JPH1125515A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

Info

Publication number
JPH1125515A
JPH1125515A JP9178271A JP17827197A JPH1125515A JP H1125515 A JPH1125515 A JP H1125515A JP 9178271 A JP9178271 A JP 9178271A JP 17827197 A JP17827197 A JP 17827197A JP H1125515 A JPH1125515 A JP H1125515A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silver
ruthenium
layer
atomic
recording medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9178271A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Kobayashi
功 小林
Tomohiko Onda
智彦 恩田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kao Corp filed Critical Kao Corp
Priority to JP9178271A priority Critical patent/JPH1125515A/ja
Publication of JPH1125515A publication Critical patent/JPH1125515A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】銀光反射層に比べて化学的安定性を改善し、光
反射層の信頼性及び耐久性を向上する。 【解決手段】基板1上に、有機色素記録層2、光反射層
3、及び保護層4を順次積層して構成した光記録媒体の
光反射層3を、銀にルテニウムを0.5〜20原子%含
有した銀−ルテニウム合金、又は、銀にルテニウムを
0.5〜10原子%含有し、且つ、ロジウム、パラジウ
ム、イリジウム、白金、金のうち少なくとも1種以上の
元素を0.1〜10原子%含有する銀−ルテニウム基合
金で形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関
し、特に、銀を主成分とする銀−ルテニウム合金、或い
は、銀−ルテニウム基合金の光反射層を有する光記録媒
体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光記録媒体である光ディスクの光
反射層には、金或いはアルミニウム合金が広く用いられ
ている。金は反射率が高く、しかも化学的に安定である
ため、主に有機色素を記録層に有する追記型光ディスク
(CD−R等)に利用されている。ただし、金は高価で
あり、製造コストを削減するためにはより安価な材料が
望まれる。
【0003】一方、アルミニウム合金は、安価で、比較
的高い反射率を有し、化学的にも比較的安定なため、再
生専用の光ディスク(CD−ROM、DVD−ROM
等)や、書換え型光ディスク(CD−RW、DVD−R
AM、MO等)に用いられている。しかし、追記型光デ
ィスクであるCD−Rの光反射層では、有機色素記録層
における光ビームの減衰を補えるに十分な高い反射率が
要求されるため、反射率が金ほど高くはないアルミニウ
ム合金を用いるまでには至っていない。
【0004】金やアルミニウム合金以外の光反射層材料
としては、金と同程度或いはそれ以上の反射率を有する
銀が考えられる(特開昭57−212638号公報等参
照)。しかも、銀は金よりもはるかに安価であるため、
高い反射率と経済性との両面を満足し、追記型光ディス
クであるCD−Rの光反射層にも適用し得るものであ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、銀は化
学的にはそれほど安定ではなく、これを光記録媒体の光
反射層として利用した場合、光記録媒体の信頼性に問題
が生じるおそれがある。特に、その光記録媒体を長期間
保存した際にエラー発生率が増加するといった問題が生
じ易い。
【0006】銀の化学的安定性を向上させる方法として
は、銀に他の金属元素を添加し、銀合金を形成する方法
が提案されている(例えば、特開昭61−134945
号公報、特開平3−122845号公報等参照)。本発
明者も、それらの合金を用いて光ディスクを作製し、そ
の耐環境試験を行なったが、十分な性能は得られなかっ
た。
【0007】本発明はこのような従来の問題点に鑑み、
アルミニウム合金よりも反射率が高く、且つ、金より安
価な銀−ルテニウム合金、或いは、銀−ルテニウム基合
金の光反射層を用いることにより、銀を用いた光反射層
に比べ化学的安定性を向上させ、信頼性及び耐久性の優
れた光記録媒体を提供することを目的とする。尚、特開
平5−21704号公報には、光反射層の多数の候補材
料のうちの1つとして銀が例示されており、これら候補
材料を用いた光反射層の化学的安定性を高めるための1
0種以上の添加元素の1つとしてルテニウムが例示され
ている。しかしながら、銀とルテニウム合金についての
記載はなく、組成比率等の詳細な記載も全くなく、実施
例にも記載されていない。即ち、特定の組成比率の銀−
ルテニウム合金反射膜が記載或いは示唆されているとは
言えない。
【0008】
【課題を解決するための手段】このため、請求項1に係
る発明では、基板と、該基板上に積層される光反射層と
を有する光記録媒体において、光反射層を、銀にルテニ
ウムを0.5〜20原子%含有した銀−ルテニウム合金
で構成する。同様に、請求項2に係る発明では、基板
と、基板上に積層される光反射層とを有する光記録媒体
において、前記光反射層を、銀にルテニウムを0.5〜
10原子%含有し、且つ、ロジウム、パラジウム、イリ
ジウム、白金、金のうちから選択した少なくとも1種以
上の元素を0.1〜10原子%含有する銀−ルテニウム
基合金で構成する。
【0009】このような構成とすることにより、光反射
層の化学的安定性を向上させることができる。銀−ルテ
ニウム合金或いは銀−ルテニウム基合金において、ルテ
ニウム含有率が0.5原子%よりも少ない場合には、銀
に顕著な化学的安定性を付加することができない。逆
に、銀以外の原子が20原子%よりも多いと化学的安定
性は増加するが、銀合金の反射率が低下すると共に、高
価なルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウム、
白金、金等の含有率が増えるため経済的にも好ましくな
い。
【0010】本発明の光記録媒体は、再生専用型、書換
え型、追記型のいずれのタイプの光記録媒体にも適用で
きるが、請求項3に係る発明のように、前記基板と光反
射層との間に、有機色素記録層を設け、高反射率と経済
性とを強く要求される追記型の光記録媒体として用いた
場合に最も効果的である。この場合、光反射層の上に、
保護層、接着層、第2基板などの層を順次積層した構成
としてもよい。
【0011】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1は、本発明の光記録媒体の一
実施形態である追記型光ディスクの構造を示す断面図で
ある。基板1の上に、有機色素記録層2、光反射層3、
及び保護層4が順次積層してある。
【0012】基板1は、記録用光ビーム及び再生用光ビ
ームに対して透明な材質、例えば樹脂やガラス等から構
成するのが好ましく、特に、取り扱いが容易で安価であ
ることから、樹脂が好ましい。樹脂としては具体的には
例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキ
シ樹脂、ABS樹脂等を用いることができる。基板の形
状及び寸法は特に限定されないが、通常、ディスク状で
あり、その厚さは、通常0.5〜3mm程度、直径は4
0〜360mm程度である。基板の表面には、情報を記
録したプリピット或いはトラッキング用やアドレス用の
ためにグルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設け
られる。
【0013】有機色素記録層2を形成する色素薄膜の色
素としては、光、例えばレーザのエネルギを吸収して光
学的性質が変化するものであれば、特に制限されない。
具体的には、有機色素であるシアニン系色素、スクアリ
リウム系色素、クロコニウム系色素、アズレニウム系色
素、トリアリールアミン系色素、アントラキノン系色
素、含金属アゾ系色素、ジチオール金属錯塩系色素、イ
ンドアニリン金属錯体系色素、フタロシアニン系色素、
ナフタロシアニン系色素、分子間CTコンプレックス系
色素等が好ましく用いられる。また、これらの色素は単
独で或いは併用して用いることができる。また、色素薄
膜には、酸化防止剤、バインダー等を添加することがで
きる。
【0014】有機色素記録層2の形成方法としては、有
機色素を有機溶媒に溶解して、透明な基板1上にスピン
コートする方法が好ましく用いられるが、フタロシアニ
ン系色素のように昇華性を有する色素については蒸着法
を用いることもできる。有機色素記録層2の色素薄膜の
膜厚は、レーザ等の記録するために用いられる光のエネ
ルギに対する記録感度、性能係数等を考慮して、使用す
る波長、光反射層3の光学物性及び色素薄膜の材質等に
応じて適宜選択され、通常、120〜150nmの範囲
である。
【0015】光反射層3は、銀にルテニウムを0.5〜
20原子%含有した銀−ルテニウム合金、又は、銀にル
テニウムを0.5〜10原子%含有し、更に、ロジウ
ム、パラジウム、イリジウム、白金、金のうちから選択
した少なくとも1種以上の元素を0.1〜10原子%含
有する銀−ルテニウム基合金が用いられる。銀−ルテニ
ウム合金におけるルテニウムの組成比率は、高い反射率
を得るためには10原子%以下が好ましく、特に、5原
子%以下が更に好ましい。同様に、銀−ルテニウム基合
金における銀以外の元素を併せた組成比率についても、
10原子%以下が好ましく、特に、5原子%以下が更に
好ましい。光反射層3の厚さは、通常10〜200nm
に設定される。これより薄いと高い反射率は得られず、
また、これより厚くても顕著な効果が現れない。
【0016】光反射層3の形成方法は特に限定されない
が、均質な膜を容易に形成でき、大量生産も容易であ
る、スパッタリング法や真空蒸着法等の気相成長法を用
いるのが好ましい。保護層4は、光反射層3を形成した
後、耐摩擦性や耐食性を向上させるために、単層または
複数層設けられる。
【0017】この保護層4は、種々の有機系或いは無機
フィラーを混合した有機系物質から構成されることが好
ましく、特に、放射線硬化型化合物やその組成物を、電
子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質から構成
されることが好ましい。保護層の厚さは、通常、合計で
0.1〜100μm程度であり、スピンコート、グラビ
ア塗布、スプレーコート、ロールコート等、通常の方法
により形成することができる。
【0018】上述した構成の追記型光ディスクでは、基
板1側から記録用光ビームを照射することにより、有機
色素記録層2の光学的性質を変化させて情報信号を記録
する。一方、再生時には、記録用光ビームよりも弱く、
有機色素記録層2の光学的性質が変化しない程度の再生
用光ビームを基板1側から照射し、その反射光に基づい
て、記録された情報信号を読み出す。この反射光は、有
機色素記録層2で減衰するが、銀−ルテニウム合金、又
は、銀−ルテニウム基合金を用いた光反射層3は、アル
ミニウム合金以上の反射率を有し、実用上問題のない強
度の反射光を得ることができる。
【0019】更に、銀−ルテニウム合金、又は、銀−ル
テニウム基合金を用いた光反射層3は、従来、銀反射層
の欠点とされていた信頼性、耐久性が改善され、金反射
膜を用いた光ディスクと同等の信頼性、耐久性を示す。
これにより、例えば、光ディスクを高温高湿度下で長期
間保存した場合でも、エラー発生率が著しく大きくなる
ようなことはない。
【0020】尚、本発明は上述した追記型光記録媒体の
他、再生専用型、書換え型等の各種光記録媒体に適用可
能である。再生専用型の光記録媒体の場合には、上述し
た基板と光反射層との他に、保護層、接着層、第2基板
等を有するものが考えられ、書換え型の光記録媒体の場
合には、上述した基板と光反射層との他に誘電体層、相
変化型記録層、保護層、接着層、第2基板等の層を有す
るものが考えられる。また、磁気を利用した書換え型光
記録媒体(光磁気ディスク等)の場合には、上述した基
板と光反射層との他に、干渉層、再生層、非磁性中間
層、磁性記録層、磁性書込み層、保護層等の層を有する
ものが考えられる。
【0021】[実施例]以下に本発明の効果を具体的に
示すために、実施例をあげて説明する。 (実施例1)直径120mm、板厚1.2mmの螺旋状
の案内溝を有するポリカーボネート基板を用い、シアニ
ン系有機色素を有機色素記録層に、銀−ルテニウム合金
(ルテニウム3原子%)を光反射層に用いた追記型光デ
ィスク(CD−R)を作製した。
【0022】まず、シアニン色素を有機溶媒に溶解し、
フィルターで濾過して不純物を取り除いた後、スピンコ
ーター(エイブル社製)により基板上に塗布した。続い
て、オーブンで加熱処理を行い、溶媒を完全に除去し、
有機色素記録層を得た。次に、DCマグネトロンスパッ
タ装置により、膜厚100nmの銀−ルテニウム合金
(ルテニウム3原子%)光反射層を成膜した。ターゲッ
トには、純銀を用い、ターゲット上にルテニウムのチッ
プを配置することにより、銀−ルテニウム合金膜を得
た。組成比率は、ガラス基板上に直接銀−ルテニウム合
金の単層膜を形成し、誘導結合プラズマ発光分光分析装
置(ICP)にて、組成分析を行った。
【0023】光反射膜を形成した後、紫外線硬化型樹脂
をスピンコート法で塗布し、紫外線照射によって硬化さ
せ保護層を形成した。保護層の硬化後の膜厚は5μmで
あった。 (実施例2)光反射層を、銀−ルテニウム合金(ルテニ
ウム10原子%)で形成した以外は、実施例1と同様に
して追記型光ディスクを作製した。
【0024】(実施例3)光反射層を、銀−ルテニウム
−ロジウム合金(ルテニウム2原子%、ロジウム1原子
%)で形成した以外は、実施例1と同様にして追記型光
ディスクを作製した。 (実施例4)光反射層を、銀−ルテニウム−パラジウム
合金(ルテニウム4原子%、パラジウム2原子%)で形
成した以外は、実施例1と同様にして追記型光ディスク
を作製した。
【0025】(実施例5)光反射層を、銀−ルテニウム
−イリジウム合金(ルテニウム3原子%、イリジウム1
原子%)で形成した以外は、実施例1と同様にして追記
型光ディスクを作製した。 (実施例6)光反射層を、銀−ルテニウム−白金合金
(ルテニウム5原子%、白金3原子%)で形成した以外
は、実施例1と同様にして追記型光ディスクを作製し
た。
【0026】(実施例7)光反射層を、銀−ルテニウム
−金合金(ルテニウム7原子%、金1原子%)で形成し
た以外は、実施例1と同様にして追記型光ディスクを作
製した。 (実施例8)基板として、予め74分間分のデータに対
応するピット(凹凸)が形成されているポリカーボネー
ト基板を用い、有機色素記録層を設けず、光反射層を、
銀−ルテニウム合金(ルテニウム20原子%)で形成し
た以外は、実施例1と同様にして再生専用光ディスク
(CD−ROM)を作製した。
【0027】(実施例9)光反射層を、銀−ルテニウム
−パラジウム合金(ルテニウム10原子%、パラジウム
5原子%)で形成した以外は、実施例8と同様にして再
生専用光ディスクを作製した。 (比較例1)光反射層を、銀で形成した以外は、実施例
1と同様にして追記型光ディスクを作製した。
【0028】(比較例2)光反射層を、銀で形成した以
外は、実施例8と同様にして再生専用光ディスクを作製
した。 (比較例3)光反射層を、銀−ルテニウム合金(ルテニ
ウム30原子%)で形成した以外は、実施例1と同様に
して追加型光ディスクを作製した。
【0029】(比較例4)光反射層を、銀−ルテニウム
−パラジウム合金(ルテニウム20原子%、パラジウム
15原子%)で形成した以外は、実施例1と同様にして
追記型光ディスクを作製した。 (比較例5)光反射層を、銀−ルテニウム合金(ルテニ
ウム0.3原子%)で形成した以外は、実施例1と同様
にして追加型光ディスクを作製した。
【0030】(参考例1)光反射層を、金で形成した以
外は、実施例1と同様にして追記型光ディスクを作製し
た。以上のようにして得られた光ディスクの中で、追記
型光ディスクに対して、以下のようにしてデータの記録
を行なった。CDライティングソフトウェアにより、ホ
ストコンピュータからデータを送信・変換し、CDレコ
ーダー(SONY製CDW−900E)により74分間
のEFM信号の記録を行なった。尚、CDレコーダーの
記録用ピックアップに用いられている半導体レーザの波
長は780nm、光学レンズの開口度NAは0.50で
ある。
【0031】次に、全ての光ディスクについて未記録部
の反射率及びブロックエラーレートの最大値をCD用信
号評価機にて測定した。CD用信号評価機の読取り用ピ
ックアップに用いられている半導体レーザの波長は78
0nm、光学レンズの開口度NAは0.45である。ま
ず、初期の反射率及びブロックエラーレートの最大値を
測定し、その後、各光ディスクを高温高湿度(80℃、
85%RH)の条件下に1000時間放置し、更に、通
常環境下に一昼夜放置した後、再度、未記録部の反射率
及びブロックエラーレートの最大値の測定を行なった。
結果を表1に示す。
【0032】
【表1】
【0033】実施例1〜実施例9の本発明の光ディスク
では、高温高湿試験の前後において、ブロックエラーレ
ートの最大値はほとんど変化していない。これは、参考
例1の、金で形成された光反射層を有する光ディスクと
同等の結果である。これに対し、銀の光反射層を有する
比較例1及び比較例2では、高温高湿試験後のブロック
エラーレートの最大値は、試験前の10倍程度になって
いる。
【0034】また、比較例3と比較例4では、反射率が
小さく、追記型光ディスク(CD−R)の反射率の規格
値(65%)以下となってしまっている。比較例5では
ルテニウムの含有率が低く、銀合金の化学的安定性が十
分ではないため、ブロックエラーレートの増加が抑えら
れていない。以上の結果より、本発明の光記録媒体は、
高い反射率と耐久性とを兼ね備えたものであることが明
らかになった。
【0035】
【発明の効果】上述した請求項1及び請求項2に係る発
明によれば、光反射層を、銀−ルテニウム合金、或い
は、銀−ルテニウム基合金で形成したことにより、光反
射層の化学的安定性が向上し、高い反射率と優れた信頼
性及び耐久性を有する光記録媒体を安価に提供すること
ができるという効果がある。
【0036】また、請求項3に係る発明によれば、有機
色素記録層による光ビームの減衰を補うのに十分な高い
反射率と、優れた信頼性及び耐久性とを有する銀−ルテ
ニウム合金、或いは、銀−ルテニウム基合金の光反射層
により、高性能の追記型の光記録媒体を安価に提供する
ことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態である追記型光ディスク
の層構成を示す断面図
【符号の説明】
1 基板 2 有機色素記録層 3 光反射層 4 保護層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板と、該基板上に積層される光反射層と
    を有する光記録媒体において、前記光反射層が、銀にル
    テニウムを0.5〜20原子%含有した銀−ルテニウム
    合金からなることを特徴とする光記録媒体。
  2. 【請求項2】基板と、該基板上に積層される光反射層と
    を有する光記録媒体において、前記光反射層が、銀にル
    テニウムを0.5〜10原子%含有し、且つ、ロジウ
    ム、パラジウム、イリジウム、白金、金のうちから選択
    した少なくとも1種以上の元素を0.1〜10原子%含
    有する銀−ルテニウム基合金からなることを特徴とする
    光記録媒体。
  3. 【請求項3】前記基板と光反射層との間に、有機色素記
    録層を設けた請求項1又は2に記載の光記録媒体。
JP9178271A 1997-07-03 1997-07-03 光記録媒体 Pending JPH1125515A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9178271A JPH1125515A (ja) 1997-07-03 1997-07-03 光記録媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9178271A JPH1125515A (ja) 1997-07-03 1997-07-03 光記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1125515A true JPH1125515A (ja) 1999-01-29

Family

ID=16045568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9178271A Pending JPH1125515A (ja) 1997-07-03 1997-07-03 光記録媒体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1125515A (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001226765A (ja) * 1999-12-07 2001-08-21 Furuya Kinzoku:Kk 高耐熱性反射膜及びこの反射膜を用いた積層体
JP2002129260A (ja) * 2000-10-31 2002-05-09 Furuya Kinzoku:Kk 薄膜形成用スパッタリングターゲット材、それを用いて形成されて成る薄膜及び光学記録媒体
WO2002077317A1 (en) * 2001-03-16 2002-10-03 Ishifuku Metal Industry Co., Ltd. Sputtering target material
US6764735B2 (en) 1998-06-22 2004-07-20 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6790503B2 (en) 1998-06-22 2004-09-14 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
EP1464714A1 (de) * 2003-02-13 2004-10-06 W.C. Heraeus GmbH & Co. KG Legierungen sowie Reflektorschicht, und deren Verwendung
US6841219B2 (en) 1998-06-22 2005-01-11 Han H. Nee Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6905750B2 (en) 1998-06-22 2005-06-14 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7045187B2 (en) 1998-06-22 2006-05-16 Nee Han H Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
EP1560704A4 (en) * 2003-04-18 2006-09-06 Target Technology Co Llc METAL ALLOYS FOR THE REFLECTIVE OR SEMIREFLECTIVE TEMPERATURE OF AN OPTICAL STORAGE MEDIUM
US7314657B2 (en) 2000-07-21 2008-01-01 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7314660B2 (en) 2000-07-21 2008-01-01 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7314659B2 (en) 2000-07-21 2008-01-01 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium
US7316837B2 (en) 2000-07-21 2008-01-08 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7374805B2 (en) 2000-07-21 2008-05-20 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6905750B2 (en) 1998-06-22 2005-06-14 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6764735B2 (en) 1998-06-22 2004-07-20 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7384677B2 (en) 1998-06-22 2008-06-10 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium
US7045187B2 (en) 1998-06-22 2006-05-16 Nee Han H Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6790503B2 (en) 1998-06-22 2004-09-14 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6841219B2 (en) 1998-06-22 2005-01-11 Han H. Nee Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6852384B2 (en) 1998-06-22 2005-02-08 Han H. Nee Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7291374B2 (en) 1998-06-22 2007-11-06 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
JP2001226765A (ja) * 1999-12-07 2001-08-21 Furuya Kinzoku:Kk 高耐熱性反射膜及びこの反射膜を用いた積層体
US7314660B2 (en) 2000-07-21 2008-01-01 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7314657B2 (en) 2000-07-21 2008-01-01 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7314659B2 (en) 2000-07-21 2008-01-01 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium
US7316837B2 (en) 2000-07-21 2008-01-08 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7374805B2 (en) 2000-07-21 2008-05-20 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
JP2002129260A (ja) * 2000-10-31 2002-05-09 Furuya Kinzoku:Kk 薄膜形成用スパッタリングターゲット材、それを用いて形成されて成る薄膜及び光学記録媒体
US7465424B2 (en) 2001-03-16 2008-12-16 Ishifuku Metal Industry Co., Ltd. Sputtering target material
WO2002077317A1 (en) * 2001-03-16 2002-10-03 Ishifuku Metal Industry Co., Ltd. Sputtering target material
EP1464714A1 (de) * 2003-02-13 2004-10-06 W.C. Heraeus GmbH & Co. KG Legierungen sowie Reflektorschicht, und deren Verwendung
EP1560704A4 (en) * 2003-04-18 2006-09-06 Target Technology Co Llc METAL ALLOYS FOR THE REFLECTIVE OR SEMIREFLECTIVE TEMPERATURE OF AN OPTICAL STORAGE MEDIUM

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1125515A (ja) 光記録媒体
JPH07105575A (ja) 光記録媒体
JPH1153758A (ja) 記録再生方法
JPH11134715A (ja) 光記録媒体
JPH10177742A (ja) 光記録媒体
JP3688044B2 (ja) 光記録媒体
WO2004105009A1 (ja) 光記録媒体
JP2686841B2 (ja) 情報記録媒体及び光情報記録方法
JPH09204690A (ja) 光記録媒体
JPH09245373A (ja) 光記録媒体
WO1998050915A1 (en) Optical recording medium and method of information recording/reproduction using the same
JPH10143919A (ja) 光記録媒体
JP2985067B2 (ja) 光記録媒体
JPH1139717A (ja) 光記録媒体
JP3368608B2 (ja) 記録可能光ディスク
US7981494B2 (en) Optical informaton recording medium
KR100726846B1 (ko) 광정보기록매체
JP2969638B2 (ja) 光記録媒体
JP2002503864A (ja) 薄い記録層に基づく光記録媒体
JPH10188354A (ja) 光ディスクおよびその製造方法
JPH10143917A (ja) 光記録媒体
JPH1153766A (ja) 光記録媒体
JP3600177B2 (ja) 光記録媒体及びその製造方法
JPH07105573A (ja) 光記録媒体
JPH02201748A (ja) 光記録媒体