JPH09214140A - 多層プリント配線板及びその製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板及びその製造方法Info
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- JPH09214140A JPH09214140A JP8268344A JP26834496A JPH09214140A JP H09214140 A JPH09214140 A JP H09214140A JP 8268344 A JP8268344 A JP 8268344A JP 26834496 A JP26834496 A JP 26834496A JP H09214140 A JPH09214140 A JP H09214140A
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- resin layer
- layer
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ビルドアップ法により作製される多層プリント
配線板の絶縁樹脂層と導体配線層の接着強度を向上させ
る。 【解決手段】絶縁性基板上に、絶縁樹脂層と導体配線層
とが交互に形成されている多層プリント配線板におい
て、絶縁樹脂層４を加熱処理、あるいは、光照射、ある
いは、γ線照射、あるいは、電子線照射、あるいは、プ
ラズマ処理を行うことにより、前記絶縁樹脂層４上にラ
ジカル活性点を設け、そのラジカル活性点を開始点とし
て、モノマーを重合することにより接着層６を形成し、
導体配線層９の接着強度向上及び微細パターンの再現性
向上を図る。
配線板の絶縁樹脂層と導体配線層の接着強度を向上させ
る。 【解決手段】絶縁性基板上に、絶縁樹脂層と導体配線層
とが交互に形成されている多層プリント配線板におい
て、絶縁樹脂層４を加熱処理、あるいは、光照射、ある
いは、γ線照射、あるいは、電子線照射、あるいは、プ
ラズマ処理を行うことにより、前記絶縁樹脂層４上にラ
ジカル活性点を設け、そのラジカル活性点を開始点とし
て、モノマーを重合することにより接着層６を形成し、
導体配線層９の接着強度向上及び微細パターンの再現性
向上を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は絶縁樹脂層と導体配
線層を交互に積層して形成される、いわゆる、ビルドア
ップ法による多層プリント配線板とその製造方法に関す
る。
線層を交互に積層して形成される、いわゆる、ビルドア
ップ法による多層プリント配線板とその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子機器への高機能化、小型化、軽量化
等の要求に対し、それに組み込まれるプリント配線板に
対しても高配線密度化、薄型化の要求が高まっている。
これらの要求に対応する一つのプリント配線板の構成と
して、ビルドアップ工法プリント配線板があげられる。
等の要求に対し、それに組み込まれるプリント配線板に
対しても高配線密度化、薄型化の要求が高まっている。
これらの要求に対応する一つのプリント配線板の構成と
して、ビルドアップ工法プリント配線板があげられる。
【０００３】ビルドアップ工法とは、基板上に絶縁樹脂
層と導体配線層とを交互に積み上げていく方式であり、
たとえば、特開平４−１４８５９０に記載されている。
この工法にて作製されたプリント配線板の絶縁層は、従
来のプリント配線板の絶縁層のように、ガラスクロスな
どの芯材に絶縁樹脂を含浸させて形成させたものではな
く、芯材を使用せず、感光性樹脂組成物を絶縁性基板上
に塗布し、硬化させることにより形成される。このた
め、従来のプリント配線板に比べ、薄膜化、軽量化を図
ることができる。
層と導体配線層とを交互に積み上げていく方式であり、
たとえば、特開平４−１４８５９０に記載されている。
この工法にて作製されたプリント配線板の絶縁層は、従
来のプリント配線板の絶縁層のように、ガラスクロスな
どの芯材に絶縁樹脂を含浸させて形成させたものではな
く、芯材を使用せず、感光性樹脂組成物を絶縁性基板上
に塗布し、硬化させることにより形成される。このた
め、従来のプリント配線板に比べ、薄膜化、軽量化を図
ることができる。
【０００４】また、上下の導体配線層の導通は、樹脂組
成物の感光性を利用してフォトリソグラフィーによる微
細な貫通孔を形成し、めっきにて導通をとることができ
る。この孔をフォトバイアホールと呼ぶ。このため、従
来のプリント配線板の導通方法であるドリルによるスル
ーホールにおいて、その径は、０．３ｍｍが限界である
のに対し、ビルドアップ工法のフォトリソグラフィーに
よるフォトバイアホール径は０．１ｍｍ以下も可能とな
る。このことは、配線面上のランド径を小さくすること
が可能であることを意味し、配線の高密度化を図ること
ができる。
成物の感光性を利用してフォトリソグラフィーによる微
細な貫通孔を形成し、めっきにて導通をとることができ
る。この孔をフォトバイアホールと呼ぶ。このため、従
来のプリント配線板の導通方法であるドリルによるスル
ーホールにおいて、その径は、０．３ｍｍが限界である
のに対し、ビルドアップ工法のフォトリソグラフィーに
よるフォトバイアホール径は０．１ｍｍ以下も可能とな
る。このことは、配線面上のランド径を小さくすること
が可能であることを意味し、配線の高密度化を図ること
ができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ビルドアッ
プ工法における導体配線層は、上記感光性樹脂組成物の
硬化樹脂層上に無電解めっきによって形成される。一般
的に、絶縁樹脂層上の無電解めっき層の接着力は低い。
特に、高密度配線の要求により、その幅は０．１ｍｍ以
下になり、ますます接着力は低くなる傾向にある。接着
力の低下は製品の信頼性に大きく影響を与える。
プ工法における導体配線層は、上記感光性樹脂組成物の
硬化樹脂層上に無電解めっきによって形成される。一般
的に、絶縁樹脂層上の無電解めっき層の接着力は低い。
特に、高密度配線の要求により、その幅は０．１ｍｍ以
下になり、ますます接着力は低くなる傾向にある。接着
力の低下は製品の信頼性に大きく影響を与える。
【０００６】絶縁樹脂層上の無電解めっき膜の接着力向
上のためのめっき前処理の常法として、過マンガン酸塩
や重クロム酸塩などの酸化剤処理があげられる。この方
法は、酸化分解による表面の粗面化、めっき液の濡れ性
向上、めっき金属との結合性付与等により接着力が上が
ると思われる。
上のためのめっき前処理の常法として、過マンガン酸塩
や重クロム酸塩などの酸化剤処理があげられる。この方
法は、酸化分解による表面の粗面化、めっき液の濡れ性
向上、めっき金属との結合性付与等により接着力が上が
ると思われる。
【０００７】信頼性のあるめっき接着強度の目安とし
て、９０°引き剥がし強度が１０００ｇ／ｃｍであると
言われている。絶縁樹脂層として一般的なエポキシ樹脂
系を使用した場合、上記酸化処理を施しても、めっき接
着強度は５００ｇ／ｃｍである。したがって、接着強度
のさらなる向上が必要となる。
て、９０°引き剥がし強度が１０００ｇ／ｃｍであると
言われている。絶縁樹脂層として一般的なエポキシ樹脂
系を使用した場合、上記酸化処理を施しても、めっき接
着強度は５００ｇ／ｃｍである。したがって、接着強度
のさらなる向上が必要となる。
【０００８】絶縁樹脂層上の無電解めっき膜のさらなる
接着力向上についてはさまざま提案がされているが、そ
の多くは、より大きなアンカー形成用凹部を設けること
について述べられている。たとえば、特開平２−１８８
９９２の公報では、酸化剤に対して難溶性の耐熱性樹脂
中に、酸化剤に可溶な平均粒径２〜１０μｍの耐熱性樹
脂粒子と平均粒径２μｍの耐熱性樹脂粒子の混合物を、
あるいは、平均粒径２〜１０μｍの耐熱性樹脂粒子と平
均粒径２μｍの耐熱性樹脂粒子の疑似粒子を混合するこ
とにより、酸化剤処理後の絶縁樹脂層にアンカー形成用
の凹部を設け、めっき膜の接着強度向上が図られてい
る。
接着力向上についてはさまざま提案がされているが、そ
の多くは、より大きなアンカー形成用凹部を設けること
について述べられている。たとえば、特開平２−１８８
９９２の公報では、酸化剤に対して難溶性の耐熱性樹脂
中に、酸化剤に可溶な平均粒径２〜１０μｍの耐熱性樹
脂粒子と平均粒径２μｍの耐熱性樹脂粒子の混合物を、
あるいは、平均粒径２〜１０μｍの耐熱性樹脂粒子と平
均粒径２μｍの耐熱性樹脂粒子の疑似粒子を混合するこ
とにより、酸化剤処理後の絶縁樹脂層にアンカー形成用
の凹部を設け、めっき膜の接着強度向上が図られてい
る。
【０００９】しかしながら、この提案では、アンカーと
なるべき凹部が大きすぎ、凹部に配線の端部がかかって
しまう場合、配線の直線性が失われるという問題が起こ
る。すなわち、エッチングによる導体配線層形成方法で
あるサブトラクティブ法においては、めっきによって析
出した凹部内部金属のエッチング残りが発生する。ま
た、めっきにて導体配線層を形成するアディティブ法に
おいては、凹部へのめっきレジストの被覆が不完全にな
り、凹部内部にめっき金属が析出してしまう。このた
め、導体配線層の直線性が失われる。特に、５０μｍ程
度、あるいは、それ以下の線幅の要求に対し、線幅のば
らつきは無視できなくなり、高速信号波形の歪みを引き
起こす原因となる。
なるべき凹部が大きすぎ、凹部に配線の端部がかかって
しまう場合、配線の直線性が失われるという問題が起こ
る。すなわち、エッチングによる導体配線層形成方法で
あるサブトラクティブ法においては、めっきによって析
出した凹部内部金属のエッチング残りが発生する。ま
た、めっきにて導体配線層を形成するアディティブ法に
おいては、凹部へのめっきレジストの被覆が不完全にな
り、凹部内部にめっき金属が析出してしまう。このた
め、導体配線層の直線性が失われる。特に、５０μｍ程
度、あるいは、それ以下の線幅の要求に対し、線幅のば
らつきは無視できなくなり、高速信号波形の歪みを引き
起こす原因となる。
【００１０】また、上記の凹部の形状が複雑であるた
め、めっき金属と絶縁樹脂間に空気層を形成し易く、め
っき膜の接着強度が高いにもかかわらず、後プロセスの
熱履歴により空気層の膨張が起こり、局所的に導体配線
層が剥離を起こすといった問題があった。
め、めっき金属と絶縁樹脂間に空気層を形成し易く、め
っき膜の接着強度が高いにもかかわらず、後プロセスの
熱履歴により空気層の膨張が起こり、局所的に導体配線
層が剥離を起こすといった問題があった。
【００１１】本発明では、上記問題を解決すべく、導体
配線層線幅のばらつきを最小限にし、且つ、絶縁樹脂層
との高い接着強度を有し、局所的に導体配線層の剥離の
起こらない、信頼性の高い多層プリント配線板とその製
造方法を提供するものである。
配線層線幅のばらつきを最小限にし、且つ、絶縁樹脂層
との高い接着強度を有し、局所的に導体配線層の剥離の
起こらない、信頼性の高い多層プリント配線板とその製
造方法を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を達成するために、まず請求項１においては、絶縁性基
板上に導体配線層と絶縁樹脂層とが交互に形成されてい
る多層プリント配線板において、前記絶縁樹脂層の表面
に、該絶縁樹脂層と化学的共有結合を有する接着層が形
成されていることを特徴とする多層プリント配線板とし
たものである。
を達成するために、まず請求項１においては、絶縁性基
板上に導体配線層と絶縁樹脂層とが交互に形成されてい
る多層プリント配線板において、前記絶縁樹脂層の表面
に、該絶縁樹脂層と化学的共有結合を有する接着層が形
成されていることを特徴とする多層プリント配線板とし
たものである。
【００１３】また、請求項２においては、前記接着層が
極性基を有する樹脂層からなるようにしたものである。
極性基を有する樹脂層からなるようにしたものである。
【００１４】また、請求項３においては、前記絶縁樹脂
層の表面に加熱処理を行い、該絶縁樹脂層上にラジカル
活性点を設け、そのラジカル活性点を開始点として、モ
ノマーを重合することにより前記接着層を形成するよう
にした多層プリント配線板の製造方法としたものであ
る。
層の表面に加熱処理を行い、該絶縁樹脂層上にラジカル
活性点を設け、そのラジカル活性点を開始点として、モ
ノマーを重合することにより前記接着層を形成するよう
にした多層プリント配線板の製造方法としたものであ
る。
【００１５】また、請求項４においては、前記絶縁樹脂
層の表面に光照射を行い、該絶縁樹脂層上にラジカル活
性点を設け、そのラジカル活性点を開始点として、モノ
マーを重合することにより前記接着層を形成するように
した多層プリント配線板の製造方法としたものである。
層の表面に光照射を行い、該絶縁樹脂層上にラジカル活
性点を設け、そのラジカル活性点を開始点として、モノ
マーを重合することにより前記接着層を形成するように
した多層プリント配線板の製造方法としたものである。
【００１６】また、請求項５においては、前記絶縁樹脂
層の表面にγ線照射を行い、該絶縁樹脂層上にラジカル
活性点を設け、そのラジカル活性点を開始点として、モ
ノマーを重合することにより前記接着層を形成するよう
にした多層プリント配線板の製造方法としたものであ
る。
層の表面にγ線照射を行い、該絶縁樹脂層上にラジカル
活性点を設け、そのラジカル活性点を開始点として、モ
ノマーを重合することにより前記接着層を形成するよう
にした多層プリント配線板の製造方法としたものであ
る。
【００１７】また、請求項６においては、前記絶縁樹脂
層の表面に電子線照射を行い、該絶縁樹脂層上にラジカ
ル活性点を設け、そのラジカル活性点を開始点として、
モノマーを重合することにより前記接着層を形成するよ
うにした多層プリント配線板の製造方法としたものであ
る。
層の表面に電子線照射を行い、該絶縁樹脂層上にラジカ
ル活性点を設け、そのラジカル活性点を開始点として、
モノマーを重合することにより前記接着層を形成するよ
うにした多層プリント配線板の製造方法としたものであ
る。
【００１８】また、請求項７においては、前記絶縁樹脂
層の表面にプラズマ処理を行い、該絶縁樹脂層上にラジ
カル活性点を設け、そのラジカル活性点を開始点とし
て、モノマーを重合することにより前記接着層を形成す
るようにした多層プリント配線板の製造方法としたもの
である。
層の表面にプラズマ処理を行い、該絶縁樹脂層上にラジ
カル活性点を設け、そのラジカル活性点を開始点とし
て、モノマーを重合することにより前記接着層を形成す
るようにした多層プリント配線板の製造方法としたもの
である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
絶縁樹脂層の表面に、その絶縁樹脂層と化学的共有結合
を有する接着層を形成させる。さらに、その接着層は極
性基を有する樹脂層からなる。めっき金属層との接着強
度は、この接着層中の極性基との結合により高められ
る。極性基を有する樹脂は、吸水性が高く、さらに、誘
電率も高い傾向にあるので、バルクの絶縁層構成樹脂と
しては適用が難しい。
絶縁樹脂層の表面に、その絶縁樹脂層と化学的共有結合
を有する接着層を形成させる。さらに、その接着層は極
性基を有する樹脂層からなる。めっき金属層との接着強
度は、この接着層中の極性基との結合により高められ
る。極性基を有する樹脂は、吸水性が高く、さらに、誘
電率も高い傾向にあるので、バルクの絶縁層構成樹脂と
しては適用が難しい。
【００２０】また、感光性を付与した接着樹脂を、絶縁
樹脂層に塗布することも考えられるが、絶縁樹脂層と接
着層との極性の差による塗布むら、あるいは、両者の間
の結合力が弱いために、層間剥離等が起こる。このた
め、接着樹脂を塗布する形態を取ることも難しい。
樹脂層に塗布することも考えられるが、絶縁樹脂層と接
着層との極性の差による塗布むら、あるいは、両者の間
の結合力が弱いために、層間剥離等が起こる。このた
め、接着樹脂を塗布する形態を取ることも難しい。
【００２１】常法として用いられる過マンガン酸塩や重
クロム酸塩は、その酸化剤としての働きにより、絶縁樹
脂表面に酸素原子が導入され、極性基が形成される。し
かし、このような酸化反応は、たとえば、グリシジル基
とか炭素・炭素二重結合部など限られた部位でしか起こ
らず、極性基の形成が絶縁樹脂の構造によって左右され
る。エポキシ樹脂系では、上記酸化反応が起こり易いと
推測されるが、信頼性のあるめっき膜の接着強度１００
０ｇ／ｃｍまでは到達されず、５００ｇ／ｃｍ前後であ
る。
クロム酸塩は、その酸化剤としての働きにより、絶縁樹
脂表面に酸素原子が導入され、極性基が形成される。し
かし、このような酸化反応は、たとえば、グリシジル基
とか炭素・炭素二重結合部など限られた部位でしか起こ
らず、極性基の形成が絶縁樹脂の構造によって左右され
る。エポキシ樹脂系では、上記酸化反応が起こり易いと
推測されるが、信頼性のあるめっき膜の接着強度１００
０ｇ／ｃｍまでは到達されず、５００ｇ／ｃｍ前後であ
る。
【００２２】本発明によれば、接着層を形成する樹脂
が、下層の絶縁樹脂層と化学的共有結合により強固に結
合されているため、絶縁樹脂層と接着層の層間剥離が発
生しない。接着層厚は１μｍ以下であり、接着層を含め
た絶縁樹脂層全体の、ガラス転移温度や誘電率等の絶縁
樹脂特性にほとんど影響を与えない。また、絶縁樹脂層
の構成樹脂のみと化学的共有結合をするため、バイアホ
ール形成孔を形成した後に接着層を形成することがで
き、バイアホール形成孔側面のめっき強度の向上も図れ
る。
が、下層の絶縁樹脂層と化学的共有結合により強固に結
合されているため、絶縁樹脂層と接着層の層間剥離が発
生しない。接着層厚は１μｍ以下であり、接着層を含め
た絶縁樹脂層全体の、ガラス転移温度や誘電率等の絶縁
樹脂特性にほとんど影響を与えない。また、絶縁樹脂層
の構成樹脂のみと化学的共有結合をするため、バイアホ
ール形成孔を形成した後に接着層を形成することがで
き、バイアホール形成孔側面のめっき強度の向上も図れ
る。
【００２３】次に、請求項３に記載の接着層形成方法に
ついて説明する。あらかじめ、絶縁樹脂上に過酸化化合
物を吸着させた基板を１００℃にて加熱処理し、絶縁樹
脂上にラジカル活性点を形成する。さらに、極性基を有
するモノマー溶液中に基板を浸漬することにより、上記
ラジカル活性点からモノマーの重合が開始される。得ら
れた重合体は絶縁樹脂と強固に結合した接着層を形成す
る。
ついて説明する。あらかじめ、絶縁樹脂上に過酸化化合
物を吸着させた基板を１００℃にて加熱処理し、絶縁樹
脂上にラジカル活性点を形成する。さらに、極性基を有
するモノマー溶液中に基板を浸漬することにより、上記
ラジカル活性点からモノマーの重合が開始される。得ら
れた重合体は絶縁樹脂と強固に結合した接着層を形成す
る。
【００２４】過酸化化合物としては、過酸化ベンゾイ
ル、過酸化アンモニウム、過酸化カリウム、過酸化ラウ
ロイルなどがあげられる。また、この他に、アゾビスイ
ソブチロニトリルも用いることができる。
ル、過酸化アンモニウム、過酸化カリウム、過酸化ラウ
ロイルなどがあげられる。また、この他に、アゾビスイ
ソブチロニトリルも用いることができる。
【００２５】また、極性基を有するモノマーとしては、
酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を含むイオン化されて
いないモノマーであれば良く、好ましくは、アクリルア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキ
シエチル（メタ）アクリレート、メトキシテトラエチレ
ングリコール（メタ）アクリレートなどがあげられる。
酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を含むイオン化されて
いないモノマーであれば良く、好ましくは、アクリルア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキ
シエチル（メタ）アクリレート、メトキシテトラエチレ
ングリコール（メタ）アクリレートなどがあげられる。
【００２６】次に、請求項４に記載の接着層形成方法に
ついて説明する。あらかじめ、絶縁樹脂層上に増感剤を
コーティングした基板を、極性基を有するモノマー溶液
中に浸漬し、光照射を行う。絶縁樹脂層上に発生したラ
ジカル活性点からモノマーの重合が開始される。得られ
た重合体は絶縁樹脂と強固に結合した接着剤層を形成す
る。
ついて説明する。あらかじめ、絶縁樹脂層上に増感剤を
コーティングした基板を、極性基を有するモノマー溶液
中に浸漬し、光照射を行う。絶縁樹脂層上に発生したラ
ジカル活性点からモノマーの重合が開始される。得られ
た重合体は絶縁樹脂と強固に結合した接着剤層を形成す
る。
【００２７】増感剤としては、水素引き抜き型であるベ
ンゾフェノン類、アセトフェノン類、アントラキノン類
を使用することができる。たとえば、ベンゾフェノン、
４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−４’−メトキシ−ベンゾ
フェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２
−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−メチ
ルアントラキノン、２−エチルアントラキノンなどがあ
げられる。
ンゾフェノン類、アセトフェノン類、アントラキノン類
を使用することができる。たとえば、ベンゾフェノン、
４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−４’−メトキシ−ベンゾ
フェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２
−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−メチ
ルアントラキノン、２−エチルアントラキノンなどがあ
げられる。
【００２８】次に、請求項５に記載の接着層形成方法に
ついて説明する。あらかじめ脱気した、極性基を有する
モノマー溶液中に基板を浸漬する。絶縁樹脂層に、線源
としてＣｏ−６０のγ線を照射してその表面にラジカル
活性点を形成し、このラジカル活性点からモノマーの重
合が開始される。得られた重合体は絶縁樹脂と強固に結
合した接着層を形成する。
ついて説明する。あらかじめ脱気した、極性基を有する
モノマー溶液中に基板を浸漬する。絶縁樹脂層に、線源
としてＣｏ−６０のγ線を照射してその表面にラジカル
活性点を形成し、このラジカル活性点からモノマーの重
合が開始される。得られた重合体は絶縁樹脂と強固に結
合した接着層を形成する。
【００２９】次に、請求項６に記載の接着層形成方法に
ついて説明する。絶縁樹脂層に、電子線を照射してその
表面にラジカル活性点を形成する。さらに、極性基を有
するモノマー溶液中に基板を浸漬することにより、上記
ラジカル活性点からモノマーの重合が開始される。得ら
れた重合体は絶縁樹脂と強固に結合した接着層を形成す
る。
ついて説明する。絶縁樹脂層に、電子線を照射してその
表面にラジカル活性点を形成する。さらに、極性基を有
するモノマー溶液中に基板を浸漬することにより、上記
ラジカル活性点からモノマーの重合が開始される。得ら
れた重合体は絶縁樹脂と強固に結合した接着層を形成す
る。
【００３０】次に、請求項７に記載の接着層形成方法に
ついて説明する。絶縁樹脂層に、プラズマ処理を行いそ
の表面にラジカル活性点を形成する。さらに、極性基を
有するモノマー溶液中に基板を浸漬することにより、上
記ラジカル活性点からモノマーの重合が開始される。得
られた重合体は絶縁樹脂と強固に結合した接着層を形成
する。
ついて説明する。絶縁樹脂層に、プラズマ処理を行いそ
の表面にラジカル活性点を形成する。さらに、極性基を
有するモノマー溶液中に基板を浸漬することにより、上
記ラジカル活性点からモノマーの重合が開始される。得
られた重合体は絶縁樹脂と強固に結合した接着層を形成
する。
【００３１】このようにして絶縁樹脂層上に形成された
接着層は、めっき金属と配位結合を形成し、信頼性の高
い導体配線層を形成することが可能となる。
接着層は、めっき金属と配位結合を形成し、信頼性の高
い導体配線層を形成することが可能となる。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。 ＜実施例１＞ （接着層の形成例１）導体配線層を設けたガラス−エポ
キシ絶縁性基板上に、感光性樹脂（プロビマー５２（チ
バガイギ社製））をロールコータにて塗布し、８０℃、
３０分にてプリベークを行い、感光性絶縁樹脂層を形成
した。このときの膜厚は約５０μｍであった。この感光
性絶縁樹脂層に所定のバイアパターンを有するマスクを
介して、１ｋＷの超高圧水銀灯にて、３０００ｍＪ／ｃ
ｍ2 で露光を行い、専用現像液にてスプレー現像を行
い、１３０℃、１時間でポストベークを行い、絶縁樹脂
層を形成した。
る。 ＜実施例１＞ （接着層の形成例１）導体配線層を設けたガラス−エポ
キシ絶縁性基板上に、感光性樹脂（プロビマー５２（チ
バガイギ社製））をロールコータにて塗布し、８０℃、
３０分にてプリベークを行い、感光性絶縁樹脂層を形成
した。このときの膜厚は約５０μｍであった。この感光
性絶縁樹脂層に所定のバイアパターンを有するマスクを
介して、１ｋＷの超高圧水銀灯にて、３０００ｍＪ／ｃ
ｍ2 で露光を行い、専用現像液にてスプレー現像を行
い、１３０℃、１時間でポストベークを行い、絶縁樹脂
層を形成した。
【００３３】上記絶縁樹脂層に、１００ｍｌのベンゼン
に溶解した０．５ｇの過酸化ベンゾイル溶液を塗布し、
溶媒を除去した。さらにこの基板を１００℃に加熱した
後、アクリルアミドモノマー水溶液中に浸漬し、６０
℃、窒素バブリングを行いながら１時間放置した。反応
後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂層と結合
していないポリアクリルアミドを除去し、接着層を形成
した。この接着層上に無電解銅めっき、電解銅めっきに
て２０μｍ厚の導体層を形成した。
に溶解した０．５ｇの過酸化ベンゾイル溶液を塗布し、
溶媒を除去した。さらにこの基板を１００℃に加熱した
後、アクリルアミドモノマー水溶液中に浸漬し、６０
℃、窒素バブリングを行いながら１時間放置した。反応
後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂層と結合
していないポリアクリルアミドを除去し、接着層を形成
した。この接着層上に無電解銅めっき、電解銅めっきに
て２０μｍ厚の導体層を形成した。
【００３４】＜実施例２＞ （接着層の形成例２）導体配線層を設けたガラス−エポ
キシ絶縁性基板上に、実施例１と同様な工程で形成した
絶縁樹脂層に、１００ｍｌのアセトンに溶解した０．５
ｇのベンゾフェノン溶液を塗布し、溶媒を除去した。こ
の基板を６０℃に加熱したアクリルアミドモノマー水溶
液中に浸漬し、窒素バブリングを行いながら絶縁樹脂層
表面を１ｋＷ超高圧水銀灯により１時間照射した。反応
後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂層と結合
していないポリアクリルアミドを除去し、接着層を形成
した。この接着層上に無電解銅めっき、電解銅めっきに
て２０μｍ厚の導体層を形成した。
キシ絶縁性基板上に、実施例１と同様な工程で形成した
絶縁樹脂層に、１００ｍｌのアセトンに溶解した０．５
ｇのベンゾフェノン溶液を塗布し、溶媒を除去した。こ
の基板を６０℃に加熱したアクリルアミドモノマー水溶
液中に浸漬し、窒素バブリングを行いながら絶縁樹脂層
表面を１ｋＷ超高圧水銀灯により１時間照射した。反応
後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂層と結合
していないポリアクリルアミドを除去し、接着層を形成
した。この接着層上に無電解銅めっき、電解銅めっきに
て２０μｍ厚の導体層を形成した。
【００３５】＜実施例３＞ （接着層の形成例３）あらかじめ絶縁処理を加えたシリ
コン基板上に、感光性樹脂（フォトニース（東レ社
製））をスピンコータにて１０００ｒｐｍで塗布し、８
０℃、６０分にてプリベークを行い、感光性絶縁樹脂層
を形成した。このときの膜厚は約２０μｍであった。こ
の感光性絶縁樹脂層に所定のバイアパターンを有するマ
スクを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯にて、２００ｍＪ
／ｃｍ2 の露光量で露光を行い、専用現像液にて、スプ
レー現像を行い、さらに、１８０℃（３０分）、２５０
℃（３０分）、４００℃（１時間）のポストベークを行
い、絶縁樹脂層を形成した。
コン基板上に、感光性樹脂（フォトニース（東レ社
製））をスピンコータにて１０００ｒｐｍで塗布し、８
０℃、６０分にてプリベークを行い、感光性絶縁樹脂層
を形成した。このときの膜厚は約２０μｍであった。こ
の感光性絶縁樹脂層に所定のバイアパターンを有するマ
スクを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯にて、２００ｍＪ
／ｃｍ2 の露光量で露光を行い、専用現像液にて、スプ
レー現像を行い、さらに、１８０℃（３０分）、２５０
℃（３０分）、４００℃（１時間）のポストベークを行
い、絶縁樹脂層を形成した。
【００３６】上記絶縁樹脂層に、１００ｍｌのアセトン
に溶解した０．５ｇのベンゾフェノン溶液を塗布し、溶
媒を除去した。この基板を６０℃に加熱したＮ，Ｎ−ジ
メチルアクリルアミドモノマー水溶液中に浸漬し、窒素
バブリングを行いながら絶縁樹脂層表面を１ｋＷ超高圧
水銀灯により１時間照射した。反応後、７０℃の温水に
て洗浄し、下地の絶縁樹脂と結合していないポリ（Ｎ，
Ｎ−ジメチルアクリルアミド）を除去し、接着層を形成
した。この接着層上に無電解銅めっき、電解銅めっきに
て２０μｍ厚の導体層を形成した。
に溶解した０．５ｇのベンゾフェノン溶液を塗布し、溶
媒を除去した。この基板を６０℃に加熱したＮ，Ｎ−ジ
メチルアクリルアミドモノマー水溶液中に浸漬し、窒素
バブリングを行いながら絶縁樹脂層表面を１ｋＷ超高圧
水銀灯により１時間照射した。反応後、７０℃の温水に
て洗浄し、下地の絶縁樹脂と結合していないポリ（Ｎ，
Ｎ−ジメチルアクリルアミド）を除去し、接着層を形成
した。この接着層上に無電解銅めっき、電解銅めっきに
て２０μｍ厚の導体層を形成した。
【００３７】＜実施例４＞ （接着層の形成例４）あらかじめ、脱気しておいたアク
リルアミドモノマー水溶液中に、導体配線層を設けたガ
ラス−エポキシ絶縁性基板上に、実施例１と同様な工程
で形成した絶縁樹脂層を含む基板を浸漬し、この絶縁樹
脂層表面に、60Ｃｏのγ線を１０4 ｒ照射した。反応
後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂層と結合
していないポリアクリルアミドを除去し、接着層を形成
した。この接着層上に無電解銅めっき、電解銅めっきに
て２０μｍ厚の導体層を形成した。
リルアミドモノマー水溶液中に、導体配線層を設けたガ
ラス−エポキシ絶縁性基板上に、実施例１と同様な工程
で形成した絶縁樹脂層を含む基板を浸漬し、この絶縁樹
脂層表面に、60Ｃｏのγ線を１０4 ｒ照射した。反応
後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂層と結合
していないポリアクリルアミドを除去し、接着層を形成
した。この接着層上に無電解銅めっき、電解銅めっきに
て２０μｍ厚の導体層を形成した。
【００３８】＜実施例５＞ （接着層の形成例５）導体配線層を設けたガラス−エポ
キシ絶縁性基板上に、実施例１と同様な工程で形成した
絶縁樹脂層表面に、エリア型電子線照射装置にて、加速
電圧２００ｋＶ、１０Ｍｒａｄ（電流値３７．５ｍＡ、
ラインスピード２０ｍ／分）の条件で電子線照射を行っ
た。その後、この基板をアクリルアミドモノマー水溶液
中に浸漬し、６０℃、窒素バブリングを行いながら１時
間放置した。反応後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の
絶縁樹脂層と結合していないポリアクリルアミドを除去
し、接着層を形成した。この接着層上に無電解銅めっ
き、電解銅めっきにて２０μｍ厚の導体層を形成した。
キシ絶縁性基板上に、実施例１と同様な工程で形成した
絶縁樹脂層表面に、エリア型電子線照射装置にて、加速
電圧２００ｋＶ、１０Ｍｒａｄ（電流値３７．５ｍＡ、
ラインスピード２０ｍ／分）の条件で電子線照射を行っ
た。その後、この基板をアクリルアミドモノマー水溶液
中に浸漬し、６０℃、窒素バブリングを行いながら１時
間放置した。反応後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の
絶縁樹脂層と結合していないポリアクリルアミドを除去
し、接着層を形成した。この接着層上に無電解銅めっ
き、電解銅めっきにて２０μｍ厚の導体層を形成した。
【００３９】＜実施例６＞ （接着層の形成例６）導体配線層を設けたガラス−エポ
キシ絶縁性基板上に、実施例１と同様な工程で形成した
絶縁樹脂層に、０．４Ｔｏｒｒ、Ａｒ雰囲気下２００Ｗ
のパワーをかけ、１時間プラズマ処理を行った。その
後、この基板をアクリルアミドモノマー水溶液中に浸漬
し、６０℃、窒素バブリングを行いながら１時間放置し
た。反応後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂
層と結合していないポリアクリルアミドを除去し、接着
層を形成した。この接着層上に無電解銅めっき、電解銅
めっきにて２０μｍ厚の導体層を形成した。
キシ絶縁性基板上に、実施例１と同様な工程で形成した
絶縁樹脂層に、０．４Ｔｏｒｒ、Ａｒ雰囲気下２００Ｗ
のパワーをかけ、１時間プラズマ処理を行った。その
後、この基板をアクリルアミドモノマー水溶液中に浸漬
し、６０℃、窒素バブリングを行いながら１時間放置し
た。反応後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂
層と結合していないポリアクリルアミドを除去し、接着
層を形成した。この接着層上に無電解銅めっき、電解銅
めっきにて２０μｍ厚の導体層を形成した。
【００４０】＜比較例１＞導体配線層を設けたガラス−
エポキシ絶縁性基板上に、感光性樹脂（プロビマー５２
（チバガイギ社製））をロールコータにて塗布し、８０
℃、３０分にてプリベークを行い、感光性絶縁樹脂層を
形成した。このときの膜厚は約５０μｍであった。この
感光性絶縁樹脂層に所定のバイアパターンを有するマス
クを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯にて、３０００ｍＪ
／ｃｍ2 の露光量で露光を行い、専用現像液にてスプレ
ー現像を行い、１３０℃、１時間でポストベークを行
い、絶縁樹脂層を形成した。
エポキシ絶縁性基板上に、感光性樹脂（プロビマー５２
（チバガイギ社製））をロールコータにて塗布し、８０
℃、３０分にてプリベークを行い、感光性絶縁樹脂層を
形成した。このときの膜厚は約５０μｍであった。この
感光性絶縁樹脂層に所定のバイアパターンを有するマス
クを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯にて、３０００ｍＪ
／ｃｍ2 の露光量で露光を行い、専用現像液にてスプレ
ー現像を行い、１３０℃、１時間でポストベークを行
い、絶縁樹脂層を形成した。
【００４１】上記絶縁樹脂層表面を、５０℃に加熱した
過マンガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウ
ム（２０ｇ／ｌ）水溶液中にて酸化処理した。この上
に、無電解銅めっき、電解銅めっきにて２０μｍ厚の導
体層を形成した。
過マンガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウ
ム（２０ｇ／ｌ）水溶液中にて酸化処理した。この上
に、無電解銅めっき、電解銅めっきにて２０μｍ厚の導
体層を形成した。
【００４２】＜比較例２＞あらかじめ絶縁処理を加えた
シリコン基板上に、感光性樹脂（フォトニース（東レ社
製））をスピンコータにて１０００ｒｐｍで塗布し、８
０℃、６０分にてプリベークを行い、感光性絶縁樹脂層
を形成した。このときの膜厚は約２０μｍであった。こ
の感光性絶縁樹脂層に所定のバイアパターンを有するマ
スクを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯にて、２００ｍＪ
／ｃｍ2 の露光量で露光を行い、専用現像液にて、スプ
レー現像を行い、さらに、１８０℃（３０分）、２５０
℃（３０分）、４００℃（１時間）のポストベークを行
い、絶縁樹脂層を形成した。
シリコン基板上に、感光性樹脂（フォトニース（東レ社
製））をスピンコータにて１０００ｒｐｍで塗布し、８
０℃、６０分にてプリベークを行い、感光性絶縁樹脂層
を形成した。このときの膜厚は約２０μｍであった。こ
の感光性絶縁樹脂層に所定のバイアパターンを有するマ
スクを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯にて、２００ｍＪ
／ｃｍ2 の露光量で露光を行い、専用現像液にて、スプ
レー現像を行い、さらに、１８０℃（３０分）、２５０
℃（３０分）、４００℃（１時間）のポストベークを行
い、絶縁樹脂層を形成した。
【００４３】上記絶縁樹脂層表面を、５０℃に加熱した
過マンガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウ
ム（２０ｇ／ｌ）水溶液中にて酸化処理した。この上
に、無電解銅めっき、電解銅めっきにて２０μｍ厚の導
体層を形成した。
過マンガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウ
ム（２０ｇ／ｌ）水溶液中にて酸化処理した。この上
に、無電解銅めっき、電解銅めっきにて２０μｍ厚の導
体層を形成した。
【００４４】＜めっき接着強度評価＞実施例１から実施
例６、比較例１、比較例２で得られた各めっき導体層を
フォトエッチングプロセスにより幅１０ｍｍ、長さ７０
ｍｍにパターン加工し、めっき接着強度測定用サンプル
を作製した。めっき接着強度の測定は、ＪＩＳ−Ｃ６４
８１に基づいて行った。すなわち、基板を固定し、引き
剥がしためっき金属の一端を引張試験機のチャックに固
定し、基板に対して９０°方向の引き剥がし強度を測定
した。
例６、比較例１、比較例２で得られた各めっき導体層を
フォトエッチングプロセスにより幅１０ｍｍ、長さ７０
ｍｍにパターン加工し、めっき接着強度測定用サンプル
を作製した。めっき接着強度の測定は、ＪＩＳ−Ｃ６４
８１に基づいて行った。すなわち、基板を固定し、引き
剥がしためっき金属の一端を引張試験機のチャックに固
定し、基板に対して９０°方向の引き剥がし強度を測定
した。
【００４５】
【表１】
【００４６】表１の測定結果からも分かるように、実施
例１から実施例６の基板については安定的な接着強度を
示した。
例１から実施例６の基板については安定的な接着強度を
示した。
【００４７】＜実施例７＞ （多層プリント配線板の製造方法１）１ｍｍ厚のガラス
−エポキシ基板からなる絶縁性基板１の両面に貼着され
た１８μｍ厚の銅箔からなる両面銅張積層板の銅箔を、
フォトエッチング法によりパターン加工し、配線パター
ン２を形成した（図１（ａ）参照）。
−エポキシ基板からなる絶縁性基板１の両面に貼着され
た１８μｍ厚の銅箔からなる両面銅張積層板の銅箔を、
フォトエッチング法によりパターン加工し、配線パター
ン２を形成した（図１（ａ）参照）。
【００４８】次に、感光性樹脂（プロビマー５２（チバ
ガイギ社製））をロールコータにて塗布し、８０℃、３
０分にてプリベークを行い、感光性樹脂層３を形成した
（図１（ｂ）参照）。このときの膜厚は約５０μｍであ
った。
ガイギ社製））をロールコータにて塗布し、８０℃、３
０分にてプリベークを行い、感光性樹脂層３を形成した
（図１（ｂ）参照）。このときの膜厚は約５０μｍであ
った。
【００４９】次に、感光性樹脂層３に所定のバイアパタ
ーンを有するマスクを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯に
て、３０００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光を行い、専用
現像液にて、スプレー現像を行い、１３０℃、１時間の
条件でポストベークを行って、絶縁樹脂層４及び１５０
μｍ径のバイアホール形成孔５を形成した（図１（ｃ）
参照）。
ーンを有するマスクを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯に
て、３０００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光を行い、専用
現像液にて、スプレー現像を行い、１３０℃、１時間の
条件でポストベークを行って、絶縁樹脂層４及び１５０
μｍ径のバイアホール形成孔５を形成した（図１（ｃ）
参照）。
【００５０】次に、絶縁樹脂層４の表面に、１００ｍｌ
のベンゼンに溶解した０．５ｇの過酸化ベンゾイル溶液
を塗布し、溶媒を除去した。さらに、この基板を１００
℃に加熱した後、アクリルアミドモノマー水溶液中に浸
漬し、６０℃、窒素バブリングを行いながら１時間放置
した。反応後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹
脂層４と結合していないポリアクリルアミドを除去し、
絶縁樹脂層４の表面に接着層６を形成した（図１（ｃ）
参照）。
のベンゼンに溶解した０．５ｇの過酸化ベンゾイル溶液
を塗布し、溶媒を除去した。さらに、この基板を１００
℃に加熱した後、アクリルアミドモノマー水溶液中に浸
漬し、６０℃、窒素バブリングを行いながら１時間放置
した。反応後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹
脂層４と結合していないポリアクリルアミドを除去し、
絶縁樹脂層４の表面に接着層６を形成した（図１（ｃ）
参照）。
【００５１】次に、無電解銅めっき、電解銅めっきを行
い、２０μｍ厚の導体層７及びバイアホール８を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
い、２０μｍ厚の導体層７及びバイアホール８を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
【００５２】次に、導体層７をフォトエッチング法によ
りパターン加工し、導体配線層９を形成した（図１
（ｅ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
りパターン加工し、導体配線層９を形成した（図１
（ｅ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
【００５３】次に、導体配線層９の配線間に露出してい
る接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マンガ
ン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２０
ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
る接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マンガ
ン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２０
ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
【００５４】さらに、上記の操作を繰り返すことによ
り、複数の絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積層され
た多層プリント配線板１０が得られた（図１（ｆ）参
照）。
り、複数の絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積層され
た多層プリント配線板１０が得られた（図１（ｆ）参
照）。
【００５５】＜実施例８＞ （多層プリント配線板の製造方法２）実施例７と同様な
工程で１ｍｍ厚のガラス−エポキシ基板からなる絶縁性
基板１に配線パターン２、感光性樹脂層３、絶縁樹脂層
４及びバイアホール形成孔５を形成した（図１（ａ）〜
（ｃ）参照）。
工程で１ｍｍ厚のガラス−エポキシ基板からなる絶縁性
基板１に配線パターン２、感光性樹脂層３、絶縁樹脂層
４及びバイアホール形成孔５を形成した（図１（ａ）〜
（ｃ）参照）。
【００５６】次に、絶縁樹脂層４の表面に、１００ｍｌ
のアセトンに溶解した０．５ｇのベンゾフェノン溶液を
塗布し、溶媒を除去した。この基板を６０℃に加熱した
アクリルアミドモノマー水溶液中に浸漬し、窒素バブリ
ングを行いながら絶縁樹脂層４の表面を１ｋＷ超高圧水
銀灯により１時間照射した。反応後、７０℃の温水にて
洗浄し、下地の絶縁樹脂層４と結合していないポリアク
リルアミドを除去し、絶縁樹脂層４の表面に接着層６を
形成した（図１（ｃ）参照）。
のアセトンに溶解した０．５ｇのベンゾフェノン溶液を
塗布し、溶媒を除去した。この基板を６０℃に加熱した
アクリルアミドモノマー水溶液中に浸漬し、窒素バブリ
ングを行いながら絶縁樹脂層４の表面を１ｋＷ超高圧水
銀灯により１時間照射した。反応後、７０℃の温水にて
洗浄し、下地の絶縁樹脂層４と結合していないポリアク
リルアミドを除去し、絶縁樹脂層４の表面に接着層６を
形成した（図１（ｃ）参照）。
【００５７】次に、無電解銅めっき、電解銅めっきを行
い、２０μｍ厚の導体層７及びバイアホール８を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
い、２０μｍ厚の導体層７及びバイアホール８を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
【００５８】次に、導体層７をフォトエッチング法によ
りパターン加工し、導体配線層９を形成した（図１
（ｅ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
りパターン加工し、導体配線層９を形成した（図１
（ｅ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
【００５９】次に、導体配線層９の配線間に露出してい
る接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マンガ
ン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２０
ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
る接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マンガ
ン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２０
ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
【００６０】さらに、上記の操作を繰り返すことによ
り、複数の絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積層され
た多層プリント配線板１０が得られた（図１（ｆ）参
照）。
り、複数の絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積層され
た多層プリント配線板１０が得られた（図１（ｆ）参
照）。
【００６１】＜実施例９＞ （多層プリント配線板の製造方法３）実施例７と同様な
工程で１ｍｍ厚のガラス−エポキシ基板からなる絶縁性
基板１に配線パターン２、感光性樹脂層３、絶縁樹脂層
４及びバイアホール形成孔５を形成した（図１（ａ）〜
（ｃ）参照）。
工程で１ｍｍ厚のガラス−エポキシ基板からなる絶縁性
基板１に配線パターン２、感光性樹脂層３、絶縁樹脂層
４及びバイアホール形成孔５を形成した（図１（ａ）〜
（ｃ）参照）。
【００６２】次に、あらかじめ、脱気しておいたアクリ
ルアミドモノマー水溶液中に、絶縁樹脂層４を含む基板
を浸漬し、絶縁樹脂層４に、60Ｃｏのγ線を１０4 ｒ照
射した。反応後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁
樹脂層４と結合していないポリアクリルアミドを除去
し、絶縁樹脂層４の表面に接着層６を形成した（図１
（ｃ）参照）。
ルアミドモノマー水溶液中に、絶縁樹脂層４を含む基板
を浸漬し、絶縁樹脂層４に、60Ｃｏのγ線を１０4 ｒ照
射した。反応後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁
樹脂層４と結合していないポリアクリルアミドを除去
し、絶縁樹脂層４の表面に接着層６を形成した（図１
（ｃ）参照）。
【００６３】次に、無電解銅めっき、電解銅めっきを行
い、２０μｍ厚の導体層７及びバイアホール８を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
い、２０μｍ厚の導体層７及びバイアホール８を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
【００６４】次に、導体層７をフォトエッチング法によ
りパターン加工し、導体配線層９を形成した（図１
（ｅ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
りパターン加工し、導体配線層９を形成した（図１
（ｅ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
【００６５】次に、導体配線層９の配線間に露出してい
る接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マンガ
ン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２０
ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
る接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マンガ
ン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２０
ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
【００６６】さらに、上記の操作を繰り返すことによ
り、複数の絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積層され
た多層プリント配線板１０が得られた。
り、複数の絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積層され
た多層プリント配線板１０が得られた。
【００６７】＜実施例１０＞ （多層プリント配線板の製造方法４）実施例７と同様な
工程で１ｍｍ厚のガラス−エポキシ基板からなる絶縁性
基板１に配線パターン２、感光性樹脂層３、絶縁樹脂層
４及びバイアホール形成孔５を形成した（図１（ａ）〜
（ｃ）参照）。
工程で１ｍｍ厚のガラス−エポキシ基板からなる絶縁性
基板１に配線パターン２、感光性樹脂層３、絶縁樹脂層
４及びバイアホール形成孔５を形成した（図１（ａ）〜
（ｃ）参照）。
【００６８】次に、絶縁樹脂層４の表面に、エリア型電
子線照射装置にて、加速電圧２００ｋＶ、１０Ｍｒａｄ
（電流値３７．５ｍＡ、ラインスピード２０ｍ／分）の
条件で電子線照射を行った。その後、この基板をアクリ
ルアミドモノマー水溶液中に浸漬し、６０℃、窒素バブ
リングを行いながら１時間放置した。反応後、７０℃の
温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂と結合していないポリ
アクリルアミドを除去し、絶縁樹脂層４の表面に接着層
６を形成した（図１（ｃ）参照）。
子線照射装置にて、加速電圧２００ｋＶ、１０Ｍｒａｄ
（電流値３７．５ｍＡ、ラインスピード２０ｍ／分）の
条件で電子線照射を行った。その後、この基板をアクリ
ルアミドモノマー水溶液中に浸漬し、６０℃、窒素バブ
リングを行いながら１時間放置した。反応後、７０℃の
温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂と結合していないポリ
アクリルアミドを除去し、絶縁樹脂層４の表面に接着層
６を形成した（図１（ｃ）参照）。
【００６９】次に、無電解銅めっき、電解銅めっきを行
い、２０μｍ厚の導体層７及びバイアホール８を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
い、２０μｍ厚の導体層７及びバイアホール８を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
【００７０】次に、導体層７をフォトエッチング法によ
りパターン加工し、導体配線層９を形成した（図１
（ｅ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
りパターン加工し、導体配線層９を形成した（図１
（ｅ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
【００７１】次に、導体配線層９の配線間に露出してい
る接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マンガ
ン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２０
ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
る接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マンガ
ン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２０
ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
【００７２】さらに、上記の操作を繰り返すことによ
り、複数の絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積層され
た多層プリント配線板１０が得られた。
り、複数の絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積層され
た多層プリント配線板１０が得られた。
【００７３】＜実施例１１＞ （多層プリント配線板の製造方法５）実施例７と同様な
工程で１ｍｍ厚のガラス−エポキシ基板からなる絶縁性
基板１に配線パターン２、感光性樹脂層３、絶縁樹脂層
４及びバイアホール形成孔５を形成した（図１（ａ）〜
（ｃ）参照）。
工程で１ｍｍ厚のガラス−エポキシ基板からなる絶縁性
基板１に配線パターン２、感光性樹脂層３、絶縁樹脂層
４及びバイアホール形成孔５を形成した（図１（ａ）〜
（ｃ）参照）。
【００７４】次に、絶縁樹脂層４の表面に、０．４Ｔｏ
ｒｒ、Ａｒ雰囲気下にて、２００Ｗのパワーをかけ、１
時間プラズマ処理を行った。その後、この基板をアクリ
ルアミドモノマー水溶液中に浸漬し、６０℃、窒素バブ
リングを行いながら１時間放置した。反応後、７０℃の
温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂と結合していないポリ
アクリルアミドを除去し、絶縁樹脂層４の表面に接着層
６を形成した（図１（ｃ）参照）。
ｒｒ、Ａｒ雰囲気下にて、２００Ｗのパワーをかけ、１
時間プラズマ処理を行った。その後、この基板をアクリ
ルアミドモノマー水溶液中に浸漬し、６０℃、窒素バブ
リングを行いながら１時間放置した。反応後、７０℃の
温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂と結合していないポリ
アクリルアミドを除去し、絶縁樹脂層４の表面に接着層
６を形成した（図１（ｃ）参照）。
【００７５】次に、無電解銅めっき、電解銅めっきを行
い、２０μｍ厚の導体層７及びバイアホール８を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
い、２０μｍ厚の導体層７及びバイアホール８を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
【００７６】次に、導体層７をフォトエッチング法によ
りパターン加工し、導体配線層９を形成した（図１
（ｅ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
りパターン加工し、導体配線層９を形成した（図１
（ｅ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
【００７７】次に、導体配線層９の配線間に露出してい
る接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マンガ
ン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２０
ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
る接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マンガ
ン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２０
ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
【００７８】さらに、上記の操作を繰り返すことによ
り、複数の絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積層され
た多層プリント配線板１０が得られた。
り、複数の絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積層され
た多層プリント配線板１０が得られた。
【００７９】＜実施例１２＞ （多層プリント配線板の製造方法６）基板表面を酸化処
理した０．５ｍｍ厚のシリコンウエハ基板１１に、感光
性樹脂（フォトニース（東レ社製））をスピンコータに
て１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、６０分にてプリベ
ークを行い、感光性樹脂層を形成し、１ｋＷの超高圧水
銀灯にて、２００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で全面露光を行
い、さらに、１８０℃（３０分）、２５０℃（３０
分）、４００℃（１時間）のポストベークを行って約２
０μｍ厚の絶縁樹脂層１２を形成した（図２（ａ）参
照）。
理した０．５ｍｍ厚のシリコンウエハ基板１１に、感光
性樹脂（フォトニース（東レ社製））をスピンコータに
て１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、６０分にてプリベ
ークを行い、感光性樹脂層を形成し、１ｋＷの超高圧水
銀灯にて、２００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で全面露光を行
い、さらに、１８０℃（３０分）、２５０℃（３０
分）、４００℃（１時間）のポストベークを行って約２
０μｍ厚の絶縁樹脂層１２を形成した（図２（ａ）参
照）。
【００８０】次に、絶縁樹脂層１２の表面に、１００ｍ
ｌのアセトンに溶解した０．５ｇのベンゾフェノン溶液
を塗布し、溶媒を除去した。この基板を６０℃に加熱し
たＮ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドモノマー水溶液中に
浸漬し、窒素バブリングを行いながら絶縁樹脂層１２の
表面を１ｋＷ超高圧水銀灯により１時間照射した。反応
後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂と結合し
ていないポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド）を除
去し、絶縁樹脂層１２の表面に接着層１３を形成した
（図２（ａ）参照）。
ｌのアセトンに溶解した０．５ｇのベンゾフェノン溶液
を塗布し、溶媒を除去した。この基板を６０℃に加熱し
たＮ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドモノマー水溶液中に
浸漬し、窒素バブリングを行いながら絶縁樹脂層１２の
表面を１ｋＷ超高圧水銀灯により１時間照射した。反応
後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂と結合し
ていないポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド）を除
去し、絶縁樹脂層１２の表面に接着層１３を形成した
（図２（ａ）参照）。
【００８１】次に、無電解銅めっき、電解銅めっきを行
い、２０μｍ厚の導体層１４を形成した（図２（ｂ）参
照）。
い、２０μｍ厚の導体層１４を形成した（図２（ｂ）参
照）。
【００８２】次に、導体層１４をフォトエッチング法に
よりパターン加工し、導体配線層１５を形成した（図２
（ｃ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
よりパターン加工し、導体配線層１５を形成した（図２
（ｃ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
【００８３】次に、導体配線層１５の配線間に露出して
いる接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マン
ガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２
０ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
いる接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マン
ガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２
０ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
【００８４】次に、感光性樹脂（フォトニース（東レ社
製））をスピンコータにて１０００ｒｐｍで塗布し、８
０℃、６０分にてプリベークを行い、２０μｍ厚の感光
性樹脂層１６を形成した（図２（ｄ）参照）。
製））をスピンコータにて１０００ｒｐｍで塗布し、８
０℃、６０分にてプリベークを行い、２０μｍ厚の感光
性樹脂層１６を形成した（図２（ｄ）参照）。
【００８５】次に、感光性樹脂層１６に所定のバイアパ
ターンを有するマスクを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯
にて、２００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光を行い、専用
現像液にて、スプレー現像を行い、さらに、１８０℃
（３０分）、２５０℃（３０分）、４００℃（１時間）
のポストベークを行い、５０μｍ径のバイアホール形成
孔１８及び絶縁樹脂層１７を形成した（図２（ｅ）参
照）。
ターンを有するマスクを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯
にて、２００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光を行い、専用
現像液にて、スプレー現像を行い、さらに、１８０℃
（３０分）、２５０℃（３０分）、４００℃（１時間）
のポストベークを行い、５０μｍ径のバイアホール形成
孔１８及び絶縁樹脂層１７を形成した（図２（ｅ）参
照）。
【００８６】次に、絶縁樹脂層１７の表面に、１００ｍ
ｌのアセトンに溶解した０．５ｇのベンゾフェノン溶液
を塗布し、溶媒を除去した。この基板を６０℃に加熱し
たＮ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドモノマー水溶液中に
浸漬し、窒素バブリングを行いながら絶縁樹脂層１７の
表面を１ｋＷ超高圧水銀灯により１時間照射した。反応
後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂と結合し
ていないポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド）を除
去し、絶縁樹脂層１７の表面に接着層１９を形成した
（図２（ｅ）参照）。
ｌのアセトンに溶解した０．５ｇのベンゾフェノン溶液
を塗布し、溶媒を除去した。この基板を６０℃に加熱し
たＮ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドモノマー水溶液中に
浸漬し、窒素バブリングを行いながら絶縁樹脂層１７の
表面を１ｋＷ超高圧水銀灯により１時間照射した。反応
後、７０℃の温水にて洗浄し、下地の絶縁樹脂と結合し
ていないポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド）を除
去し、絶縁樹脂層１７の表面に接着層１９を形成した
（図２（ｅ）参照）。
【００８７】次に、無電解銅めっき、電解銅めっきを行
い、２０μｍ厚の導体層２０及びバイアホール２１を形
成した（図２（ｆ）参照）。
い、２０μｍ厚の導体層２０及びバイアホール２１を形
成した（図２（ｆ）参照）。
【００８８】次に、導体層２０をフォトエッチング法に
よりパターン加工し、導体配線層２２を形成した（図２
（ｇ）参照）。導体幅精度は２５μｍ±３μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
よりパターン加工し、導体配線層２２を形成した（図２
（ｇ）参照）。導体幅精度は２５μｍ±３μｍにおさま
り、直線性も良好であった。
【００８９】次に、導体配線層２２の配線間に露出して
いる接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マン
ガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２
０ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
いる接着層を除去するために、５０℃に加熱した過マン
ガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２
０ｇ／ｌ）水溶液中にて３０秒間酸化処理を行った。
【００９０】さらに、上記の操作を繰り返すことによ
り、複数の絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積層され
た多層プリント配線板２３が得られた。
り、複数の絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積層され
た多層プリント配線板２３が得られた。
【００９１】
【発明の効果】本発明によれば、接着層を形成する樹脂
が下地の絶縁樹脂層と化学的共有結合により強固に結合
されているため、絶縁樹脂層と接着層の層間剥離が発生
しない。さらに、接着層は極性基を有する樹脂で形成さ
れているため、接着層上に形成された導体層は配位結合
を形成し、接着強度の優れた導体配線層が形成でき、導
体配線層の配線幅のばらつきが小さく、導体配線層との
接着強度の良好な、信頼性の高い多層プリント配線板が
得られる。
が下地の絶縁樹脂層と化学的共有結合により強固に結合
されているため、絶縁樹脂層と接着層の層間剥離が発生
しない。さらに、接着層は極性基を有する樹脂で形成さ
れているため、接着層上に形成された導体層は配位結合
を形成し、接着強度の優れた導体配線層が形成でき、導
体配線層の配線幅のばらつきが小さく、導体配線層との
接着強度の良好な、信頼性の高い多層プリント配線板が
得られる。
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施例７から実施
例１１を示す多層プリント配線板の構成及び製造工程を
部分断面図で表した説明図である。
例１１を示す多層プリント配線板の構成及び製造工程を
部分断面図で表した説明図である。
【図２】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施例１２を示す
多層プリント配線板の構成及び製造工程を部分断面図で
表した説明図である。
多層プリント配線板の構成及び製造工程を部分断面図で
表した説明図である。
１……絶縁性基板 ２……配線パターン ３、１６……感光性樹脂層 ４、１２、１７……絶縁樹脂層 ５、１８……バイアホール形成孔 ６、１３、１９……接着層 ７、１４、２０……導体層 ８、２１……バイアホール ９、１５、２２……導体配線層 １０、２３……多層プリント配線板 １１……シリコンウエハ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名取 恵子 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 小久保 和浩 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】絶縁性基板上に、導体配線層と絶縁樹脂層
とが交互に形成されている多層プリント配線板におい
て、前記絶縁樹脂層の表面に、該絶縁樹脂層と化学的共
有結合を有する接着層が形成されていることを特徴とす
る多層プリント配線板。 - 【請求項２】前記接着層が極性基を有する樹脂層からな
ることを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配線
板。 - 【請求項３】前記絶縁樹脂層表面に加熱処理を行い、該
絶縁樹脂層上にラジカル活性点を設け、そのラジカル活
性点を開始点として、モノマーを重合することにより前
記接着層を形成することを特徴とする請求項１または２
記載の多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項４】前記絶縁樹脂層表面に光照射を行い、該絶
縁樹脂層上にラジカル活性点を設け、そのラジカル活性
点を開始点として、モノマーを重合することにより前記
接着層を形成することを特徴とする請求項１または２記
載の多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項５】前記絶縁樹脂層表面にγ線照射を行い、該
絶縁樹脂層上にラジカル活性点を設け、そのラジカル活
性点を開始点として、モノマーを重合することにより前
記接着層を形成することを特徴とする請求項１または２
記載の多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項６】前記絶縁樹脂層表面に電子線照射を行い、
該絶縁樹脂層上にラジカル活性点を設け、そのラジカル
活性点を開始点として、モノマーを重合することにより
前記接着層を形成することを特徴とする請求項１または
２記載の多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項７】前記絶縁樹脂層表面にプラズマ処理を行
い、該絶縁樹脂層上にラジカル活性点を設け、そのラジ
カル活性点を開始点として、モノマーを重合することに
より前記接着層を形成することを特徴とする請求項１ま
たは２記載の多層プリント配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8268344A JPH09214140A (ja) | 1995-11-29 | 1996-10-09 | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31055695 | 1995-11-29 | ||
| JP7-310556 | 1995-11-29 | ||
| JP8268344A JPH09214140A (ja) | 1995-11-29 | 1996-10-09 | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09214140A true JPH09214140A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=26548279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8268344A Pending JPH09214140A (ja) | 1995-11-29 | 1996-10-09 | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09214140A (ja) |
Cited By (11)
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-
1996
- 1996-10-09 JP JP8268344A patent/JPH09214140A/ja active Pending
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