JPH09199258A

JPH09199258A - サージアブソーバ

Info

Publication number: JPH09199258A
Application number: JP840996A
Authority: JP
Inventors: Yoshito Sasaki; 義人佐々木
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1996-01-22
Filing date: 1996-01-22
Publication date: 1997-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】絶縁層を介して電極が対向したサージアブソ
ーバはギャップ長を安定させ、放電開始電圧のばらつき
を防止できるが、ギャップ部分での放電開始時間が長
く、また放電によるスパッタ現象によって電極間が短絡
しやすい。【解決手段】主電極１５ａ、１５ｂの間には、端面に
複数の凸部１４ａ1を形成した補助電極１４ａと、端面
に絶縁層１７が形成された補助電極１４ｂが設けられて
おり、両者は凸部１４ａ1と絶縁層１７とで接合されて
いる。凸部１４ａ1と補助電極１４ｂ間にギャップが形
成されているため、ギャップ部分での接合面積が小さく
なる。よって、ギャップ部分の容量Ｃを小さくし、時定
数を低下させて放電開始時間を短くできる。また凸部１
４ａ1と絶縁層１７の縁部（ハ）との間で段差があるた
め、この部分に導電性材料が堆積しにくく、凸部１４ａ
1と補助電極１４ｂとの間が短絡しにくい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子回路や電子部品
をサージから保護するためのサージアブソーバに係り、
特に放電を開始するまでの応答速度を速め、また補助電
極のスパッタ現象によるギャップの短絡などを防止でき
るようにしたサージアブソーバに関する。

【０００２】

【従来の技術】図５は、従来のギャップ方式のサージア
ブソーバの構造を示す斜視図である。このサージアブソ
ーバ１は、ガラス封止体２の内部に、アルミナ（酸化ア
ルミニウム；Ａｌ₂Ｏ₃）などにより形成された丸棒状の
基体３が設けられ、この基体３の外周面に、ギャップ７
を介して対向する補助電極層４ａ，４ｂが形成されてい
る。この補助電極層４ａ，４ｂは炭素（Ｃ），窒化タン
タル（ＴａＮ）などの所定の電気抵抗値の導電性材料に
より形成されている。ギャップ７は、基体３の円周方向
全周に沿って、微小のギャップ長Ｇを有して形成されて
いる。

【０００３】基体３の両端部には、それぞれの補助電極
層４ａ，４ｂに導通する主電極５ａ，５ｂが設けられて
いる。この主電極５ａ，５ｂは抵抗値の低い金属材料に
よりキャップ状に形成されて、補助電極層４ａ，４ｂの
上から基体３の両端部に嵌着されている。両主電極５
ａ，５ｂにはリード線６ａ，６ｂが接続され、このリー
ド線６ａ，６ｂがガラス封止体２の外部に延びている。
ガラス封止体２の内部はほぼ真空に近い低圧に設定さ
れ、この内部にはアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈ
ｅ）、ネオン（Ｎｅ）などの不活性ガスが充填されてい
る。上記サージアブソーバ１は、丸棒状の基体３の外周
面に補助電極層を形成するための導電性材料が塗布さ
れ、その後にレーザ加工などにより補助電極層を形成す
る導電性材料が除去されて、丸棒の外周に、所定のギャ
ップ長Ｇのギャップ７が形成される。

【０００４】しかし、上記のようにレーザ加工によりギ
ャップ７を形成する加工方法では、ギャップ長Ｇを高精
度に管理するのが困難であり、個々のサージアブソーバ
１においてギャップ長Ｇのばらつきが大きくなる。また
ギャップ７を円周方向へ加工する際に、補助電極層４ａ
と４ｂとのギャップ７の対向部分に凹凸が形成されやす
く、ギャップ７の各位置においてギャップ長Ｇにばらつ
きが生じやすい。サージアブソーバでは、ギャップ長Ｇ
が放電開始電圧を決める要素であるため、従来のように
ギャップ長Ｇが高精度に形成されず、またばらつきが大
きいと、放電開始電圧を高精度に決めることができなく
なる。

【０００５】また図６は、従来の他の構造のサージアブ
ソーバ１ａを示している。図６に示すものでは、ガラス
封止体２の内部に主電極５ａと５ｂが間隔を開けて配置
されており、両主電極５ａと５ｂにブロック状の補助電
極４Ａと４Ｂが接合されている。ブロック状の補助電極
４Ａと４Ｂは、それ自体がＳｉなどの所定の電気抵抗値
を有する導電性材料により形成されている。そして、両
補助電極４Ａと４Ｂとの突き当て面にＳｉＯ₂などの絶
縁層８が介装され、この絶縁層８が介装されている部分
がギャップ長Ｇのギャップ７となっている。

【０００６】図６に示すものでは、ギャップ長Ｇが絶縁
層８の膜厚により決定されるが、この絶縁層８は、一方
の補助電極４Ａまたは４Ｂに対してスパッタや蒸着によ
り形成されるため、膜厚を管理するのが容易であり、ギ
ャップ長Ｇを高精度に設定しやすい。またＳｉなどのブ
ロック状の補助電極４Ａと４Ｂは、その突き当て面（対
向面）を平滑な面にしやすく、またスパッタなどで形成
される絶縁層８は膜厚を均一にできる。したがって、ギ
ャップ７の各部分においてギャップ長Ｇの変化が少な
く、ギャップ７の各部分でのギャップ長Ｇの変動も小さ
い。したがって、放電開始電圧を高精度に設定できる利
点がある。

【０００７】

【発明が解しようとする課題】ギャップ方式のサージア
ブソーバ１または１ａでは、主電極５ａ，５ｂ間にサー
ジが印加された時点で、補助電極層４ａ，４ｂ（または
補助電極４Ａ，４Ｂ）の抵抗Ｒ0を通してギャップ７
（容量Ｃ）に充電され始める。前記のようにギャップ７
での放電開始電圧は、ギャップ長Ｇやガラス封止体２内
のガス圧などにより決められる。容量Ｃのギャップ７で
の充電電圧が放電開始電圧（パッシェン最低電圧）に至
ると、補助電極層４ａと４ｂ間で放電が開始される。ギ
ャップ７での放電は正放電または負放電であり、この放
電は補助電極層４ａ，４ｂの表面を移動し、最終的には
主電極５ａ，５ｂ間がアークで橋絡される。

【０００８】サージが印加されてから主電極５ａ，５ｂ
間がアークで橋絡されるまでを応答時間（τ）とする。
主電極５ａ，５ｂ間にサージが印加されてからギャップ
部分での放電が開始されるまでの時間を（τa）とし、
ギャップ７にて正または負の放電が開始されてから、主
電極５ａ，５ｂ間がアークで橋絡されるまでの時間を
（τb）とすると、前記応答時間（τ）は（τa＋τb）
である。

【０００９】ここで、主電極５ａと５ｂの間にサージが
印加された後にギャップ７に充電されるときの時定数
（τ0）は、補助電極層４ａ，４ｂ（または補助電極４
Ａ，４Ｂ）の抵抗値Ｒ0と容量Ｃとの積により決めら
れ、τ0＝Ｃ・Ｒ0である。応答時間（τ＝τa＋τb）の
うち（τb）は、主電極５ａ，５ｂ間の距離やガス圧な
どに関係し、これはサージアブソーバの寸法によりほぼ
一律的に決められる。したがって、サージアブソーバの
応答時間（τ）はギャップ７での放電開始時間（τa）
に大きく依存し、また放電開始時間（τa）はギャップ
７での容量Ｃと補助電極層の抵抗値Ｒ0で決められる。

【００１０】図６に示す従来のサージアブソーバ１ａで
は、絶縁層８の膜厚を均一に形成できるため、前記放電
開始電圧のばらつきが小さくなるという利点があるが、
その反面、ギャップ７の部分でのブロック状の補助電極
４Ａと４Ｂとの対向面積が大きいため、ギャップ７の部
分での前記容量Ｃが大きくなり、よって時定数（τ0）
が大きくなって、放電開始時間（τa）が長くなり、主
電極５ａと５ｂ間がアークで橋絡されるまでの応答速度
（τ）が長くなる欠点がある。

【００１１】次に、図６のサージアブソーバ１ａでは、
補助電極４Ａと４Ｂの間で放電が開始され、またこの放
電が補助電極４Ａと４Ｂに沿って主電極５ａと５ｂに進
むときに、ガラス封止体２内に封入されている例えばア
ルゴンガスのイオンやラジカルなイオン原子などが補助
電極４Ａと４Ｂの表面をたたき、補助電極４Ａと４Ｂの
表面がターゲットとなったスパッタ現象が生じる。図６
では、ギャップ７が形成されている部分の外周部（イ）
において、各補助電極４Ａと４Ｂの外面および絶縁層８
と外面とが同一面になっている。よって前記スパッタ現
象により補助電極４Ａと４Ｂから打ちだされた導電性材
料が（イ）の部分にて補助電極４Ａと４Ｂの間に溜りや
すい。（イ）の部分に導電性材料が堆積されると、その
両側に位置する補助電極４Ａと４Ｂが直ちに短絡してし
まい、その後はサージアブソーバとして機能しなくな
る。

【００１２】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
であり、補助電極間または補助電極と主電極との間に形
成されるギャップのギャップ長を高精度に設定できるよ
うにして放電開始電圧を安定させ、さらにギャップ部分
の容量Ｃを小さくして時定数を低下させ放電開始時間
（τa）を短くし応答時間（τ）を短縮できるようにし
たサージアブソーバを提供することを目的としている。

【００１３】また本発明は、補助電極の導電性材料が放
電時にスパッタされたときに、補助電極から出た導電性
材料が、補助電極どうしまたは補助電極と主電極との間
に溜りにくい構造にして、使用寿命を延ばすことができ
るようにしたサージアブソーバを提供することを目的と
している。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、間隔を開けて
配置された主電極と、主電極に導通される補助電極とを
有し、補助電極間または主電極と補助電極間にギャップ
が形成されているサージアブソーバにおいて、前記補助
電極の端面にはこの端面の面積よりも小さい凸部が少な
くとも１つ以上形成されており、この凸部が他方の補助
電極または主電極に対し絶縁層を介して接合され、この
絶縁層が介在した部分が前記ギャップとなっていること
を特徴とするものである。

【００１５】上記において、補助電極に形成された凸部
の側面と、この凸部が接合されている絶縁層の縁部との
間に段差が形成されていることが好ましい。

【００１６】さらに、補助電極に凸部が複数箇所形成さ
れているものでは、隣接する凸部間の隙間が、補助電極
の外周の空間に連通されていることが好ましい。

【００１７】本発明のサージアブソーバでは、補助電極
と補助電極、または補助電極と主電極とが絶縁層を介し
て接合されてギャップが形成されている。この絶縁層は
スパッタまたは蒸着などの成膜手段により形成されるも
のであるため、前記ギャップの間隔（ギャップ長）を高
精度に設定できギャップ長のばらつきが小さくなる。し
たがって、放電開始電圧のばらつきが少なく規格の安定
したものにできる。また、補助電極の端面（相手側の補
助電極または主電極への突き当て面）に凸部を形成し、
この凸部を絶縁層を介して相手側の補助電極または主電
極に突き当てている。よって、凸部の面積の減少分だけ
ギャップ部分の容量Ｃを低下させることができ、時定数
（τ0）を小さくしてギャップでの放電開始時間（τa）
を短くし、応答時間（τ）を短縮できる。

【００１８】また、補助電極の凸部の側面と、これが接
合される絶縁層の縁部との間に段差を形成しておくと、
絶縁層を介して両側に位置する凸部と補助電極または凸
部と主電極とのそれぞれの外周面の距離が長くなる。よ
って、放電時のスパッタ現象により補助電極などから打
ちだされた導電性材料が、凸部と、相手側の補助電極ま
たは主電極との間に堆積しにくくなる。したがって、ギ
ャップの両側部分が短絡しにくい構造になり、使用寿命
を長くできる。

【００１９】次に、前記凸部は補助電極の突き当て面に
複数箇所形成されるものとすることが可能である。この
場合に、隣接する凸部間の隙間が補助電極の外側の空間
に連通していることが好ましい。すなわち、それぞれの
凸部の外周部分の全てが同じ雰囲気に接していることが
好ましい。前述のように、放電開始電圧は、ギャップ長
のみならず、ガラス封止体内の圧力などによっても影響
を受ける。したがって凸部の周囲が接する雰囲気が部分
的に相違していると放電開始時間の設定に影響を与える
ことになる。本発明では、凸部間の隙間がガラス封止体
内の雰囲気に連通していることにより、全ての凸部にお
いて、ギャップ部分で放電を開始する電圧に差が生じる
ことがなくなり、安定した動作を実現できる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
して説明する。図１は、本発明におけるサージアブソー
バの第１の構成例を示し、（Ａ）は内部構造の斜視図、
（Ｂ）は（Ａ）のサージアブソーバが筒体に封止された
状態を示す拡大断面図、図２は第２の構成例の内部構造
を示す斜視図、図３は第３の構成例の内部構造を示す斜
視図、図４は第４の構成例を示す内部構造の側面図であ
る。

【００２１】図１（Ａ）（Ｂ）に示すサージアブソーバ
１１ａでは、ブロック状の補助電極１４ａと１４ｂが設
けられ、両補助電極１４ａと１４ｂがそれぞれ主電極１
５ａ，１５ｂに固着されまたは導通可能に接合されてい
る。一方のブロック状の補助電極１４ａの先端面（突き
当て面）には、複数の凸部１４ａ1（図１（Ａ）では４
個）が一体に形成されている。この凸部１４ａ1と対向
する他方のブロック状の補助電極１４ｂの接合端面（突
き当て面）には絶縁層１７が形成されている。

【００２２】補助電極１４ａ，１４ｂは例えばシリコン
（Ｓｉ）などの所定の電気抵抗値を有する導電性材料に
より形成されている。一方の補助電極１４ａの端面に凸
部１４ａ1を形成する場所以外にマスキングを行い、マ
スキング以外の部分にイオンミーリングなどのドライエ
ッチングを施すことにより前記複数の凸部１４ａ1を形
成することが可能である。

【００２３】シリコン（Ｓｉ）のブロックは劈開性に優
れた材料であり、その表面は平滑性に優れている。よっ
て補助電極１４ａの凸部１４ａ1の先端面（突き当て
面）は平滑であり、他方の補助電極１４ｂの端面も平滑
である。絶縁層１７は酸化珪素（ＳｉＯ₂）などの絶縁
材料により形成されている。この絶縁層１７の形成工程
としては、例えばＳｉのブロックで形成された補助電極
１４ｂの端面のみを露出させて加熱処理することにより
形成することが可能である。あるいは補助電極１４ｂの
端面にＳｉＯ₂またはその他の絶縁材料をスパッタまた
は蒸着などにより成膜することにより前記絶縁層１７を
形成できる。補助電極１４ｂの端面は前述のように平滑
であるため、絶縁層１７の表面も平滑性を保つことがで
きる。また加熱処理により形成される絶縁層１７または
スパッタなどで成膜される絶縁層は共にその膜厚（層
厚）を高精度に設定することができる。

【００２４】一方の補助電極１４ａの凸部１４ａ1の端
面が相手側の補助電極１４ｂに接合されると、凸部１４
ａ1と補助電極１４ｂの間に、前記絶縁層１７の膜厚に
相当するギャップ長Ｇのギャップすなわち非導電性の隙
間が形成される。このギャップ長Ｇはばらつきが小さく
きわめて高精度なものとなる。主電極１５ａ，１５ｂ
は、例えばジメット（銅の表面に酸化銅膜が形成されて
いるもの）により形成されている。主電極１５ａ，１５
ｂの外面には、リード線１６ａ，１６ｂが接続されてい
る。

【００２５】図１（Ｂ）では、補助電極１４ａ，１４ｂ
と主電極１５ａ，１５ｂが筒体内に収納され密封された
構造となっている。すなわち、補助電極１４ａと１４ｂ
とが絶縁層１７を介して突き当てられ、さらに補助電極
１４ａ，１４ｂの両外端部に主電極１５ａと１５ｂが突
き当てられた状態で、これらがガラスの筒体１２の内部
に収納され、リード線１６ａ，１６ｂが筒体１２の外部
へ延出された状態で、筒体１２の内部が真空引きされ、
且つアルゴンなどの不活性ガスと置換される。これによ
り主電極１５ａ，１５ｂの外周面が筒体１２の内面に密
着する。

【００２６】この状態で、筒体１２を所定のプロファイ
ルで加熱すると、筒体１２は主電極１５ａ，１５ｂのジ
メットと融着し、筒体１２の熱収縮により１５ａと１４
ａ，１４ａ1と１７，１４ｂと１５ｂとが圧接され接合
状態とすることができる。このとき主電極１５ａ，１５
ｂと筒体１２を接着剤などで固定密封してもよく、また
補助電極１４ａ，１４ｂと主電極１５ａ，１５ｂとを導
電性接着剤で固着してもよい。このサージアブソーバ１
１ａはガラスの筒体１２の内部が真空に近い低圧であ
り、またアルゴンガスなどが封入された雰囲気となって
いる。

【００２７】このサージアブソーバ１１ａでは、補助電
極１４ａの凸部１４ａ1と１４ｂとが絶縁層１７を介し
て接合され、この絶縁層１７が接合部において平滑で且
つ膜厚（層厚）が均一であり、またこの膜厚が高精度に
設定可能である。したがって、放電開始電圧のばらつき
の小さいものとなる。また複数の凸部１４ａ1の端面の
面積は、補助電極１４ａ全体の端面の面積よりも小さい
ため、絶縁層１７が形成されたギャップ部分での静電容
量Ｃを低下させることができる。よってギャップ部分の
静電容量Ｃと補助電極の抵抗値Ｒ0で決まる時定数（τ
0）を小さくでき、ギャップ部分での放電開始時間（τ
a）を短くし、応答時間（τ）を短縮できる。

【００２８】また隣接する複数の凸部１４ａ1間の隙間
（α）は、Ｙ−Ｚの全ての方向において凸部１４ａ1で
密閉されておらず、この隙間（α）は、補助電極１４ａ
と１４ｂの外周の筒体１２の内部空間（β）に連通して
いる。したがって、全ての凸部１４ａ1はその外周の全
面が筒体１２内の同じ雰囲気に接している。主電極１５
ａと１５ｂとの間にサージが印加されると、絶縁層１７
が設けられているギャップの部分で凸部１４ａ1と補助
電極１４ｂ間で放電が開始されるが、この放電開始電圧
はギャップ長Ｇのみならず圧力などの雰囲気に影響され
る。凸部１４ａ1の周囲において筒体１２の内部空間
（β）の雰囲気と接していない密閉された部分がある
と、この密閉された部分と内部空間（β）に接している
部分とで放電開始の条件が相違し、これによって放電開
始電圧にばらつきが生じるおそれがある。しかし図１に
示すものでは、全ての凸部１４ａ1のその全周が筒体１
２内の同じ雰囲気に接しているため、凸部１４ａ1と補
助電極１４ｂとのギャップ部分に発生する放電が安定
し、放電開始時間のばらつきの小さいものとなる。

【００２９】また、図１（Ｂ）に示すように、凸部１４
ａ1は、補助電極１４ａと１４ｂのそれぞれの外側面
（ロ）よりも中心側に入り込んだ位置に形成されてい
る。一方絶縁層１７の縁部（ハ）は前記外側面（ロ）と
同一面である。よって凸部１４ａ1の側面と、絶縁層１
７の縁部（ハ）との間には段差が形成され、凸部１４ａ
1の側面と相手側の補助電極１４ｂの外側面（ロ）との
間での回り込みの距離Ｌが長くなっている。よって、補
助電極１４ａと１４ｂ間で放電が開始され、この放電が
補助電極１４ａと１４ｂを伝わっていく際に、スパッタ
現象により、補助電極１４ａと１４ｂから打ちだされた
導電性材料が絶縁層１７の縁部（ハ）に堆積しても、こ
の導電性材料により凸部１４ａ1と補助電極１４ｂとが
短絡しにくい構造となっている。よってサージの印加が
繰返されても、凸部１４ａ1と補助電極１４ｂとが短絡
されず、使用寿命が長くなる。

【００３０】また、図２に示すサージアブソーバ１１ｂ
のように、補助電極１４ａの接合端面に、一方向に延び
る矩形状の凸部１４ａ2が複数条形成されたものであっ
てもよい。この構造でも、凸部１４ａ2は絶縁層１７を
介して相手側の補助電極１４ｂに接合されている。凸部
１４ａ2の面積を小さくしていることによりギャップ部
分の静電容量Ｃを小さくして放電開始時間を短くでき、
また凸部１４ａ2の側面と、絶縁層１７の縁部との間に
段差が形成されているため、凸部１４ａ2の側部と補助
電極１４ｂの外側面との間に導電性材料が堆積しにくい
ものとなっている。

【００３１】さらに図３に示すサージアブソーバ２１の
ように、円柱形状の補助電極２４ａと２４ｂが設けら
れ、一方の補助電極２４ａに円形の凸部２４ａ1が形成
され、他方の補助電極２４ｂに絶縁層１７が形成され、
凸部２４ａ1が絶縁層１７を介して補助電極２４ｂに接
合されたものであってもよい。

【００３２】また、図４に示すように、補助電極３４が
一方の主電極１５ａ側にのみ設けられ、補助電極３４の
接合端面３４ａに複数の凸部３４ａ1が形成され、この
凸部３４ａ1が絶縁層１７を介して主電極１５ｂに接合
されているものであってもよい。この構造では、一方の
補助電極が無いため、ギャップ部分から主電極１５ｂま
での電気抵抗値が低下する。放電開始時間を決めている
時定数はギャップ部分の容量Ｃと補助電極の電気抵抗Ｒ
0の積で求められるが、図４では容量Ｃのみならず抵抗
Ｒ0も小さくなるため、時定数（τ0）がさらに小さくな
り、放電開始時間を短縮できるものとなる。さらに、サ
ージアブソーバ全体の寸法も小さくすることが可能とな
る。

【００３３】また、補助電極に形成される凸部は、細か
な点形状で多数分散して形成されているものであっても
よい。ところで、補助電極端面部に設けられた前記凸部
が放電開始時の電子放出部となることから、放電開始
後、主電極間がアークで橋絡するまでの時間を短くする
ためには、前記凸部の形成位置を補助電極端面部の外周
側に近いところにするのが好ましく、したがって前記凸
部が補助電極端面の中心領域を除く外周側にのみ形成さ
れているものであってもよい。

【００３４】

【発明の効果】以上のように本発明では、補助電極と補
助電極または補助電極と主電極とが絶縁層を介して接合
された放電開始電圧の安定したサージアブソーバにおい
て、補助電極の接合面積を小さくすることにより、時定
数を小さくし、応答速度を短縮できる。また、凸部と絶
縁層の縁部との間に段差を設けることにより、スパッタ
現象による導電性材料が堆積して凸部と相手側の補助電
極または主電極とが短絡するまでの寿命を大幅に向上で
きる。また全ての凸部が同じ雰囲気に接する構造とする
ことにより、放電開始電圧のばらつきが生じるのを防止
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のサージアブソーバの第１の構成例を示
し、（Ａ）は内部構造の斜視図、（Ｂ）は（Ａ）が筒体
内に装着された状態の拡大断面図、

【図２】第２の構成例の内部構造を示す斜視図、

【図３】第３の構成例の内部構造を示す斜視図、

【図４】第４の構成例の内部構造を示す側面図、

【図５】従来のギャップ方式のサージアブソーバの構造
を示す斜視図、

【図６】従来の他のサージアブソーバの全体構造を示す
断面図、

【符号の説明】

１１ａ，１１ｂ，２１サージアブソーバ１２筒体１４ａ，１４ｂ，２４ａ，２４ｂ，３４補助電極１４ａ1，１４ａ2，２４ａ1，３４ａ1 凸部１５ａ，１５ｂ主電極１６ａ，１６ｂリード線１７絶縁層Ｇギャップ長

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】間隔を開けて配置された主電極と、主電
極に導通される補助電極とを有し、補助電極間または主
電極と補助電極間にギャップが形成されているサージア
ブソーバにおいて、前記補助電極の端面にはこの端面の
面積よりも小さい凸部が少なくとも１つ以上形成されて
おり、この凸部が他方の補助電極または主電極に対し絶
縁層を介して接合され、この絶縁層が介在した部分が前
記ギャップとなっていることを特徴とするサージアブソ
ーバ。
【請求項２】補助電極に形成された凸部の側面と、こ
の凸部が接合されている絶縁層の縁部との間に段差が形
成されている請求項１記載のサージアブソーバ。
【請求項３】補助電極に凸部が複数箇所形成されてお
り、隣接する凸部間の隙間が、補助電極の外周の空間に
連通されている請求項１または２記載のサージアブソー
バ。