JPH09212915A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH09212915A JPH09212915A JP8019648A JP1964896A JPH09212915A JP H09212915 A JPH09212915 A JP H09212915A JP 8019648 A JP8019648 A JP 8019648A JP 1964896 A JP1964896 A JP 1964896A JP H09212915 A JPH09212915 A JP H09212915A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 透明基板上に有機色素を含有する光吸収
層、光反射層および保護層を順次積層してなる光記録媒
体において、光反射層が薄い金属層および銀反射層から
なることを特徴とする光記録媒体。 【効果】 耐光性、耐高温・高湿性に優れる高信頼性光
記録媒体が低コストで生産可能となる。
層、光反射層および保護層を順次積層してなる光記録媒
体において、光反射層が薄い金属層および銀反射層から
なることを特徴とする光記録媒体。 【効果】 耐光性、耐高温・高湿性に優れる高信頼性光
記録媒体が低コストで生産可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は耐光性、耐高温・高
湿性に優れる高信頼性かつ安価な光記録媒体に関する。
湿性に優れる高信頼性かつ安価な光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンパクトディスクで代表される光記録
媒体は、記録容量が大きく、ソフトウエアパッケージと
しての生産性が高いことから、従来、オーディオソフ
ト、コンピューターソフト、電子出版の媒体として広く
用いられている。従来のコンパクトディスクで代表され
るような読みだし専用の光記録媒体を作製するには、そ
の透明基板上に記録を転写するための金型が必要であ
る。しかしながら、その金型を作製するコストが高いた
めに、数百枚程度のディスク作製に際してはディスク一
枚当たりのコストが相当高くなってしまう。
媒体は、記録容量が大きく、ソフトウエアパッケージと
しての生産性が高いことから、従来、オーディオソフ
ト、コンピューターソフト、電子出版の媒体として広く
用いられている。従来のコンパクトディスクで代表され
るような読みだし専用の光記録媒体を作製するには、そ
の透明基板上に記録を転写するための金型が必要であ
る。しかしながら、その金型を作製するコストが高いた
めに、数百枚程度のディスク作製に際してはディスク一
枚当たりのコストが相当高くなってしまう。
【０００３】この問題を解決するために、金型を介して
記録ディスクの作製を行うのではなく、ディスクに直接
記録することのできる記録可能領域を備える光記録媒
体、即ち、コンパクトディスクレコーダブル（以下、Ｃ
Ｄ−Ｒ）等として知られるレーザー光による記録可能な
光記録媒体が開発されている。以下、ＣＤ−Ｒを例とし
て説明を行う。ＣＤ−Ｒは記録可能であるとともに、再
生専用コンパクトディスクと同等な反射率を有するの
で、情報を記録可能であるとともに、再生専用コンパク
トディスクプレーヤーや読みだし専用コンパクトディス
クドライブにより再生、読みだし可能であるという特徴
を持つ。通常、ＣＤ−Ｒで代表されるような記録可能な
光記録媒体は、透明基板上に、有機色素からなる光吸収
層、金属からなる光反射層、および紫外線硬化樹脂から
なる保護層を順次積層することにより作製される。
記録ディスクの作製を行うのではなく、ディスクに直接
記録することのできる記録可能領域を備える光記録媒
体、即ち、コンパクトディスクレコーダブル（以下、Ｃ
Ｄ−Ｒ）等として知られるレーザー光による記録可能な
光記録媒体が開発されている。以下、ＣＤ−Ｒを例とし
て説明を行う。ＣＤ−Ｒは記録可能であるとともに、再
生専用コンパクトディスクと同等な反射率を有するの
で、情報を記録可能であるとともに、再生専用コンパク
トディスクプレーヤーや読みだし専用コンパクトディス
クドライブにより再生、読みだし可能であるという特徴
を持つ。通常、ＣＤ−Ｒで代表されるような記録可能な
光記録媒体は、透明基板上に、有機色素からなる光吸収
層、金属からなる光反射層、および紫外線硬化樹脂から
なる保護層を順次積層することにより作製される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】既に実用化、市販され
ているＣＤ−Ｒにおいては、読み出し用の７８０ｎｍの
波長のレーザー光に対する６５％以上の高反射率得るこ
と、ならびに、光反射層のマイグレーションや化学反応
に基づく反射率の低下を防止するために、光反射層とし
て安定性を有する金および金を主成分として合金が使用
されているが、金は高価であるために製造コスト削減を
行う上での障害となっている。一方、製造コスト削減の
ために、金と同等な反射率を有する銀、アルミニウム、
銅などの金属およびこれらを主成分とする合金を光反射
層として用いた場合には、マイグレーションや化学反応
に基づく反射率の低下やエラーの増加などのディスク特
性の経時変化を生じやすいため、長期の保存に耐え得る
ような高信頼性のＣＤ−Ｒの作製は困難であった。
ているＣＤ−Ｒにおいては、読み出し用の７８０ｎｍの
波長のレーザー光に対する６５％以上の高反射率得るこ
と、ならびに、光反射層のマイグレーションや化学反応
に基づく反射率の低下を防止するために、光反射層とし
て安定性を有する金および金を主成分として合金が使用
されているが、金は高価であるために製造コスト削減を
行う上での障害となっている。一方、製造コスト削減の
ために、金と同等な反射率を有する銀、アルミニウム、
銅などの金属およびこれらを主成分とする合金を光反射
層として用いた場合には、マイグレーションや化学反応
に基づく反射率の低下やエラーの増加などのディスク特
性の経時変化を生じやすいため、長期の保存に耐え得る
ような高信頼性のＣＤ−Ｒの作製は困難であった。
【０００５】これに対して、耐食性向上のためにステン
レス鋼などのような耐食性の合金を用いることが提案さ
れているがこれらの、多くは耐食性を発揮するために必
要な添加成分が多量となるために、合金の反射率が低く
成ってしまうので、また、防食機構が合金の表面に不導
体皮膜を形成させるものであるため、反射膜として用い
た場合、反射率の低下は避けられなかった。さらに、金
を用いた場合には、現在、記録ならびに読み出しに用い
られていレーザー光の波長７８０ｎｍより短波長となる
に従って反射率が低下する。そのため、将来実用化が予
想される、現行ＣＤ−Ｒより、より記録密度の高い光記
録媒体においては、現在より、より短波長の記録および
読みだし用のレーザーが用いられることが予想されるた
めに、反射層として金を用いることは必ずしも好ましい
ことではなく、銀やアルミニウムのように可視光領域の
全域に渡って高い反射率を有する金属を反射層として用
いることが好ましい。
レス鋼などのような耐食性の合金を用いることが提案さ
れているがこれらの、多くは耐食性を発揮するために必
要な添加成分が多量となるために、合金の反射率が低く
成ってしまうので、また、防食機構が合金の表面に不導
体皮膜を形成させるものであるため、反射膜として用い
た場合、反射率の低下は避けられなかった。さらに、金
を用いた場合には、現在、記録ならびに読み出しに用い
られていレーザー光の波長７８０ｎｍより短波長となる
に従って反射率が低下する。そのため、将来実用化が予
想される、現行ＣＤ−Ｒより、より記録密度の高い光記
録媒体においては、現在より、より短波長の記録および
読みだし用のレーザーが用いられることが予想されるた
めに、反射層として金を用いることは必ずしも好ましい
ことではなく、銀やアルミニウムのように可視光領域の
全域に渡って高い反射率を有する金属を反射層として用
いることが好ましい。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来技術
を鑑みて発明されたものであり、高安定性を有する金を
光反射層として用いた光記録媒体と同等の耐久性および
信頼性を保持しつつ、金より安価な銀を光反射層として
使用することを可能とすることにより、記録可能光記録
媒体を安価に製造するとともに、より広い波長範囲での
光反射率を向上させることにより高密度記録に対応した
光ディスクを提供することを目的とする。
を鑑みて発明されたものであり、高安定性を有する金を
光反射層として用いた光記録媒体と同等の耐久性および
信頼性を保持しつつ、金より安価な銀を光反射層として
使用することを可能とすることにより、記録可能光記録
媒体を安価に製造するとともに、より広い波長範囲での
光反射率を向上させることにより高密度記録に対応した
光ディスクを提供することを目的とする。
【０００７】本発明者らは上記問題について鋭意検討を
重ねたところ、透明基板上に有機色素を含有する光吸収
層、銀反射層からなる光記録媒体において、光吸収層と
銀反射層の界面に膜厚０．１ｎｍ〜５ｎｍのＴｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、またはＷからなる金属層を形成する
ことにより、広波長範囲で高い反射率が得られかつ反射
率低下の少ない記録可能光記録媒体が作製可能であるこ
とを見出し本発明を完成するに至った。
重ねたところ、透明基板上に有機色素を含有する光吸収
層、銀反射層からなる光記録媒体において、光吸収層と
銀反射層の界面に膜厚０．１ｎｍ〜５ｎｍのＴｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、またはＷからなる金属層を形成する
ことにより、広波長範囲で高い反射率が得られかつ反射
率低下の少ない記録可能光記録媒体が作製可能であるこ
とを見出し本発明を完成するに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、（１）透明基板上に
有機色素を含有する光吸収層、薄い金属層、銀反射層お
よび保護層を順次積層してなる光記録媒体、（２）透明
基板上に有機色素を含有する光吸収層、薄い金属層、銀
反射層、金属層および保護層を順次積層してなる光記録
媒体、（３）薄い金属層が膜厚０．１ｎｍ〜５ｎｍのＴ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、またはＷからなる金属層で
ある（１）または（２）の光記録媒体に関するものであ
る。
有機色素を含有する光吸収層、薄い金属層、銀反射層お
よび保護層を順次積層してなる光記録媒体、（２）透明
基板上に有機色素を含有する光吸収層、薄い金属層、銀
反射層、金属層および保護層を順次積層してなる光記録
媒体、（３）薄い金属層が膜厚０．１ｎｍ〜５ｎｍのＴ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、またはＷからなる金属層で
ある（１）または（２）の光記録媒体に関するものであ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明による光記録媒体に
ついて詳細に説明する。本発明は、透明基板上に有機色
素を含有する光吸収層、薄い金属層、銀反射層を順次積
層してなる光記録媒体である。
ついて詳細に説明する。本発明は、透明基板上に有機色
素を含有する光吸収層、薄い金属層、銀反射層を順次積
層してなる光記録媒体である。
【００１０】本発明に用いる透明基板の材質としては、
信号の記録や読み出しを行うために、光に対する屈折率
が１．４〜１．６程度の透明度の高い材質、具体的に
は、例えば、４００ｎｍ〜９００ｎｍの可視光に対する
光透過率の値が８５％以上であり、光学異方性の少ない
ものが好ましい。具体的には、ポリアミド系樹脂、ポリ
カーボネート系樹脂、ポリメタクリル酸メチル系樹脂塩
化ビニル系樹脂、非晶質ポリオレフィン系樹脂等のプラ
スチック、あるいはガラスのように可視光に対する光透
過率の高い材料を好適に用いることができる。これらの
中で、基板の強度、案内溝や再生専用信号などの付与の
しやすさ、経済性の点からアクリル系樹脂、ポリカーボ
ネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂の射出成型基板が
好ましく、とりわけ、ポリカーボネート系樹脂が好まし
い。これらの透明基板は板状でもフィルム上でも良い
が、通常、厚み１〜２ｍｍ程度で、同心円上あるいは螺
旋状に案内溝やピットを形成したものが用いられる。こ
れらの案内溝やピットは、透明基板の成型時に設けるこ
とが好ましいが、透明基板上に、紫外線硬化樹脂層を塗
布しスタンパーと重ね合わせて紫外線露光を行うことに
よっても設けることができる。通常のＣＤ−Ｒとして用
いる場合には、厚さは１．２ｍｍ程度、直径８０〜１３
０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直径１５ｍｍ程度の
穴が開いている。
信号の記録や読み出しを行うために、光に対する屈折率
が１．４〜１．６程度の透明度の高い材質、具体的に
は、例えば、４００ｎｍ〜９００ｎｍの可視光に対する
光透過率の値が８５％以上であり、光学異方性の少ない
ものが好ましい。具体的には、ポリアミド系樹脂、ポリ
カーボネート系樹脂、ポリメタクリル酸メチル系樹脂塩
化ビニル系樹脂、非晶質ポリオレフィン系樹脂等のプラ
スチック、あるいはガラスのように可視光に対する光透
過率の高い材料を好適に用いることができる。これらの
中で、基板の強度、案内溝や再生専用信号などの付与の
しやすさ、経済性の点からアクリル系樹脂、ポリカーボ
ネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂の射出成型基板が
好ましく、とりわけ、ポリカーボネート系樹脂が好まし
い。これらの透明基板は板状でもフィルム上でも良い
が、通常、厚み１〜２ｍｍ程度で、同心円上あるいは螺
旋状に案内溝やピットを形成したものが用いられる。こ
れらの案内溝やピットは、透明基板の成型時に設けるこ
とが好ましいが、透明基板上に、紫外線硬化樹脂層を塗
布しスタンパーと重ね合わせて紫外線露光を行うことに
よっても設けることができる。通常のＣＤ−Ｒとして用
いる場合には、厚さは１．２ｍｍ程度、直径８０〜１３
０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直径１５ｍｍ程度の
穴が開いている。
【００１１】光吸収層の材質としては、有機色素である
フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シア
ニン系色素、ポリメチン系色素、ナフトキノン系色素、
スクアリリウム系色素、クロコニウム系色素、アズレニ
ウム系色素、トリアリールアミン色素、アントラキノン
系色素、含金属アゾ系色素、ジチオール金属錯体系色
素、インドアニリン金属錯体色素、分子間型ＣＴ色素等
が好適であり、これらの色素を単独あるいは、２種類以
上を混合して用いる。通常は、これらの色素材料に、劣
化防止剤、バインダー等を添加して用いられることは当
業者の理解するところである。有機色素を含有する光吸
収層の形成方法としては、有機色素を有機溶媒に溶解
し、透明基板上に直接あるいは他の層を介してスピンコ
ートする方法を好適に用いることができる。
フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シア
ニン系色素、ポリメチン系色素、ナフトキノン系色素、
スクアリリウム系色素、クロコニウム系色素、アズレニ
ウム系色素、トリアリールアミン色素、アントラキノン
系色素、含金属アゾ系色素、ジチオール金属錯体系色
素、インドアニリン金属錯体色素、分子間型ＣＴ色素等
が好適であり、これらの色素を単独あるいは、２種類以
上を混合して用いる。通常は、これらの色素材料に、劣
化防止剤、バインダー等を添加して用いられることは当
業者の理解するところである。有機色素を含有する光吸
収層の形成方法としては、有機色素を有機溶媒に溶解
し、透明基板上に直接あるいは他の層を介してスピンコ
ートする方法を好適に用いることができる。
【００１２】光吸収層の膜厚は、記録に用いるレーザー
光などの記録光のパワーに対する記録感度、性能係数を
考慮して、記録モード、使用する波長、反射層の光学定
数、光吸収層の材質に応じて適宜選択されることは当業
者の容易に理解するところであり、通常は、１０ｎｍ〜
５μｍである。スピンコートにおいては有機色素を有機
溶媒に溶解した液の濃度やスピンコート時の回転数等を
適宜変更することにより、また、蒸着法を用いる場合に
は蒸着時間や蒸着時のパワーを適宜変更することにより
容易に調整可能であることは、当業者の理解するところ
である。また、光吸収層は、透明基板の片面に設けても
両面に設けても良い。
光などの記録光のパワーに対する記録感度、性能係数を
考慮して、記録モード、使用する波長、反射層の光学定
数、光吸収層の材質に応じて適宜選択されることは当業
者の容易に理解するところであり、通常は、１０ｎｍ〜
５μｍである。スピンコートにおいては有機色素を有機
溶媒に溶解した液の濃度やスピンコート時の回転数等を
適宜変更することにより、また、蒸着法を用いる場合に
は蒸着時間や蒸着時のパワーを適宜変更することにより
容易に調整可能であることは、当業者の理解するところ
である。また、光吸収層は、透明基板の片面に設けても
両面に設けても良い。
【００１３】本発明においては光吸収層の上に光反射層
を形成するが、光反射層は直接、あるいは、記録特性を
向上させるなどの目的のために光干渉層を形成した後に
光反射層を形成することができる。本発明における光反
射層は、金属層および銀反射層からなる。以下、本発明
における光反射層である銀反射層および金属層について
説明する。
を形成するが、光反射層は直接、あるいは、記録特性を
向上させるなどの目的のために光干渉層を形成した後に
光反射層を形成することができる。本発明における光反
射層は、金属層および銀反射層からなる。以下、本発明
における光反射層である銀反射層および金属層について
説明する。
【００１４】本発明における銀反射層および金属層の形
成法は、湿式法および乾式法がある。湿式法とはメッキ
法の総称であり、溶液から銀または金属を析出させ膜を
形成する方法である。具体例を挙げるとすれば、銀鏡反
応等がある。一方、乾式法とは、真空成膜法の総称であ
り、具体的に例示するとすれば、抵抗加熱式真空蒸着
法、電子ビーム加熱式真空蒸着法、イオンプレーティン
グ法、イオンビームアシスト真空蒸着法、スパッタ法等
がある。
成法は、湿式法および乾式法がある。湿式法とはメッキ
法の総称であり、溶液から銀または金属を析出させ膜を
形成する方法である。具体例を挙げるとすれば、銀鏡反
応等がある。一方、乾式法とは、真空成膜法の総称であ
り、具体的に例示するとすれば、抵抗加熱式真空蒸着
法、電子ビーム加熱式真空蒸着法、イオンプレーティン
グ法、イオンビームアシスト真空蒸着法、スパッタ法等
がある。
【００１５】本発明においては製造時におけるめっき液
の洗浄などをの工業的プロセスを考慮した場合、真空成
膜法が銀反射層および金属層の形成に用いるに好ましい
手法であり、金属の密着性に優れるスパッタ法がもっと
も好ましい手法である。
の洗浄などをの工業的プロセスを考慮した場合、真空成
膜法が銀反射層および金属層の形成に用いるに好ましい
手法であり、金属の密着性に優れるスパッタ法がもっと
も好ましい手法である。
【００１６】真空蒸着法では銀または金属の原材料を電
子ビーム、抵抗加熱、誘導加熱等で溶融させ、蒸気圧を
上昇させ、好ましくは０．１ｍＴｏｒｒ（約０．０１Ｐ
ａ）以下で基材表面に蒸着させる。この際に、アルゴン
等のガスを０．１ｍＴｏｒｒ（約０．０１Ｐａ）以上導
入させ、高周波もしくは直流のグロー放電を起こしても
よい。
子ビーム、抵抗加熱、誘導加熱等で溶融させ、蒸気圧を
上昇させ、好ましくは０．１ｍＴｏｒｒ（約０．０１Ｐ
ａ）以下で基材表面に蒸着させる。この際に、アルゴン
等のガスを０．１ｍＴｏｒｒ（約０．０１Ｐａ）以上導
入させ、高周波もしくは直流のグロー放電を起こしても
よい。
【００１７】スパッタ法では、ＤＣマグネトロンスパッ
タ法、ｒｆマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパ
ッタ法、ＥＣＲスパッタ法、コンベンショナルｒｆスパ
ッタ法、コンベンショナルＤＣスパッタ法等を使用し得
る。スパッタ法においては、原材料は銀または金属の板
状のターゲットを用いればよく、スパッタガスには、ヘ
リウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン等を
使用し得るが、好ましくはアルゴンが用いられる。ガス
の純度は、９９％以上が好ましいが、より好ましくは９
９．５％以上である。
タ法、ｒｆマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパ
ッタ法、ＥＣＲスパッタ法、コンベンショナルｒｆスパ
ッタ法、コンベンショナルＤＣスパッタ法等を使用し得
る。スパッタ法においては、原材料は銀または金属の板
状のターゲットを用いればよく、スパッタガスには、ヘ
リウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン等を
使用し得るが、好ましくはアルゴンが用いられる。ガス
の純度は、９９％以上が好ましいが、より好ましくは９
９．５％以上である。
【００１８】銀反射層の厚さは、７０ｎｍ〜３００ｎｍ
が好ましく、より好ましくは１００ｎｍ〜２００ｎｍで
ある。７０ｎｍよりあまり薄いと、銀の膜厚が十分でな
いために、透過する光が存在し、反射率が低下する。一
方、膜厚を３００ｎｍを越えてあまり厚くしても反射率
は上昇せず、飽和傾向を示す上に、資源の有効利用なら
びに製造コスト上好ましくない。
が好ましく、より好ましくは１００ｎｍ〜２００ｎｍで
ある。７０ｎｍよりあまり薄いと、銀の膜厚が十分でな
いために、透過する光が存在し、反射率が低下する。一
方、膜厚を３００ｎｍを越えてあまり厚くしても反射率
は上昇せず、飽和傾向を示す上に、資源の有効利用なら
びに製造コスト上好ましくない。
【００１９】銀反射層には、性能に害を及ぼさない程度
の、金、銅、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、
モリブデン、タンタル、クロム、インジュウム、マンガ
ン、チタン、アルミ等の金属不純物が含まれてもよい。
の、金、銅、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、
モリブデン、タンタル、クロム、インジュウム、マンガ
ン、チタン、アルミ等の金属不純物が含まれてもよい。
【００２０】本発明において膜厚の測定は、触針粗さ
計、繰り返し反射干渉計、マイクロバランス、水晶振動
子法等があるが、水晶振動子法では成膜中に膜厚が測定
可能なので所望の膜厚を得るのに適している。また、前
もって成膜の条件を定めておき、試料基材上に成膜を行
い、成膜時間と膜厚の関係を調べた上で、成膜時間によ
り膜を制御する方法もある。
計、繰り返し反射干渉計、マイクロバランス、水晶振動
子法等があるが、水晶振動子法では成膜中に膜厚が測定
可能なので所望の膜厚を得るのに適している。また、前
もって成膜の条件を定めておき、試料基材上に成膜を行
い、成膜時間と膜厚の関係を調べた上で、成膜時間によ
り膜を制御する方法もある。
【００２１】本発明においては、有機色素と銀反射層の
間に銀のマイグレーションや化学反応による光反射率の
低下を防止するのに有効な量の金属層を存在せしめるこ
とを特徴とする。本発明における金属層とは、非常に薄
くかつ光反射率の低下防止するのに有効な量を有する金
属層のことである。
間に銀のマイグレーションや化学反応による光反射率の
低下を防止するのに有効な量の金属層を存在せしめるこ
とを特徴とする。本発明における金属層とは、非常に薄
くかつ光反射率の低下防止するのに有効な量を有する金
属層のことである。
【００２２】金属層に用いられる金属としては、Ｍｇ，
Ａｌ，Ｓｉ、Ｂｅ，Ｃａ，Ｓｃ、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａ
ｓ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，
Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｐｏ，Ｕ等があ
げられる。なかでもＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｗが
好ましい。なお、これらは単独でまたは複数の金属を組
み合わせて混合金属層として使用してもよい。
Ａｌ，Ｓｉ、Ｂｅ，Ｃａ，Ｓｃ、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａ
ｓ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，
Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｐｏ，Ｕ等があ
げられる。なかでもＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｗが
好ましい。なお、これらは単独でまたは複数の金属を組
み合わせて混合金属層として使用してもよい。
【００２３】金属層の膜厚は、０．１ｎｍ以上５ｎｍ以
下が好ましく、より好ましくは０．１ｎｍ以上２ｎｍ以
下である。金属層があまり薄く０．１ｎｍ未満では耐久
試験後に充分な光反射率を得ることができない。また金
属層が５ｎｍよりあまり厚い場合には初期反射率（製作
時の反射率）が低下し、本発明の光記録媒体としての機
能の発揮が困難である。なお、ここで言う充分な光反射
率とは、金属層を用いず銀反射層のみを反射層に用いた
場合の耐久試験前の反射率の９０％以上の反射率を有す
ることを言う。
下が好ましく、より好ましくは０．１ｎｍ以上２ｎｍ以
下である。金属層があまり薄く０．１ｎｍ未満では耐久
試験後に充分な光反射率を得ることができない。また金
属層が５ｎｍよりあまり厚い場合には初期反射率（製作
時の反射率）が低下し、本発明の光記録媒体としての機
能の発揮が困難である。なお、ここで言う充分な光反射
率とは、金属層を用いず銀反射層のみを反射層に用いた
場合の耐久試験前の反射率の９０％以上の反射率を有す
ることを言う。
【００２４】ここで金属層の膜厚は非常に薄いために、
成膜後のサンプルから直接実際の膜厚（実膜厚）を求め
ることは困難である。そこで前もって成膜の条件を定め
ておき、試料基材上に直接膜厚が測定できる程度の厚み
まで成膜を行い、成膜時間と膜厚の関係を調べた上で、
より短時間の成膜時間における膜厚を推定した。また、
水晶振動子法によって得られる膜厚をそのまま用いた。
これらは実膜厚とは異なりうることから推定膜厚と言え
る。
成膜後のサンプルから直接実際の膜厚（実膜厚）を求め
ることは困難である。そこで前もって成膜の条件を定め
ておき、試料基材上に直接膜厚が測定できる程度の厚み
まで成膜を行い、成膜時間と膜厚の関係を調べた上で、
より短時間の成膜時間における膜厚を推定した。また、
水晶振動子法によって得られる膜厚をそのまま用いた。
これらは実膜厚とは異なりうることから推定膜厚と言え
る。
【００２５】ここで重要であるのは、以下の２点であ
る。１つには、充分な光反射が得られなくなるほど金属
層を厚く成膜してはならないこと。２つには、耐湿熱試
験や光照射試験等の耐久試験に対して有効な金属を有機
色素を含有する光記録層と銀反射層の間に存在せしめる
ことである。
る。１つには、充分な光反射が得られなくなるほど金属
層を厚く成膜してはならないこと。２つには、耐湿熱試
験や光照射試験等の耐久試験に対して有効な金属を有機
色素を含有する光記録層と銀反射層の間に存在せしめる
ことである。
【００２６】現実には金属層は非常に薄いことから十分
な連続膜（連続層）として存在せず、むしろ島状構造の
ような不連続であるとも考えられるが、これでも充分効
果を奏する。ここではこのようなものも膜（層）として
表現した。
な連続膜（連続層）として存在せず、むしろ島状構造の
ような不連続であるとも考えられるが、これでも充分効
果を奏する。ここではこのようなものも膜（層）として
表現した。
【００２７】金属層は非常に薄いことから、非常に不安
定である。そのために、真空中で連続製造を行った際に
も、一部もしくはそのほとんどが酸化等を起こすことは
容易に推測され、また、金属層は銀反射層と比較して非
常に薄いことから、明確な層構造は取らず、銀の表面の
一部との混合層として存在していてもよい。これらの金
属層および銀反射層は、光吸収層上に直接または他の層
を介して形成される。
定である。そのために、真空中で連続製造を行った際に
も、一部もしくはそのほとんどが酸化等を起こすことは
容易に推測され、また、金属層は銀反射層と比較して非
常に薄いことから、明確な層構造は取らず、銀の表面の
一部との混合層として存在していてもよい。これらの金
属層および銀反射層は、光吸収層上に直接または他の層
を介して形成される。
【００２８】また、光反射層と保護層の間にもさらに金
属層を存在せしめてもよい。この金属層は基本的に上に
述べた金属層に準じて薄く形成すればよい。なお、この
金属層は上記より厚く形成してもよい。
属層を存在せしめてもよい。この金属層は基本的に上に
述べた金属層に準じて薄く形成すればよい。なお、この
金属層は上記より厚く形成してもよい。
【００２９】銀反射層あるいは金属層上に形成する保護
層としては、アクリル系の紫外線硬化樹脂等の硬質性の
材料が用いるに好適な材料であり、通常、光反射層上に
直接あるいは他の層を介してスピンコート法により２〜
２０μｍの厚さに塗布した後に、紫外線照射により硬化
させて形成される。
層としては、アクリル系の紫外線硬化樹脂等の硬質性の
材料が用いるに好適な材料であり、通常、光反射層上に
直接あるいは他の層を介してスピンコート法により２〜
２０μｍの厚さに塗布した後に、紫外線照射により硬化
させて形成される。
【００３０】さらに必要に応じて、有機色素と金属層の
界面、保護層と銀反射層の界面、保護層と金属層の界面
に、既存の銀の反応防止あるいは銀のマイグレーション
防止により銀の反射率の低下防止を目的とする表面処理
剤を塗布することは本発明の実施を何等妨げるものでは
ない。
界面、保護層と銀反射層の界面、保護層と金属層の界面
に、既存の銀の反応防止あるいは銀のマイグレーション
防止により銀の反射率の低下防止を目的とする表面処理
剤を塗布することは本発明の実施を何等妨げるものでは
ない。
【００３１】以上のようにして作製された光記録媒体に
ついては７７０〜８３０ｎｍにおける光の反射率が、耐
久試験前後において６５％以上であることが好ましい。
耐久試験前後における現行のＣＤ−Ｒについては７８０
ｎｍの反射率が６５％以上が好ましい。更に、現行ＣＤ
−Ｒに用いられる７８０ｎｍのレーザー光より短波長の
レーザー光を用いて高密度化を目指した光記録媒体にお
いては、耐久試験後に反射率が１０％以上、好ましくは
５％以上変化しないことが好ましい。
ついては７７０〜８３０ｎｍにおける光の反射率が、耐
久試験前後において６５％以上であることが好ましい。
耐久試験前後における現行のＣＤ−Ｒについては７８０
ｎｍの反射率が６５％以上が好ましい。更に、現行ＣＤ
−Ｒに用いられる７８０ｎｍのレーザー光より短波長の
レーザー光を用いて高密度化を目指した光記録媒体にお
いては、耐久試験後に反射率が１０％以上、好ましくは
５％以上変化しないことが好ましい。
【００３２】本発明における耐久試験とは、例えば、湿
度８５％、温度８５℃における５００時間の耐湿熱試
験、および、疑似太陽光の５倍のエネルギー量の光（５
ｓｕｎ）照射下１００時間の耐光試験である。
度８５％、温度８５℃における５００時間の耐湿熱試
験、および、疑似太陽光の５倍のエネルギー量の光（５
ｓｕｎ）照射下１００時間の耐光試験である。
【００３３】
〔実施例１〕透明基板として記録可能コンパクトディス
ク用に周期的に蛇行したトラッキング溝を設けた直径１
２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板を用
いた。光吸収層には、フタロシアニン系色素、すなわ
ち、フタロシアニンを構成する４つのベンゼン環のそれ
ぞれのα位に１つの１−イソプロピル−イソアミルオキ
シ基を有するＰｄ・フタロシアニンの３．５重量％ジメ
チルシクロヘキサン溶液を、案内溝をもつポリカーボネ
ート樹脂基板（直径１２０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍの円
盤）に２０００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で２時
間乾燥して１００ｎｍの膜厚の光吸収層を形成した。
ク用に周期的に蛇行したトラッキング溝を設けた直径１
２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板を用
いた。光吸収層には、フタロシアニン系色素、すなわ
ち、フタロシアニンを構成する４つのベンゼン環のそれ
ぞれのα位に１つの１−イソプロピル−イソアミルオキ
シ基を有するＰｄ・フタロシアニンの３．５重量％ジメ
チルシクロヘキサン溶液を、案内溝をもつポリカーボネ
ート樹脂基板（直径１２０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍの円
盤）に２０００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で２時
間乾燥して１００ｎｍの膜厚の光吸収層を形成した。
【００３４】この記録層上にバルザース社製スパッタリ
ング装置（ＣＤＩ−９００）に、チタンターゲットを取
り付け、チタン金属層を３ｎｍ形成した。次いで、チタ
ン金属層上にバルザース社製スパッタリング装置（ＣＤ
Ｉ−９００）に、銀ターゲットを取り付け、銀反射層を
１００ｎｍ形成した。以上のごとくして、チタン金属層
および銀反射層からなる光反射層を形成した。この光反
射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化
学工業製）をスピンコートした後、紫外線を照射して厚
さ６μｍの保護層を形成し、光記録媒体を作製した。
ング装置（ＣＤＩ−９００）に、チタンターゲットを取
り付け、チタン金属層を３ｎｍ形成した。次いで、チタ
ン金属層上にバルザース社製スパッタリング装置（ＣＤ
Ｉ−９００）に、銀ターゲットを取り付け、銀反射層を
１００ｎｍ形成した。以上のごとくして、チタン金属層
および銀反射層からなる光反射層を形成した。この光反
射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化
学工業製）をスピンコートした後、紫外線を照射して厚
さ６μｍの保護層を形成し、光記録媒体を作製した。
【００３５】この光記録媒体を７８０ｎｍ半導体レーザ
ーヘッドを搭載したフィリップス社製ライター（ＣＤＤ
−５２１）を用いて、線速度２．８ｍ／ｓ、レーザーパ
ワー９．５ｍＷでＥＦＭ信号を記録した。得られた光記
録媒体について、温度８５℃、湿度８５％の条件で５０
０時間の高温高湿試験を行い、また、５ｓｕｎ（５００
ｍＷ／ｃｍ２）の光照射試験を６０℃で１００時間行
い、試験前後での反射率およびＣ１エラーの変化を測定
した。その結果、高温高湿試験後においても、光照射試
験後においても、わずかな反射率の低下とＣ１エラーの
増加が見られただけであった。その結果を表１に示す。
ーヘッドを搭載したフィリップス社製ライター（ＣＤＤ
−５２１）を用いて、線速度２．８ｍ／ｓ、レーザーパ
ワー９．５ｍＷでＥＦＭ信号を記録した。得られた光記
録媒体について、温度８５℃、湿度８５％の条件で５０
０時間の高温高湿試験を行い、また、５ｓｕｎ（５００
ｍＷ／ｃｍ２）の光照射試験を６０℃で１００時間行
い、試験前後での反射率およびＣ１エラーの変化を測定
した。その結果、高温高湿試験後においても、光照射試
験後においても、わずかな反射率の低下とＣ１エラーの
増加が見られただけであった。その結果を表１に示す。
【００３６】〔実施例２〕金属層にタングステン３ｎｍ
を使用した以外は実施例１と同様の手順で光記録媒体を
作製した。さらに、この光記録媒体を実施例１と同様に
評価したところ、わずかな反射率の低下とＣ１エラーの
増加が見られただけであった。その結果を表１に示す。
を使用した以外は実施例１と同様の手順で光記録媒体を
作製した。さらに、この光記録媒体を実施例１と同様に
評価したところ、わずかな反射率の低下とＣ１エラーの
増加が見られただけであった。その結果を表１に示す。
【００３７】〔実施例３〕金属層に銅３ｎｍを使用した
以外は実施例１と同様の手順で光記録媒体を作製した。
さらに、この光記録媒体を実施例１と同様に評価したと
ころ、わずかな反射率の低下とＣ１エラーの増加が見ら
れただけであった。その結果を表１に示す。
以外は実施例１と同様の手順で光記録媒体を作製した。
さらに、この光記録媒体を実施例１と同様に評価したと
ころ、わずかな反射率の低下とＣ１エラーの増加が見ら
れただけであった。その結果を表１に示す。
【００３８】〔比較例１〕金属層の成膜を行わず光反射
層を銀反射層のみとしたこと以外は、実施例１と同様に
して光記録媒体を作製した。さらに、この光記録媒体を
実施例１と同様に評価したところ、反射率の著しい低下
とＣ１エラーの大幅な増加が見られた。その結果を表１
に示す。
層を銀反射層のみとしたこと以外は、実施例１と同様に
して光記録媒体を作製した。さらに、この光記録媒体を
実施例１と同様に評価したところ、反射率の著しい低下
とＣ１エラーの大幅な増加が見られた。その結果を表１
に示す。
【００３９】〔比較例２〕金属層にチタンを２０ｎｍと
厚いものを使用した以外は実施例１と同様の手順で光記
録媒体を作製した。さらに、この光記録媒体を実施例１
と同様に評価したところ、反射率は６５％に満たず現行
ＣＤ−Ｒの規格を満たさなかった。
厚いものを使用した以外は実施例１と同様の手順で光記
録媒体を作製した。さらに、この光記録媒体を実施例１
と同様に評価したところ、反射率は６５％に満たず現行
ＣＤ−Ｒの規格を満たさなかった。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【発明の効果】実施例および比較例より明らかなよう
に、本発明により従来光反射層に用いてきた金を用いる
ことなく、耐久性に優れる高信頼性光記録媒体が低コス
トで製造可能となり、工業上非常に有用な発明である。
に、本発明により従来光反射層に用いてきた金を用いる
ことなく、耐久性に優れる高信頼性光記録媒体が低コス
トで製造可能となり、工業上非常に有用な発明である。
フロントページの続き (72)発明者 福田 信弘 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板上に有機色素を含有する光吸収
層、薄い金属層、銀反射層および保護層を順次積層して
なる光記録媒体。 - 【請求項２】 透明基板上に有機色素を含有する光吸収
層、薄い金属層、銀反射層、金属層および保護層を順次
積層してなる光記録媒体。 - 【請求項３】 薄い金属層が膜厚０．１ｎｍ〜５ｎｍの
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、またはＷからなる金属層
である請求項１または２記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01964896A JP3688044B2 (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01964896A JP3688044B2 (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09212915A true JPH09212915A (ja) | 1997-08-15 |
| JP3688044B2 JP3688044B2 (ja) | 2005-08-24 |
Family
ID=12005069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01964896A Expired - Fee Related JP3688044B2 (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3688044B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034362A1 (en) * | 1997-12-24 | 1999-07-08 | Tdk Corporation | Optical recording medium and process for producing the same |
| WO1999034361A1 (en) * | 1997-12-24 | 1999-07-08 | Tdk Corporation | Optical recording medium and process for producing the same |
| US6896947B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-05-24 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6905750B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-06-14 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7033730B2 (en) | 2002-06-28 | 2006-04-25 | Williams Advanced Materials, Inc. | Silver-reactive metal alloys for optical data storage and recordable storage media containing same |
| US7045187B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7572517B2 (en) | 2002-07-08 | 2009-08-11 | Target Technology Company, Llc | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
| US7910192B2 (en) | 2006-01-18 | 2011-03-22 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording medium |
-
1996
- 1996-02-06 JP JP01964896A patent/JP3688044B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1999034362A1 (en) * | 1997-12-24 | 1999-07-08 | Tdk Corporation | Optical recording medium and process for producing the same |
| WO1999034361A1 (en) * | 1997-12-24 | 1999-07-08 | Tdk Corporation | Optical recording medium and process for producing the same |
| US6383596B1 (en) | 1997-12-24 | 2002-05-07 | Tdk Corporation | Optical recording medium and process for producing the same |
| US7045187B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7291374B2 (en) | 1998-06-22 | 2007-11-06 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7384677B2 (en) | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6905750B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-06-14 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6896947B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-05-24 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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| US7033730B2 (en) | 2002-06-28 | 2006-04-25 | Williams Advanced Materials, Inc. | Silver-reactive metal alloys for optical data storage and recordable storage media containing same |
| US7572517B2 (en) | 2002-07-08 | 2009-08-11 | Target Technology Company, Llc | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7910192B2 (en) | 2006-01-18 | 2011-03-22 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US8158234B2 (en) | 2006-01-18 | 2012-04-17 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording medium |
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| JP3688044B2 (ja) | 2005-08-24 |
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