JPH09218409A

JPH09218409A - 配向膜の配向処理方法およびその装置

Info

Publication number: JPH09218409A
Application number: JP5103196A
Authority: JP
Inventors: Norio Asagi; 典生浅儀; Kiyohiro Nakabayashi; 聖裕中林; So Kuwabara; 創桑原; Taizo Ebara; 泰蔵江原
Original assignee: II H C KK; Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: II H C KK; Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1996-02-13
Filing date: 1996-02-13
Publication date: 1997-08-19

Abstract

(57)【要約】【課題】配向処理の際のパーティクルの発生を防止す
ることができる配向処理方法およびその装置を提供す
る。【解決手段】液晶分子を配向させるための配向膜６を
基板上に形成した配向膜付基板２の配向膜６に対して、
イオン源１２からのイオンビーム１４の照射と、紫外線
ランプ２２からの紫外線２４の照射とを行う。両照射
は、どちらが先でも同時でも良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば液晶ディ
スプレイの製造等に利用されるものであって、液晶分子
を所定方向に配向させるための配向膜に対して配向処理
を施す、配向膜の配向処理方法およびその装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶分子を基板の表面において所定方向
に配向させるために、基板の表面に、ポリイミド等の高
分子有機材料から成る配向膜を塗布することが行われて
いる。

【０００３】この場合、基板の表面に単に配向膜を塗布
しただけでは、液晶分子が基板の表面に対して単に平行
に配列するだけで、液晶分子を所定方向に配列させるこ
とはできない。

【０００４】そこで従来は、配向膜に、その表面をナイ
ロンやレーヨン等のラビング布で一定方向に機械的にラ
ビングする（擦る）ことによって配向処理を施し、これ
によって液晶分子をラビングした方向に配列させること
が行われている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
にラビングによって配向膜に配向処理を施す方法では、
ラビングの際にパーティクル（ゴミ）が発生して、これ
が液晶ディスプレイの特性を悪化させ、ひいては歩留ま
りを低下させる要因になるという問題がある。例えば、
パーティクルが発生してそれが配向膜に付着している
と、それによって表示むらが生じて表示品質が低下した
り、電気的にショートする個所が生じたりする。

【０００６】そこでこの発明は、配向処理の際のパーテ
ィクルの発生を防止することができる配向処理方法およ
びその装置を提供することを主たる目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の配向処理方法は、液晶分子を配向させる
ための配向膜を基板上に形成した配向膜付基板の配向膜
に対して、イオンビームの照射と紫外線の照射とを行う
ことを特徴とする。

【０００８】上記イオンビームの照射と紫外線の照射
は、どちらを先に行っても良いし、互いに同時に行って
も良い。

【０００９】配向膜にイオンビームを照射することで、
配向膜に配向処理を施すことができる。これは、イオ
ンビームを照射することで、配向膜表面が改質され、配
向膜を構成する高分子の主鎖または側鎖が一定方向に並
び、それに沿って液晶分子が配向するようになる、あ
るいはイオンビーム照射によるスパッタリングによって
配向膜の表面に多数の微小な溝状のものが形成され、そ
れに沿って液晶分子が配向するようになるためであると
考えられる。このようにこの発明の配向処理方法では、
従来のラビング布で擦るラビング法とは違って、非接触
で配向膜に配向処理を施すことができるため、パーティ
クルの発生を防止することができる。

【００１０】しかも、紫外線照射を併用することによっ
て、イオンビーム照射のみでは小さかったプレティルト
角（液晶分子が配向膜表面より起き上がる角度）を大き
くすることができる。これは、紫外線照射によって配向
膜表面の濡れ性が変化し、それによって液晶分子が起き
上がりやすくなるからであると考えられる。

【００１１】また、この発明に係る配向処理装置は、上
記のような配向処理方法の実施に適している。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１は、この発明に係る配向処理
方法を実施する配向処理装置の一例を示す断面図であ
る。

【００１３】この配向処理装置は、図示しない真空排気
装置によって所定の真空度に（例えば１０^-5〜１０^-7Ｔ
ｏｒｒ程度に）排気される真空容器２０と、この真空容
器２０内に設けられていて、配向処理を施こそうとする
配向膜付基板２を保持するホルダ８と、真空容器２０に
取り付けられていてこのホルダ８上の配向膜付基板２の
配向膜６にイオンビーム１４を照射するイオン源１２
と、この真空容器２０内に設けられていてホルダ８上の
配向膜付基板２の配向膜６に紫外線２４を照射する紫外
線源の一例としての紫外線ランプ２２とを備えている。
更にこの例では、真空容器２０内に、ホルダ８上の配向
膜付基板２の配向膜６に電子１８を供給するフィラメン
ト１６を設けている。

【００１４】配向膜付基板２は、この例ではガラス基板
４の表面にポリイミド等の有機高分子材料から成る配向
膜６を塗布したものである。なお、液晶ディスプレイを
構成する場合は、ガラス基板４と配向膜６との間に、Ｉ
ＴＯ（スズをドープした酸化インジウム）等から成る透
明電極が形成される。

【００１５】ホルダ８は、この例では、配向膜６の表面
に対するイオンビーム１４の照射角度θを変えることが
できるように、中心軸１０を中心にして矢印Ａのように
回転可能にしている。ホルダ８は、固定でも良いけれど
も、この実施例のようにその傾き角度を可変にして配向
膜６の表面に対するイオンビーム１４の照射角度θを可
変にするのが好ましく、そのようにすれば後述する配向
秩序度およびプレティルト角を制御することができる。
照射角度θを可変にするには、ホルダ８の角度を可変に
する代わりに、あるいはそれと共に、イオン源１２の角
度を可変にしても良い。

【００１６】イオンビーム１４には、そのイオンが配向
膜６と反応して配向膜６の性質を変えないようにするた
めに、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガ
スイオンビームを用いるのが好ましい。

【００１７】イオンビーム１４の加速エネルギーは、特
に限定はなく、例えば１００ｅＶ〜５００ｅＶ程度で良
い。

【００１８】紫外線２４の波長は、例えば１８５ｎｍ〜
４００ｎｍ程度であるが、これに限定されるものではな
い。

【００１９】配向膜６に対するイオンビーム照射の際に
は、それと同時に、フィラメント１６から引き出した電
子１８を配向膜６に供給して、イオンビーム１４による
正電荷を中和させるのが好ましい。これは、イオンビー
ム１４による正電荷が配向膜６の表面に溜まると、それ
がイオンビーム１４の飛来を邪魔して、配向膜６の処理
が困難になったり不均一になったりするので、更には配
向処理後に液晶セルを構成したときに電荷によって液晶
分子の配向が乱されたりするので、それを電子供給によ
って防止することができるからである。

【００２０】配向処理に際しては、配向膜付基板２の配
向膜６に対して、イオンビーム１４の照射と紫外線２４
の照射とを行う。その場合、配向膜６にイオンビーム
１４を照射した後に紫外線２４を照射しても良いし、
その逆に配向膜６に紫外線２４を照射した後にイオンビ
ーム１４を照射しても良いし、あるいはイオンビーム
１４の照射と紫外線２４の照射とを同時に行っても良
い。

【００２１】上記のようにして配向膜６にイオンビーム
１４を照射することで、配向膜６に配向処理を施すこと
ができる。これは、イオンビーム１４を照射すること
で、配向膜表面が改質され、配向膜６を構成する高分子
の主鎖または側鎖が一定方向に並び、それに沿って液晶
分子が配向するようになる、あるいはイオンビーム照
射によるスパッタリングによって配向膜６の表面に多数
の微小な溝状のものが形成され、それに沿って液晶分子
が配向するようになる、ためであると考えられる。

【００２２】上記の場合、配向膜表面に対するイオンビ
ーム１４の照射角度θは小さい方が好ましい。そのよう
にすれば、イオンビーム照射によって大きな配向秩序度
が得られるからである。イオンビーム１４の照射角度θ
と液晶の配向秩序度との関係を測定した結果の一例を図
２に示す。この場合は紫外線照射は行っていない。配向
秩序度とは、どの程度の割合の液晶分子が同一方向に配
向しているかを示すものであり、１の場合が１００％で
ある。比較のために、ラビング法による結果も示した。

【００２３】この図から、イオンビーム１４の照射角度
θが小さいほど、配向秩序度が大きくなることが分か
る。特に、照射角度θを６０度以下に、その内でも特に
３０度程度以下にすると、ラビング法に匹敵するほどの
大きな配向秩序度を得ることができることが分かる。こ
れは、イオンビーム１４の照射角度θが小さいほど、
配向膜６を構成する高分子の並び方に強い方向性を付け
ることができる、あるいはイオンビーム照射によるス
パッタリングによって配向膜６の表面に形成される多数
の微小な溝状のものがイオンビーム照射方向に細長くな
る、からであると考えられる。

【００２４】このようにこの発明の配向処理方法では、
従来のラビング布で擦るラビング法とは違って、非接触
で配向膜６に配向処理を施すことができるため、パーテ
ィクルの発生を防止することができる。

【００２５】しかもそれだけではなく、紫外線照射を併
用することによって、イオンビーム照射のみでは小さか
ったプレティルト角を大きくすることができる。プレテ
ィルト角は、液晶分子が配向膜の表面より起き上がる角
度のことを言い、液晶ディスプレイにおいては、特にＳ
ＴＮ−ＬＣＤ（スーパーツイストネマティック液晶ディ
スプレイ）においては、また最近ではＴＦＴ−ＬＣＤに
おいても、液晶の配向不良、更にはそれに起因する表示
むら等を防止するために、プレティルト角を大きくする
ことが重要である。

【００２６】紫外線照射の有無によるプレティルト角の
変化を測定した結果の一例を図３に示す。この図は、イ
オンビーム照射後に紫外線照射を行った結果を例示した
が、その逆の順序でも、あるいは同時照射でも、これと
ほぼ同様の結果が得られた。また比較のために、ラビン
グ法による結果も示した。

【００２７】この図から、イオンビーム照射と紫外線照
射を併用すると、プレティルト角が大きくなることが分
かる。特に、イオンビーム１４の照射角度θを６０度以
下に、その内でも特に３０度程度以下にすると、ラビン
グ法に匹敵するほどの大きなプレティルト角を得ること
ができることが分かる。これは、紫外線照射によって配
向膜表面の濡れ性が良くなり、それによって液晶分子が
起き上がりやすくなるからであると考えられる。なお、
上記イオンビーム照射による配向処理作用と、紫外線照
射によるプレティルト角増大作用とは、互いに相手の作
用を減殺することはないので、どちらを先に行っても、
また同時に行っても良いのは前述のとおりである。

【００２８】以上のようにこの発明の配向処理方法によ
れば、イオンビーム照射と紫外線照射を併用することに
よって、ラビング法とは違って、パーティクルの発生を
防止することができる。その結果、液晶ディスプレイの
歩留りの向上および表示品質の向上を図ることができ
る。しかも、イオンビーム照射単独の場合よりもプレテ
ィルト角を大きくすることができるので、液晶の配向不
良、それに起因する表示むら等を防止することができ、
この意味からも表示品質の向上を図ることができる。

【００２９】また、図１に示した実施例の配向処理装置
によれば、一つの真空容器２０内で配向膜付基板２に対
するイオンビーム照射と紫外線照射とを行うことができ
るので、装置を非常に小型化かつ簡略化することができ
る。

【００３０】次に、上記のような配向処理方法の実施に
適している配向処理装置の他の実施例を説明する。図４
は、この発明に係る配向処理装置の他の例を示す横断面
図である。図５は、図４の線ａ−ａに沿う縦断面図であ
る。

【００３１】この配向処理装置は、前述したような配向
膜付基板２に真空中で紫外線２４を照射する紫外線照射
装置３０と、同配向膜付基板２に真空中でイオンビーム
１４を照射するイオンビーム照射装置５０と、この紫外
線照射装置３０とイオンビーム照射装置５０との間に設
けられていて真空雰囲気中において配向膜付基板２を紫
外線照射装置３０とイオンビーム照射装置５０との間で
可逆的に搬送する基板搬送装置４０とを備えている。更
にこの実施例では、基板搬送装置４０に接続されていて
基板搬送装置４０との間で基板２を受け渡しする基板供
給装置６０を備えている。

【００３２】紫外線照射装置３０は、この実施例では、
真空排気装置３４によって真空に（例えば１０^-5〜１０
^-7Ｔｏｒｒ程度に）排気される真空容器３２と、この真
空容器３２内に設けられていて配向膜付基板２を保持す
るホルダ３６と、このホルダ３６上の配向膜付基板２の
配向膜６（図１参照。以下同じ）に紫外線２４を照射す
る前述したような紫外線ランプ２２とを有している。

【００３３】イオンビーム照射装置５０は、この実施例
では、真空排気装置５４によって真空に（例えば１０^-5
〜１０^-7Ｔｏｒｒ程度に）排気される真空容器５２と、
この真空容器５２内に設けられていて基板２を保持する
前述したようなホルダ８と、このホルダ８の上方にホル
ダ８に向けて設けられていて、ホルダ８上の配向膜付基
板２の配向膜６にイオンビーム１４を照射する前述した
ようなイオン源１２と、同配向膜６に電子１８を供給す
る前述したようなフィラメント１６とを有している。

【００３４】ホルダ８は、この実施例では、真空シール
部５７を介して真空容器５２を貫通する連結部５８の一
端部に取り付けられており、この連結部５８の他端部に
はホルダ駆動装置５６が接続されている。ホルダ駆動装
置５６によってホルダ８を、その回転軸１０を中心にし
て矢印Ａのように可逆的に回転可能である。ホルダ駆動
装置５６は、電動式が好ましいが、手動式等でも良い。

【００３５】ホルダ８は、固定でも良いけれども、この
実施例のようにその傾き角度を可変にして配向膜６の表
面に対するイオンビーム１４の照射角度θを可変にする
のが好ましく、そのようにすれば前述した配向秩序度お
よびプレティルト角を制御することができる。照射角度
θを可変にするには、ホルダ８の角度を可変にする代わ
りに、あるいはそれと共に、イオン源１２の角度を可変
にしても良いのは前述のとおりである。

【００３６】基板搬送装置４０は、この実施例では、真
空排気装置４４によって真空に（例えば１０^-5〜１０^-7
Ｔｏｒｒ程度に）排気される真空容器４２と、この真空
容器４２内に設けられていて多関節のアーム４８を有す
る搬送ロボット４６とを有している。搬送ロボット４６
は、この例では、上下方向に１自由度と、水平面内で３
自由度とを有する、合計４自由度のロボットである。

【００３７】この搬送ロボット４６によって、基板供給
装置６０内の後述するカセット６６から未処理の基板２
を１枚取り出してそれを紫外線照射装置３０内のホルダ
３６上に装着し、紫外線照射後の配向膜付基板２をホル
ダ３６から取り外してそれをイオンビーム照射装置５０
内のホルダ８上に装着し、イオンビーム照射後の配向膜
付基板２をホルダ８から取り外してそれを基板供給装置
６０内のカセット６６に戻すことができる。またこれと
は逆に、カセット６６から取り出した未処理の配向膜付
基板２をイオンビーム照射装置５０内のホルダ８に装着
し、イオンビーム照射後の配向膜付基板２をホルダ８か
ら取り外してそれを紫外線照射装置３０内のホルダ３６
に装着し、紫外線照射後の配向膜付基板２をカセット６
６に戻すことも可能である。いずれの場合も、配向膜付
基板２の搬送は全て真空雰囲気中で行われる。但し、配
向膜付基板２の搬送方向は、上記二つの内、いずれか一
方のみとしても良い。

【００３８】基板供給装置６０は、この実施例では、真
空排気装置６４によって真空に（例えば１０^-2〜１０^-3
Ｔｏｒｒ程度に）排気される真空容器６２を有してお
り、この真空容器６２内に、複数枚の配向膜付基板２を
収納したカセット６６が装着される。６８はカセット６
６の出し入れ用の扉である。

【００３９】上記真空容器３２、４２、５２および６２
は、真空弁７０〜７２を介して図４に示すように互いに
Ｔ字状に接続されている。各真空弁７０〜７２は、そこ
を、配向膜付基板２を載置したアーム４８が通過可能な
ものである。

【００４０】この実施例の配向処理装置によれば、前述
した配向処理方法の実施が可能である。しかも、紫外線
照射とイオンビーム照射の連続処理が可能であり、かつ
両処理および基板搬送の全てを真空雰囲気中において行
うことができるので、スループット（配向膜付基板２の
単位時間当たりの処理能力）が高く、量産性に富んでい
る。また、イオンビーム照射と紫外線照射とを互いに別
の部屋で行うので、一方の処理の際に雰囲気が変化して
も、それが他方の処理に全く影響を与えないという利点
がある。例えば、紫外線照射の際に配向膜６からガス
（アウトガス）が放出され、それが真空容器３２内の真
空度低下をもたらしても、それが真空容器５２の真空度
低下にはつながらないので、真空容器５２内におけるイ
オンビーム照射に何の悪影響も及ぼさない。

【００４１】なお、基板供給装置６０内にカセット６６
を装着するようにしていて、複数枚の配向膜付基板２を
真空を破らずに連続処理することができるので、この意
味からもスループットが向上する。ただし、このように
せずに、基板供給装置６０を単なる真空予備室（エアロ
ック室）にして、そこを通して配向膜付基板２を１枚ず
つ大気中との間で搬出入するようにしても良い。

【００４２】また、基板搬送手段として、搬送ロボット
４６の代わりに、配向膜付基板２を載置して搬送する可
逆転式の搬送ベルトを設けても良い。

【００４３】図６は、この発明に係る配向処理装置の更
に他の例を示す縦断面図である。

【００４４】この配向処理装置は、真空（例えば１０^-5
〜１０^-7Ｔｏｒｒ程度）に排気される処理室８０と、こ
の処理室８０の左右両側に真空弁９１、９２をそれぞれ
介して隣接されていて、処理室８０と大気中との間で配
向膜付基板２の出し入れを行うための二つの真空予備室
８２、８４とを備えている。真空予備室８２、８４と大
気中との間には真空弁９０、９３が設けられており、両
真空予備室８２、８４は例えば１０^-2〜１０^-3Ｔｏｒｒ
程度に真空排気される。

【００４５】処理室８０、真空予備室８２および８４内
には、基板搬送手段の一例として、配向膜付基板２を例
えば矢印Ｂ方向に搬送する搬送ベルト８６〜８８が設け
られている。但し、配向膜付基板２の搬送方向は、上記
矢印Ｂとは逆方向でも良いし、あるいは可逆転式にして
上記Ｂ方向とその逆方向の両方向に搬送可能にしても良
い。

【００４６】処理室８０における搬送ベルト８７の搬送
経路上には、搬送中の配向膜付基板２の配向膜６にイオ
ンビーム１４を照射する前述したようなイオン源１２が
設けられている。このイオン源１２は、固定でも良いけ
れども、その傾き角度を可変にするのが好ましく、その
ようにすれば、配向膜６の表面に対するイオンビーム１
４の照射角度θを可変にすることができ、それによって
前述した配向秩序度およびプレティルト角を制御するこ
とができる。

【００４７】更に、処理室８０における搬送ベルト８７
の搬送経路上には、搬送中の配向膜付基板２の配向膜６
に紫外線２４を照射する前述したような紫外線ランプ２
２が設けられている。

【００４８】この配向処理装置によれば、搬送方向を
上記矢印Ｂ方向にすることによって、搬送ベルト８７上
の配向膜付基板２の配向膜６にイオンビーム１４を照射
した後に紫外線２４を照射する処理を、あるいは搬送
方向を上記Ｂとは逆方向にすることによって、紫外線２
４を照射した後にイオンビーム１４を照射する処理を、
更にはイオン源１２と紫外線ランプ２２とを互いに近
づけることによって、搬送方向に拘わらず、イオンビー
ム１４の照射と紫外線２４の照射とを同時に行う処理
を、それぞれ実施することができる。

【００４９】このようにこの実施例の配向処理装置によ
れば、前述した配向処理方法の実施が可能である。しか
も、紫外線照射とイオンビーム照射の連続処理が可能で
あり、かつ両処理および基板搬送の全てを真空雰囲気中
において行うことができるので、スループットが高く、
量産性に富んでいる。また、一つの処理室８０内で配向
膜付基板２に対するイオンビーム照射と紫外線照射とを
行うことができるので、装置を小型化することができ
る。

【００５０】なお、基板搬送手段として、上記搬送ベル
ト８６〜８８の代わりに、多数のローラを設けても良
い。また、必要に応じて、配向膜付基板２をトレイに入
れて搬送するようにしても良い。

【００５１】

【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。

【００５２】請求項１記載の配向処理方法によれば、イ
オンビーム照射と紫外線照射を併用することによって、
ラビング法とは違って、パーティクルの発生を防止する
ことができる。その結果、液晶ディスプレイの歩留りの
向上および表示品質の向上を図ることができる。しか
も、イオンビーム照射単独の場合よりもプレティルト角
を大きくすることができるので、液晶の配向不良、それ
に起因する表示むら等を防止することができ、この意味
からも表示品質の向上を図ることができる。

【００５３】請求項２記載の配向処理方法によれば、配
向膜表面に対するイオンビームの照射角度を６０度以下
にすることによって、より大きな配向秩序度およびプレ
ティルト角を得ることができるという更なる効果を奏す
る。

【００５４】請求項３記載の配向処理装置によれば、請
求項１記載の配向処理方法を実施することができ、しか
も一つの真空容器内で配向膜付基板に対するイオンビー
ム照射と紫外線照射を行うことができるので、装置を非
常に小型化かつ簡略化することができる。

【００５５】請求項４記載の配向処理装置によれば、配
向膜表面に対するイオンビームの照射角度を可変にした
ので、配向膜の配向秩序度およびプレティルト角を制御
することができるという更なる効果を奏する。

【００５６】請求項５記載の配向処理装置によれば、請
求項１記載の配向処理方法を実施することができ、しか
も紫外線照射とイオンビーム照射の連続処理が可能であ
り、かつ両処理および基板搬送の全てを真空雰囲気中に
おいて行うことができるので、スループットが高く、量
産性に富んでいる。また、イオンビーム照射と紫外線照
射とを互いに別の部屋で行うので、一方の処理の際に雰
囲気が変化しても、それが他方の処理に全く影響を与え
ないという利点がある。

【００５７】請求項６記載の配向処理装置によれば、配
向膜表面に対するイオンビームの照射角度を可変にした
ので、配向膜の配向秩序度およびプレティルト角を制御
することができるという更なる効果を奏する。

【００５８】請求項７記載の配向処理装置によれば、請
求項１記載の配向処理方法を実施することができ、しか
も紫外線照射とイオンビーム照射の連続照射が可能であ
り、かつ両処理および基板搬送の全てを真空雰囲気中に
おいて行うことができるので、スループットが高く、量
産性に富んでいる。また、一つの真空容器内で配向膜付
基板に対するイオンビーム照射と紫外線照射とを行うこ
とができるので、装置を小型化することができる。

【００５９】請求項８記載の配向処理装置によれば、配
向膜表面に対するイオンビームの照射角度を可変にした
ので、配向膜の配向秩序度およびプレティルト角を制御
することができるという更なる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る配向処理方法を実施する配向処
理装置の一例を示す断面図である。

【図２】イオンビームの照射角度と配向秩序度との関係
を測定した結果の一例を示す図である。

【図３】紫外線照射の有無によるプレティルト角の変化
を測定した結果の一例を示す図である。

【図４】この発明に係る配向処理装置の他の例を示す横
断面図である。

【図５】図４の線ａ−ａに沿う縦断面図である。

【図６】この発明に係る配向処理装置の更に他の例を示
す縦断面図である。

【符号の説明】

２配向膜付基板４ガラス基板６配向膜８ホルダ１２イオン源１４イオンビーム２０真空容器２２紫外線ランプ２４紫外線３０紫外線照射装置４０基板搬送装置５０イオンビーム照射装置８０処理室８２，８４真空予備室８６〜８８搬送ベルト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者桑原創京都府京都市右京区梅津高畝町47番地日新電機株式会社内 (72)発明者江原泰蔵東京都日野市日野1164番地株式会社イー・エッチ・シー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶分子を配向させるための配向膜を基
板上に形成した配向膜付基板の配向膜に対して、イオン
ビームの照射と紫外線の照射とを行うことを特徴とする
配向膜の配向処理方法。
【請求項２】配向膜表面に対するイオンビームの照射
角度を６０度以下（０度を含まない）にする請求項１記
載の配向膜の配向処理方法。
【請求項３】真空に排気される真空容器と、この真空
容器内に設けられていて配向膜付基板を保持するホルダ
と、このホルダ上の配向膜付基板の配向膜にイオンビー
ムを照射するイオン源と、前記ホルダ上の配向膜付基板
の配向膜に紫外線を照射する紫外線源とを備えることを
特徴とする配向処理装置。
【請求項４】前記ホルダおよびイオン源の少なくとも
一方の角度を可変にして、前記配向膜表面に対するイオ
ンビームの照射角度を可変にしている請求項３記載の配
向処理装置。
【請求項５】（イ）真空に排気される真空容器と、こ
の真空容器内に設けられていて配向膜付基板を保持する
ホルダと、このホルダ上の配向膜付基板の配向膜にイオ
ンビームを照射するイオン源とを有するイオンビーム照
射装置と、（ロ）真空に排気される真空容器と、この真空容器内に
設けられていて配向膜付基板を保持するホルダと、この
ホルダ上の配向膜付基板の配向膜に紫外線を照射する紫
外線源とを有する紫外線照射装置と、（ハ）真空雰囲気中において前記配向膜付基板を前記イ
オンビーム照射装置から前記紫外線照射装置へまたはそ
の逆に搬送する基板搬送装置とを備えることを特徴とす
る配向処理装置。
【請求項６】前記イオンビーム照射装置のホルダおよ
びイオン源の少なくとも一方の角度を可変にして、配向
膜表面に対するイオンビームの照射角度を可変にしてい
る請求項５記載の配向処理装置。
【請求項７】真空に排気される処理室と、この処理室
内に設けられていて配向膜付基板を搬送する基板搬送手
段と、この基板搬送手段の搬送経路上に設けられていて
搬送中の配向膜付基板の配向膜にイオンビームを照射す
るイオン源と、前記基板搬送手段の搬送経路上に設けら
れていて搬送中の配向膜付基板の配向膜に紫外線を照射
する紫外線源と、前記処理室に真空弁を介して隣接され
ていて当該処理室と大気中との間で前記配向膜付基板の
出し入れを行うための真空予備室とを備えることを特徴
とする配向処理装置。
【請求項８】前記イオン源の角度を可変にして、配向
膜表面に対するイオンビームの照射角度を可変にしてい
る請求項７記載の配向処理装置。