JPH0922512A - 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0922512A JPH0922512A JP7170017A JP17001795A JPH0922512A JP H0922512 A JPH0922512 A JP H0922512A JP 7170017 A JP7170017 A JP 7170017A JP 17001795 A JP17001795 A JP 17001795A JP H0922512 A JPH0922512 A JP H0922512A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ素子を熱的に劣化させることなく高記録
磁界密度を達成し、当該複合型薄膜磁気ヘッドが摺動型
である場合に下部磁気コア及び上部磁気コアに発生しが
ちな偏摩耗を緩和して、信頼性の高い複合型薄膜磁気ヘ
ッド及びその製造方法を提供する。 【構成】 複合型薄膜磁気ヘッドを、ベース基板１上に
作製されたインダクティブヘッド部Ｐ上にＭＲヘッド部
Ｑを積層形成して構成する。この場合、ベース基板１上
に成膜された絶縁層２の上面に溝部２ａを形成し、この
溝部２ａが存することにより下部磁気コア３に形成され
る凹部３ａ上に第１の平坦化層２３を介して導体コイル
４を埋設形成する。
磁界密度を達成し、当該複合型薄膜磁気ヘッドが摺動型
である場合に下部磁気コア及び上部磁気コアに発生しが
ちな偏摩耗を緩和して、信頼性の高い複合型薄膜磁気ヘ
ッド及びその製造方法を提供する。 【構成】 複合型薄膜磁気ヘッドを、ベース基板１上に
作製されたインダクティブヘッド部Ｐ上にＭＲヘッド部
Ｑを積層形成して構成する。この場合、ベース基板１上
に成膜された絶縁層２の上面に溝部２ａを形成し、この
溝部２ａが存することにより下部磁気コア３に形成され
る凹部３ａ上に第１の平坦化層２３を介して導体コイル
４を埋設形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜よりなる導体
コイルを備える記録用の誘導型磁気ヘッド部と磁気抵抗
効果素子を備える再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘッド部
とを併せ持つ複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に
関する。
コイルを備える記録用の誘導型磁気ヘッド部と磁気抵抗
効果素子を備える再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘッド部
とを併せ持つ複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜磁気ヘッドとしては、磁性
層、絶縁層等の薄膜が多重に積層され、さらに導体コイ
ルやリード線等が形成されてなるものがある。この薄膜
磁気ヘッドは真空薄膜形成技術により形成されるため、
狭トラック化や狭ギャップ化等の微細寸法化が容易で高
分解能記録が可能であるという特徴を有しており、高密
度記録化に対応した磁気ヘッドとして注目されている。
層、絶縁層等の薄膜が多重に積層され、さらに導体コイ
ルやリード線等が形成されてなるものがある。この薄膜
磁気ヘッドは真空薄膜形成技術により形成されるため、
狭トラック化や狭ギャップ化等の微細寸法化が容易で高
分解能記録が可能であるという特徴を有しており、高密
度記録化に対応した磁気ヘッドとして注目されている。
【０００３】例えば、磁気記録媒体に対向して情報信号
の記録・再生を行うタイプの薄膜磁気ヘッドとしては、
磁気抵抗効果素子が上部磁性層及び下部磁性層に狭持さ
れてなる再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘッド部と、下部
磁気コアを兼ねた前記上部磁性層上に平坦化層を介して
スパイラル状の導体コイルが形成され上部磁気コアが積
層されてなる記録用の誘導型磁気ヘッド部とが真空薄膜
形成技術によって順次積層形成されてなる、いわゆる複
合型薄膜磁気ヘッドがある。
の記録・再生を行うタイプの薄膜磁気ヘッドとしては、
磁気抵抗効果素子が上部磁性層及び下部磁性層に狭持さ
れてなる再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘッド部と、下部
磁気コアを兼ねた前記上部磁性層上に平坦化層を介して
スパイラル状の導体コイルが形成され上部磁気コアが積
層されてなる記録用の誘導型磁気ヘッド部とが真空薄膜
形成技術によって順次積層形成されてなる、いわゆる複
合型薄膜磁気ヘッドがある。
【０００４】具体的に、複合型薄膜磁気ヘッドは、図２
１に示すように、磁気抵抗効果型磁気ヘッド部（ＭＲヘ
ッド部）Ａ上に誘導型磁気ヘッド部（インダクティブヘ
ッド部）Ｂが積層されて構成されている。
１に示すように、磁気抵抗効果型磁気ヘッド部（ＭＲヘ
ッド部）Ａ上に誘導型磁気ヘッド部（インダクティブヘ
ッド部）Ｂが積層されて構成されている。
【０００５】ＭＲヘッド部Ａにおいては、Ａｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣ等を材料とする非磁性基板１０１上に絶縁層１０
２を介して下部磁性層１０３となる軟磁性膜及びＡｌ2
Ｏ3或はＳｉＯ2 を材料とする絶縁層１０４が順次積層
され、この絶縁層１０４上に、磁気抵抗効果素子（ＭＲ
素子）１０５が、その長手方向が磁気記録媒体との対向
面（磁気記録媒体走行面）ａとほぼ平行になるように配
され、且つ長手方向の一方の端面が磁気記録媒体走行面
ａに露出するかたちに形成されている。
ＴｉＣ等を材料とする非磁性基板１０１上に絶縁層１０
２を介して下部磁性層１０３となる軟磁性膜及びＡｌ2
Ｏ3或はＳｉＯ2 を材料とする絶縁層１０４が順次積層
され、この絶縁層１０４上に、磁気抵抗効果素子（ＭＲ
素子）１０５が、その長手方向が磁気記録媒体との対向
面（磁気記録媒体走行面）ａとほぼ平行になるように配
され、且つ長手方向の一方の端面が磁気記録媒体走行面
ａに露出するかたちに形成されている。
【０００６】さらに、ＭＲ素子１０５の両端部上に、こ
のＭＲ素子１０５にセンス電流を提供するための一対の
引出し電極（図示は省略する。）が設けられ、このＭＲ
素子上には当該ＭＲ素子１０５と対向して当該ＭＲ素子
１０１にバイアス電流を供給するためのバイアス導体１
０６が配されている。
のＭＲ素子１０５にセンス電流を提供するための一対の
引出し電極（図示は省略する。）が設けられ、このＭＲ
素子上には当該ＭＲ素子１０５と対向して当該ＭＲ素子
１０１にバイアス電流を供給するためのバイアス導体１
０６が配されている。
【０００７】そして、バイアス導体１０６上にＡｌ2 Ｏ
3 或はＳｉＯ2 を材料とする絶縁層１０７が形成され、
当該絶縁層１０７上に上部磁性層１０８となる軟磁性膜
が積層されて上記ＭＲヘッド部Ａが構成されている。
3 或はＳｉＯ2 を材料とする絶縁層１０７が形成され、
当該絶縁層１０７上に上部磁性層１０８となる軟磁性膜
が積層されて上記ＭＲヘッド部Ａが構成されている。
【０００８】インダクティブヘッド部Ｂは、下部磁気コ
アを兼ねた上部磁性層１０８上に磁気ギャップを形成す
るためのギャップ膜１１１が成膜され、さらにこのギャ
ップ膜１１１上に表面を平坦化して導体コイル１１３の
成膜を容易にするための第１の平坦化層１１２が成膜さ
れて、さらにその表面上に導体コイル１１３がスパイラ
ル状に形成されている。そして、表面の平坦化を図るた
めのレジスト等の高分子材料からなる第２の平坦化層１
１４が成膜され、この第２の平坦化層１１４上に軟磁性
体層である上部磁気コア１１５が形成されて上記インダ
クティブヘッド部Ｂが構成されている。
アを兼ねた上部磁性層１０８上に磁気ギャップを形成す
るためのギャップ膜１１１が成膜され、さらにこのギャ
ップ膜１１１上に表面を平坦化して導体コイル１１３の
成膜を容易にするための第１の平坦化層１１２が成膜さ
れて、さらにその表面上に導体コイル１１３がスパイラ
ル状に形成されている。そして、表面の平坦化を図るた
めのレジスト等の高分子材料からなる第２の平坦化層１
１４が成膜され、この第２の平坦化層１１４上に軟磁性
体層である上部磁気コア１１５が形成されて上記インダ
クティブヘッド部Ｂが構成されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、特に磁気テ
ープを記録媒体としたデータレコーダ（主にバックアッ
プ用）に搭載される複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、近
時の要請である高抗磁力記録媒体に対する記録／再生を
可能とするために、インダクティブヘッド部Ｂの下部磁
気コア１０３及び上部磁気コア１１５の材料として、高
透磁率及び高飽和磁束密度を有する金属磁性膜、例えば
Ｆｅ−Ａｌ系合金や、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｃｏ−Ｚｒ系
アモルファス合金等を用いることが提案されている。ま
た、ＭＲヘッド部においては、ＭＲ素子１０５に代わっ
て、強磁性材よりなる磁性層と導電性を有する非磁性材
よりなる導電層とが数原子厚に交互に複数層積層され最
上層及び最下層が磁性層とされて巨大磁気抵抗効果を奏
する多層膜素子が用いられつつある。
ープを記録媒体としたデータレコーダ（主にバックアッ
プ用）に搭載される複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、近
時の要請である高抗磁力記録媒体に対する記録／再生を
可能とするために、インダクティブヘッド部Ｂの下部磁
気コア１０３及び上部磁気コア１１５の材料として、高
透磁率及び高飽和磁束密度を有する金属磁性膜、例えば
Ｆｅ−Ａｌ系合金や、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｃｏ−Ｚｒ系
アモルファス合金等を用いることが提案されている。ま
た、ＭＲヘッド部においては、ＭＲ素子１０５に代わっ
て、強磁性材よりなる磁性層と導電性を有する非磁性材
よりなる導電層とが数原子厚に交互に複数層積層され最
上層及び最下層が磁性層とされて巨大磁気抵抗効果を奏
する多層膜素子が用いられつつある。
【００１０】この場合、一般に高飽和磁束密度を有する
金属磁性膜が軟磁性を得るために必要とする熱処理温度
とレジスト等よりなる第１，第２の平坦化層１１２，１
１４の耐熱性との関係や、ＭＲ素子１０５自体の耐熱性
が問題となる。
金属磁性膜が軟磁性を得るために必要とする熱処理温度
とレジスト等よりなる第１，第２の平坦化層１１２，１
１４の耐熱性との関係や、ＭＲ素子１０５自体の耐熱性
が問題となる。
【００１１】例えば、一般にＭＲ素子（特に上記多層膜
素子）は耐熱性に乏しいことが知られている。上記複合
型薄膜磁気ヘッドを製造するに際しては、ＭＲヘッド部
Ａを作製した後にインダクティブヘッド部Ｂを作製する
ために、高飽和磁束密度を有する金属磁性膜を下部磁気
コア１０３及び上部磁気コア１１５の材料として用いる
場合では、この金属磁性膜の軟磁性を得るために必要と
する熱処理温度がＭＲ素子１０５の耐熱温度を越えてし
まったり、上記熱処理温度が第１，第２の平坦化層１１
２，１１４の耐熱温度を越えてしまったりする問題が生
じる。
素子）は耐熱性に乏しいことが知られている。上記複合
型薄膜磁気ヘッドを製造するに際しては、ＭＲヘッド部
Ａを作製した後にインダクティブヘッド部Ｂを作製する
ために、高飽和磁束密度を有する金属磁性膜を下部磁気
コア１０３及び上部磁気コア１１５の材料として用いる
場合では、この金属磁性膜の軟磁性を得るために必要と
する熱処理温度がＭＲ素子１０５の耐熱温度を越えてし
まったり、上記熱処理温度が第１，第２の平坦化層１１
２，１１４の耐熱温度を越えてしまったりする問題が生
じる。
【００１２】さらに、複合型薄膜磁気ヘッドが磁気テー
プを記録媒体とするコンピュータのデータコーダ（主に
バックアップ用）に搭載される摺動型の複合型薄膜磁気
ヘッドである場合、ハードディスクに搭載されるものと
異なり磁気記録媒体走行面が磁気テープと接触摺動する
ために、上記金属磁性膜を材料とする下部磁気コア及び
上部磁気コアに生じる摩耗と偏摩耗が問題となる。
プを記録媒体とするコンピュータのデータコーダ（主に
バックアップ用）に搭載される摺動型の複合型薄膜磁気
ヘッドである場合、ハードディスクに搭載されるものと
異なり磁気記録媒体走行面が磁気テープと接触摺動する
ために、上記金属磁性膜を材料とする下部磁気コア及び
上部磁気コアに生じる摩耗と偏摩耗が問題となる。
【００１３】例えば、従来のパーマロイメッキ膜である
金属磁性膜を材料とする下部磁気コア１０３及び上部磁
気コア１１５を摺動型の複合型薄膜磁気ヘッドに設ける
場合、磁気テープに対する下部磁気コア１０３及び上部
磁気コア１１５はその摩耗量が基板１０１等の摩耗量に
比して特に大きいために、これらの部分が基板１０１等
の他の部分よりも速く摩耗してくぼみが生じるという、
いわゆる偏摩耗が発生する。この偏摩耗の発生により磁
気テープとの間にスペーシングが生じ、磁気ギャップの
磁気テープに対する磁界強度が弱くなるため、特に高周
波域における電磁変換特性が低下する。
金属磁性膜を材料とする下部磁気コア１０３及び上部磁
気コア１１５を摺動型の複合型薄膜磁気ヘッドに設ける
場合、磁気テープに対する下部磁気コア１０３及び上部
磁気コア１１５はその摩耗量が基板１０１等の摩耗量に
比して特に大きいために、これらの部分が基板１０１等
の他の部分よりも速く摩耗してくぼみが生じるという、
いわゆる偏摩耗が発生する。この偏摩耗の発生により磁
気テープとの間にスペーシングが生じ、磁気ギャップの
磁気テープに対する磁界強度が弱くなるため、特に高周
波域における電磁変換特性が低下する。
【００１４】現在のところ、複合型薄膜磁気ヘッドにお
いては、ＭＲヘッド部に設けられるＭＲ素子の耐熱性に
関する作製上の問題と、摺動型の複合型薄膜磁気ヘッド
に特有の問題である金属磁性膜よりなる下部磁気コア及
び上部磁気コアに生じる摩耗（偏摩耗）に関する使用上
の問題があり、どちらも解決法が模索されているという
現状である。
いては、ＭＲヘッド部に設けられるＭＲ素子の耐熱性に
関する作製上の問題と、摺動型の複合型薄膜磁気ヘッド
に特有の問題である金属磁性膜よりなる下部磁気コア及
び上部磁気コアに生じる摩耗（偏摩耗）に関する使用上
の問題があり、どちらも解決法が模索されているという
現状である。
【００１５】そこで本発明は、上述の課題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、ＭＲ素子を
熱的に劣化させることなく高記録磁界密度を達成し、当
該複合型薄膜磁気ヘッドが摺動型である場合に下部磁気
コア及び上部磁気コアに発生しがちな偏摩耗を緩和し
て、信頼性の高い複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方
法を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、ＭＲ素子を
熱的に劣化させることなく高記録磁界密度を達成し、当
該複合型薄膜磁気ヘッドが摺動型である場合に下部磁気
コア及び上部磁気コアに発生しがちな偏摩耗を緩和し
て、信頼性の高い複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方
法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の対象となるもの
は、薄膜よりなる導体コイルを備える記録用の誘導型磁
気ヘッド部と磁気抵抗効果素子を備える再生用の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド部とを併せ持つ複合型薄膜磁気ヘッ
ド及びその製造方法である。
は、薄膜よりなる導体コイルを備える記録用の誘導型磁
気ヘッド部と磁気抵抗効果素子を備える再生用の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド部とを併せ持つ複合型薄膜磁気ヘッ
ド及びその製造方法である。
【００１７】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドは、非磁性
材料よりなる基板上に、上面に凹部を有する軟磁性材料
よりなる下部磁気コアと、当該下部磁気コアの上面に設
けられた凹部上に絶縁材料よりなる平坦化層を介して埋
設形成されてなるスパイラル状の導体コイルと、当該導
体コイル上に絶縁材料よりなる平坦化層を介して積層さ
れてなる軟磁性材料よりなる上部磁気コアとを有する誘
導型磁気ヘッド部を備えるとともに、下部磁性層を兼ね
た前記上部磁気コア上に絶縁層を介して形成されてなる
磁気抵抗効果素子と、当該磁気抵抗効果素子上に絶縁層
を介して積層されてなる上部磁性層とを有する磁気抵抗
効果型磁気ヘッド部を備えることを特徴とするものであ
る。
材料よりなる基板上に、上面に凹部を有する軟磁性材料
よりなる下部磁気コアと、当該下部磁気コアの上面に設
けられた凹部上に絶縁材料よりなる平坦化層を介して埋
設形成されてなるスパイラル状の導体コイルと、当該導
体コイル上に絶縁材料よりなる平坦化層を介して積層さ
れてなる軟磁性材料よりなる上部磁気コアとを有する誘
導型磁気ヘッド部を備えるとともに、下部磁性層を兼ね
た前記上部磁気コア上に絶縁層を介して形成されてなる
磁気抵抗効果素子と、当該磁気抵抗効果素子上に絶縁層
を介して積層されてなる上部磁性層とを有する磁気抵抗
効果型磁気ヘッド部を備えることを特徴とするものであ
る。
【００１８】ここで、上記複合型薄膜磁気ヘッドを製造
するに際しては、非磁性材料よりなる基板上に、上面に
凹部を有する軟磁性材料よりなる下部磁気コアを形成す
る工程と、当該凹部上に絶縁材料よりなる平坦化層を介
してスパイラル状の導体コイルを埋設形成する工程と、
当該導体コイル上に絶縁材料よりなる平坦化層を介して
軟磁性材料よりなる上部磁気コアを積層する工程とを順
次経ることにより誘導型磁気ヘッド部を作製した後に、
下部磁性層を兼ねた前記上部磁気コア上に絶縁層を介し
て磁気抵抗効果素子を形成する工程と、当該磁気抵抗効
果素子上に絶縁層を介して上部磁性層を積層する工程と
を順次経ることにより、当該複合型薄膜磁気ヘッドを製
造する。
するに際しては、非磁性材料よりなる基板上に、上面に
凹部を有する軟磁性材料よりなる下部磁気コアを形成す
る工程と、当該凹部上に絶縁材料よりなる平坦化層を介
してスパイラル状の導体コイルを埋設形成する工程と、
当該導体コイル上に絶縁材料よりなる平坦化層を介して
軟磁性材料よりなる上部磁気コアを積層する工程とを順
次経ることにより誘導型磁気ヘッド部を作製した後に、
下部磁性層を兼ねた前記上部磁気コア上に絶縁層を介し
て磁気抵抗効果素子を形成する工程と、当該磁気抵抗効
果素子上に絶縁層を介して上部磁性層を積層する工程と
を順次経ることにより、当該複合型薄膜磁気ヘッドを製
造する。
【００１９】具体的には、基板と下部磁気コアとの間
に、上面に溝部を有する絶縁層が形成され、当該絶縁層
に溝部が存することにより下部磁気コアの上面に形成さ
れる凹部上に平坦化層を介して導体コイルを埋設形成す
ることが好適である。
に、上面に溝部を有する絶縁層が形成され、当該絶縁層
に溝部が存することにより下部磁気コアの上面に形成さ
れる凹部上に平坦化層を介して導体コイルを埋設形成す
ることが好適である。
【００２０】また、下部磁気コア及び上部磁気コアをそ
れぞれ高透磁率及び高飽和磁束密度を有する金属磁性
膜、具体的にはＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金或はアモル
ファス合金を材料とする金属磁性膜として構成すること
が好ましい。ここで、これら下部磁気コア及び上部磁気
コアは、その軟磁性を得るために施される熱処理時の加
熱温度が磁気抵抗効果素子の劣化温度より高い金属磁性
膜としてもよい。
れぞれ高透磁率及び高飽和磁束密度を有する金属磁性
膜、具体的にはＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金或はアモル
ファス合金を材料とする金属磁性膜として構成すること
が好ましい。ここで、これら下部磁気コア及び上部磁気
コアは、その軟磁性を得るために施される熱処理時の加
熱温度が磁気抵抗効果素子の劣化温度より高い金属磁性
膜としてもよい。
【００２１】さらに、上記基板を、ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，
及びＮｉＯを主成分としてＣａＯとＴｉＯ2 との混合比
が３０／７０〜５０／５０であって且つＮｉＯの含有量
が５〜３０ｍｏｌ％である非磁性材料から構成すること
が好適である。
及びＮｉＯを主成分としてＣａＯとＴｉＯ2 との混合比
が３０／７０〜５０／５０であって且つＮｉＯの含有量
が５〜３０ｍｏｌ％である非磁性材料から構成すること
が好適である。
【００２２】また、上部磁性層上に保護板を有し、この
保護板もまた、ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，及びＮｉＯを主成分
としてＣａＯとＴｉＯ2 との混合比が３０／７０〜５０
／５０であって且つＮｉＯの含有量が５〜３０ｍｏｌ％
である非磁性材料より構成することが好ましい。
保護板もまた、ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，及びＮｉＯを主成分
としてＣａＯとＴｉＯ2 との混合比が３０／７０〜５０
／５０であって且つＮｉＯの含有量が５〜３０ｍｏｌ％
である非磁性材料より構成することが好ましい。
【００２３】ここで、ＣａＯのＴｉＯ2 に対する混合比
が３０／７０より少ない場合、ＴｉＯ2 の析出量が多
く、熱膨張係数が１００×１０-7以下と小さくなって各
磁性層とのマッチングが悪化する。一方、ＣａＯとＴｉ
Ｏ2 との混合比が５０／５０より多い場合、ＣａＯが析
出して焼結性が著しく劣化して緻密化を達成することが
困難となる。
が３０／７０より少ない場合、ＴｉＯ2 の析出量が多
く、熱膨張係数が１００×１０-7以下と小さくなって各
磁性層とのマッチングが悪化する。一方、ＣａＯとＴｉ
Ｏ2 との混合比が５０／５０より多い場合、ＣａＯが析
出して焼結性が著しく劣化して緻密化を達成することが
困難となる。
【００２４】上述のように、本発明に係る複合型薄膜磁
気ヘッドにおいては、誘導型磁気ヘッド部上にＭＲヘッ
ド部が積層形成されるので、誘導型磁気ヘッド部が作製
される過程において、下部磁気コア及び上部磁気コアの
軟磁性を得るために施される熱処理時の加熱温度がＭＲ
素子の劣化温度より高い場合でも当該ＭＲ素子に対する
影響は皆無である。したがって、ＭＲ素子を熱劣化させ
ることなく高透磁率及び高飽和磁束密度を有する金属磁
性膜よりなる下部磁気コア及び上部磁気コアを設けるこ
とが可能となる。
気ヘッドにおいては、誘導型磁気ヘッド部上にＭＲヘッ
ド部が積層形成されるので、誘導型磁気ヘッド部が作製
される過程において、下部磁気コア及び上部磁気コアの
軟磁性を得るために施される熱処理時の加熱温度がＭＲ
素子の劣化温度より高い場合でも当該ＭＲ素子に対する
影響は皆無である。したがって、ＭＲ素子を熱劣化させ
ることなく高透磁率及び高飽和磁束密度を有する金属磁
性膜よりなる下部磁気コア及び上部磁気コアを設けるこ
とが可能となる。
【００２５】しかも、下部磁気コアの上面に凹部を有
し、この凹部上に導体コイルが形成されて凹部上に埋設
されたかたちとされているために、成膜時に上部磁気コ
アの体積を減少させることが可能となるとともに、ＭＲ
ヘッド部の下地を平坦化させることが容易となって磁気
特性の劣化が抑制される。
し、この凹部上に導体コイルが形成されて凹部上に埋設
されたかたちとされているために、成膜時に上部磁気コ
アの体積を減少させることが可能となるとともに、ＭＲ
ヘッド部の下地を平坦化させることが容易となって磁気
特性の劣化が抑制される。
【００２６】さらに、上記基板を、ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，
及びＮｉＯを主成分としてＣａＯとＴｉＯ2 との混合比
が３０／７０〜５０／５０であって且つＮｉＯの含有量
が５〜３０ｍｏｌ％である非磁性材料から構成すること
により、磁気テープに対する摺動を繰り返すことにより
生じる摩耗量が高い耐摩耗性を保ちつつ磁気記録媒体走
行面の全体に亘って略々均一となり、偏摩耗が防止され
ることになる。
及びＮｉＯを主成分としてＣａＯとＴｉＯ2 との混合比
が３０／７０〜５０／５０であって且つＮｉＯの含有量
が５〜３０ｍｏｌ％である非磁性材料から構成すること
により、磁気テープに対する摺動を繰り返すことにより
生じる摩耗量が高い耐摩耗性を保ちつつ磁気記録媒体走
行面の全体に亘って略々均一となり、偏摩耗が防止され
ることになる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を、記録用の薄膜磁
気ヘッドとして好適なインダクティブヘッド部上に再生
用のＭＲヘッド部が積層形成されてなる複合型薄膜磁気
ヘッドに適用したいくつかの実施の形態について図面を
参照しながら詳細に説明する。
気ヘッドとして好適なインダクティブヘッド部上に再生
用のＭＲヘッド部が積層形成されてなる複合型薄膜磁気
ヘッドに適用したいくつかの実施の形態について図面を
参照しながら詳細に説明する。
【００２８】この複合型薄膜磁気ヘッドは、図１に示す
ように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等の非磁性材料よりなるベ
ース基板１上にＡｌ2 Ｏ3 等よりなる絶縁層２を介し
て、導体コイル４が下部磁気コア２と上部磁気コア９と
により狭持されてなるインダクティブヘッド部Ｐと、磁
気抵抗効果を奏するＭＲ素子１がそれぞれ軟磁性体層で
ある下部磁性層を兼ねた上部磁気コア９と上部磁性層１
３とにより狭持されてなるＭＲヘッド部Ｑとが順次積層
され、さらに上部磁性層１３上に非磁性材料よりなる保
護板１４が形成されて構成されている。
ように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等の非磁性材料よりなるベ
ース基板１上にＡｌ2 Ｏ3 等よりなる絶縁層２を介し
て、導体コイル４が下部磁気コア２と上部磁気コア９と
により狭持されてなるインダクティブヘッド部Ｐと、磁
気抵抗効果を奏するＭＲ素子１がそれぞれ軟磁性体層で
ある下部磁性層を兼ねた上部磁気コア９と上部磁性層１
３とにより狭持されてなるＭＲヘッド部Ｑとが順次積層
され、さらに上部磁性層１３上に非磁性材料よりなる保
護板１４が形成されて構成されている。
【００２９】インダクティブヘッド部Ｐにおいては、熱
処理を施すことにより軟磁性体層となるＦｅ−Ｒｕ−Ｇ
ａ−Ｓｉ合金よりなる下部磁気コア２上に表面を平坦化
して導体コイル４の成膜を容易にするためのレジスト等
の高分子材料からなる第１の平坦化層２３が成膜され、
その表面上に導体コイル４がスパイラル状に形成されて
いる。
処理を施すことにより軟磁性体層となるＦｅ−Ｒｕ−Ｇ
ａ−Ｓｉ合金よりなる下部磁気コア２上に表面を平坦化
して導体コイル４の成膜を容易にするためのレジスト等
の高分子材料からなる第１の平坦化層２３が成膜され、
その表面上に導体コイル４がスパイラル状に形成されて
いる。
【００３０】ここで、ベース基板１上に成膜された絶縁
層２の上面には溝部２ａが形成されており、この溝部２
ａが存することにより下部磁気コア３に形成される凹部
３ａ上に第１の平坦化層２３を介して導体コイル４が埋
設形成されている。
層２の上面には溝部２ａが形成されており、この溝部２
ａが存することにより下部磁気コア３に形成される凹部
３ａ上に第１の平坦化層２３を介して導体コイル４が埋
設形成されている。
【００３１】そして、表面の平坦化を図るためのレジス
ト等の高分子材料からなる第２の平坦化層６が導体コイ
ル４の隙間を埋めるように形成されて下部磁気コア３の
表面が平面状とされ、この第２の平坦化層６上に記録用
の磁気ギャップを形成するギャップ膜７を介してＦｅ−
Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金よりなる上部磁気コア９が形成さ
れ、上部に形成されるＭＲヘッド部Ｑの平坦な下地とな
る下地層２１が成膜されて上記インダクティブヘッド部
Ｐが構成されている。この場合、下部磁気コア３と上部
磁気コア９の各バックコア側が磁気的に接続されて閉磁
路が形成されている。
ト等の高分子材料からなる第２の平坦化層６が導体コイ
ル４の隙間を埋めるように形成されて下部磁気コア３の
表面が平面状とされ、この第２の平坦化層６上に記録用
の磁気ギャップを形成するギャップ膜７を介してＦｅ−
Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金よりなる上部磁気コア９が形成さ
れ、上部に形成されるＭＲヘッド部Ｑの平坦な下地とな
る下地層２１が成膜されて上記インダクティブヘッド部
Ｐが構成されている。この場合、下部磁気コア３と上部
磁気コア９の各バックコア側が磁気的に接続されて閉磁
路が形成されている。
【００３２】なお、下部磁気コア３及び上部磁気コア９
の材料としては、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金の代わり
にＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏのうちの１つ以上の元素とＰ，Ｃ，
Ｂ，Ｓｉのうちの１つ以上の元素とからなるアモルファ
ス合金や、これらを主成分としてＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓ
ｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｎｂ等を含有するメタル−メタロイド系アモルファス合
金、或はＣｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷移元素や希土類元素等
を主成分とするメタル−メタロイド系アモルファス合金
を用いてもよい。
の材料としては、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金の代わり
にＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏのうちの１つ以上の元素とＰ，Ｃ，
Ｂ，Ｓｉのうちの１つ以上の元素とからなるアモルファ
ス合金や、これらを主成分としてＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓ
ｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｎｂ等を含有するメタル−メタロイド系アモルファス合
金、或はＣｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷移元素や希土類元素等
を主成分とするメタル−メタロイド系アモルファス合金
を用いてもよい。
【００３３】一方、ＭＲヘッド部Ｑは、ＭＲ素子１にセ
ンス電流がトラック幅方向と略々平行する方向に流れ
る、いわゆる横型のＭＲヘッドである。具体的には、下
部磁性層を兼ねた上部磁気コア９上に再生用の磁気ギャ
ップを形成するＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2 等よりなる絶縁
層１０が成膜され、この絶縁層１０上にＮｉ−Ｆｅ等よ
りなるＭＲ素子１１がその長手方向が磁気記録媒体との
対向面（磁気記録媒体走行面ａ）と略々平行となるよう
に配され、且つその長手方向の一方の端面が磁気記録媒
体走行面ａに露出するかたちに形成されている。さら
に、ＭＲ素子１１上にはＣｒ／Ｔａ等からなり当該ＭＲ
素子１にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体１
２が設けられＭＲ素子１１と同一形状に加工形成されて
いる。
ンス電流がトラック幅方向と略々平行する方向に流れ
る、いわゆる横型のＭＲヘッドである。具体的には、下
部磁性層を兼ねた上部磁気コア９上に再生用の磁気ギャ
ップを形成するＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2 等よりなる絶縁
層１０が成膜され、この絶縁層１０上にＮｉ−Ｆｅ等よ
りなるＭＲ素子１１がその長手方向が磁気記録媒体との
対向面（磁気記録媒体走行面ａ）と略々平行となるよう
に配され、且つその長手方向の一方の端面が磁気記録媒
体走行面ａに露出するかたちに形成されている。さら
に、ＭＲ素子１１上にはＣｒ／Ｔａ等からなり当該ＭＲ
素子１にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体１
２が設けられＭＲ素子１１と同一形状に加工形成されて
いる。
【００３４】ここで、バイアス導体１２上には、このバ
イアス導体１２にバイアス電流を供給するとともにＭＲ
素子１１にセンス電流を提供するための図示しない一対
の引出し電極が設けられている。ここで、これら引出し
電極により狭持されたＭＲ素子１１の領域が磁気抵抗効
果を示す有効感磁部となる。
イアス導体１２にバイアス電流を供給するとともにＭＲ
素子１１にセンス電流を提供するための図示しない一対
の引出し電極が設けられている。ここで、これら引出し
電極により狭持されたＭＲ素子１１の領域が磁気抵抗効
果を示す有効感磁部となる。
【００３５】そして、ＭＲ素子１１及び上記引出し電極
上にＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2 等よりなる絶縁層２２が成
膜され、この絶縁層２２上に上部磁性層１３がエポキシ
樹脂等の接着材により接合されて、上記ＭＲヘッド部Ｑ
が構成されている。
上にＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2 等よりなる絶縁層２２が成
膜され、この絶縁層２２上に上部磁性層１３がエポキシ
樹脂等の接着材により接合されて、上記ＭＲヘッド部Ｑ
が構成されている。
【００３６】次いで、上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法について説明する。ここでは、非磁性材料よりなる
基板１上に、軟磁性材料よりなる下部磁気コア３を成膜
して当該下部磁気コア３の上面に凹部３ａを形成する工
程と、当該凹部３ａ上に絶縁材料よりなる第１の平坦化
層２３を介してスパイラル状の導体コイル４を埋設形成
する工程と、当該導体コイル４上に絶縁材料よりなる第
２の平坦化層６を介して軟磁性材料よりなる上部磁気コ
ア９を積層する工程とを順次経ることによりインダクテ
ィブヘッド部Ｐを作製した後に、下部磁性層を兼ねた前
記上部磁気コア９上に絶縁層１０を介してＭＲ素子１１
を形成する工程と、当該ＭＲ素子１１上に絶縁層２２を
介して上部磁性層１３を積層する工程とを順次経ること
によりＭＲヘッド部Ｑを作製する。
方法について説明する。ここでは、非磁性材料よりなる
基板１上に、軟磁性材料よりなる下部磁気コア３を成膜
して当該下部磁気コア３の上面に凹部３ａを形成する工
程と、当該凹部３ａ上に絶縁材料よりなる第１の平坦化
層２３を介してスパイラル状の導体コイル４を埋設形成
する工程と、当該導体コイル４上に絶縁材料よりなる第
２の平坦化層６を介して軟磁性材料よりなる上部磁気コ
ア９を積層する工程とを順次経ることによりインダクテ
ィブヘッド部Ｐを作製した後に、下部磁性層を兼ねた前
記上部磁気コア９上に絶縁層１０を介してＭＲ素子１１
を形成する工程と、当該ＭＲ素子１１上に絶縁層２２を
介して上部磁性層１３を積層する工程とを順次経ること
によりＭＲヘッド部Ｑを作製する。
【００３７】具体的には、先ず図２に示すように、Ａｌ
2 Ｏ3 −ＴｉＣ等の非磁性材料よりなるベース基板１上
にハイレートバイアススパッタ等によりＡｌ2 Ｏ3 より
なる絶縁層２を成膜する。
2 Ｏ3 −ＴｉＣ等の非磁性材料よりなるベース基板１上
にハイレートバイアススパッタ等によりＡｌ2 Ｏ3 より
なる絶縁層２を成膜する。
【００３８】その後、ベース基板１の面出しを行うため
に、絶縁層２上に形成する下部磁気コア３の材料である
Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金が軟磁性を得る温度以上の
温度、ここでは真空中５７０℃でベース基板１に熱処理
を施す。この熱処理温度は、下部磁気コア３をＦｅ−Ｒ
ｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金以外の金属磁性膜とする場合、その
金属磁性膜が軟磁性を得るために必要な温度以上とす
る。
に、絶縁層２上に形成する下部磁気コア３の材料である
Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金が軟磁性を得る温度以上の
温度、ここでは真空中５７０℃でベース基板１に熱処理
を施す。この熱処理温度は、下部磁気コア３をＦｅ−Ｒ
ｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金以外の金属磁性膜とする場合、その
金属磁性膜が軟磁性を得るために必要な温度以上とす
る。
【００３９】次いで、絶縁層２の表面を平坦化するため
に当該絶縁層２上にダイヤモンド・ポリッシュ，バフ研
磨を施す。ここで、ダイヤモンド・ポリッシュは、錫や
銅等の硬度の低い金属を用いてダイヤモンドの塗粒によ
りフロート・ポリッシングが施されるものである。ま
た、バフ研磨は、一般にバフクロス等と称されるものや
パッド等と称されるものを平滑な定盤に張り付けて、研
磨剤としてアルカリ性のＳｉ塗粒を用いて施されるもの
である。
に当該絶縁層２上にダイヤモンド・ポリッシュ，バフ研
磨を施す。ここで、ダイヤモンド・ポリッシュは、錫や
銅等の硬度の低い金属を用いてダイヤモンドの塗粒によ
りフロート・ポリッシングが施されるものである。ま
た、バフ研磨は、一般にバフクロス等と称されるものや
パッド等と称されるものを平滑な定盤に張り付けて、研
磨剤としてアルカリ性のＳｉ塗粒を用いて施されるもの
である。
【００４０】その後、研磨された絶縁層２の上面に、フ
ォトレジストを塗布してフォトリソグラフィー技術によ
り所定のレジストパターンを形成し、このレジストパタ
ーンに倣ってイオンミリングによりエッチングを施して
導体コイル４を埋設するための溝部２ａを形成し、上記
レジストパターンを除去する。
ォトレジストを塗布してフォトリソグラフィー技術によ
り所定のレジストパターンを形成し、このレジストパタ
ーンに倣ってイオンミリングによりエッチングを施して
導体コイル４を埋設するための溝部２ａを形成し、上記
レジストパターンを除去する。
【００４１】次いで、図３に示すように、絶縁層２上に
Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金の金属磁性膜となる下部磁
気コア３を形成する。この場合、ＲＦマグネトロン・ス
パッタにより、Ｆｅ８１−Ｒｕ４−Ｇａ１２−Ｓｉ３
（原子％）の組成を有するターゲットを用いてスパッタ
リングを行った後に、溝部２ａの場合と同様にイオンミ
リングによりエッチングを施す。この場合、溝部２ａの
テーパ形状に対しても成膜されることを考慮して、ター
ゲット直上における固定連続スパッタを行うこととす
る。
Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金の金属磁性膜となる下部磁
気コア３を形成する。この場合、ＲＦマグネトロン・ス
パッタにより、Ｆｅ８１−Ｒｕ４−Ｇａ１２−Ｓｉ３
（原子％）の組成を有するターゲットを用いてスパッタ
リングを行った後に、溝部２ａの場合と同様にイオンミ
リングによりエッチングを施す。この場合、溝部２ａの
テーパ形状に対しても成膜されることを考慮して、ター
ゲット直上における固定連続スパッタを行うこととす
る。
【００４２】なお、成膜された金属磁性膜の組成が（Ｆ
ｅa −Ｒｕb −Ｇａc −Ｓｉd ）xＮy Ｏz Ｃw （但
し、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｘ，ｙ，ｚ，ｗは各元素の原子％
を示す。）とすると、６８≦ａ≦９０，０．１≦ｂ≦１
０，０．１≦ｃ≦１５，１０≦ｄ≦２５，８０≦ｘ≦１
００，０≦ｙ≦２０，０≦ｚ≦２０，０≦ｗ≦２０，ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００の範囲
内となる組成のターゲットを用いることが好ましい。
ｅa −Ｒｕb −Ｇａc −Ｓｉd ）xＮy Ｏz Ｃw （但
し、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｘ，ｙ，ｚ，ｗは各元素の原子％
を示す。）とすると、６８≦ａ≦９０，０．１≦ｂ≦１
０，０．１≦ｃ≦１５，１０≦ｄ≦２５，８０≦ｘ≦１
００，０≦ｙ≦２０，０≦ｚ≦２０，０≦ｗ≦２０，ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００の範囲
内となる組成のターゲットを用いることが好ましい。
【００４３】次に、導体コイル４を形成する際に平坦化
を図り且つ導体コイル４と下部磁気コア３との絶縁を図
るために、Ａｌ2 Ｏ3 よりなる第１の下地層２３を連続
成膜した後、Ｔｉ／Ｃｕよりなる図示しないコイル下地
膜を成膜する。
を図り且つ導体コイル４と下部磁気コア３との絶縁を図
るために、Ａｌ2 Ｏ3 よりなる第１の下地層２３を連続
成膜した後、Ｔｉ／Ｃｕよりなる図示しないコイル下地
膜を成膜する。
【００４４】そして、図４及び図５に示すように、上記
コイル下地膜上にＣｕよりなる導体コイル４を形成す
る。この場合、メッキ下地膜の表面にフォトレジストを
塗布してフォトリソグラフィー技術により所定のレジス
トパターンを形成し、このレジストパターンに倣って導
体コイル４及び接続端子５を管理が容易な硫酸銅メッキ
液を用いてメッキ成膜し、レジストパターンを剥離する
とともにメッキ下地膜をイオンミリングにより除去す
る。このとき、第１の下地層２３としてＡｌ2 Ｏ3膜を
成膜したために懸念されるボイドの発生を防止するため
に、導体コイル４のコイル高さとスペースとのアスペク
ト比を１以上とする。
コイル下地膜上にＣｕよりなる導体コイル４を形成す
る。この場合、メッキ下地膜の表面にフォトレジストを
塗布してフォトリソグラフィー技術により所定のレジス
トパターンを形成し、このレジストパターンに倣って導
体コイル４及び接続端子５を管理が容易な硫酸銅メッキ
液を用いてメッキ成膜し、レジストパターンを剥離する
とともにメッキ下地膜をイオンミリングにより除去す
る。このとき、第１の下地層２３としてＡｌ2 Ｏ3膜を
成膜したために懸念されるボイドの発生を防止するため
に、導体コイル４のコイル高さとスペースとのアスペク
ト比を１以上とする。
【００４５】次いで、図６に示す如く下部磁性コア３及
び第１の下地層２３の後端部を除去した後、図７に示す
ように、ハイレート・バイアス・スパッタ等により全面
にＡｌ2 Ｏ3 膜６ａを成膜し、下部磁性コア３のフロン
トコア側とバックコア側及び接続端子５が露出するまで
研磨を施すことにより第２の平坦化層６を形成する。
び第１の下地層２３の後端部を除去した後、図７に示す
ように、ハイレート・バイアス・スパッタ等により全面
にＡｌ2 Ｏ3 膜６ａを成膜し、下部磁性コア３のフロン
トコア側とバックコア側及び接続端子５が露出するまで
研磨を施すことにより第２の平坦化層６を形成する。
【００４６】その後、図８に示すように、記録用の磁気
ギャップを形成するためのギャップ膜７を全面に成膜
し、フォトレジストを塗布してフォトリソグラフィー技
術により所定のレジストパターンを形成して、このレジ
ストパターンに倣ってバックギャップのエッチングを施
して図９に示す如く下部磁性コア３のバックコア側及び
接続端子５を露出させる。
ギャップを形成するためのギャップ膜７を全面に成膜
し、フォトレジストを塗布してフォトリソグラフィー技
術により所定のレジストパターンを形成して、このレジ
ストパターンに倣ってバックギャップのエッチングを施
して図９に示す如く下部磁性コア３のバックコア側及び
接続端子５を露出させる。
【００４７】次いで、図１０に示すように、導体コイル
４の引出し電極８を形成して接続端子５と電気的に接続
する。この場合、ギャップ膜７の表面にメッキ下地膜を
成膜した後に、フォトレジストを塗布してフォトリソグ
ラフィー技術により所定のレジストパターンを形成し、
このレジストパターンに倣ってメッキ成膜し、レジスト
パターンを剥離するとともにメッキ下地膜をイオンミリ
ングにより除去する。
４の引出し電極８を形成して接続端子５と電気的に接続
する。この場合、ギャップ膜７の表面にメッキ下地膜を
成膜した後に、フォトレジストを塗布してフォトリソグ
ラフィー技術により所定のレジストパターンを形成し、
このレジストパターンに倣ってメッキ成膜し、レジスト
パターンを剥離するとともにメッキ下地膜をイオンミリ
ングにより除去する。
【００４８】そして、図１１に示すように、ギャップ膜
７上にＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金の金属磁性膜となる
上部磁気コア９を形成する。この場合、ＲＦマグネトロ
ン・スパッタにより、Ｆｅ８１−Ｒｕ４−Ｇａ１２−Ｓ
ｉ３（原子％）の組成を有するターゲットを用いてスパ
ッタリングを行い、イオンミリングによりエッチングを
施して下部磁気コア３のバックコア側と接続され閉磁路
が形成された上部磁気コア９が形成される。この場合、
下部磁気コア３を形成する場合と異なり、ターゲット直
上における回転スパッタを行うこととする。
７上にＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金の金属磁性膜となる
上部磁気コア９を形成する。この場合、ＲＦマグネトロ
ン・スパッタにより、Ｆｅ８１−Ｒｕ４−Ｇａ１２−Ｓ
ｉ３（原子％）の組成を有するターゲットを用いてスパ
ッタリングを行い、イオンミリングによりエッチングを
施して下部磁気コア３のバックコア側と接続され閉磁路
が形成された上部磁気コア９が形成される。この場合、
下部磁気コア３を形成する場合と異なり、ターゲット直
上における回転スパッタを行うこととする。
【００４９】続いて、図１２に示すように、フレキシブ
ル・ケーブルに接続するための端子２４を導体コイル４
を形成した場合と同様に硫酸銅メッキ液を用いてメッキ
成膜する。
ル・ケーブルに接続するための端子２４を導体コイル４
を形成した場合と同様に硫酸銅メッキ液を用いてメッキ
成膜する。
【００５０】次いで、上部磁気コア９の材料であるＦｅ
−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金が軟磁性を得る温度以上の温
度、ここでは真空中５５０℃で熱処理を施す。
−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金が軟磁性を得る温度以上の温
度、ここでは真空中５５０℃で熱処理を施す。
【００５１】そして、図１３に示すように、上部磁気コ
ア９から端子２４にかけて全面にハイレートバイアスス
パッタ等によりＡｌ2 Ｏ3 よりなる下地層２１を成膜
し、図１４に示すように、ダイヤモンド・ポリッシュ，
バフ研磨を施すことにより上部磁気コア９の上面及び下
地層２１の上面を共に平坦化して、インダクティブヘッ
ド部Ｐが完成する。
ア９から端子２４にかけて全面にハイレートバイアスス
パッタ等によりＡｌ2 Ｏ3 よりなる下地層２１を成膜
し、図１４に示すように、ダイヤモンド・ポリッシュ，
バフ研磨を施すことにより上部磁気コア９の上面及び下
地層２１の上面を共に平坦化して、インダクティブヘッ
ド部Ｐが完成する。
【００５２】次いで、図１５に示すように、上部磁気コ
ア９の上面に、ＭＲ素子１１の一対の引出し電極を形成
するためにイオンエッチング装置を用いてエッチングを
施す。
ア９の上面に、ＭＲ素子１１の一対の引出し電極を形成
するためにイオンエッチング装置を用いてエッチングを
施す。
【００５３】その後、上部磁気コア９の上面及び下地層
２１の上面にＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2 等よりなる絶縁層
１０を成膜し、この絶縁層１０上にＮｉ−Ｆｅ膜及びＣ
ｒ／Ｔａ膜をスパッタリングにより順次成膜する。そし
て、図１６に示すように、Ｎｉ−Ｆｅ膜及びＣｒ／Ｔａ
膜上にフォトレジストを塗布してフォトリソグラフィー
技術により所定のレジストパターンを形成し、このレジ
ストパターンに倣ってイオンミリング等の手法によりエ
ッチングを施してＭＲ素子１１及びバイアス導体１２を
形成する。
２１の上面にＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2 等よりなる絶縁層
１０を成膜し、この絶縁層１０上にＮｉ−Ｆｅ膜及びＣ
ｒ／Ｔａ膜をスパッタリングにより順次成膜する。そし
て、図１６に示すように、Ｎｉ−Ｆｅ膜及びＣｒ／Ｔａ
膜上にフォトレジストを塗布してフォトリソグラフィー
技術により所定のレジストパターンを形成し、このレジ
ストパターンに倣ってイオンミリング等の手法によりエ
ッチングを施してＭＲ素子１１及びバイアス導体１２を
形成する。
【００５４】次いで、ＭＲ素子１１の両端部に接続され
る一対の引出し電極をリフト・オフの手法によって形成
した後に、ＭＲ素子１１及び上記引出し電極上にＡｌ2
Ｏ3或はＳｉＯ2 等よりなる絶縁層２２を成膜する。
る一対の引出し電極をリフト・オフの手法によって形成
した後に、ＭＲ素子１１及び上記引出し電極上にＡｌ2
Ｏ3或はＳｉＯ2 等よりなる絶縁層２２を成膜する。
【００５５】そして、この絶縁層２２上に上部磁性層１
３をエポキシ樹脂等の接着材により接合することにより
ＭＲヘッド部Ｑが完成する。さらに、上部磁性層１３上
に非磁性材料よりなる保護板１４を形成することによ
り、上記複合型薄膜磁気ヘッドが完成する。
３をエポキシ樹脂等の接着材により接合することにより
ＭＲヘッド部Ｑが完成する。さらに、上部磁性層１３上
に非磁性材料よりなる保護板１４を形成することによ
り、上記複合型薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５６】本第１の実施の形態に係る複合型薄膜磁気
ヘッドにおいては、インダクティブヘッド部Ｐ上にＭＲ
ヘッド部Ｑが積層形成されるので、インダクティブヘッ
ドＰ部が作製される過程において、下部磁気コア３及び
上部磁気コア９の軟磁性を得るために施される熱処理時
の加熱温度がＭＲ素子１１の劣化温度より高い場合でも
当該ＭＲ素子１１に対する影響は皆無である。したがっ
て、ＭＲ素子１１を熱劣化させることなく高透磁率及び
高飽和磁束密度を有する金属磁性膜よりなる下部磁気コ
ア３及び上部磁気コア９を設けることが可能となる。
ヘッドにおいては、インダクティブヘッド部Ｐ上にＭＲ
ヘッド部Ｑが積層形成されるので、インダクティブヘッ
ドＰ部が作製される過程において、下部磁気コア３及び
上部磁気コア９の軟磁性を得るために施される熱処理時
の加熱温度がＭＲ素子１１の劣化温度より高い場合でも
当該ＭＲ素子１１に対する影響は皆無である。したがっ
て、ＭＲ素子１１を熱劣化させることなく高透磁率及び
高飽和磁束密度を有する金属磁性膜よりなる下部磁気コ
ア３及び上部磁気コア９を設けることが可能となる。
【００５７】しかも、下部磁気コア３の上面に凹部３ａ
を有し、この凹部３ａ上に導体コイル４が形成されて凹
部３ａ上に埋設されたかたちとされているために、成膜
時に上部磁気コア９の体積を減少させることが可能とな
るとともに、ＭＲヘッド部Ｑの下地を平坦化させること
が容易となって磁気特性の劣化が抑制される。
を有し、この凹部３ａ上に導体コイル４が形成されて凹
部３ａ上に埋設されたかたちとされているために、成膜
時に上部磁気コア９の体積を減少させることが可能とな
るとともに、ＭＲヘッド部Ｑの下地を平坦化させること
が容易となって磁気特性の劣化が抑制される。
【００５８】ここで、１つの実験例について説明する。
この実験は、上述の下部磁気コア３及び上部磁気コア９
の材料であるＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金の金属磁性膜
の摩耗特性について、従来の下部磁気コア及び上部磁気
コアの材料であるパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）メッキ膜で
ある金属磁性膜との比較に基づいて調べたものである。
この実験は、上述の下部磁気コア３及び上部磁気コア９
の材料であるＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金の金属磁性膜
の摩耗特性について、従来の下部磁気コア及び上部磁気
コアの材料であるパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）メッキ膜で
ある金属磁性膜との比較に基づいて調べたものである。
【００５９】具体的には、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金
からなるターゲットを使用して形成された金属磁性膜
（サンプル１）と、Ｎｉ−Ｆｅ合金からなるターゲット
を使用して形成された金属磁性膜（サンプル２）とを用
い、各サンプルにそれぞれヌープ圧痕を形成して磁気テ
ープに対する比摩耗量を各サンプル単体で比較した。
からなるターゲットを使用して形成された金属磁性膜
（サンプル１）と、Ｎｉ−Ｆｅ合金からなるターゲット
を使用して形成された金属磁性膜（サンプル２）とを用
い、各サンプルにそれぞれヌープ圧痕を形成して磁気テ
ープに対する比摩耗量を各サンプル単体で比較した。
【００６０】その結果、図１７に示すように、両者の摩
耗特性には明かな差異があり、サンプル２に比してサン
プル１の方が優れた摩耗特性を示した。
耗特性には明かな差異があり、サンプル２に比してサン
プル１の方が優れた摩耗特性を示した。
【００６１】このように、本第１の実施の形態に係る複
合型薄膜磁気ヘッドにおいては、高透磁率及び高飽和磁
束密度を有する金属磁性膜を下部磁気コア及び上部磁気
コアに用いても、摩耗特性を損なうことがない。
合型薄膜磁気ヘッドにおいては、高透磁率及び高飽和磁
束密度を有する金属磁性膜を下部磁気コア及び上部磁気
コアに用いても、摩耗特性を損なうことがない。
【００６２】次いで、第２の実施の形態に係る複合型薄
膜磁気ヘッドについて説明する。この複合型薄膜磁気ヘ
ッドは、第１の実施の形態のそれと略々同様の構成を有
するが、そのベース基板１及び保護板１４の材料が異な
る点で相違する。なお、第１の実施の形態に係る複合型
薄膜磁気ヘッドに対応する部材等については同一の符号
を記して説明を省略する。
膜磁気ヘッドについて説明する。この複合型薄膜磁気ヘ
ッドは、第１の実施の形態のそれと略々同様の構成を有
するが、そのベース基板１及び保護板１４の材料が異な
る点で相違する。なお、第１の実施の形態に係る複合型
薄膜磁気ヘッドに対応する部材等については同一の符号
を記して説明を省略する。
【００６３】すなわち、第２の実施の形態に係る複合型
薄膜磁気ヘッドにおいては、ベース基板１及び保護板１
４の材料として、ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，及びＮｉＯを主成
分とし、ＣａＯとＴｉＯ2 との混合比が３０／７０〜５
０／５０であって且つＮｉＯの含有量が５〜３０ｍｏｌ
％であるものが用いられている。
薄膜磁気ヘッドにおいては、ベース基板１及び保護板１
４の材料として、ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，及びＮｉＯを主成
分とし、ＣａＯとＴｉＯ2 との混合比が３０／７０〜５
０／５０であって且つＮｉＯの含有量が５〜３０ｍｏｌ
％であるものが用いられている。
【００６４】ここで、いくつかの実験例について説明す
る。先ず実験１として、ベース基板１及び保護板１４を
構成する非磁性材料の主成分であるＣａＯ，ＴｉＯ2 ，
及びＮｉＯのうち、ＣａＯ／ＴｉＯ2 の混同比（モル
比）を４５／５５の一定値とし、ＮｉＯを０〜８０ｍｏ
ｌ％まで変化させた際の非磁性材料板の摩耗量変化（突
き出し量の変化）と、当該非磁性材料板とＦｅ−Ｒｕ−
Ｇａ−Ｓｉ合金よりなる金属磁性膜との偏摩耗量変化に
ついて調べた。
る。先ず実験１として、ベース基板１及び保護板１４を
構成する非磁性材料の主成分であるＣａＯ，ＴｉＯ2 ，
及びＮｉＯのうち、ＣａＯ／ＴｉＯ2 の混同比（モル
比）を４５／５５の一定値とし、ＮｉＯを０〜８０ｍｏ
ｌ％まで変化させた際の非磁性材料板の摩耗量変化（突
き出し量の変化）と、当該非磁性材料板とＦｅ−Ｒｕ−
Ｇａ−Ｓｉ合金よりなる金属磁性膜との偏摩耗量変化に
ついて調べた。
【００６５】ここでは、図１８に示すような実験用のダ
ミーヘッドを用い、所定の回転ドラムに搭載した。この
ダミーヘッドは、両側に一対の非磁性材料板３１，３２
が配され、これら一対の非磁性材料板３１，３２よりそ
れぞれＡｌ2 Ｏ3 よりなる絶縁膜３３，３４を介してＦ
ｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金よりなる金属磁性膜３５が狭
持されて構成されている。ここで非磁性材料板３１，３
２は、ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，及びＮｉＯを主成分とし、Ｃ
ａＯ／ＴｉＯ2 の混同比を４５／５５の一定値とし、Ｎ
ｉＯを０〜８０ｍｏｌ％まで変化させた材料よりなるも
のである。上記ダミーヘッドのサイズとしては、２ｍｍ
（幅）×２ｍｍ（高さ）×０．２ｍｍ（厚み）で金属磁
性膜３５の厚みを２０μｍ、絶縁膜３３，３４の厚みを
それぞれ５μｍとし、当り幅を７０μｍ、先端部の曲率
半径を５ｍｍとした。
ミーヘッドを用い、所定の回転ドラムに搭載した。この
ダミーヘッドは、両側に一対の非磁性材料板３１，３２
が配され、これら一対の非磁性材料板３１，３２よりそ
れぞれＡｌ2 Ｏ3 よりなる絶縁膜３３，３４を介してＦ
ｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金よりなる金属磁性膜３５が狭
持されて構成されている。ここで非磁性材料板３１，３
２は、ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，及びＮｉＯを主成分とし、Ｃ
ａＯ／ＴｉＯ2 の混同比を４５／５５の一定値とし、Ｎ
ｉＯを０〜８０ｍｏｌ％まで変化させた材料よりなるも
のである。上記ダミーヘッドのサイズとしては、２ｍｍ
（幅）×２ｍｍ（高さ）×０．２ｍｍ（厚み）で金属磁
性膜３５の厚みを２０μｍ、絶縁膜３３，３４の厚みを
それぞれ５μｍとし、当り幅を７０μｍ、先端部の曲率
半径を５ｍｍとした。
【００６６】また、磁気記録媒体として２種の磁気テー
プ（テープＡ，テープＢ）を用い、これらの磁気テープ
を温度３０℃，湿度８０％の環境下で３００時間上記ダ
ミーヘッドと摺動させた。
プ（テープＡ，テープＢ）を用い、これらの磁気テープ
を温度３０℃，湿度８０％の環境下で３００時間上記ダ
ミーヘッドと摺動させた。
【００６７】一般に、磁気ヘッドの磁気記録媒体走行面
に生じる偏摩耗は分離損失を誘起し、この分離損失Ｌは
概略以下に示す式で示される。
に生じる偏摩耗は分離損失を誘起し、この分離損失Ｌは
概略以下に示す式で示される。
【００６８】Ｌ＝５４．６ｄ／λ（ｄＢ） ここで、ｄは磁気記録媒体と磁気記録媒体走行面との分
離距離（偏摩耗量に相当する。）、λは記録波長であ
る。この式より、偏摩耗量が大きくなると特に短波長領
域（高周波領域）で出力が低下することがわかる。
離距離（偏摩耗量に相当する。）、λは記録波長であ
る。この式より、偏摩耗量が大きくなると特に短波長領
域（高周波領域）で出力が低下することがわかる。
【００６９】実験１の結果について、ＮｉＯ含有量変化
に伴う非磁性材料板３１，３２の摩耗量変化を図１９
に、ＮｉＯ含有量変化に伴う非磁性材料板３１，３２と
金属磁性膜３３，３４との偏摩耗量変化を図２０にそれ
ぞれ示す。
に伴う非磁性材料板３１，３２の摩耗量変化を図１９
に、ＮｉＯ含有量変化に伴う非磁性材料板３１，３２と
金属磁性膜３３，３４との偏摩耗量変化を図２０にそれ
ぞれ示す。
【００７０】偏摩耗量は１５ｎｍ以下であることが望ま
しく、摩耗量が大きいと磁気ヘッドの寿命が短くなるた
めに耐摩耗性が高いほど良い。偏摩耗量と摩耗量とのバ
ランスを考慮して総合的に評価すると、ＮｉＯ含有量は
５〜３０ｍｏｌ％である組成が最も良いことがわかる。
しく、摩耗量が大きいと磁気ヘッドの寿命が短くなるた
めに耐摩耗性が高いほど良い。偏摩耗量と摩耗量とのバ
ランスを考慮して総合的に評価すると、ＮｉＯ含有量は
５〜３０ｍｏｌ％である組成が最も良いことがわかる。
【００７１】続いて、実験２について説明する。この実
験２においては、実験１の結果に基づいて、ベース基板
１及び保護板１４を構成する非磁性材料の主成分である
ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，及びＮｉＯのうち、ＮｉＯ含有量を
１０ｍｏｌ％の一定値とし、ＣａＯ／ＴｉＯ2 の混同比
（モル比）を１０／９０，２０／８０，３０／７０，４
０／６０，４５／５５，５０／５０，５５／４５と変化
させた際の、上記非磁性材料の熱膨張係数及び気孔率を
調べたものである。
験２においては、実験１の結果に基づいて、ベース基板
１及び保護板１４を構成する非磁性材料の主成分である
ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，及びＮｉＯのうち、ＮｉＯ含有量を
１０ｍｏｌ％の一定値とし、ＣａＯ／ＴｉＯ2 の混同比
（モル比）を１０／９０，２０／８０，３０／７０，４
０／６０，４５／５５，５０／５０，５５／４５と変化
させた際の、上記非磁性材料の熱膨張係数及び気孔率を
調べたものである。
【００７２】実験２の結果を以下の表１に示す。
【００７３】
【表１】
【００７４】この表１から分かるように、ＣａＯのＴｉ
Ｏ2 に対する混合比が３０／７０より少ない場合、Ｔｉ
Ｏ2 の析出量が多く、熱膨張係数が１００×１０-7以下
と小さくなって各磁性層とのマッチングが悪化する。一
方、ＣａＯとＴｉＯ2 との混合比が５０／５０より多い
場合、ＣａＯが析出して焼結性が著しく劣化して緻密化
を達成することが困難となる。したがって、ＣａＯ／Ｔ
ｉＯ2 の混同比を３０／７０〜５０／５０とすることが
好適であると言える。
Ｏ2 に対する混合比が３０／７０より少ない場合、Ｔｉ
Ｏ2 の析出量が多く、熱膨張係数が１００×１０-7以下
と小さくなって各磁性層とのマッチングが悪化する。一
方、ＣａＯとＴｉＯ2 との混合比が５０／５０より多い
場合、ＣａＯが析出して焼結性が著しく劣化して緻密化
を達成することが困難となる。したがって、ＣａＯ／Ｔ
ｉＯ2 の混同比を３０／７０〜５０／５０とすることが
好適であると言える。
【００７５】本第２の実施の形態に係る複合型薄膜磁気
ヘッドにおいては、第２の実施の形態の場合と同様に、
インダクティブヘッド部Ｐ上にＭＲヘッド部Ｑが積層形
成されるので、インダクティブヘッドＰ部が作製される
過程において、下部磁気コア３及び上部磁気コア９の軟
磁性を得るために施される熱処理時の加熱温度がＭＲ素
子１１の劣化温度より高い場合でも当該ＭＲ素子１１に
対する影響は皆無である。したがって、ＭＲ素子１１を
熱劣化させることなく高透磁率及び高飽和磁束密度を有
する金属磁性膜よりなる下部磁気コア３及び上部磁気コ
ア９を設けることが可能となる。
ヘッドにおいては、第２の実施の形態の場合と同様に、
インダクティブヘッド部Ｐ上にＭＲヘッド部Ｑが積層形
成されるので、インダクティブヘッドＰ部が作製される
過程において、下部磁気コア３及び上部磁気コア９の軟
磁性を得るために施される熱処理時の加熱温度がＭＲ素
子１１の劣化温度より高い場合でも当該ＭＲ素子１１に
対する影響は皆無である。したがって、ＭＲ素子１１を
熱劣化させることなく高透磁率及び高飽和磁束密度を有
する金属磁性膜よりなる下部磁気コア３及び上部磁気コ
ア９を設けることが可能となる。
【００７６】しかも、下部磁気コア３の上面に凹部３ａ
を有し、この凹部３ａ上に導体コイル４が形成されて凹
部３ａ上に埋設されたかたちとされているために、成膜
時に上部磁気コア９の体積を減少させることが可能とな
るとともに、ＭＲヘッド部Ｑの下地を平坦化させること
が容易となって磁気特性の劣化が抑制される。
を有し、この凹部３ａ上に導体コイル４が形成されて凹
部３ａ上に埋設されたかたちとされているために、成膜
時に上部磁気コア９の体積を減少させることが可能とな
るとともに、ＭＲヘッド部Ｑの下地を平坦化させること
が容易となって磁気特性の劣化が抑制される。
【００７７】さらに、ベース基板１及び保護板１４を、
ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，及びＮｉＯを主成分としてＣａＯと
ＴｉＯ2 との混合比が３０／７０〜５０／５０であって
且つＮｉＯの含有量が５〜３０ｍｏｌ％である非磁性材
料から構成することにより、磁気テープに対する摺動を
繰り返すことにより生じる摩耗量が高い耐摩耗性を保ち
つつ磁気記録媒体走行面の全体に亘って略々均一とな
り、偏摩耗が防止されることになる。
ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，及びＮｉＯを主成分としてＣａＯと
ＴｉＯ2 との混合比が３０／７０〜５０／５０であって
且つＮｉＯの含有量が５〜３０ｍｏｌ％である非磁性材
料から構成することにより、磁気テープに対する摺動を
繰り返すことにより生じる摩耗量が高い耐摩耗性を保ち
つつ磁気記録媒体走行面の全体に亘って略々均一とな
り、偏摩耗が防止されることになる。
【００７８】
【発明の効果】本発明に係る複合型薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法においては、製造時にＭＲ素子を熱的に劣
化させることなく高記録磁界密度を達成し、当該複合型
薄膜磁気ヘッドが摺動型の場合に下部磁気コア及び上部
磁気コアに発生しがちな偏摩耗を緩和して、製品の信頼
性を大幅に向上させることが可能となる。
その製造方法においては、製造時にＭＲ素子を熱的に劣
化させることなく高記録磁界密度を達成し、当該複合型
薄膜磁気ヘッドが摺動型の場合に下部磁気コア及び上部
磁気コアに発生しがちな偏摩耗を緩和して、製品の信頼
性を大幅に向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る複合型薄膜磁気ヘッド
を模式的に示す縦断面図である。
を模式的に示す縦断面図である。
【図２】ベース基板上に絶縁層が成膜された様子を模式
的に示す縦断面図である。
的に示す縦断面図である。
【図３】絶縁層上に下部磁気コアが形成された様子を模
式的に示す縦断面図である。
式的に示す縦断面図である。
【図４】コイル下地膜上に導体コイルが形成された様子
を模式的に示す縦断面図である。
を模式的に示す縦断面図である。
【図５】導体コイルの接続端子が形成された様子を模式
的に示す縦断面図である。
的に示す縦断面図である。
【図６】下部磁性コア及び第１の下地層の後端部が除去
された様子を模式的に示す縦断面図である。
された様子を模式的に示す縦断面図である。
【図７】第２の平坦化層が形成された様子を模式的に示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図８】ギャップ膜が成膜された様子を模式的に示す縦
断面図である。
断面図である。
【図９】ギャップ膜にエッチングが施された様子を模式
的に示す縦断面図である。
的に示す縦断面図である。
【図１０】導体コイルの引出し電極が接続端子と電気的
に接続された様子を模式的に示す縦断面図である。
に接続された様子を模式的に示す縦断面図である。
【図１１】ギャップ膜上に上部磁気コアが形成された様
子を模式的に示す縦断面図である。
子を模式的に示す縦断面図である。
【図１２】フレキシブル・ケーブルに接続するための端
子が形成された様子を模式的に示す縦断面図である。
子が形成された様子を模式的に示す縦断面図である。
【図１３】下地層が成膜された様子を模式的に示す縦断
面図である。
面図である。
【図１４】上部磁気コアの上面及び下地層の上面が共に
平坦化された様子を模式的に示す縦断面図である。
平坦化された様子を模式的に示す縦断面図である。
【図１５】上部磁気コアの上面に引出し電極を形成する
ためにエッチングが施された様子を模式的に示す縦断面
図である。
ためにエッチングが施された様子を模式的に示す縦断面
図である。
【図１６】ＭＲ素子及びバイアス導体が形成された様子
を模式的に示す縦断面図である。
を模式的に示す縦断面図である。
【図１７】Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金からなる金属磁
性膜とＮｉ−Ｆｅ合金からなる金属磁性膜との磁気テー
プに対する比摩耗量の差異を示す特性図である。
性膜とＮｉ−Ｆｅ合金からなる金属磁性膜との磁気テー
プに対する比摩耗量の差異を示す特性図である。
【図１８】実験用のダミーヘッドを模式的に示す斜視図
である。
である。
【図１９】ＮｉＯ含有量変化に伴う非磁性材料板の摩耗
量変化を示す特性図である。
量変化を示す特性図である。
【図２０】ＮｉＯ含有量変化に伴う非磁性材料板と金属
磁性膜との偏摩耗量変化を示す特性図である。
磁性膜との偏摩耗量変化を示す特性図である。
【図２１】従来の複合型薄膜磁気ヘッドを模式的に示す
縦断面図である。
縦断面図である。
Ｐ インダクティブヘッド部 Ｑ ＭＲヘッド部 １ ベース基板 ２ 絶縁層 ２ａ 溝部 ３ 下部磁気コア ３ａ 凹部 ４ 導体コイル ６ 第２の平坦化層 ９ 上部磁気コア １０ 絶縁層 １１ ＭＲ素子 １２ バイアス導体 １３ 上部磁性層 １４ 保護板 ２３ 第１の平坦化層
Claims (8)
- 【請求項１】 非磁性材料よりなる基板上に、 上面に凹部を有する軟磁性材料よりなる下部磁気コア
と、当該下部磁気コアに形成された凹部上に絶縁材料よ
りなる平坦化層を介して埋設形成されてなるスパイラル
状の導体コイルと、当該導体コイル上に絶縁材料よりな
る平坦化層を介して積層された軟磁性材料よりなる上部
磁気コアとを有する誘導型磁気ヘッド部を備えるととも
に、 下部磁性層を兼ねた前記上部磁気コア上に絶縁層を介し
て形成されてなる磁気抵抗効果素子と、当該磁気抵抗効
果素子上に絶縁層を介して積層されてなる上部磁性層と
を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッド部を備えることを特
徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 基板と下部磁気コアとの間に、上面に溝
部を有する絶縁層が形成され、当該絶縁層に溝部が存す
ることにより下部磁気コアに形成される凹部上に平坦化
層を介して導体コイルが埋設形成されていることを特徴
とする請求項１記載の複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 下部磁気コア及び上部磁気コアがそれぞ
れ高透磁率及び高飽和磁束密度を有する金属磁性膜より
なることを特徴とする請求項１記載の複合型薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項４】 下部磁気コア及び上部磁気コアは、その
軟磁性を得るために施される熱処理時の加熱温度が磁気
抵抗効果素子の劣化温度より高い金属磁性膜よりなるこ
とを特徴とする請求項３記載の複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 下部磁気コア及び上部磁気コアがＦｅ−
Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金或はアモルファス合金を材料とす
る金属磁性膜よりなることを特徴とする請求項３記載の
複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 基板が、ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，及びＮｉＯ
を主成分としてＣａＯとＴｉＯ2 との混合比が３０／７
０〜５０／５０であって且つＮｉＯの含有量が５〜３０
ｍｏｌ％である非磁性材料よりなることを特徴とする請
求項１記載の複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 上部磁性層上に保護板を有し、この保護
板が、ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，及びＮｉＯを主成分としてＣ
ａＯとＴｉＯ2 との混合比が３０／７０〜５０／５０で
あって且つＮｉＯの含有量が５〜３０ｍｏｌ％である非
磁性材料よりなることを特徴とする請求項１記載の複合
型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 非磁性材料よりなる基板上に、 上面に凹部を有する軟磁性材料よりなる下部磁気コアを
成膜する工程と、当該凹部上に絶縁材料よりなる平坦化
層を介してスパイラル状の導体コイルを埋設形成する工
程と、当該導体コイル上に絶縁材料よりなる平坦化層を
介して軟磁性材料よりなる上部磁気コアを積層する工程
とを順次経ることにより誘導型磁気ヘッド部を作製した
後に、 下部磁性層を兼ねた前記上部磁気コア上に絶縁層を介し
て磁気抵抗効果素子を形成する工程と、当該磁気抵抗効
果素子上に絶縁層を介して上部磁性層を積層する工程と
を順次経ることにより磁気抵抗効果型磁気ヘッド部を作
製することを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7170017A JPH0922512A (ja) | 1995-07-05 | 1995-07-05 | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US08/674,796 US5691867A (en) | 1995-07-05 | 1996-07-03 | Complex type thin film magnetic head and production method thereof |
| EP96110846A EP0752700A3 (en) | 1995-07-05 | 1996-07-04 | Complex type thin film magnetic head and production method thereof |
| NO962838A NO962838L (no) | 1995-07-05 | 1996-07-05 | Sammensatt tynnfilm-magnetisk hode og fremgangsmåte for fremstilling av samme |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7170017A JPH0922512A (ja) | 1995-07-05 | 1995-07-05 | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922512A true JPH0922512A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15897061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7170017A Pending JPH0922512A (ja) | 1995-07-05 | 1995-07-05 | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5691867A (ja) |
| EP (1) | EP0752700A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0922512A (ja) |
| NO (1) | NO962838L (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6859342B1 (en) | 1999-02-22 | 2005-02-22 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Magnetic head device with a short auxiliary member |
| JP2006126737A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Sekisui Chem Co Ltd | 拡散反射板用コーティング剤及び拡散反射板 |
| KR100726906B1 (ko) * | 2000-07-14 | 2007-06-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 |
| DE102012208882A1 (de) | 2011-05-30 | 2012-12-06 | Denso Corporation | Magnetsensor und Verfahren zu dessen Fertigung |
Families Citing this family (20)
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