JPS6242536Y2 - - Google Patents

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JPS6242536Y2
JPS6242536Y2 JP1981115225U JP11522581U JPS6242536Y2 JP S6242536 Y2 JPS6242536 Y2 JP S6242536Y2 JP 1981115225 U JP1981115225 U JP 1981115225U JP 11522581 U JP11522581 U JP 11522581U JP S6242536 Y2 JPS6242536 Y2 JP S6242536Y2
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JP
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bonding
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aluminum
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JP1981115225U
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JPS5820538U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は混成集積回路中のワイヤボンドのボン
デイング用アルミパツドの形状を改良し、ワイヤ
ボンドの信頼性を向上させたものたものである。
従来、混成集積回路装置の製造にあたつて、一
般にアルミパツド３は図示しない素材板から打抜
き等により「ダレ」つまり傾斜部分を有してお
り、第３図に示すようにそのダレ面３ａを厚膜基
板側に表面処理して例えば半田付等によつて固着
していた。しかし、同図ｂに示すようにボンデイ
ング面の傾きが生じやすく、第４図ａ〜ｃに示す
ようなボンデイング装置のウエツジ８との関係の
不具合が生じ、ボンデイング強度の劣化の要因と
なつていた。
本考案は上記欠点を解消できる混成集積回路装
置を提供することを目的とする。
ここで、従来のようにダレ面３ａを厚膜基板側
にして固着した場合、第３図ｂに示すようにボン
デイング面に傾きが生じる原因を解析した結果、
その主な原因は第５図ａに示すように、半田７の
表面張力は半田７とアルミパツド３とのぬれ界面
において、図中矢印で示すようにダレ面３ａの接
線方向に作用しており、そして、打抜き等により
発生するダレ面３ａの形状のばらつきによつて、
ぬれ界面の部分ごとに表面張力の大きさが異な
り、その為、全体のバランスが崩れる事によつ
て、前述したような傾きが生じている事を見出し
た。
そして、本考案はそのような事実に鑑みなされ
たものであつて、第２図に示すように、その形状
のばらつきの小さい非ダレ面３ｂを厚膜基板側に
して固着する事により、アルミパツド３の上面と
厚膜基板表面，半導体チツプ表面等の平行度を確
保しようとするものであり、本考案のようにして
固着する場合、第５図ｂに示すように、半田７の
表面張力は、半田７とアルミパツド３とのぬれ界
面の全周で均等に図中矢印で示すように下方に作
用する事になり、ボンデイング面の基板に対する
傾き、及びその傾きのばらつきを低減できる。
本考案の実施例を以下に示す。第１図に於て１
はNiメツキを施したアルミダイカストからなる
パツケージケースであり、２は厚膜基板で、シリ
コン系接着剤でケースに接着されている。３がア
ルミパツドで、第２図に示すようにプレスによる
ダレ面３ａをボンデイング面とし、非ダレ面（つ
まりダレ面のない反対側の面）３ｂに半田メツキ
をして、半田付により厚膜基板２に固定されてい
る。４はヒートシンクでケース１に半田付されて
おり、５のトランジスタチツプはヒートシンク４
に半田付されている。そして、アルミパツドとト
ランジスタチツプ５との間をアルミワイヤ６でボ
ンデイングしている。
そこで、上記構成によると、前述したように、
非ダレ面３ｂの形状のばらつきが小さい事から、
ボンデイング面の基板に対する傾き、及びその傾
きのばらつきを低減できる。尚、アルミパツド３
のダレ面３ａを厚膜基板側にした場合、ボンデイ
ング装置のウエツジがパツドに接触することによ
りボンデイング強度が劣化するものが約３％程度
あるが、アルミパツド３の非ダレ面３ｂを厚膜基
板側にした場合はウエツジがパツドに接触するこ
とは皆無に等しいことが本考案者等の実験により
明らかになつている。
以上述べた実施例では、トランジスタチツプ５
と厚膜基板２上のアルミパツド３のワイヤボンデ
イングのみ説明したが、本考案はアルミパツド間
のボンデイングにも適用できるし、厚膜基板以外
の所に位置するアルミパツドにも適用できること
は言うまでもない。
以上の述く本考案によれば、アルミパツドの非
ダレ面を厚膜基板側にすることにより、ボンデイ
ング面を厚膜基板と平行に保ち、かつボンデイン
グ装置のウエツジの面との平行度も確保できるた
め、ボンデイング条件が安定し、ボンデイングの
信頼性が向上するという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の概要を示すワイヤボンド部分
の側面図、第２図は本考案によるアルミパツドの
固定状態を示す断面図、第３図および第４図は従
来の不具合を説明するための図、第５図ａ及びｂ
は半田の表面張力の作用を説明する為のそれぞれ
従来及び本考案の断面図である。 １……パツケージケース、２……厚膜基板、３
……アルミパツド、３ａ……ダレ面、３ｂ……非
ダレ面、４……ヒートシンク、５……トランジス
タチツプ、６……アルミワイヤ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板上にアルミニウム製パツドをはんだ付け
    し、前記パツド上にアルミワイヤによりワイヤボ
    ンドを実施して混成集積回路を構成する装置にお
    いて、前記パツドの素材板からの打抜き等による
    傾斜部分をもつダレ面をボンデイング面とし、前
    記傾斜部分のない前記パツドの反対側の非ダレ面
    を基板側にしてはんだ付けすることを特徴とする
    混成集積回路装置。
JP1981115225U 1981-07-31 1981-07-31 混成集積回路装置 Granted JPS5820538U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1981115225U JPS5820538U (ja) 1981-07-31 1981-07-31 混成集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1981115225U JPS5820538U (ja) 1981-07-31 1981-07-31 混成集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5820538U JPS5820538U (ja) 1983-02-08
JPS6242536Y2 true JPS6242536Y2 (ja) 1987-10-31

Family

ID=29909492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1981115225U Granted JPS5820538U (ja) 1981-07-31 1981-07-31 混成集積回路装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003031767A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置

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JPS5820538U (ja) 1983-02-08

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