JPH09220560A - 超純水製造装置 - Google Patents

超純水製造装置

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JPH09220560A
JPH09220560A JP2661996A JP2661996A JPH09220560A JP H09220560 A JPH09220560 A JP H09220560A JP 2661996 A JP2661996 A JP 2661996A JP 2661996 A JP2661996 A JP 2661996A JP H09220560 A JPH09220560 A JP H09220560A
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wavelength
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Tsugi Abe
嗣 阿部
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雅彦 木暮
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Abstract

(57)【要約】 【課題】超純水中のΤOC濃度の増加をほぼ防止し、溶
存酸素濃度を低減した、運転コストの安価な超純水製造
装置を提供すること。 【解決手段】被処理水である一次純水に、180〜19
0nmの波長を有する紫外線を照射して溶存有機物を分
解する際、被処理水中の溶存有機物に対して溶存酸素量
をほぼ最適に調整し、被処理水中の溶存有機物を効率的
に分解することを特徴とする超純水製造装置による。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶や半導体素子
を製造する電子工業、原子力発電所あるいは医薬品製造
工場等で広く利用される超純水を製造する超純水製造装
置に係り、特に、有機物成分を効率的に除去するととも
に、溶存酸素濃度の低い超純水を安定してユースポイン
トに供給可能な超純水製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、液晶や半導体素子(LS
I)、あるいは医薬品の製造工程においては、イオン状
物質、微粒子、有機物、溶存ガスおよび生菌等の含有量
の極めて少ない超純水が要求されている。この中でも、
電子工業においては、多量の超純水が使用されており、
LSIの集積度の増加に伴って超純水の純度に対する要
求は益々厳しくなってきている。特に、超純水中のΤO
C濃度および溶存酸素濃度の低減が大きな課題となって
いる。
【0003】一般に、超純水の製造は、原水中の濁質成
分を除去する前処理システム、イオン状物質、微粒子、
有機物、溶存ガスおよび生菌等を除去する一次系システ
ムおよび一次系システムより得られた一次純水の精密仕
上げを目的とした二次系システムの組み合わせにより行
われている。そして、通常、製造された超純水は、ユー
スポイントに供給されて必要量が消費されるとともに、
過剰量の超純水は二次系システムに還流され、再度処理
されている。
【0004】しかしながら、過剰量の超純水をユースポ
イントから二次系システムに還流すると、二次系システ
ム内における溶存酸素濃度が著しく上昇し、製造された
超純水の純度が悪化するという問題があった。
【0005】また、一次純水の精密仕上げを目的とした
二次系システムにおいては、超純水中の有機物濃度を減
少させるための処理方法として、イオン交換処理や逆浸
透法による膜処理の施された一次純水に紫外線を照射し
て溶存有機物を分解し、次いで、この分解した有機物を
混床式イオン交換装置により除去する方法が知られてい
る。また、一次純水に照射する紫外線として、180〜
190nm(特に184.9nm)の波長を有する紫外
線を用いることにより、効率的に溶存有機物の分解が達
成されることも知られている(特開平1−164488
号公報)。
【0006】ところが、一次系システムにより溶存酸素
濃度を低濃度にまで減少させた被処理水である一次純水
を、180〜190nmの波長を有する紫外線を発生す
る紫外線照射装置と混床式イオン交換装置とを有する二
次系システムにおいて処理した場合、溶存有機物の分解
効率が低いことから、被処理水中のTOC濃度が容易に
は減少せず、TOC濃度を減少させるために紫外線照射
装置による紫外線照射量を増やすことから、紫外線照射
装置の電力消費量が増加するという問題があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題を解決すべくなされたもので、超純水中のΤOC濃
度の増加をほぼ防止し、溶存酸素濃度を低減した、運転
コストの安価な超純水製造装置を提供することを目的と
する。
【0008】
【課題を解決するための手段】上述したように、ユース
ポイントから過剰の処理水(超純水)を二次系システム
に還流すると、二次系システム内における溶存酸素濃度
が著しく上昇し、製造された超純水の純度が悪化した。
【0009】また、溶存酸素を除去した一次純水に紫外
線を照射して混床式イオン交換装置で仕上げ処理する場
合、溶存有機物濃度を下げるために紫外線照射装置の電
力消費量が多くなり、イニシャルコストとランニングコ
ストの増加を招いていた。
【0010】そこで、これらの間題について本発明者ら
が鋭意研究した結果、ユースポイントから二次系システ
ムに還流される処理水中には、溶存酸素が数ppb〜数
十ppb程度混入していることが判明した。処理水中へ
の酸素の混入の原因は不明であるが、ユースポイントに
接続されている洗浄装置等の配管の接続部から混入する
ことが推測される。
【0011】一方、180〜190nm、とりわけ18
4.9nmの波長を有する紫外線による溶存有機物の分
解反応は以下に示す通りであり、(1)一次純水より生
成したOHラジカル(ヒドロキシラジカル)により、
(2)被処理水である一次純水中の有機物がカルボン酸
等の有機酸の段階まで酸化分解され、(3)さらに一部
は二酸化炭素にまで酸化分解されるというものであると
いうものである。
【0012】(1)H2 O+hν→・OH (2)R−C+・OH→RCOOΗ (3)RCOOΗ+・OH→CO2 +H2 O 上記の反応は、被処理水中の溶存酸素が極めて少ない条
件での反応であるが、被処理水中に溶存酸素の存在する
条件では、(4)酸素分子より生成したオゾン分子によ
り、(5)被処理水中の溶存有機物がカルボン酸等の有
機酸の段階まで酸化分解され、(6)さらに一部は二酸
化炭素にまで酸化分解される。
【0013】(4)3O2 +hν→2O3 (5)R−C+O3 →RCOOΗ (6)RCOOΗ+O3 →CO2 +H2 O また、(7)生成したオゾンの一部が水と反応して生成
したOHラジカルにより、(8)被処理水中の溶存有機
物がカルボン酸等の有機酸の段階まで酸化分解され、
(9)さらに一部は二酸化炭素にまで酸化分解される。
【0014】 (7)O3 +H2 O→・OH+・OH・+O2 (8)R−C+・OH→RCOOΗ (9)RCOOΗ+・OH→CO2 +H2 O 本発明者らの実験によると、180〜190nmの波長
を有する紫外線を照射可能な紫外線照射装置において
は、被処理水中の溶存有機物を分解する際に溶存酸素が
同時に消費されており、上記(1)〜(3)の反応に比
べて、(4)〜(6)、もしくは(7)〜(9)の反応
が優先的に進行していることが示唆された。
【0015】即ち、従来の超純水製造装置のように、例
えば、真空脱気塔の後段に180〜190nmの波長を
有する紫外線を照射可能な紫外線照射装置を設置してい
る場合には、被処理水中の溶存酸素量が著しく低下して
いるので、溶存酸素の存在下にて180〜190nmの
波長を有する紫外線を照射して溶存有機物を分解する場
合と比べて、被処理水中の溶存有機物の分解効率が低く
なるものと推測されたのである。
【0016】そこで、本発明に係る超純水製造装置は、
180〜190nmの波長を有する紫外線を発生する第
1の紫外線照射装置と、第1の混床式イオン交換装置
と、溶存酸素除去装置と、180〜190nmの波長を
有する紫外線を発生する第2の紫外線照射装置と、第2
の混床式イオン交換装置とを流路に沿って配置したこと
を特微としている。
【0017】本発明においては、被処理水が180〜1
90nmの波長を有する紫外線を発生する第1の紫外線
照射装置に導入され、被処理水中の溶存有機物が効率的
に分解される。次に、被処理水は第1の混床式イオン交
換装置に導入され、被処理水中のイオン成分等が除去さ
れる。次いで、被処理水は溶存酸素除去装置に導入さ
れ、被処理水中の酸素等が除去される。次に、被処理水
は180〜190nmの波長を有する紫外線を発生する
第2の紫外線照射装置に導入され、被処理水中の微量の
溶存有機物がほぼ完全に有機酸あるいは二酸化炭素にま
で効率的に分解される。最後に、被処理水は第2の混床
式イオン交換装置に導入され、被処理水中の微量のイオ
ン成分等が除去される。
【0018】また、本発明に係る超純水製造装置は、1
80〜190nmの波長を有する紫外線を発生する第1
の紫外線照射装置と、第1の混床式イオン交換装置と、
溶存酸素除去装置と、180〜190nmの波長を有す
る紫外線を発生する第2の紫外線照射装置と、第2の混
床式イオン交換装置と、限外濾過膜装置とを流路に沿っ
て配置したことを特微としている。
【0019】本発明においては、被処理水が180〜1
90nmの波長を有する紫外線を発生する第1の紫外線
照射装置に導入され、被処理水中の溶存有機物が効率的
に分解される。次に、被処理水は第1の混床式イオン交
換装置に導入され、被処理水中のイオン成分等が除去さ
れる。次いで、被処理水は溶存酸素除去装置に導入さ
れ、被処理水中の酸素等が除去される。次に、被処理水
は180〜190nmの波長を有する紫外線を発生する
第2の紫外線照射装置に導入され、被処理水中の微量の
溶存有機物がほぼ完全に有機酸あるいは二酸化炭素にま
で効率的に分解される。次いで、被処理水は第2の混床
式イオン交換装置に導入され、被処理水中の微量のイオ
ン成分等が除去される。最後に、被処理水は限外濾過膜
装置に導入されて、被処理水中に残存している微細な非
イオン状物質を主体とする微粒子等が除去される。
【0020】さらに、本発明に係る超純水製造装置は、
180〜190nmの波長を有する紫外線を発生する第
1の紫外線照射装置と、第1の混床式イオン交換装置
と、溶存酸素除去装置と、180〜190nmの波長を
有する紫外線を発生する第2の紫外線照射装置と、第2
の混床式イオン交換装置と、処理水を必要量供給するユ
ースポイントとを流路に沿って配置し、前記ユースポイ
ントから過剰量の処理水を前記溶存酸素除去装置の前段
に還流するようにしたことを特徴としている。
【0021】本発明においては、被処理水が180〜1
90nmの波長を有する紫外線を発生する第1の紫外線
照射装置に導入され、被処理水中の溶存有機物が効率的
に分解される。次に、被処理水は第1の混床式イオン交
換装置に導入され、被処理水中のイオン成分等が除去さ
れる。次いで、被処理水は溶存酸素除去装置に導入さ
れ、被処理水中の酸素等が除去される。次に、被処理水
は180〜190nmの波長を有する紫外線を発生する
第2の紫外線照射装置に導入され、被処理水中の微量の
溶存有機物がほぼ完全に有機酸あるいは二酸化炭素にま
で効率的に分解される。次いで、被処理水は第2の混床
式イオン交換装置に導入され、被処理水中の微量のイオ
ン成分等が除去される。次に、処理水は、ユースポイン
トに供給され、必要量が消費されるとともに、過剰量の
処理水は溶存酸素除去装置の前段に還流され、混入した
溶存酸素は溶存酸素除去装置により除去される。
【0022】また、本発明に係る超純水製造装置は、1
80〜190nmの波長を有する紫外線を発生する第1
の紫外線照射装置と、第1の混床式イオン交換装置と、
溶存酸素除去装置と、180〜190nmの波長を有す
る紫外線を発生する第2の紫外線照射装置と、第2の混
床式イオン交換装置と、限外濾過膜装置と、処理水を必
要量供給するユースポイントとを流路に沿って配置し、
前記ユースポイントから過剰量の処理水を前記溶存酸素
除去装置の前段に還流するようにしたことを特徴として
いる。
【0023】本発明においては、被処理水が180〜1
90nmの波長を有する紫外線を発生する第1の紫外線
照射装置に導入され、被処理水中の溶存有機物が効率的
に分解される。次に、被処理水は第1の混床式イオン交
換装置に導入され、被処理水中のイオン成分等が除去さ
れる。次いで、被処理水は溶存酸素除去装置に導入さ
れ、被処理水中の酸素等が除去される。次に、被処理水
は180〜190nmの波長を有する紫外線を発生する
第2の紫外線照射装置に導入され、被処理水中の微量の
溶存有機物がほぼ完全に有機酸あるいは二酸化炭素にま
で効率的に分解される。次いで、被処理水は第2の混床
式イオン交換装置に導入され、被処理水中の微量のイオ
ン成分等が除去される。次に、被処理水は限外濾過膜装
置に導入されて、被処理水中に残存している微細な非イ
オン状物質を主体とする微粒子等が除去される。次い
で、処理水はユースポイントに供給され、必要量が消費
されるとともに、過剰量の処理水は溶存酸素除去装置の
前段に還流され、混入した溶存酸素は溶存酸素除去装置
により除去される。
【0024】上述したように、本発明の本質は、被処理
水中の溶存有機物量や有機物種等に応じて溶存酸素濃度
を調整することで、紫外線照射による溶存有機物の分解
効率を高め、溶存酸素量の増加をも抑制するものであ
る。したがって、180〜190nmの波長を有する紫
外線を発生する紫外線照射装置、混床式イオン交換装置
および溶存酸素除去装置等の機器の選定や稼働条件およ
び被処理水の流量等の条件は、被処理水中の溶存有機物
量や有機物種によって適宜変更されるものであるが、本
発明の超純水製造装置の構成にしたがえば、どのような
被処理水に対しても確実に本発明の課題を達成可能な条
件を設定できるのである。
【0025】本発明において、ユースポイントより超純
水製造装置へ過剰量の処理水を還流させる場合には、還
流場所は溶存酸素除去装置の前であれば特に限定はされ
ず、必要ならば原水と合流するように構成することも可
能である。
【0026】本発明において、溶存酸素除去装置として
は、(A)不活性ガス添加型真空脱気装置、(B)気体
透過膜を装備した膜脱気装置あるいは(C)真空脱気装
置を被処理水の条件に応じて用いることができる。不活
性ガス添加型真空脱気装置を用いた場合には、真空度を
35torr以下とし、被処理水の体積を基準にして体
積流量比0.001〜1.0の不活性ガスを系内に送入
させて真空脱気処理を行うことが好ましい。不活性ガス
添加型真空脱気装置内の真空度が35Torrを越える
と、最終的に得られる超純水の溶存酸素濃度を1ppb
以下に保つことが困難となる。また、不活性ガス添加型
真空脱気装置に添加される不活性ガスの体積流量比が被
処理水の体積を基準として1.0をこえると、脱気効率
がほぼ頭打ちになるのに対してランニングコストのみが
上昇し、不活性ガス添加型真空脱気装置に添加される不
活性ガスの体積流量比が被処理水の体積を基準として
0.001を下回ると、被処理水から酸素等の溶存気体
を効果的に除去するのが困難となる。
【0027】不活性ガス添加型真空脱気装置に添加され
る不活性ガスとしては、通常、窒素ガス、アルゴンガス
等が好適に用いられる。
【0028】第一および第二の紫外線照射装置として
は、180〜190nm、とりわけ184.9nmの波
長を有する紫外線を発生するものであれば、254nm
の殺菌波長を有する紫外線を同時に発生していてもよ
く、特に制限は無いが、本発明においては、紫外線酸化
用低圧紫外線ランプを用いるのが好ましい。
【0029】第一および第二の混床式イオン交換装置と
しては、被処理水中の有機酸、微量の二酸化炭素あるい
は他のイオン成分を除去するための強塩基性アニオン交
換樹脂及びカチオン交換樹脂を充填した再生型もしくは
非再生型の混床式イオン交換装置を好ましく用いること
ができる。これに用いるイオン交換樹脂としては、新品
もしくはそれに類する破砕が無く、イオン交換性能が高
く、また溶出の無いものが望ましい。
【0030】また、限外濾過膜装置としては、PAN、
セルロースアセテートあるいはフッ素系等の各種限外濾
過膜を装備した一般的な限外濾過膜装置を適宜用いるこ
とができる。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施例について詳細に説明する。なお、各図面におい
て、同一の構成には同一符号を付し、詳細な説明は省略
する。また、本発明は、その要旨を逸脱しないならば、
本発明に限定されるものではない。
【0032】(実施例1および比較例1)図3は、実施
例1および比較例1に用いた一次純水の製造装置を示し
た図である。
【0033】図3において、符号1は原水中の濁質成分
を除去するための膜前処理装置(野村マイクロ・サイエ
ンス(株)、NML−E)、符号2は逆浸透膜装置(東
レ(株)、SU−720)、符号3は混床式イオン交換
装置であって、アニオン交換樹脂として強塩基性アニオ
ン交換樹脂デュオライトA−113plus(ローム&
ハース社)を33l、カチオン交換樹脂として強酸性カ
チオン交換樹脂デュオライトC−20(ローム&ハース
社)を23l使用し、これらを予め再生してOH型とΗ
型とに変換した後に混合充填したものである。この混床
式イオン交換装置のイオン交換容量は0.9当量/l−
Resinである。
【0034】本実施例1および比較例1は、このように
構成された純水製造装置により製造された一次純水を対
象として実施された。なお、膜前処理装置1に供給され
る原水としては厚木市水を使用し、製造された一次純水
の平均水質は、電気伝導度16.0MΩ・cm、ΤOC
濃度120ppb、溶存酸素濃度7600ppbであっ
た。
【0035】図1は、本発明の一実施例である超純水製
造装置(二次系システム)の構成を示した図である。図
1において、符号4および7は低圧紫外線ランプ酸化装
置(千代田工販(株)、TDFL−4、照射量0.25
kWh/m3 )であり、185nm付近の波長をピーク
とする紫外線が照射される。符号5および8は混床式イ
オン交換装置であって、アニオン交換樹脂として強塩基
性アニオン交換樹脂デュオライトA−113plus
(ローム&ハース社)を33l、カチオン交換樹脂とし
て強酸性カチオン交換樹脂デュオライトC−20(ロー
ム&ハース社)を23l使用し、これらを予め再生して
OΗ型とH型に変換した後に混合充填したものである。
この混床式イオン交換装置のイオン交換容量は0.9当
量/l−Resinである。符号6は、充填材としてテ
ラレットSタイプ(日鉄化工機(株)、充填径250m
m、充填層高2000mm)を充填し、窒素ガスと被処
理水との体積比率を0.03:1とした窒素ガス添加方
式の真空脱気装置であり真空度は25torrに保たれ
ている。
【0036】本実施例は、図3に示された純水製造装置
を用いて製造された一次純水を、流量2m3 /hで二次
系システムに供給し、超純水を経時的に連続して製造す
ることにより行われた(実施例1)。なお、実施例1に
おいて、被処理水の温度は、25℃一定に保たれてい
た。
【0037】また、図2は、本発明の比較例である超純
水製造装置(二次系システム)の構成を示した図であ
る。本比較例の超純水製造装置においては、実施例1と
同一の機器を使用し、窒素ガス添加方式の真空脱気装置
6を低圧紫外線ランプ酸化装置4の前段に設置したこと
以外は、実施例1と全く同一となっている。
【0038】本比較例は、図3に示された純水製造装置
を用いて製造された一次純水を、流量2m3 /hで二次
系システムに供給し、超純水を経時的に連続して製造す
ることにより行われた(比較例1)。なお、比較例1に
おいても、被処理水の温度は25℃一定に保たれてい
た。
【0039】表1に、実施例1および比較例1のポイン
ト(ポイントBおよびポイントC)において測定された
TOC濃度および溶存酸素濃度の測定結果を示す。な
お、TOC濃度および溶存酸素濃度の測定には、オンラ
インTOC計(アナテル社、A−1000 S−20)
および高感度溶存酸素計(オービスフェア ラボラトリ
ーズ、モデル2713)を使用した。また、実施例1お
よび比較例1において得られた超純水の電気伝導度(ポ
イントBおよびCにおける電気伝導度)は、ともに1
8.2MΩ・cmであった。
【0040】
【表1】 実施例1においては、低圧紫外線ランプ酸化装置4に導
入される被処理水は一次純水そのものであるので、TO
C濃度と溶存酸素濃度がともに高いが、比較例1におい
ては、被処理水は真空脱気装置6で溶存酸素を脱気され
た後、低圧紫外線ランプ酸化装置4に導入されることか
ら、低圧紫外線ランプ酸化装置4に導入される被処理水
は、実施例1と比べてTOC濃度がほぼ変わらないもの
の溶存酸素濃度は低い。したがって、比較例1において
は、実施例1と比べて溶存有機物量に対する溶存酸素量
が低く、低圧紫外線ランプ酸化装置4による溶存有機物
の分解効率が低くなるものと推定される。
【0041】すなわち、実施例1においては、溶存有機
物の低圧紫外線ランプ酸化装置での分解に際し、溶存有
機物量に対する溶存酸素量が比較例1に比べてバランス
しているために溶存有機物の分解効率が高いと考えられ
る。
【0042】そして、表1から明らかなように、実施例
1において得られた超純水は、比較例1において得られ
た超純水と比べて、溶存酸素濃度がほとんど変わらない
にも拘らず、TOC濃度が著しく低減される結果となっ
た。
【0043】(実施例2および比較例2)図4は、本発
明の他の実施例である超純水製造装置の構成を示した図
である。図4において、原水は、前処理装置10に導入
され、原水中の懸濁物質等が分離、除去される。次い
で、前処理装置10で処理された被処理水は、カチオン
交換樹脂塔、脱炭酸塔およびアニオン交換樹脂塔からな
る2床3塔11によりイオン成分が除去された後、逆浸
透装置12に導入されて微粒子およびコロイド状物質等
の除去が行われる。
【0044】次に、被処理水は、逆浸透装置12から低
圧紫外線ランプ酸化装置13に導入されて溶存有機物が
分解され、混床式イオン交換装置14により被処理水中
のイオン成分が除去される。続いて、被処理水は、窒素
ガス添加方式の真空脱気装置15に導入されて溶存酸素
等の溶存気体が除去されて、再び、低圧紫外線ランプ酸
化装置16に導入されて溶存有機物が分解され、混床式
イオン交換装置17により被処理水中のイオン成分が除
去される。最後に、被処理水は限外濾過膜装置18に導
入され、極微量の微粒子等が除去される。
【0045】こうして製造された超純水は、ユースポイ
ント19に供給されるとともに、過剰量の超純水は真空
脱気装置15の前段に還流される構成となっている。ま
た、真空脱気装置15は、窒素ガスと被処理水との体積
比率を0.03:1とされており、真空度は25tor
rに保たれている。なお、ここでは膜前処理装置10が
前処理システム、2床3塔11から真空脱気装置15ま
でが一次系システム、低圧紫外線ランプ酸化装置16か
ら限外濾過膜装置18までが二次系システムと区分され
る。
【0046】経路Aは、本発明の超純水製造方法との比
較のために、ユースポイント19において使用されなか
った過剰量の超純水を、真空脱気装置15の後段に還流
するためのラインである。
【0047】膜前処理装置10に供給する原水として工
業用水を使用し、一次系システムにより一次純水を生成
し、次いで、真空脱気装置15より、一次純水を二次系
システムに供給し、超純水を経時的に連続して製造した
(実施例2)。
【0048】一方、経路Aにより、ユースポイント19
から過剰量の超純水を真空脱気装置15の後段に還流し
た以外は、実施例2と全く同一の条件で超純水を製造し
た。なお、被処理水の水温は、実施例2および比較例2
ともに25℃一定に保たれていた。
【0049】表2に、実施例2および比較例2におけ
る、ポイントDで測定されたTOC濃度および溶存酸素
濃度の測定結果を示す。なお、TOC濃度および溶存酸
素濃度の測定には、オンラインTOC計(アナテル社、
A−1000 S−20)および高感度溶存酸素計(オ
ービスフェア ラボラトリーズ、モデル2713)を使
用した。また、実施例2および比較例2において得られ
た超純水の電気伝導度(ポイントDにおける電気伝導
度)は、ともに18.2MΩ・cmであった。
【0050】
【表2】 実施例2においては、被処理水は、真空脱気装置15で
溶存酸素を脱気された後、低圧紫外線ランプ酸化装置1
6に導入されるので、TOC濃度と溶存酸素濃度がとも
に低いが、比較例2においては、経路Aによりユースポ
イント19からの被処理水がそのまま低圧紫外線ランプ
酸化装置16に導入されることから、低圧紫外線ランプ
酸化装置16に導入される被処理水は、実施例2と比べ
てTOC濃度がほぼ変わらないものの溶存酸素濃度は高
くなっている。したがって、比較例2においては、実施
例2と比べて、被処理水中の溶存酸素濃度が著しく高く
なる結果となった。
【0051】
【発明の効果】本発明の超純水製造装置によれば、被処
理水である一次純水に、180〜190nmの波長を有
する紫外線を照射して溶存有機物を分解する際、被処理
水中の溶存有機物に対して溶存酸素量をほぼ最適に調整
するので、被処理水中の溶存有機物が効率的に分解され
る。さらに、ユースポイントからの過剰の処理水(超純
水)を溶存酸素除去装置の前段に還流するので、二次系
システム内における溶存酸素濃度の上昇が防止される。
したがって、超純水中の有機物成分および溶存酸素濃度
が低減された、運転コストの安価な超純水製造装置を提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による超純水製造装置(二次系システ
ム)の一実施例を示した図。
【図2】本発明の比較例である超純水製造装置(二次系
システム)の構成を示した図。
【図3】実施例1および比較例1に用いた一次純水の製
造装置(一次系システム)を示した図。
【図4】本発明の他の実施例である超純水製造装置の構
成を示した図。
【符号の説明】
1………膜前処理装置 2………逆浸透膜装置 3………混床式イオン交換装置 4………低圧紫外線
ランプ酸化装置 5………混床式イオン交換装置 6………真空脱気装
置 7………低圧紫外線ランプ酸化装置 8………混床式
イオン交換装置 9………真空ポンプ 10………前処理装置 11………2床3塔 12………逆浸透装置 13………低圧紫外線ランプ酸化装置 14………混
床式イオン交換装置 15………真空脱気装置 16………低圧紫外線ラン
プ酸化装置 17………混床式イオン交換装置 18………限外濾
過膜装置 19………ユースポイント
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C02F 1/44 C02F 1/44 J 1/58 1/58 T

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 180〜190nmの波長を有する紫外
    線を発生する第1の紫外線照射装置と、第1の混床式イ
    オン交換装置と、溶存酸素除去装置と、180〜190
    nmの波長を有する紫外線を発生する第2の紫外線照射
    装置と、第2の混床式イオン交換装置とを流路に沿って
    配置したことを特徴とする超純水製造装置。
  2. 【請求項2】 180〜190nmの波長を有する紫外
    線を発生する第1の紫外線照射装置と、第1の混床式イ
    オン交換装置と、溶存酸素除去装置と、180〜190
    nmの波長を有する紫外線を発生する第2の紫外線照射
    装置と、第2の混床式イオン交換装置と、限外濾過膜装
    置とを流路に沿って配置したことを特徴とする超純水製
    造装置。
  3. 【請求項3】 180〜190nmの波長を有する紫外
    線を発生する第1の紫外線照射装置と、第1の混床式イ
    オン交換装置と、溶存酸素除去装置と、180〜190
    nmの波長を有する紫外線を発生する第2の紫外線照射
    装置と、第2の混床式イオン交換装置と、処理水を必要
    量供給するユースポイントとを流路に沿って配置し、前
    記ユースポイントから過剰量の処理水を前記溶存酸素除
    去装置の前段に還流するようにしたことを特徴とする超
    純水製造装置。
  4. 【請求項4】 180〜190nmの波長を有する紫外
    線を発生する第1の紫外線照射装置と、第1の混床式イ
    オン交換装置と、溶存酸素除去装置と、180〜190
    nmの波長を有する紫外線を発生する第2の紫外線照射
    装置と、第2の混床式イオン交換装置と、限外濾過膜装
    置と、処理水を必要量供給するユースポイントとを流路
    に沿って配置し、前記ユースポイントから過剰量の処理
    水を前記溶存酸素除去装置の前段に還流するようにした
    ことを特徴とする超純水製造装置。
  5. 【請求項5】前記溶存酸素除去装置が、微量の不活性ガ
    スを系内に送入して真空脱気を行う不活性ガス添加型真
    空脱気装置であることを特微とする請求項1〜4に記載
    の超純水製造装置。
  6. 【請求項6】前記不活性ガス添加型真空脱気装置内の真
    空度が35Torr以下であり、前記不活性ガス添加型
    真空脱気装置に添加される不活性ガスの体積流量比が被
    処理水の体積を基準として0.001〜1.0であるこ
    とを特徴とする請求項5に記載の超純水製造装置。
  7. 【請求項7】前記溶存酸素除去装置が膜脱気装置である
    ことを特徴とする請求項1〜4に記載の超純水製造装
    置。
  8. 【請求項8】前記溶存酸素除去装置が真空脱気装置であ
    ることを特徴とする請求項1〜4に記載の超純水製造装
    置。
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