素溶液を回転数１５００ｒｐｍでスピンコ
ートし、７０℃で２時間乾燥して、記録層を形成した。
この記録層の上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ
−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍ
の反射層を形成した。スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔ
ｏｒｒで行った。更に反射層の上に、紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートし
た後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成した。

【００４５】この光記録媒体に、７８０ｎｍ半導体レー
ザーヘッドを搭載したフィリップス製ライター（ＣＤＤ
−５２１）を用いて、線速度２．８ｍ／ｓ、レーザーパ
ワー８ｍＷでＥＦＭ信号を記録した。記録後、市販ＣＤ
プレーヤー（ＹＡＭＡＨＡＣＤＸ−１０５０、レーザー
波長７８６ｎｍ）を用いて信号を再生し、反射率、エラ
ー率及び変調度等を測定した。その結果、再生波形歪が
小さく、オレンジブック規格を満足した良好な値を示し
た。次にこの記録した媒体を、６８０及び６３５ｎｍ赤
色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製
光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）を用いて信号
を再生し、反射率、エラー率及び最も短いピットの変調
度(I3/Itop) を測定した。いずれも良好な値を示すこと
が確認された。さらに、この媒体に、６８０ｎｍ赤色半
導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光デ
ィスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯ
Ｄ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／
ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、６８
０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載
した評価装置を用いて信号を再生し、反射率、エラー率
及びI3/Itop を測定した。いずれも良好な値を示した。
この記録した媒体を、市販ＣＤプレーヤー（ＹＡＭＡＨ
Ａ ＣＤＸ−１０５０，レーザー波長７８６ｎｍ）を用
いて、前記６８０ｎｍのドライブ（ＤＤＵ−１０００）
で記録した信号の再生を行い、反射率、エラー率及びI3
/Itop を測定した。いずれもオレンジブック規格を満足
した良好な値であった。

【００４６】実施例２ 実施例１において色素層に、シアノホルマザン化合物の
式No.(S-3)のみを塗布すること以外は、実施例１と同様
にして光記録媒体を作製した。次に、この媒体に、６８
０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステッ
ク工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及び
ＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度
５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記
録後、６８０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘ
ッドを搭載した評価装置を用いて信号を再生し、反射
率、エラー率及びI3/Itop を測定した。いずれも良好な
値を示した。また、この記録した媒体は、市販ＣＤプレ
ーヤー（ＹＡＭＡＨＡ ＣＤＸ−１０５０，レーザー波
長７８６ｎｍ）を用いての信号の再生が可能であった。

【００４７】実施例３ 実施例１において、シアノホルマザン化合物の式No.(S-
3)の代わりに、表−１に記載したシアノホルマザン化合
物の式No.(S-5)を用いたこと、及びフタロシアニン化合
物の式No.(Pc-1) の代わりに、表−２に記載したフタロ
シアニン化合物の式No.(Pc-2) を用いたこと以外は、実
施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。作製した
媒体を実施例１と同様に記録、評価した結果、いずれも
良好な値を示すことが確認された。

【００４８】実施例４ 実施例２において、シアノホルマザン化合物の式No.(S-
3)の代わりに、表−１に記載したシアノホルマザン化合
物の式No.(S-6)を用いること以外は、実施例２と同様に
して、光記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例２
と同様に記録、評価した結果、いずれも良好な値を示す
ことが確認された。

【００４９】実施例５ 一般式（１）で表されるシアノホルマザン化合物のう
ち、表−１に記載したシアノホルマザン化合物の式No.
(S-1)０．２ｇを2,2,3,3-テトラフルオロ-1- プロパノ
ール１０ｍｌに溶解し、色素溶液−１を調製した。基板
は、ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（深さ１
７０ｎｍ、幅０．５μｍ、ピッチ１．６μｍ）を有する
直径１２０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のものを用
いた。この基板上に、色素溶液−１を回転数１５００ｒ
ｐｍでスピンコートし、７０℃で２時間乾燥して、厚さ
８０ｎｍの色素光干渉層を形成した。この光干渉層の光
学定数は、７８０ｎｍで屈折率が１．９、消衰係数は
０．０５であり、６８０ｎｍでは屈折率が２．２、消衰
係数は０．０４であり、６３５ｎｍでは屈折率が２．４
で、消衰係数が０・１０であった。従って、７８０、６
８０および６３５ｎｍでの光干渉層の屈折率と膜厚の積
（ｎ_i ×ｄ_i ）は、各々１５２、１７６、１９２であ
る。さらに、一般式（２）で表されるフタロシアニン化
合物のうち表−２に記載したフタロシアニン化合物の式
No.(Pc-3) ０．２５ｇを1,2-ジメチルシクロヘキサン１
０ｍｌに溶解した色素溶液−２を、回転数１６００ｒｐ
ｍでスピンコートし、７０℃で２時間乾燥して、記録層
を形成した。この記録層の光学定数は、７８０ｎｍで屈
折率が２．２、消衰係数は０．０８であり、６８０ｎｍ
では屈折率が１．２、消衰係数は０．４９であり、６３
５ｎｍでは屈折率が１．１、消衰係数は０．３４であっ
た。次に、この記録層の上に、バルザース社製スパッタ
リング装置（ＣＤＩ−９００）を用いて、厚さ１００ｎ
ｍのＡｕをスパッタし、反射層を形成した。さらにこの
反射層の上に、紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本イン
キ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して
厚さ６μｍの保護層を形成し、光記録媒体を作製した。

【００５０】この光記録媒体に、７８０ｎｍ半導体レー
ザーヘッドを搭載したフィリップス製ライター（ＣＤＤ
−５２１）を用いて、線速度２．８ｍ／ｓ、レーザーパ
ワー８ｍＷでＥＦＭ信号を記録した。記録後、市販ＣＤ
プレーヤー（ＹＡＭＡＨＡＣＤＸ−１０５０、レーザー
波長７８６ｎｍ）を用いて信号を再生し、反射率、エラ
ーレート及び変調度等を測定した。この結果、再生波形
歪が小さく、オレンジブック規格を満足した良好な値を
示した。次に、この記録した媒体を、６８０ｎｍ及び６
３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステ
ック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）を
用いて信号を再生し、反射率、エラー 率及び最も短いピッ
トの変調度（I3/Itop ）を測定した。いずれも良好な値
を示した。さらに、この媒体に、６８０ｎｍ赤色半導体
レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディス
ク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製
ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レ
ーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、６８０ｎｍ
及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評
価 装置を用いて信号を再生し、反射率、エラー率及び
I3/Itop を測定した。いずれも良好な値を示した。この
記録した媒体を、市販ＣＤプレーヤー（ＹＡＭＡＨＡ
ＣＤＸ−１０５０、レーザー波長７８６ｎｍ）を用い
て、前記６８０ｎｍのドライブ（ＤＤＵ−１０００）で
記録した信号の再生を行い、反射率、エラー率及びI3/I
t opを測定した。いずれもオレンジブック規格を満足し
た良好な値であった。

【００５１】実施例６ 実施例５において、塗布順序を逆にして、記録層として
フタロシアニン色素〔式No.(Pc-4) 〕を塗布した上に、
光干渉層としてシアノホルマザン化合物の式No.(S-1)を
塗布すること以外は、実施例５と同様にして光記録媒体
を作製した。作製した媒体について、実施例５と同様に
記録及び再生評価を行った結果、いずれの波長において
も良好な記録特性を示した。

【００５２】実施例７ 実施例５において、光干渉層にシアノホルマザン化合物
の式No.(S-2)０．２ｇを用い、記録層にフタロシアニン
色素〔式No.(Pc-5) 〕０．２５ｇを用いたこと以外は、
実施例５と同様にして光記録媒体を作製した。光干渉層
の膜厚は９５ｎｍで光学定数は、７８０ｎｍでｎが１．
９、ｋは０．０７であり、６８０ｎｍではｎが２．０、
ｋは０．０５であり、６３５ｎｍではｎが２．３、ｋは
０．１０であった。従って、７８０、６８０および６３
５ｎｍでの光干渉層の屈折率と膜厚の積（ｎ_i ×ｄ_i ）
は各々１８１、１９０、２１９である。作製した媒体に
ついて、実施例１と同様に、７８０ｎｍでの記録及び７
８６、６８０、６３５ｎｍでの再生評価を行った結果、
いずれの波長においても良好な記録特性を示した。

【００５３】実施例８〜４５ シアノホルマザン化合物の式No.(S-1)〜(S-19)とフタロ
シアニン色素〔式No.(Pc-5) 〜(Pc-9)〕を組み合わせて
用いた以外は、実施例５に準じて記録層の上に光干渉層
がある媒体を作製し、評価した。色素の組み合わせ、記
録層、光干渉層の７８０、６８０および６３５ｎｍでの
光学定数〔屈折率(n),消衰係数(k) 〕、光干渉層の膜
厚、ｎ_i ×ｄ_i 値を表−３（表６、７、８、９）に記載
した。なお、全ての媒体はいづれもhigh to low の記録
モードで、７８０、６８０および６３５ｎｍの各波長で
変調度は大きく、エラー率及びジッターは小さく、きわ
めて良好な再生ができた。

【００５４】

【表６】

【００５５】

【表７】

【００５６】

【表８】

【００５７】

【表９】

【００５８】比較例１ 実施例５において、光干渉層のシアノホルマザン化合物
の膜厚を３５ｎｍにした以外は、実施例５と同様にして
光記録媒体を作製した。７８０、６８０および６３５ｎ
ｍでの光干渉層の屈折率と膜厚の積（ｎ_i ×ｄ_i ）は各
々６７、７４、８８ある。作製した媒体を実施例１と同
様に評価したところ、６８０、６３５ｎｍの各波長で、
再生信号波形が歪み反射率も低かった。

【００５９】比較例２ 実施例１において、光干渉層のシアノホルマザン化合物
の膜厚を１６０ｎｍにした以外は、実施例１と同様にし
て光記録媒体を作製した。７８０、６８０および６３５
ｎｍでの光干渉層の屈折率と膜厚の積（ｎ_i ×ｄ_i ）
は、各々３０４、３３６、４００である。作製した媒体
について、実施例１と同様に評価したところ、７８６、
６８０、６３５ｎｍの各波長で、再生信号波形が歪み反
射率も低かった。実施例１〜４５及び比較例１〜２で得
られた各光記録媒体について、７８０及び６８０ｎｍで
記録した各々の場合で、７８６、６８０、６３５ｎｍで
の再生信号特性〔反射率(%) 、エラー率(cps) 、変調度
(I3/Itop) 〕を表−４（表１０、１１、１２、１３）に
まとめて記載した。

【００６０】

【表１０】

【００６１】

【表１１】

【００６２】

【表１２】

【００６３】

【表１３】

【００６４】

【発明の効果】本発明は、波長４５０ｎｍ〜６３０ｎｍ
に吸収極大を有するシアノホルマザン化合物、あるい
は、該シアノホルマザン化合物および波長６８０ｎｍ〜
９００ｎｍに吸収極大を有するフタロシアニン化合物を
含有する記録層を設けることにより、７７０〜８３０ｎ
ｍから選択される波長の光に対してＣＤ規格に準拠した
記録・再生または再生が可能で、且つ、波長６２０〜６
９０ｎｍから選択される波長の光に対して記録及び再生
または再生ができる良好な記録特性を有する互換性のあ
る光記録媒体を提供することを可能にするものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 津田 武 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 梅原 英樹 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも、記録層、反射層及
   び保護層を有する光記録媒体において、記録層中に、波
   長４５０ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収極大を有する一般式
   （１）（化１）で表されるシアノホルマザン化合物を含
   有することを特徴とする光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｒ₁ 及びＲ₂ は各々独立に水素原子、炭素数１
   〜１０の置換または未置換のアルキル基、炭素数１〜１
   ０の置換または未置換のアルコキシ基、炭素数１〜１０
   の置換または未置換のアルキルアミノ基、ヒドロキシ
   基、ハロゲン原子、ニトロ基、あるいは、シアノ基を表
   し、ｎは１〜４の整数を表す。２つのＲ₁ がアルコキシ
   基の場合には、連結基を介して環を形成してもよい。Ｙ
   は水素原子、アルカリ金属原子またはアルカリ土類金属
   原子／２を表す。〕
2. 【請求項２】 記録層中に、さらに、波長６５０ｎｍ〜
   ９００ｎｍに吸収極大を有する一般式（２）（化２）で
   表されるフタロシアニン化合物を含有することを特徴と
   する請求項１記載の光記録媒体。 【化２】 （式中、Ｙ₁ 〜Ｙ₈ は各々独立に水素原子、炭素数１〜
   ２０の無置換または置換炭化水素基、炭素数１〜２０の
   無置換または置換炭化水素オキシ基、炭素数１〜２０の
   無置換または置換炭化水素チオ基を表し、Ｙ₁ とＹ₂ 、
   Ｙ₃ とＹ₄ 、Ｙ₅とＹ₆ 、及びＹ₇ とＹ₈ は互いに隣接
   している場合は連結して環状となってもよく、Ａ₁ 〜Ａ
   ₄ は各々独立にハロゲン原子、ニトロ基を表す。ｌ1 、
   ｌ2 、ｌ3及びｌ4 は０〜３の整数を表し、ｍ1 、ｍ2
   、ｍ3 及びｍ4 は０〜３の整数を表す。Ｍは２個の水
   素原子、２価の金属原子、３価または４価の置換金属原
   子、あるいはオキシ金属を表す。）
3. 【請求項３】 記録層が、シアノホルマザン化合物とフ
   タロシアニン化合物の混合物を含有する１層構造である
   請求項２記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 記録層が、シアノホルマザン化合物を主
   成分として含有する光干渉層、及び、フタロシアニン化
   合物を主成分として含有する記録層の２層構造である請
   求項２記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 光干渉層の複屈折率をｎ_i 、膜厚をｄ_i
   （ｎｍ）とした時、記録及び再生波長の光に対して、７
   ０≦ｎ_i ×ｄ_i ≦３００であることを特徴とする請求項
   ４記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 波長７７０〜８３０ｎｍの範囲から選択
   される波長λ₁ のレーザー光に対する基板を通して測定
   した反射率が６５％以上で、波長７７０〜８３０ｎｍの
   範囲から選択される波長λ₁ のレーザー光を用いて記録
   及び／または再生が可能であり、且つ、６２０〜６９０
   ｎｍの範囲から選択される波長λ₂ のレーザー光に対す
   る基板を通して測定した反射率が１５％以上で、６２０
   〜６９０ｎｍの範囲から選択される波長λ₂ のレーザー
   光を用いて記録及び／または再生が可能である請求項１
   〜５のいずれかに記載の光記録媒体。