JPH09199732A - トランジスタからなる製品 - Google Patents

トランジスタからなる製品

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JPH09199732A
JPH09199732A JP9003505A JP350597A JPH09199732A JP H09199732 A JPH09199732 A JP H09199732A JP 9003505 A JP9003505 A JP 9003505A JP 350597 A JP350597 A JP 350597A JP H09199732 A JPH09199732 A JP H09199732A
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JP
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thin film
film transistor
transistor
thiophene
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JP9003505A
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Joerg Baumbach
バウムバッチ ジョアーグ
Dodabalapur Ananth
ドダバラプール アナンス
Edan Katz Howard
エダン カッツ ハワード
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Nokia of America Corp
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Lucent Technologies Inc
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の有機ｎ−チャネルＴＦＦＥＴが有する
技術的問題を解決した相補型有機薄膜トランジスタを提
供する。 【解決手段】 無機ｎ−チャネル薄膜ＴＦＴと有機ｐ−
チャネルＴＦＴを有する相補型回路は、従来の相補型無
機ＴＦＴ又は相補型有機ＴＦＴの欠点を被ることなく、
優れた特性を示す。ｎ−チャネル無機ＴＦＴはアモルフ
ァスＳｉ活性層を有し、ｐ−チャネル有機ＴＦＴはα−
ヘキサチエニレン（α−６Ｔ）活性層を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は相補型薄膜トランジ
スタからなる製品に関する。更に詳細には、本発明は有
機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）からなる製品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】米国特許第５３４７１４４号明細書に開
示されているように、有機ＴＦＴは公知である。しか
し、最近まで、達成可能なデバイス性能（例えば、ＯＮ
／ＯＦＦ比）は、最も期待された用途（例えば、アクテ
ィブ・マトリックス型液晶ディスプレイ）では不十分で
あった。A.R.Brown(Science, Vol.270, p.972, Nobembe
r1995)はポリマートランジスタから製造された論理ゲー
トを開示している。
【０００３】最近、ＯＮ／ＯＦＦ電流比が＞１０6であ
り、かつ、スイッチング速度が約１０μｓである有機Ｔ
ＦＴ（更に特定的には、有機ＴＦフィールド効果トラン
ジスタ又はＴＦ−ＦＥＴ）を製造できることが実証され
た。この事実は、A.Dodabalapur et al., Science, Vo
l.268, p.270 (1995), H.E.Katz et al., Proceedingso
f the PMSE Division of the American Chemical Socie
ty, Vol. 72, p.467 (1995)及び米国特許出願第０８／
３５３０２４号明細書、同第０８／３５３０３２号明細
書などに開示されている。
【０００４】更に最近になって、所定のデバイスがバイ
アス条件に応じて、ｎ−チャネル又はｐ−チャネルデバ
イスとして機能できるように、有機ＴＦＦＥＴをデザイ
ンできることが発見された。この事実は、米国特許出願
第０８／４４１１４２号明細書及びA.Dodabalapur et a
l., Science, Vol.269, p.1560 (Sept. 1995)に開示さ
れている。
【０００５】当業者に明確に理解されるように、米国特
許出願第０８／４４１１４２号明細書に記載された有機
ＴＦＦＥＴを併用することにより、低消費電力と簡単な
回路設計の付帯的利点を有する相補型回路を形成でき
る。
【０００６】米国特許出願第０８／４４１１４２号明細
書に記載された有機ＴＦＦＥＴは、有機ｐ−チャネル材
料（例えば、α−ヘキサチエニレン又はα−６Ｔ）及び
有機ｎ−チャネル材料（例えば、Ｃ60）から構成されて
いる。α−６Ｔは比較的安定な材料であり、多くの無機
半導体よりも容易にｐ−タイプの形で蒸着させることが
できるが、ｎ−チャネル材料として機能するように製造
されたＣ60及びその他の有機材料は、一般的に、空気中
で使用されると、分解されてしまう。
【０００７】従って、このようなデバイスは、ほどよい
寿命を得るために、一般的に、特別な製造技術及び／又
は注意深いパッケージングを必要とする。このような製
造及びパッケージング要件はコスト高を招く主因とな
る。従って、相補型有機ＴＦＦＥＴについて予想される
多くの低コスト用途には適さない。ハーメティック・パ
ッケージング要件は、回路の適正な柔軟性を往々にして
必要とするスマートカード又はＲＦ識別タグのような企
図用途にさえも適さない。
【０００８】少なくとも、有機ｎ−チャネルＴＦＦＥＴ
が有する前記の技術的困難性が解決されるまで、有機ｎ
−チャネルＴＦＦＥＴ及び無機ｐ−チャネルＴＦＦＥＴ
に現に典型的に付随する問題を受けることなく、公知の
ｐ−チャネル有機ＴＦＦＥＴ及びｎ−チャネル無機ＴＦ
ＦＥＴ（例えば、アモルファスＳｉＴＦＦＥＴ）の優れ
た特性の利点を有することができる相補型回路に関する
利用可能な技術の開発が強く求められる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、従来の有機ｎ−チャネルＴＦＦＥＴが有する技術的
問題を解決した相補型有機薄膜トランジスタを提供する
ことである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題は、少なくとも
第１及び第２のトランジスタからなり、２つのトランジ
スタは相互に接続されて動作することからなる、スマー
トカード、ＲＦ識別タグ、アクティブ・マトリックス液
晶ディスプレイ、ランダム・アクセス・メモリ、リード
・オンリー・メモリなどのような製品により解決され
る。第１のトランジスタはｎ−チャネルトランジスタで
あり、第２のトランジスタはｐ−チャネルトランジスタ
である。
【００１１】従って、製品は相補型トランジスタ（例え
ば、非常に多数のｎ−チャネルトランジスタ及び非常に
多数のｐ−チャネルトランジスタ）を有する回路から構
成される。トランジスタは常用の手段により相互に接続
されて動作する。また、この製品は、トランジスタに電
力（電気信号も含む）を供給する手段も有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】ｎ−チャネルトランジスタは無機
薄膜トランジスタであり、例えば、アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ、Ｔｉ
Ｏ2、ＺｎＯ及びＣｕ2Ｓからなる群から選択される材料
からなる。ｐ−チャネルトランジスタは有機ＴＦＴであ
る。
【００１３】ｐ−チャネル有機ＴＦＴの活性層は、例え
ば、 i) ２〜５個の炭素原子を介して結合された、オリゴ重
合度が４以上８以下の、チオフェンのオリゴマー、 ii)２〜５個の炭素原子を介して結合された、３〜６個
のチオフェン環と末端基としてチオフェンを有するビニ
レンと、チエニレンとの交互共オリゴマー、 iii)ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン
の線状ダイマー及びトリマー、 iv)末端のチオフェンの４個又は５個の炭素原子上に置
換基（例えば、炭素原子を１〜２０個有するアルキル置
換基）を有する前記オリゴマー、 v)テトラセン、ペンタセン及びこれらの末端置換誘導
体、及び vi)ポリマーマトリックス中のｐ，ｐ’−ジアミノビフ
ェニル複合体、からなる群から選択される。
【００１４】従って、本発明による製品は、ハイブリッ
ドタイプの相補型ＴＦＴからなる。従って、この製品
は、無機ＴＦＴと有機ＴＦＴの両方の技術の好都合な特
徴を併せ持つ。ｐ−チャネル（有機）ＴＦＴの活性層は
α−６Ｔであることが好ましく、また、ｎ−チャネル
（無機）ＴＦＴの活性層はアモルファスシリコン（ａ−
Ｓｉ）であることが好ましい。
【００１５】ｐ−チャネル有機ＴＦＴとｎ−チャネル無
機ＴＦＴからなるハイブリッド薄膜技術は有利な特徴
（例えば、比較的優れた空気中における安定性、適度に
高い担体移動度）を示し、一方、従来技術の幾つかの欠
点（例えば、有機ｎ−チャネル材料の相対的な不安定
性、低ｎ−チャネル移動度）を避けることができる。明
確にするため、本発明の好ましい実施例として、ａ−Ｓ
ｉ（ｎ−チャネル）ＴＦＴ及びα−６Ｔ（ｐ−チャネ
ル）ＴＦＴからなる製品を挙げて、以下詳細に説明す
る。
【００１６】
【実施例】図１は相補型インバータ回路１０のブロック
図である。ｎ−チャネルａ−ＳｉＴＦＴ１１はガラス基
板上に形成される。ｎ−チャネルＴＦＴのチャネル寸法
は例えば、幅が約８μｍ、長さが約９μｍである。最終
のデバイスを、常用の技法を用いて、ＴＯ−８ヘッダ中
に密封した。ｐ−チャネルα−６ＴＴＦＴ１２は熱酸化
されたｎ−タイプＳｉウエハ上に作成される。Ｓｉはゲ
ート接点として機能し、ＳｉＯ2はゲート誘電体として
機能する。
【００１７】金ソース及びドレインパッドをＳｉＯ2の
上面に、光リソグラフィー方法により画成した。図示さ
れたｐ−チャネルＴＦＴのチャネル長さ及び幅はそれぞ
れ、２５μｍ及び２５０μｍである。有機ＴＦＴを完成
させるために、１０-6Torrの圧力で、前記の構造体上に
α−６Ｔを昇華させた。ソース及びドレインに対する電
気的接点を薄膜（例えば、５０ｎｍ）のα−６Ｔ層によ
り形成した。
【００１８】図２及び図３はそれぞれ、ｎ−チャネルＴ
ＦＴ及びｐ−チャネルＴＦＴの電流−電圧特性を示す特
性図である。図中、ＩDSはドレイン−ソース電流を示
し、ＶDSはドレイン−ソース電圧を示し、ＶGSはゲート
−ソース電圧を示す。ａ−ＳｉＴＦＴの電界効果移動度
は０．１〜１ｃｍ2／Ｖ・ｓの範囲内である。α−６Ｔ
ＴＦＴの電界効果移動度は０．０１〜０．０３ｃｍ2／
Ｖ・ｓの範囲内である。
【００１９】ａ−ＳｉＴＦＴ及びα−６ＴＴＦＴのスレ
ッショルド電圧はそれぞれ〜４Ｖ及び２００ｍｅＶであ
る。ｎ−チャネル及びｐ−チャネルトランジスタのチャ
ネル寸法は、ドレイン電流が、ドレイン−ソース電圧及
びゲート電圧の同様な絶対値に概ね等しい値となるよう
に選択される。しかし、デバイスのチャネル寸法は、使
用されるリソグラフィー法又はパターン付け方法により
限定されるレベルまでスケールダウンすることができ
る。前記の合成及び精製方法を使用し、１．５μｍ程度
の小さなチャネル長さを有するα−６ＴＴＦＴを形成し
た。このα−６ＴＴＦＴは図３に示された電流−電圧特
性と同様な特性を有する。
【００２０】図１に示されるような前記のデバイスを相
互接続することにより相補型インバータを作成した。ｐ
−チャネルα−６ＴＴＦＴはロードトランジスタとして
機能する。得られたインバータを様々な条件下でテスト
した。電源電圧を５〜１８Ｖの範囲内で変化させ、伝達
特性を測定した。図４は、７．２Ｖの電源電圧に関する
伝達特性を示す特性図である。
【００２１】入力電圧Ｖinが低い値の場合、（ゲート−
ソース電圧が負なので）ｐ−チャネルα−６Ｔロードト
ランジスタはＯＮし、ｎ−チャネルはＯＦＦする。出力
電圧Ｖoutは電源電圧に概ね等しい。Ｖinが増大するの
に応じて、ｎ−チャネルａ−Ｓｉトランジスタは徐々に
ターンオンする。Ｖinが更に増大すると、ｐ−チャネル
デバイスはターンオフし、ｎ−チャネルデバイスは完全
にターンオンする。５Ｖ程度の低い電源電圧でも同様な
挙動が示された。
【００２２】ＭＩＣＲＯＣＡＰ（登録商標）のソフトウ
エアツールを用いてインバータ回路をシミュレーション
した。ｎ−チャネルトランジスタ及びｐ−チャネルトラ
ンジスタのデバイス特性をプログラムに入力し、伝達特
性をシミュレーションした。実験データポイントと共
に、シミュレーション結果を図４に示す。ＶT＝３．７
Ｖにおける理論値と実験値との間の優れた一致が得られ
た。この電圧は、デバイスの測定されたスレッショルド
電圧に非常に近い値である。このシミュレーションは、
このスレッショルド電圧が下がるにつれて、インバータ
は低電源電圧で動作できることも示している。
【００２３】本発明による相補型回路の重要な特徴は、
共通基板上に配列されたｎ−チャネルＴＦＴ及びｐ−チ
ャネルＴＦＴの双方を有する集積回路の形での製造適性
である。以下、この製造方法について説明する。例え
ば、図１に示されたタイプの集積インバータ回路を製造
するために、この方法を使用することができる。インバ
ータは最も簡単な相補型回路なので、集積インバータ回
路の製造方法の有用性は、一層複雑な回路も所定の技法
により製造できることも示唆している。
【００２４】この製造方法は次のような重要なステップ
を有する。 １）適当な基板（例えば、ガラス又はプラスチック板）
を準備する。
【００２５】２）ゲート金属（例えば、Ｔａ、Ｃｒ、Ａ
ｌ）を蒸着及びパターン付けする。このゲートはｎ−チ
ャネルトランジスタ及びｐ−チャネルトランジスタの双
方に共通である。
【００２６】３）ゲート誘電体（例えば、液体ベースか
らスピンコート又は噴霧コートにより塗布することがで
きるポリイミド又はその他のポリマー）を被着させる。
一般的に、このポリマーは被着後に硬化される。例え
ば、ＳＥ−１１８０の商品名で日産化学（株）から市販
されている、予めイミド化されたポリイミドを使用する
ことが好ましい。誘電体は４０００ＲＰＭの回転速度で
スピンコートし、１２０℃で２時間かけて硬化させる。
単一の塗膜の膜厚は約７０ｎｍである。或る場合には、
２層塗膜も使用できる。
【００２７】４）ドープされていないａ−Ｓｉを（例え
ば、プラズマＣＶＤ又はＲＦスパッタリング法により）
蒸着させ、そして、パターン付けする。この材料はｎ−
チャネルトランジスタの活性層を形成する。ｎ−チャネ
ル領域以外の殆どの箇所から不要の材料をエッチングに
より除去する。
【００２８】５）分離層（例えば、ＳｉＮ、ポリイミド
又はその他のアイソレータ）を被着させる。この層は、
ｎ−チャネルトランジスタのソースとドレイン領域間の
電気的短絡を防止するために使用される。例えば、ＲＮ
−８１２の商品名で日産化学（株）から市販されている
ポリイミドを使用することが好ましい。このポリイミド
は約１μｍの膜厚の薄膜を形成し、優れた絶縁特性を示
す。
【００２９】６）絶縁層をパターン付けする。ｎ−チャ
ネルデバイスのソース及びドレインとなる領域にウイン
ドウを画成し、ｎ−チャネルデバイスの活性領域以外の
領域内の絶縁層材料を除去する。
【００３０】７）ｎ+ａ−Ｓｉを（例えば、プラズマＣ
ＶＤ又はスパッタリング法により）蒸着する。この材料
は、ドープされていないａ−Ｓｉ活性層に電気的接点を
形成するために使用される。
【００３１】８）ソースとドレインとの間を短絡させな
いために、ｎ+ａ−Ｓｉ層をパターン付けする。（例え
ば、ゲート領域内の分離層にウインドウを開設すること
によりパターン付けする。）
【００３２】９）ソース／ドレイン接点金属（例えば、
Ａｌ）を蒸着し、パターン付けする。金属は、ｎ−チャ
ネルデバイスのソースとドレインが一緒に短絡されない
ようにパターン付けされる。また、この金属は、回路内
のｎ−チャネルトランジスタとｐ−チャネルトランジス
タを接続させるようにパターン付けされる。従って、こ
の金属は、（未だ画成されていない）ｐ−チャネルデバ
イスに向かって或る程度まで延ばされている。そして、
その後、ｐ−チャネルデバイスのソース接点を形成す
る。
【００３３】１０）有機活性層（次のステップで蒸着さ
れる）からソース／ドレイン金属を分離するために、Ｓ
ｉＮ、ポリイミド又はその他のアイソレータを蒸着す
る。ｐ−チャネルトランジスタの活性領域上のポリイミ
ドを除去し、パターン付けする。
【００３４】１１）有機活性材料（例えば、α−６Ｔ）
を蒸着する。（例えば、真空昇華により蒸着する。）
【００３５】１２）ｐ−チャネルトランジスタのドレイ
ン接点金属（例えば、Ａｕ、Ａｇ）を（例えば、スパッ
タリング法又は真空蒸着法）により蒸着し、そしてパタ
ーン付けする。この材料層は正供給電源にも接続され
る。
【００３６】１３）回路及びデバイスを保護するため
に、最終のパッシベーション層（例えば、ＳｉＮ、ポリ
イミド）を被着させる。
【００３７】図５〜９は前記の製造方法を例証する模式
図である。図５において、符号５０〜５３は、それぞれ
基板、共通ゲート金属、ゲート誘電体及びパターン付き
非ドープａ−Ｓｉを示す。図６において、符号５４はパ
ターン付き分離層を示し、符号５５はパターン付きｎ+
ａ−Ｓｉ層を示す。図７において、符号５６はパターン
付きソース／ドレイン金属層を示す。
【００３８】図８において、符号５７はパターン付き分
離層を示し、符号５８は有機活性層（例えば、α−６
Ｔ）を示し、符号５９はｐ−チャネルトランジスタのド
レイン接点を示し、符号６０は最終パッシベーション層
を示す。最後に、図９は本発明によるインバータの層構
造を示す概要断面図である。図９では、様々な電圧（例
えば、電源電圧Ｖsupply、接地、入力電圧Ｖin及び出力
電圧Ｖout）も示されている。
【００３９】好ましい実施態様では、基板５０はＫＡＰ
ＴＯＮ（登録商標）であり、ゲート金属層５１は膜厚５
０ｎｍのＴａであり、ゲート誘電体層５２は膜厚が約７
０ｎｍの前記ポリイミドであり、パターン付き活性ｎ−
チャネル材料５３は膜厚が約１００ｎｍの非ドープアモ
ルファスＳｉ（２５０℃でプラズマＣＶＤ法により基板
上に蒸着され、プラズマエッチングによりパターン付け
される）である。
【００４０】膜厚１μｍのポリイミド（前記のＲＮ−８
１２を使用）分離層を蒸着し、酸素プラズマ（３００mT
orr、室温）中でエッチングし、パターン付き分離層５
４を得た。膜厚５０ｎｍのｎ+ａ−Ｓｉ層５５をプラズ
マＣＶＤ法により蒸着し、パターン付けした。ソース／
ドレイン接点（膜厚５０ｎｍのＡｌ）５６を蒸着し、パ
ターン付けした。
【００４１】この金属は、回路内のｎ−チャネルトラン
ジスタ及びｐ−チャネルトランジスタを接続するために
も使用される。このため、この金属は、ｐ−チャネルト
ランジスタに方向に向かって若干延ばされており、そし
て、ｐ−チャネルトランジスタのソース接点を形成す
る。
【００４２】膜厚１μｍの前記のポリイミド層５７をス
ピンコートし、ｐ−チャネルトランジスタ付近の領域か
らエッチングして取り除いた。膜厚５０ｎｍのα−６Ｔ
層５８を、マスキング又はパターン付けすることなく、
昇華法により蒸着した。ｐ−チャネルトランジスタのド
レイン接点（膜厚５０ｎｍのＡｌ）５９をスパッタリン
グ法により蒸着し、パターン付けした。最終ポリイミド
パッシベーション膜６０をスピンコートした。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による製品
は、ハイブリッドタイプの相補型ＴＦＴからなる。従っ
て、本発明のｐ−チャネル有機ＴＦＴとｎ−チャネル無
機ＴＦＴからなるハイブリッド相補型ＴＦＴは有利な特
徴（例えば、比較的優れた空気中における安定性、適度
に高い担体移動度）を示し、一方、従来技術の幾つかの
欠点（例えば、有機ｎ−チャネル材料の相対的な不安定
性、低ｎ−チャネル移動度）を避けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるインバータの相補型回路の一例の
概要ブロック図である。
【図２】ｎ−チャネルａ−ＳｉＴＦＴの一例の電流−電
圧特性を示す特性図である。
【図３】ｐ−チャネルα−６ＴＴＦＴの一例の電流−電
圧特性を示す特性図である。
【図４】電源電圧が７．２Ｖにおけるインバータの一例
の伝達特性を示す特性図である。
【図５】本発明による集積相補型回路の製造方法の一例
の重要なステップを示す模式図である。
【図６】本発明による集積相補型回路の製造方法の一例
の重要なステップを示す模式図である。
【図７】本発明による集積相補型回路の製造方法の一例
の重要なステップを示す模式図である。
【図８】本発明による集積相補型回路の製造方法の一例
の重要なステップを示す模式図である。
【図９】本発明による集積相補型回路の製造方法の一例
の重要なステップを示す模式図である。
【符号の説明】
１０ 相補型インバータ回路 １１ ｎ−チャネルトランジスタ １２ ｐ−チャネルトランジスタ ５０ 基板 ５１ ゲート金属層 ５２ ゲート誘電体層 ５３ パターン付き活性ｎ−チャネル層 ５４ パターン付き分離層 ５５ ｎ+ａ−Ｓｉ層 ５６ ソース／ドレイン接点 ５７ ポリイミド層 ５８ α−６Ｔ層 ５９ ドレイン接点 ６０ パッシベーション膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 アナンス ドダバラプール アメリカ合衆国，07946 ニュージャージ ー，ミリントン，ヒルトップ ロード 62 (72)発明者 ハワード エダン カッツ アメリカ合衆国，07901 ニュージャージ ー，サミット，バトラー パークウェイ 135

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ｎ−チャネルトランジスタとｐ−チャネ
    ルトランジスタが接続されて構成される製品において、 前記ｎ−チャネルトランジスタ（１１）は、無機薄膜ト
    ランジスタであり、 前記ｐ−チャネルトランジスタ（１２）は、有機薄膜ト
    ランジスタであることを特徴とするトランジスタからな
    る製品。
  2. 【請求項２】 無機薄膜トランジスタは、アモルファス
    Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、ＣｄＳｅ、ＴｉＯ2、ＺｎＯ及びＣ
    ｕ2Ｓからなる群から選択される金属からなる活性層か
    らなり、 有機薄膜トランジスタは、 i) ２〜５個の炭素原子を介して結合された、オリゴ重
    合度が４以上８以下の、チオフェンのオリゴマー、 ii)２〜５個の炭素原子を介して結合された、３〜６個
    のチオフェン環と末端基としてチオフェンを有するビニ
    レンと、チエニレンとの交互共オリゴマー、 iii)ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン
    の線状ダイマー及びトリマー、 iv)末端のチオフェンの４個又は５個の炭素原子上に置
    換基を有する前記i)、ii)及びiii)の何れかのオリゴマ
    ー、 v)テトラセン、ペンタセン及びこれらの末端置換誘導
    体、及び vi)ポリマーマトリックス中のｐ，ｐ’−ジアミノビフ
    ェニル複合体、からなる群から選択される材料からなる
    活性層からなる請求項１の製品。
  3. 【請求項３】 末端のチオフェンの４個又は５個の炭素
    原子上の置換基は炭素原子を１〜２０個有するアルキル
    置換基である請求項２の製品。
  4. 【請求項４】 前記第１及び第２のトランジスタは、相
    補型インバータ回路を形成するために、一緒に接続され
    て動作する請求項１の製品。
  5. 【請求項５】 無機薄膜トランジスタはアモルファスシ
    リコンからなる活性層からなる請求項１の製品。
  6. 【請求項６】 有機薄膜トランジスタは、α−ヘキサチ
    エニレンからなる活性層からなる請求項１の製品。
  7. 【請求項７】 無機薄膜トランジスタはアモルファスシ
    リコンからなる活性層からなる請求項６の製品。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004509458A (ja) * 2000-09-13 2004-03-25 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 有機データメモリ、有機データメモリによるｉｄタグ（ｒｆｉｄタグ）、および有機データメモリの使用法
JP2004125791A (ja) * 2002-09-25 2004-04-22 Stmicroelectronics Inc 有機半導体センサー装置
US6727522B1 (en) 1998-11-17 2004-04-27 Japan Science And Technology Corporation Transistor and semiconductor device
WO2005006449A1 (ja) * 2003-07-10 2005-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 有機薄膜トランジスタとその製造方法、及びそれを用いたアクティブマトリクス型のディスプレイと無線識別タグ
JP2005031651A (ja) * 2003-06-17 2005-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
JP2005120379A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Merck Patent Gmbh ポリ（ベンゾジチオフェン）
JP2006502589A (ja) * 2002-10-11 2006-01-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 透明酸化物半導体薄膜トランジスタ
WO2008099863A1 (ja) * 2007-02-16 2008-08-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 半導体，半導体装置及び相補型トランジスタ回路装置
JP2008252097A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Korea Advanced Inst Of Science & Technol 酸化チタニウムを活性層として有する薄膜トランジスタの製造方法およびその構造
WO2009028453A1 (ja) * 2007-08-31 2009-03-05 Konica Minolta Holdings, Inc. 薄膜トランジスタ
WO2010013621A1 (ja) * 2008-07-30 2010-02-04 住友化学株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JPWO2008099863A1 (ja) * 2007-02-16 2010-05-27 出光興産株式会社 半導体，半導体装置及び相補型トランジスタ回路装置
JP2011009413A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Seiko Epson Corp 半導体装置及び電子機器
US7880380B2 (en) 2003-06-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US7948291B2 (en) 2004-08-27 2011-05-24 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. Logic circuit

Families Citing this family (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6194167B1 (en) * 1997-02-18 2001-02-27 Washington State University Research Foundation ω-3 fatty acid desaturase
US5981970A (en) * 1997-03-25 1999-11-09 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic semiconductor requiring low operating voltages
US5796121A (en) * 1997-03-25 1998-08-18 International Business Machines Corporation Thin film transistors fabricated on plastic substrates
WO1999010939A2 (en) * 1997-08-22 1999-03-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
US6839158B2 (en) 1997-08-28 2005-01-04 E Ink Corporation Encapsulated electrophoretic displays having a monolayer of capsules and materials and methods for making the same
US7242513B2 (en) * 1997-08-28 2007-07-10 E Ink Corporation Encapsulated electrophoretic displays having a monolayer of capsules and materials and methods for making the same
EP1296280A1 (en) * 1997-09-11 2003-03-26 Precision Dynamics Corporation Rf-id tag with integrated circuit consisting of organic materials
AU2002301482B2 (en) * 1997-09-11 2004-06-10 Precision Dynamics Corporation Radio Frequency Identification Tag on Flexible Substrate
US5936259A (en) * 1997-10-16 1999-08-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistor and organic semiconductor material thereof
US5998805A (en) * 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6518949B2 (en) 1998-04-10 2003-02-11 E Ink Corporation Electronic displays using organic-based field effect transistors
CA2330950A1 (en) 1998-05-12 1999-11-18 E Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications
AU751935B2 (en) 1998-06-19 2002-08-29 Mathias Bonse An integrated inorganic/organic complementary thin-film transistor circuit and a method for its production
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6842657B1 (en) * 1999-04-09 2005-01-11 E Ink Corporation Reactive formation of dielectric layers and protection of organic layers in organic semiconductor device fabrication
US7030412B1 (en) 1999-05-05 2006-04-18 E Ink Corporation Minimally-patterned semiconductor devices for display applications
GB9914489D0 (en) * 1999-06-21 1999-08-25 Univ Cambridge Tech Transistors
AU7094400A (en) 1999-08-31 2001-03-26 E-Ink Corporation A solvent annealing process for forming a thin semiconductor film with advantageous properties
US6545291B1 (en) 1999-08-31 2003-04-08 E Ink Corporation Transistor design for use in the construction of an electronically driven display
US6284562B1 (en) * 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
EP1136942A1 (de) * 2000-03-22 2001-09-26 Infineon Technologies AG Schaltungsanordnung zum Schützen einer Schaltung gegen Analyse und Manipulation
US7893435B2 (en) 2000-04-18 2011-02-22 E Ink Corporation Flexible electronic circuits and displays including a backplane comprising a patterned metal foil having a plurality of apertures extending therethrough
JP2003531487A (ja) * 2000-04-18 2003-10-21 イー−インク コーポレイション 薄膜トランジスタを製造するためのプロセス
KR20010097351A (ko) * 2000-04-21 2001-11-08 구자홍 액티브 구동 유기 전계발광소자 제조방법
US20020031602A1 (en) * 2000-06-20 2002-03-14 Chi Zhang Thermal treatment of solution-processed organic electroactive layer in organic electronic device
US6683333B2 (en) 2000-07-14 2004-01-27 E Ink Corporation Fabrication of electronic circuit elements using unpatterned semiconductor layers
DE10034873B4 (de) * 2000-07-18 2005-10-13 Pacifica Group Technologies Pty Ltd Verfahren und Bremsanlage zum Regeln des Bremsvorgangs bei einem Kraftfahrzeug
JP2004506985A (ja) 2000-08-18 2004-03-04 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 封入された有機電子構成素子、その製造方法および使用
JP2004507096A (ja) * 2000-08-18 2004-03-04 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 有機電界効果トランジスタ（ｏｆｅｔ），該有機電界効果トランジスタの製造方法、前記有機電界効果トランジスタから形成される集積回路、及び該集積回路の使用
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
DE10044842A1 (de) * 2000-09-11 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters
US20040026121A1 (en) * 2000-09-22 2004-02-12 Adolf Bernds Electrode and/or conductor track for organic components and production method thereof
DE10061299A1 (de) * 2000-12-08 2002-06-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu
DE10061297C2 (de) * 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
DE10063721A1 (de) * 2000-12-20 2002-07-11 Merck Patent Gmbh Organischer Halbleiter, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen
DE10105914C1 (de) 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
US6692662B2 (en) * 2001-02-16 2004-02-17 Elecon, Inc. Compositions produced by solvent exchange methods and uses thereof
DE10126860C2 (de) * 2001-06-01 2003-05-28 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
US6967640B2 (en) * 2001-07-27 2005-11-22 E Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic display with integrated driver
US6433359B1 (en) 2001-09-06 2002-08-13 3M Innovative Properties Company Surface modifying layers for organic thin film transistors
DE10151036A1 (de) * 2001-10-16 2003-05-08 Siemens Ag Isolator für ein organisches Elektronikbauteil
DE10151440C1 (de) * 2001-10-18 2003-02-06 Siemens Ag Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
US6617609B2 (en) 2001-11-05 2003-09-09 3M Innovative Properties Company Organic thin film transistor with siloxane polymer interface
US6946676B2 (en) * 2001-11-05 2005-09-20 3M Innovative Properties Company Organic thin film transistor with polymeric interface
DE10160732A1 (de) * 2001-12-11 2003-06-26 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu
US6620657B2 (en) * 2002-01-15 2003-09-16 International Business Machines Corporation Method of forming a planar polymer transistor using substrate bonding techniques
US6900851B2 (en) 2002-02-08 2005-05-31 E Ink Corporation Electro-optic displays and optical systems for addressing such displays
US6768132B2 (en) 2002-03-07 2004-07-27 3M Innovative Properties Company Surface modified organic thin film transistors
DE10212640B4 (de) * 2002-03-21 2004-02-05 Siemens Ag Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren
DE10212639A1 (de) * 2002-03-21 2003-10-16 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrukturierung von Funktionspolymeren und Verwendungen
US6667215B2 (en) 2002-05-02 2003-12-23 3M Innovative Properties Method of making transistors
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
US7189992B2 (en) * 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
DE10226370B4 (de) * 2002-06-13 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)
JP4136482B2 (ja) * 2002-06-20 2008-08-20 キヤノン株式会社 有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置
US8044517B2 (en) 2002-07-29 2011-10-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic component comprising predominantly organic functional materials and a method for the production thereof
EP1526902B1 (de) * 2002-08-08 2008-05-21 PolyIC GmbH & Co. KG Elektronisches gerät
JP2005537637A (ja) 2002-08-23 2005-12-08 ジーメンス アクツィエンゲゼルシャフト 過電圧保護用の有機構成部品および関連する回路
JP2004152958A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Pioneer Electronic Corp 有機半導体装置
CN1726604A (zh) * 2002-11-05 2006-01-25 波尔伊克两合公司 具有高分辨率结构的有机电子元件及其制造方法
DE10253154A1 (de) 2002-11-14 2004-05-27 Siemens Ag Messgerät zur Bestimmung eines Analyten in einer Flüssigkeitsprobe
EP1563553B1 (de) 2002-11-19 2007-02-14 PolyIC GmbH & Co. KG Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu
KR100572926B1 (ko) * 2002-12-26 2006-04-24 삼성전자주식회사 폴리티에닐티아졸 유도체 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터
US20060125061A1 (en) * 2003-01-09 2006-06-15 Wolfgang Clemens Board or substrate for an organic electronic device and use thereof
DE10302149A1 (de) 2003-01-21 2005-08-25 Siemens Ag Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik
DE602004005824T2 (de) * 2003-01-28 2008-01-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Elektronische vorrichtung
GB2403848A (en) * 2003-07-08 2005-01-12 Seiko Epson Corp Semiconductor device
US7354127B2 (en) * 2003-07-16 2008-04-08 Seiko Epson Corporation Method for forming ejection-test pattern, method for testing ejection, printing apparatus, computer-readable medium, and printing system
DE10338277A1 (de) * 2003-08-20 2005-03-17 Siemens Ag Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität
DE10339036A1 (de) 2003-08-25 2005-03-31 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
DE10340644B4 (de) * 2003-09-03 2010-10-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik
DE10340643B4 (de) * 2003-09-03 2009-04-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht
US7122828B2 (en) * 2003-09-24 2006-10-17 Lucent Technologies, Inc. Semiconductor devices having regions of induced high and low conductivity, and methods of making the same
US8450723B2 (en) * 2003-11-04 2013-05-28 Alcatel Lucent Apparatus having an aromatic dielectric and an aromatic organic semiconductor including an alkyl chain
US7045470B2 (en) * 2003-11-04 2006-05-16 Lucent Technologies Inc. Methods of making thin dielectric layers on substrates
US7115900B2 (en) * 2003-11-26 2006-10-03 Lucent Technologies Inc. Devices having patterned regions of polycrystalline organic semiconductors, and methods of making the same
KR101007787B1 (ko) * 2003-12-08 2011-01-14 삼성전자주식회사 퀴녹살린환을 주쇄에 포함하는 유기박막 트랜지스터용유기반도체 고분자
KR100982122B1 (ko) * 2003-12-30 2010-09-14 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판의 불량 화소암점화 방법
DE102004002024A1 (de) * 2004-01-14 2005-08-11 Siemens Ag Organischer Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
US7385220B2 (en) * 2004-04-12 2008-06-10 Lucent Technologies Inc. Fiber having dielectric polymeric layer on electrically conductive surface
DE102004040831A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-09 Polyic Gmbh & Co. Kg Funketikettfähige Umverpackung
US7298084B2 (en) * 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
CA2585190A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
DE102004059465A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Erkennungssystem
DE102004059464A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbauteil mit Modulator
DE102004063435A1 (de) 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
DE102005009819A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
DE102005009820A1 (de) * 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
US7371605B2 (en) 2005-03-25 2008-05-13 Lucent Technologies Inc. Active organic semiconductor devices and methods for making the same
DE102005017655B4 (de) * 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035590A1 (de) * 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronisches Bauelement
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005042166A1 (de) * 2005-09-06 2007-03-15 Polyic Gmbh & Co.Kg Organisches Bauelement und ein solches umfassende elektrische Schaltung
DE102005044306A1 (de) * 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
EP3614442A3 (en) * 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
US7397072B2 (en) * 2005-12-01 2008-07-08 Board Of Regents, The University Of Texas System Structure for and method of using a four terminal hybrid silicon/organic field effect sensor device
US20070215863A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Lucent Technologies Inc. Fabricating apparatus with doped organic semiconductors
DE102006013605A1 (de) * 2006-03-22 2007-10-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Programmieren einer elektronischen Schaltung sowie elektronische Schaltung
KR101206659B1 (ko) 2006-09-21 2012-11-30 삼성전자주식회사 올리고머 화합물을 포함하는 유기반도체 조성물, 이를포함하는 유기 반도체층 형성용 조성물, 이를 이용한유기반도체 박막 및 유기 전자소자
KR101314931B1 (ko) * 2006-10-30 2013-10-04 삼성전자주식회사 유기 고분자 반도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 양극성 유기 박막 트랜지스터
KR101430260B1 (ko) 2007-01-24 2014-08-14 삼성전자주식회사 티아졸 함유 유기반도체 고분자, 이의 제조방법 및 이를이용한 유기박막트랜지스터
KR20080101229A (ko) * 2007-05-16 2008-11-21 삼성전자주식회사 액정성을 가지는 유기반도체 고분자, 이의 제조방법 및이를 이용한 유기박막트랜지스터
KR101377842B1 (ko) * 2007-11-08 2014-03-25 삼성전자주식회사 페닐렌 비닐렌-바이아릴렌 비닐렌 교호공중합체, 이의제조방법 및 이를 포함하는 유기박막 트랜지스터
KR101377924B1 (ko) 2007-11-08 2014-03-25 삼성전자주식회사 페닐렌 비닐렌-올리고아릴렌 비닐렌 교호공중합체, 이의제조방법 및 이를 포함하는 유기박막 트랜지스터
KR101450137B1 (ko) * 2008-01-25 2014-10-13 삼성전자주식회사 유기반도체용 공중합체 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터 및 유기 전자소자
US7821000B2 (en) 2008-02-01 2010-10-26 Alcatel-Lucent Usa Inc. Method of doping organic semiconductors
US8143093B2 (en) * 2008-03-20 2012-03-27 Applied Materials, Inc. Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer
KR101490112B1 (ko) * 2008-03-28 2015-02-05 삼성전자주식회사 인버터 및 그를 포함하는 논리회로
DE102008026216B4 (de) 2008-05-30 2010-07-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung
US8272458B2 (en) * 2008-06-12 2012-09-25 Nackerud Alan L Drill bit with replaceable blade members
US8258511B2 (en) 2008-07-02 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Thin film transistors using multiple active channel layers
US20110031489A1 (en) * 2009-06-19 2011-02-10 The Regents Of The University Of Michigan COMPLEMENTARY THIN FILM ELECTRONICS BASED ON ZnO/ZnTe
KR101693914B1 (ko) 2009-11-20 2017-01-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8212243B2 (en) * 2010-01-22 2012-07-03 Eastman Kodak Company Organic semiconducting compositions and N-type semiconductor devices
CN102544051A (zh) * 2011-08-31 2012-07-04 上海大学 有机互补反相器及其制备方法
CN103268918B (zh) * 2012-06-29 2016-06-29 上海天马微电子有限公司 双极性薄膜晶体管及其制造方法
CN103000632B (zh) * 2012-12-12 2015-08-05 京东方科技集团股份有限公司 一种cmos电路结构、其制备方法及显示装置
CN105742308B (zh) * 2016-02-29 2019-09-13 深圳市华星光电技术有限公司 互补型薄膜晶体管及其制造方法
CN106252362B (zh) * 2016-08-31 2019-07-12 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01259563A (ja) * 1988-04-08 1989-10-17 Mitsubishi Electric Corp 電界効果型トランジスタ
FR2664430B1 (fr) * 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
US5298455A (en) * 1991-01-30 1994-03-29 Tdk Corporation Method for producing a non-single crystal semiconductor device
US5612228A (en) * 1996-04-24 1997-03-18 Motorola Method of making CMOS with organic and inorganic semiconducting region

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6727522B1 (en) 1998-11-17 2004-04-27 Japan Science And Technology Corporation Transistor and semiconductor device
KR100436654B1 (ko) * 1998-11-17 2004-06-22 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 트랜지스터 및 반도체장치
US7064346B2 (en) 1998-11-17 2006-06-20 Japan Science And Technology Agency Transistor and semiconductor device
JP2004509458A (ja) * 2000-09-13 2004-03-25 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 有機データメモリ、有機データメモリによるｉｄタグ（ｒｆｉｄタグ）、および有機データメモリの使用法
JP2004125791A (ja) * 2002-09-25 2004-04-22 Stmicroelectronics Inc 有機半導体センサー装置
JP2006502589A (ja) * 2002-10-11 2006-01-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 透明酸化物半導体薄膜トランジスタ
US7880380B2 (en) 2003-06-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
JP2005031651A (ja) * 2003-06-17 2005-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
US9887241B2 (en) 2003-06-17 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US8917016B2 (en) 2003-06-17 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
WO2005006449A1 (ja) * 2003-07-10 2005-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 有機薄膜トランジスタとその製造方法、及びそれを用いたアクティブマトリクス型のディスプレイと無線識別タグ
JP2005120379A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Merck Patent Gmbh ポリ（ベンゾジチオフェン）
US8093935B2 (en) 2004-08-27 2012-01-10 Fuji Electric Co., Ltd. Logic circuit
US7948291B2 (en) 2004-08-27 2011-05-24 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. Logic circuit
DE112004002925B4 (de) * 2004-08-27 2015-05-13 Fuji Electric Co., Ltd Logikkreis
JPWO2008099863A1 (ja) * 2007-02-16 2010-05-27 出光興産株式会社 半導体，半導体装置及び相補型トランジスタ回路装置
US8129714B2 (en) 2007-02-16 2012-03-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, complementary transistor circuit device
WO2008099863A1 (ja) * 2007-02-16 2008-08-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 半導体，半導体装置及び相補型トランジスタ回路装置
JP2008252097A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Korea Advanced Inst Of Science & Technol 酸化チタニウムを活性層として有する薄膜トランジスタの製造方法およびその構造
WO2009028453A1 (ja) * 2007-08-31 2009-03-05 Konica Minolta Holdings, Inc. 薄膜トランジスタ
JP2010034343A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
WO2010013621A1 (ja) * 2008-07-30 2010-02-04 住友化学株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2011009413A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Seiko Epson Corp 半導体装置及び電子機器
US8643114B2 (en) 2009-06-25 2014-02-04 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and electronic apparatus

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