JPH09219491A - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置Info
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- JPH09219491A JPH09219491A JP8022666A JP2266696A JPH09219491A JP H09219491 A JPH09219491 A JP H09219491A JP 8022666 A JP8022666 A JP 8022666A JP 2266696 A JP2266696 A JP 2266696A JP H09219491 A JPH09219491 A JP H09219491A
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】接続の信頼性の高いリードフレーム及びこれを
用いた半導体装置を提供することを目的としている。 【解決手段】本発明は、ボンディングされる接続周辺部
７ａとこれに一体的に形成された導出部分７ｂとを有
し、接続周辺部７ａの厚さが導出部分７ｂよりも厚く形
成されてなるリードフレーム７と、パッド４を有する半
導体チップ３と、導出部分７ｂと半導体チップ３との間
に配置されて、導出部分７ｂと半導体チップ３とを絶縁
すると供に固定する絶縁テープ２と、パッド４と前記接
続周辺部７ａとをボンディングするワイヤ５とを備えて
いる。
用いた半導体装置を提供することを目的としている。 【解決手段】本発明は、ボンディングされる接続周辺部
７ａとこれに一体的に形成された導出部分７ｂとを有
し、接続周辺部７ａの厚さが導出部分７ｂよりも厚く形
成されてなるリードフレーム７と、パッド４を有する半
導体チップ３と、導出部分７ｂと半導体チップ３との間
に配置されて、導出部分７ｂと半導体チップ３とを絶縁
すると供に固定する絶縁テープ２と、パッド４と前記接
続周辺部７ａとをボンディングするワイヤ５とを備えて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、リードフレーム
及び半導体装置に係り、特にテープを使用してインナー
リードを固定するリードフレームの改良に関する。
及び半導体装置に係り、特にテープを使用してインナー
リードを固定するリードフレームの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４（ａ）（ｂ）は、従来のリード・オ
ン・チップ（以下、ＬＯＣと記す）構造の半導体装置の
リードフレームのインナーリード付近の断面を示す拡大
図である。
ン・チップ（以下、ＬＯＣと記す）構造の半導体装置の
リードフレームのインナーリード付近の断面を示す拡大
図である。
【０００３】図４（ａ）に示すように、この半導体装置
では、インナーリード１が、例えば樹脂で形成された絶
縁テープ２により、半導体チップ３に接着、固定されて
いる。
では、インナーリード１が、例えば樹脂で形成された絶
縁テープ２により、半導体チップ３に接着、固定されて
いる。
【０００４】そして、インナーリード１の先端部分１ａ
と半導体チップ３上のパッド４とがボンディングワイヤ
（以下、ワイヤと記す）５でボンディングされている。
以下、インナーリード１上のボンディングが行われる部
分を接続周辺部と記す。特に図示していないが、周知の
ようにインナーリード１はパッケージから信号を導出す
る外部端子と一体成形され、リードフレームが形成され
ている。
と半導体チップ３上のパッド４とがボンディングワイヤ
（以下、ワイヤと記す）５でボンディングされている。
以下、インナーリード１上のボンディングが行われる部
分を接続周辺部と記す。特に図示していないが、周知の
ようにインナーリード１はパッケージから信号を導出す
る外部端子と一体成形され、リードフレームが形成され
ている。
【０００５】また、インナリード１は、均一な板厚の金
属板をエッチングまたはプレス加工することで所定のイ
ンナリード形状とされ、その厚みはリードフレーム１全
体で均一である。
属板をエッチングまたはプレス加工することで所定のイ
ンナリード形状とされ、その厚みはリードフレーム１全
体で均一である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、下記のような問題がある。図４（ｂ）
に示すように、ＬＯＣ構造のインナーリード１は絶縁テ
ープ２上にあるため、ボンディングツール６によるイン
ナーリード１側へのワイヤボンディング時、接続周辺部
１が沈みこむ。この結果、ワイヤ５とインナーリード１
との接続ができない場合が生じるという問題があった。
つまり、絶縁テープ２を使用した場合のパッケージの信
頼性が低下する。そこで、ボンディング時におけるイン
ナーリード１の機械的強度を上げるために、フレーム厚
を厚くすることが考えられる。しかし、この方法は半導
体装置の薄型化に適さない。また、インナーリード１と
ワイヤ５の接続の信頼性を確保するため、インナーリー
ド１の幅をある適度太くすることも考えられる。しか
し、この方法では、今後益々進む高密度化に対応するこ
とができないという問題がある。また、ヒートスプレッ
ダ付きクヮッド・フラット・パッケージ（以下、ＨＱＦ
Ｐと記す）等のインナー・リード・ボンディングにおい
ても上記と同様な問題がある。
ような構成では、下記のような問題がある。図４（ｂ）
に示すように、ＬＯＣ構造のインナーリード１は絶縁テ
ープ２上にあるため、ボンディングツール６によるイン
ナーリード１側へのワイヤボンディング時、接続周辺部
１が沈みこむ。この結果、ワイヤ５とインナーリード１
との接続ができない場合が生じるという問題があった。
つまり、絶縁テープ２を使用した場合のパッケージの信
頼性が低下する。そこで、ボンディング時におけるイン
ナーリード１の機械的強度を上げるために、フレーム厚
を厚くすることが考えられる。しかし、この方法は半導
体装置の薄型化に適さない。また、インナーリード１と
ワイヤ５の接続の信頼性を確保するため、インナーリー
ド１の幅をある適度太くすることも考えられる。しか
し、この方法では、今後益々進む高密度化に対応するこ
とができないという問題がある。また、ヒートスプレッ
ダ付きクヮッド・フラット・パッケージ（以下、ＨＱＦ
Ｐと記す）等のインナー・リード・ボンディングにおい
ても上記と同様な問題がある。
【０００７】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、接続の信頼性の高いリ
ードフレーム及びこれを用いた半導体装置を提供するこ
とにある。
されたものであり、その目的は、接続の信頼性の高いリ
ードフレーム及びこれを用いた半導体装置を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、この発明のリードフレーム及び半導体
装置においては以下の手段を講じた。 （１）請求項１に記載した本発明のリードフレームは、
ワイヤがボンディングされる先端部分とこれに一体的に
形成された導出部分とを有し、前記先端部分の厚さが前
記導出部分よりも厚く形成されいる。
達成するために、この発明のリードフレーム及び半導体
装置においては以下の手段を講じた。 （１）請求項１に記載した本発明のリードフレームは、
ワイヤがボンディングされる先端部分とこれに一体的に
形成された導出部分とを有し、前記先端部分の厚さが前
記導出部分よりも厚く形成されいる。
【０００９】上記本発明のリードフレームにおいては、
前記先端部分が他の部分より厚いので、前記先端部分と
のボンディング時、従来のように前記先端部分が沈み込
むことをなくすことが可能となり、確実なボンディング
を行うことができる。 （２）請求項２に記載した本発明の半導体装置は、ボン
ディングされる先端部分とこれに一体的に形成された導
出部分とを有し、前記先端部分の厚さが前記導出部分よ
りも厚く形成されてなるリードフレームと、パッドを有
する半導体チップとを備えている。また、前記導出部分
と前記半導体チップとの間に配置されて、前記リードフ
レームを前記半導体チップに固定する絶縁テープと、前
記パッドと前記先端部分とを接続するボンディングワイ
ヤとを備えている。
前記先端部分が他の部分より厚いので、前記先端部分と
のボンディング時、従来のように前記先端部分が沈み込
むことをなくすことが可能となり、確実なボンディング
を行うことができる。 （２）請求項２に記載した本発明の半導体装置は、ボン
ディングされる先端部分とこれに一体的に形成された導
出部分とを有し、前記先端部分の厚さが前記導出部分よ
りも厚く形成されてなるリードフレームと、パッドを有
する半導体チップとを備えている。また、前記導出部分
と前記半導体チップとの間に配置されて、前記リードフ
レームを前記半導体チップに固定する絶縁テープと、前
記パッドと前記先端部分とを接続するボンディングワイ
ヤとを備えている。
【００１０】上記本発明の半導体装置においては、前記
先端部分の厚さが他の部分より厚く、その前記先端部分
と前記半導体チップとの間に前記絶縁テープが無いの
で、前記リードフレーム側のボンディング時の前記先端
部分の沈み込みがない。従って、ワイヤと前記先端部分
との接合強度が向上する。従って、接合部の信頼性が向
上する。
先端部分の厚さが他の部分より厚く、その前記先端部分
と前記半導体チップとの間に前記絶縁テープが無いの
で、前記リードフレーム側のボンディング時の前記先端
部分の沈み込みがない。従って、ワイヤと前記先端部分
との接合強度が向上する。従って、接合部の信頼性が向
上する。
【００１１】請求項３に記載した本発明の半導体装置
は、ボンディングされる先端部分とこれに一体的に形成
された導出部分とを有し、前記先端部分の厚さが前記導
出部分よりも厚く形成されてなるリードフレームと、パ
ッドを有する半導体チップとを備えている。前記導出部
分と前記半導体チップ及び前記先端部分と前記半導体チ
ップとのそれぞれの間に配置されて、前記リードフレー
ムを前記半導体チップに固定する絶縁テープと、前記パ
ッドと前記先端部分とを接続するボンディングワイヤと
を備えている。
は、ボンディングされる先端部分とこれに一体的に形成
された導出部分とを有し、前記先端部分の厚さが前記導
出部分よりも厚く形成されてなるリードフレームと、パ
ッドを有する半導体チップとを備えている。前記導出部
分と前記半導体チップ及び前記先端部分と前記半導体チ
ップとのそれぞれの間に配置されて、前記リードフレー
ムを前記半導体チップに固定する絶縁テープと、前記パ
ッドと前記先端部分とを接続するボンディングワイヤと
を備えている。
【００１２】上記本発明の半導体装置においては、前記
先端部分と前記半導体チップとの間の前記絶縁テープが
薄いので、前記リードフレーム側のボンディング時の前
記先端部分の沈み込みが小さい。従って、確実なボンデ
ィングを行うことができる。さらに、前記先端部分の下
部にも前記絶縁テープが存在するので、前記半導体チッ
プとリードフレームとの間に絶縁抵抗を確保することが
できる。
先端部分と前記半導体チップとの間の前記絶縁テープが
薄いので、前記リードフレーム側のボンディング時の前
記先端部分の沈み込みが小さい。従って、確実なボンデ
ィングを行うことができる。さらに、前記先端部分の下
部にも前記絶縁テープが存在するので、前記半導体チッ
プとリードフレームとの間に絶縁抵抗を確保することが
できる。
【００１３】また、請求項４に示すように、前記半導体
チップと前記先端部分の間の前記絶縁テープの厚さは、
前記半導体チップと前記導出部分との間の幅の８０％以
下となっている。
チップと前記先端部分の間の前記絶縁テープの厚さは、
前記半導体チップと前記導出部分との間の幅の８０％以
下となっている。
【００１４】上記本発明の半導体装置においては、前記
半導体チップと前記先端部分の間の前記絶縁テープの厚
さが、前記半導体チップと前記導出部分との間の幅の８
０％以下となっているので、前記半導体チップと前記先
端部分との間に十分な絶縁抵抗が確保され、及び確実な
ボンディングが行われる。
半導体チップと前記先端部分の間の前記絶縁テープの厚
さが、前記半導体チップと前記導出部分との間の幅の８
０％以下となっているので、前記半導体チップと前記先
端部分との間に十分な絶縁抵抗が確保され、及び確実な
ボンディングが行われる。
【００１５】また、請求項５に示すように、前記先端部
分と前記半導体チップとの間の絶縁テープの厚さと前記
先端部分の厚さとの和が、前記導出部分と前記半導体チ
ップとの間の前記絶縁テープの厚さと前記導出部分の厚
さとの和と同じとなっている。
分と前記半導体チップとの間の絶縁テープの厚さと前記
先端部分の厚さとの和が、前記導出部分と前記半導体チ
ップとの間の前記絶縁テープの厚さと前記導出部分の厚
さとの和と同じとなっている。
【００１６】上記本発明の半導体装置においては、前記
先端部分と前記半導体チップとの間の前記絶縁テープの
厚さと前記先端部分の厚さとの和が、前記導出部分と前
記半導体チップとの間の前記絶縁テープの厚さと前記導
出部分の厚さとの和と同じなので、前記リードフレーム
と前記絶縁テープの総厚の変化がなく、従って、加工、
ボンディング工程が容易となる。
先端部分と前記半導体チップとの間の前記絶縁テープの
厚さと前記先端部分の厚さとの和が、前記導出部分と前
記半導体チップとの間の前記絶縁テープの厚さと前記導
出部分の厚さとの和と同じなので、前記リードフレーム
と前記絶縁テープの総厚の変化がなく、従って、加工、
ボンディング工程が容易となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。尚、図４の従来例と同一箇
所には同一符号を付してその説明は省略し、異なる箇所
についてのみ説明する。 （第１の実施の形態）図１（ａ）は、本発明の第１の実
施の形態に係る半導体装置の上面図であり、図１（ｂ）
は図１（ａ）の１ｂー１ｂ線に沿う断面図である。
て図面を参照して説明する。尚、図４の従来例と同一箇
所には同一符号を付してその説明は省略し、異なる箇所
についてのみ説明する。 （第１の実施の形態）図１（ａ）は、本発明の第１の実
施の形態に係る半導体装置の上面図であり、図１（ｂ）
は図１（ａ）の１ｂー１ｂ線に沿う断面図である。
【００１８】図１（ａ）に示すように、半導体チップ３
上には、インナーリード７が絶縁テープ２によって接
着、固定されている。また、図１（ｂ）に示すように、
インナーリード７は接続周辺部７ａの厚みが他の部分よ
りも厚くなるような２段形状にされている。このような
形状は、例えば、予めインナーリード７の接続周辺部７
ａを除く部分を厚み方向にエッチィング除去するか、ま
たは接続周辺部７ａに所定の厚さの材料を接着すること
等により得られる。そして、絶縁テープ２はインナーリ
ード７の上記接続周辺部７ａからはずれた位置に設けら
れており、この絶縁テープ２はインナーリード７の接続
周辺部７ａとそれ以外の部分との厚さの差に相当する厚
みを有している。そして、ワイヤ５は上記インナード７
の接続周辺部７ａ上、すなわち、下部に絶縁テープ２が
存在していない箇所に接続されている。
上には、インナーリード７が絶縁テープ２によって接
着、固定されている。また、図１（ｂ）に示すように、
インナーリード７は接続周辺部７ａの厚みが他の部分よ
りも厚くなるような２段形状にされている。このような
形状は、例えば、予めインナーリード７の接続周辺部７
ａを除く部分を厚み方向にエッチィング除去するか、ま
たは接続周辺部７ａに所定の厚さの材料を接着すること
等により得られる。そして、絶縁テープ２はインナーリ
ード７の上記接続周辺部７ａからはずれた位置に設けら
れており、この絶縁テープ２はインナーリード７の接続
周辺部７ａとそれ以外の部分との厚さの差に相当する厚
みを有している。そして、ワイヤ５は上記インナード７
の接続周辺部７ａ上、すなわち、下部に絶縁テープ２が
存在していない箇所に接続されている。
【００１９】上記の実施の形態においては、インナーリ
ード７の接続周辺部７ａの厚さが他の部分よりも厚く、
かつ接続周辺部７ａの下部には絶縁テープ２が存在して
いないので、ワイヤボンディング時、従来のように接続
周辺部７ａが沈み込むことがなくなり、確実なボンディ
ングを行うことができる。従って、接合部の信頼性が向
上する。 （第２の実施の形態）図２は、本発明の第２の実施の形
態に係る半導体装置の断面図である。この第２の実施の
形態における半導体装置が、上記第１の実施の形態のも
のと異なっている点は、接続周辺部７ａの下部にも絶縁
テープ８が存在していることである。
ード７の接続周辺部７ａの厚さが他の部分よりも厚く、
かつ接続周辺部７ａの下部には絶縁テープ２が存在して
いないので、ワイヤボンディング時、従来のように接続
周辺部７ａが沈み込むことがなくなり、確実なボンディ
ングを行うことができる。従って、接合部の信頼性が向
上する。 （第２の実施の形態）図２は、本発明の第２の実施の形
態に係る半導体装置の断面図である。この第２の実施の
形態における半導体装置が、上記第１の実施の形態のも
のと異なっている点は、接続周辺部７ａの下部にも絶縁
テープ８が存在していることである。
【００２０】すなわち、この第２の実施の形態では、絶
縁テープ８が、接続周辺部７ａの下部に存在する膜厚の
薄い第１の部分８ａと、接続周辺部以外の部分の下部に
存在し及び第１の部分８ａよりも厚い膜厚を有する第２
の部分８ｂとから構成されている。
縁テープ８が、接続周辺部７ａの下部に存在する膜厚の
薄い第１の部分８ａと、接続周辺部以外の部分の下部に
存在し及び第１の部分８ａよりも厚い膜厚を有する第２
の部分８ｂとから構成されている。
【００２１】尚、上記のように膜厚の薄い第１の部分８
ａと厚い第２の部分８ｂとが一体化された絶縁テープ８
に変えて、膜厚の薄い絶縁テープと厚い絶縁テープの２
種類を用いるようにしてもよい。
ａと厚い第２の部分８ｂとが一体化された絶縁テープ８
に変えて、膜厚の薄い絶縁テープと厚い絶縁テープの２
種類を用いるようにしてもよい。
【００２２】上記の実施の形態においては、インナーリ
ード７の接続周辺部７ａの厚さが他の部分７ｂよりも厚
く、その下部に存在している絶縁テープ８の第１の部分
８ａの膜厚が薄いので、第１の実施の形態のものと同様
に、ワイヤボンディング時、従来のように接続周辺部が
沈み込むことがなくなり、確実なボンディングを行うこ
とができる。しかも、この第２の実施の形態のもので
は、インナーリード７の接続周辺部７ａの下部にも絶縁
テープ８の第１の部分８ａが存在しているので、半導体
チップ３とインナーリード７との間に十分な絶縁抵抗を
確保することができる。
ード７の接続周辺部７ａの厚さが他の部分７ｂよりも厚
く、その下部に存在している絶縁テープ８の第１の部分
８ａの膜厚が薄いので、第１の実施の形態のものと同様
に、ワイヤボンディング時、従来のように接続周辺部が
沈み込むことがなくなり、確実なボンディングを行うこ
とができる。しかも、この第２の実施の形態のもので
は、インナーリード７の接続周辺部７ａの下部にも絶縁
テープ８の第１の部分８ａが存在しているので、半導体
チップ３とインナーリード７との間に十分な絶縁抵抗を
確保することができる。
【００２３】尚、インナーリード７のフレーム厚を厚く
する部分７ａ、または、絶縁テープ８の厚さを薄くする
第１の部分８ａが少なくともインナーリード７の最先端
から１ｍｍ以下の先端部分であることが望ましい。これ
は、ボンディングが行われる部分から離れるほど効果が
小さくなるためである。また、インナーリード７のフレ
ーム厚を厚くする部分７ａ、または、絶縁テープ８の厚
さを薄くする第１の部分８ａがボンディングの行われる
インナーリード７の最先端から２００μｍの付近を含む
部分（接続周辺部）であることが特に望ましい。成形の
容易さの点を含めて考慮すると、この接続周辺部はイン
ナーリード７の最先端から５００μｍ程度までの先端部
分であることが望ましい。
する部分７ａ、または、絶縁テープ８の厚さを薄くする
第１の部分８ａが少なくともインナーリード７の最先端
から１ｍｍ以下の先端部分であることが望ましい。これ
は、ボンディングが行われる部分から離れるほど効果が
小さくなるためである。また、インナーリード７のフレ
ーム厚を厚くする部分７ａ、または、絶縁テープ８の厚
さを薄くする第１の部分８ａがボンディングの行われる
インナーリード７の最先端から２００μｍの付近を含む
部分（接続周辺部）であることが特に望ましい。成形の
容易さの点を含めて考慮すると、この接続周辺部はイン
ナーリード７の最先端から５００μｍ程度までの先端部
分であることが望ましい。
【００２４】次に、本発明の半導体装置において、イン
ナーリード７の接続周辺部７ａの厚さと他の部分７ｂの
厚さとの差ｂを種々変えた場合のピール強度比を測定し
た結果について説明する。図３（ａ）はその測定に用い
た本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図であ
る。図３（ｂ）はその結果を説明する図である。
ナーリード７の接続周辺部７ａの厚さと他の部分７ｂの
厚さとの差ｂを種々変えた場合のピール強度比を測定し
た結果について説明する。図３（ａ）はその測定に用い
た本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図であ
る。図３（ｂ）はその結果を説明する図である。
【００２５】図３（ａ）に示すように、前記差ｂが、前
記絶縁テープの第２の部分８ｂの厚さａと同じ場合のワ
イヤ５とインーナード７との接続強度、つまりピール強
度を１００とする。図３（ｂ）に示すように、前記厚さ
の差ｂを前記厚さａの８０％〜１０％とした場合のピー
ル強度と、前記１００としたピール強度との比をピール
強度比として示している。
記絶縁テープの第２の部分８ｂの厚さａと同じ場合のワ
イヤ５とインーナード７との接続強度、つまりピール強
度を１００とする。図３（ｂ）に示すように、前記厚さ
の差ｂを前記厚さａの８０％〜１０％とした場合のピー
ル強度と、前記１００としたピール強度との比をピール
強度比として示している。
【００２６】前記厚さの差ｂが、前記絶縁テープの第２
の部分８ｂの厚さａの１０％となった場合、つまり接続
周辺部の絶縁テープの第１の部分８ａの厚さｃが前記厚
さａの９０％となった場合、ピール強度比は１６とな
る。同じく前記差ｂが前記厚さａの２０％、つまり前記
厚さｃが前記厚さａの８０％となった場合、ピール強度
比は５３となり、ピール強度が著しく向上する。
の部分８ｂの厚さａの１０％となった場合、つまり接続
周辺部の絶縁テープの第１の部分８ａの厚さｃが前記厚
さａの９０％となった場合、ピール強度比は１６とな
る。同じく前記差ｂが前記厚さａの２０％、つまり前記
厚さｃが前記厚さａの８０％となった場合、ピール強度
比は５３となり、ピール強度が著しく向上する。
【００２７】また、前記差ｂ、前記厚さｃが供に前記厚
さａの５０％になった場合、ピール強度比は８４とな
る。前記差ｂ、前記厚さｃがそれぞれ前記厚さａの８０
％、２０％になった場合、ピール強度比は９６となる。
絶縁性とピール強度とのバランスの点から、前記差ｂが
前記厚さａの５０％〜８０％、つまり、前記厚さｃが前
記厚さａの８０％〜５０％が望ましい。
さａの５０％になった場合、ピール強度比は８４とな
る。前記差ｂ、前記厚さｃがそれぞれ前記厚さａの８０
％、２０％になった場合、ピール強度比は９６となる。
絶縁性とピール強度とのバランスの点から、前記差ｂが
前記厚さａの５０％〜８０％、つまり、前記厚さｃが前
記厚さａの８０％〜５０％が望ましい。
【００２８】また、接続周辺部のインナーリード７ａと
絶縁テープの第１の部分８ａとの厚さと、接続周辺部以
外のインナーリード７ｂと絶縁テープの第２の部分８ｂ
との厚さが同じ場合が望ましい。これは、インナーリー
ド７と絶縁テープ８の総厚の変化がないことによって、
加工、ボンディング工程が容易となるためである。
絶縁テープの第１の部分８ａとの厚さと、接続周辺部以
外のインナーリード７ｂと絶縁テープの第２の部分８ｂ
との厚さが同じ場合が望ましい。これは、インナーリー
ド７と絶縁テープ８の総厚の変化がないことによって、
加工、ボンディング工程が容易となるためである。
【００２９】尚、インナーリード７の下が半導体チップ
３である場合について説明したが、インナーリード７の
下が半導体チップ３でなくヒートスプレッダであるＨＱ
ＦＰに実施しても同様な効果がある。
３である場合について説明したが、インナーリード７の
下が半導体チップ３でなくヒートスプレッダであるＨＱ
ＦＰに実施しても同様な効果がある。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、接続の信頼性の高いリードフレーム及びこれを用い
た半導体装置を提供できる。
ば、接続の信頼性の高いリードフレーム及びこれを用い
た半導体装置を提供できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を
説明するための図。
説明するための図。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を
説明するための断面図。
説明するための断面図。
【図３】本発明の第１、第２の実施の形態に係る半導体
装置を説明するための図。
装置を説明するための図。
【図４】従来の半導体装置の一例を説明するための断面
図。
図。
１、７…インナーリード、 ２、８…絶縁テープ、 ３…半導体チップ、 ４…パッド、 ５…ワイヤ、 ７ａ…インナーリードの接続周辺部、 ７ｂ…インナーリードの接続周辺部以外の部分、 ８ａ…絶縁テープの第１の部分、 ８ｂ…絶縁テープの第２の部分。
Claims (5)
- 【請求項１】ワイヤがボンディングされる先端部分とこ
れに一体的に形成された導出部分とを有し、前記先端部
分の厚さが前記導出部分よりも厚く形成されてなること
を特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】ボンディングされる先端部分とこれに一体
的に形成された導出部分とを有し、前記先端部分の厚さ
が前記導出部分よりも厚く形成されてなるリードフレー
ムと、 パッドを有する半導体チップと、 前記導出部分と前記半導体チップとの間に配置されて、
前記リードフレームを前記半導体チップに固定する絶縁
テープと、 前記パッドと前記先端部分とを接続するボンディングワ
イヤとを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】ボンディングされる先端部分とこれに一体
的に形成された導出部分とを有し、前記先端部分の厚さ
が前記導出部分よりも厚く形成されてなるリードフレー
ムと、 パッドを有する半導体チップと、 前記導出部分と前記半導体チップ及び前記先端部分と前
記半導体チップとのそれぞれの間に配置されて、前記リ
ードフレームを前記半導体チップに固定する絶縁テープ
と、 前記パッドと前記先端部分とを接続するボンディングワ
イヤとを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】前記半導体チップと前記先端部分の間の前
記絶縁テープの厚さは、前記半導体チップと前記導出部
分との間の幅の８０％以下となっていることを特徴とす
る請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】前記先端部分と前記半導体チップとの間の
絶縁テープの厚さと前記先端部分の厚さとの和が、前記
導出部分と前記半導体チップとの間の前記絶縁テープの
厚さと前記導出部分の厚さとの和と同じであることを特
徴とする請求項３記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8022666A JPH09219491A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | リードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8022666A JPH09219491A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | リードフレーム及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219491A true JPH09219491A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12089183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8022666A Pending JPH09219491A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | リードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09219491A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004054089A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Seiko Epson Corporation | 圧電発振器およびその製造方法並びに携帯電話装置および電子機器 |
| US7123107B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-10-17 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator, manufacturing method thereof, and electronic device |
-
1996
- 1996-02-08 JP JP8022666A patent/JPH09219491A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004054089A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Seiko Epson Corporation | 圧電発振器およびその製造方法並びに携帯電話装置および電子機器 |
| US7123107B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-10-17 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator, manufacturing method thereof, and electronic device |
| US7408291B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-08-05 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator, manufacturing method thereof, and electronic device |
| CN100471037C (zh) | 2002-12-10 | 2009-03-18 | 精工爱普生株式会社 | 压电振荡器及其制造方法 |
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