JPH09205002A - チップ型電子部品の製造方法 - Google Patents
チップ型電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPH09205002A JPH09205002A JP8011444A JP1144496A JPH09205002A JP H09205002 A JPH09205002 A JP H09205002A JP 8011444 A JP8011444 A JP 8011444A JP 1144496 A JP1144496 A JP 1144496A JP H09205002 A JPH09205002 A JP H09205002A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- electronic component
- type electronic
- metal
- metal film
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- Details Of Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップ型電子部品の製造方法において、素体
表面に耐メッキ性の特殊なコーティング層を形成するこ
となく、端子電極の表面のみに半田濡れ性が良好な金属
層を形成することを目的とする。 【解決手段】 チップ型電子部品の表面全体に金属皮膜
を形成後、金属皮膜を加熱溶融させ、端子電極４表面に
のみ半田濡れ性の良い金属層５を形成する。
表面に耐メッキ性の特殊なコーティング層を形成するこ
となく、端子電極の表面のみに半田濡れ性が良好な金属
層を形成することを目的とする。 【解決手段】 チップ型電子部品の表面全体に金属皮膜
を形成後、金属皮膜を加熱溶融させ、端子電極４表面に
のみ半田濡れ性の良い金属層５を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型電子部品
（以降チップと称する）の製造方法に関するものであ
る。
（以降チップと称する）の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップの製造方法としては特開平
３−２５０６０３号公報に記載されたものが知られてい
る。一般にチップは端子電極の表面に半田に対して濡れ
性の良い金属層をメッキ等の手法で形成していたが、サ
ーミスタのように素体の比抵抗の低いものはメッキの場
合、素体表面上に金属層が形成されるので、これを防ぐ
ため素体表面を耐メッキ性のガラスや樹脂などでコーテ
ィングをする工法が取られている。
３−２５０６０３号公報に記載されたものが知られてい
る。一般にチップは端子電極の表面に半田に対して濡れ
性の良い金属層をメッキ等の手法で形成していたが、サ
ーミスタのように素体の比抵抗の低いものはメッキの場
合、素体表面上に金属層が形成されるので、これを防ぐ
ため素体表面を耐メッキ性のガラスや樹脂などでコーテ
ィングをする工法が取られている。
【０００３】以下に従来のチップの製造方法をサーミス
タを例に図４で説明する。図４は従来チップの斜視図で
ある。図４において、１は素体、２はガラス層、４は端
子電極、５は金属層である。
タを例に図４で説明する。図４は従来チップの斜視図で
ある。図４において、１は素体、２はガラス層、４は端
子電極、５は金属層である。
【０００４】平板上に焼成された素体１の上下平面にガ
ラスを塗布・焼付けした後、短冊状に切断し、素体１が
露出した側面に再度ガラスを塗布・焼付けたものをチッ
プ状に切断する。切断したチップ状素子のガラスで覆わ
れてない両端面部に電極ペーストを塗布・焼付け端子電
極４を形成する。その後メッキで半田濡れ性の良い金属
層５を端子電極４上に形成する。
ラスを塗布・焼付けした後、短冊状に切断し、素体１が
露出した側面に再度ガラスを塗布・焼付けたものをチッ
プ状に切断する。切断したチップ状素子のガラスで覆わ
れてない両端面部に電極ペーストを塗布・焼付け端子電
極４を形成する。その後メッキで半田濡れ性の良い金属
層５を端子電極４上に形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の工
法では、端子電極４の表面にのみ半田に対して濡れ性の
良好な金属層５を形成するため、素体１表面に耐メッキ
性のガラス層２を設けなければならず手間のかかるもの
であった。そこで本発明は、従来のガラス層等の絶縁物
を廃止することを目的とする。
法では、端子電極４の表面にのみ半田に対して濡れ性の
良好な金属層５を形成するため、素体１表面に耐メッキ
性のガラス層２を設けなければならず手間のかかるもの
であった。そこで本発明は、従来のガラス層等の絶縁物
を廃止することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、チップの全面に半田濡れ性が良好な金属皮
膜を形成させた後加熱溶融させてチップの素体表面では
金属ボール状にし、端子電極の表面上のみに半田濡れ性
が良い金属層を形成させ、前記金属ボールは除去する。
前記金属皮膜は加熱溶解したとき、素体表面では素体と
馴染まなく、その表面張力により球状となり、端子電極
表面では下地金属と合金化し半田濡れ性の良い金属層を
形成する。従って素体表面の金属ボールは容易に除去で
きる。
に本発明は、チップの全面に半田濡れ性が良好な金属皮
膜を形成させた後加熱溶融させてチップの素体表面では
金属ボール状にし、端子電極の表面上のみに半田濡れ性
が良い金属層を形成させ、前記金属ボールは除去する。
前記金属皮膜は加熱溶解したとき、素体表面では素体と
馴染まなく、その表面張力により球状となり、端子電極
表面では下地金属と合金化し半田濡れ性の良い金属層を
形成する。従って素体表面の金属ボールは容易に除去で
きる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載のチップ
の製造方法は、チップの端子電極の表面にのみ半田濡れ
性の良い金属層を形成する方法で、メッキなどの表面被
覆法によって、チップの全面に半田濡れ性の良い金属皮
膜を形成させ、次いで、気体または液体中にて前記金属
皮膜をその融点以上に加熱・溶融させ、前記チップの素
体表面に付着した前記金属皮膜は金属ボール状にし、後
工程で除去し、チップの端子電極上のみに半田濡れ性の
良い金属層を形成するものである。
の製造方法は、チップの端子電極の表面にのみ半田濡れ
性の良い金属層を形成する方法で、メッキなどの表面被
覆法によって、チップの全面に半田濡れ性の良い金属皮
膜を形成させ、次いで、気体または液体中にて前記金属
皮膜をその融点以上に加熱・溶融させ、前記チップの素
体表面に付着した前記金属皮膜は金属ボール状にし、後
工程で除去し、チップの端子電極上のみに半田濡れ性の
良い金属層を形成するものである。
【０００８】本発明の請求項２に記載の発明は、半田濡
れ性の良い金属皮膜を付与したチップを、温度勾配を設
けた高沸点液体中を高温から低温側に移動させて、高温
側で前記金属皮膜を溶融しチップの素体表面では金属ボ
ール状に、端子電極表面では下地金属と合金化した金属
層を形成し、低温側で冷却固化後、素体表面の金属ボー
ルを超音波洗浄で除去するものであり、素体表面では素
体との馴染み性が悪くその表面張力により金属ボール状
になるため、超音波洗浄で容易に除去できる。
れ性の良い金属皮膜を付与したチップを、温度勾配を設
けた高沸点液体中を高温から低温側に移動させて、高温
側で前記金属皮膜を溶融しチップの素体表面では金属ボ
ール状に、端子電極表面では下地金属と合金化した金属
層を形成し、低温側で冷却固化後、素体表面の金属ボー
ルを超音波洗浄で除去するものであり、素体表面では素
体との馴染み性が悪くその表面張力により金属ボール状
になるため、超音波洗浄で容易に除去できる。
【０００９】本発明の請求項３に記載の発明は、素体の
比抵抗が５００Ω・cm以下のサーミスタ材料であり、素
体の比抵抗が低い場合においても、耐半田メッキ性の特
殊なコーティング処理することなしに、チップ端子電極
上のみに半田濡れ性の良い金属層を形成できる。
比抵抗が５００Ω・cm以下のサーミスタ材料であり、素
体の比抵抗が低い場合においても、耐半田メッキ性の特
殊なコーティング処理することなしに、チップ端子電極
上のみに半田濡れ性の良い金属層を形成できる。
【００１０】以下、本発明の一実施形態を図１〜図３を
用いて説明する。図１は本発明によるチップの一部切欠
斜視図、図２はチップ全体に半田濡れ性の良い金属皮膜
を形成した断面図、図３は金属皮膜の溶融装置の一例を
示す図である。図１に示すチップの構成要素は図４に示
した従来製品と基本的には同じであるが素体１の表面に
はガラス層２が設けられていない。図３において、７は
チップサーミスタ、８はガラス円筒、９は高沸点加熱溶
媒、１０はマントルヒーター、１１はパーツフィーダー
を示す。尚、本実施の形態１はサーミスタ材料を使用し
たチップサーミスタを例に説明を行う。
用いて説明する。図１は本発明によるチップの一部切欠
斜視図、図２はチップ全体に半田濡れ性の良い金属皮膜
を形成した断面図、図３は金属皮膜の溶融装置の一例を
示す図である。図１に示すチップの構成要素は図４に示
した従来製品と基本的には同じであるが素体１の表面に
はガラス層２が設けられていない。図３において、７は
チップサーミスタ、８はガラス円筒、９は高沸点加熱溶
媒、１０はマントルヒーター、１１はパーツフィーダー
を示す。尚、本実施の形態１はサーミスタ材料を使用し
たチップサーミスタを例に説明を行う。
【００１１】先ず、比抵抗２０Ω・cmのサーミスタ材料
とバインダーを混練した坏土を、０．５mm厚みのシート
状に押出成形後、所定の寸法に切断し、１３００℃の温
度で焼成を行い板状サーミスタとした。前記板状サーミ
スタを２．０mm×１．２５mmの寸法に切断してチップサ
ーミスタの素体１を得た。前記素体１の両端面にディッ
プ方式でＡｇペーストを塗布し８００℃で焼付し端子電
極４を形成する。その表面に電解バレルメッキ法により
半田濡れ性の良い金属皮膜（半田膜）を形成した。この
場合チップサーミスタの素体１の比抵抗が２０Ω・cmと
低いため、図２のごとく金属皮膜３は前記素体１および
端子電極４の全面に形成される、その状態を図２に示
す。次に図３に示す溶融装置を用い、前記金属皮膜３の
加熱溶融を行った。溶融装置の構造は長さ１５０cm、内
径５cmのガラス製の筒状容器８を縦型に設置し、下部に
製品取り出し口が設けられている。この筒状容器８の中
に加熱溶媒９（以降グリセリンと称する）を入れ、前記
筒状容器８を上部外周に設けたマントルヒーター１０で
加熱し、前記筒状容器８の上面開口部よりチップサーミ
スタ７をパーツフィーダー１１で投入し、前記チップサ
ーミスタ７の素体１表面の金属皮膜３を溶融する。その
方法は前記ガラス製の筒状容器８の上部のみをマントル
ヒーター１０で２００〜２８０℃に加熱する。従って筒
状容器８内のグリセリン９は筒状容器８の上部だけで対
流を繰り返し、下部は室温に近い温度で保たれている。
この状態で前記筒状容器８の上部より投入されたチップ
サーミスタ７は２００℃以上の温度に加熱され、その表
面の金属皮膜３は溶融し端子電極４表面では下地金属と
合金化し半田濡れ性の良い金属層５を形成し、素体１表
面では溶融金属の表面張力により端子電極４側に集まる
か、または素体１表面で金属ボールになる。その後グリ
セリン９の中を徐々に自重で落下しながら冷却固化され
る。このためチップサーミスタ７同士がくっつくことな
く筒状容器８下部より取り出せる。冷却後チップサーミ
スタ７の素体１表面にできた金属ボールは超音波洗浄で
容易に除去できる。これによってチップサーミスタ７の
素体１表面より金属皮膜３が除去され、端子電極４表面
には半田濡れ性の良い金属層５が形成できる。
とバインダーを混練した坏土を、０．５mm厚みのシート
状に押出成形後、所定の寸法に切断し、１３００℃の温
度で焼成を行い板状サーミスタとした。前記板状サーミ
スタを２．０mm×１．２５mmの寸法に切断してチップサ
ーミスタの素体１を得た。前記素体１の両端面にディッ
プ方式でＡｇペーストを塗布し８００℃で焼付し端子電
極４を形成する。その表面に電解バレルメッキ法により
半田濡れ性の良い金属皮膜（半田膜）を形成した。この
場合チップサーミスタの素体１の比抵抗が２０Ω・cmと
低いため、図２のごとく金属皮膜３は前記素体１および
端子電極４の全面に形成される、その状態を図２に示
す。次に図３に示す溶融装置を用い、前記金属皮膜３の
加熱溶融を行った。溶融装置の構造は長さ１５０cm、内
径５cmのガラス製の筒状容器８を縦型に設置し、下部に
製品取り出し口が設けられている。この筒状容器８の中
に加熱溶媒９（以降グリセリンと称する）を入れ、前記
筒状容器８を上部外周に設けたマントルヒーター１０で
加熱し、前記筒状容器８の上面開口部よりチップサーミ
スタ７をパーツフィーダー１１で投入し、前記チップサ
ーミスタ７の素体１表面の金属皮膜３を溶融する。その
方法は前記ガラス製の筒状容器８の上部のみをマントル
ヒーター１０で２００〜２８０℃に加熱する。従って筒
状容器８内のグリセリン９は筒状容器８の上部だけで対
流を繰り返し、下部は室温に近い温度で保たれている。
この状態で前記筒状容器８の上部より投入されたチップ
サーミスタ７は２００℃以上の温度に加熱され、その表
面の金属皮膜３は溶融し端子電極４表面では下地金属と
合金化し半田濡れ性の良い金属層５を形成し、素体１表
面では溶融金属の表面張力により端子電極４側に集まる
か、または素体１表面で金属ボールになる。その後グリ
セリン９の中を徐々に自重で落下しながら冷却固化され
る。このためチップサーミスタ７同士がくっつくことな
く筒状容器８下部より取り出せる。冷却後チップサーミ
スタ７の素体１表面にできた金属ボールは超音波洗浄で
容易に除去できる。これによってチップサーミスタ７の
素体１表面より金属皮膜３が除去され、端子電極４表面
には半田濡れ性の良い金属層５が形成できる。
【００１２】尚、本実施例では、端子電極４にＡｇを用
いたがＣｕ、ＡｇとＰｄの合金、Ｐｄ、Ａｕ、ＺｎやＮ
ｉなどを含有する電極材料を用いても、また、半田濡れ
性の良い金属皮膜３に半田を用いたがこれも半田以外
の、ＳｎやＩｎなど比較的低温で溶融する半田濡れ性の
良い金属であれば同様な結果が得られる。金属皮膜３の
形成方法もメッキに制限されることなく、真空蒸着やス
パッタや塗装などの工法が使用可能である。また更に金
属皮膜３の加熱溶媒も同様に高沸点であればグリセリン
９以外も使用可能である。さらに液体の代わりに気体中
で処理を行う場合はチップサーミスタ７が重なり合わな
い横型の加熱装置を用いる必要がある。
いたがＣｕ、ＡｇとＰｄの合金、Ｐｄ、Ａｕ、ＺｎやＮ
ｉなどを含有する電極材料を用いても、また、半田濡れ
性の良い金属皮膜３に半田を用いたがこれも半田以外
の、ＳｎやＩｎなど比較的低温で溶融する半田濡れ性の
良い金属であれば同様な結果が得られる。金属皮膜３の
形成方法もメッキに制限されることなく、真空蒸着やス
パッタや塗装などの工法が使用可能である。また更に金
属皮膜３の加熱溶媒も同様に高沸点であればグリセリン
９以外も使用可能である。さらに液体の代わりに気体中
で処理を行う場合はチップサーミスタ７が重なり合わな
い横型の加熱装置を用いる必要がある。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、本発明によると、従来の
ようにチップ素体表面を耐メッキ性の特殊なコーティン
グ層を形成することなしに端子電極の表面のみに半田濡
れ性の良好な金属層を有するチップ型電子部品の製造が
可能になる。
ようにチップ素体表面を耐メッキ性の特殊なコーティン
グ層を形成することなしに端子電極の表面のみに半田濡
れ性の良好な金属層を有するチップ型電子部品の製造が
可能になる。
【図１】本発明の一実施形態のチップ型電子部品の一部
切欠斜視図
切欠斜視図
【図２】同チップ型電子部品に金属皮膜を形成した断面
図
図
【図３】同金属皮膜の加熱溶融装置の概略構成を示す断
面図
面図
【図４】従来のチップ型電子部品の一部切欠斜視図
１ 素体 ３ 金属皮膜 ４ 端子電極 ５ 金属層 ７ チップサーミスタ ８ 筒状容器 ９ 加熱溶媒 １０ マントルヒーター １１ パーツフィーダー
Claims (3)
- 【請求項１】 チップ型電子部品の両端面に形成された
端子電極の表面に半田に対して濡れ性の良好な金属層を
形成する方法であって、チップ型電子部品の全面に半田
に対して濡れ性の良好な金属皮膜をメッキ、塗装、真空
蒸着やスパッタなどの表面被覆法によって形成し、次に
気体または液体中にて前記金属皮膜をその融点以上に加
熱して溶融させ、前記チップ型電子部品の素体部分に付
着した前記金属皮膜を除去すると共に前記端子電極上に
半田に対して濡れ性の良好な金属層を形成することを特
徴とするチップ型電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 半田濡れ性の良い金属皮膜を全面に付与
したチップ型電子部品を、温度勾配を設けた高沸点液体
中を高温から低温側に移動させて、高温側で前記金属皮
膜を溶融しチップ型電子部品の素体表面では金属ボール
状に、端子電極表面では合金化した金属層を形成し、低
温側で冷却固化後、素体表面の金属ボールを超音波洗浄
で除去する請求項１記載のチップ型電子部品の製造方
法。 - 【請求項３】 チップ型電子部品の素体が、素体比抵抗
が５００Ω・cm以下のサーミスタ材料よりなる請求項１
または２記載のチップ型電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8011444A JPH09205002A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | チップ型電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8011444A JPH09205002A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | チップ型電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205002A true JPH09205002A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11778275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8011444A Withdrawn JPH09205002A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | チップ型電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09205002A (ja) |
-
1996
- 1996-01-26 JP JP8011444A patent/JPH09205002A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040319 |