JPH09236825A - 液晶表示装置およびその作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 開口率の高いアクティブマトリクス型液晶表
示装置を提供する。 【構成】 ブラックマトリクス２０４と画素電極２０５
とが重なり合う領域において、窒化膜でなる絶縁層を介
して保持容量が形成される。特に、２０６で示される領
域はブラックマトリクス２０４の薄膜トランジスタを覆
う領域を全て活用するので面積を稼ぐことができる。本
発明は、第２の層間絶縁膜として比誘電率の小さい有機
性樹脂材料または無機性材料を利用しているため、寄生
容量を考慮せずに保持容量を形成することが可能とな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
結晶性珪素膜を用いた半導体装置で制御する液晶表示装
置の構成に関する。特に、アクティブマトリクス型液晶
表示装置の画素領域の構成に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、安価なガラス基板上に薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を作製する技術が急速に発達してきて
いる。その理由は、アクティブマトリクス型液晶表示装
置の需要が高まったことにある。

【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、
マトリクス状に配置された数百万個もの各画素のそれぞ
れに薄膜トランジスタを配置し、各画素電極に出入りす
る電荷を薄膜トランジスタのスイッチング機能により制
御するものである。

【０００４】各画素電極と対向電極との間には液晶が挟
み込まれ、一種のコンデンサを形成している。従って、
薄膜トランジスタによりこのコンデンサへの電荷の出入
りを制御することで液晶の電気光学特性を変化させ、液
晶パネルを透過する光を制御して画像表示を行うことが
出来る。

【０００５】また、このような構成でなるコンデンサは
リーク等により次第にその保持電圧が減少するため、液
晶の電気光学特性が変化して画像表示のコントラストが
悪化するという問題を持つ。

【０００６】そこで、液晶で構成されるコンデンサと直
列に保持容量と呼ばれる別のコンデンサを設置し、リー
ク等で損失した電荷を液晶で構成されるコンデンサに供
給する構成が一般的となっている。

【０００７】ここで、従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置における画素領域の構成図を図１に示す。図
１（Ａ）に示す様に、ゲイト線１０１とそれに平行に形
成された容量線１０２がデータ線１０３と格子状に交差
している。それらで囲まれた領域内（以下、この領域を
画素領域と呼ぶ）には画素電極１０４が配置されてい
る。容量線１０２と画素電極１０４は第１、第２の層間
絶縁膜を介して立体的に重なり、保持容量を形成してい
る。

【０００８】なお、１０５で示されるのは薄膜トランジ
スタの活性層を構成する半導体層であり、１０６はデー
タ線とのコンタクト部、１０７は画素電極とのコンタク
ト部である。

【０００９】図１（Ａ）において格子状に交差して形成
されるゲイト線１０１とデータ線１０３とで囲まれた画
素領域は画像表示を行う領域であり、可能な限り広い面
積を確保することが要求される。

【００１０】しかしながら、図１（Ａ）に示す構造では
その領域内に容量線１０２を設ける必要があるため、そ
の分だけ画素領域が狭まる、即ち、開口率が悪くなると
いった問題を抱えていた。

【００１１】また、図１（Ａ）に示す様に画素電極１０
４はゲイト線１０１およびデータ線１０３と重ならない
ように配置される。これは、重なった場合に形成される
寄生容量が液晶表示装置の動作速度を落とすといった悪
影響を及ぼすからである。

【００１２】しかし、一方で画素電極１０４の縁部分は
電圧印加した際に電界の乱れが生じ、画像がぼやけるな
どの表示不良が発生するので視野に入らないようにす
る、即ち、遮光する工夫が必要となる。

【００１３】さらに、薄膜トランジスタに活性層を構成
する半導体層１０５は、外部からの光が照射されないよ
うに遮光する必要がある。これは、半導体層に光が照射
されると光励起現象により半導体層の導電率が変化して
しまうからである。

【００１４】このような遮光を目的としてブラックマト
リクス（ＢＭ）を薄膜トランジスタを配置する側の基板
もしくは対向基板に設ける手段が一般的に採られてい
る。ここでは、ブラックマトリクスを配置した場合に視
野に入る領域を図１（Ｂ）に示す。

【００１５】図１（Ｂ）に示す様に、ゲイト線１０１、
容量線１０２、データ線１０３および半導体層１０５は
全てブラックマトリクスに覆われ、視野に入らないよう
な構成となる。従って、１０８で示される領域が実際の
画像表示領域となる。

【００１６】以上の様に、容量線１０２が画素領域を必
要以上に狭め、開口率を悪化させる要因となっている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発
明は、上記従来の問題点を解決するための技術を提供す
るものである。即ち、開口率の高い画素領域を構成する
技術を提供することを課題とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の構成は、同一基板上にマトリクス状に配列される複数
のゲイト線およびデータ線と、前記ゲイト線およびデー
タ線の各交点に配置される画素電極および該画素電極に
接続される薄膜トランジスタと、を少なくとも有してな
る液晶表示装置であって、前記ゲイト線を覆う第１の層
間絶縁膜および前記データ線を覆って成膜される有機性
樹脂材料または無機性材料でなる第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタの
上方に形成されるブラックマトリクスと、前記ブラック
マトリクスを覆って成膜される窒化膜でなる第３の層間
絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜上に形成される画素電
極と、を少なくとも有し、前記ブラックマトリクスおよ
び前記画素電極との間に前記第３の層間絶縁膜を介して
保持容量が形成されていることを特徴とする。

【００１９】また他の発明の構成は、同一基板上にマト
リクス状に配列される複数のゲイト線およびデータ線
と、前記ゲイト線およびデータ線の各交点に配置される
画素電極および該画素電極に接続される薄膜トランジス
タと、を少なくとも有してなる液晶表示装置であって、
前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜および前記データ
線を覆って成膜される有機性樹脂材料または無機性材料
でなる第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜を介
して前記薄膜トランジスタの上方に形成されるブラック
マトリクスと、前記ブラックマトリクスを覆って成膜さ
れる窒化膜でなる第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間
絶縁膜上に形成される画素電極と、を少なくとも有し、
前記ブラックマトリクスおよび前記画素電極との間には
前記第３の層間絶縁膜を介して保持容量が形成され、前
記画素電極は前記第２の層間絶縁膜に直接触れないこと
を特徴とする。

【００２０】また他の発明の構成は、同一基板上にマト
リクス状に配列される複数のゲイト線およびデータ線
と、前記ゲイト線およびデータ線の各交点に配置される
画素電極および該画素電極に接続される薄膜トランジス
タと、を少なくとも有してなる液晶表示装置を作製する
にあたって、前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜およ
びデータ線を覆って有機性樹脂材料または無機性材料で
なる第２の層間絶縁膜を成膜する工程と、前記第２の層
間絶縁膜上に金属膜でなるブラックマトリクスを形成す
る工程と、前記ブラックマトリクスを覆って窒化膜でな
る第３の層間絶縁膜を成膜する工程と、前記第２および
第３の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程
と、前記第３の層間絶縁膜上に透明導電性膜でなる画素
電極を形成する工程と、を少なくとも有し、前記ブラッ
クマトリクスと前記画素電極との間に前記第３の層間絶
縁膜を介して保持容量を形成せしめることを特徴とす
る。

【００２１】本発明の主旨は、ブラックマトリクスに対
して、本来の目的である遮光膜としての機能に加え保持
容量を形成する電極としての機能を付与することにあ
る。

【００２２】本発明により構成した液晶表示装置の画素
領域の上面図を図２に示す。図２において、２０１はゲ
イト電極から延在するゲイト線、２０２は画像信号を伝
達するデータ線である。

【００２３】ゲイト線２０１とデータ線２０２は同一基
板上にマトリクス状に配列され、その各交点には薄膜ト
ランジスタが配置される。２０３はその薄膜トランジス
タの活性層を構成する半導体層である。

【００２４】そして、ゲイト線２０１、データ線２０２
および半導体層２０３の上方にはこれらを遮蔽するよう
にブラックマトリクス２０４が配置される。なお、デー
タ線２０２とブラックマトリクス２０４とは0.1 〜5.0
μｍの膜厚の第２の層間絶縁膜によって絶縁されてい
る。この第２の層間絶縁膜は有機性樹脂材料または無機
性材料で構成されるものである。

【００２５】さらに、ブラックマトリクス２０４上には
第３の層間絶縁膜を介して画素電極２０５が設けられ
る。この第３の層間絶縁膜は窒化膜で構成されるもので
あり、窒化膜としてはＡｌＮ、ＡｌＮ_X Ｏ_Y 、Ｓｉ₃ Ｎ
₄ 、ＳｉＯ_X Ｎ_Y で示される絶縁膜から選ばれた一種ま
たは複数種を用いることができる。また、この第３の層
間絶縁膜の膜厚は0.1 〜0.3 μｍであれば良い。

【００２６】このような構造とすると、画素電極２０５
とブラックマトリクス２０４とが第３の層間絶縁膜を介
して立体的に重なる領域２０６において容量が形成され
る。本発明はこの容量を保持容量として利用するもので
ある。

【００２７】ここで本発明の特徴として、第３の層間絶
縁膜が窒化膜であることが重要な意味を持つ。窒化膜を
用いる利点として大きく３つを挙げることができる。

【００２８】その第１は、窒化膜のパッシベーション効
果である。例えば、Ｓｉ₃ Ｎ₄ で示される窒化珪素膜は
緻密であるため、外部汚染等からデバイスを保護する保
護膜（パッシベーション膜）として広く用いられてい
る。

【００２９】第２は、窒化膜の比誘電率が大きいことで
ある。例えば、Ｓｉ₃ Ｎ₄ で示される窒化珪素膜の比誘
電率は約７であり、第２の層間絶縁膜として用いる有機
性樹脂材料または無機性材料の約２倍の比誘電率を有す
る。

【００３０】従って、ブラックマトリクス２０４と画素
電極２０５との間で形成される保持容量は第３の層間絶
縁膜の比誘電率が大きいため、必要十分なキャパシティ
を稼ぐことが出来る。

【００３１】第３は、第２の層間絶縁膜に開孔（コンタ
クトホール）を形成する際のマスクとしても活用できる
ことである。これは、第２の層間絶縁膜である有機性樹
脂材料または無機性材料と窒化膜との間でエッチングの
選択比が大きくとれることによる。

【００３２】例えば、有機性樹脂材料であるポリイミド
に開孔を形成する時にマスクとしてレジストマスクを用
いると、同じ有機性材料であるために選択比がとれず、
レジストマスクの膜厚以上の深さの開孔を形成できない
問題があった。

【００３３】その点、窒化膜は十分な選択比がとれるの
で、最初に窒化膜のみをフッ酸系ガスでエッチングし
て、残存した窒化膜をマスクとすればポリイミドに対し
て所望の深さの開孔を形成することが可能となる。

【００３４】その他、例えばＡｌＮ、ＡｌＮ_X Ｏ_Y で示
される窒化膜を用いる場合、これらの窒化膜は熱伝導性
に優れるという利点を持つ。従って、デバイスに熱を籠
もらせずに放熱できるため、ドライバＴＦＴのように高
速動作により発熱してしまうような場合には効果的であ
る。

【００３５】一方、第２の層間絶縁膜として有機性樹脂
材料または無機性材料を用いる利点としては、比誘電率
が小さく、その膜厚を稼ぐことができる点にある。例え
ば、ブラックマトリクス２０４とゲイト線２０１および
データ線２０２との間で形成される寄生容量は第２の層
間絶縁膜の比誘電率が十分小さいため、問題とならない
程度に抑えることができる。

【００３６】上記構成でなる本発明の詳細を、以下に記
載の実施例でもって説明する。

【００３７】

【実施例】

〔実施例１〕本実施例では、本発明を利用して図２で示
した構成を有する画素領域を形成する例を示す。具体的
にはブラックマトリクスと画素電極とでもって保持容量
を形成する技術の詳細な説明を行なうこととする。

【００３８】図３に示すのは、図２で示した画素領域を
構成する画素ＴＦＴの作製工程図である。まず、表面に
下地膜として2000Åの厚さの絶縁膜を有したガラス基板
３０１の上に、図示しない非晶質珪素膜200 〜500 Åの
厚さに成膜する。絶縁膜は酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）、酸化
窒化珪素（ＳｉＯ_X Ｎ_Y ）、窒化珪素膜（ＳｉＮ）等を
プラズマＣＶＤ法、減圧熱ＣＶＤ法、スパッタ法等によ
り成膜すれば良い。

【００３９】次に、この図示しない非晶質珪素膜を加熱
またはレーザーアニール、もしくは両者を併用するなど
の手段により結晶化する。また、結晶化の際、結晶化を
助長する金属元素を添加すると効果的である。

【００４０】結晶化が終了したら、得られた図示しない
結晶性珪素膜をパターニングして島状半導体層３０２を
形成する。島状半導体層３０２を形成したら、後にゲイ
ト絶縁膜として機能する酸化珪素膜３０３を1200Åの厚
さに成膜する。勿論、酸化窒化珪素膜や窒化珪素膜であ
っても良い。

【００４１】次に、導電性被膜３０４を2000〜2500Åの
厚さに成膜する。本実施例では、0.2 wt％のスカンジウ
ムを含有したアルミニウム膜を用いる。スカンジウムは
加熱処理等の際にアルミニウム表面に発生するヒロック
やウィスカーといった突起物を抑える効果を持つ。この
アルミニウム膜３０４は後にゲイト電極として機能す
る。

【００４２】こうして、図３（Ａ）の状態が得られる。
図３（Ａ）の状態が得られたら、電解溶液中でアルミニ
ウム膜３０４を陽極として陽極酸化を行う。電解溶液と
しては、３％の酒石酸のエチレングリコール溶液をアン
モニア水で中和して、ＰＨ＝６．９２に調整したものを
使用する。また、白金を陰極として化成電流５ｍＡ、到
達電圧１０Ｖとして処理する。

【００４３】こうして形成される図示しない薄く緻密な
陽極酸化膜は、アルミニウム膜３０４をパターニングす
る際にフォトレジストとの密着性を高める効果がある。
また、電圧印加時間を制御することで膜厚を制御でき
る。

【００４４】次に、アルミニウム膜３０４をパターニン
グして、図示しないゲイト電極を形成する。ただし、実
質的にゲイト電極として機能するのは最終的に残存する
内部の一部分である。

【００４５】次に、２度目の陽極酸化を行い、多孔質の
陽極酸化膜３０５を形成する（図３（Ｂ）参照）。電解
溶液は３％のシュウ酸水溶液とし、白金を陰極として化
成電流２〜３ｍＡ、到達電圧８Ｖとして処理する。

【００４６】この時陽極酸化は基板に対して平行な方向
に進行する。また、電圧印加時間を制御することで多孔
質の陽極酸化膜３０５の長さを制御できる。

【００４７】さらに、アルミニウム膜のパターニングに
使用した図示しないフォトレジストを専用の剥離液で除
去した後、３度目の陽極酸化を行い、図３（Ｂ）の状態
を得る。

【００４８】この陽極酸化には、電解溶液は３％の酒石
酸のエチレングリコール溶液をアンモニア水で中和し
て、ＰＨ＝６．９２に調整したものを使用する。そし
て、白金を陰極として化成電流５〜６ｍＡ、到達電圧40
〜100 Ｖとして処理する。

【００４９】この際形成される陽極酸化膜３０６は、非
常に緻密、かつ、強固である。そのため、ド−ピング工
程などの後工程で生じるダメージや熱からゲイト電極３
０７を保護する効果を持つ。また、その膜厚は500 〜15
00Åとなる。

【００５０】次いで、イオンドーピング法により、島状
半導体層３０２に不純物を注入する。例えば、Ｎチャネ
ル型ＴＦＴを作製するならば、不純物としてＰ＋イオン
を、Ｐチャネル型ＴＦＴを作製するならば、不純物とし
てＢ＋イオンを注入すれば良い。

【００５１】まず、図３（Ｂ）の状態で１度目のイオン
ドーピングを行う。なお、本実施例ではＰ＋イオンの注
入を加速電圧８０ｋＶ、ドーズ量１×１０¹⁵原子／ｃｍ
² で行う。

【００５２】すると、ゲイト電極３０７、多孔質の陽極
酸化膜３０５がマスクとなり、後にソース／ドレインと
なる領域３０８、３０９が自己整合的に形成される。
（図３（Ｃ））

【００５３】次に、図３（Ｃ）に示す様に、多孔質の陽
極酸化膜３０５を除去して、２度目のドーピングを行
う。なお、２度目のＰ＋イオンの注入は加速電圧８０ｋ
Ｖ、ドーズ量１×１０¹⁴原子／ｃｍ² で行う。

【００５４】すると、ゲイト電極３０７がマスクとな
り、ソース領域３０８、ドレイン領域３０９と比較して
不純物濃度の低い、低濃度不純物領域３１０、３１１が
自己整合的に形成される。

【００５５】同時に、ゲイト電極３０７の直下は不純物
が全く注入されないため、ＴＦＴのチャネルとして機能
する領域３１２が自己整合的に形成される。

【００５６】このようにして形成される低濃度不純物領
域３１１は特にＬＤＤ領域と呼ばれ、チャネル領域３１
２とドレイン領域３０９との間に高電界が形成されるの
を抑制する効果を持つ。

【００５７】次いで、ＫｒＦエキシマレーザーを200 〜
300mJ/cm² のエネルギー密度で照射することによって、
イオン注入されたＰ＋イオンの活性化を行なう。なお、
活性化は300 〜450 ℃2hr の熱アニールによっても良い
し、レーザーアニールと熱アニールとを併用しても良
い。

【００５８】次に、第１の層間絶縁膜３１３をプラズマ
ＣＶＤ法により成膜する。層間絶縁膜３１３としては、
酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜等を用いるこ
とができる。また、その膜厚は0.5 〜1.0 μｍとする。

【００５９】第１の層間絶縁膜３１３を成膜したら、ソ
ース領域３０８にコンタクトホールを形成して、図示し
ないアルミニウム膜を3000Åの厚さに成膜する。次い
で、図示しないアルミニウム膜をパターニングして、ソ
ース電極３１４を形成する。（図３（Ｄ））

【００６０】次に、ソース電極３１４を覆って第２の層
間絶縁膜３１５を0.1 〜5.0 μｍの厚さに成膜する。本
実施例では、1.5 μｍの膜厚とする。この第２の層間絶
縁膜３１5 は有機性樹脂材料や無機性材料を用いること
が出来るが、本実施例では有機性樹脂材料として透過性
ポリイミドを用いる。このポリイミドの比誘電率は2.8
〜3.4 と小さい値である。

【００６１】また、このような有機性樹脂材料は被膜形
成が簡便であり、容易に膜厚を稼ぐことができるため、
デバイス形状による凹凸を緩和して優れた平坦表面を実
現することが可能である。

【００６２】次いで、第２の層間絶縁膜３１５の上にブ
ラックマトリクス３１６としてチタン膜を1000Åの厚さ
に成膜する。勿論、クロム膜やアルミニウム膜等の金属
膜を用いてもよい。（図４（Ａ））

【００６３】図４（Ａ）の状態を得たら、ブラックマト
リクス３１６を覆って第３の層間絶縁膜３１７を0.1 〜
0.3 μｍの厚さに成膜する。この第３の層間絶縁膜３１
７はＡｌＮ、ＡｌＮ_X Ｏ_Y 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、ＳｉＯ_X Ｎ_Y
で示される絶縁膜から選ばれた一種または複数種を用い
ることができる。

【００６４】本実施例では、Ｓｉ₃ Ｎ₄ で示される窒化
珪素膜を0.2 μｍの厚さに成膜する。この窒化珪素膜は
成膜ガスとしてＳｉＨ₄ 、ＮＨ₃ 、Ｈ₂ を用いるため、
膜中には水素が含まれ膜応力が緩和されている。

【００６５】そして、ドレイン領域３０９と接続するた
めのコンタクトホールを形成して、ＩＴＯ等透明導電性
膜でなる画素電極３１８を形成する。画素電極３１８の
膜厚は1000〜1200Åとし、ブラックマトリクス３１６と
出来るだけ広い面積でオーバーラップするように配置す
る。

【００６６】この場合、第３の層間絶縁膜３１７の表面
は優れた平坦性を示すため、その上に形成された画素電
極３１８も良好な平坦性を示し、セル組みの際のラビン
グ不良や液晶への印加電界の乱れをなくすことが出来
る。

【００６７】以上のような過程を経て、図４（Ｂ）に示
す画素ＴＦＴが作製される。この時、図４（Ｂ）に示す
画素ＴＦＴの点線で囲む領域３１９は図２（Ｂ）におい
て２０６で示される領域に相当する。即ち、この領域３
１９が保持容量して機能することになる。この保持容量
のキャパシティは第３の層間絶縁膜３１７の比誘電率に
比例し、その膜厚に反比例する。

【００６８】なお、図４（Ｂ）に記載の画素電極３１８
において、画素ＴＦＴ上で保持容量を形成しない領域
（図４（Ｂ）においてドレイン電極３０９とのコンタク
ト部よりも右側の領域）は画像表示を行う画素領域へと
延在する。

【００６９】また、図４（Ｂ）では示されないが、図４
（Ｂ）で示す領域３１９を含めてブラックマトリクス３
１６と画素電極３１８の縁部分が重なる全ての領域（図
２（Ｂ）においてブラックマトリクス２０４と画素電極
２０５が重なる領域）において保持容量が形成されてい
る。

【００７０】従って、ブラックマトリクス３１６と画素
電極３１８が重なる部分の面積と、第３の層間絶縁膜３
１７の膜厚および比誘電率を計算して、所望のキャパシ
ティを有する保持容量を設計することが可能である。

【００７１】なお、第２の層間絶縁膜３１５はその比誘
電率が小さく、0.1 〜5.0 μｍの範囲で膜厚を稼ぐこと
ができるため、ゲイト線やデータ線とブラックマトリク
ス３１６との間に形成される寄生容量を無視しうるレベ
ルに抑えられる。

【００７２】このような構成とすることで従来の容量線
を排除して、かつ、ブラックマトリクスを利用して保持
容量を形成することが可能となる。そのために必要な条
件として次のことが挙げられる。 （１）第２の層間絶縁膜は比誘電率が小さい有機性樹脂
材料または無機性材料を用い、その膜厚を厚くする。 （２）第３の層間絶縁膜は比誘電率が大きい窒化膜を用
い、その膜厚を薄くする。

【００７３】以上に示す様な構成の効果として、寄生容
量を抑制しつつ必要最低限のキャパシティを有する保持
容量を、開口率を犠牲にすることなく形成することが可
能となる。また、計算によると60μｍ×180 μｍのサイ
ズの画素に形成される保持容量のキャパシティは概算で
0.6 〜1.8pF となる。

【００７４】また、本実施例では説明していないが、同
一基板上に駆動回路を組み込む場合はドライバーＴＦＴ
と画素ＴＦＴを同時に作製することになる。例えば、本
実施例の様にアクティブマトリクス型液晶表示装置に組
み込むことを念頭に置くと、Ｎチャネル型およびＰチャ
ネル型の薄膜トランジスタを相補的に組み合わせたＣＭ
ＯＣ構造を駆動回路に用いる。そして、本実施例で説明
した様な画素ＴＦＴを画素領域に配置すれば良い。

【００７５】本発明をこのような液晶表示装置に応用す
る場合、必要とするパターニングマスクは９〜１０枚程
度である。従って、特に工程を複雑にすることがない。

【００７６】なお、前述のドライバーＴＦＴは基本的に
画素ＴＦＴと同じ工程で作製される。ただし、画素電極
は必要なく、図３（Ｄ）においてソース電極３１４を形
成すると同時にドレイン電極を形成することで完成する
ことになる。

【００７７】〔実施例２〕本実施例では、図２に示した
構成と異なり薄膜トランジスタの上方にのみブラックマ
トリクスを設けた構成とする例を示す。本実施例の最大
の特徴は、ゲイト線とデータ線をブラックマトリクスと
して代用する点である。

【００７８】図５に示す構成において、５０１はゲイト
線、５０２はデータ線、５０３は薄膜トランジスタの活
性層を構成する半導体層、５０４はブラックマトリクス
である。また、５０５は画素電極、５０６は半導体層５
０３と画素電極５０５とのコンタクト部分である。

【００７９】本実施例において注目すべき点は、画素電
極５０５はその縁がゲイト線５０１およびデータ線５０
２と重なり合うように形成されることである。この場
合、通常ならばゲイト線５０１およびデータ線５０２と
画素電極５０５との間に形成される寄生容量が問題とな
る。

【００８０】しかしながら、本実施例では寄生容量の絶
縁層となる第２の層間絶縁膜３１５が比誘電率の小さい
材料であり、かつその膜厚を厚いものとすることができ
るため、寄生容量は悪影響を及ぼさない程度に小さいも
のとなる。

【００８１】一方、ブラックマトリクス５０４と画素電
極５０５との間には第３の層間絶縁膜３１７を介して保
持容量が形成される。前述のように第３の層間絶縁膜３
１７はその膜厚が0.1 〜0.3 μｍと薄く、比誘電率が第
２の層間絶縁膜３１５よりも大きいので十分保持容量と
して機能しうるキャパシティを有する。

【００８２】従って、ブラックマトリクス５０４により
画素領域が内側に狭められることがないため、より高い
開口率を実現することが可能である。

【００８３】〔実施例３〕本実施例では、実施例１にお
いて島状半導体層の構成を変えた例を説明する。具体的
には、チャネル領域のチャネル長およびチャネル幅がＴ
ＦＴのオン状態とオフ状態とで変化する構造を採る例で
ある。

【００８４】この技術は本発明者らによって既に報告さ
れているもので、その主旨は、ＴＦＴがオフ状態の時に
実質的にチャネル長を長く、チャネル幅を狭くすること
でオフ電流を低減するものである。以下にその技術の概
要を説明する。

【００８５】図６に示すのは実施例１の工程手順に従っ
て形成した島状半導体層６０１である。後にチャネルと
して機能する領域６０２に対しては選択的にイオン注入
が行なわれる。例えば、Ｎチャネル型ＴＦＴを作製する
場合、Ｐ＋イオンを１×１０¹²〜１×１０¹⁴原子／ｃｍ
² 、好ましくは３×１０¹²〜３×１０¹³原子／ｃｍ²の
ドーズ量でドーピングする。

【００８６】すると、チャネル領域を遮るようにイオン
注入された領域６０３〜６０５が形成される。この領域
６０３〜６０５は必ずしも図６の様に島状半導体層の外
縁に接してなくても構わない。即ち、後にチャネルとな
る領域６０２の内に島状に点在するような状態であって
も良い。

【００８７】このようなイオン注入が施された島状半導
体層を用いて作製したＴＦＴの電気特性の概略を図７を
用いて説明する。

【００８８】図７（Ａ）において７０１はソース領域、
７０２はドレイン領域であり、７０３〜７０５は前述の
ように予めイオン注入した領域であり、浮島領域（また
はイオン注入領域）と呼ぶこととする。この時、ドーピ
ングされていない実質的に真性な半導体領域（ベース領
域と呼ぶこととする）７０６と、浮島領域７０３〜７０
５との境界はポテンシャルバリアが高い。そのため、Ｎ
チャネル型ＴＦＴがオフ状態の時はベース領域７０６の
矢印に沿って僅かに電子が移動する。この電子の移動が
オフ電流（またはリーク電流）として観測される。

【００８９】ところが、Ｎチャネル型ＴＦＴがオン状態
の時はベース領域７０６が反転して浮島領域７０３〜７
０５とのポテンシャルバリアが無視しうる程度となるた
め、図７（Ｂ）の矢印で示すような経路で大量の電子が
移動する。この電子の移動がオン電流として観測され
る。

【００９０】このようにＴＦＴのオフ状態とオン状態と
でポテンシャルバリアが変化する様子を図８を用いて概
略説明する。なお、図８においてＶｇはゲイト電圧（Ｖ
ｇ＞０）、Ｅｃは伝導帯、Ｅｖは価電子帯、Ｅｆはフェ
ルミレベルを表している。

【００９１】まず、Ｎチャネル型ＴＦＴがオフ状態（ゲ
イトに負電圧が印加された状態）の時、ベース領域７０
６においては図８（Ａ）のようなバンド状態となってい
る。即ち、少数キャリアであるホールが半導体表面に集
まり、電子が払われた状態にあるため、ソース／ドレイ
ン間の電子の移動は極めて少ない。

【００９２】一方、浮島領域７０３〜７０５はＰ＋イオ
ンを注入してあるため、フェルミレベルＥｆは伝導帯Ｅ
ｃの近くへと押し上げられている。この時、浮島領域７
０３〜７０５においては図８（Ｂ）のようなバンド状態
となっている。

【００９３】図８（Ｂ）のように、Ｎ型を示す半導体層
である浮島領域７０３〜７０５においてはゲイトに負電
圧を印加しても、エネルギーバンドは僅かにしか曲がら
ない。

【００９４】従って、図８（Ａ）における半導体表面の
価電子帯のエネルギーと図８（Ｂ）における半導体表面
の価電子帯のエネルギーとのエネルギー差がポテンシャ
ルバリアに相当する。そのため、電子がベース領域７０
６と浮島領域７０３〜７０５を往復することはない。

【００９５】次に、Ｎチャネル型ＴＦＴがオン状態（ゲ
イトに正電圧が印加された状態）の時、ベース領域７０
６においては図８（Ｃ）のようなバンド状態となってい
る。即ち、多数キャリアである電子が半導体表面に蓄積
されるため、ソース／ドレイン間には電子の移動が生じ
る。

【００９６】この時、浮島領域７０３〜７０５において
は図８（Ｄ）のようなバンド状態となっている。図８
（Ｄ）に示す様に、前述のゲイトに負電圧を印加した時
同様、Ｎ型を示す半導体層である浮島領域７０３〜７０
５においてはゲイトに正電圧を印加してもエネルギーバ
ンドは殆ど曲がらない。

【００９７】しかしながら、図８（Ｄ）において元々フ
ェルミレベルＥｆは伝導帯Ｅｃの近くに押し上げられて
いるため、伝導体には多数の電子が常に存在している。

【００９８】従って、ゲイトに正電圧を印加した場合、
ベース領域７０６および浮島領域７０３〜７０５は共に
電子が移動し易いバンド状態となっているため、ベース
領域７０６および浮島領域７０３〜７０５の境界のポテ
ンシャルバリアは無視することが出来る。

【００９９】以上の様に、オフ状態ではベース領域７０
６のみが電子の移動経路となり、オン状態ではベース領
域７０６および浮島領域７０３〜７０５が電子の移動経
路となる。

【０１００】即ち、ＴＦＴがオフ状態の時のＷ／Ｌ比に
比べ、オン状態の時のＷ／Ｌ比は遙に大きくなり、オン
電流を損なうことなくオフ電流を低減することが可能で
ある。これにより、オン／オフ電流比を大きくすること
が出来る。

【０１０１】このような構造とすると、画素ＴＦＴの島
状半導体層の占有面積をさほど変えずに、従来以上の応
答特性を持つ画素ＴＦＴおよびドライバＴＦＴを構成で
きる利点がある。

【０１０２】従って、例えば図２に示すような回路構成
を採った場合においても、開口率を落とすことなく高性
能な画素ＴＦＴを配置することが可能である。

【０１０３】また、今後ゲイト電極の微細加工が進むに
従い、図７（Ａ）においてＴＦＴがオフ状態の時の実質
的なチャネル幅が狭くなる傾向が予想される。さらに、
半導体層６０１がいずれ200 Å程度にまで薄膜化される
ことを考慮すると、本実施例に示すリーク電流の低減効
果はさらに高まると言える。

【０１０４】〔実施例４〕本実施例では、実施例３で説
明した構成の半導体層の別の例を示す。具体的には、チ
ャネル形成領域に高抵抗領域を付加する技術に関する。

【０１０５】図９（Ａ）に示すのは、図６で示した島状
半導体層にゲイト電極９０１を書き加えたものである。
このような形状のゲイト電極を設ければゲイト電極９０
１をマスクとして不純物イオン注入を行い、浮島領域６
０３、６０４、６０５を自己整合的に形成することが可
能である。

【０１０６】なお、ゲイト電極９０１に対して印加電圧
を与えた場合の挙動については実施例３で説明したので
省略する。また、以下に記載する例は実施例２同様、Ｎ
チャネル型ＴＦＴの場合について説明する。

【０１０７】図９（Ｂ）は図９（Ａ）のゲイト電極９０
１の一部分をエッチング除去した構成を示している。こ
のゲイト電極９０２のエッチング工程は不純物イオン注
入により自己整合的に浮島領域６０３〜６０５を形成し
た後に行えば良い。

【０１０８】この時、図９（Ｂ）においてゲイト電極９
０２によって電圧を印加されない領域９０３は、常に実
質的に真性な半導体層となる。即ち、いわゆるオフセッ
トと同様に高い抵抗として振る舞う領域となる。

【０１０９】従って、ゲイト電極９０２に負電圧が印加
されている時（ＴＦＴがオフ状態の時）、高抵抗領域９
０３が実質的にオフセットとして機能するためリーク電
流が効果的に抑制される。また、ゲイト電極９０２に正
電圧が印加されている時（ＴＦＴがオン状態の時）、実
施例３で説明した様に島状半導体層の全域が電子の流れ
る経路となるため高抵抗領域９０３はオン電流に殆ど影
響を与えない。

【０１１０】従って、本実施例による構成を採れば、よ
りオフ電流を抑制した画素ＴＦＴを形成することが出来
る。即ち、液晶に与えられた電荷を効率よく保持してお
くことができるため、保持容量の設計マージンに余裕が
できる。

【０１１１】〔実施例５〕本実施例では、実施例３で説
明した構成の半導体層の別の例を示す。図９（Ｃ）に示
すのは本実施例による半導体層周辺部の構成図である。

【０１１２】本実施例の特徴は、チャネル形成領域を完
全にゲイト電極９０４でもって覆うことにある。このよ
うな構成とすると、ＴＦＴがオン状態にある時電子の移
動距離、即ち、実質的なチャネル長が短くて済む。従っ
て、動作速度の速い薄膜トランジスタを形成することが
できる。なお、９０５で示されるのはゲイト電極９０４
下に存在する浮島領域である。

【０１１３】また、このような構成の別の利点として
は、薄膜トランジスタを小さいサイズで形成して開口率
を向上できることが挙げられる。

【０１１４】〔実施例６〕本実施例では、実施例１にお
いて第２の層間絶縁膜としてＬＰＤ（Liquid Phase Dep
osition ）法により塗布した絶縁膜を利用する例を示
す。なお、画素ＴＦＴやドライバＴＦＴの作製工程は既
に実施例１で説明したのでここでは省略する。

【０１１５】ＬＰＤ法（スピン法とも呼ばれる）による
被膜形成の概要は以下の手順による。なお、説明は無機
性材料である酸化珪素系被膜（ＳｉＯ_X ）の場合につい
て行なうが、他の無機性材料としてＳｉＯＦ膜（比誘電
率3.2 〜3.3 ）や有機性樹脂材料としてポリイミド（比
誘電率2.8 〜3.4 ）等を用いることも出来る。

【０１１６】まず、Ｈ₂ ＳｉＦ₆ 溶液を準備し、これに
ＳｉＯ₂:ｘＨ₂ Ｏを加えて３ｈｒの攪拌を行なう。この
時の処理温度は３０℃に保持しておく。次に、攪拌後の
溶液を濾過して、所望の濃度の溶液となるように調節す
る。調節が終了したら、ウォーターバス等で５０℃に達
するまで温めながら攪拌する。

【０１１７】以上で、塗布用の溶液の準備が終了する。
また、例えばこの溶液にＨ₃ ＢＯ₃を加えれば膜中にＢ
＋イオンを含有した酸化珪素系被膜（いわゆるＢＳＧと
呼ばれる被膜）を形成することが出来る。

【０１１８】上記手順に従って準備した溶液に被処理基
体を浸した後、純粋でリンスして乾燥させれば被膜形成
は完了する。なお、有機性樹脂材料を塗布するのであれ
ば、所望の被膜塗布用溶液を準備し、ＬＰＤ法により被
膜形成を行えば良い。

【０１１９】有機性樹脂材料としてはポリイミド等が挙
げられ、比誘電率は2.8 〜3.4 と低い。この場合、スピ
ナー上に保持した被処理基体上に被膜塗布用溶液を塗布
し、スピナーを2000rpm で回転させることで被膜を形成
する。被膜形成後は300 ℃30min 程度のベークを行い膜
質を改善する。

【０１２０】以上の様に、ＬＰＤ法による場合、比較的
容易に所望の被膜を形成することが出来る。即ち、スル
ープットを大幅に向上することが可能である。また、溶
液に浸す時間（スピナーを用いる場合は回転数等）や溶
液濃度で自在に膜厚を調節できるため、厚く平坦な被膜
を形成し易い。

【０１２１】〔実施例７〕本実施例では、本発明による
保持容量（本実施例では、特に第１の保持容量とよぶ）
以外にさらに別の第２の保持容量を付加した構成をとる
例を示す。この第２の保持容量は本発明者らの研究によ
って発明されたものである。

【０１２２】この第２の保持容量の構成は、ゲイト線と
画素電極とが第１の層間絶縁膜を介して容量を形成する
ものである。具体的な説明を図１０でもって行う。

【０１２３】図１０は本発明による第１の保持容量（１
１で示される破線で囲まれた領域）と先の発明による第
２の保持容量（１２で示される破線で囲まれた領域）を
併用した場合の画素領域の上面図である。

【０１２４】なお、１３はゲイト線、１４はデータ線、
１５は薄膜トランジスタの活性層を構成する半導体層で
ある。

【０１２５】第１の保持容量１１の作製過程は実施例１
に示した通りである。ここでは、第２の保持容量１２の
作製過程を図１１を用いて簡単に説明する。なお、図中
において、ＴＦＴを構成する部分は実施例１と同様の構
造なので細かな説明を省略し、必要がある場合のみ実施
例１で用いた符号を記載することとする。

【０１２６】また、図１１に示すのは図１０においてＡ
−Ａ’で示される破線に沿って切断した断面図である。

【０１２７】まず、実施例１に従って第３の層間絶縁膜
を成膜したところまで形成し、図１１（Ａ）の状態を得
る。１６で示されるのはブラックマトリクスとなるチタ
ン膜である。また、１３で示されるのはゲイト電極３０
７から延在するゲイト線である。

【０１２８】この状態においてゲイト線１３上には第１
の層間絶縁膜３１３、第２の層間絶縁膜３１５、第３の
層間絶縁膜３１７が積層されている。

【０１２９】次に、ゲイト線１３上の第２の層間絶縁膜
３１５および第３の層間絶縁膜３１７をエッチングして
開孔を形成し、画素電極１７を形成する。なお、１８で
示されるのは隣接する画素領域に配置された画素電極の
縁部分である。

【０１３０】この時、第３の層間絶縁膜３１７を介して
ブラックマトリクス１６と画素電極１７との間に第１の
保持容量１１が形成される。また、ゲイト線１３上には
第１の層間絶縁膜３１３を介してゲイト線１３と画素電
極１７との間に第２の保持容量１２が形成される。

【０１３１】第２の保持容量１２は膜厚が厚く、比誘電
率の小さい第２の層間絶縁膜３１５を除去してあるた
め、第１の層間絶縁膜３１３のみを絶縁層とすることが
できる。従って、第１の層間絶縁膜３１３として比誘電
率が大きい材料を選択し、かつ膜厚を薄くすることで十
分なキャパシティを有する保持容量を形成することが可
能なる。

【０１３２】さらに、本実施例は実施例２で説明したよ
うにゲイト線１３およびデータ線１４をブラックマトリ
クスとして利用することも可能である。この場合、実施
例２と異なり、第１の保持容量（ブラックマトリクスと
画素電極とで形成する容量）に加えて第２の保持容量
（ゲイト線と画素電極とで形成する容量）を設けるの
で、十分なキャパシティ確保することができる。

【０１３３】以上、本実施例に示す構成によれば十分な
キャパシティを有する保持容量を形成した上で、高い開
口率の画素領域を実現することが可能である。さらに、
実施例３に示した特殊な半導体層を用いることでさらな
る改善が可能であることは言うまでもない。

【０１３４】〔実施例８〕本実施例は、本発明をAmorph
ous and Super-Multidomain AM-LCDに応用する例であ
る。この場合、液晶材料として一般的なＴＮ材料に光学
活性材料を添加して用いるため、ラビング工程が不要で
あるという特徴を有する。

【０１３５】〔実施例９〕本実施例は、本発明を電界効
果型モードの液晶表示装置に応用する例である。このよ
うなモードは、ツイステッドネマテック（ＴＮ）モー
ド、スーパーツイステッドネマテック（ＳＴＮ）モー
ド、電界制御複屈折（ＥＣＢ）モード、相転移（ＰＣ）
モード、ゲストホスト（ＧＨ）モードの５つに分類して
考えることができる。

【０１３６】この動作モードは消費電力が少なく、駆動
電圧が低いので低消費電力という特徴を生かして最も広
く普及しているものである。

【０１３７】〔実施例１０〕本実施例は、本発明を動的
散乱型モードの液晶表示装置に応用する例である。この
モードは電界効果に加えて、液晶中にドープしたイオン
添加剤の存在によって生じる乱流運動に伴う光散乱状態
を表示に利用するものである。

【０１３８】〔実施例１１〕本実施例は、本発明を熱効
果型モードの液晶表示装置に応用する例である。このモ
ードは液晶の温度による相転移を加熱によって制御し、
それに基づく光学特性の変化を表示に利用するものであ
る。

【０１３９】

【発明の効果】本明細書で開示する発明によれば、従来
遮光膜として用いられていたブラックマトリクスを利用
して保持容量を形成することが容易となる。これは、次
に挙げる理由による。

【０１４０】まず第１は、ブラックマトリクスを比誘電
率が小さく、膜厚の厚い第２の層間絶縁膜上に形成する
ことで、ゲイト線やデータ線との間に形成される寄生容
量を抑制できることである。

【０１４１】その第２は、ブラックマトリクス上に比誘
電率が大きく、膜厚の薄い窒化膜でなる第３の層間絶縁
膜を形成することで、第３の層間絶縁膜上に形成する画
素電極との間に十分なキャパシティを有する保持容量を
形成することが可能となるからである。

【０１４２】以上の発明の効果として、従来の容量線を
排除し、かつ、ブラックマトリクスを利用して保持容量
を形成できるため、画素領域を最大限に有効利用して、
高い開口率の液晶表示装置を構成することが可能とな
る。

【０１４３】

【図面の簡単な説明】

【図１】 液晶表示装置における画素領域の構成を示
す図。

【図２】 液晶表示装置における画素領域の構成を示
す図。

【図３】 画素ＴＦＴの作製工程の概略を示す図。

【図４】 画素ＴＦＴの作製工程の概略を示す図。

【図５】 液晶表示装置における画素領域の構成を示
す図。

【図６】 半導体層の構造の概略を示す図。

【図７】 半導体層の電気特性の概略を示す図。

【図８】 半導体層のバンド状態の概略を示す図。

【図９】 半導体層の構造の概略を示す図。

【図１０】 液晶表示装置における画素領域の構成を示
す図。

【図１１】 液晶表示装置における画素領域の断面構造
を示す図。

【符号の説明】

１０１ ゲイト線 １０２ 容量線 １０３ データ線 １０４ 画素電極 １０５ 半導体層 １０６ 半導体層とデータ線とのコンタクト
部 １０７ 半導体層と画素電極とのコンタクト
部 １０８ 画像表示領域 ３０１ ガラス基板 ３０２ 島状半導体層 ３０３ 酸化珪素膜 ３０４ 導電性被膜 ３０５ 多孔質の陽極酸化膜 ３０６ 緻密な陽極酸化膜 ３０７ ゲイト電極 ３０８ ソース領域 ３０９ ドレイン領域 ３１０、３１１ 低濃度不純物領域 ３１２ チャネル形成領域 ３１３ 第１の層間絶縁膜 ３１４ 配線電極 ３１５ 第２の層間絶縁膜（透過性ポリイミ
ド） ３１６ ブラックマトリクス ３１７ 第３の層間絶縁膜（窒化珪素膜） ３１８ 画素電極 ３１９ 保持容量 ６０１ 島状半導体層 ６０２ チャネ形成領域 ６０３〜６０５ 浮島領域（イオン注入領域） ９０１ ゲイト電極 ９０３ 高抵抗領域 ９０５ 浮島領域（イオン注入領域） １１ 第１の保持容量 １２ 第２の保持容量 １３ ゲイト線 １６ ブラックマトリクス １７ 画素電極

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】同一基板上にマトリクス状に配列される複
   数のゲイト線およびデータ線と、前記ゲイト線およびデ
   ータ線の各交点に配置される画素電極および該画素電極
   に接続される薄膜トランジスタと、を少なくとも有して
   なる液晶表示装置であって、 前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜および前記データ
   線を覆って成膜される有機性樹脂材料または無機性材料
   でなる第２の層間絶縁膜と、 前記第２の層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタの
   上方に形成されるブラックマトリクスと、 前記ブラックマトリクスを覆って成膜される窒化膜でな
   る第３の層間絶縁膜と、 前記第３の層間絶縁膜上に形成される画素電極と、 を少なくとも有し、 前記ブラックマトリクスおよび前記画素電極との間に前
   記第３の層間絶縁膜を介して保持容量が形成されている
   ことを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】同一基板上にマトリクス状に配列される複
   数のゲイト線およびデータ線と、前記ゲイト線およびデ
   ータ線の各交点に配置される画素電極および該画素電極
   に接続される薄膜トランジスタと、を少なくとも有して
   なる液晶表示装置であって、 前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜および前記データ
   線を覆って成膜される有機性樹脂材料または無機性材料
   でなる第２の層間絶縁膜と、 前記第２の層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタの
   上方に形成されるブラックマトリクスと、 前記ブラックマトリクスを覆って成膜される窒化膜でな
   る第３の層間絶縁膜と、 前記第３の層間絶縁膜上に形成される画素電極と、 を少なくとも有し、 前記ブラックマトリクスおよび前記画素電極との間には
   前記第３の層間絶縁膜を介して保持容量が形成され、 前記画素電極は前記第２の層間絶縁膜に直接触れないこ
   とを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】請求項１または請求項２において、第２の
   層間絶縁膜の膜厚は0.1 〜5.0 μｍであり、 第３の層間絶縁膜の膜厚は0.1 〜0.3 μｍであることを
   特徴とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】請求項１または請求項２において、窒化膜
   としてＡｌＮ、ＡｌＮ_X Ｏ_Y 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、ＳｉＯ_X Ｎ
   _Y で示される絶縁膜から選ばれた一種または複数種が用
   いられることを特徴とする液晶表示装置。
5. 【請求項５】請求項１または請求項２において、薄膜ト
   ランジスタの活性層を構成する半導体層は、ベース領域
   と浮島領域とに分離形成されていることを特徴とする液
   晶表示装置。
6. 【請求項６】同一基板上にマトリクス状に配列される複
   数のゲイト線およびデータ線と、 前記ゲイト線およびデータ線の各交点に配置される画素
   電極および該画素電極に接続される薄膜トランジスタ
   と、 を少なくとも有してなる液晶表示装置を作製するにあた
   って、 前記ゲイト線を覆う第１の層間絶縁膜およびデータ線を
   覆って有機性樹脂材料または無機性材料でなる第２の層
   間絶縁膜を成膜する工程と、 前記第２の層間絶縁膜上に金属膜でなるブラックマトリ
   クスを形成する工程と、 前記ブラックマトリクスを覆って窒化膜でなる第３の層
   間絶縁膜を成膜する工程と、 前記第２および第３の層間絶縁膜にコンタクトホールを
   形成する工程と、 前記第３の層間絶縁膜上に透明導電性膜でなる画素電極
   を形成する工程と、 を少なくとも有し、 前記ブラックマトリクスと前記画素電極との間に前記第
   ３の層間絶縁膜を介して保持容量を形成せしめることを
   特徴とする液晶表示装置の作製方法。
7. 【請求項７】請求項６において、コンタクトホールを形
   成する工程は第３の層間絶縁膜をエッチング除去して開
   孔を形成する工程と、 前記第３の層間絶縁膜をマスクとして前記開孔の低部に
   露出した第２の層間絶縁膜をエッチング除去して開孔を
   形成する工程と、 で構成されることを特徴とする液晶表示装置の作製方
   法。