JPH0920788A - ビニルスズ化合物、その製造方法およびそれを用いるプロスタグランジン類の製造方法 - Google Patents
ビニルスズ化合物、その製造方法およびそれを用いるプロスタグランジン類の製造方法Info
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- JPH0920788A JPH0920788A JP7168618A JP16861895A JPH0920788A JP H0920788 A JPH0920788 A JP H0920788A JP 7168618 A JP7168618 A JP 7168618A JP 16861895 A JP16861895 A JP 16861895A JP H0920788 A JPH0920788 A JP H0920788A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 少ない工程で、かつ安価な反応試剤を用いる
プロスタグランジン類の製造方法を提供する。 【解決手段】 一般式〔１〕
プロスタグランジン類の製造方法を提供する。 【解決手段】 一般式〔１〕
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビニルスズ化合
物、その製造方法およびそれを用いるプロスタグランジ
ン類の製造方法に関する。
物、その製造方法およびそれを用いるプロスタグランジ
ン類の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プロスタグランジン類は、例えばブタ用
分娩促進剤として広く用いられている化学式〔２０〕 で示されるクロプロステノール（以下、化合物〔２０〕
と称することがある。）をはじめ、様々な生理活性を持
つ化学物質として知られている。従来、かかるプロスタ
グランジン類の製造方法としては、シクロペンタジエン
を原料とするコーリーラクトン法（Ｐｒｏｓｔａｇｌａ
ｄｉｎｓ，１７，７８９（１９７９），ｉｂｉｄ，１
５，７７３（１９７８））が知られているが、その方法
は極めて多くの工程を経るものであり、しかも高価な光
学分割剤を用いる必要があるため、工業的に有利な方法
であるとはいえなかった。
分娩促進剤として広く用いられている化学式〔２０〕 で示されるクロプロステノール（以下、化合物〔２０〕
と称することがある。）をはじめ、様々な生理活性を持
つ化学物質として知られている。従来、かかるプロスタ
グランジン類の製造方法としては、シクロペンタジエン
を原料とするコーリーラクトン法（Ｐｒｏｓｔａｇｌａ
ｄｉｎｓ，１７，７８９（１９７９），ｉｂｉｄ，１
５，７７３（１９７８））が知られているが、その方法
は極めて多くの工程を経るものであり、しかも高価な光
学分割剤を用いる必要があるため、工業的に有利な方法
であるとはいえなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明者らは、
工程が少なく、かつ安価な反応試剤を用いる全く新しい
ルートによるプロスタグランジン類の製造方法を開発す
べく鋭意検討を進めた結果、ｍ−クロルフェノールを原
料として、比較的少ない工程で、しかも高価な光学分割
剤を用いることなく得られ、かつ容易にプロスタグラン
ジン類に導くことのできる新規な化合物を見出し、本発
明に至った。
工程が少なく、かつ安価な反応試剤を用いる全く新しい
ルートによるプロスタグランジン類の製造方法を開発す
べく鋭意検討を進めた結果、ｍ−クロルフェノールを原
料として、比較的少ない工程で、しかも高価な光学分割
剤を用いることなく得られ、かつ容易にプロスタグラン
ジン類に導くことのできる新規な化合物を見出し、本発
明に至った。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、一般
式〔１〕 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 はそれぞれ独立に、炭素数１
〜１２の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、置換アルキ
ル基、または置換もしくは未置換のフェニル基を示し、
Ｒ4 はヒドロキシル基の保護基を示す。）で示されるビ
ニルスズ化合物（以下、化合物〔１〕と称する。）、そ
の製造方法およびそれを用いるプロスタグランジン類の
製造方法を提供するものである。
式〔１〕 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 はそれぞれ独立に、炭素数１
〜１２の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、置換アルキ
ル基、または置換もしくは未置換のフェニル基を示し、
Ｒ4 はヒドロキシル基の保護基を示す。）で示されるビ
ニルスズ化合物（以下、化合物〔１〕と称する。）、そ
の製造方法およびそれを用いるプロスタグランジン類の
製造方法を提供するものである。
【０００５】上記の化合物〔１〕における３位の炭素原
子は不斉炭素であり、かかる不斉炭素を不斉中心とする
２種類の光学活性体が存在するが、本発明における化合
物〔１〕は、一方の光学活性体である（３Ｒ）体（以
下、化合物〔１ａ〕と称する。）、あるいは他方の光学
活性体である（３Ｓ）体（以下、化合物〔１ｃ〕と称す
る。）であってもよいし、これらのラセミ体（以下、化
合物〔１ｄ〕と称する。）であってもよい。
子は不斉炭素であり、かかる不斉炭素を不斉中心とする
２種類の光学活性体が存在するが、本発明における化合
物〔１〕は、一方の光学活性体である（３Ｒ）体（以
下、化合物〔１ａ〕と称する。）、あるいは他方の光学
活性体である（３Ｓ）体（以下、化合物〔１ｃ〕と称す
る。）であってもよいし、これらのラセミ体（以下、化
合物〔１ｄ〕と称する。）であってもよい。
【０００６】かかる化合物〔１〕の一方の光学活性体で
ある化合物〔１ａ〕は、ｍ−クロルフェノール（以下、
化合物〔１５〕と称する。）を原料として、例えば以下
に示す〔工程１〕〜〔工程９〕の９工程からなる方法、
あるいは〔工程１〕〜〔工程５〕および〔工程１０〕〜
〔工程１１〕の７工程からなる方法によって製造するこ
とができる。
ある化合物〔１ａ〕は、ｍ−クロルフェノール（以下、
化合物〔１５〕と称する。）を原料として、例えば以下
に示す〔工程１〕〜〔工程９〕の９工程からなる方法、
あるいは〔工程１〕〜〔工程５〕および〔工程１０〕〜
〔工程１１〕の７工程からなる方法によって製造するこ
とができる。
【０００７】以下、〔工程１〕〜〔工程１１〕について
説明する。 〔工程１〕化合物〔１５〕を塩基の存在下に一般式〔１
４〕 （式中、Ｒ5 は炭素数１〜１２の置換もしくは未置換の
アルキル基、または置換もしくは未置換のフェニル基を
示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）で示されるエステル
化合物（以下、化合物〔１４〕と称する。）と反応させ
て、一般式
説明する。 〔工程１〕化合物〔１５〕を塩基の存在下に一般式〔１
４〕 （式中、Ｒ5 は炭素数１〜１２の置換もしくは未置換の
アルキル基、または置換もしくは未置換のフェニル基を
示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）で示されるエステル
化合物（以下、化合物〔１４〕と称する。）と反応させ
て、一般式
〔９〕 （式中、Ｒ5 は前記と同じ意味を示す。）で示されるア
リールオキシエステル化合物（以下、化合物
リールオキシエステル化合物（以下、化合物
〔９〕とす
る。）を得る。
る。）を得る。
【０００８】ここで、化合物〔１４〕の置換基Ｒ5 とし
ては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の未置
換のアルキル基、ベンジル基等の置換アルキル基、ｍ−
クロルフェニル基、ｍ−メチルフェニル基等の置換フェ
ニル基およびフェニル基等を、ハロゲン原子Ｘとして
は、例えば塩素原子、臭素原子等を挙げることができ
る。かかる化合物〔１４〕として、例えば、クロル酢酸
あるいはブロモ酢酸のメチル、エチル、ｎ−プロピル、
イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、フェニル、ベ
ンジル等のエステルを挙げることができ、その使用量は
化合物〔１５〕に対して通常は０．８〜１．５モル倍で
ある。
ては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の未置
換のアルキル基、ベンジル基等の置換アルキル基、ｍ−
クロルフェニル基、ｍ−メチルフェニル基等の置換フェ
ニル基およびフェニル基等を、ハロゲン原子Ｘとして
は、例えば塩素原子、臭素原子等を挙げることができ
る。かかる化合物〔１４〕として、例えば、クロル酢酸
あるいはブロモ酢酸のメチル、エチル、ｎ−プロピル、
イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、フェニル、ベ
ンジル等のエステルを挙げることができ、その使用量は
化合物〔１５〕に対して通常は０．８〜１．５モル倍で
ある。
【０００９】また、塩基としては、例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
等の無機塩基が挙げられ、その使用量は化合物〔１５〕
に対して通常は１〜２モル倍である。
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
等の無機塩基が挙げられ、その使用量は化合物〔１５〕
に対して通常は１〜２モル倍である。
【００１０】かかる反応は、通常は溶媒中で行われ、か
かる溶媒としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、ジオキサン、メタノール、エタノール等の極性溶媒
が用いられる。これらの溶媒は単独、または２種以上を
混合して用いられ、その使用量は化合物〔１５〕に対し
て通常は２〜２００重量倍である。反応は、かかる溶媒
中で化合物〔１５〕と化合物〔１４〕と塩基とを混合す
ればよい。反応温度は通常は−１００〜１００℃、好ま
しくは−５０〜５０℃の範囲である。
かる溶媒としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、ジオキサン、メタノール、エタノール等の極性溶媒
が用いられる。これらの溶媒は単独、または２種以上を
混合して用いられ、その使用量は化合物〔１５〕に対し
て通常は２〜２００重量倍である。反応は、かかる溶媒
中で化合物〔１５〕と化合物〔１４〕と塩基とを混合す
ればよい。反応温度は通常は−１００〜１００℃、好ま
しくは−５０〜５０℃の範囲である。
【００１１】反応に際して沈殿物が生ずるが、かかる沈
殿物は通常の方法、例えばセライト濾過等の方法によっ
て容易に除去することができる。次いで、通常の方法、
例えば、溶媒を減圧留去して得られた残渣を抽出処理し
た後に、得られた有機層を水洗し、溶媒を減圧留去する
方法で、化合物
殿物は通常の方法、例えばセライト濾過等の方法によっ
て容易に除去することができる。次いで、通常の方法、
例えば、溶媒を減圧留去して得られた残渣を抽出処理し
た後に、得られた有機層を水洗し、溶媒を減圧留去する
方法で、化合物
〔９〕を得る。抽出処理に用いる溶媒と
しては、例えば、メチルイソブチルケトン、酢酸エチ
ル、ジエチルエーテル、ヘキサン、トルエン等を挙げる
ことができる。
しては、例えば、メチルイソブチルケトン、酢酸エチ
ル、ジエチルエーテル、ヘキサン、トルエン等を挙げる
ことができる。
【００１２】かくして得られる化合物
〔９〕として具体
的には、ｍ−クロルフェニルオキシ酢酸の、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチ
ル、フェニル、ベンジル等のエステルが例示される。
的には、ｍ−クロルフェニルオキシ酢酸の、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチ
ル、フェニル、ベンジル等のエステルが例示される。
【００１３】〔工程２〕〔工程１〕によって得られる化
合物
合物
〔９〕を溶媒中でアルミニウムハイドライド化合物
と反応させて、ｍ−クロルフェノキシアセトアルデヒド
（以下、化合物〔８〕と称する。）を含む溶液を得る。
と反応させて、ｍ−クロルフェノキシアセトアルデヒド
（以下、化合物〔８〕と称する。）を含む溶液を得る。
【００１４】アルミニウムハイドライド化合物として具
体的には、例えば、リチウムアルミニウムハイドライ
ド、ジイソブチルアルミニウムハイドライド、水素化ビ
ス（２−メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウム、
水素化ビス（Ｎ−メチルピペラジノ）アルミニウム、水
素化ジイソブチルアルミニウムナトリウム等が挙げら
れ、その使用量は化合物
体的には、例えば、リチウムアルミニウムハイドライ
ド、ジイソブチルアルミニウムハイドライド、水素化ビ
ス（２−メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウム、
水素化ビス（Ｎ−メチルピペラジノ）アルミニウム、水
素化ジイソブチルアルミニウムナトリウム等が挙げら
れ、その使用量は化合物
〔９〕に対して通常は０．５〜
５モル倍、好ましくは０．８〜２モル倍の範囲である。
５モル倍、好ましくは０．８〜２モル倍の範囲である。
【００１５】化合物
〔９〕とアルミニウムハイドライド
化合物との反応は、通常は反応に不活性な溶媒中で行わ
れ、かかる溶媒として具体的には、ジエチルエーテル、
ｔ−ブチルメチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジメ
トキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエ
ーテル系溶媒、あるいはトルエン、キシレン、ペンタ
ン、ヘキサン、シクロヘキサン、２，２，４−トリメチ
ルペンタン等の炭化水素系溶媒等が例示される。これら
の溶媒は単独、あるいは２種以上を混合して用いられ、
かかる溶媒の使用量は、化合物
化合物との反応は、通常は反応に不活性な溶媒中で行わ
れ、かかる溶媒として具体的には、ジエチルエーテル、
ｔ−ブチルメチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジメ
トキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエ
ーテル系溶媒、あるいはトルエン、キシレン、ペンタ
ン、ヘキサン、シクロヘキサン、２，２，４−トリメチ
ルペンタン等の炭化水素系溶媒等が例示される。これら
の溶媒は単独、あるいは２種以上を混合して用いられ、
かかる溶媒の使用量は、化合物
〔９〕に対して通常は５
〜２００重量倍である。
〜２００重量倍である。
【００１６】化合物
〔９〕とアルミニウムハイドライド
化合物とを溶媒中で混合すれば、反応は進行し、化学量
論的に化合物〔８〕を得ることができる。反応温度は通
常は−１５０〜０℃、好ましくは−１００〜−３５℃の
範囲である。反応後、得られた反応混合物に水を加えて
未反応のアルミニウムハイドライド化合物を加水分解す
る。かかる水の使用量は原料として用いたアルミニウム
ハイドライド化合物に対して通常は１０重量倍以上、好
ましくは１０〜２０重量倍であり、加水分解温度は通常
は５０℃以下、好ましくは１０℃以下である。このとき
急激に発熱する場合があるので冷却を十分に行うことが
好ましく、冷却のため水に代えて氷または氷水を用いて
もよい。なお、かかる加水分解において化合物〔８〕の
損失を防ぐために、通常は有機層が水層の１〜５重量倍
であることが望ましく、先の反応で使用する有機溶媒の
量が少ないか、あるいは水と相溶性の溶媒を用いた場合
には、水とともに水に不溶の有機溶媒を加えるとよい。
かかる有機溶媒として、例えばメチルイソブチルケト
ン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、ヘキサン、トルエ
ン等が挙げられる。かかる加水分解においては沈殿物が
生成するが、かかる沈殿物は通常の除去方法、例えば、
セライト濾過等の方法によって除去する。
化合物とを溶媒中で混合すれば、反応は進行し、化学量
論的に化合物〔８〕を得ることができる。反応温度は通
常は−１５０〜０℃、好ましくは−１００〜−３５℃の
範囲である。反応後、得られた反応混合物に水を加えて
未反応のアルミニウムハイドライド化合物を加水分解す
る。かかる水の使用量は原料として用いたアルミニウム
ハイドライド化合物に対して通常は１０重量倍以上、好
ましくは１０〜２０重量倍であり、加水分解温度は通常
は５０℃以下、好ましくは１０℃以下である。このとき
急激に発熱する場合があるので冷却を十分に行うことが
好ましく、冷却のため水に代えて氷または氷水を用いて
もよい。なお、かかる加水分解において化合物〔８〕の
損失を防ぐために、通常は有機層が水層の１〜５重量倍
であることが望ましく、先の反応で使用する有機溶媒の
量が少ないか、あるいは水と相溶性の溶媒を用いた場合
には、水とともに水に不溶の有機溶媒を加えるとよい。
かかる有機溶媒として、例えばメチルイソブチルケト
ン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、ヘキサン、トルエ
ン等が挙げられる。かかる加水分解においては沈殿物が
生成するが、かかる沈殿物は通常の除去方法、例えば、
セライト濾過等の方法によって除去する。
【００１７】濾過後の濾液を水層と有機層とに分離し
て、有機層として化合物〔８〕を含む溶液を得る。かか
る溶液をそのまま次の〔工程３〕に用いれば、該溶液に
含まれている水分のために化合物〔７〕の収率が著しく
低下するため、無水硫酸ナトリウム、無水硫酸マグネシ
ウム、モレキュラーシーブ等の中性の乾燥剤を用いて乾
燥することが望ましい。
て、有機層として化合物〔８〕を含む溶液を得る。かか
る溶液をそのまま次の〔工程３〕に用いれば、該溶液に
含まれている水分のために化合物〔７〕の収率が著しく
低下するため、無水硫酸ナトリウム、無水硫酸マグネシ
ウム、モレキュラーシーブ等の中性の乾燥剤を用いて乾
燥することが望ましい。
【００１８】このようにして得られた化合物〔８〕を含
む溶液は、そのまま次の〔工程３〕に用いることもでき
るし、通常の方法、例えば減圧留去等の方法で濃縮して
用いることもできるが、該溶液中の化合物〔８〕の濃度
が高くなると化合物〔８〕が重合してしまい次の〔工程
３〕における収率が著しく低下してしまうため、かかる
化合物〔８〕の溶液はその濃度が通常は２０重量％以
下、好ましくは１０重量％以下で用いることが望まし
い。
む溶液は、そのまま次の〔工程３〕に用いることもでき
るし、通常の方法、例えば減圧留去等の方法で濃縮して
用いることもできるが、該溶液中の化合物〔８〕の濃度
が高くなると化合物〔８〕が重合してしまい次の〔工程
３〕における収率が著しく低下してしまうため、かかる
化合物〔８〕の溶液はその濃度が通常は２０重量％以
下、好ましくは１０重量％以下で用いることが望まし
い。
【００１９】かくして得られる化合物〔８〕は、容易に
重合してしまうためこれまで工業的に利用することは困
難であったが、かかる化合物〔８〕を溶液に溶存させた
まま次の工程に用いることで、初めて工業的な利用が可
能となった。
重合してしまうためこれまで工業的に利用することは困
難であったが、かかる化合物〔８〕を溶液に溶存させた
まま次の工程に用いることで、初めて工業的な利用が可
能となった。
【００２０】〔工程３〕〔工程２〕によって得られる化
合物〔８〕を含む溶液から、化合物〔８〕を単離するこ
となく、これと一般式〔１３ａ〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立に、炭素数１
〜１２の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、置換アルキ
ル基、または置換もしくは未置換のフェニル基を示し、
Ｍ2 はアルカリ金属原子を示す。）もしくは一般式〔１
３ｂ〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 は前記と同じ意味を示し、Ｍ
3 はアルカリ土類金属原子を示す。）で示されるシリル
アセチレン金属塩とを反応させ、次いで加水分解するこ
とによって、一般式〔７〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示されるアセチレンケイ素化合物（以下、化
合物〔７〕と称する。）を得る。
合物〔８〕を含む溶液から、化合物〔８〕を単離するこ
となく、これと一般式〔１３ａ〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立に、炭素数１
〜１２の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、置換アルキ
ル基、または置換もしくは未置換のフェニル基を示し、
Ｍ2 はアルカリ金属原子を示す。）もしくは一般式〔１
３ｂ〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 は前記と同じ意味を示し、Ｍ
3 はアルカリ土類金属原子を示す。）で示されるシリル
アセチレン金属塩とを反応させ、次いで加水分解するこ
とによって、一般式〔７〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示されるアセチレンケイ素化合物（以下、化
合物〔７〕と称する。）を得る。
【００２１】かかるシリルアセチレン金属塩の置換基Ｒ
6 、Ｒ7 、Ｒ8 としては例えば、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基等の直鎖状アルキル基、
イソプロピル基、ｔ−ブチル基等の分岐状アルキル基、
クロルメチル基、メトキシメチル基、ベンジル基等の置
換アルキル基、ｍ−クロルフェニル基、ｍ−メチルフェ
ニル基等の置換フェニル基およびフェニル基等が、また
アルカリ金属原子Ｍ2としては例えば、リチウム、ナト
リウム、カリウム等が、アルカリ土類金属原子Ｍ3 とし
ては、例えばマグネシウム等がそれぞれ挙げられる。か
かるシリルアセチレン金属塩として具体的には、トリメ
チルシリルアセチレンリチウム、トリエチルシリルアセ
チレンリチウム、ｔ−ブチルジメチルシリルアセチレン
リチウム、ジフェニルメチルシリルアセチレンリチウム
等、および上記の各化合物におけるリチウムがナトリウ
ム、カリウムである化合物等のシリルアセチレンアルカ
リ金属塩、ならびにジ（トリメチルシリルアセチレン）
マグネシウム、ジ（トリエチルシリルアセチレン）マグ
ネシウム、ジ（ｔ−ブチルジメチルシリルアセチレン）
マグネシウム、ジ（ジフェニルメチルシリルアセチレ
ン）マグネシウム等のシリルアセチレンアルカリ土類金
属塩が例示される。
6 、Ｒ7 、Ｒ8 としては例えば、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基等の直鎖状アルキル基、
イソプロピル基、ｔ−ブチル基等の分岐状アルキル基、
クロルメチル基、メトキシメチル基、ベンジル基等の置
換アルキル基、ｍ−クロルフェニル基、ｍ−メチルフェ
ニル基等の置換フェニル基およびフェニル基等が、また
アルカリ金属原子Ｍ2としては例えば、リチウム、ナト
リウム、カリウム等が、アルカリ土類金属原子Ｍ3 とし
ては、例えばマグネシウム等がそれぞれ挙げられる。か
かるシリルアセチレン金属塩として具体的には、トリメ
チルシリルアセチレンリチウム、トリエチルシリルアセ
チレンリチウム、ｔ−ブチルジメチルシリルアセチレン
リチウム、ジフェニルメチルシリルアセチレンリチウム
等、および上記の各化合物におけるリチウムがナトリウ
ム、カリウムである化合物等のシリルアセチレンアルカ
リ金属塩、ならびにジ（トリメチルシリルアセチレン）
マグネシウム、ジ（トリエチルシリルアセチレン）マグ
ネシウム、ジ（ｔ−ブチルジメチルシリルアセチレン）
マグネシウム、ジ（ジフェニルメチルシリルアセチレ
ン）マグネシウム等のシリルアセチレンアルカリ土類金
属塩が例示される。
【００２２】これらの化合物はいずれも、例えば一般式
〔１３ｃ〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 は前記と同じ意味を示す。）
で示されるシリルアセチレン化合物と塩基性有機金属化
合物とを溶媒中で反応させることによって容易に製造す
ることができ、通常は得られたシリルアセチレン金属塩
を反応後の反応混合物から単離することなく、該反応混
合物のまま用いる。
〔１３ｃ〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 は前記と同じ意味を示す。）
で示されるシリルアセチレン化合物と塩基性有機金属化
合物とを溶媒中で反応させることによって容易に製造す
ることができ、通常は得られたシリルアセチレン金属塩
を反応後の反応混合物から単離することなく、該反応混
合物のまま用いる。
【００２３】ここで、シリルアセチレン化合物として具
体的には、トリメチルシリルアセチレン、トリエチルシ
リルアセチレン、ｔ−ブチルジメチルアセチレン、ジフ
ェニルメチルシリルアセチレン等を例示することができ
る。塩基性有機金属化合物としては、例えば、ｎ−ブチ
ルリチウム、ｔ−ブチルリチウム等のアルキルリチウム
化合物や、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムア
ミド、カリウムアミド等のアルカリ金属アミド化合物、
エチルマグネシウムブロマイド等のアルキルマグネシウ
ム化合物、あるいはフェニルマグネシウムブロマイド等
のアリールマグネシウム化合物等を挙げることができ
る。アルキルリチウム化合物あるいはアルカリ金属アミ
ド化合物の使用量はシリルアセチレン化合物に対して通
常は１〜２．４モル倍、アルキルマグネシウム化合物あ
るいはアリールマグネシウム化合物の使用量はシリルア
セチレン化合物に対して通常は０．５〜１．２モル倍で
ある。
体的には、トリメチルシリルアセチレン、トリエチルシ
リルアセチレン、ｔ−ブチルジメチルアセチレン、ジフ
ェニルメチルシリルアセチレン等を例示することができ
る。塩基性有機金属化合物としては、例えば、ｎ−ブチ
ルリチウム、ｔ−ブチルリチウム等のアルキルリチウム
化合物や、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムア
ミド、カリウムアミド等のアルカリ金属アミド化合物、
エチルマグネシウムブロマイド等のアルキルマグネシウ
ム化合物、あるいはフェニルマグネシウムブロマイド等
のアリールマグネシウム化合物等を挙げることができ
る。アルキルリチウム化合物あるいはアルカリ金属アミ
ド化合物の使用量はシリルアセチレン化合物に対して通
常は１〜２．４モル倍、アルキルマグネシウム化合物あ
るいはアリールマグネシウム化合物の使用量はシリルア
セチレン化合物に対して通常は０．５〜１．２モル倍で
ある。
【００２４】溶媒としては、例えば、ジエチルエーテ
ル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジプロピルエーテル、
ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン等
のエーテル系溶媒、あるいはトルエン、キシレン、ペン
タン、ヘキサン、シクロヘキサン、２，２，４−トリメ
チルペンタン等の炭化水素系溶媒等を挙げることができ
る。これらの溶媒はそれぞれ単独、または２種以上を混
合して用いることができ、その使用量はシリルアセチレ
ン化合物に対して通常は２〜２００重量倍である。
ル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジプロピルエーテル、
ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン等
のエーテル系溶媒、あるいはトルエン、キシレン、ペン
タン、ヘキサン、シクロヘキサン、２，２，４−トリメ
チルペンタン等の炭化水素系溶媒等を挙げることができ
る。これらの溶媒はそれぞれ単独、または２種以上を混
合して用いることができ、その使用量はシリルアセチレ
ン化合物に対して通常は２〜２００重量倍である。
【００２５】シリルアセチレン化合物と塩基性有機金属
化合物との反応は、両化合物を溶媒中で混合すれば進行
し、両化合物は単独、あるいは上記の溶媒に溶解して溶
液としてそれぞれ用いられる。反応温度は通常は−１５
０〜１００℃、好ましくは−３０〜３０℃の範囲であ
る。反応は化学量論的に進行し、得られたシリルアセチ
レン金属塩は、通常は反応後の反応混合物から単離され
ることなく、該反応混合物のまま化合物〔８〕との反応
に用いられる。
化合物との反応は、両化合物を溶媒中で混合すれば進行
し、両化合物は単独、あるいは上記の溶媒に溶解して溶
液としてそれぞれ用いられる。反応温度は通常は−１５
０〜１００℃、好ましくは−３０〜３０℃の範囲であ
る。反応は化学量論的に進行し、得られたシリルアセチ
レン金属塩は、通常は反応後の反応混合物から単離され
ることなく、該反応混合物のまま化合物〔８〕との反応
に用いられる。
【００２６】反応に際しては、かかる反応混合物と、
〔工程２〕で得られた化合物〔８〕を含む溶液とを混合
すればよい。この反応において、シリルアセチレン金属
塩の使用量は、シリルアセチレン換算で化合物〔８〕に
対して通常は１〜１０モル倍、好ましくは１〜２．５モ
ル倍であり、反応温度は通常は−１５０〜１００℃、好
ましくは−１００〜０℃の範囲である。
〔工程２〕で得られた化合物〔８〕を含む溶液とを混合
すればよい。この反応において、シリルアセチレン金属
塩の使用量は、シリルアセチレン換算で化合物〔８〕に
対して通常は１〜１０モル倍、好ましくは１〜２．５モ
ル倍であり、反応温度は通常は−１５０〜１００℃、好
ましくは−１００〜０℃の範囲である。
【００２７】加水分解に使用する水の量は反応混合物に
対して通常は１〜５重量倍であって、加水分解温度は通
常は１００℃以下、好ましくは１０℃以下で行われる
が、急激に発熱する場合があるので冷却を十分に行うこ
とが好ましく、冷却のために水に代えて氷または氷水を
用いてもよい。
対して通常は１〜５重量倍であって、加水分解温度は通
常は１００℃以下、好ましくは１０℃以下で行われる
が、急激に発熱する場合があるので冷却を十分に行うこ
とが好ましく、冷却のために水に代えて氷または氷水を
用いてもよい。
【００２８】加水分解後、得られた反応混合物から水層
を分離して有機層を得るが、分離に際して水層を効率よ
く分離できない場合や、先の反応において水と相溶性の
溶媒を用いた場合には、該反応混合物に水に不溶の有機
溶媒を加えた後に水層を分離して有機層を得てもよい。
かかる有機溶媒としては、例えば、メチルイソブチルケ
トン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、ヘキサン、トル
エン等が挙げられる。また、分離後の水層を上記の水に
不溶の有機溶媒を用いて抽出処理し、得られた有機層を
先に得た有機層と合わせてもよい。さらに、得られた有
機層を水洗してもよい。得られた有機層から通常の方
法、例えば、無水硫酸ナトリウム、無水硫酸マグネシウ
ム、モレキュラーシーブ等の中性の乾燥剤を用いて水分
を除去して、化合物〔７〕を含む溶液を得る。このよう
にして得られた化合物〔７〕は、溶液のまま次の〔工程
４〕に用いてもよいし、溶液から通常の方法、例えば、
溶媒留去によって単離して用いてもよい。
を分離して有機層を得るが、分離に際して水層を効率よ
く分離できない場合や、先の反応において水と相溶性の
溶媒を用いた場合には、該反応混合物に水に不溶の有機
溶媒を加えた後に水層を分離して有機層を得てもよい。
かかる有機溶媒としては、例えば、メチルイソブチルケ
トン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、ヘキサン、トル
エン等が挙げられる。また、分離後の水層を上記の水に
不溶の有機溶媒を用いて抽出処理し、得られた有機層を
先に得た有機層と合わせてもよい。さらに、得られた有
機層を水洗してもよい。得られた有機層から通常の方
法、例えば、無水硫酸ナトリウム、無水硫酸マグネシウ
ム、モレキュラーシーブ等の中性の乾燥剤を用いて水分
を除去して、化合物〔７〕を含む溶液を得る。このよう
にして得られた化合物〔７〕は、溶液のまま次の〔工程
４〕に用いてもよいし、溶液から通常の方法、例えば、
溶媒留去によって単離して用いてもよい。
【００２９】かくして得られる化合物〔７〕として具体
的には、１−トリメチルシリル−３−ヒドロキシ−４−
（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ブチン、１−トリエチ
ルシリル−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキ
シ）−１−ブチン、１−ｔ−ブチルジメチルシリル−３
−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ブ
チン、１−ジフェニルメチルシリル−３−ヒドロキシ−
４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ブチン等を例示す
ることができる。
的には、１−トリメチルシリル−３−ヒドロキシ−４−
（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ブチン、１−トリエチ
ルシリル−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキ
シ）−１−ブチン、１−ｔ−ブチルジメチルシリル−３
−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ブ
チン、１−ジフェニルメチルシリル−３−ヒドロキシ−
４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ブチン等を例示す
ることができる。
【００３０】〔工程４〕〔工程３〕で得られた化合物
〔７〕を水素化金属類と反応させて、一般式〔６〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示されるビニルケイ素化合物のラセミ体（以
下、化合物〔６〕と称する。）を得る。ここで一般式
〔６〕で示されるビニルケイ素化合物には、３位の不斉
炭素を中心とする立体配置が（３Ｒ）または（３Ｓ）で
表される２種類の光学活性体が存在するが、ここで得ら
れる化合物〔６〕はこれらのラセミ体である。
〔７〕を水素化金属類と反応させて、一般式〔６〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示されるビニルケイ素化合物のラセミ体（以
下、化合物〔６〕と称する。）を得る。ここで一般式
〔６〕で示されるビニルケイ素化合物には、３位の不斉
炭素を中心とする立体配置が（３Ｒ）または（３Ｓ）で
表される２種類の光学活性体が存在するが、ここで得ら
れる化合物〔６〕はこれらのラセミ体である。
【００３１】水素化金属類としては、水素化ビス（２−
メトキシエトキシ）アルミニウム、リチウムアルミニウ
ムハイドライド、水素化ホウ素ナトリウム、ナトリウム
アルミニウムハイドライド、水素化ビス（２−メトキシ
エトキシ）ナトリウムアルムニウム、ジエチルマグネシ
ウム等が例示される。ここで、ジエチルマグネシウムは
水素化金属ではないものの、反応中にジエチルマグネシ
ウムのエチル基の水素原子が脱離するため、あたかも水
素化金属として働くものである。水素化金属類の使用量
は化合物〔７〕に対して通常は０．８〜５モル倍、好ま
しくは０．９〜２．７モル倍の範囲である。
メトキシエトキシ）アルミニウム、リチウムアルミニウ
ムハイドライド、水素化ホウ素ナトリウム、ナトリウム
アルミニウムハイドライド、水素化ビス（２−メトキシ
エトキシ）ナトリウムアルムニウム、ジエチルマグネシ
ウム等が例示される。ここで、ジエチルマグネシウムは
水素化金属ではないものの、反応中にジエチルマグネシ
ウムのエチル基の水素原子が脱離するため、あたかも水
素化金属として働くものである。水素化金属類の使用量
は化合物〔７〕に対して通常は０．８〜５モル倍、好ま
しくは０．９〜２．７モル倍の範囲である。
【００３２】反応に際しては、通常は溶媒が用いられ、
かかる溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ｔ−
ブチルメチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジメトキ
シエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル系溶媒、あるいはトルエン、キシレン、ペンタン、ヘ
キサン、シクロヘキサン、２，２，４−トリメチルペン
タン等の炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒
はそれぞれ単独、あるいは２種以上を混合して用いら
れ、その使用量は、化合物〔７〕に対して通常は２〜２
００重量倍である。反応に際しては、化合物〔７〕と水
素化金属類とを混合すればよく、反応温度は通常は−１
２０〜１００℃、好ましくは−５０〜５０℃である。
かかる溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ｔ−
ブチルメチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジメトキ
シエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル系溶媒、あるいはトルエン、キシレン、ペンタン、ヘ
キサン、シクロヘキサン、２，２，４−トリメチルペン
タン等の炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒
はそれぞれ単独、あるいは２種以上を混合して用いら
れ、その使用量は、化合物〔７〕に対して通常は２〜２
００重量倍である。反応に際しては、化合物〔７〕と水
素化金属類とを混合すればよく、反応温度は通常は−１
２０〜１００℃、好ましくは−５０〜５０℃である。
【００３３】なお、反応に際して水素化金属類ととも
に、遷移金属化合物を加えることによって、水素化金属
類の活性を向上させて反応を速やかに進め、かつ化合物
〔７〕の収率を高めることができる。かかる遷移金属化
合物としては、例えば、塩化チタン（ＩＶ）、塩化コバ
ルト（ＩＩ）、塩化ニッケル（ＩＩ）、塩化ネオビウム
（Ｖ）等の遷移金属塩化物や、酢酸チタン（ＩＶ）、酢
酸コバルト（ＩＩ）、酢酸ニッケル（ＩＩ）等の遷移金
属と有機酸との塩、あるいはジシクロペンタジエニルジ
クロロチタン（ＩＶ）、ジシクロペンタジエニルコバル
ト（ＩＩ）等の遷移金属錯体等を例示することができ、
その使用量は化合物〔７〕に対して通常は０．１モル倍
以下、好ましくは０．００１〜０．１モル倍の範囲であ
る。
に、遷移金属化合物を加えることによって、水素化金属
類の活性を向上させて反応を速やかに進め、かつ化合物
〔７〕の収率を高めることができる。かかる遷移金属化
合物としては、例えば、塩化チタン（ＩＶ）、塩化コバ
ルト（ＩＩ）、塩化ニッケル（ＩＩ）、塩化ネオビウム
（Ｖ）等の遷移金属塩化物や、酢酸チタン（ＩＶ）、酢
酸コバルト（ＩＩ）、酢酸ニッケル（ＩＩ）等の遷移金
属と有機酸との塩、あるいはジシクロペンタジエニルジ
クロロチタン（ＩＶ）、ジシクロペンタジエニルコバル
ト（ＩＩ）等の遷移金属錯体等を例示することができ、
その使用量は化合物〔７〕に対して通常は０．１モル倍
以下、好ましくは０．００１〜０．１モル倍の範囲であ
る。
【００３４】反応後、得られた反応混合物に水を加えて
未反応の水素化金属類を加水分解して除去する。かかる
水の量は反応に用いた溶媒に対して通常は１〜５重量倍
であり、加水分解温度は通常は５０℃以下、好ましく１
０℃以下であるが、加水分解に際して急激に発熱するこ
とがあるため冷却を十分に行うことが好ましく、冷却の
ために水に代えて氷または氷水を用いてもよい。加水分
解後、得られた反応混合物を水層と有機層とに分離して
有機層を得るが、分離に際して水層を効率よく分離でき
ない場合や、先の反応において水と相溶性の有機溶媒を
用いた場合には、該反応混合物に水に不溶の有機溶媒を
加えた後に水層を分離して有機層を得てもよく、かかる
有機溶媒として通常は、メチルイソブチルケトン、酢酸
エチル、ジエチルエーテル、ヘキサン、トルエン等が用
いられる。また、分離後の水層を上記の水に不溶の有機
溶媒を用いて抽出処理し、得られた有機層を先に得た有
機層と合わせてもよい。さらに、得られた有機層を水洗
してもよい。化合物〔６〕は、得られた有機層から単離
することなく用いることもでき、また、必要に応じて有
機層から通常の方法、例えば溶媒留去によって単離して
次の〔工程５〕に用いることもできる。
未反応の水素化金属類を加水分解して除去する。かかる
水の量は反応に用いた溶媒に対して通常は１〜５重量倍
であり、加水分解温度は通常は５０℃以下、好ましく１
０℃以下であるが、加水分解に際して急激に発熱するこ
とがあるため冷却を十分に行うことが好ましく、冷却の
ために水に代えて氷または氷水を用いてもよい。加水分
解後、得られた反応混合物を水層と有機層とに分離して
有機層を得るが、分離に際して水層を効率よく分離でき
ない場合や、先の反応において水と相溶性の有機溶媒を
用いた場合には、該反応混合物に水に不溶の有機溶媒を
加えた後に水層を分離して有機層を得てもよく、かかる
有機溶媒として通常は、メチルイソブチルケトン、酢酸
エチル、ジエチルエーテル、ヘキサン、トルエン等が用
いられる。また、分離後の水層を上記の水に不溶の有機
溶媒を用いて抽出処理し、得られた有機層を先に得た有
機層と合わせてもよい。さらに、得られた有機層を水洗
してもよい。化合物〔６〕は、得られた有機層から単離
することなく用いることもでき、また、必要に応じて有
機層から通常の方法、例えば溶媒留去によって単離して
次の〔工程５〕に用いることもできる。
【００３５】かくして得られる化合物〔６〕として具体
的には、（３ＲＳ）−１−トリメチルシリル−３−ヒド
ロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランス
ブテン、（３ＲＳ）−１−トリエチルシリル−３−ヒド
ロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランス
ブテン、（３ＲＳ）−１−ｔ−ブチルジメチルシリル−
３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−
トランスブテン、（３ＲＳ）−１−ジフェニルメチルシ
リル−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）
−１−トランスブテン等を例示することができる。
的には、（３ＲＳ）−１−トリメチルシリル−３−ヒド
ロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランス
ブテン、（３ＲＳ）−１−トリエチルシリル−３−ヒド
ロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランス
ブテン、（３ＲＳ）−１−ｔ−ブチルジメチルシリル−
３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−
トランスブテン、（３ＲＳ）−１−ジフェニルメチルシ
リル−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）
−１−トランスブテン等を例示することができる。
【００３６】〔工程５〕〔工程４〕で得られた化合物
〔６〕を、Ｌ−（＋）−酒石酸ジエステルとチタンテト
ラアルコキシドとの存在下に脂肪族もしくは芳香族炭化
水素のハイドロパーオキサイドと反応させて、一般式
〔３〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示されるエポキシケイ素化合物（以下、化合
物〔３〕と称する。）の光学活性体の１つである（１
Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）体（以下、化合物〔３ｂ〕と称す
る。）と、前記の一般式〔６〕で示されるビニルケイ素
化合物の光学活性体の１つである（３Ｓ）体（以下、化
合物〔５〕と称する。）とを得る。
〔６〕を、Ｌ−（＋）−酒石酸ジエステルとチタンテト
ラアルコキシドとの存在下に脂肪族もしくは芳香族炭化
水素のハイドロパーオキサイドと反応させて、一般式
〔３〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示されるエポキシケイ素化合物（以下、化合
物〔３〕と称する。）の光学活性体の１つである（１
Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）体（以下、化合物〔３ｂ〕と称す
る。）と、前記の一般式〔６〕で示されるビニルケイ素
化合物の光学活性体の１つである（３Ｓ）体（以下、化
合物〔５〕と称する。）とを得る。
【００３７】かかるハイドロパーオキサイドとしては、
例えば、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、α，α−
ジメチルヘプチルハイドロパーオキサイド、ビス−イソ
ブチル−２，５−ジハイドロパーオキサイド、１−メチ
ルシクロヘキシルハイドロパーオキサイド、シクロヘキ
シルハイドロパーオキサイド等の脂肪族炭化水素のハイ
ドロパーオキサイド、あるいはクメンハイドロパーオキ
サイド等の芳香族炭化水素のハイドロパーオキサイド等
が挙げられ、その使用量は、化合物〔６〕に対して通常
は０．５〜３モル倍、好ましくは０．５〜２．５モル倍
の範囲である。
例えば、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、α，α−
ジメチルヘプチルハイドロパーオキサイド、ビス−イソ
ブチル−２，５−ジハイドロパーオキサイド、１−メチ
ルシクロヘキシルハイドロパーオキサイド、シクロヘキ
シルハイドロパーオキサイド等の脂肪族炭化水素のハイ
ドロパーオキサイド、あるいはクメンハイドロパーオキ
サイド等の芳香族炭化水素のハイドロパーオキサイド等
が挙げられ、その使用量は、化合物〔６〕に対して通常
は０．５〜３モル倍、好ましくは０．５〜２．５モル倍
の範囲である。
【００３８】チタンテトラアルコキシドとしては、例え
ばチタンテトラメトキシド、チタンテトラエトキシド、
チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラ−ｎ−プ
ロポキシド、チタンテトラ−ｎ−ブトキシド、チタンテ
トラ−ｔ−ブトキシド等が挙げられ、これらのチタンテ
トラアルコキシドはそれぞれ単独、あるいは２種以上を
混合して使用することができ、その使用量は、化合物
〔６〕に対して通常は０．０５〜１．５モル倍の範囲で
ある。
ばチタンテトラメトキシド、チタンテトラエトキシド、
チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラ−ｎ−プ
ロポキシド、チタンテトラ−ｎ−ブトキシド、チタンテ
トラ−ｔ−ブトキシド等が挙げられ、これらのチタンテ
トラアルコキシドはそれぞれ単独、あるいは２種以上を
混合して使用することができ、その使用量は、化合物
〔６〕に対して通常は０．０５〜１．５モル倍の範囲で
ある。
【００３９】Ｌ−（＋）−酒石酸ジエステルとしては、
例えば、Ｌ−（＋）−酒石酸のジメチル、ジエチル、ジ
イソプロピル、ジ−ｔ−ブチル、ジステアリル等のエス
テルのＬ−（＋）−酒石酸ジアルキルエステルや、Ｌ−
（＋）−酒石酸ジフェニル等のＬ−（＋）−酒石酸ジア
リールエステル等が用いられ、その使用量はチタンテト
ラアルコキシドに対して通常は０．８〜２．１モル倍、
好ましくは１〜１．２モル倍の範囲である。かかるＬ−
（＋）−酒石酸ジエステルを用いることによって反応は
選択的に進行し、ラセミ体である化合物〔６〕のうち、
一方の光学活性体である（３Ｒ）体だけが選択的に反応
して化合物〔３ｂ〕が生成し、他方の光学活性体である
（３Ｓ）体は未反応のまま化合物〔５〕として残る。
例えば、Ｌ−（＋）−酒石酸のジメチル、ジエチル、ジ
イソプロピル、ジ−ｔ−ブチル、ジステアリル等のエス
テルのＬ−（＋）−酒石酸ジアルキルエステルや、Ｌ−
（＋）−酒石酸ジフェニル等のＬ−（＋）−酒石酸ジア
リールエステル等が用いられ、その使用量はチタンテト
ラアルコキシドに対して通常は０．８〜２．１モル倍、
好ましくは１〜１．２モル倍の範囲である。かかるＬ−
（＋）−酒石酸ジエステルを用いることによって反応は
選択的に進行し、ラセミ体である化合物〔６〕のうち、
一方の光学活性体である（３Ｒ）体だけが選択的に反応
して化合物〔３ｂ〕が生成し、他方の光学活性体である
（３Ｓ）体は未反応のまま化合物〔５〕として残る。
【００４０】反応は、反応に不活性な溶媒中で行われ、
かかる溶媒として具体的には、トルエン、キシレン、ペ
ンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、２，２，４−トリ
メチルペンタン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル等のエ
ステル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミ
ド系溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホ
ルム等のハロゲン系溶媒が例示される。これらの溶媒は
単独、あるいは２種以上を混合して用いられ、その使用
量は化合物〔６〕に対して通常は２〜２００重量倍であ
る。
かかる溶媒として具体的には、トルエン、キシレン、ペ
ンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、２，２，４−トリ
メチルペンタン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル等のエ
ステル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミ
ド系溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホ
ルム等のハロゲン系溶媒が例示される。これらの溶媒は
単独、あるいは２種以上を混合して用いられ、その使用
量は化合物〔６〕に対して通常は２〜２００重量倍であ
る。
【００４１】反応に際しては、例えば、チタンテトラア
ルコキシドとＬ−（＋）−酒石酸とを溶媒中で混合した
後に化合物〔６〕を加え、次いでハイドロパーオキサイ
ドを加えればよく、かかる化合物〔６〕あるいはハイド
ロパーオキサイドは、単独、あるいは予め上記の溶媒に
溶解した溶液としてそれぞれ用いることができる。反応
温度は通常は−８０〜８０℃、好ましくは−３０〜３０
℃の範囲である。なお、反応系に水が存在すると収率が
著しく低下するため、反応に際しては溶媒および反応試
剤が十分に乾燥されていることが好ましく、そのために
通常は適宜の方法で乾燥させた溶媒や、例えばデシケー
タ中で乾燥させた反応試剤を用いるが、反応系に粉末化
したモレキュラーシーブ、水素化カルシウムもしくはシ
リカゲル等の乾燥剤を加えて反応を行ってもよい。
ルコキシドとＬ−（＋）−酒石酸とを溶媒中で混合した
後に化合物〔６〕を加え、次いでハイドロパーオキサイ
ドを加えればよく、かかる化合物〔６〕あるいはハイド
ロパーオキサイドは、単独、あるいは予め上記の溶媒に
溶解した溶液としてそれぞれ用いることができる。反応
温度は通常は−８０〜８０℃、好ましくは−３０〜３０
℃の範囲である。なお、反応系に水が存在すると収率が
著しく低下するため、反応に際しては溶媒および反応試
剤が十分に乾燥されていることが好ましく、そのために
通常は適宜の方法で乾燥させた溶媒や、例えばデシケー
タ中で乾燥させた反応試剤を用いるが、反応系に粉末化
したモレキュラーシーブ、水素化カルシウムもしくはシ
リカゲル等の乾燥剤を加えて反応を行ってもよい。
【００４２】反応後の反応混合物に、用いたハイドロパ
ーオキサイドに対して１．５〜５モル倍のジメチルスル
フィドを加えて未反応のハイドロパーオキサイドを分解
する。分解温度は通常５０℃以下、好ましくは１０℃以
下である。かかる分解によって沈殿物が生成するが、該
沈澱物はセライト濾過等の通常の方法によって容易に除
去することができる。ここで、かかる濾過に先立って溶
媒に対して０．０５〜０．２重量倍の５〜２０重量％酒
石酸水溶液、０．０５〜０．１重量倍のフッ化ナトリウ
ムおよび１〜１０重量倍のジエチルエーテルを反応混合
物に加えて攪拌処理することによって、濾過操作による
化合物〔３ｂ〕および化合物〔５〕の損失量を削減し、
これらの化合物の収率を向上し得る。
ーオキサイドに対して１．５〜５モル倍のジメチルスル
フィドを加えて未反応のハイドロパーオキサイドを分解
する。分解温度は通常５０℃以下、好ましくは１０℃以
下である。かかる分解によって沈殿物が生成するが、該
沈澱物はセライト濾過等の通常の方法によって容易に除
去することができる。ここで、かかる濾過に先立って溶
媒に対して０．０５〜０．２重量倍の５〜２０重量％酒
石酸水溶液、０．０５〜０．１重量倍のフッ化ナトリウ
ムおよび１〜１０重量倍のジエチルエーテルを反応混合
物に加えて攪拌処理することによって、濾過操作による
化合物〔３ｂ〕および化合物〔５〕の損失量を削減し、
これらの化合物の収率を向上し得る。
【００４３】沈殿物濾過後の濾液を水層と有機層とに分
離して得られた有機層から通常の方法、例えば、減圧留
去によって過剰のジメチルスルフィドと溶媒とを除去す
る。次いで、得られた残渣を水に不溶な有機溶媒に希釈
あるいは溶解した後、アルカリ水溶液で洗浄して酒石酸
を除去する。かかる有機溶媒としては、メチルイソブチ
ルケトン、酢酸エチル、ジエチルエーテル等が例示さ
れ、その使用量は通常は用いた化合物〔６〕の５〜１０
０重量倍である。アルカリ水溶液としては、例えば、水
酸化ナトリウム、水酸化カルシウム、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム等の無機塩基の水溶液が挙げられ、その濃
度は通常は０．５〜１．５Ｎ、好ましくは０．８〜１．
２Ｎの範囲であって、その使用量は有機溶媒に対して通
常は０．２〜１重量倍、好ましくは０．２〜０．７重量
倍の範囲である。かかる洗浄は通常は−５０〜２０℃、
好ましくは−３０〜０℃の温度範囲で行われる。洗浄
後、分液によって得られた有機層から、通常の方法、例
えば、減圧留去によって溶媒を留去し、得られた残渣
を、例えばカラムクロマトグラフィー処理することによ
って、化合物〔３ｂ〕と化合物〔５〕とをそれぞれ単離
することができる。
離して得られた有機層から通常の方法、例えば、減圧留
去によって過剰のジメチルスルフィドと溶媒とを除去す
る。次いで、得られた残渣を水に不溶な有機溶媒に希釈
あるいは溶解した後、アルカリ水溶液で洗浄して酒石酸
を除去する。かかる有機溶媒としては、メチルイソブチ
ルケトン、酢酸エチル、ジエチルエーテル等が例示さ
れ、その使用量は通常は用いた化合物〔６〕の５〜１０
０重量倍である。アルカリ水溶液としては、例えば、水
酸化ナトリウム、水酸化カルシウム、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム等の無機塩基の水溶液が挙げられ、その濃
度は通常は０．５〜１．５Ｎ、好ましくは０．８〜１．
２Ｎの範囲であって、その使用量は有機溶媒に対して通
常は０．２〜１重量倍、好ましくは０．２〜０．７重量
倍の範囲である。かかる洗浄は通常は−５０〜２０℃、
好ましくは−３０〜０℃の温度範囲で行われる。洗浄
後、分液によって得られた有機層から、通常の方法、例
えば、減圧留去によって溶媒を留去し、得られた残渣
を、例えばカラムクロマトグラフィー処理することによ
って、化合物〔３ｂ〕と化合物〔５〕とをそれぞれ単離
することができる。
【００４４】かくして得られる化合物〔３ｂ〕として具
体的には、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−１−トリメチルシリ
ル−１，２−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−ク
ロルフェノキシ）−１−ブタン、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）
−１−トリエチルシリル−１，２−エポキシ−３−ヒド
ロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ブタン、
（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−１−ｔ−ブチルジメチルシリル
−１，２−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロ
ルフェノキシ）−１−ブタン、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−
１−ジフェニルメチルシリル−１，２−エポキシ−３−
ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ブタ
ン等を例示することができる。
体的には、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−１−トリメチルシリ
ル−１，２−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−ク
ロルフェノキシ）−１−ブタン、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）
−１−トリエチルシリル−１，２−エポキシ−３−ヒド
ロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ブタン、
（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−１−ｔ−ブチルジメチルシリル
−１，２−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロ
ルフェノキシ）−１−ブタン、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−
１−ジフェニルメチルシリル−１，２−エポキシ−３−
ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ブタ
ン等を例示することができる。
【００４５】また、得られる化合物〔５〕として具体的
には、（３Ｓ）−１−トリメチルシリル−３−ヒドロキ
シ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランスブテ
ン、（３Ｓ）−１−トリエチルシリル−３−ヒドロキシ
−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランスブテ
ン、（３Ｓ）−１−ｔ−ブチルジメチルシリル−３−ヒ
ドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トラン
スブテン、（３Ｓ）−１−ジフェニルメチルシリル−３
−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ト
ランスブテン等を例示することができる。
には、（３Ｓ）−１−トリメチルシリル−３−ヒドロキ
シ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランスブテ
ン、（３Ｓ）−１−トリエチルシリル−３−ヒドロキシ
−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランスブテ
ン、（３Ｓ）−１−ｔ−ブチルジメチルシリル−３−ヒ
ドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トラン
スブテン、（３Ｓ）−１−ジフェニルメチルシリル−３
−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ト
ランスブテン等を例示することができる。
【００４６】〔工程６〕〔工程５〕で得られた化合物
〔５〕をアゾジカルボン酸ジエステル類とホスフィン類
との存在下に一般式〔１１〕 （式中、Ｒ15は、水素原子、直鎖もしくは分岐状の炭素
数１〜４のアルキル基、または置換もしくは未置換のフ
ェニル基を示す。）で示されるカルボン酸類と反応させ
て、一般式〔１２〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ15はそれぞれ前記と同じ
意味を示す。）で示される化合物（以下、化合物〔１
２〕と称する。）を得、次いで化合物〔１２〕を加水分
解することによって、前記の一般式〔６〕で示されるビ
ニルケイ素化合物の光学活性体の一つである（３Ｒ）体
（以下、化合物〔４〕と称する。）を得る。
〔５〕をアゾジカルボン酸ジエステル類とホスフィン類
との存在下に一般式〔１１〕 （式中、Ｒ15は、水素原子、直鎖もしくは分岐状の炭素
数１〜４のアルキル基、または置換もしくは未置換のフ
ェニル基を示す。）で示されるカルボン酸類と反応させ
て、一般式〔１２〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ15はそれぞれ前記と同じ
意味を示す。）で示される化合物（以下、化合物〔１
２〕と称する。）を得、次いで化合物〔１２〕を加水分
解することによって、前記の一般式〔６〕で示されるビ
ニルケイ素化合物の光学活性体の一つである（３Ｒ）体
（以下、化合物〔４〕と称する。）を得る。
【００４７】カルボン酸類の置換基Ｒ15として具体的に
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基等
の直鎖状アルキル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基等
の分岐状アルキル基、ｐ−ニトロフェニル基等の置換フ
ェニル基、フェニル基、および水素原子が挙げられる。
かかるカルボン酸類として具体的には、酢酸、プロピオ
ン酸等のアルキルカルボン酸類や、安息香酸、ｐ−ニト
ロ安息香酸等のアリールカルボン酸および蟻酸を例示す
ることができ、その使用量は化合物〔５〕に対して通常
は１〜１０モル倍、好ましくは１．５〜３．５モル倍の
範囲である。アゾジカルボン酸ジエステル類として具体
的には、アゾジカルボン酸ジメチル、アゾジカルボン酸
ジエチル等のアゾジカルボン酸ジアルキル類や、アゾジ
カルボン酸ジフェニル等のアゾジカルボン酸ジアリール
類が例示され、その使用量は化合物〔５〕に対して通常
は１〜１０モル倍、好ましくは１．５〜３．５モル倍の
範囲である。ホスフィン類としては、例えば、トリフェ
ニルホスフィン、トリパラメチルフェニルホスフィン等
のトリアリールホスフィン類や、トリブチルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン等のトリアルキルホ
スフィン類等が挙げられ、その使用量は化合物〔５〕に
対して通常は１〜１０モル倍、好ましくは１．５〜３．
５モル倍の範囲である。
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基等
の直鎖状アルキル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基等
の分岐状アルキル基、ｐ−ニトロフェニル基等の置換フ
ェニル基、フェニル基、および水素原子が挙げられる。
かかるカルボン酸類として具体的には、酢酸、プロピオ
ン酸等のアルキルカルボン酸類や、安息香酸、ｐ−ニト
ロ安息香酸等のアリールカルボン酸および蟻酸を例示す
ることができ、その使用量は化合物〔５〕に対して通常
は１〜１０モル倍、好ましくは１．５〜３．５モル倍の
範囲である。アゾジカルボン酸ジエステル類として具体
的には、アゾジカルボン酸ジメチル、アゾジカルボン酸
ジエチル等のアゾジカルボン酸ジアルキル類や、アゾジ
カルボン酸ジフェニル等のアゾジカルボン酸ジアリール
類が例示され、その使用量は化合物〔５〕に対して通常
は１〜１０モル倍、好ましくは１．５〜３．５モル倍の
範囲である。ホスフィン類としては、例えば、トリフェ
ニルホスフィン、トリパラメチルフェニルホスフィン等
のトリアリールホスフィン類や、トリブチルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン等のトリアルキルホ
スフィン類等が挙げられ、その使用量は化合物〔５〕に
対して通常は１〜１０モル倍、好ましくは１．５〜３．
５モル倍の範囲である。
【００４８】かかる反応は、通常は反応に不活性な溶媒
中で行われ、かかる溶媒としては、例えば、ジエチルエ
ーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジプロピルエーテ
ル、ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、ペンタ
ン、ヘキサン、シクロヘキサン、２，２，４−トリメチ
ルペンタン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル等のエステ
ル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系
溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム
等のハロゲン系溶媒が挙げられる。これらの溶媒はそれ
ぞれ単独、あるいは２種以上を混合して用いられ、その
使用量は化合物〔５〕に対して通常は２〜２００重量倍
である。
中で行われ、かかる溶媒としては、例えば、ジエチルエ
ーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジプロピルエーテ
ル、ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、ペンタ
ン、ヘキサン、シクロヘキサン、２，２，４−トリメチ
ルペンタン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル等のエステ
ル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系
溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム
等のハロゲン系溶媒が挙げられる。これらの溶媒はそれ
ぞれ単独、あるいは２種以上を混合して用いられ、その
使用量は化合物〔５〕に対して通常は２〜２００重量倍
である。
【００４９】反応に際しては、例えば、アゾジカルボン
酸ジエステル類とカルボン酸類とを溶媒に溶解し、次い
で化合物〔５〕とホスフィン類とを加えればよい。かか
る化合物〔５〕あるいはホスフィン類はそのまま、ある
いは上記の各溶媒に溶解した溶液としてそれぞれ用いら
れる。反応温度は通常は−１００〜１００℃、好ましく
は−３０〜３０℃の範囲である。
酸ジエステル類とカルボン酸類とを溶媒に溶解し、次い
で化合物〔５〕とホスフィン類とを加えればよい。かか
る化合物〔５〕あるいはホスフィン類はそのまま、ある
いは上記の各溶媒に溶解した溶液としてそれぞれ用いら
れる。反応温度は通常は−１００〜１００℃、好ましく
は−３０〜３０℃の範囲である。
【００５０】かくして得られる化合物〔１２〕として具
体的には、（３Ｒ）−１−トリメチルシリル−３−ヒド
ロカルボニルオキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−
１−トランスブテン、（３Ｒ）−１−トリエチルシリル
−３−ヒドロカルボニルオキシ−４−（ｍ−クロルフェ
ノキシ）−１−トランスブテン、（３Ｒ）−１−ｔ−ブ
チルジメチルシリル−３−ヒドロカルボニルオキシ−４
−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランスブテン、
（３Ｒ）−１−ジフェニルメチルシリル−３−ヒドロカ
ルボニルオキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−
トランスブテン、および、上記の各化合物におけるヒド
ロカルボニルオキシが、メチルカルボニルオキシ、エチ
ルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、フェ
ニルカルボニルオキシ、または（ｍ−ニトロカルボニル
オキシ）に相当する化合物がそれぞれ例示される。
体的には、（３Ｒ）−１−トリメチルシリル−３−ヒド
ロカルボニルオキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−
１−トランスブテン、（３Ｒ）−１−トリエチルシリル
−３−ヒドロカルボニルオキシ−４−（ｍ−クロルフェ
ノキシ）−１−トランスブテン、（３Ｒ）−１−ｔ−ブ
チルジメチルシリル−３−ヒドロカルボニルオキシ−４
−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランスブテン、
（３Ｒ）−１−ジフェニルメチルシリル−３−ヒドロカ
ルボニルオキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−
トランスブテン、および、上記の各化合物におけるヒド
ロカルボニルオキシが、メチルカルボニルオキシ、エチ
ルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、フェ
ニルカルボニルオキシ、または（ｍ−ニトロカルボニル
オキシ）に相当する化合物がそれぞれ例示される。
【００５１】反応後、得られた化合物〔１２〕は、反応
混合物から単離して次の加水分解に用いることもできる
し、反応に際して水と相溶性の溶媒を用いた場合には該
反応混合物のまま用いることもできる。反応混合物から
化合物〔１２〕を単離するには、通常の方法、例えば、
溶媒留去によって残渣を得、これを水に不溶の有機溶媒
に溶解した後、アルカリ水溶液で洗浄し、中性乾燥剤を
用いて乾燥した後、溶媒を留去すればよい。かかる有機
溶媒としては、ジエチルエーテル等が例示され、その使
用量は残渣に対して通常は１〜１００重量倍である。洗
浄に用いるアルカリ水溶液として通常はｐＨ９〜１２、
好ましくはｐＨ９〜１０のアルカリ水溶液が用いられ
る。かかるアルカリ水溶液として具体的には、飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液等が例示され、その使用量は残渣
に対して通常は１〜１０重量倍である。また、中性乾燥
剤としては無水硫酸ナトリウム、無水硫酸マグネシウ
ム、モレキュラーシーブ等が例示される。
混合物から単離して次の加水分解に用いることもできる
し、反応に際して水と相溶性の溶媒を用いた場合には該
反応混合物のまま用いることもできる。反応混合物から
化合物〔１２〕を単離するには、通常の方法、例えば、
溶媒留去によって残渣を得、これを水に不溶の有機溶媒
に溶解した後、アルカリ水溶液で洗浄し、中性乾燥剤を
用いて乾燥した後、溶媒を留去すればよい。かかる有機
溶媒としては、ジエチルエーテル等が例示され、その使
用量は残渣に対して通常は１〜１００重量倍である。洗
浄に用いるアルカリ水溶液として通常はｐＨ９〜１２、
好ましくはｐＨ９〜１０のアルカリ水溶液が用いられ
る。かかるアルカリ水溶液として具体的には、飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液等が例示され、その使用量は残渣
に対して通常は１〜１０重量倍である。また、中性乾燥
剤としては無水硫酸ナトリウム、無水硫酸マグネシウ
ム、モレキュラーシーブ等が例示される。
【００５２】加水分解は、例えば水と有機溶媒と塩基と
の混合溶液に、化合物〔１２〕あるいは化合物〔１２〕
を含む反応混合物を加えれば進行し、化合物〔４〕が生
成する。加水分解温度は通常は−１００〜２００℃、好
ましくは−５０〜５０℃の範囲である。
の混合溶液に、化合物〔１２〕あるいは化合物〔１２〕
を含む反応混合物を加えれば進行し、化合物〔４〕が生
成する。加水分解温度は通常は−１００〜２００℃、好
ましくは−５０〜５０℃の範囲である。
【００５３】加水分解に用いる水の使用量は、化合物
〔１２〕に対して通常は１重量倍以上、好ましくは１〜
１０重量倍の範囲である。また、塩基としては無機塩基
および／または有機塩基が用いられ、無機塩基として
は、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
ナトリウム、炭酸カリウム等が、有機塩基としては、ト
リエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、ピコリ
ン等をそれぞれ挙げることができる。かかる無機塩基の
使用量は化合物〔１２〕に対して通常は０．１〜５０モ
ル倍、好ましくは０．５〜１０モル倍であり、また有機
塩基の使用量は水に対して通常は１〜５重量倍、好まし
くは１〜２重量倍である。
〔１２〕に対して通常は１重量倍以上、好ましくは１〜
１０重量倍の範囲である。また、塩基としては無機塩基
および／または有機塩基が用いられ、無機塩基として
は、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
ナトリウム、炭酸カリウム等が、有機塩基としては、ト
リエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、ピコリ
ン等をそれぞれ挙げることができる。かかる無機塩基の
使用量は化合物〔１２〕に対して通常は０．１〜５０モ
ル倍、好ましくは０．５〜１０モル倍であり、また有機
塩基の使用量は水に対して通常は１〜５重量倍、好まし
くは１〜２重量倍である。
【００５４】加水分解は通常、水と相溶性の有機溶媒中
で行われ、かかる有機溶媒としては、例えば、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等のエステル系溶媒、エタノー
ル、メタノール等のアルコール系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド等のアミド系溶媒等が挙げられる。これ
らの溶媒はそれぞれ単独、または２種以上を混合して用
いられ、その使用量は水に対して１重量倍以上、好まし
くは１〜１０重量倍の範囲である。
で行われ、かかる有機溶媒としては、例えば、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等のエステル系溶媒、エタノー
ル、メタノール等のアルコール系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド等のアミド系溶媒等が挙げられる。これ
らの溶媒はそれぞれ単独、または２種以上を混合して用
いられ、その使用量は水に対して１重量倍以上、好まし
くは１〜１０重量倍の範囲である。
【００５５】加水分解後の反応混合物に酸を加えて、中
和する。かかる酸として通常はｐＨ５〜７、好ましくは
ｐＨ６〜７の弱酸性水溶液が用いられ、その使用量は化
合物〔１２〕に対して通常は１０〜５０重量倍である。
かかる水溶液として、例えば飽和塩化アンモニウム水溶
液が挙げられる。中和後の反応混合物から、メチルイソ
ブチルケトン、酢酸エチル、ジエチルエーテル等の有機
溶媒を用いる抽出処理によって得られる有機層として、
化合物〔４〕を含む溶液を得る。化合物〔４〕は、かか
る溶液のまま次の〔工程７〕に用いることもできるし、
場合によっては単離して用いてもよい。単離して用いる
場合には、化合物〔４〕はかかる溶液から通常の方法、
例えば、溶媒を留去して得られた残渣をカラムクロマト
グラフィー処理する方法で単離して、次の〔工程７〕に
用いられる。
和する。かかる酸として通常はｐＨ５〜７、好ましくは
ｐＨ６〜７の弱酸性水溶液が用いられ、その使用量は化
合物〔１２〕に対して通常は１０〜５０重量倍である。
かかる水溶液として、例えば飽和塩化アンモニウム水溶
液が挙げられる。中和後の反応混合物から、メチルイソ
ブチルケトン、酢酸エチル、ジエチルエーテル等の有機
溶媒を用いる抽出処理によって得られる有機層として、
化合物〔４〕を含む溶液を得る。化合物〔４〕は、かか
る溶液のまま次の〔工程７〕に用いることもできるし、
場合によっては単離して用いてもよい。単離して用いる
場合には、化合物〔４〕はかかる溶液から通常の方法、
例えば、溶媒を留去して得られた残渣をカラムクロマト
グラフィー処理する方法で単離して、次の〔工程７〕に
用いられる。
【００５６】かくして得られる化合物〔４〕として具体
的には、（３Ｒ）−１−トリメチルシリル−３−ヒドロ
キシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランスブ
テン、（３Ｒ）−１−トリエチルシリル−３−ヒドロキ
シ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランスブテ
ン、（３Ｒ）−１−ｔ−ブチルジメチルシリル−３−ヒ
ドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トラン
スブテン、（３Ｒ）−１−ジフェニルメチルシリル−３
−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ト
ランスブテン等を例示することができる。
的には、（３Ｒ）−１−トリメチルシリル−３−ヒドロ
キシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランスブ
テン、（３Ｒ）−１−トリエチルシリル−３−ヒドロキ
シ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランスブテ
ン、（３Ｒ）−１−ｔ−ブチルジメチルシリル−３−ヒ
ドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トラン
スブテン、（３Ｒ）−１−ジフェニルメチルシリル−３
−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−ト
ランスブテン等を例示することができる。
【００５７】〔工程７〕〔工程６〕で得られた化合物
〔４〕をチタンテトラアルコキシドおよび／またはビス
アセチルアセトン酸バナジルの存在下に脂肪族もしくは
芳香族炭化水素のハイドロパーオキサイドと反応させ
て、化合物〔３〕の光学活性体の一つである（１ＲＳ，
２ＲＳ，３Ｓ）体（以下、化合物〔３ａ〕と称する。）
を得る。
〔４〕をチタンテトラアルコキシドおよび／またはビス
アセチルアセトン酸バナジルの存在下に脂肪族もしくは
芳香族炭化水素のハイドロパーオキサイドと反応させ
て、化合物〔３〕の光学活性体の一つである（１ＲＳ，
２ＲＳ，３Ｓ）体（以下、化合物〔３ａ〕と称する。）
を得る。
【００５８】かかるハイドロパーオキサイドとしては、
前記の〔工程５〕にハイドロパーオキサイドとして例示
したのと同様の化合物が挙げられ、その使用量は化合物
〔４〕に対して通常は１〜６倍、好ましくは１〜３モル
倍の範囲である。チタンテトラアルコキシドとしては、
前記の〔工程５〕にチタンテトラアルコキシドとして例
示したのと同様の化合物が挙げられ、その使用量は化合
物〔４〕に対して通常は０．５〜３モル倍、好ましくは
０．５〜２．５モル倍である。ビスアセチルアセトン酸
バナジルを用いる場合には、その使用量は化合物〔４〕
に対して通常は０．０５〜１．５モル倍の範囲である。
前記の〔工程５〕にハイドロパーオキサイドとして例示
したのと同様の化合物が挙げられ、その使用量は化合物
〔４〕に対して通常は１〜６倍、好ましくは１〜３モル
倍の範囲である。チタンテトラアルコキシドとしては、
前記の〔工程５〕にチタンテトラアルコキシドとして例
示したのと同様の化合物が挙げられ、その使用量は化合
物〔４〕に対して通常は０．５〜３モル倍、好ましくは
０．５〜２．５モル倍である。ビスアセチルアセトン酸
バナジルを用いる場合には、その使用量は化合物〔４〕
に対して通常は０．０５〜１．５モル倍の範囲である。
【００５９】かかる反応は溶媒中で行うのが好ましく、
かかる溶媒としては、例えば前記の〔工程５〕に反応に
用いる溶媒として例示したのと同様の溶媒が挙げられ、
その使用量は化合物〔４〕に対して通常は２〜２００重
量倍である。反応の際には、例えば化合物〔４〕を溶媒
に溶解し、次いでハイドロパーオキサイドとビスアセチ
ルアセトン酸バナジルとを加えればよく、かかるハイド
ロパーオキサイドあるいはビスアセチルアセトン酸バナ
ジルは、そのまま、あるいは上記の溶媒に溶解した溶液
としてそれぞれ用いられる。反応温度は通常は−８０〜
８０℃、好ましくは−３０〜３０℃の範囲である。
かかる溶媒としては、例えば前記の〔工程５〕に反応に
用いる溶媒として例示したのと同様の溶媒が挙げられ、
その使用量は化合物〔４〕に対して通常は２〜２００重
量倍である。反応の際には、例えば化合物〔４〕を溶媒
に溶解し、次いでハイドロパーオキサイドとビスアセチ
ルアセトン酸バナジルとを加えればよく、かかるハイド
ロパーオキサイドあるいはビスアセチルアセトン酸バナ
ジルは、そのまま、あるいは上記の溶媒に溶解した溶液
としてそれぞれ用いられる。反応温度は通常は−８０〜
８０℃、好ましくは−３０〜３０℃の範囲である。
【００６０】反応後、得られた反応混合物に、反応に用
いたハイドロパーオキサイドの１〜２モル倍のジメチル
スルフィドを加えて、未反応のハイドロパーオキサイド
を分解して除去する。かかる分解は通常は−５０〜１０
０℃、好ましくは０〜５０℃の温度範囲で行わる。次い
で、分解後の反応混合物に、塩基を加えて中和する。か
かる塩基は、通常はｐＨ９〜１２、好ましくはｐＨ９〜
１１のアルカリ水溶液が好ましい。かかるアルカリ水溶
液として具体的には飽和炭酸水素ナトリウム水溶液が例
示され、その使用量は反応に用いた溶媒に対して通常は
０．５〜２重量倍である。
いたハイドロパーオキサイドの１〜２モル倍のジメチル
スルフィドを加えて、未反応のハイドロパーオキサイド
を分解して除去する。かかる分解は通常は−５０〜１０
０℃、好ましくは０〜５０℃の温度範囲で行わる。次い
で、分解後の反応混合物に、塩基を加えて中和する。か
かる塩基は、通常はｐＨ９〜１２、好ましくはｐＨ９〜
１１のアルカリ水溶液が好ましい。かかるアルカリ水溶
液として具体的には飽和炭酸水素ナトリウム水溶液が例
示され、その使用量は反応に用いた溶媒に対して通常は
０．５〜２重量倍である。
【００６１】中和後の反応混合物から水層を分離して有
機層を得るが、分離に際して水層を効率よく分離できな
い場合や、反応に際して水と相溶性の溶媒を用いた場合
には、水に不溶な有機溶媒を加えた後に水層を分離して
有機層を得てもよく、かかる有機溶媒として通常は、メ
チルイソブチルケトン、酢酸エチル、ジエチルエーテ
ル、ヘキサン、トルエン等が用いられる。また、分離後
の水層を上記の水に不溶な有機溶媒を用いて抽出処理
し、得られた有機層を先に得た有機層と合わせてもよ
い。さらに、得られた有機層を水洗してもよい。得られ
た有機層に、例えば、無水硫酸ナトリウム、無水硫酸マ
グネシウム、モレキュラーシーブ等の中性の乾燥剤を加
えて乾燥して化合物〔３ａ〕を含む溶液を得る。かかる
溶液はそのまま次の〔工程８〕に用いることもできる
し、溶液から化合物〔３ａ〕を単離して用いることもで
き、単離方法としては、通常の方法、例えば、溶媒を留
去して得られた残渣をカラムクロマトグラフィー処理す
る方法が挙げられる。
機層を得るが、分離に際して水層を効率よく分離できな
い場合や、反応に際して水と相溶性の溶媒を用いた場合
には、水に不溶な有機溶媒を加えた後に水層を分離して
有機層を得てもよく、かかる有機溶媒として通常は、メ
チルイソブチルケトン、酢酸エチル、ジエチルエーテ
ル、ヘキサン、トルエン等が用いられる。また、分離後
の水層を上記の水に不溶な有機溶媒を用いて抽出処理
し、得られた有機層を先に得た有機層と合わせてもよ
い。さらに、得られた有機層を水洗してもよい。得られ
た有機層に、例えば、無水硫酸ナトリウム、無水硫酸マ
グネシウム、モレキュラーシーブ等の中性の乾燥剤を加
えて乾燥して化合物〔３ａ〕を含む溶液を得る。かかる
溶液はそのまま次の〔工程８〕に用いることもできる
し、溶液から化合物〔３ａ〕を単離して用いることもで
き、単離方法としては、通常の方法、例えば、溶媒を留
去して得られた残渣をカラムクロマトグラフィー処理す
る方法が挙げられる。
【００６２】かくして得られる化合物〔３ａ〕として具
体的には、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリメチル
シリル−１，２−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ
−クロルフェノキシ）−ブタン、（１ＲＳ，２ＲＳ，３
Ｓ）−１−トリエチルシリル−１，２−エポキシ−３−
ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、
（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−ｔ−ブチルジメチルシ
リル−１，２−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−
クロルフェノキシ）−ブタン、（１ＲＳ，２ＲＳ，３
Ｓ）−１−フェニルジメチルシリル−１，２−エポキシ
−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブ
タン等が例示される。
体的には、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリメチル
シリル−１，２−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ
−クロルフェノキシ）−ブタン、（１ＲＳ，２ＲＳ，３
Ｓ）−１−トリエチルシリル−１，２−エポキシ−３−
ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、
（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−ｔ−ブチルジメチルシ
リル−１，２−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−
クロルフェノキシ）−ブタン、（１ＲＳ，２ＲＳ，３
Ｓ）−１−フェニルジメチルシリル−１，２−エポキシ
−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブ
タン等が例示される。
【００６３】〔工程８〕〔工程７〕で得られた化合物
〔３ａ〕を保護試剤と反応させて、一般式〔２〕 （式中、Ｒ4 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ
意味を示す。）で示される保護基を有するエポキシケイ
素化合物（以下、化合物〔２〕と称する。）の光学活性
体の一つである（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）体（以下、化
合物〔２ａ〕と称する。）を得る。
〔３ａ〕を保護試剤と反応させて、一般式〔２〕 （式中、Ｒ4 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ
意味を示す。）で示される保護基を有するエポキシケイ
素化合物（以下、化合物〔２〕と称する。）の光学活性
体の一つである（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）体（以下、化
合物〔２ａ〕と称する。）を得る。
【００６４】かかる保護基を導入することによって、次
の〔工程９〕における副反応を防いで、収率よく化合物
〔１ａ〕を得ることができる。化合物〔２ａ〕のヒドロ
キシル基の保護基Ｒ4 としては、一般式〔２１〕 （式中、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12はそれぞれ独立に、低級アル
キル基、ハロゲン原子もしくは低級アルキル基で置換さ
れたフェニル基、あるいはフェニル基を示し、ここで低
級アルキル基とは直鎖あるいは分岐状の炭素数１〜４の
アルキル基を示す。）で示されるシリル基、あるいはピ
ラニル基、アルコキシアルキル基等が例示される。
の〔工程９〕における副反応を防いで、収率よく化合物
〔１ａ〕を得ることができる。化合物〔２ａ〕のヒドロ
キシル基の保護基Ｒ4 としては、一般式〔２１〕 （式中、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12はそれぞれ独立に、低級アル
キル基、ハロゲン原子もしくは低級アルキル基で置換さ
れたフェニル基、あるいはフェニル基を示し、ここで低
級アルキル基とは直鎖あるいは分岐状の炭素数１〜４の
アルキル基を示す。）で示されるシリル基、あるいはピ
ラニル基、アルコキシアルキル基等が例示される。
【００６５】ここで、シリル基の置換基Ｒ10、Ｒ11、Ｒ
12としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル
基等の直鎖状低級アルキル基、イソプロピル基、ｔ−ブ
チル基等の分岐状低級アルキル基、ｍ−クロルフェニル
基、ｍ−メチルフェニル基等の置換フェニル基、あるい
はフェニル基等が挙げられ、かかるシリル基として具体
的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ
−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル
基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。また、ピラ
ニル基として具体的には、テトラヒドロピラニル基、テ
トラヒドロフラニル基等が、アルコキシアルキル基とし
て具体的には、メトキシメチル基、エトキシメチル基等
が例示される。
12としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル
基等の直鎖状低級アルキル基、イソプロピル基、ｔ−ブ
チル基等の分岐状低級アルキル基、ｍ−クロルフェニル
基、ｍ−メチルフェニル基等の置換フェニル基、あるい
はフェニル基等が挙げられ、かかるシリル基として具体
的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ
−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル
基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。また、ピラ
ニル基として具体的には、テトラヒドロピラニル基、テ
トラヒドロフラニル基等が、アルコキシアルキル基とし
て具体的には、メトキシメチル基、エトキシメチル基等
が例示される。
【００６６】ヒドロキシル基に保護基を導入するための
保護試剤としては、シリル化剤、ピラニル化剤、アルコ
キシアルキル化剤等が用いられ、用いる保護試剤の種類
によって反応条件が異なるが、いずれを用いた場合にも
化合物〔３ａ〕の立体配置を保存したままの化合物〔２
ａ〕を得ることができる。
保護試剤としては、シリル化剤、ピラニル化剤、アルコ
キシアルキル化剤等が用いられ、用いる保護試剤の種類
によって反応条件が異なるが、いずれを用いた場合にも
化合物〔３ａ〕の立体配置を保存したままの化合物〔２
ａ〕を得ることができる。
【００６７】保護試剤としてシリル化剤を用いる場合に
は、シリル化剤と化合物〔３ａ〕とをアミン化合物の存
在下に反応させて、ヒドロキシル基の保護基Ｒ4 がシリ
ル基である化合物〔２ａ〕を得ることができる。シリル
化剤としては、例えば、シリルクロリド化合物やトリフ
ルオロメタンスルホニルシラン化合物等が用いられ、シ
リルクロリド化合物として、ｔ−ブチルジメチルシリル
クロリド、トリメチルシリルクロリド、トリエチルシリ
ルクロリド、フェニルジメチルシリルクロリド、トリフ
ェニルシリルクロリド、トリイソプロピルシリルクロリ
ド等、また、トリフルオロメタンスルホニルシラン化合
物として、トリフルオロメタンスルホニル−ｔ−ブチル
ジメチルシラン、トリフルオロメタンスルホニルトリメ
チルシラン、トリフルオロメタンスルホニルトリエチル
シラン、トリフルオロメタンスルホニルフェニルジメチ
ルシラン、トリフルオロメタンスルホニルトリフェニル
シラン、トリフルオロメタンスルホニルトリイソプロピ
ルシラン等をそれぞれ例示することができ、その使用量
は化合物〔３ａ〕に対して通常は１〜５モル倍、好まし
くは１〜１．５モル倍の範囲である。
は、シリル化剤と化合物〔３ａ〕とをアミン化合物の存
在下に反応させて、ヒドロキシル基の保護基Ｒ4 がシリ
ル基である化合物〔２ａ〕を得ることができる。シリル
化剤としては、例えば、シリルクロリド化合物やトリフ
ルオロメタンスルホニルシラン化合物等が用いられ、シ
リルクロリド化合物として、ｔ−ブチルジメチルシリル
クロリド、トリメチルシリルクロリド、トリエチルシリ
ルクロリド、フェニルジメチルシリルクロリド、トリフ
ェニルシリルクロリド、トリイソプロピルシリルクロリ
ド等、また、トリフルオロメタンスルホニルシラン化合
物として、トリフルオロメタンスルホニル−ｔ−ブチル
ジメチルシラン、トリフルオロメタンスルホニルトリメ
チルシラン、トリフルオロメタンスルホニルトリエチル
シラン、トリフルオロメタンスルホニルフェニルジメチ
ルシラン、トリフルオロメタンスルホニルトリフェニル
シラン、トリフルオロメタンスルホニルトリイソプロピ
ルシラン等をそれぞれ例示することができ、その使用量
は化合物〔３ａ〕に対して通常は１〜５モル倍、好まし
くは１〜１．５モル倍の範囲である。
【００６８】アミン化合物としては、例えば、イミダゾ
ール、ピリジン、トリエチルアミン、２，６−ルチジン
等が挙げられ、その使用量は化合物〔３ａ〕に対して通
常は０．１〜１０モル倍、好ましくは０．５〜２．５モ
ル倍の範囲である。
ール、ピリジン、トリエチルアミン、２，６−ルチジン
等が挙げられ、その使用量は化合物〔３ａ〕に対して通
常は０．１〜１０モル倍、好ましくは０．５〜２．５モ
ル倍の範囲である。
【００６９】化合物〔３ａ〕とシリル化剤との反応は、
通常は溶媒中で行われ、かかる溶媒として具体的には、
例えば、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテ
ル、ジプロピルエーテル、ジメトキシエタン、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエ
ン、キシレン、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、
２，２，４−トリメチルペンタン等の炭化水素系溶媒、
酢酸エチル等のエステル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、ジクロロ
エタン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒等を挙げるこ
とができる。これらの溶媒はそれぞれ単独、または２種
以上を混合して用いられ、その使用量は化合物〔３ａ〕
に対して通常は２〜２００重量倍である。反応に際して
は、例えば、化合物〔３ａ〕とアミン化合物とを溶媒中
で混合し、次いでシリル化剤を加えればよい。化合物
〔３ａ〕あるいはシリル化剤は単独、あるいは予め上記
の溶媒に溶解した溶液として用いられる。反応温度は通
常は−１５０〜２００℃、好ましくは−８０〜１００℃
の範囲である。
通常は溶媒中で行われ、かかる溶媒として具体的には、
例えば、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテ
ル、ジプロピルエーテル、ジメトキシエタン、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエ
ン、キシレン、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、
２，２，４−トリメチルペンタン等の炭化水素系溶媒、
酢酸エチル等のエステル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、ジクロロ
エタン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒等を挙げるこ
とができる。これらの溶媒はそれぞれ単独、または２種
以上を混合して用いられ、その使用量は化合物〔３ａ〕
に対して通常は２〜２００重量倍である。反応に際して
は、例えば、化合物〔３ａ〕とアミン化合物とを溶媒中
で混合し、次いでシリル化剤を加えればよい。化合物
〔３ａ〕あるいはシリル化剤は単独、あるいは予め上記
の溶媒に溶解した溶液として用いられる。反応温度は通
常は−１５０〜２００℃、好ましくは−８０〜１００℃
の範囲である。
【００７０】保護試剤としてピラニル化剤を用いる場合
には、かかるピラニル化剤と化合物〔３ａ〕とを酸の存
在下に反応させることによって、ヒドロキシル基の保護
基Ｒ 4 がピラニル基である化合物〔２ａ〕を得ることが
できる。ピラニル化剤としては、例えば、テトラヒドロ
ピラニル、テトラヒドロフラニル等が挙げられ、その使
用量は化合物〔３ａ〕に対して通常は０．９〜５モル
倍、好ましくは１〜２モル倍の範囲である。酸として
は、ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸
ピリジン塩、ヨウ化トリメチルシリル等が例示され、そ
の使用量は化合物〔３ａ〕に対して通常は０．０００１
〜０．１モル倍、好ましくは０．００１〜０．０５モル
倍の範囲である。
には、かかるピラニル化剤と化合物〔３ａ〕とを酸の存
在下に反応させることによって、ヒドロキシル基の保護
基Ｒ 4 がピラニル基である化合物〔２ａ〕を得ることが
できる。ピラニル化剤としては、例えば、テトラヒドロ
ピラニル、テトラヒドロフラニル等が挙げられ、その使
用量は化合物〔３ａ〕に対して通常は０．９〜５モル
倍、好ましくは１〜２モル倍の範囲である。酸として
は、ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸
ピリジン塩、ヨウ化トリメチルシリル等が例示され、そ
の使用量は化合物〔３ａ〕に対して通常は０．０００１
〜０．１モル倍、好ましくは０．００１〜０．０５モル
倍の範囲である。
【００７１】化合物〔３ａ〕とピラニル化剤との反応
は、通常は溶媒中で行われ、かかる溶媒として具体的に
は、上記の保護試剤としてシリル化剤を用いる反応にお
いて使用する溶媒と同様の溶媒を挙げることができる。
これらの溶媒はそれぞれ単独、または２種以上を混合し
て用いられ、その使用量は化合物〔３ａ〕に対して通常
は２〜２００重量倍である。反応に際しては、例えば、
ピラニル化剤と酸とを溶媒中で混合し、次いで化合物
〔３ａ〕を加える。反応温度は通常は−１０〜５０℃、
好ましくは０〜３０℃の範囲である。
は、通常は溶媒中で行われ、かかる溶媒として具体的に
は、上記の保護試剤としてシリル化剤を用いる反応にお
いて使用する溶媒と同様の溶媒を挙げることができる。
これらの溶媒はそれぞれ単独、または２種以上を混合し
て用いられ、その使用量は化合物〔３ａ〕に対して通常
は２〜２００重量倍である。反応に際しては、例えば、
ピラニル化剤と酸とを溶媒中で混合し、次いで化合物
〔３ａ〕を加える。反応温度は通常は−１０〜５０℃、
好ましくは０〜３０℃の範囲である。
【００７２】保護試剤としてシリル化剤あるいはピラニ
ル化剤を用いた場合は、化合物〔３ａ〕と保護試剤とを
反応させた後、得られた反応混合物に水を加えて水洗
し、未反応のシリル化剤あるいはピラニル化剤を除去す
る。水洗に用いる水の量は、反応混合物に対して通常は
１〜１０重量倍の範囲であるが、保護試剤としてシリル
化剤を用いた場合には、水を加えるときに未反応のシリ
ル化剤の加水分解によって発熱する場合があるため十分
に冷却することが好ましく、冷却のために水に代えて氷
または氷水を用いてもよい。また、先の反応において水
と相溶性の溶媒を用いた場合には、水とともに水に不溶
の有機溶媒を加える。かかる有機溶媒として通常は、例
えば、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、ジエチル
エーテル、ヘキサン、トルエン等が用いられる。
ル化剤を用いた場合は、化合物〔３ａ〕と保護試剤とを
反応させた後、得られた反応混合物に水を加えて水洗
し、未反応のシリル化剤あるいはピラニル化剤を除去す
る。水洗に用いる水の量は、反応混合物に対して通常は
１〜１０重量倍の範囲であるが、保護試剤としてシリル
化剤を用いた場合には、水を加えるときに未反応のシリ
ル化剤の加水分解によって発熱する場合があるため十分
に冷却することが好ましく、冷却のために水に代えて氷
または氷水を用いてもよい。また、先の反応において水
と相溶性の溶媒を用いた場合には、水とともに水に不溶
の有機溶媒を加える。かかる有機溶媒として通常は、例
えば、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、ジエチル
エーテル、ヘキサン、トルエン等が用いられる。
【００７３】水洗後、得られた混合物を水層と有機層と
に分離して有機層を得るが、分離に際して水層を効率よ
く分離できない場合には、該混合物に上記の水に不溶の
有機溶媒を加えた後に水層を分離して有機層を得てもよ
い。また、水洗後の水層を上記の水に不溶の有機溶媒を
用いて抽出処理し、得られた有機層を先に得た有機層と
合わせてもよい。さらに、得られた有機層を水洗しても
よい。
に分離して有機層を得るが、分離に際して水層を効率よ
く分離できない場合には、該混合物に上記の水に不溶の
有機溶媒を加えた後に水層を分離して有機層を得てもよ
い。また、水洗後の水層を上記の水に不溶の有機溶媒を
用いて抽出処理し、得られた有機層を先に得た有機層と
合わせてもよい。さらに、得られた有機層を水洗しても
よい。
【００７４】また、保護試剤としてアルコキシアルキル
化剤を用いる場合には、かかるアルコキシアルキル化剤
と化合物〔３ａ〕とを塩基の存在下に反応させて、ヒド
ロキシル基の保護基Ｒ4 がアルコキシアルキル基である
化合物〔２ａ〕を得ることができる。アルコキシアルキ
ル化剤としては、例えば、塩化メトキシメチル、塩化エ
トキシメチル等が挙げられ、その使用量は化合物〔３
ａ〕に対して通常は１〜１０モル倍、好ましくは１〜２
モル倍の範囲である。塩基としては、例えば、ナトリウ
ムハイドライド、リチウムアミド、ジイソプロピルエチ
ルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等が挙げられ、
その使用量は化合物〔３ａ〕に対して通常は１〜５０モ
ル倍、好ましくは１．５〜１０モル倍の範囲である。
化剤を用いる場合には、かかるアルコキシアルキル化剤
と化合物〔３ａ〕とを塩基の存在下に反応させて、ヒド
ロキシル基の保護基Ｒ4 がアルコキシアルキル基である
化合物〔２ａ〕を得ることができる。アルコキシアルキ
ル化剤としては、例えば、塩化メトキシメチル、塩化エ
トキシメチル等が挙げられ、その使用量は化合物〔３
ａ〕に対して通常は１〜１０モル倍、好ましくは１〜２
モル倍の範囲である。塩基としては、例えば、ナトリウ
ムハイドライド、リチウムアミド、ジイソプロピルエチ
ルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等が挙げられ、
その使用量は化合物〔３ａ〕に対して通常は１〜５０モ
ル倍、好ましくは１．５〜１０モル倍の範囲である。
【００７５】化合物〔３ａ〕とアルコキシアルキル化剤
との反応は、通常は上記の塩基に不活性な溶媒中で行わ
れ、かかる溶媒として具体的には、例えば、ジエチルエ
ーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジプロピルエーテ
ル、ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、ペンタ
ン、ヘキサン、シクロヘキサン、２，２，４−トリメチ
ルペンタン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル等のエステ
ル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系
溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム
等のハロゲン系溶媒等を挙げることができるが、この中
でもエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒が好ましい。これ
らの溶媒はそれぞれ単独、または２種以上を混合して用
いられ、その使用量は特に限定されないが、好ましくは
化合物〔３ａ〕に対して通常は２〜２００重量倍であ
る。
との反応は、通常は上記の塩基に不活性な溶媒中で行わ
れ、かかる溶媒として具体的には、例えば、ジエチルエ
ーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジプロピルエーテ
ル、ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、ペンタ
ン、ヘキサン、シクロヘキサン、２，２，４−トリメチ
ルペンタン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル等のエステ
ル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系
溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム
等のハロゲン系溶媒等を挙げることができるが、この中
でもエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒が好ましい。これ
らの溶媒はそれぞれ単独、または２種以上を混合して用
いられ、その使用量は特に限定されないが、好ましくは
化合物〔３ａ〕に対して通常は２〜２００重量倍であ
る。
【００７６】反応に際しては、例えば、アルコキシアル
キル化剤と塩基とを溶媒中で混合し、次いで化合物〔３
ａ〕を加える。反応温度は通常は−１００〜１００℃、
好ましくは−５０〜５０℃の範囲である。
キル化剤と塩基とを溶媒中で混合し、次いで化合物〔３
ａ〕を加える。反応温度は通常は−１００〜１００℃、
好ましくは−５０〜５０℃の範囲である。
【００７７】反応後、得られた反応混合物と酸とを混合
し、未反応のアルコキシアルキル化剤を分解し、かつ塩
基を中和する。かかる酸としては通常はｐＨ５〜７、好
ましくはｐＨ６〜７の弱酸性水溶液が用いられ、その使
用量は通常は反応混合物に対して１〜１０重量倍であ
る。かかる水溶液としては、例えば飽和塩化アンモニウ
ム水溶液が挙げられる。分解・中和の温度は、通常は−
１００〜１００℃、好ましくは−５０〜５０℃の範囲で
ある。
し、未反応のアルコキシアルキル化剤を分解し、かつ塩
基を中和する。かかる酸としては通常はｐＨ５〜７、好
ましくはｐＨ６〜７の弱酸性水溶液が用いられ、その使
用量は通常は反応混合物に対して１〜１０重量倍であ
る。かかる水溶液としては、例えば飽和塩化アンモニウ
ム水溶液が挙げられる。分解・中和の温度は、通常は−
１００〜１００℃、好ましくは−５０〜５０℃の範囲で
ある。
【００７８】分解・中和後、得られた混合物を水層と有
機層とに分離して有機層を得るが、分離に際して水層を
効率よく分離できない場合や、先の反応において水と相
溶性の溶媒を用いた場合には、該混合物に水に不溶の有
機溶媒を加えた後に水層を分離して有機層を得てもよ
い。かかる有機溶媒として通常は、例えば、メチルイソ
ブチルケトン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、ヘキサ
ン、トルエン等が用いられる。また、水洗後の水層を上
記の水に不溶の有機溶媒を用いて抽出処理し、得られた
有機層を先に得た有機層と合わせてもよい。得られた有
機層は、ｐＨ９〜１２、好ましくはｐＨ９〜１１の弱ア
ルカリ水溶液で洗浄し、さらに水洗する。かかる弱アル
カリ水溶液としては、例えば、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液が挙げられる。
機層とに分離して有機層を得るが、分離に際して水層を
効率よく分離できない場合や、先の反応において水と相
溶性の溶媒を用いた場合には、該混合物に水に不溶の有
機溶媒を加えた後に水層を分離して有機層を得てもよ
い。かかる有機溶媒として通常は、例えば、メチルイソ
ブチルケトン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、ヘキサ
ン、トルエン等が用いられる。また、水洗後の水層を上
記の水に不溶の有機溶媒を用いて抽出処理し、得られた
有機層を先に得た有機層と合わせてもよい。得られた有
機層は、ｐＨ９〜１２、好ましくはｐＨ９〜１１の弱ア
ルカリ水溶液で洗浄し、さらに水洗する。かかる弱アル
カリ水溶液としては、例えば、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液が挙げられる。
【００７９】かくして得られる化合物〔２ａ〕として
は、保護試剤としてシリル化剤を用いた場合には、例え
ば、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル
−１，２−エポキシ−３−（トリフェニルシリルオキ
シ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、（１Ｒ
Ｓ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリエチルシリル−１，２−
エポキシ−３−（トリフェニルシリルオキシ）−４−
（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、（１ＲＳ，２Ｒ
Ｓ，３Ｓ）−１−ｔ−ブチルジメチルシリル−１，２−
エポキシ−３−（トリフェニルシリルオキシ）−４−
（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、（１ＲＳ，２Ｒ
Ｓ，３Ｓ）−１−フェニルジメチルシリル−１，２−エ
ポキシ−３−（トリフェニルシリルオキシ）−４−（ｍ
−クロルフェノキシ）−ブタン、および、上記の各化合
物におけるトリフェニルシリルオキシが、ｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシ、トリメチルシリルオキシ、トリエ
チルシリルオキシ、フェニルジメチルシリルオキシ、ま
たはトリイソプロピルシリルオキシに相当する化合物を
挙げることができる。
は、保護試剤としてシリル化剤を用いた場合には、例え
ば、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル
−１，２−エポキシ−３−（トリフェニルシリルオキ
シ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、（１Ｒ
Ｓ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリエチルシリル−１，２−
エポキシ−３−（トリフェニルシリルオキシ）−４−
（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、（１ＲＳ，２Ｒ
Ｓ，３Ｓ）−１−ｔ−ブチルジメチルシリル−１，２−
エポキシ−３−（トリフェニルシリルオキシ）−４−
（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、（１ＲＳ，２Ｒ
Ｓ，３Ｓ）−１−フェニルジメチルシリル−１，２−エ
ポキシ−３−（トリフェニルシリルオキシ）−４−（ｍ
−クロルフェノキシ）−ブタン、および、上記の各化合
物におけるトリフェニルシリルオキシが、ｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシ、トリメチルシリルオキシ、トリエ
チルシリルオキシ、フェニルジメチルシリルオキシ、ま
たはトリイソプロピルシリルオキシに相当する化合物を
挙げることができる。
【００８０】また、保護試剤としてピラニル化剤を用い
た場合には、例えば、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−
トリメチルシリル−１，２−エポキシ−３−（テトラヒ
ドロピラニルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）
−ブタン、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリエチル
シリル−１，２−エポキシ−３−（テトラヒドロピラニ
ルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、
（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−ｔ−ブチルジメチルシ
リル−１，２−エポキシ−３−（テトラヒドロピラニル
オキシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、
（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−フェニルジメチルシリ
ル−１，２−エポキシ−３−（テトラヒドロピラニルオ
キシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、およ
び、上記の各化合物におけるテトラヒドロピラニルオキ
シがテトラヒドロフラニルオキシに相当する化合物を挙
げることができる。
た場合には、例えば、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−
トリメチルシリル−１，２−エポキシ−３−（テトラヒ
ドロピラニルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）
−ブタン、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリエチル
シリル−１，２−エポキシ−３−（テトラヒドロピラニ
ルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、
（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−ｔ−ブチルジメチルシ
リル−１，２−エポキシ−３−（テトラヒドロピラニル
オキシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、
（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−フェニルジメチルシリ
ル−１，２−エポキシ−３−（テトラヒドロピラニルオ
キシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、およ
び、上記の各化合物におけるテトラヒドロピラニルオキ
シがテトラヒドロフラニルオキシに相当する化合物を挙
げることができる。
【００８１】さらに、保護試剤としてアルコキシアルキ
ル化剤を用いた場合には、例えば、（１ＲＳ，２ＲＳ，
３Ｓ）−１−トリメチルシリル−１，２−エポキシ−３
−（メトキシメチルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェノ
キシ）−ブタン、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリ
エチルシリル−１，２−エポキシ−３−（メトキシメチ
ルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、
（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−ｔ−ブチルジメチルシ
リル−１，２−エポキシ−３−（メトキシメチルオキ
シ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、（１Ｒ
Ｓ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−フェニルジメチルシリル−
１，２−エポキシ−３−（メトキシメチルオキシ）−４
−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、および、上記の
各化合物におけるメトキシメチルオキシがエトキシメチ
ルオキシに相当する化合物を挙げることができる。
ル化剤を用いた場合には、例えば、（１ＲＳ，２ＲＳ，
３Ｓ）−１−トリメチルシリル−１，２−エポキシ−３
−（メトキシメチルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェノ
キシ）−ブタン、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリ
エチルシリル−１，２−エポキシ−３−（メトキシメチ
ルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、
（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−ｔ−ブチルジメチルシ
リル−１，２−エポキシ−３−（メトキシメチルオキ
シ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、（１Ｒ
Ｓ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−フェニルジメチルシリル−
１，２−エポキシ−３−（メトキシメチルオキシ）−４
−（ｍ−クロルフェノキシ）−ブタン、および、上記の
各化合物におけるメトキシメチルオキシがエトキシメチ
ルオキシに相当する化合物を挙げることができる。
【００８２】水洗後、化合物〔２ａ〕は通常は得られた
有機層から単離して次の〔工程８〕に用いられ、かかる
単離の方法としては、通常の方法、例えば、溶媒を留去
して得られた残渣をカラムクロマトグラフィー処理する
方法が挙げられる。
有機層から単離して次の〔工程８〕に用いられ、かかる
単離の方法としては、通常の方法、例えば、溶媒を留去
して得られた残渣をカラムクロマトグラフィー処理する
方法が挙げられる。
【００８３】〔工程９〕〔工程８〕で得られた化合物
〔２ａ〕と一般式〔１０〕 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は前記と同じ意味を示し、Ｍ
1 はアルカリ金属原子を示す。）で示される有機スズ金
属塩（以下、化合物〔１０〕と称する。）とを反応させ
て、化合物〔１ａ〕を得る。
〔２ａ〕と一般式〔１０〕 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は前記と同じ意味を示し、Ｍ
1 はアルカリ金属原子を示す。）で示される有機スズ金
属塩（以下、化合物〔１０〕と称する。）とを反応させ
て、化合物〔１ａ〕を得る。
【００８４】ここで、化合物〔１０〕の置換基Ｒ1 、Ｒ
2 、Ｒ3 としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基等の直鎖状アルキル基、イソプ
ロピル基、ｔ−ブチル基等の分岐状アルキル基、クロル
メチル基、メトキシメチル基、ベンジル基等の置換アル
キル基、ｍ−クロルフェニル基、ｍ−メチルフェニル基
等の置換フェニル基およびフェニル基が、アルカリ金属
原子Ｍ1 としては、例えばリチウム、ナトリウム等が、
それぞれ挙げられる。
2 、Ｒ3 としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基等の直鎖状アルキル基、イソプ
ロピル基、ｔ−ブチル基等の分岐状アルキル基、クロル
メチル基、メトキシメチル基、ベンジル基等の置換アル
キル基、ｍ−クロルフェニル基、ｍ−メチルフェニル基
等の置換フェニル基およびフェニル基が、アルカリ金属
原子Ｍ1 としては、例えばリチウム、ナトリウム等が、
それぞれ挙げられる。
【００８５】かかる化合物〔１０〕として具体的には、
トリ−ｎ−ブチルスズリチウム、トリメチルスズリチウ
ム、トリエチルスズリチウム、トリプロピルスズリチウ
ム、トリメチルスズナトリウム等のアルキルスズ金属
塩、トリフェニルスズリチウム等のアリールスズ金属
塩、あるいはフェニルジメチルスズリチウム等のアルキ
ルアリールスズ金属塩等を例示することができ、その使
用量は化合物〔２ａ〕に対して通常は０．５〜５モル
倍、好ましくは０．８〜２．５モル倍である。
トリ−ｎ−ブチルスズリチウム、トリメチルスズリチウ
ム、トリエチルスズリチウム、トリプロピルスズリチウ
ム、トリメチルスズナトリウム等のアルキルスズ金属
塩、トリフェニルスズリチウム等のアリールスズ金属
塩、あるいはフェニルジメチルスズリチウム等のアルキ
ルアリールスズ金属塩等を例示することができ、その使
用量は化合物〔２ａ〕に対して通常は０．５〜５モル
倍、好ましくは０．８〜２．５モル倍である。
【００８６】かかる化合物〔１０〕はいずれも公知であ
り、それぞれ対応する有機スズヒドリド化合物とアルカ
リ金属化合物とを溶媒中で反応させることによって容易
に製造することができ、得られた化合物〔１０〕は反応
後の反応混合物のまま用いられる。
り、それぞれ対応する有機スズヒドリド化合物とアルカ
リ金属化合物とを溶媒中で反応させることによって容易
に製造することができ、得られた化合物〔１０〕は反応
後の反応混合物のまま用いられる。
【００８７】アルカリ金属化合物としては、例えば、エ
チルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウ
ム、エチルナトリウム、リチウムジイソプロピルアミド
等を挙げることができ、その使用量は有機スズヒドリド
化合物に対して通常は１〜１．５モル倍である。溶媒と
しては、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテ
ル、ジプロピルエーテル、ジメトキシエタン、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエ
ン、キシレン、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、
２，２，４−トリメチルペンタン等の炭化水素系溶媒等
が用いられ、その使用量は有機スズヒドリド化合物に対
して通常は２〜２００重量倍である。
チルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウ
ム、エチルナトリウム、リチウムジイソプロピルアミド
等を挙げることができ、その使用量は有機スズヒドリド
化合物に対して通常は１〜１．５モル倍である。溶媒と
しては、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテ
ル、ジプロピルエーテル、ジメトキシエタン、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエ
ン、キシレン、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、
２，２，４−トリメチルペンタン等の炭化水素系溶媒等
が用いられ、その使用量は有機スズヒドリド化合物に対
して通常は２〜２００重量倍である。
【００８８】反応に際しては、例えば、溶媒にアルカリ
金属化合物を加え、次いで有機スズヒドリド化合物を加
えて混合すればよく、これらの各化合物は単独、あるい
は予め上記の溶媒に溶解した溶液としてそれぞれ用いら
れる。反応温度は通常は−１２０〜１００℃、好ましく
は−１００〜５０℃の範囲である。
金属化合物を加え、次いで有機スズヒドリド化合物を加
えて混合すればよく、これらの各化合物は単独、あるい
は予め上記の溶媒に溶解した溶液としてそれぞれ用いら
れる。反応温度は通常は−１２０〜１００℃、好ましく
は−１００〜５０℃の範囲である。
【００８９】得られた化合物〔１０〕を含む反応混合物
に化合物〔２ａ〕を加えることによって、化合物〔１
ａ〕が生成する。かかる化合物〔２ａ〕は単独、あるい
は予め上記の溶媒に溶解した溶液として用いられ、反応
温度は通常は−１２０〜１００℃、好ましくは−５０〜
５０℃の範囲である。
に化合物〔２ａ〕を加えることによって、化合物〔１
ａ〕が生成する。かかる化合物〔２ａ〕は単独、あるい
は予め上記の溶媒に溶解した溶液として用いられ、反応
温度は通常は−１２０〜１００℃、好ましくは−５０〜
５０℃の範囲である。
【００９０】反応後の反応混合物に水を加えて水洗す
る。この時、未反応のまま残った過剰の化合物〔１０〕
があれば、かかる水洗によってこれを加水分解して除去
することができる。かかる水の使用量は反応に用いた溶
媒に対して通常は１０〜１００重量倍であり、水洗温度
は通常は５０℃以下、好ましくは１０℃以下であるが、
このとき過剰の化合物〔１０〕が残っている場合には、
これが加水分解されることによって発熱するため十分に
冷却を行うことが好ましく、冷却のために水に代えて氷
または氷水を用いてもよい。
る。この時、未反応のまま残った過剰の化合物〔１０〕
があれば、かかる水洗によってこれを加水分解して除去
することができる。かかる水の使用量は反応に用いた溶
媒に対して通常は１０〜１００重量倍であり、水洗温度
は通常は５０℃以下、好ましくは１０℃以下であるが、
このとき過剰の化合物〔１０〕が残っている場合には、
これが加水分解されることによって発熱するため十分に
冷却を行うことが好ましく、冷却のために水に代えて氷
または氷水を用いてもよい。
【００９１】水洗後の反応混合物を水層と有機層とに分
離して有機層を得るが、分離に際して水層を効率よく分
離できない場合や、あるいは先の反応において水に相溶
性の溶媒を用いた場合には、該反応混合物に水に不溶の
有機溶媒を加えた後に水層を分離して有機層を得てもよ
く、かかる有機溶媒として通常は、メチルイソブチルケ
トン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、ヘキサン、トル
エン等が用いられる。また、分離後の水層を上記の水に
不溶の有機溶媒を用いて抽出処理し、得られた有機層を
先に得た有機層と合わせてもよい。さらに、得られた有
機層を水洗してもよい。得られた有機層から通常の方
法、例えば、溶媒留去によって得られた残渣をカラムク
ロマトグラフィー処理する方法によって、目的とする化
合物〔１ａ〕を得ることができる。
離して有機層を得るが、分離に際して水層を効率よく分
離できない場合や、あるいは先の反応において水に相溶
性の溶媒を用いた場合には、該反応混合物に水に不溶の
有機溶媒を加えた後に水層を分離して有機層を得てもよ
く、かかる有機溶媒として通常は、メチルイソブチルケ
トン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、ヘキサン、トル
エン等が用いられる。また、分離後の水層を上記の水に
不溶の有機溶媒を用いて抽出処理し、得られた有機層を
先に得た有機層と合わせてもよい。さらに、得られた有
機層を水洗してもよい。得られた有機層から通常の方
法、例えば、溶媒留去によって得られた残渣をカラムク
ロマトグラフィー処理する方法によって、目的とする化
合物〔１ａ〕を得ることができる。
【００９２】〔工程１０〕化合物〔３ａ〕に代えて、
〔工程５〕で得られた化合物〔３ｂ〕を用いて〔工程
８〕と同様に操作すれば、化合物〔２〕の光学活性体の
一つである（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）体（以下、化合物〔２
ｂ〕と称する。）を得る。かくして得られる化合物〔２
ｂ〕として具体的には、前記の〔工程８〕に化合物〔２
ａ〕として例示した各化合物における（１ＲＳ，２Ｒ
Ｓ，３Ｓ）が、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）に相当する化合物
を例示することができる。
〔工程５〕で得られた化合物〔３ｂ〕を用いて〔工程
８〕と同様に操作すれば、化合物〔２〕の光学活性体の
一つである（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）体（以下、化合物〔２
ｂ〕と称する。）を得る。かくして得られる化合物〔２
ｂ〕として具体的には、前記の〔工程８〕に化合物〔２
ａ〕として例示した各化合物における（１ＲＳ，２Ｒ
Ｓ，３Ｓ）が、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）に相当する化合物
を例示することができる。
【００９３】〔工程１１〕化合物〔２ａ〕に代えて、
〔工程１０〕で得られた化合物〔２ｂ〕を用いて〔工程
９〕と同様に操作すれば、化合物〔１ａ〕を得ることが
できる。
〔工程１０〕で得られた化合物〔２ｂ〕を用いて〔工程
９〕と同様に操作すれば、化合物〔１ａ〕を得ることが
できる。
【００９４】さらに、上記の製造工程における〔工程
８〕〜〔工程９〕において、化合物〔３ａ〕に代えて化
合物〔３ａ〕と化合物〔３ｂ〕との混合物を〔工程８〕
に用いれば、化合物〔２ａ〕と化合物〔２ｂ〕との混合
物が得られ、かかる混合物はそのまま次の〔工程９〕に
用いることができ、また、〔工程９〕においても同様
に、化合物〔２ａ〕に代えて化合物〔２ａ〕と化合物
〔２ｂ〕との混合物を用いれば、化合物〔１ａ〕を得る
ことができる。
８〕〜〔工程９〕において、化合物〔３ａ〕に代えて化
合物〔３ａ〕と化合物〔３ｂ〕との混合物を〔工程８〕
に用いれば、化合物〔２ａ〕と化合物〔２ｂ〕との混合
物が得られ、かかる混合物はそのまま次の〔工程９〕に
用いることができ、また、〔工程９〕においても同様
に、化合物〔２ａ〕に代えて化合物〔２ａ〕と化合物
〔２ｂ〕との混合物を用いれば、化合物〔１ａ〕を得る
ことができる。
【００９５】かくして得られる化合物〔１ａ〕として、
例えば、（３Ｒ）−１−（トリ−ｎ−ブチルスタニル）
−３−（トリフェニルシリルオキシ）−４−（ｍ−クロ
ルフェノキシ）−１−トランスブテン、（３Ｒ）−１−
（トリメチルスタニル）−３−（トリフェニルシリルオ
キシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランス
ブテン、（３Ｒ）−１−（トリエチルスタニル）−３−
（トリフェニルシリルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェ
ノキシ）−１−トランスブテン、（３Ｒ）−１−（フェ
ニルジメチルスタニル）−３−（トリフェニルシリルオ
キシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランス
ブテン、（３Ｒ）−１−（トリフェニルスタニル）−３
−（トリフェニルシリルオキシ）−４−（ｍ−クロルフ
ェノキシ）−１−トランスブテン、（３Ｒ）−１−（ト
リプロピルスタニル）−３−（トリフェニルシリルオキ
シ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランスブ
テン、および、上記各化合物におけるトリフェニルシリ
ルオキシが、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ、トリメ
チルシリルオキシ、トリエチルシリルオキシ、フェニル
ジメチルシリルオキシ、トリイソプルピルシリルオキ
シ、テトラヒドロピラニルオキシ、またはテトラヒドロ
フラニルオキシに相当する化合物を挙げることができ
る。
例えば、（３Ｒ）−１−（トリ−ｎ−ブチルスタニル）
−３−（トリフェニルシリルオキシ）−４−（ｍ−クロ
ルフェノキシ）−１−トランスブテン、（３Ｒ）−１−
（トリメチルスタニル）−３−（トリフェニルシリルオ
キシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランス
ブテン、（３Ｒ）−１−（トリエチルスタニル）−３−
（トリフェニルシリルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェ
ノキシ）−１−トランスブテン、（３Ｒ）−１−（フェ
ニルジメチルスタニル）−３−（トリフェニルシリルオ
キシ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランス
ブテン、（３Ｒ）−１−（トリフェニルスタニル）−３
−（トリフェニルシリルオキシ）−４−（ｍ−クロルフ
ェノキシ）−１−トランスブテン、（３Ｒ）−１−（ト
リプロピルスタニル）−３−（トリフェニルシリルオキ
シ）−４−（ｍ−クロルフェノキシ）−１−トランスブ
テン、および、上記各化合物におけるトリフェニルシリ
ルオキシが、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ、トリメ
チルシリルオキシ、トリエチルシリルオキシ、フェニル
ジメチルシリルオキシ、トリイソプルピルシリルオキ
シ、テトラヒドロピラニルオキシ、またはテトラヒドロ
フラニルオキシに相当する化合物を挙げることができ
る。
【００９６】一方、化合物〔１〕の他方の光学異性体で
ある化合物〔１ｃ〕は、例えば、上記の〔工程５〕にお
いて、Ｌ−（＋）−酒石酸ジエステルに代えてＤ−
（−）−酒石酸ジエステルを用いる以外は、上記の製造
方法に準拠して製造することができる。すなわち、Ｌ−
（＋）−酒石酸ジエステルに代えてＤ−（−）−酒石酸
ジエステルを用いて〔工程５〕と同様に操作することに
よって化合物〔３〕の光学活性体の一つである（１Ｓ，
２Ｒ，３Ｒ）体（以下、化合物〔３ｅ〕と称する。）と
化合物〔４〕とを得、化合物〔５〕に代えて化合物
〔４〕を用いて〔工程６〕と同様に操作することによっ
て化合物〔５〕を得、化合物〔４〕に代えて化合物
〔５〕を用いて〔工程７〕と同様に操作することによっ
て化合物〔３〕の光学活性体の一つである（１ＲＳ，２
ＲＳ，３Ｒ）体（以下、化合物〔３ｃ〕と称する。）を
得、化合物〔３ａ〕に代えて化合物〔３ｃ〕を用いて
〔工程８〕と同様に操作することによって化合物〔２〕
の光学活性体の一つである（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｒ）体
（以下、化合物〔２ｃ〕と称する。）を得、化合物〔２
ａ〕に代えて化合物〔２ｃ〕を用いて〔工程９〕と同様
に操作すれば化合物〔１ｃ〕を製造することができ、ま
た、化合物〔３ｂ〕に代えて化合物〔３ｅ〕を用いて
〔工程１０〕と同様に操作することによって化合物
〔２〕の光学活性体の一つである（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ）
体（以下、化合物〔２ｅ〕と称する。）を得、化合物
〔２ｂ〕に代えて化合物〔２ｅ〕を用いて〔工程１１〕
と同様に操作することによっても、化合物〔１ｃ〕を製
造することができる。
ある化合物〔１ｃ〕は、例えば、上記の〔工程５〕にお
いて、Ｌ−（＋）−酒石酸ジエステルに代えてＤ−
（−）−酒石酸ジエステルを用いる以外は、上記の製造
方法に準拠して製造することができる。すなわち、Ｌ−
（＋）−酒石酸ジエステルに代えてＤ−（−）−酒石酸
ジエステルを用いて〔工程５〕と同様に操作することに
よって化合物〔３〕の光学活性体の一つである（１Ｓ，
２Ｒ，３Ｒ）体（以下、化合物〔３ｅ〕と称する。）と
化合物〔４〕とを得、化合物〔５〕に代えて化合物
〔４〕を用いて〔工程６〕と同様に操作することによっ
て化合物〔５〕を得、化合物〔４〕に代えて化合物
〔５〕を用いて〔工程７〕と同様に操作することによっ
て化合物〔３〕の光学活性体の一つである（１ＲＳ，２
ＲＳ，３Ｒ）体（以下、化合物〔３ｃ〕と称する。）を
得、化合物〔３ａ〕に代えて化合物〔３ｃ〕を用いて
〔工程８〕と同様に操作することによって化合物〔２〕
の光学活性体の一つである（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｒ）体
（以下、化合物〔２ｃ〕と称する。）を得、化合物〔２
ａ〕に代えて化合物〔２ｃ〕を用いて〔工程９〕と同様
に操作すれば化合物〔１ｃ〕を製造することができ、ま
た、化合物〔３ｂ〕に代えて化合物〔３ｅ〕を用いて
〔工程１０〕と同様に操作することによって化合物
〔２〕の光学活性体の一つである（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ）
体（以下、化合物〔２ｅ〕と称する。）を得、化合物
〔２ｂ〕に代えて化合物〔２ｅ〕を用いて〔工程１１〕
と同様に操作することによっても、化合物〔１ｃ〕を製
造することができる。
【００９７】ここで、得られる化合物〔３ｅ〕としては
前記の〔工程５〕において化合物〔３ｂ〕として例示し
た各化合物における（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）が（１Ｓ，２
Ｒ，３Ｒ）に相当する化合物を、化合物〔４〕としては
前記の〔工程６〕において化合物〔４〕として例示した
各化合物を、化合物〔５〕としては前記の〔工程５〕に
おいて化合物〔５〕として例示した各化合物を、化合物
〔３ｃ〕としては、前記の〔工程５〕において化合物
〔３ｂ〕として例示した各化合物における（１Ｒ，２
Ｓ，３Ｓ）が（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｒ）に相当する化合
物を、化合物〔２ｃ〕としては、前記の〔工程８〕にお
いて化合物〔２ａ〕として例示した各化合物における
（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）が（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｒ）
に相当する化合物を、化合物〔１ｃ〕としては、前記の
〔工程９〕において化合物〔１ａ〕として例示した各化
合物における（３Ｒ）が（３Ｓ）に相当する化合物を、
それぞれ具体的に例示することができ、化合物〔２ｅ〕
としては、前記の〔工程８〕において化合物〔２ａ〕と
して例示した各化合物における（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）が
（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ）に相当する化合物を具体的に例示
することができる。
前記の〔工程５〕において化合物〔３ｂ〕として例示し
た各化合物における（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）が（１Ｓ，２
Ｒ，３Ｒ）に相当する化合物を、化合物〔４〕としては
前記の〔工程６〕において化合物〔４〕として例示した
各化合物を、化合物〔５〕としては前記の〔工程５〕に
おいて化合物〔５〕として例示した各化合物を、化合物
〔３ｃ〕としては、前記の〔工程５〕において化合物
〔３ｂ〕として例示した各化合物における（１Ｒ，２
Ｓ，３Ｓ）が（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｒ）に相当する化合
物を、化合物〔２ｃ〕としては、前記の〔工程８〕にお
いて化合物〔２ａ〕として例示した各化合物における
（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）が（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｒ）
に相当する化合物を、化合物〔１ｃ〕としては、前記の
〔工程９〕において化合物〔１ａ〕として例示した各化
合物における（３Ｒ）が（３Ｓ）に相当する化合物を、
それぞれ具体的に例示することができ、化合物〔２ｅ〕
としては、前記の〔工程８〕において化合物〔２ａ〕と
して例示した各化合物における（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）が
（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ）に相当する化合物を具体的に例示
することができる。
【００９８】また、化合物〔１ｃ〕は、前記した〔工程
１〕〜〔工程９〕における〔工程７〕〜〔工程９〕にお
いて、化合物〔４〕に代えて化合物〔５〕を用いて〔工
程７〕と同様に操作することによって化合物〔３ｃ〕を
得、次いで化合物〔３ａ〕に代えて得られた化合物〔３
ｃ〕を用いて〔工程８〕と同様に操作することによって
化合物〔２ｃ〕を得、次いで化合物〔２ａ〕に代えて得
られた化合物〔２ｃ〕を用いて〔工程９〕と同様に操作
することによっても製造することができる。
１〕〜〔工程９〕における〔工程７〕〜〔工程９〕にお
いて、化合物〔４〕に代えて化合物〔５〕を用いて〔工
程７〕と同様に操作することによって化合物〔３ｃ〕を
得、次いで化合物〔３ａ〕に代えて得られた化合物〔３
ｃ〕を用いて〔工程８〕と同様に操作することによって
化合物〔２ｃ〕を得、次いで化合物〔２ａ〕に代えて得
られた化合物〔２ｃ〕を用いて〔工程９〕と同様に操作
することによっても製造することができる。
【００９９】また、化合物〔１〕のラセミ体である化合
物〔１ｄ〕は、例えば前記の〔工程１〕〜〔工程９〕に
おける〔工程５〕〜〔工程６〕を省略する、すなわち
〔工程７〕〜〔工程９〕において、化合物〔４〕に代え
て化合物〔６〕を用いて〔工程７〕と同様に操作すれば
化合物〔３〕の（１ＲＳ，２ＲＳ，３ＲＳ）体（以下、
化合物〔３ｄ〕と称する。）を得、次いで化合物〔３
ａ〕に代えて得られた化合物〔３ｄ〕を用いて〔工程
８〕と同様に操作すれば化合物〔２〕の（１ＲＳ，２Ｒ
Ｓ，３ＲＳ）体（以下、化合物〔２ｄ〕と称する。）を
得、次いで化合物〔２ａ〕に代えて得られた化合物〔２
ｄ〕を用いて〔工程９〕と同様に操作することによっ
て、製造することができる。
物〔１ｄ〕は、例えば前記の〔工程１〕〜〔工程９〕に
おける〔工程５〕〜〔工程６〕を省略する、すなわち
〔工程７〕〜〔工程９〕において、化合物〔４〕に代え
て化合物〔６〕を用いて〔工程７〕と同様に操作すれば
化合物〔３〕の（１ＲＳ，２ＲＳ，３ＲＳ）体（以下、
化合物〔３ｄ〕と称する。）を得、次いで化合物〔３
ａ〕に代えて得られた化合物〔３ｄ〕を用いて〔工程
８〕と同様に操作すれば化合物〔２〕の（１ＲＳ，２Ｒ
Ｓ，３ＲＳ）体（以下、化合物〔２ｄ〕と称する。）を
得、次いで化合物〔２ａ〕に代えて得られた化合物〔２
ｄ〕を用いて〔工程９〕と同様に操作することによっ
て、製造することができる。
【０１００】ここで、得られる化合物〔３ｄ〕として
は、前記の〔工程５〕において化合物〔３ｂ〕として例
示した各化合物における（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）が（１Ｒ
Ｓ，２ＲＳ，３ＲＳ）に相当する化合物を、化合物〔２
ｄ〕としては、前記の〔工程８〕において化合物〔２
ａ〕として例示した各化合物における（１ＲＳ，２Ｒ
Ｓ，３Ｓ）が（１ＲＳ，２ＲＳ，３ＲＳ）に相当する化
合物を、化合物〔１ｄ〕としては、前記の〔工程９〕に
おいて化合物〔１ａ〕として例示した各化合物における
（３Ｒ）が（３ＲＳ）に相当する化合物を、それぞれ具
体的に例示することができる。
は、前記の〔工程５〕において化合物〔３ｂ〕として例
示した各化合物における（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）が（１Ｒ
Ｓ，２ＲＳ，３ＲＳ）に相当する化合物を、化合物〔２
ｄ〕としては、前記の〔工程８〕において化合物〔２
ａ〕として例示した各化合物における（１ＲＳ，２Ｒ
Ｓ，３Ｓ）が（１ＲＳ，２ＲＳ，３ＲＳ）に相当する化
合物を、化合物〔１ｄ〕としては、前記の〔工程９〕に
おいて化合物〔１ａ〕として例示した各化合物における
（３Ｒ）が（３ＲＳ）に相当する化合物を、それぞれ具
体的に例示することができる。
【０１０１】なお、以上の化合物〔１ａ〕、〔１ｃ〕、
〔１ｄ〕の各製造方法において得られる化合物〔１〕〜
〔７〕は、いずれも文献未記載の化合物である。
〔１ｄ〕の各製造方法において得られる化合物〔１〕〜
〔７〕は、いずれも文献未記載の化合物である。
【０１０２】上記の製造方法によって得られる化合物
〔１〕はプロスタグランジン類の原料として有用であ
り、例えば、化合物〔１〕の一方の光学活性体である化
合物〔１ａ〕を原料として、以下に示す〔工程１２〕〜
〔工程１５〕の４工程からなる方法によって、プロスタ
グランジン類の一種であるクロプロステノールを製造す
ることができる。
〔１〕はプロスタグランジン類の原料として有用であ
り、例えば、化合物〔１〕の一方の光学活性体である化
合物〔１ａ〕を原料として、以下に示す〔工程１２〕〜
〔工程１５〕の４工程からなる方法によって、プロスタ
グランジン類の一種であるクロプロステノールを製造す
ることができる。
【０１０３】以下、〔工程１２〕〜〔工程１５〕につい
て説明する。 〔工程１２〕化合物〔１ａ〕と銅化合物とを反応させ
て、銅錯体を含む反応混合物を得る。この工程で用いる
銅化合物としては、例えば、リチウムジメチルシアン化
銅（Ｉ）、リチウムジ−ｔ−ブチルシアン化銅（Ｉ）、
リチウム−ｔ−ブチルチオフェニルシアン化銅（Ｉ）、
リチウムメチル−１−ヘキシニルヨウ化銅（Ｉ）等の銅
（Ｉ）化合物が挙げられ、その使用量は、化合物〔１
ａ〕に対して通常は０．５〜３モル倍、好ましくは０．
８〜１．２モル倍である。
て説明する。 〔工程１２〕化合物〔１ａ〕と銅化合物とを反応させ
て、銅錯体を含む反応混合物を得る。この工程で用いる
銅化合物としては、例えば、リチウムジメチルシアン化
銅（Ｉ）、リチウムジ−ｔ−ブチルシアン化銅（Ｉ）、
リチウム−ｔ−ブチルチオフェニルシアン化銅（Ｉ）、
リチウムメチル−１−ヘキシニルヨウ化銅（Ｉ）等の銅
（Ｉ）化合物が挙げられ、その使用量は、化合物〔１
ａ〕に対して通常は０．５〜３モル倍、好ましくは０．
８〜１．２モル倍である。
【０１０４】これらの銅化合物はいずれも公知であっ
て、例えばリチウムジメチルシアン化銅（Ｉ）は、シア
ン化銅（Ｉ）とメチルリチウムとを溶媒中で反応させる
ことによって容易に製造することができる。これらの銅
化合物は、反応後の反応混合物から単離して用いること
もできるが、溶媒としてジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、ヘキサメチ
ルリン酸トリアミド、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、
ヘプタン等のハロゲン原子を含まない非プロトン性溶媒
を用いた場合には、これを単離することなく該反応混合
物のまま用いることもできる。
て、例えばリチウムジメチルシアン化銅（Ｉ）は、シア
ン化銅（Ｉ）とメチルリチウムとを溶媒中で反応させる
ことによって容易に製造することができる。これらの銅
化合物は、反応後の反応混合物から単離して用いること
もできるが、溶媒としてジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、ヘキサメチ
ルリン酸トリアミド、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、
ヘプタン等のハロゲン原子を含まない非プロトン性溶媒
を用いた場合には、これを単離することなく該反応混合
物のまま用いることもできる。
【０１０５】化合物〔１ａ〕と銅化合物との反応は、通
常は反応に不活性な溶媒中で行われ、かかる溶媒として
は、上記と同様のハロゲン原子を含まない非プロトン性
溶媒が用いられる。これらの溶媒はそれぞれ単独、ある
いは２種以上の溶媒を混合して用いられ、その使用量は
化合物〔１ａ〕に対して通常は２〜２００重量倍であ
る。なお、この反応において水や酸素が存在すると、次
の〔工程１３〕において化合物〔１７〕の収率が著しく
低下するため、反応に使用する反応試剤や溶媒は全て通
常の方法、例えば、反応試剤はデシケーター中で乾燥
し、また溶媒は金属ナトリウム等を加えて蒸留する方法
で乾燥し、かつ反応は窒素あるいはアルゴン等の不活性
ガスの雰囲気下で行うのが好ましい。
常は反応に不活性な溶媒中で行われ、かかる溶媒として
は、上記と同様のハロゲン原子を含まない非プロトン性
溶媒が用いられる。これらの溶媒はそれぞれ単独、ある
いは２種以上の溶媒を混合して用いられ、その使用量は
化合物〔１ａ〕に対して通常は２〜２００重量倍であ
る。なお、この反応において水や酸素が存在すると、次
の〔工程１３〕において化合物〔１７〕の収率が著しく
低下するため、反応に使用する反応試剤や溶媒は全て通
常の方法、例えば、反応試剤はデシケーター中で乾燥
し、また溶媒は金属ナトリウム等を加えて蒸留する方法
で乾燥し、かつ反応は窒素あるいはアルゴン等の不活性
ガスの雰囲気下で行うのが好ましい。
【０１０６】かかる反応において、テトラメチルエチレ
ンジアミン、トリフェニルホスフィン、ジメチルスルフ
ィド等のルイス塩基および／またはトリフルオロボラ
ン、トリメチルシリルクロリド、アルミニウムクロリド
等のルイス酸を加えることによって、次の〔工程１３〕
における化合物〔１７〕の収率を向上させることができ
る。かかるルイス塩基の使用量は銅化合物に対して通常
は１０モル倍以下、好ましくは０．０５〜２モル倍であ
り、ルイス酸の使用量は銅化合物に対して通常は１．５
モル倍以下、好ましくは０．０１〜１モル倍である。
ンジアミン、トリフェニルホスフィン、ジメチルスルフ
ィド等のルイス塩基および／またはトリフルオロボラ
ン、トリメチルシリルクロリド、アルミニウムクロリド
等のルイス酸を加えることによって、次の〔工程１３〕
における化合物〔１７〕の収率を向上させることができ
る。かかるルイス塩基の使用量は銅化合物に対して通常
は１０モル倍以下、好ましくは０．０５〜２モル倍であ
り、ルイス酸の使用量は銅化合物に対して通常は１．５
モル倍以下、好ましくは０．０１〜１モル倍である。
【０１０７】反応は、化合物〔１ａ〕と、銅化合物ない
し銅化合物を含む反応混合物とを混合すればよく、この
時、化合物〔１ａ〕はそのまま、あるいは上記の溶媒に
溶解した溶液として用いられる。反応温度は通常は−１
００〜５０℃、好ましくは−８０〜１０℃の範囲であ
る。反応後、得られた銅錯体は、通常は反応混合物から
単離することなく、次の〔工程１３〕に用いられる。
し銅化合物を含む反応混合物とを混合すればよく、この
時、化合物〔１ａ〕はそのまま、あるいは上記の溶媒に
溶解した溶液として用いられる。反応温度は通常は−１
００〜５０℃、好ましくは−８０〜１０℃の範囲であ
る。反応後、得られた銅錯体は、通常は反応混合物から
単離することなく、次の〔工程１３〕に用いられる。
【０１０８】〔工程１３〕〔工程１２〕で得られた銅錯
体を一般式〔１６〕 （式中、Ｒ13はヒドロキシル基の保護基を示し、Ｒ14は
カルボキシル基の保護基をそれぞれ示す。）で示される
シクロペンテノン化合物（以下、化合物〔１６〕とす
る。）と反応させて、一般式〔１７〕 （式中、Ｒ4 、Ｒ13、Ｒ14は前記と同じ意味を示す。）
で示される光学活性シクロペンタノン化合物（以下、化
合物〔１７〕とする。）を得る。
体を一般式〔１６〕 （式中、Ｒ13はヒドロキシル基の保護基を示し、Ｒ14は
カルボキシル基の保護基をそれぞれ示す。）で示される
シクロペンテノン化合物（以下、化合物〔１６〕とす
る。）と反応させて、一般式〔１７〕 （式中、Ｒ4 、Ｒ13、Ｒ14は前記と同じ意味を示す。）
で示される光学活性シクロペンタノン化合物（以下、化
合物〔１７〕とする。）を得る。
【０１０９】化合物〔１６〕のヒドロキシル基の保護基
Ｒ13としては、前記の置換基Ｒ4 として示したのと同様
の置換基が例示される。またカルボキシル基の保護基Ｒ
14としては、直鎖あるいは分枝状の炭素数１〜４のアル
キル基、またはアラルキル基等が挙げられ、具体的に
は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｔ−
ブチル基、ベンジル基等を例示することができる。かか
る化合物〔１６〕として、例えば、（４Ｒ）−２−（６
−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキセニル）−４−
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シクロペンテノ
ン、（４Ｒ）−２−（６−ｎ−ブチルオキシカルボニル
−２−シス−ヘキセニル）−４−ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ−２−シクロペンテノン、（４Ｒ）−２−
（６−ｔ−ブチルオキシカルボニル−２−シス−ヘキセ
ニル）−４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シ
クロペンテノン、（４Ｒ）−２−（６−ベンジルオキシ
カルボニル−２−シス−ヘキセニル）−４−ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ−２−シクロペンテノン、およ
び、上記の各化合物におけるｔ−ブチルジメチルシリル
オキシがテトラヒドロピラニルオキシに相当する化合物
を挙げることができ、これらの化合物は、いずれも工業
的に容易に入手できる。かかる化合物〔１６〕の使用量
は、〔工程１２〕で用いた化合物〔１ａ〕に対して通常
は０．１〜１．５モル倍、好ましくは０．５〜１モル倍
の範囲である。
Ｒ13としては、前記の置換基Ｒ4 として示したのと同様
の置換基が例示される。またカルボキシル基の保護基Ｒ
14としては、直鎖あるいは分枝状の炭素数１〜４のアル
キル基、またはアラルキル基等が挙げられ、具体的に
は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｔ−
ブチル基、ベンジル基等を例示することができる。かか
る化合物〔１６〕として、例えば、（４Ｒ）−２−（６
−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキセニル）−４−
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シクロペンテノ
ン、（４Ｒ）−２−（６−ｎ−ブチルオキシカルボニル
−２−シス−ヘキセニル）−４−ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ−２−シクロペンテノン、（４Ｒ）−２−
（６−ｔ−ブチルオキシカルボニル−２−シス−ヘキセ
ニル）−４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シ
クロペンテノン、（４Ｒ）−２−（６−ベンジルオキシ
カルボニル−２−シス−ヘキセニル）−４−ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ−２−シクロペンテノン、およ
び、上記の各化合物におけるｔ−ブチルジメチルシリル
オキシがテトラヒドロピラニルオキシに相当する化合物
を挙げることができ、これらの化合物は、いずれも工業
的に容易に入手できる。かかる化合物〔１６〕の使用量
は、〔工程１２〕で用いた化合物〔１ａ〕に対して通常
は０．１〜１．５モル倍、好ましくは０．５〜１モル倍
の範囲である。
【０１１０】反応は、〔工程１２〕で得られた銅錯体を
含む反応混合物に化合物〔１６〕を加えればよく、かか
る化合物〔１６〕は、単独、あるいは前記の〔工程１
２〕に記載の溶媒に溶解した溶液として用いられる。反
応温度は通常は−１００〜４０℃、好ましくは−８０〜
３０℃の範囲である。かかる反応は、酸素が存在すると
化合物〔１７〕の収率が著しく低下するため、窒素やア
ルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましい。か
かる反応において化合物〔１７〕の収率を向上させるた
めに、前記の〔工程１２〕に記載のルイス塩基および／
またはルイス酸と同様のものを加えてもよく、その使用
量も前記と同じであるが、先の〔工程１２〕において既
に加えている場合にはこの工程で加えなくともよい。
含む反応混合物に化合物〔１６〕を加えればよく、かか
る化合物〔１６〕は、単独、あるいは前記の〔工程１
２〕に記載の溶媒に溶解した溶液として用いられる。反
応温度は通常は−１００〜４０℃、好ましくは−８０〜
３０℃の範囲である。かかる反応は、酸素が存在すると
化合物〔１７〕の収率が著しく低下するため、窒素やア
ルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましい。か
かる反応において化合物〔１７〕の収率を向上させるた
めに、前記の〔工程１２〕に記載のルイス塩基および／
またはルイス酸と同様のものを加えてもよく、その使用
量も前記と同じであるが、先の〔工程１２〕において既
に加えている場合にはこの工程で加えなくともよい。
【０１１１】かかる反応によって得られた化合物〔１
７〕は、反応混合物から単離しないで次の〔工程１４〕
に用いてもよいし、該反応混合物から単離して用いても
よい。化合物〔１７〕を単離するには、まず、得られた
反応混合物に弱アルカリ性水溶液を加えて未反応の銅錯
体を分解して除去する。かかる弱アルカリ性水溶液は通
常はｐＨ７〜１２、好ましくはｐＨ７〜９であって、通
常は緩衝水溶液が好ましく、その使用量は化合物〔１
７〕に対して通常は１０〜１００重量倍である。かかる
緩衝水溶液として、例えば、塩化アンモニウムとアンモ
ニアとの混合水溶液が挙げられる。
７〕は、反応混合物から単離しないで次の〔工程１４〕
に用いてもよいし、該反応混合物から単離して用いても
よい。化合物〔１７〕を単離するには、まず、得られた
反応混合物に弱アルカリ性水溶液を加えて未反応の銅錯
体を分解して除去する。かかる弱アルカリ性水溶液は通
常はｐＨ７〜１２、好ましくはｐＨ７〜９であって、通
常は緩衝水溶液が好ましく、その使用量は化合物〔１
７〕に対して通常は１０〜１００重量倍である。かかる
緩衝水溶液として、例えば、塩化アンモニウムとアンモ
ニアとの混合水溶液が挙げられる。
【０１１２】次いで、分解後の反応混合物を水層と有機
層とに分離して有機層を得るが、分離に際して水層を効
率よく分離できない場合や、先の〔工程１２〕において
水と相溶性のある溶媒を用いた場合には、該反応混合物
に水に不溶の有機溶媒を加えた後に水層を分離して有機
層を得てもよく、かかる有機溶媒としては、酢酸エチル
等が挙げられる。また、分離後の水層を水に不溶な有機
溶媒を用いて抽出処理し、得られた有機層と先に得た有
機層とを合わせてもよい。さらに、得られた有機層を水
洗してもよい。その後、得られた有機層から通常の方
法、例えば、溶媒を留去して得られた残渣をカラムクロ
マトグラフィー処理することによって、化合物〔１７〕
を得る。
層とに分離して有機層を得るが、分離に際して水層を効
率よく分離できない場合や、先の〔工程１２〕において
水と相溶性のある溶媒を用いた場合には、該反応混合物
に水に不溶の有機溶媒を加えた後に水層を分離して有機
層を得てもよく、かかる有機溶媒としては、酢酸エチル
等が挙げられる。また、分離後の水層を水に不溶な有機
溶媒を用いて抽出処理し、得られた有機層と先に得た有
機層とを合わせてもよい。さらに、得られた有機層を水
洗してもよい。その後、得られた有機層から通常の方
法、例えば、溶媒を留去して得られた残渣をカラムクロ
マトグラフィー処理することによって、化合物〔１７〕
を得る。
【０１１３】かくして得られる化合物〔１７〕として例
えば、（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（６−メトキシカル
ボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４
−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−（ｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシ）−１−トランス−ブテニル〕−４
−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペンタノン、
（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（６−ｎ−ブチルオキシカ
ルボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−
４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−（ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ）−１−トランス−ブテニル〕−
４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペンタノ
ン、（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（６−ｔ−ブチルオキ
シカルボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３
Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−１−トランス−ブテニ
ル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペン
タノン、（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（６−ベンジルオ
キシカルボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３
Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−１−トランス−ブテニ
ル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペン
タノン、および、上記の各化合物における３−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）が３−トリメチルシリルオ
キシ、３−トリエチルシリルオキシ、３−フェニルジメ
チルシリルオキシ、３−トリフェニルシリルオキシ、３
−トリイソプロピルシリルオキシに相当する化合物、お
よび、上記の各化合物における４−ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシが４−テトラヒドロピラニルオキシに相当
する化合物を挙げることができる。
えば、（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（６−メトキシカル
ボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４
−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−（ｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシ）−１−トランス−ブテニル〕−４
−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペンタノン、
（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（６−ｎ−ブチルオキシカ
ルボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−
４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−（ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ）−１−トランス−ブテニル〕−
４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペンタノ
ン、（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（６−ｔ−ブチルオキ
シカルボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３
Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−１−トランス−ブテニ
ル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペン
タノン、（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（６−ベンジルオ
キシカルボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３
Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−１−トランス−ブテニ
ル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペン
タノン、および、上記の各化合物における３−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）が３−トリメチルシリルオ
キシ、３−トリエチルシリルオキシ、３−フェニルジメ
チルシリルオキシ、３−トリフェニルシリルオキシ、３
−トリイソプロピルシリルオキシに相当する化合物、お
よび、上記の各化合物における４−ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシが４−テトラヒドロピラニルオキシに相当
する化合物を挙げることができる。
【０１１４】〔工程１４〕〔工程１３〕で得られえた化
合物〔１７〕とハイドライド化合物とを反応させて、一
般式〔１８〕 （式中、Ｒ4 、Ｒ13、Ｒ14は前記と同じ意味を示す。）
で示される光学活性シクロペンタノール化合物（以下、
化合物〔１８〕とする。）を得る。
合物〔１７〕とハイドライド化合物とを反応させて、一
般式〔１８〕 （式中、Ｒ4 、Ｒ13、Ｒ14は前記と同じ意味を示す。）
で示される光学活性シクロペンタノール化合物（以下、
化合物〔１８〕とする。）を得る。
【０１１５】かかるハイドライド化合物としては、例え
ば、ナトリウムボロンハイドライド、亜鉛ボロンハイド
ライド、Ｌ−セレクトライド（リチウムトリ−ｓｅｃ−
ブチルボロンハイドライド）等のボロンハイドライド化
合物や、ジイソブチルアルミニウムハイドライド等のア
ルミニウムハイドライド化合物等が挙げられ、その使用
量は化合物〔１７〕に対して通常は１〜２０モル倍であ
る。
ば、ナトリウムボロンハイドライド、亜鉛ボロンハイド
ライド、Ｌ−セレクトライド（リチウムトリ−ｓｅｃ−
ブチルボロンハイドライド）等のボロンハイドライド化
合物や、ジイソブチルアルミニウムハイドライド等のア
ルミニウムハイドライド化合物等が挙げられ、その使用
量は化合物〔１７〕に対して通常は１〜２０モル倍であ
る。
【０１１６】反応は、化合物〔１７〕とハイドライド化
合物とを混合すればよく、かかるハイドライド化合物は
単独、あるいは溶媒に溶解した溶液として用いられる。
かかる溶媒としては〔工程１２〕に記載の溶媒と同様の
ハロゲン原子を含まない非プロトン性溶媒のほか、ジク
ロルメタン、ジクロルエタン、クロロホルム等のハロゲ
ン系溶媒が挙げられる。
合物とを混合すればよく、かかるハイドライド化合物は
単独、あるいは溶媒に溶解した溶液として用いられる。
かかる溶媒としては〔工程１２〕に記載の溶媒と同様の
ハロゲン原子を含まない非プロトン性溶媒のほか、ジク
ロルメタン、ジクロルエタン、クロロホルム等のハロゲ
ン系溶媒が挙げられる。
【０１１７】化合物〔１７〕を反応混合物から単離しな
いで用いる場合には、該反応混合物にハイドライド化合
物を加えればよい。化合物〔１７〕を単離して用いる場
合には、通常は溶媒中で化合物〔１７〕とハイドライド
化合物とを混合すればよい。かかる溶媒としては〔工程
１２〕に記載の溶媒と同様のハロゲン原子を含まない非
プロトン性溶媒のほか、ジクロルメタン、ジクロルエタ
ン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒を挙げることがで
きる。これらの溶媒はそれぞれ単独、あるいは２種以上
を混合して用いられ、その使用量は、通常は化合物〔１
７〕に対して２〜２００重量倍の範囲である。反応温度
は通常は−１００〜６０℃、好ましくは−８０〜４０℃
の範囲である。この反応は、酸素が存在すると化合物
〔１８〕の収率が著しく低下するため、窒素やアルゴン
等の不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましい。
いで用いる場合には、該反応混合物にハイドライド化合
物を加えればよい。化合物〔１７〕を単離して用いる場
合には、通常は溶媒中で化合物〔１７〕とハイドライド
化合物とを混合すればよい。かかる溶媒としては〔工程
１２〕に記載の溶媒と同様のハロゲン原子を含まない非
プロトン性溶媒のほか、ジクロルメタン、ジクロルエタ
ン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒を挙げることがで
きる。これらの溶媒はそれぞれ単独、あるいは２種以上
を混合して用いられ、その使用量は、通常は化合物〔１
７〕に対して２〜２００重量倍の範囲である。反応温度
は通常は−１００〜６０℃、好ましくは−８０〜４０℃
の範囲である。この反応は、酸素が存在すると化合物
〔１８〕の収率が著しく低下するため、窒素やアルゴン
等の不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましい。
【０１１８】反応後の反応混合物に、弱酸性水溶液を加
えて未反応のハイドライド化合物を加水分解して除去す
る。かかる弱酸性水溶液は、通常はｐＨ５〜７、好まし
くはｐＨ６〜７のものが用いられ、その使用量は化合物
〔１７〕に対して通常は５０〜１００重量倍である。か
かる弱酸性水溶液としては、例えば、飽和塩化アンモニ
ウム水溶液が挙げられる。加水分解後の反応混合物を水
層と有機層とに分離して有機層を得るが、分離に際して
水層を効率よく分離することができない場合や、先の反
応において水と相溶性の溶媒を用いた場合には、該反応
混合物に水に不溶の有機溶媒を加えた後に水層を分離し
て有機層を得てもよく、かかる有機溶媒として通常は、
メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、ジエチルエーテ
ル、ヘキサン、トルエン等が用いられる。また、分離後
の水層を上記の水に不溶な有機溶媒を用いて抽出処理
し、得られた有機層を先に得た有機層と合わせてもよ
い。さらに、有機層を水洗してもよい。
えて未反応のハイドライド化合物を加水分解して除去す
る。かかる弱酸性水溶液は、通常はｐＨ５〜７、好まし
くはｐＨ６〜７のものが用いられ、その使用量は化合物
〔１７〕に対して通常は５０〜１００重量倍である。か
かる弱酸性水溶液としては、例えば、飽和塩化アンモニ
ウム水溶液が挙げられる。加水分解後の反応混合物を水
層と有機層とに分離して有機層を得るが、分離に際して
水層を効率よく分離することができない場合や、先の反
応において水と相溶性の溶媒を用いた場合には、該反応
混合物に水に不溶の有機溶媒を加えた後に水層を分離し
て有機層を得てもよく、かかる有機溶媒として通常は、
メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、ジエチルエーテ
ル、ヘキサン、トルエン等が用いられる。また、分離後
の水層を上記の水に不溶な有機溶媒を用いて抽出処理
し、得られた有機層を先に得た有機層と合わせてもよ
い。さらに、有機層を水洗してもよい。
【０１１９】得られた有機層は化合物〔１８〕のほか、
一般式〔１９〕 （式中、Ｒ4 、Ｒ13、Ｒ14はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示される化合物〔１８〕のβ型の異性体（以
下、化合物〔１９〕とする。）をも含むものであるが、
かかる有機層から通常の方法、例えば、溶媒を留去して
得られた残渣をカラムクロマトグラフィー処理すること
によって、化合物〔１８〕と化合物〔１９〕とを容易に
単離することができる。
一般式〔１９〕 （式中、Ｒ4 、Ｒ13、Ｒ14はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示される化合物〔１８〕のβ型の異性体（以
下、化合物〔１９〕とする。）をも含むものであるが、
かかる有機層から通常の方法、例えば、溶媒を留去して
得られた残渣をカラムクロマトグラフィー処理すること
によって、化合物〔１８〕と化合物〔１９〕とを容易に
単離することができる。
【０１２０】かくして得られる化合物〔１８〕として、
例えば、（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−１−ヒドロキシ
−２−（６−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキセニ
ル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキ
シ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−１−
トランス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシシクロペンタン、（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−
１−ヒドロキシ−２−（６−ｎ−ブチルオキシカルボニ
ル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４−
（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−（ｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシ）−１−トランス−ブテニル〕−４−
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペンタン、（１
Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−１−ヒドロキシ−２−（６−
ｔ−ブチルオキシカルボニル−２−シス−ヘキセニル）
−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）
−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−１−トラ
ンス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シシクロペンタン、（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−１−
ヒドロキシ−２−（６−ベンジルオキシカルボニル−２
−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−ク
ロルフェニルオキシ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシ）−１−トランス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキシシクロペンタン、および、上記
の各化合物における３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシ）が３−トリメチルシリルオキシ、３−トリエチル
シリルオキシ、３−フェニルジメチルシリルオキシ、３
−トリフェニルシリルオキシ、３−トリイソプロピルシ
リルオキシに相当する化合物が挙げられ、さらに上記の
各化合物における４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
が４−テトラヒドロピラニルオキシに相当する化合物を
挙げることができる。また、β型の異性体である化合物
〔１９〕としては、上記の化合物〔１８〕として例示さ
れる各化合物における（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）が、
（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）に相当する化合物が挙げら
れる。
例えば、（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−１−ヒドロキシ
−２−（６−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキセニ
ル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキ
シ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−１−
トランス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシシクロペンタン、（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−
１−ヒドロキシ−２−（６−ｎ−ブチルオキシカルボニ
ル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４−
（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−（ｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシ）−１−トランス−ブテニル〕−４−
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペンタン、（１
Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−１−ヒドロキシ−２−（６−
ｔ−ブチルオキシカルボニル−２−シス−ヘキセニル）
−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）
−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−１−トラ
ンス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シシクロペンタン、（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−１−
ヒドロキシ−２−（６−ベンジルオキシカルボニル−２
−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−ク
ロルフェニルオキシ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシ）−１−トランス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキシシクロペンタン、および、上記
の各化合物における３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシ）が３−トリメチルシリルオキシ、３−トリエチル
シリルオキシ、３−フェニルジメチルシリルオキシ、３
−トリフェニルシリルオキシ、３−トリイソプロピルシ
リルオキシに相当する化合物が挙げられ、さらに上記の
各化合物における４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
が４−テトラヒドロピラニルオキシに相当する化合物を
挙げることができる。また、β型の異性体である化合物
〔１９〕としては、上記の化合物〔１８〕として例示さ
れる各化合物における（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）が、
（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）に相当する化合物が挙げら
れる。
【０１２１】〔工程１５〕〔工程１４〕で得られた化合
物〔１８〕は公知であって、そのヒドロキシル基の保護
基である置換基Ｒ4 、Ｒ13は通常の方法、例えば、アセ
トニトリル中でフッ化水素酸あるいはテトラブチルアン
モニウムフルオライド等のフッ素試剤を用いる方法によ
って、また、カルボキシル基の保護基である置換基Ｒ14
は通常の方法、例えば、水酸化リチウム等の強アルカリ
性水溶液を用いて加水分解した後、酸処理する方法によ
って、それぞれ容易に脱離することができ（Ｐｒｏｔｅ
ｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ ｓ
ｙｎｔｈｅｓｉｓ，２ｎｄＥｄ．，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅ
ｙ ＆ Ｓｏｎｓ．，Ｉｎｃ．（１９９１））、かかる
脱離操作によって容易にクロプロステノールが得られ
る。
物〔１８〕は公知であって、そのヒドロキシル基の保護
基である置換基Ｒ4 、Ｒ13は通常の方法、例えば、アセ
トニトリル中でフッ化水素酸あるいはテトラブチルアン
モニウムフルオライド等のフッ素試剤を用いる方法によ
って、また、カルボキシル基の保護基である置換基Ｒ14
は通常の方法、例えば、水酸化リチウム等の強アルカリ
性水溶液を用いて加水分解した後、酸処理する方法によ
って、それぞれ容易に脱離することができ（Ｐｒｏｔｅ
ｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ ｓ
ｙｎｔｈｅｓｉｓ，２ｎｄＥｄ．，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅ
ｙ ＆ Ｓｏｎｓ．，Ｉｎｃ．（１９９１））、かかる
脱離操作によって容易にクロプロステノールが得られ
る。
【０１２２】なお、上記の製造方法によって得られる化
合物〔１７〕は、文献未記載の化合物である。
合物〔１７〕は、文献未記載の化合物である。
【０１２３】
【発明の効果】本発明の化合物〔１〕はプロスタグラン
ジン類の中間体として有用であり、ｍ−クロルフェノー
ルを原料として少ない工程で、しかも高価な光学分割剤
を用いることなく容易に製造することができ、加えて容
易にプロスタグランジン類に導くことができる。
ジン類の中間体として有用であり、ｍ−クロルフェノー
ルを原料として少ない工程で、しかも高価な光学分割剤
を用いることなく容易に製造することができ、加えて容
易にプロスタグランジン類に導くことができる。
【０１２４】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明がこれによって限定されるものではな
い。
明するが、本発明がこれによって限定されるものではな
い。
【０１２５】実施例１ ｍ−クロルフェノール１２７ｇ（０．９９ｍｍｏｌ）を
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５００ｇに溶解し、０℃
で攪拌しながら炭酸カリウム１４５ｇ（１．１５ｍｍｏ
ｌ）を１０分間かけて加えた後、さらに１０分間攪拌し
た。次いで、ブロモ酢酸メチル１５１ｇ（０．９９ｍｍ
ｏｌ）を３０分間かけて加え、１時間かけて３５℃まで
昇温した後、さらに５時間攪拌した。得られた反応混合
物をセライト濾過して沈澱物を除去した後、減圧下に濃
縮した。得られた濃縮液に酢酸エチル２５０ｇを用いる
抽出処理を２回行い、得られた有機層を合わせた。次い
で、水１５０ｇによる水洗を２回行った後、溶媒を留去
して、ｍ−クロルフェニルオキシ酢酸メチル１９８ｇを
得た（収率９５％）。1Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ3 ）
３．８０（Ｓ，３Ｈ）、４．６５（Ｓ，２Ｈ）、６．
７０〜７．３０（ｍ，４Ｈ）
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５００ｇに溶解し、０℃
で攪拌しながら炭酸カリウム１４５ｇ（１．１５ｍｍｏ
ｌ）を１０分間かけて加えた後、さらに１０分間攪拌し
た。次いで、ブロモ酢酸メチル１５１ｇ（０．９９ｍｍ
ｏｌ）を３０分間かけて加え、１時間かけて３５℃まで
昇温した後、さらに５時間攪拌した。得られた反応混合
物をセライト濾過して沈澱物を除去した後、減圧下に濃
縮した。得られた濃縮液に酢酸エチル２５０ｇを用いる
抽出処理を２回行い、得られた有機層を合わせた。次い
で、水１５０ｇによる水洗を２回行った後、溶媒を留去
して、ｍ−クロルフェニルオキシ酢酸メチル１９８ｇを
得た（収率９５％）。1Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ3 ）
３．８０（Ｓ，３Ｈ）、４．６５（Ｓ，２Ｈ）、６．
７０〜７．３０（ｍ，４Ｈ）
【０１２６】実施例２ 得られたｍ−クロルフェニルオキシ酢酸メチル２１．９
ｇ（０．１１ｍｍｏｌ）をトルエン２００ｇに溶解し
て、−７８℃で攪拌しながら、ジイソブチルアルミニウ
ムヒドリド８４．１ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）とヘキサン
（８０ｇ）との溶液を３時間かけて加えた。その後、同
温度下に水２００ｇとジエチルエーテル４３０ｇとを加
え、さらに３時間攪拌した。次いで、３時間かけて室温
まで昇温した後、セライト濾過によって沈澱物を除去し
た。その後、分液して有機層を得、これを減圧下に濃縮
して２５０ｇとし、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥し
た後セライト濾過を行って、ｍ−クロルフェノキシアセ
トアルデヒドの溶液を得た。
ｇ（０．１１ｍｍｏｌ）をトルエン２００ｇに溶解し
て、−７８℃で攪拌しながら、ジイソブチルアルミニウ
ムヒドリド８４．１ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）とヘキサン
（８０ｇ）との溶液を３時間かけて加えた。その後、同
温度下に水２００ｇとジエチルエーテル４３０ｇとを加
え、さらに３時間攪拌した。次いで、３時間かけて室温
まで昇温した後、セライト濾過によって沈澱物を除去し
た。その後、分液して有機層を得、これを減圧下に濃縮
して２５０ｇとし、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥し
た後セライト濾過を行って、ｍ−クロルフェノキシアセ
トアルデヒドの溶液を得た。
【０１２７】実施例３ トリメチルシリルアセチレン１４ｇ（０．１４ｍｍｏ
ｌ）をジエチルエーテル１４０ｇに溶解し、次いで−７
８℃で攪拌しながら、ｎ−ブチルリチウム１０．５ｇ
（０．１６５ｍｍｏｌ）とヘキサン（６６ｇ）との溶液
を１５分間かけて加えた。その後、０℃まで昇温してさ
らに１０分間攪拌して、トリメチルシリルアセチレンリ
チウムの溶液を得た。次いで、攪拌下、これを再び−７
８℃まで冷却して同温度で３０分間攪拌を続けた後、同
温度下、先に得られたｍ−クロルフェノキシアセトアル
デヒドの溶液を３０分間かけて滴下し、さらに３０分間
攪拌を続けた。その後、０℃まで２時間かけて昇温し、
さらに３０分間攪拌した。得られた反応混合物を氷水５
００ｇと混合し、氷が溶解したのち酢酸エチル１５０ｇ
を加え、分液操作によって有機層と水層とを得た。水層
を酢酸エチル１５０ｇを用いて抽出処理し、得られた有
機層と先の有機層とを合わせ、水洗した。次いで溶媒を
減圧留去して、１−トリメチルシリル−３−ヒドロキシ
−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−ブチン２
８．４ｇを得た（収率９７％）。1Ｈ−ＮＭＲ（δ、Ｃ
ＤＣｌ3 ） ０．２０（Ｓ，９Ｈ）、２．４０（ｄ，１
Ｈ）、４．０〜４．２（ｍ，２Ｈ）、４．７〜４．８
（ｍ，１Ｈ）、６．７５〜７．３０（ｍ，４Ｈ）
ｌ）をジエチルエーテル１４０ｇに溶解し、次いで−７
８℃で攪拌しながら、ｎ−ブチルリチウム１０．５ｇ
（０．１６５ｍｍｏｌ）とヘキサン（６６ｇ）との溶液
を１５分間かけて加えた。その後、０℃まで昇温してさ
らに１０分間攪拌して、トリメチルシリルアセチレンリ
チウムの溶液を得た。次いで、攪拌下、これを再び−７
８℃まで冷却して同温度で３０分間攪拌を続けた後、同
温度下、先に得られたｍ−クロルフェノキシアセトアル
デヒドの溶液を３０分間かけて滴下し、さらに３０分間
攪拌を続けた。その後、０℃まで２時間かけて昇温し、
さらに３０分間攪拌した。得られた反応混合物を氷水５
００ｇと混合し、氷が溶解したのち酢酸エチル１５０ｇ
を加え、分液操作によって有機層と水層とを得た。水層
を酢酸エチル１５０ｇを用いて抽出処理し、得られた有
機層と先の有機層とを合わせ、水洗した。次いで溶媒を
減圧留去して、１−トリメチルシリル−３−ヒドロキシ
−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−ブチン２
８．４ｇを得た（収率９７％）。1Ｈ−ＮＭＲ（δ、Ｃ
ＤＣｌ3 ） ０．２０（Ｓ，９Ｈ）、２．４０（ｄ，１
Ｈ）、４．０〜４．２（ｍ，２Ｈ）、４．７〜４．８
（ｍ，１Ｈ）、６．７５〜７．３０（ｍ，４Ｈ）
【０１２８】実施例４ 得られた１−トリメチルシリル−３−ヒドロキシ−４−
（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−ブチン７．９８ｇ
（２９．７ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル７１ｇに溶解
し、０℃で１０分間攪拌した。次いで０℃で攪拌しなが
ら、水素化ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウム
１４．６ｇ（５０．５ｍｍｏｌ）とトルエン２１ｇとジ
エチルエーテル７．１ｇとの溶液を３０分間かけて加
え、さらに３０分間攪拌した。その後、１時間かけて３
５℃まで昇温し、３時間攪拌した。得られた反応混合物
を氷水３００ｇと混合し、氷が溶解した後、酢酸エチル
１２５ｇを加え、分液操作によって有機層と水層とを得
た。次いで、水層を酢酸エチル１２５ｇを用いて抽出処
理し、得られた有機層を先の有機層と合わせ、水洗し
た。次いで、溶媒を減圧留去して、（３ＲＳ）−１−ト
リメチルシリル−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフ
ェニルオキシ）−１−トランスブテン７．８８ｇを得た
（収率９８％）。1Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＨＣｌ3 ）
０．１０（Ｓ，９Ｈ）、２．３０（Ｓ，１Ｈ）、３．７
〜４．０（ｍ，２Ｈ）、４．４０〜４．５０（ｍ，１
Ｈ）、６．００（Ｓ，２Ｈ）、６．７〜７．２（ｍ，４
Ｈ）
（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−ブチン７．９８ｇ
（２９．７ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル７１ｇに溶解
し、０℃で１０分間攪拌した。次いで０℃で攪拌しなが
ら、水素化ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウム
１４．６ｇ（５０．５ｍｍｏｌ）とトルエン２１ｇとジ
エチルエーテル７．１ｇとの溶液を３０分間かけて加
え、さらに３０分間攪拌した。その後、１時間かけて３
５℃まで昇温し、３時間攪拌した。得られた反応混合物
を氷水３００ｇと混合し、氷が溶解した後、酢酸エチル
１２５ｇを加え、分液操作によって有機層と水層とを得
た。次いで、水層を酢酸エチル１２５ｇを用いて抽出処
理し、得られた有機層を先の有機層と合わせ、水洗し
た。次いで、溶媒を減圧留去して、（３ＲＳ）−１−ト
リメチルシリル−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフ
ェニルオキシ）−１−トランスブテン７．８８ｇを得た
（収率９８％）。1Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＨＣｌ3 ）
０．１０（Ｓ，９Ｈ）、２．３０（Ｓ，１Ｈ）、３．７
〜４．０（ｍ，２Ｈ）、４．４０〜４．５０（ｍ，１
Ｈ）、６．００（Ｓ，２Ｈ）、６．７〜７．２（ｍ，４
Ｈ）
【０１２９】実施例５ ジクロルメタンを塩化カルシウムとともに加熱還流して
得られた乾燥ジクロルメタン１２０ｇにチタンテトライ
ソプロポキサイド３．２４ｇ（１１ｍｍｏｌ）を溶解
し、次いで−２０℃で攪拌しながら、Ｌ−（＋）−酒石
酸ジイソプロピル３．２２ｇ（１４ｍｍｏｌ）を加え、
さらに１０分間攪拌した。次いで、先に得られた（３Ｒ
Ｓ）−１−トリメチルシリル−３−ヒドロキシ−４−
（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−トランスブテン
２．８１ｇ（１０．４ｍｍｏｌ）とジクロルメタン
（６．７ｇ）との溶液を１０分間かけて滴下し、さらに
１０分間攪拌した。その後、−２０℃で、ｔ−ブチルハ
イドロパーオキサイド１．５４ｇ（１７．１５ｍｍｏ
ｌ）と２，２，４−トリメチルペンタン（２．１６ｇ）
との溶液を滴下して、さらに４時間攪拌した。次いで、
−２０℃でジメチルスルフィド２．１３ｇ（３４．３ｍ
ｍｏｌ）を加えて４０分間攪拌し、その後、室温まで昇
温して１０重量％酒石酸水溶液７ｇ、ジエチルエーテル
２１４ｇ、フッ化ナトリウム８ｇ、セライト１０ｇを加
えて１時間攪拌した。生成した沈澱を濾過によって取り
除き、次いで分液し、得られた有機層を水洗後、減圧下
に濃縮した。得られた濃縮液をジエチルエーテル３４０
ｇで希釈して、０℃で１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１０
０ｇを加えて１．５時間攪拌した。その後、分液し、得
られた有機層を水洗、減圧留去して、残渣３．１５ｇを
得た。この残渣をシリカゲルカラムクロマグラフィー
（展開液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝６／１）で分離
・精製し、（３Ｒ）−１−トリメチルシリル−３−ヒド
ロキシ−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−トラ
ンスブテン１．４６ｇ（収率５２％）および（１Ｒ，２
Ｓ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル−１，２−エポキシ
−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）
−ブタン１．３４ｇ（収率４５％）とを得た。
得られた乾燥ジクロルメタン１２０ｇにチタンテトライ
ソプロポキサイド３．２４ｇ（１１ｍｍｏｌ）を溶解
し、次いで−２０℃で攪拌しながら、Ｌ−（＋）−酒石
酸ジイソプロピル３．２２ｇ（１４ｍｍｏｌ）を加え、
さらに１０分間攪拌した。次いで、先に得られた（３Ｒ
Ｓ）−１−トリメチルシリル−３−ヒドロキシ−４−
（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−トランスブテン
２．８１ｇ（１０．４ｍｍｏｌ）とジクロルメタン
（６．７ｇ）との溶液を１０分間かけて滴下し、さらに
１０分間攪拌した。その後、−２０℃で、ｔ−ブチルハ
イドロパーオキサイド１．５４ｇ（１７．１５ｍｍｏ
ｌ）と２，２，４−トリメチルペンタン（２．１６ｇ）
との溶液を滴下して、さらに４時間攪拌した。次いで、
−２０℃でジメチルスルフィド２．１３ｇ（３４．３ｍ
ｍｏｌ）を加えて４０分間攪拌し、その後、室温まで昇
温して１０重量％酒石酸水溶液７ｇ、ジエチルエーテル
２１４ｇ、フッ化ナトリウム８ｇ、セライト１０ｇを加
えて１時間攪拌した。生成した沈澱を濾過によって取り
除き、次いで分液し、得られた有機層を水洗後、減圧下
に濃縮した。得られた濃縮液をジエチルエーテル３４０
ｇで希釈して、０℃で１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１０
０ｇを加えて１．５時間攪拌した。その後、分液し、得
られた有機層を水洗、減圧留去して、残渣３．１５ｇを
得た。この残渣をシリカゲルカラムクロマグラフィー
（展開液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝６／１）で分離
・精製し、（３Ｒ）−１−トリメチルシリル−３−ヒド
ロキシ−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−トラ
ンスブテン１．４６ｇ（収率５２％）および（１Ｒ，２
Ｓ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル−１，２−エポキシ
−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）
−ブタン１．３４ｇ（収率４５％）とを得た。
【０１３０】（３Ｒ）−１−トリメチルシリル−３−ヒ
ドロキシ−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−ト
ランスブテン 〔α〕D 25＝＋６．４（Ｃ＝１、ＣＨＣｌ3 ）1 Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＨＣｌ3 ） ０．１０（Ｓ，９
Ｈ）、２．３０（Ｓ，１Ｈ）、３．７〜４．０（ｍ，２
Ｈ）、４．４０〜４．５０（ｍ，１Ｈ）、６．００
（Ｓ，２Ｈ）、６．７〜７．２（ｍ，４Ｈ） （１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル−１，２
−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェニ
ルオキシ）−ブタン 〔α〕D 25＝−２１．９（Ｃ＝１、ＣＨ3 ＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ3 ） ０．１０（Ｓ，９
Ｈ）、２．２５〜２．４０（ｍ，２Ｈ）、２．９０〜
３．００（ｍ，１Ｈ）、３．９０〜４．１０（ｍ，３
Ｈ）、６．６５〜７．２０（ｍ，４Ｈ）
ドロキシ−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−ト
ランスブテン 〔α〕D 25＝＋６．４（Ｃ＝１、ＣＨＣｌ3 ）1 Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＨＣｌ3 ） ０．１０（Ｓ，９
Ｈ）、２．３０（Ｓ，１Ｈ）、３．７〜４．０（ｍ，２
Ｈ）、４．４０〜４．５０（ｍ，１Ｈ）、６．００
（Ｓ，２Ｈ）、６．７〜７．２（ｍ，４Ｈ） （１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル−１，２
−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェニ
ルオキシ）−ブタン 〔α〕D 25＝−２１．９（Ｃ＝１、ＣＨ3 ＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ3 ） ０．１０（Ｓ，９
Ｈ）、２．２５〜２．４０（ｍ，２Ｈ）、２．９０〜
３．００（ｍ，１Ｈ）、３．９０〜４．１０（ｍ，３
Ｈ）、６．６５〜７．２０（ｍ，４Ｈ）
【０１３１】実施例６ 得られた（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル
−１，２−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロ
ルフェニルオキシ）−１−ブタン０．８１ｇ（２．８３
ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド９．５ｇに
溶解し、次いで０℃でイミダゾール０．５８ｇ（８．４
８ｍｍｏｌ）を加えて３０分間攪拌した。その後、ｔ−
ブチルジメチルシリルクロリド０．５１１ｇ（３．３９
ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（４．８
ｇ）との溶液を１０分間かけて滴下し、さらに３０分間
攪拌した。次いで、室温まで昇温してさらに５時間攪拌
した。得られた反応混合物を氷水１００ｇと混合し、氷
が溶解した後、酢酸エチル９０ｇによる抽出処理を２回
行い、得られた有機層を合わせ、水洗した後、溶媒を減
圧留去して残渣を得た。得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（展開液：ｎ−ヘキサン／酢酸エ
チル＝２０／１）によって精製して、（１Ｒ，２Ｓ，３
Ｓ）−１−トリメチルシリル−１，２−エポキシ−３−
（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｍ−クロ
ルフェニルオキシ）−ブタン１．０９ｇを得た（収率９
６％）。 〔α〕D 25＝−３３．４（Ｃ＝１、ＣＨ3 ＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ3 ） ０．１０（Ｓ，９
Ｈ）、０．１５（Ｓ，６Ｈ）、０．９５（Ｓ，９Ｈ）、
２．２５（ｄ，１Ｈ）、２．８５〜２．９５（ｍ，１
Ｈ）、３．９０〜４．３０（ｍ，３Ｈ）、６．７５〜
７．３０（ｍ，４Ｈ）
−１，２−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロ
ルフェニルオキシ）−１−ブタン０．８１ｇ（２．８３
ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド９．５ｇに
溶解し、次いで０℃でイミダゾール０．５８ｇ（８．４
８ｍｍｏｌ）を加えて３０分間攪拌した。その後、ｔ−
ブチルジメチルシリルクロリド０．５１１ｇ（３．３９
ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（４．８
ｇ）との溶液を１０分間かけて滴下し、さらに３０分間
攪拌した。次いで、室温まで昇温してさらに５時間攪拌
した。得られた反応混合物を氷水１００ｇと混合し、氷
が溶解した後、酢酸エチル９０ｇによる抽出処理を２回
行い、得られた有機層を合わせ、水洗した後、溶媒を減
圧留去して残渣を得た。得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（展開液：ｎ−ヘキサン／酢酸エ
チル＝２０／１）によって精製して、（１Ｒ，２Ｓ，３
Ｓ）−１−トリメチルシリル−１，２−エポキシ−３−
（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｍ−クロ
ルフェニルオキシ）−ブタン１．０９ｇを得た（収率９
６％）。 〔α〕D 25＝−３３．４（Ｃ＝１、ＣＨ3 ＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ3 ） ０．１０（Ｓ，９
Ｈ）、０．１５（Ｓ，６Ｈ）、０．９５（Ｓ，９Ｈ）、
２．２５（ｄ，１Ｈ）、２．８５〜２．９５（ｍ，１
Ｈ）、３．９０〜４．３０（ｍ，３Ｈ）、６．７５〜
７．３０（ｍ，４Ｈ）
【０１３２】実施例７ ジイソプロピルアミン０．３８ｇ（３．７４ｍｍｏｌ）
とテトラヒドロフラン４．４ｇとの溶液を−７８℃で１
０分間攪拌した。次いで、ｎ−ブチルリチウム０．２６
３ｇ（４．１１ｍｍｏｌ）とヘキサン（１．６９ｇ）と
の溶液を滴下し、さらに１０分間攪拌した後、０℃まで
昇温してさらに１０分間攪拌して、リチウムジイソプロ
ピルアミドを含む溶液を得た。次いでこれに、攪拌下、
−７８℃でトリ−ｎ−ブチルスズヒドリド０．７３ｇ
（２．４９ｍｍｏｌ）を加え、１０分間攪拌した後、０
℃まで昇温してさらに３０分間攪拌して、トリ−ｎ−ブ
チルスズリチウムを含む溶液を得た。その後、この溶液
を−７８℃とし、テトラヒドロフラン（０．４４ｇ）と
先に得られた（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−１−トリメチルシ
リル−１，２−エポキシ−２−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェニルオシ）−ブタ
ン１．０ｇ（２．４９ｍｍｏｌ）との溶液を滴下し、３
０分間かけて０℃まで昇温した後さらに３時間攪拌し
て、反応混合物を得た。得られた反応混合物を氷水１０
０ｇと混合し、氷が溶解した後、酢酸エチル５０ｇを加
えて分液操作によって有機層と水層とを得た。得られた
水層をさらに酢酸エチル５０ｇを用いて抽出処理し、得
られた有機層を先の有機層と合わせ、水洗し、溶媒を減
圧留去した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフ
ィー（展開液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝３０／１）
を用いて精製して、（３Ｒ）−１−（トリ−ｎ−ブチル
スタニル）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）
−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−トランスブ
テン１．３６ｇを得た（収率９１％）。 〔α〕D 25＝−３３．４（Ｃ＝１、ＣＨ3 ＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ3 ） ０．２０（Ｓ，６
Ｈ）、０．８５〜１．００（ｂＳ，２４Ｈ）、１．２５
〜１．４０（ｍ，６Ｈ）、１．４５〜１．６０（ｍ，６
Ｈ）、３．８０〜３．９０（ｍ，２Ｈ）、４．４５〜
４．５５（ｍ，１Ｈ）、６．００（ｄｄ，１Ｈ）、６．
３５（ｄ，１Ｈ）、６．７５〜７．３０（ｍ，４Ｈ）
とテトラヒドロフラン４．４ｇとの溶液を−７８℃で１
０分間攪拌した。次いで、ｎ−ブチルリチウム０．２６
３ｇ（４．１１ｍｍｏｌ）とヘキサン（１．６９ｇ）と
の溶液を滴下し、さらに１０分間攪拌した後、０℃まで
昇温してさらに１０分間攪拌して、リチウムジイソプロ
ピルアミドを含む溶液を得た。次いでこれに、攪拌下、
−７８℃でトリ−ｎ−ブチルスズヒドリド０．７３ｇ
（２．４９ｍｍｏｌ）を加え、１０分間攪拌した後、０
℃まで昇温してさらに３０分間攪拌して、トリ−ｎ−ブ
チルスズリチウムを含む溶液を得た。その後、この溶液
を−７８℃とし、テトラヒドロフラン（０．４４ｇ）と
先に得られた（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−１−トリメチルシ
リル−１，２−エポキシ−２−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェニルオシ）−ブタ
ン１．０ｇ（２．４９ｍｍｏｌ）との溶液を滴下し、３
０分間かけて０℃まで昇温した後さらに３時間攪拌し
て、反応混合物を得た。得られた反応混合物を氷水１０
０ｇと混合し、氷が溶解した後、酢酸エチル５０ｇを加
えて分液操作によって有機層と水層とを得た。得られた
水層をさらに酢酸エチル５０ｇを用いて抽出処理し、得
られた有機層を先の有機層と合わせ、水洗し、溶媒を減
圧留去した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフ
ィー（展開液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝３０／１）
を用いて精製して、（３Ｒ）−１−（トリ−ｎ−ブチル
スタニル）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）
−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−トランスブ
テン１．３６ｇを得た（収率９１％）。 〔α〕D 25＝−３３．４（Ｃ＝１、ＣＨ3 ＯＨ）1 Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ3 ） ０．２０（Ｓ，６
Ｈ）、０．８５〜１．００（ｂＳ，２４Ｈ）、１．２５
〜１．４０（ｍ，６Ｈ）、１．４５〜１．６０（ｍ，６
Ｈ）、３．８０〜３．９０（ｍ，２Ｈ）、４．４５〜
４．５５（ｍ，１Ｈ）、６．００（ｄｄ，１Ｈ）、６．
３５（ｄ，１Ｈ）、６．７５〜７．３０（ｍ，４Ｈ）
【０１３３】実施例８ ０℃、攪拌下、アゾジカルボン酸ジエチル０．２２ｇ
（１．４ｍｍｏｌ）とｐ−ニトロ安息香酸０．２２ｇ
（１．３ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン２．７ｇとの
溶液に、（３Ｒ）−１−トリメチルシリル−３−ヒドロ
キシ−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−トラン
スブテン０．２４３ｇ（０．８９８ｍｍｏｌ）とトリフ
ェニルホスフィン０．３５ｇ（１．３３ｍｍｏｌ）とテ
トラヒドロフラン２．７ｇとの溶液を加え、さらに１時
間攪拌した。次いで、溶媒を減圧留去して、得られた残
渣をジエチルエーテル２０ｇに溶解し、セライト濾過に
よって溶解残を除去した後、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液２０ｇを加えて攪拌した。次いで、分液操作によっ
て有機層と水層とを得、水層をジエチルエーテル２０ｇ
で抽出処理し、得られた有機層を先の有機層と合わせ、
これに無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。その後、
濾過によって無水硫酸ナトリウムを除去した後、溶媒を
留去して残渣を得た。次いで、テトラヒドロフラン５．
３ｇ、メタノール４．８ｇ、水６．５ｇと水酸化ナトリ
ウム０．４８ｇ（１２ｍｍｏｌ）との溶液に、先に得た
残渣を溶解して、０℃で２時間攪拌した。次いで、飽和
塩化アンモニウム水溶液１０ｇを加えた後、酢酸エチル
１０ｇを用いる抽出処理を２回行い、得られた有機層を
合わせ、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。無水硫
酸ナトリウムを濾別後、溶媒を減圧留去して、得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：
ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝４：１）によって精製し
て、（３Ｓ）−１−トリメチルシリル−３−ヒドロキシ
−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−トランスブ
テン０．２２６ｇを得た（収率９３％）。 〔α〕D 25＝−６．１（Ｃ＝１、ＣＨＣｌ3 ）1 Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＨＣｌ3 ） ０．１０（Ｓ，９
Ｈ）、２．３０（Ｓ，１Ｈ）、３．７〜４．０（ｍ，２
Ｈ）、４．４０〜４．５０（ｍ，１Ｈ）、６．００
（Ｓ，２Ｈ）、６．７〜７．２（ｍ，４Ｈ）
（１．４ｍｍｏｌ）とｐ−ニトロ安息香酸０．２２ｇ
（１．３ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン２．７ｇとの
溶液に、（３Ｒ）−１−トリメチルシリル−３−ヒドロ
キシ−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−トラン
スブテン０．２４３ｇ（０．８９８ｍｍｏｌ）とトリフ
ェニルホスフィン０．３５ｇ（１．３３ｍｍｏｌ）とテ
トラヒドロフラン２．７ｇとの溶液を加え、さらに１時
間攪拌した。次いで、溶媒を減圧留去して、得られた残
渣をジエチルエーテル２０ｇに溶解し、セライト濾過に
よって溶解残を除去した後、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液２０ｇを加えて攪拌した。次いで、分液操作によっ
て有機層と水層とを得、水層をジエチルエーテル２０ｇ
で抽出処理し、得られた有機層を先の有機層と合わせ、
これに無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。その後、
濾過によって無水硫酸ナトリウムを除去した後、溶媒を
留去して残渣を得た。次いで、テトラヒドロフラン５．
３ｇ、メタノール４．８ｇ、水６．５ｇと水酸化ナトリ
ウム０．４８ｇ（１２ｍｍｏｌ）との溶液に、先に得た
残渣を溶解して、０℃で２時間攪拌した。次いで、飽和
塩化アンモニウム水溶液１０ｇを加えた後、酢酸エチル
１０ｇを用いる抽出処理を２回行い、得られた有機層を
合わせ、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。無水硫
酸ナトリウムを濾別後、溶媒を減圧留去して、得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：
ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝４：１）によって精製し
て、（３Ｓ）−１−トリメチルシリル−３−ヒドロキシ
−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−トランスブ
テン０．２２６ｇを得た（収率９３％）。 〔α〕D 25＝−６．１（Ｃ＝１、ＣＨＣｌ3 ）1 Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＨＣｌ3 ） ０．１０（Ｓ，９
Ｈ）、２．３０（Ｓ，１Ｈ）、３．７〜４．０（ｍ，２
Ｈ）、４．４０〜４．５０（ｍ，１Ｈ）、６．００
（Ｓ，２Ｈ）、６．７〜７．２（ｍ，４Ｈ）
【０１３４】実施例９ 得られた（３Ｓ）−１−トリメチルシリル−３−ヒドロ
キシ−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−トラン
スブテン４．５７ｇ（１６．９ｍｍｏｌ）をジクロルメ
タン９３ｇに溶解し、０℃とし、ｔ−ブチルハイドロパ
ーオキサイド３．８０３ｇ（４２．２ｍｍｏｌ）と２，
２，４−トリメチルペンタン（５．３ｇ）との溶液を加
え、さらにビスアセチルアセトン酸化バナジル２２０ｍ
ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を加えて、１８時間攪拌した。
その後、ジメチルスルフィド４．２ｇ（６８ｍｍｏｌ）
を加えてさらに同温度下、１時間攪拌し、次いで飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液７０ｍｌを加えて室温で２時間
攪拌した。その後、酢酸エチル２００ｇを加え、分液操
作によって水層と有機層とを得、水層を酢酸エチル２０
０ｇを用いて抽出処理し、得られた有機層を先の有機層
と合わせ、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。その後、濾
過によって無水硫酸ナトリウムを濾別し、得られた濾液
から溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィ
ー（展開液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝６／１）によ
って精製して、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリメ
チルシリル−１，２−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−
（ｍ−クロルフェニルオキシ）−ブタン４．２６ｇを得
た（収率８８％、アンチ／シン＝３／１）。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ3 ） ０．１０（Ｓ，９
Ｈ）、２．２５〜２．４０（ｍ，２Ｈ）、２．９０〜
３．００（ｍ，１Ｈ）、３．９０〜４．１０（ｍ，３
Ｈ）、６．６５〜７．２０（ｍ，４Ｈ）
キシ−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−１−トラン
スブテン４．５７ｇ（１６．９ｍｍｏｌ）をジクロルメ
タン９３ｇに溶解し、０℃とし、ｔ−ブチルハイドロパ
ーオキサイド３．８０３ｇ（４２．２ｍｍｏｌ）と２，
２，４−トリメチルペンタン（５．３ｇ）との溶液を加
え、さらにビスアセチルアセトン酸化バナジル２２０ｍ
ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を加えて、１８時間攪拌した。
その後、ジメチルスルフィド４．２ｇ（６８ｍｍｏｌ）
を加えてさらに同温度下、１時間攪拌し、次いで飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液７０ｍｌを加えて室温で２時間
攪拌した。その後、酢酸エチル２００ｇを加え、分液操
作によって水層と有機層とを得、水層を酢酸エチル２０
０ｇを用いて抽出処理し、得られた有機層を先の有機層
と合わせ、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。その後、濾
過によって無水硫酸ナトリウムを濾別し、得られた濾液
から溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィ
ー（展開液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝６／１）によ
って精製して、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリメ
チルシリル−１，２−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−
（ｍ−クロルフェニルオキシ）−ブタン４．２６ｇを得
た（収率８８％、アンチ／シン＝３／１）。1 Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ3 ） ０．１０（Ｓ，９
Ｈ）、２．２５〜２．４０（ｍ，２Ｈ）、２．９０〜
３．００（ｍ，１Ｈ）、３．９０〜４．１０（ｍ，３
Ｈ）、６．６５〜７．２０（ｍ，４Ｈ）
【０１３５】実施例１０ （１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル−１，２
−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェニ
ルオキシ）−１−ブタンに代えて、（１ＲＳ，２ＲＳ，
３Ｓ）−１−トリメチルシリル−１，２−エポキシ−３
−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−ブ
タンを用いて実施例６と同様に操作することによって、
（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル−
１，２−エポキシ−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−ブタンを
得る。
−エポキシ−３−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェニ
ルオキシ）−１−ブタンに代えて、（１ＲＳ，２ＲＳ，
３Ｓ）−１−トリメチルシリル−１，２−エポキシ−３
−ヒドロキシ−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−ブ
タンを用いて実施例６と同様に操作することによって、
（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル−
１，２−エポキシ−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−ブタンを
得る。
【０１３６】実施例１１ （１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル−１，２
−エポキシ−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）
−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−ブタンに代え
て、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル
−１，２−エポキシ−３−（ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−ブタン
を用いて実施例７と同様に操作することによって、（３
Ｒ）−１−（トリ−ｎ−ブチルスタニル）−３−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェ
ニルオキシ）−１−ブテンを得る。
−エポキシ−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）
−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−ブタンに代え
て、（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）−１−トリメチルシリル
−１，２−エポキシ−３−（ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−ブタン
を用いて実施例７と同様に操作することによって、（３
Ｒ）−１−（トリ−ｎ−ブチルスタニル）−３−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｍ−クロルフェ
ニルオキシ）−１−ブテンを得る。
【０１３７】実施例１２ テトラヒドロフランを金属ナトリウムの存在下で加熱還
流したのち、蒸留して、乾燥テトラヒドロフランを調製
した。加熱乾燥したフラスコ中において、窒素気流下、
シアン化銅（Ｉ）５６．８ｍｇ（０．６３５ｍｍｏｌ）
を加熱乾燥し、冷却後、乾燥テトラヒドロフラン１．７
８ｇを加えて０℃で１５分間攪拌した。得られた溶液を
窒素気流下、０℃で攪拌しながら、これにメチルリチウ
ム３０．６ｇ（１．３９ｍｍｏｌ）と乾燥テトラヒドロ
フラン（１．７８ｇ）との溶液を滴下し、さらに１０分
間攪拌して、リチウムジメチルシアン化銅を含む反応混
合物を得た。窒素気流下、０℃で、得られた反応混合物
に、乾燥テトラヒドロフラン（１．７８ｇ）と先に得ら
れた（３Ｒ）−１−（トリ−ｎ−ブチルスタニル）−３
−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｍ−ク
ロルフェノキシ）−１−ブテン０．４ｇ（０．６６５ｍ
ｍｏｌ）との溶液を滴下した後、２５℃まで昇温し、さ
らに１．５時間攪拌した。
流したのち、蒸留して、乾燥テトラヒドロフランを調製
した。加熱乾燥したフラスコ中において、窒素気流下、
シアン化銅（Ｉ）５６．８ｍｇ（０．６３５ｍｍｏｌ）
を加熱乾燥し、冷却後、乾燥テトラヒドロフラン１．７
８ｇを加えて０℃で１５分間攪拌した。得られた溶液を
窒素気流下、０℃で攪拌しながら、これにメチルリチウ
ム３０．６ｇ（１．３９ｍｍｏｌ）と乾燥テトラヒドロ
フラン（１．７８ｇ）との溶液を滴下し、さらに１０分
間攪拌して、リチウムジメチルシアン化銅を含む反応混
合物を得た。窒素気流下、０℃で、得られた反応混合物
に、乾燥テトラヒドロフラン（１．７８ｇ）と先に得ら
れた（３Ｒ）−１−（トリ−ｎ−ブチルスタニル）−３
−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−４−（ｍ−ク
ロルフェノキシ）−１−ブテン０．４ｇ（０．６６５ｍ
ｍｏｌ）との溶液を滴下した後、２５℃まで昇温し、さ
らに１．５時間攪拌した。
【０１３８】実施例１３ 得られた溶液に、窒素気流下、−７８℃で、（４Ｒ）−
２−（６−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキセニ
ル）−４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シク
ロペンテノン０．１６ｇ（０．４５ｍｍｏｌ）と乾燥テ
トラヒドロフラン（１．７８ｇ）との溶液を滴下した
後、同温度で１分間攪拌を続け、−３５℃まで昇温した
後さらに３分間攪拌した。得られた溶液に、飽和塩化ア
ンモニウム水溶液２７ｇと飽和アンモニウム水溶液３ｇ
との溶液を加えた後、攪拌し、酢酸エチル３０ｇを用い
て抽出処理し、得られた有機層を２回水洗した後、溶媒
を減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（展開液：ヘキサン／酢酸エチル＝５／１、Ｒｆ
０．４）で精製して、（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（６
−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−
〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−１−トランス−ブテ
ニル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペ
ンタノン０．２３ｇを得た（収率７６％）。 〔α〕D 25＝−５０．３°（Ｃ＝０．６１，ＣＨＣ
ｌ3 ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ，ＣＤＣｌ3 ） ０．０２（Ｓ，
６Ｈ），０．１０（Ｓ，６Ｈ），０．９０（Ｓ，９
Ｈ），０．９５（Ｓ，９Ｈ），１．６０〜１．７５
（ｍ，２Ｈ），２．０〜２．７（ｍ，１０Ｈ），３．６
５（Ｓ，３Ｈ），３．８（ｄ，２Ｈ），４．１０（ｑ，
１Ｈ），４．５０〜４．６０（ｍ，１Ｈ），５．２５〜
５．４５（ｍ，２Ｈ），５．７０〜５．８０（ｍ，２
Ｈ），６．６５〜７．２５（ｍ，４Ｈ）
２−（６−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキセニ
ル）−４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シク
ロペンテノン０．１６ｇ（０．４５ｍｍｏｌ）と乾燥テ
トラヒドロフラン（１．７８ｇ）との溶液を滴下した
後、同温度で１分間攪拌を続け、−３５℃まで昇温した
後さらに３分間攪拌した。得られた溶液に、飽和塩化ア
ンモニウム水溶液２７ｇと飽和アンモニウム水溶液３ｇ
との溶液を加えた後、攪拌し、酢酸エチル３０ｇを用い
て抽出処理し、得られた有機層を２回水洗した後、溶媒
を減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（展開液：ヘキサン／酢酸エチル＝５／１、Ｒｆ
０．４）で精製して、（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（６
−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−
〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−１−トランス−ブテ
ニル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペ
ンタノン０．２３ｇを得た（収率７６％）。 〔α〕D 25＝−５０．３°（Ｃ＝０．６１，ＣＨＣ
ｌ3 ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ，ＣＤＣｌ3 ） ０．０２（Ｓ，
６Ｈ），０．１０（Ｓ，６Ｈ），０．９０（Ｓ，９
Ｈ），０．９５（Ｓ，９Ｈ），１．６０〜１．７５
（ｍ，２Ｈ），２．０〜２．７（ｍ，１０Ｈ），３．６
５（Ｓ，３Ｈ），３．８（ｄ，２Ｈ），４．１０（ｑ，
１Ｈ），４．５０〜４．６０（ｍ，１Ｈ），５．２５〜
５．４５（ｍ，２Ｈ），５．７０〜５．８０（ｍ，２
Ｈ），６．６５〜７．２５（ｍ，４Ｈ）
【０１３９】実施例１４ 得られた（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（６−メトキシカ
ルボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−
４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−ｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシ−１−トランス−ブテニル〕−４−
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペンタノン０．
２ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を窒素気流下でエタノール２ｇ
に溶解し、窒素気流下、−７８℃で攪拌下、ナトリウム
ボロンハイドライド１１．３ｍｇ（０．３ｍｍｏｌ）を
加え、さらに２時間攪拌した。次いで、この溶液に、飽
和塩化アンモニウム水溶液５ｇを加えて０℃で２時間攪
拌し、次いで酢酸エチル５０ｇを用いる抽出を２回行
い、得られた有機層を合わせ、水洗を２回行った。次い
で、溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（展開液：ヘキサン／酢酸エチル＝１０
／３）で分離・精製し、（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−
１−ヒドロキシ−２−（６−メトキシカルボニル−２−
シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロ
ルフェニルオキシ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシ−１−トランス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシシクロペンタン０．０８ｇ（収率４０
％）（Ｒｆ＝０．５）と、（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）
−１−ヒドロキシ−２−（６−メトキシカルボニル−２
−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−ク
ロルフェニルオキシ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ−１−トランス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシシクロペンタン０．０９４ｇ（収率
４７％）（Ｒｆ＝０．４）とを得た。
ルボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−
４−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−ｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシ−１−トランス−ブテニル〕−４−
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシシクロペンタノン０．
２ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を窒素気流下でエタノール２ｇ
に溶解し、窒素気流下、−７８℃で攪拌下、ナトリウム
ボロンハイドライド１１．３ｍｇ（０．３ｍｍｏｌ）を
加え、さらに２時間攪拌した。次いで、この溶液に、飽
和塩化アンモニウム水溶液５ｇを加えて０℃で２時間攪
拌し、次いで酢酸エチル５０ｇを用いる抽出を２回行
い、得られた有機層を合わせ、水洗を２回行った。次い
で、溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（展開液：ヘキサン／酢酸エチル＝１０
／３）で分離・精製し、（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−
１−ヒドロキシ−２−（６−メトキシカルボニル−２−
シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロ
ルフェニルオキシ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシ−１−トランス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシシクロペンタン０．０８ｇ（収率４０
％）（Ｒｆ＝０．５）と、（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）
−１−ヒドロキシ−２−（６−メトキシカルボニル−２
−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−ク
ロルフェニルオキシ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ−１−トランス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシシクロペンタン０．０９４ｇ（収率
４７％）（Ｒｆ＝０．４）とを得た。
【０１４０】（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−１−ヒドロ
キシ−２−（６−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキ
セニル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニル
オキシ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−１−
トランス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシシクロペンタン 〔α〕D 25＝＋４．１７°（Ｃ＝１．１５，ＣＨＣ
ｌ3 ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ，ＣＤＣｌ3 ） ０．０１（Ｓ，
３Ｈ），０．０２（Ｓ，３Ｈ），０．０５（Ｓ，６
Ｈ），０．９（Ｓ，９Ｈ），０．９５（Ｓ，９Ｈ），
１．５〜１．７５（ｍ，３Ｈ），１．８５〜２．４
（ｍ，１０Ｈ），３．７（Ｓ，３Ｈ），３．８０（ｄ，
２Ｈ），４．０〜４．１（ｍ，２Ｈ），４．４５〜４．
５５（ｍ，１Ｈ），５．４０〜５．７５（ｍ，４Ｈ），
６．６５〜７．２５（ｍ，４Ｈ）
キシ−２−（６−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキ
セニル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニル
オキシ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−１−
トランス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシシクロペンタン 〔α〕D 25＝＋４．１７°（Ｃ＝１．１５，ＣＨＣ
ｌ3 ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ，ＣＤＣｌ3 ） ０．０１（Ｓ，
３Ｈ），０．０２（Ｓ，３Ｈ），０．０５（Ｓ，６
Ｈ），０．９（Ｓ，９Ｈ），０．９５（Ｓ，９Ｈ），
１．５〜１．７５（ｍ，３Ｈ），１．８５〜２．４
（ｍ，１０Ｈ），３．７（Ｓ，３Ｈ），３．８０（ｄ，
２Ｈ），４．０〜４．１（ｍ，２Ｈ），４．４５〜４．
５５（ｍ，１Ｈ），５．４０〜５．７５（ｍ，４Ｈ），
６．６５〜７．２５（ｍ，４Ｈ）
【０１４１】（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−１−ヒドロ
キシ−２−（６−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキ
セニル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニル
オキシ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−１−
トランス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシシクロペンタン 〔α〕D 25＝＋１５．２５°（Ｃ＝１．０１，ＣＨＣｌ
3 ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ，ＣＤＣｌ3 ） ０．０５（Ｓ，
６Ｈ），０．１（Ｓ，６Ｈ），０．９０（Ｓ，９Ｈ），
０．９３（Ｓ，９Ｈ），１．４５〜２．２０（ｍ，８
Ｈ），２．２５〜２．６０（ｍ，５Ｈ），３．７５
（Ｓ，３Ｈ），３．８（ｄ，２Ｈ），４．０〜４．１
（ｍ，１Ｈ），４．１〜４．２（ｍ，１Ｈ），４．４５
〜４．５５（ｍ，１Ｈ），５．３０〜５．７０（ｍ，４
Ｈ），６．７０〜７．２５（ｍ，４Ｈ）
キシ−２−（６−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキ
セニル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニル
オキシ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−１−
トランス−ブテニル〕−４−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシシクロペンタン 〔α〕D 25＝＋１５．２５°（Ｃ＝１．０１，ＣＨＣｌ
3 ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ，ＣＤＣｌ3 ） ０．０５（Ｓ，
６Ｈ），０．１（Ｓ，６Ｈ），０．９０（Ｓ，９Ｈ），
０．９３（Ｓ，９Ｈ），１．４５〜２．２０（ｍ，８
Ｈ），２．２５〜２．６０（ｍ，５Ｈ），３．７５
（Ｓ，３Ｈ），３．８（ｄ，２Ｈ），４．０〜４．１
（ｍ，１Ｈ），４．１〜４．２（ｍ，１Ｈ），４．４５
〜４．５５（ｍ，１Ｈ），５．３０〜５．７０（ｍ，４
Ｈ），６．７０〜７．２５（ｍ，４Ｈ）
【０１４２】実施例１５ 窒素気流下で攪拌しつつ、得られた（１Ｓ，２Ｒ，３
Ｒ，４Ｒ）−１−ヒドロキシ−２−（６−メトキシカル
ボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４
−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−ｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシ−１−トランス−ブテニル〕−４−ｔ
−ブチルジメチルシリルオキシシクロペンタン０．０８
ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）をアセトニトリル３．１ｇに溶
解し、０℃に冷却した。次いで、これに１５％フッ化水
素水溶液４ｍｌを滴下し、１時間攪拌を続けた後、２５
℃に昇温して、さらに１時間攪拌を続けた。その後、こ
れに炭酸水素ナトリウム水溶液を加えてｐＨ７とした
後、さらに飽和塩化アンモニウム水溶液７ｇを加えた。
次いでクロロホルム２０ｇを用いて抽出処理し、得られ
た有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、濾別し、
溶媒を減圧留去して残渣を得た。得られた残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：クロロホルム
／メチルエチルケトン＝７：８、Ｒｆ＝０．１）で精製
して、（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−１−ヒドロキシ−
２−（６−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキセニ
ル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキ
シ）−３−ヒドロキシ−１−トランス−ブテニル〕−４
−ヒドロキシシクロペンタン４４．１ｍｇを得た（収率
８３．８％）。 〔α〕D 25＝＋１５．２５°（Ｃ＝１．０１，ＣＨＣｌ
3 ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ，ＣＤＣｌ3 ） １．５〜１．９
（ｍ，５Ｈ），２．１〜２．４（ｍ，７Ｈ），３．７
（Ｓ，３Ｈ），３．９〜４．１（ｍ，３Ｈ），４．２
（ｂＳ，１Ｈ），４．５（ｂＳ，１Ｈ），５．３〜５．
５（ｍ，２Ｈ），５．６〜５．８（ｍ，２Ｈ），６．７
〜７．３（ｍ，４Ｈ）
Ｒ，４Ｒ）−１−ヒドロキシ−２−（６−メトキシカル
ボニル−２−シス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４
−（ｍ−クロルフェニルオキシ）−３−ｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシ−１−トランス−ブテニル〕−４−ｔ
−ブチルジメチルシリルオキシシクロペンタン０．０８
ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）をアセトニトリル３．１ｇに溶
解し、０℃に冷却した。次いで、これに１５％フッ化水
素水溶液４ｍｌを滴下し、１時間攪拌を続けた後、２５
℃に昇温して、さらに１時間攪拌を続けた。その後、こ
れに炭酸水素ナトリウム水溶液を加えてｐＨ７とした
後、さらに飽和塩化アンモニウム水溶液７ｇを加えた。
次いでクロロホルム２０ｇを用いて抽出処理し、得られ
た有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、濾別し、
溶媒を減圧留去して残渣を得た。得られた残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：クロロホルム
／メチルエチルケトン＝７：８、Ｒｆ＝０．１）で精製
して、（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−１−ヒドロキシ−
２−（６−メトキシカルボニル−２−シス−ヘキセニ
ル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロルフェニルオキ
シ）−３−ヒドロキシ−１−トランス−ブテニル〕−４
−ヒドロキシシクロペンタン４４．１ｍｇを得た（収率
８３．８％）。 〔α〕D 25＝＋１５．２５°（Ｃ＝１．０１，ＣＨＣｌ
3 ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ，ＣＤＣｌ3 ） １．５〜１．９
（ｍ，５Ｈ），２．１〜２．４（ｍ，７Ｈ），３．７
（Ｓ，３Ｈ），３．９〜４．１（ｍ，３Ｈ），４．２
（ｂＳ，１Ｈ），４．５（ｂＳ，１Ｈ），５．３〜５．
５（ｍ，２Ｈ），５．６〜５．８（ｍ，２Ｈ），６．７
〜７．３（ｍ，４Ｈ）
【０１４３】得られた（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−１
−ヒドロキシ−２−（６−メトキシカルボニル−２−シ
ス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロル
フェニルオキシ）−３−ヒドロキシ−１−トランス−ブ
テニル〕−４−ヒドロキシシクロペンタン４４．１ｍｇ
（０．１ｍｍｏｌ）をメタノール３ｇに溶解し、０℃で
攪拌しながら、１０％水酸化リチウム水溶液２．２ｇを
滴下し、次いで攪拌しつつ室温まで昇温した後、さらに
５時間攪拌を続けた。その後、２５％塩酸水溶液を滴下
してｐＨ１に調整したのち、クロロホルム２０ｇを用い
て抽出し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥
して濾別後、溶媒を減圧留去して、クロプロステノール
４０．４ｍｇを得た（収率９５％）。 〔α〕D 25＝＋２２．８°（Ｃ＝１，エタノール）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ3 ＯＤ） １．３〜１．６（ｍ，４
Ｈ），１．８〜２．３（ｍ，８Ｈ），３．６５〜３．９
（ｍ，３Ｈ），３．９〜４．０（ｍ，１Ｈ），４．３
（ｂＳ，１Ｈ），５．１〜５．４（ｍ，２Ｈ），５．５
５（Ｓ，２Ｈ），６．５〜７．２（ｍ，４Ｈ）
−ヒドロキシ−２−（６−メトキシカルボニル−２−シ
ス−ヘキセニル）−３−〔（３Ｒ）−４−（ｍ−クロル
フェニルオキシ）−３−ヒドロキシ−１−トランス−ブ
テニル〕−４−ヒドロキシシクロペンタン４４．１ｍｇ
（０．１ｍｍｏｌ）をメタノール３ｇに溶解し、０℃で
攪拌しながら、１０％水酸化リチウム水溶液２．２ｇを
滴下し、次いで攪拌しつつ室温まで昇温した後、さらに
５時間攪拌を続けた。その後、２５％塩酸水溶液を滴下
してｐＨ１に調整したのち、クロロホルム２０ｇを用い
て抽出し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥
して濾別後、溶媒を減圧留去して、クロプロステノール
４０．４ｍｇを得た（収率９５％）。 〔α〕D 25＝＋２２．８°（Ｃ＝１，エタノール）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ3 ＯＤ） １．３〜１．６（ｍ，４
Ｈ），１．８〜２．３（ｍ，８Ｈ），３．６５〜３．９
（ｍ，３Ｈ），３．９〜４．０（ｍ，１Ｈ），４．３
（ｂＳ，１Ｈ），５．１〜５．４（ｍ，２Ｈ），５．５
５（Ｓ，２Ｈ），６．５〜７．２（ｍ，４Ｈ）
Claims (29)
- 【請求項１】一般式〔１〕 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 はそれぞれ独立に、炭素数１
〜１２の直鎖もしくは分枝状のアルキル基、置換アルキ
ル基、または置換もしくは未置換のフェニル基を示し、
Ｒ4 はヒドロキシル基の保護基を示す。）で示されるビ
ニルスズ化合物の光学活性体もしくはラセミ体。 - 【請求項２】立体配置が（３Ｒ）で表されることを特徴
とする請求項１に記載のビニルスズ化合物の光学活性
体。 - 【請求項３】一般式〔２〕 （式中、Ｒ4 は前記と同じ意味を示し、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ
8 はそれぞれ独立に、炭素数１〜１２の直鎖もしくは分
枝状のアルキル基、置換アルキル基、または置換もしく
は未置換のフェニル基を示す。）で示される保護基を有
するエポキシケイ素化合物の光学活性体もしくはラセミ
体を一般式〔１０〕 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 はそれぞれ前記と同じ意味を
示し、Ｍ1 はアルカリ金属原子を示す。）で示される有
機スズ金属塩と反応させることを特徴とする請求項１に
記載の一般式〔１〕で示されるビニルスズ化合物の光学
活性体もしくはラセミ体の製造方法。 - 【請求項４】立体配置が（３Ｓ）で表される一般式
〔２〕で示される保護基を有するエポキシケイ素化合物
の光学活性体を一般式〔１０〕で示される有機スズ金属
塩と反応させることを特徴とする請求項２に記載のビニ
ルスズ化合物の光学活性体の製造方法。 - 【請求項５】保護基を有するエポキシケイ素化合物の光
学活性体が、立体配置が（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）で表され
る保護基を有するエポキシケイ素化合物の光学活性体お
よび／または立体配置が（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）で表
される保護機を有するエポキシケイ素化合物の光学活性
体であることを特徴とする請求項４に記載のビニルスズ
化合物の光学活性体の製造方法。 - 【請求項６】立体配置が（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）で表
される保護基を有するエポキシケイ素化合物の光学活性
体を以下の工程に従って製造することを特徴とする請求
項５に記載のビニルスズ化合物の光学活性体の製造方
法。 （１）一般式〔６〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示されるビニルケイ素化合物のラセミ体をＬ
−（＋）−酒石酸ジエステルとチタンテトラアルコキシ
ドとの存在下に脂肪族もしくは芳香族炭化水素のハイド
ロパーオキサイドと反応させて、立体配置が（３Ｓ）で
表される一般式〔６〕で示されるビニルケイ素化合物の
光学活性体を得る工程。 （２）得られた光学活性なビニルケイ素化合物の（３
Ｓ）体をアゾジカルボン酸ジエステル類とホスフィン類
との存在下にカルボン酸類と反応させた後、加水分解し
て、立体配置が（３Ｒ）で表される一般式〔６〕で示さ
れるビニルケイ素化合物の光学活性体を得る工程。 （３）得られた光学活性なビニルケイ素化合物の（３
Ｒ）体をチタンテトラアルコキシドおよび／またはビス
アセチルアセトン酸バナジルの存在下に脂肪族もしくは
芳香族炭化水素のハイドロパーオキサイドと反応させ
て、立体配置が（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）で表される一
般式〔３〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示されるエポキシケイ素化合物の光学活性体
を得る工程。 （４）得られた光学活性なエポキシケイ素化合物の（１
ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）体を保護試剤と反応させて、立体
配置が（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）で表される保護基を有
するエポキシケイ素化合物の光学活性体を得る工程。 - 【請求項７】立体配置が（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）で表され
る保護基を有するエポキシケイ素化合物の光学活性体を
以下の工程に従って製造することを特徴とする請求項５
に記載のビニルスズ化合物の光学活性体の製造方法。 （１）一般式〔６〕で示されるビニルケイ素化合物のラ
セミ体をＬ−（＋）−酒石酸ジエステルとチタンテトラ
アルコキシドとの存在下に脂肪族もしくは芳香族炭化水
素のハイドロパーオキサイドと反応させて、立体配置が
（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）で表される一般式〔３〕で示され
るエポキシケイ素化合物の光学活性体を得る工程。 （２）得られた光学活性なエポキシケイ素化合物の（１
Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）体を保護試剤と反応させて、立体配置
が（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）で表される保護基を有するエポ
キシケイ素化合物の光学活性体を得る工程。 - 【請求項８】一般式〔６〕で示されるビニルケイ素化合
物のラセミ体を以下の工程に従って製造することを特徴
とする請求項６または請求項７に記載のビニルスズ化合
物の光学活性体の製造方法。 （１）ｍ−クロルフェノールを塩基の存在下に一般式
〔１４〕 （式中、Ｒ5 は炭素数１〜１２の置換もしくは未置換の
アルキル基、または置換もしくは未置換のフェニル基を
示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）で示されるエステル
化合物と反応させて、一般式〔９〕 （式中、Ｒ5 前記と同じ意味を示す。）で示されるアリ
ールオキシエステル化合物を得る工程。 （２）得られたアリールオキシエステル化合物を溶媒中
でアルミニウムハイドライド化合物と反応させて、ｍ−
クロルフェノキシアセトアルデヒドを含む溶液を得る工
程。 （３）得られたｍ−クロルフェノキシアセトアルデヒド
を含む溶液からｍ−クロルフェノキシアセトアルデヒド
を単離することなく、これと一般式〔１３ａ〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ意味を
示し、Ｍ2 はアルカリ金属原子を示す。）もしくは一般
式〔１３ｂ〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ意味を
示し、Ｍ3 はアルカリ土類金属原子を示す。）で示され
るシリルアセチレン金属塩とを反応させ、次いで加水分
解することによって、一般式〔７〕 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示されるアセチレンケイ素化合物を得る工
程。 （４）得られたアセチレンケイ素化合物を水素化金属類
と反応させて、ビニルケイ素化合物のラセミ体を得る工
程。 - 【請求項９】一般式〔２〕で示される保護基を有するエ
ポキシケイ素化合物の光学活性体もしくはラセミ体。 - 【請求項１０】立体配置が（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）で
表されることを特徴とする請求項９に記載の保護基を有
するエポキシケイ素化合物の光学活性体。 - 【請求項１１】立体配置が（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）で表さ
れることを特徴とする請求項９に記載の保護基を有する
エポキシケイ素化合物の光学活性体。 - 【請求項１２】一般式〔３〕で示されるエポキシケイ素
化合物の光学活性体もしくはラセミ体を保護試剤と反応
させることを特徴とする、請求項９に記載の保護基を有
するエポキシケイ素化合物の光学活性体もしくはラセミ
体の製造方法。 - 【請求項１３】一般式〔３〕で示されるエポキシケイ素
化合物の光学活性体もしくはラセミ体。 - 【請求項１４】立体配置が（１ＲＳ，２ＲＳ，３Ｓ）で
表されることを特徴とする請求項１３に記載のエポキシ
ケイ素化合物の光学活性体。 - 【請求項１５】立体配置が（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ）で表さ
れることを特徴とする請求項１３に記載のエポキシケイ
素化合物の光学活性体。 - 【請求項１６】立体配置が（３Ｒ）で表される一般式
〔６〕で示されるビニルケイ素化合物の光学活性体をチ
タンテトラアルコキシドおよび／またはビスアセチルア
セトン酸バナジルの存在下に脂肪族もしくは芳香族炭化
水素のハイドロパーオキサイドと反応させることを特徴
とする請求項１４に記載のエポキシケイ素化合物の光学
活性体の製造方法。 - 【請求項１７】立体配置が（３Ｓ）で表される一般式
〔６〕で示されるビニルケイ素化合物の光学活性体をア
ゾジカルボン酸ジエステル類とホスフィン類との存在下
にカルボン酸類と反応させることを特徴とする、立体配
置が（３Ｒ）で表される一般式〔６〕で示されるビニル
ケイ素化合物の光学活性体の製造方法。 - 【請求項１８】一般式〔６〕で示されるビニルケイ素化
合物のラセミ体をＬ−（＋）−酒石酸ジエステルとチタ
ンテトラアルコキシドとの存在下に脂肪族もしくは芳香
族炭化水素のハイドロパーオキサイドと反応させること
を特徴とする、立体配置が（３Ｓ）で表される一般式
〔６〕で示されるビニルケイ素化合物の光学活性体の製
造方法。 - 【請求項１９】一般式〔６〕で示されるビニルケイ素化
合物のラセミ体をＬ−（＋）−酒石酸ジエステルとチタ
ンテトラアルコキシドとの存在下に脂肪族もしくは芳香
族炭化水素のハイドロパーオキサイドと反応させること
を特徴とする請求項１５に記載のエポキシケイ素化合物
の光学活性体の製造方法。 - 【請求項２０】一般式〔６〕で示されるビニルケイ素化
合物のラセミ体もしくは光学活性体。 - 【請求項２１】一般式〔７〕で示されるアセチレンケイ
素化合物を水素化金属類と反応させることを特徴とする
請求項２０に記載のビニルケイ素化合物のラセミ体の製
造方法。 - 【請求項２２】一般式〔７〕で示されるアセチレンケイ
素化合物。 - 【請求項２３】以下の工程に従って製造することを特徴
とする請求項２２に記載のアセチレンケイ素化合物の製
造方法。 （１）ｍ−クロルフェノールを、塩基の存在下に前記の
一般式〔１４〕で示されるエステル化合物と反応させ
て、前記の一般式〔９〕で示されるアリールオキシエス
テル化合物を得る工程。 （２）得られたアリールオキシエステル化合物を溶媒中
でアルミニウムハイドライド化合物と反応させて、ｍ−
クロルフェノキシアセトアルデヒドを含む溶液を得る工
程。 （３）得られたｍ−クロルフェノキシアセトアルデヒド
を含む溶液からｍ−クロルフェノキシアセトアルデヒド
を単離することなく、これと一般式〔１３ａ〕もしくは
一般式〔１３ｂ〕で示されるシリルアセチレン金属塩と
を反応させ、次いで加水分解することによって、アセチ
レンケイ素化合物を得る工程。 - 【請求項２４】以下の工程に従って製造することを特徴
とする、化学式〔２０〕 で示されるクロプロステノールの製造方法。 （１）請求項２に記載のビニルスズ化合物の光学活性体
を銅化合物と反応させて、銅錯体を得る工程。 （２）得られた銅錯体を一般式〔１６〕 （式中、Ｒ13はヒドロキシル基の保護基を示し、Ｒ14は
カルボキシル基の保護基を示す。）で示されるシクロペ
ンテノン化合物と反応させて、一般式〔１７〕 （式中、Ｒ4 、Ｒ13、Ｒ14はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示される光学活性シクロペンタノン化合物を
得る工程。 （３）得られた光学活性シクロペンタノン化合物をハイ
ドライド化合物と反応させて、一般式〔１８〕 （式中、Ｒ4 、Ｒ13、Ｒ14はそれぞれ前記と同じ意味を
示す。）で示される光学活性シクロペンタノール化合物
を得る工程。 （４）得られた光学活性シクロペンタノール化合物のヒ
ドロキシル基の保護基とカルボキシル基の保護基とを脱
保護基して、クロプロステノールを得る工程。 - 【請求項２５】一般式〔１７〕で示される光学活性シク
ロペンタノン化合物。 - 【請求項２６】以下の工程に従って製造することを特徴
とする請求項２６に記載の光学活性シクロペンタノン化
合物の製造方法。 （１）立体配置が（３Ｒ）で表される一般式〔１〕で示
されるビニルスズ化合物の光学活性体を銅化合物と反応
させて、銅錯体を得る工程。 （２）得られた銅錯体を一般式〔１６〕で示されるシク
ロペンテノン化合物と反応させて、光学活性シクロペン
タノン化合物を得る工程。 - 【請求項２７】銅化合物が、リチウムジメチルシアン化
銅（Ｉ）、リチウム−ｔ−ブチルシアン化銅（Ｉ）、リ
チウム−ｔ−ブチルチオフェニルシアン化銅（Ｉ）また
はリチウムメチル−１−ヘキシニルヨウ化銅（Ｉ）であ
ることを特徴とする、請求項２４または請求項２６に記
載の製造方法。 - 【請求項２８】以下の工程に従って製造することを特徴
とする、化学式〔２０〕で示されるクロプロステノール
の製造方法。 （１）請求項２５に記載の光学活性シクロペンタノン化
合物をハイドライド化合物と反応させて、一般式〔１
８〕で示される光学活性シクロペンタノール化合物を得
る工程。 （２）得られた光学活性シクロペンタノール化合物のヒ
ドロキシル基の保護基とカルボキシル基の保護基とを脱
保護基して、クロプロステノールを得る工程。 - 【請求項２９】ハイドライド化合物が、ナトリウムボロ
ンハイドラド、亜鉛ボロンハイドライド、ジイソブチル
アルミニウムハイドライドまたはＬ−セレクトライド
（リチウムトリ−ｓｅｃ−ブチルボロンハイドライド）
であることを特徴とする、請求項２４または請求項２８
に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7168618A JPH0920788A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | ビニルスズ化合物、その製造方法およびそれを用いるプロスタグランジン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7168618A JPH0920788A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | ビニルスズ化合物、その製造方法およびそれを用いるプロスタグランジン類の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0920788A true JPH0920788A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15871404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7168618A Pending JPH0920788A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | ビニルスズ化合物、その製造方法およびそれを用いるプロスタグランジン類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0920788A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1810967A1 (en) * | 2006-01-18 | 2007-07-25 | Chirogate International Inc. | Processes and intermediates for the preparations of prostaglandins |
| KR20110004432A (ko) * | 2008-04-09 | 2011-01-13 | 시노팜 타이완 리미티드 | 프로스타글란딘 유사체 및 이의 중간체의 제조방법 |
-
1995
- 1995-07-04 JP JP7168618A patent/JPH0920788A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1810967A1 (en) * | 2006-01-18 | 2007-07-25 | Chirogate International Inc. | Processes and intermediates for the preparations of prostaglandins |
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| CN102056887A (zh) * | 2008-04-09 | 2011-05-11 | 台湾神隆股份有限公司 | 前列腺素类似物和其中间体的制备方法 |
| JP2011518134A (ja) * | 2008-04-09 | 2011-06-23 | サイノファーム タイワン リミテッド | プロスタグランジン類似物の製造方法及びその中間体 |
| EP2274266A4 (en) * | 2008-04-09 | 2012-10-10 | Scinopharm Taiwan Ltd | PROCESS FOR THE PREPARATION OF PROSTAGLANDIN ANALOGS AND THEIR INTERMEDIATES |
| AU2009250938B2 (en) * | 2008-04-09 | 2013-03-07 | Scinopharm Taiwan, Ltd. | Process for the preparation of prostaglandin analogues and intermediates thereof |
| US8436194B2 (en) | 2008-04-09 | 2013-05-07 | Scinopharm Taiwan, Ltd. | Process for the preparation of prostaglandin analogues and intermediates thereof |
| US8742143B2 (en) | 2008-04-09 | 2014-06-03 | Scinopharm Taiwan, Ltd. | Process for the preparation of prostaglandin analogues |
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