JPH09204697A - 光ディスクの保護膜形成方法及びその装置 - Google Patents
光ディスクの保護膜形成方法及びその装置Info
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- JPH09204697A JPH09204697A JP1007596A JP1007596A JPH09204697A JP H09204697 A JPH09204697 A JP H09204697A JP 1007596 A JP1007596 A JP 1007596A JP 1007596 A JP1007596 A JP 1007596A JP H09204697 A JPH09204697 A JP H09204697A
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- resin
- protective film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スピンコート法により樹脂製の保護膜を光デ
ィスクの基板上に形成する際に、基板の外周側面への樹
脂の液垂れやコート面の反対側への樹脂の回り込みがな
く、基板の外周側面の樹脂の盛り上がりのない保護膜の
形成方法及びそのための装置を提供する。 【解決手段】 光ディスクの基板上に保護膜を形成する
に際して、基板の外周側面の表面張力を２０ｄｙｎ／ｃ
ｍ以下にした後、スピンコート法により保護膜形成用の
樹脂を塗布する。
ィスクの基板上に形成する際に、基板の外周側面への樹
脂の液垂れやコート面の反対側への樹脂の回り込みがな
く、基板の外周側面の樹脂の盛り上がりのない保護膜の
形成方法及びそのための装置を提供する。 【解決手段】 光ディスクの基板上に保護膜を形成する
に際して、基板の外周側面の表面張力を２０ｄｙｎ／ｃ
ｍ以下にした後、スピンコート法により保護膜形成用の
樹脂を塗布する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク用基板
に保護膜を形成する方法及びそのための装置の改良に関
する。
に保護膜を形成する方法及びそのための装置の改良に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ポリカーボネート等の有機高分
子製の基板を用いた光磁気ディスク等の光ディスクの表
面には、取り扱い時等におけるディスク表面の傷つきを
防止するために保護膜が形成されている。このような光
ディスク、特に光磁気ディスクの保護膜を形成するため
の樹脂としては、従来より様々なものが提案されている
が、一般に紫外線硬化型樹脂がハードコート剤等として
広く使用されている。また、この保護膜の形成方法とし
ては一般にスピンコート法が使用されている。
子製の基板を用いた光磁気ディスク等の光ディスクの表
面には、取り扱い時等におけるディスク表面の傷つきを
防止するために保護膜が形成されている。このような光
ディスク、特に光磁気ディスクの保護膜を形成するため
の樹脂としては、従来より様々なものが提案されている
が、一般に紫外線硬化型樹脂がハードコート剤等として
広く使用されている。また、この保護膜の形成方法とし
ては一般にスピンコート法が使用されている。
【０００３】上記の紫外線硬化型樹脂をスピンコート法
により基板上に塗布して硬化させることによる保護膜の
形成は、一般に以下の手順で行われる。まず、基板を低
速で回転させながら所定量の樹脂をノズルから基板上に
吐出させる。次に、基板を静止させるか、又は基板を低
速で回転させて、吐出された樹脂を基板上に広げる。樹
脂がある程度基板上に広がった後、基板を高速で回転さ
せて過剰な樹脂を振り切る。その後、紫外線を照射して
塗布膜を硬化させることにより保護膜を形成する。
により基板上に塗布して硬化させることによる保護膜の
形成は、一般に以下の手順で行われる。まず、基板を低
速で回転させながら所定量の樹脂をノズルから基板上に
吐出させる。次に、基板を静止させるか、又は基板を低
速で回転させて、吐出された樹脂を基板上に広げる。樹
脂がある程度基板上に広がった後、基板を高速で回転さ
せて過剰な樹脂を振り切る。その後、紫外線を照射して
塗布膜を硬化させることにより保護膜を形成する。
【０００４】しかしながら、この方法では樹脂が基板の
端面に垂れ下がることがあり、ひどい場合には図４に示
すように樹脂を塗布した面（コート面）の反対側の面に
樹脂の回り込みが発生し、これが製品の欠陥につながる
ことがあった。
端面に垂れ下がることがあり、ひどい場合には図４に示
すように樹脂を塗布した面（コート面）の反対側の面に
樹脂の回り込みが発生し、これが製品の欠陥につながる
ことがあった。
【０００５】また、光ディスクの製造における樹脂製の
保護膜の形成方法には、基板を射出成形した後、読み出
し面側の保護膜を形成し、その後、記録膜等を形成した
後、記録面側の保護膜を形成する方法と、射出成形した
基板に記録膜等を形成した後、記録面側、読み出し面側
の順に保護膜を形成する方法とがあるが、いずれの場合
にも記録面側と読み出し面側の２種類の保護膜が基板の
外周側面で重なることがあり、条件によっては、図６に
示すように、後から形成した保護膜が基板の側面に盛り
上がりを形成することがある。この基板の側面における
樹脂の盛り上がりは、ひどい時には図６のｄ１が１３０
ミクロンに達することがある。
保護膜の形成方法には、基板を射出成形した後、読み出
し面側の保護膜を形成し、その後、記録膜等を形成した
後、記録面側の保護膜を形成する方法と、射出成形した
基板に記録膜等を形成した後、記録面側、読み出し面側
の順に保護膜を形成する方法とがあるが、いずれの場合
にも記録面側と読み出し面側の２種類の保護膜が基板の
外周側面で重なることがあり、条件によっては、図６に
示すように、後から形成した保護膜が基板の側面に盛り
上がりを形成することがある。この基板の側面における
樹脂の盛り上がりは、ひどい時には図６のｄ１が１３０
ミクロンに達することがある。
【０００６】一方、保護膜形成後の工程であるハブ付け
工程では、一般に基板の側面の数箇所をチャッキングし
てその基板のセンターサーチを行うため、前述の様な基
板側面の樹脂の盛り上がりがあると、基板のセンターサ
ーチが正常に遂行されず、歩留まりの低下をきたす要因
となっていた。
工程では、一般に基板の側面の数箇所をチャッキングし
てその基板のセンターサーチを行うため、前述の様な基
板側面の樹脂の盛り上がりがあると、基板のセンターサ
ーチが正常に遂行されず、歩留まりの低下をきたす要因
となっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、光磁気ディ
スク等の光ディスクの製造において、スピンコート法に
より樹脂製の保護膜を基板上に形成する際に、基板側面
への樹脂の液垂れやコート面の反対側への樹脂の回り込
みを防止することにより、基板側面で２種類の樹脂が重
なることを防止して、基板側面の樹脂の盛り上がりの発
生を防止することのできる保護膜の形成方法及びそのた
めの装置を提供することを目的としている。
スク等の光ディスクの製造において、スピンコート法に
より樹脂製の保護膜を基板上に形成する際に、基板側面
への樹脂の液垂れやコート面の反対側への樹脂の回り込
みを防止することにより、基板側面で２種類の樹脂が重
なることを防止して、基板側面の樹脂の盛り上がりの発
生を防止することのできる保護膜の形成方法及びそのた
めの装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、スピンコ
ート法により保護膜を基板上に形成する際に、基板側面
の表面張力を塗布される樹脂の表面張力よりも小さくす
ることにより、基板側面への樹脂の液垂れやコート面の
反対側への樹脂の回り込みを防止できること、さらに基
板側面への樹脂の液垂れを防止することにより、基板側
面で２種類の樹脂が重なることを防止して、基板側面の
樹脂の盛り上がりの発生を防止することができることを
見いだし、本発明を完成するに至った。
ート法により保護膜を基板上に形成する際に、基板側面
の表面張力を塗布される樹脂の表面張力よりも小さくす
ることにより、基板側面への樹脂の液垂れやコート面の
反対側への樹脂の回り込みを防止できること、さらに基
板側面への樹脂の液垂れを防止することにより、基板側
面で２種類の樹脂が重なることを防止して、基板側面の
樹脂の盛り上がりの発生を防止することができることを
見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００９】すなわち、本発明の光ディスクの保護膜形
成方法は、光ディスク用基板の外周側面の表面張力を２
０ｄｙｎ／ｃｍ以下にした後、スピンコート法を用いて
保護膜形成用の樹脂を塗布することにより、前記基板上
に保護膜を形成することを特徴とするものであり、光デ
ィスク用基板の外周側面の表面張力を低減するために、
スピンコート法により保護膜形成用の樹脂を塗布する前
に、光ディスク用基板の外周側面に界面活性剤を塗布す
ることを特徴とするものである。
成方法は、光ディスク用基板の外周側面の表面張力を２
０ｄｙｎ／ｃｍ以下にした後、スピンコート法を用いて
保護膜形成用の樹脂を塗布することにより、前記基板上
に保護膜を形成することを特徴とするものであり、光デ
ィスク用基板の外周側面の表面張力を低減するために、
スピンコート法により保護膜形成用の樹脂を塗布する前
に、光ディスク用基板の外周側面に界面活性剤を塗布す
ることを特徴とするものである。
【００１０】さらに、本発明の光ディスクの保護膜形成
装置は、光ディスク用基板にスピンコート法により保護
膜を形成する保護膜形成装置において、保護膜形成用の
樹脂をスピンコートする前に、前記基板の外周側面に界
面活性剤を塗布することを特徴とするものである。ま
た、この基板の外周側面への界面活性剤の塗布は、保護
膜の形成に要する時間を短縮するため、保護膜形成用の
樹脂をスピンコートする前に基板上の異物を除去するた
めに行う静電ブローを行っている間に、それと同時に行
うことが好ましい。
装置は、光ディスク用基板にスピンコート法により保護
膜を形成する保護膜形成装置において、保護膜形成用の
樹脂をスピンコートする前に、前記基板の外周側面に界
面活性剤を塗布することを特徴とするものである。ま
た、この基板の外周側面への界面活性剤の塗布は、保護
膜の形成に要する時間を短縮するため、保護膜形成用の
樹脂をスピンコートする前に基板上の異物を除去するた
めに行う静電ブローを行っている間に、それと同時に行
うことが好ましい。
【００１１】以下、本発明を更に詳細に説明する。
【００１２】光磁気ディスク等の光ディスクに使用され
るポリカーボネート基板の表面張力は２０℃で４６．６
ｄｙｎ／ｃｍである。一方、保護膜の形成に用いられる
アクリルポリマーなどの紫外線硬化樹脂の表面張力は一
般的には３５〜４０ｄｙｎ／ｃｍ程度であるが、光ディ
スクの高記録密度化に伴い、読み出し面側の保護膜をよ
り均一な膜厚で形成するため、界面活性剤などを添加し
て、その表面張力を２２〜３０ｄｙｎ／ｃｍに低減する
傾向がある。記録面側の保護膜は高記録密度化において
も、その膜厚を均一化する必要性は少ないため、最近の
樹脂の表面張力も以前と同様３５〜４０ｄｙｎ／ｃｍで
ある。
るポリカーボネート基板の表面張力は２０℃で４６．６
ｄｙｎ／ｃｍである。一方、保護膜の形成に用いられる
アクリルポリマーなどの紫外線硬化樹脂の表面張力は一
般的には３５〜４０ｄｙｎ／ｃｍ程度であるが、光ディ
スクの高記録密度化に伴い、読み出し面側の保護膜をよ
り均一な膜厚で形成するため、界面活性剤などを添加し
て、その表面張力を２２〜３０ｄｙｎ／ｃｍに低減する
傾向がある。記録面側の保護膜は高記録密度化において
も、その膜厚を均一化する必要性は少ないため、最近の
樹脂の表面張力も以前と同様３５〜４０ｄｙｎ／ｃｍで
ある。
【００１３】このように、現状では基板の表面張力が保
護膜の形成に用いられるアクリルポリマーなどの樹脂の
表面張力より大きいため、樹脂の塗布後に、余分な樹脂
を振り切る目的で基板を高速で回転させても、樹脂は基
板側面で液垂れを起こし、状況によってはコート面の反
対側にまで樹脂の回り込みが発生する場合がある。
護膜の形成に用いられるアクリルポリマーなどの樹脂の
表面張力より大きいため、樹脂の塗布後に、余分な樹脂
を振り切る目的で基板を高速で回転させても、樹脂は基
板側面で液垂れを起こし、状況によってはコート面の反
対側にまで樹脂の回り込みが発生する場合がある。
【００１４】また、記録面側と読み出し面側の２種類の
保護膜が基板の外周側面で重なる場合には、図５に示す
ように、後から形成する保護膜２の表面張力が先に形成
した保護膜１の表面張力より小さい場合には、基板の側
面での２種類の樹脂の重なりによっても樹脂の盛り上が
りを生じることはなく問題はない。しかし、図６に示す
ように、後から形成する保護膜４の表面張力が先に形成
した保護膜３の表面張力より大きい場合には、後から形
成した保護膜４が基板の側面ではじかれてしまい、基板
の側面に樹脂の盛り上がりが発生する。
保護膜が基板の外周側面で重なる場合には、図５に示す
ように、後から形成する保護膜２の表面張力が先に形成
した保護膜１の表面張力より小さい場合には、基板の側
面での２種類の樹脂の重なりによっても樹脂の盛り上が
りを生じることはなく問題はない。しかし、図６に示す
ように、後から形成する保護膜４の表面張力が先に形成
した保護膜３の表面張力より大きい場合には、後から形
成した保護膜４が基板の側面ではじかれてしまい、基板
の側面に樹脂の盛り上がりが発生する。
【００１５】したがって、上記の状況では、読み出し面
側の保護膜を形成した後、記録面側の保護膜を形成する
場合には、記録面側の保護膜の表面張力が先に形成した
読み出し面側の保護膜の表面張力よりも大きいため、基
板の側面に液垂れした読み取り面側の樹脂の上で、記録
面側の樹脂がはじいてしまうため、基板側面に樹脂の盛
り上がりが生じてしまう。
側の保護膜を形成した後、記録面側の保護膜を形成する
場合には、記録面側の保護膜の表面張力が先に形成した
読み出し面側の保護膜の表面張力よりも大きいため、基
板の側面に液垂れした読み取り面側の樹脂の上で、記録
面側の樹脂がはじいてしまうため、基板側面に樹脂の盛
り上がりが生じてしまう。
【００１６】本発明では、スピンコート法により保護膜
を基板上に形成する際に、基板側面への樹脂の液垂れや
コート面の反対側への樹脂の回り込みを防止するため
に、基板側面の表面張力を塗布される樹脂の表面張力よ
りも小さくしている。こうすることにより、塗布された
保護膜形成用の樹脂は、基板最外周のエッジ部ではじか
れ、基板側面に液垂れすることがない。また、基板側面
への樹脂の液垂れがないので、この後の反対側の面の保
護層の形成の際にも、基板側面で２種類の樹脂が重なる
ことがなく、そのため基板側面の樹脂の盛り上がりの発
生を防止することができる。なお、上述のように、読み
出し面側の保護層形成用の樹脂の表面張力は２２〜３０
ｄｙｎ／ｃｍ程度なので、基板側面の表面張力は２２ｄ
ｙｎ／ｃｍ未満とすることが好ましく、２０ｄｙｎ／ｃ
ｍ以下とすることが更に好ましい。
を基板上に形成する際に、基板側面への樹脂の液垂れや
コート面の反対側への樹脂の回り込みを防止するため
に、基板側面の表面張力を塗布される樹脂の表面張力よ
りも小さくしている。こうすることにより、塗布された
保護膜形成用の樹脂は、基板最外周のエッジ部ではじか
れ、基板側面に液垂れすることがない。また、基板側面
への樹脂の液垂れがないので、この後の反対側の面の保
護層の形成の際にも、基板側面で２種類の樹脂が重なる
ことがなく、そのため基板側面の樹脂の盛り上がりの発
生を防止することができる。なお、上述のように、読み
出し面側の保護層形成用の樹脂の表面張力は２２〜３０
ｄｙｎ／ｃｍ程度なので、基板側面の表面張力は２２ｄ
ｙｎ／ｃｍ未満とすることが好ましく、２０ｄｙｎ／ｃ
ｍ以下とすることが更に好ましい。
【００１７】基板側面の表面張力を低減する方法として
は、例えば、界面活性剤などの表面張力の低い材料を塗
布することが例示される。使用する界面活性剤として
は、その表面張力が塗布される保護膜形成用樹脂の表面
張力よりも小さいものであれば良く、シリコーン系界面
活性剤やフッ素系界面活性剤などが例示でき、具体的に
は、塗膜面の摩擦係数減少剤である信越化学（株）製の
商品名「ＫＰ−３０１」、「ＫＰ−３０２」、「ＫＰ−
３０５」、「ＫＰ−３０６」などのシリコーン系の界面
活性剤を挙げることができる。また、−ＣＦ2 をもつ化
合物であるテフロンの表面張力は１９ｄｙｎ／ｃｍであ
り、ＣＦ3 を密にパッキングしたポリマーの表面張力は
６ｄｙｎ／ｃｍであるため、フッ素系の界面活性剤も使
用することができる。
は、例えば、界面活性剤などの表面張力の低い材料を塗
布することが例示される。使用する界面活性剤として
は、その表面張力が塗布される保護膜形成用樹脂の表面
張力よりも小さいものであれば良く、シリコーン系界面
活性剤やフッ素系界面活性剤などが例示でき、具体的に
は、塗膜面の摩擦係数減少剤である信越化学（株）製の
商品名「ＫＰ−３０１」、「ＫＰ−３０２」、「ＫＰ−
３０５」、「ＫＰ−３０６」などのシリコーン系の界面
活性剤を挙げることができる。また、−ＣＦ2 をもつ化
合物であるテフロンの表面張力は１９ｄｙｎ／ｃｍであ
り、ＣＦ3 を密にパッキングしたポリマーの表面張力は
６ｄｙｎ／ｃｍであるため、フッ素系の界面活性剤も使
用することができる。
【００１８】本発明の光ディスクの保護膜形成装置は、
保護膜形成用の樹脂をスピンコートする前に、基板の外
周側面の表面張力を下げるために、基板の外周側面に界
面活性剤を塗布するものであるが、従来の製造ラインに
新規の装置を備え付けるなど製造工程を増やしたり製造
時間を長くすることは、生産性を考える上で問題とな
る。従来の回転塗布（スピンコート）装置には、一般的
にクリーンエアーイオン（イオン化した清浄空気）など
を基板表面に吹き付ける静電ブロー設備が備わってお
り、保護膜形成用の樹脂を塗布する前に、この静電ブロ
ーにより基板表面上の異物を除去することが行われてい
る。そこで、本発明の光ディスクの保護膜形成装置は、
製造時間は従来通りで前記の界面活性剤の塗布を行うた
め、基板に保護膜形成用の樹脂をコートする前の静電ブ
ロー工程で、静電ブローを行うと同時に基板の外周側面
に界面活性剤を塗布できるようにしたものである。
保護膜形成用の樹脂をスピンコートする前に、基板の外
周側面の表面張力を下げるために、基板の外周側面に界
面活性剤を塗布するものであるが、従来の製造ラインに
新規の装置を備え付けるなど製造工程を増やしたり製造
時間を長くすることは、生産性を考える上で問題とな
る。従来の回転塗布（スピンコート）装置には、一般的
にクリーンエアーイオン（イオン化した清浄空気）など
を基板表面に吹き付ける静電ブロー設備が備わってお
り、保護膜形成用の樹脂を塗布する前に、この静電ブロ
ーにより基板表面上の異物を除去することが行われてい
る。そこで、本発明の光ディスクの保護膜形成装置は、
製造時間は従来通りで前記の界面活性剤の塗布を行うた
め、基板に保護膜形成用の樹脂をコートする前の静電ブ
ロー工程で、静電ブローを行うと同時に基板の外周側面
に界面活性剤を塗布できるようにしたものである。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、スピンコート法により
基板上に保護膜形成用の樹脂を塗布する前に、基板の外
周側面の表面張力を２０ｄｙｎ／ｃｍ以下に下げ、しか
る後に保護膜を形成することで、樹脂の基板側面への液
垂れや不必要なエリアへの樹脂の回り込みを防止するこ
とができ、その結果、基板の外周側面での樹脂の盛り上
がりの発生を防止することができ、光ディスクの製造に
おける歩留まりを向上することができる。
基板上に保護膜形成用の樹脂を塗布する前に、基板の外
周側面の表面張力を２０ｄｙｎ／ｃｍ以下に下げ、しか
る後に保護膜を形成することで、樹脂の基板側面への液
垂れや不必要なエリアへの樹脂の回り込みを防止するこ
とができ、その結果、基板の外周側面での樹脂の盛り上
がりの発生を防止することができ、光ディスクの製造に
おける歩留まりを向上することができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものでは
ない。
が、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものでは
ない。
【００２１】図１は本発明の光ディスクの保護膜形成装
置の一例の上から見た平面図を示したものであり、図２
は横から見た立面図を示したものである。図１および図
２のディスク供給カセット１から基板が１枚ずつディス
ク供給アーム２により静電ブローのためのディスク位置
に搬送される。図３に本装置の静電ブロー部の概略図を
示す。基板は図３に示す静電ブローのためのディスク位
置４に移動した後、１００ｒｐｍ以下で回転し、静電ブ
ローノズル６はクリーンエアーイオンを基板両面に吹き
付けながらノズル位置Ａからノズル位置Ｂまで移動す
る。このときの排気は静電ブロー排気ダクト７から排出
される。界面活性剤塗布装置８は界面活性剤を貯蔵する
タンクとその界面活性剤が常に浸透しているスポンジ状
のノズル１７を備えている。基板がディスク位置４に移
動したとき、界面活性剤塗布装置８に備えられたスポン
ジ状のノズル１７の先端と基板の外周側面１８が接触
し、クリーンエアーイオンが基板表面に吹き付けられる
と同時に基板が回転し始めるので、界面活性剤塗布装置
８のタンクに貯蔵された界面活性剤を基板側面１８に塗
布することができる。本実施例では、基板側面１８に塗
布する界面活性剤として、信越化学（株）製のシリコー
ン系界面活性剤、商品名「ＫＰ−３０６」を使用した。
静電ブロー後、基板はディスク搬送アーム５によりコー
ターハウス９に搬送され、樹脂吐出ノズル１０から基板
上に樹脂が吐出され、余分な樹脂を基板の高速回転によ
り振り切り、基板上に樹脂が均一に塗布された状態にな
る。樹脂をコートした基板は、紫外線下搬送アーム１１
により紫外線ランプの下を通過し、紫外線ランプハウス
１２内で紫外線を照射され、樹脂は硬化する。このよう
にして保護膜が形成された基板は、ディスク排出アーム
１３によって再び静電ブロー部１４に搬送され静電ブロ
ーが施された後、ディスク排出カセット１５に搬送され
る。このようにして１００枚のポリカーボネート製の基
板（表面張力４６．６ｄｙｎ／ｃｍ（２０℃））に市販
の保護膜形成用の樹脂（三菱レイヨン製、商品名「ＵＲ
−４５０１」：表面張力２４．５ｄｙｎ／ｃｍ（２０
℃））を、基板への樹脂の吐出量：１．５ｇ、余剰樹脂
の振り切り回転数：３５００ｒｐｍ、振り切り時間：７
秒の条件で塗布し、膜厚５ミクロンの保護膜を形成した
結果、樹脂がコート面の反対側に回り込む現象は全く見
られなかった。また、この様にして作製した基板に対し
て、その反対側の面に、基板の外周側面１８への界面活
性剤の塗布を行わなかったこと以外は上記と同様にし
て、他の市販の保護膜形成用の樹脂（大日本インキ製、
商品名「ＳＤ−３０１」：表面張力４０ｄｙｎ／ｃｍ
（２０℃））を、基板への樹脂の吐出量：２．５ｇ、余
剰樹脂の振り切り回転数：２０００ｒｐｍ、振り切り時
間：７秒の条件で塗布し、膜厚１５ミクロンの保護膜を
得た。この様にして作成した基板の断面の観察結果を図
７に示すが、基板の外周側面での樹脂の重なりによる樹
脂の盛り上がりは認められず、ｄ２は１２ミクロンであ
った。
置の一例の上から見た平面図を示したものであり、図２
は横から見た立面図を示したものである。図１および図
２のディスク供給カセット１から基板が１枚ずつディス
ク供給アーム２により静電ブローのためのディスク位置
に搬送される。図３に本装置の静電ブロー部の概略図を
示す。基板は図３に示す静電ブローのためのディスク位
置４に移動した後、１００ｒｐｍ以下で回転し、静電ブ
ローノズル６はクリーンエアーイオンを基板両面に吹き
付けながらノズル位置Ａからノズル位置Ｂまで移動す
る。このときの排気は静電ブロー排気ダクト７から排出
される。界面活性剤塗布装置８は界面活性剤を貯蔵する
タンクとその界面活性剤が常に浸透しているスポンジ状
のノズル１７を備えている。基板がディスク位置４に移
動したとき、界面活性剤塗布装置８に備えられたスポン
ジ状のノズル１７の先端と基板の外周側面１８が接触
し、クリーンエアーイオンが基板表面に吹き付けられる
と同時に基板が回転し始めるので、界面活性剤塗布装置
８のタンクに貯蔵された界面活性剤を基板側面１８に塗
布することができる。本実施例では、基板側面１８に塗
布する界面活性剤として、信越化学（株）製のシリコー
ン系界面活性剤、商品名「ＫＰ−３０６」を使用した。
静電ブロー後、基板はディスク搬送アーム５によりコー
ターハウス９に搬送され、樹脂吐出ノズル１０から基板
上に樹脂が吐出され、余分な樹脂を基板の高速回転によ
り振り切り、基板上に樹脂が均一に塗布された状態にな
る。樹脂をコートした基板は、紫外線下搬送アーム１１
により紫外線ランプの下を通過し、紫外線ランプハウス
１２内で紫外線を照射され、樹脂は硬化する。このよう
にして保護膜が形成された基板は、ディスク排出アーム
１３によって再び静電ブロー部１４に搬送され静電ブロ
ーが施された後、ディスク排出カセット１５に搬送され
る。このようにして１００枚のポリカーボネート製の基
板（表面張力４６．６ｄｙｎ／ｃｍ（２０℃））に市販
の保護膜形成用の樹脂（三菱レイヨン製、商品名「ＵＲ
−４５０１」：表面張力２４．５ｄｙｎ／ｃｍ（２０
℃））を、基板への樹脂の吐出量：１．５ｇ、余剰樹脂
の振り切り回転数：３５００ｒｐｍ、振り切り時間：７
秒の条件で塗布し、膜厚５ミクロンの保護膜を形成した
結果、樹脂がコート面の反対側に回り込む現象は全く見
られなかった。また、この様にして作製した基板に対し
て、その反対側の面に、基板の外周側面１８への界面活
性剤の塗布を行わなかったこと以外は上記と同様にし
て、他の市販の保護膜形成用の樹脂（大日本インキ製、
商品名「ＳＤ−３０１」：表面張力４０ｄｙｎ／ｃｍ
（２０℃））を、基板への樹脂の吐出量：２．５ｇ、余
剰樹脂の振り切り回転数：２０００ｒｐｍ、振り切り時
間：７秒の条件で塗布し、膜厚１５ミクロンの保護膜を
得た。この様にして作成した基板の断面の観察結果を図
７に示すが、基板の外周側面での樹脂の重なりによる樹
脂の盛り上がりは認められず、ｄ２は１２ミクロンであ
った。
【図１】本発明の光ディスクの保護膜形成装置の一例の
概略を示す平面図である。
概略を示す平面図である。
【図２】本発明の光ディスクの保護膜形成装置の一例の
概略を示す立面図である。
概略を示す立面図である。
【図３】本発明の光ディスクの保護膜形成装置の静電ブ
ロー部の一例の概略を示す図である。
ロー部の一例の概略を示す図である。
【図４】片面に保護膜を形成した従来の光ディスクの断
面を示す図である。
面を示す図である。
【図５】表面張力が大きな保護膜の形成後に表面張力が
小さい保護膜を形成した光ディスクの断面を示す図であ
る。
小さい保護膜を形成した光ディスクの断面を示す図であ
る。
【図６】表面張力が小さな保護膜の形成後に表面張力が
大きい保護膜を形成した光ディスクの断面を示す図であ
る。
大きい保護膜を形成した光ディスクの断面を示す図であ
る。
【図７】本発明により両面に保護膜を形成した光ディス
クの断面を示す図である。
クの断面を示す図である。
１ ディスク供給カセット ２ ディスク供給アーム ３ 静電ブロー ４ ディスク位置 ５ ディスク搬送アーム ６ 静電ブローノズル ７ 静電ブロー排気ダクト ８ 界面活性剤処理装置 ９ コーターハウス １０ 樹脂吐出ノズル １１ 紫外線下搬送アーム １２ 紫外線ランプハウス １３ ディスク排出アーム １４ 静電ブロー １５ ディスク排出カセット １６ 操作パネル １７ ノズル １８ 基板側面
Claims (3)
- 【請求項１】 光ディスク用基板の外周側面の表面張力
を２０ｄｙｎ／ｃｍ以下にした後、スピンコート法を用
いて保護膜形成用の樹脂を塗布することにより、前記基
板上に保護膜を形成することを特徴とする光ディスクの
保護膜形成方法。 - 【請求項２】 光ディスク用基板の外周側面に界面活性
剤を塗布した後、スピンコート法を用いて保護膜形成用
の樹脂を塗布することにより、前記基板上に保護膜を形
成することを特徴とする光ディスクの保護膜形成方法。 - 【請求項３】 光ディスク用基板にスピンコート法によ
り保護膜を形成する保護膜形成装置において、保護膜形
成用の樹脂をスピンコートする前に、基板上の異物を除
去するために行う静電ブローを行っている間に、前記基
板の外周側面に界面活性剤を塗布することを特徴とする
光ディスクの保護膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1007596A JPH09204697A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 光ディスクの保護膜形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1007596A JPH09204697A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 光ディスクの保護膜形成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09204697A true JPH09204697A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11740246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1007596A Pending JPH09204697A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 光ディスクの保護膜形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09204697A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011100538A (ja) * | 2010-11-29 | 2011-05-19 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US8070968B2 (en) | 2009-03-13 | 2011-12-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultraviolet-curable resin material for pattern transfer and magnetic recording medium manufacturing method using the same |
| US8173029B2 (en) | 2009-03-18 | 2012-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium manufacturing method |
| US8372575B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultraviolet-curing resin material for pattern transfer and magnetic recording medium manufacturing method using the same |
-
1996
- 1996-01-24 JP JP1007596A patent/JPH09204697A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8070968B2 (en) | 2009-03-13 | 2011-12-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultraviolet-curable resin material for pattern transfer and magnetic recording medium manufacturing method using the same |
| US8372575B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultraviolet-curing resin material for pattern transfer and magnetic recording medium manufacturing method using the same |
| US8551685B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-10-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultraviolet-curing resin material for pattern transfer and magnetic recording medium manufacturing method using the same |
| US8173029B2 (en) | 2009-03-18 | 2012-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium manufacturing method |
| JP2011100538A (ja) * | 2010-11-29 | 2011-05-19 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
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