JPH09237786A - 半導体装置の積層配線構造およびその形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エレクトロマイグレーション耐性が良好な半
導体装置の積層配線構造およびその形成方法を提供す
る。 【解決手段】 シリコン基板１１の表面近傍領域に選択
的に形成された不純物拡散層１２と配線層１９とのコン
タクトを形成するに際し、配線層１９の下に最下層１
５、バリアメタル層１６および最上層１７の３層からな
る積層膜１８を配置する。最下層１５は不純物拡散層１
２とのオーミックコンタクトを得るためのコンタクトメ
タルで、チタンを３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以
上の膜厚に形成する。最上層１７はＥＭ耐性向上のため
のもので、チタンを３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ
以上の膜厚に形成する。こうして最上層１７および最下
層１５の膜厚を最適化することにより、配線層１９のア
ルミニウムの結晶配向性が改善され、ＥＭ耐性が十分に
向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の被コン
タクト領域と外部回路との間を接続するために形成され
る積層配線構造およびその形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体装置の配線材料として
アルミニウムを用いる場合には、アルミニウム中へのシ
リコンの固溶度および拡散係数が大きいことを考慮し、
アルミニウム中へのシリコンの移動を防止すべく、純粋
なアルミニウム中に予め固溶度以上の割合で（例えば、
１％程度の）シリコンを含有させたアルミニウム合金を
用いるという方法がとられている。このようなアルミニ
ウム合金配線（以下、Ａｌ合金配線という。）に要求さ
れる特性の１つとして、いわゆるエレクトロマイグレー
ション耐性（以下、ＥＭ耐性という。）がある。エレク
トロマイグレーションとは、配線に電流を流したとき
に、電子が熱的に活性化したアルミニウムイオンと衝突
してそのエネルギーをアルミニウムイオンに与える結
果、アルミニウムイオンが正の電位側に移動し、電位の
低い側のＡｌ合金配線部分が薄くなるという現象であ
り、局所的な抵抗増大や配線の断線等の原因となるた
め、半導体装置の寿命を大きく左右する。このため、従
来より、このＥＭ耐性を向上すべく、Ａｌ合金にＣｕ
（銅）等を添加する等、様々な方策が講じられている。

【０００３】一方、半導体装置における金属配線に要求
される他の特性としては、被コンタクト領域である下地
拡散層とのオーミックコンタクトの確保、層間絶縁膜と
の密着性、あるいはコンタクト形成に伴うＰＮ接合破壊
の防止等が挙げられるが、これらの要求に応えるため、
従来より、Ａｌ合金膜下に高融点金属またはその化合物
からなる層をコンタクトメタルあるいはバリアメタルと
して配置した積層配線構造が採用されている。このう
ち、コンタクトメタルは主にオーミックコンタクトの確
保のために設けられ、バリアメタルは主に後の熱処理工
程で生ずるアロイスパイクによるＰＮ接合破壊を防止す
るために設けられている。このような積層配線構造を構
成する高融点金属またはその化合物は、Ａｌ合金に比べ
て大きなＥＭ耐性を有するものであるため、仮にＡｌ合
金配線層がエレクトロマイグレーションによって断線す
るような事態に至ったとしても、高融点金属またはその
化合物からなる積層部分は断線せず、電気的導通の維持
は可能である。従って、この意味で、積層配線構造はＥ
Ｍ耐性の改善にも効果があるといえる。

【０００４】しかしながら、このような効果はＥＭ耐性
を本質的に改善するものではなく、あくまでＡｌ合金配
線の断線あるいは局所抵抗の増大という事態に対する補
完または救済に過ぎないことから、ＥＭ耐性の向上は必
ずしも十分ではない。

【０００５】このような状況に鑑み、例えば特開平６−
５５９９号公報には、ＥＭ耐性の本質的改善を目的とし
た半導体装置およびその製造方法が開示されている。こ
れは、Ａｌ系配線のＥＭ耐性を支配する一要因として、
Ａｌ系配線層の結晶配向性に着目したものであり、第１
にＡｌの最稠密面の配向性が低い配線はＥＭ耐性が低い
こと、第２にＡｌの結晶配向性はその下地となる高融点
金属またはその化合物の影響を強く受けることの２点を
考慮し、アルミニウム系配線層の下に、この配線層の最
稠密面の面内原子間隔とほぼ等しい面内原子間隔をもつ
面に配向したバッファ層を高融点金属等によって形成・
配置している。このような積層配線構造によれば、アル
ミニウムが最稠密面に配向するための阻害要因が少なく
なると考えられ、ＥＭ耐性の向上を図る上で一定の効果
が期待できる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように、ＥＭ耐性
を支配する一要因であるＡｌ合金膜の結晶配向性はその
下地となる高融点金属またはその化合物の影響を強く受
けるため、その選択の仕方によってはＥＭ耐性をかなり
劣化させることにもなりかねない。従って、Ａｌ合金膜
の結晶配向性はＥＭ耐性を向上させる上で極めて重要な
役割を担っているといえる。しかしながら、上記公報で
は、バッファ層として用いる高融点金属材料やその成膜
方法については検討が成されているものの、この出願を
含めて従来は、積層配線構造を構成する各層の膜厚等に
ついては最適化の検討がなされておらず、必ずしも十分
なＥＭ耐性を確保するには至っていなかった。

【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その課題は、ＥＭ耐性のより一層の改善を図るこ
とができる半導体装置の積層配線構造およびその形成方
法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の積層配線構造は、高融点金属またはこれを含む材料を
適宜組合せてなる積層膜上にアルミニウム合金膜を形成
してなる積層配線構造であって、積層膜の最下層および
最上層として、アルミニウムの優先結晶配向面の面内格
子間距離に近い面内格子間距離をもつ優先結晶配向面を
有する高融点金属またはこれを含む材料を用いると共
に、積層膜の最下層の膜厚を少なくとも３０ｎｍとした
ものである。

【０００９】本発明による他の半導体装置の積層配線構
造は、高融点金属またはこれを含む材料を適宜組合せて
なる積層膜上にアルミニウム合金膜を形成してなる積層
配線構造であって、積層膜の最下層および最上層とし
て、アルミニウムの優先結晶配向面の面内格子間距離に
近い面内格子間距離をもつ優先結晶配向面を有する高融
点金属またはこれを含む材料を用いると共に、積層膜の
最上層の膜厚を少なくとも３０ｎｍとしたものである。

【００１０】本発明による半導体装置の積層配線構造の
形成方法は、高融点金属またはこれを含む材料を適宜組
合せてなる積層膜上にアルミニウム合金膜を形成してな
る積層配線構造の形成方法であって、アルミニウムの優
先結晶配向面の面内格子間距離に近い面内格子間距離を
もつ優先結晶配向面を有する高融点金属またはこれを含
む材料を用いて、前記積層膜の最下層を少なくとも３０
ｎｍの膜厚に形成する工程と、アルミニウムの優先結晶
配向面の面内格子間距離に近い面内格子間距離をもつ優
先結晶配向面を有する高融点金属またはこれを含む材料
を用いて、前記積層膜の最上層を少なくとも３０ｎｍの
膜厚に形成する工程と、積層膜の最上層の上に、アルミ
ニウム合金膜を形成する工程とを含むものである。

【００１１】本発明による半導体装置の積層配線構造で
は、アルミニウム合金膜下の積層膜のうち、最下層およ
び最上層として、アルミニウムの優先結晶配向面の面内
格子間距離に近い面内格子間距離をもつ優先結晶配向面
を有する高融点金属またはこれを含む材料が用いられ、
しかも、このうち最下層は膜厚が３０ｎｍ以上となるよ
うに形成されている。これにより上層の配線層としての
アルミニウム合金膜は優先結晶配向となるように結晶化
する割合が多くなり、結晶配向性が良好になる。

【００１２】本発明による他の半導体装置の積層配線構
造では、アルミニウム合金膜下の積層膜のうち、最下層
および最上層として、アルミニウムの優先結晶配向面の
面内格子間距離に近い面内格子間距離をもつ優先結晶配
向面を有する高融点金属またはこれを含む材料が用いら
れ、しかも、このうち最上層は膜厚が３０ｎｍ以上とな
るように形成されている。この場合も同様に、上層の配
線層としてのアルミニウム合金膜は優先結晶配向となる
ように結晶化する割合が多くなり、結晶配向性が良好に
なる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１４】図１は本発明の一実施の形態に係る半導体
装置の積層配線構造を表すものである。この図に示した
ように、この半導体装置のシリコン基板１１の表面近傍
領域には不純物拡散層１２が選択的に形成され、さらに
この不純物拡散層１２を含むシリコン基板１１全体を覆
うようにしてシリコン酸化膜等の層間絶縁膜１３が形成
されている。不純物拡散層１２は、例えばＭＯＳトラン
ジスタにおけるソース・ドレイン領域となるものであ
る。層間絶縁膜１３には、この層間絶縁膜１３を貫通し
て不純物拡散層１２に達するコンタクトホール１４が形
成されている。コンタクトホール１４の内面から層間絶
縁膜１３上にかけては、高融点金属またはその化合物を
適当に組み合せて構成した積層膜１８が形成され、更に
その上にアルミニウム合金からなる配線層１９が形成さ
れている。そして、積層膜１８および配線層１９は、所
定の形状にパターニング加工され、不純物拡散層１２と
図示しない外部回路との間を電気的に接続する金属配線
パターンを形成している。

【００１５】積層膜１８は、最下層１５、バリアメタル
層１６および最上層１７の３層構造となっており、例え
ば通常のＤ．Ｃ．スパッタ装置（直流スパッタ装置）に
よって真空中で連続的に成膜されたものである。このう
ち、最下層１５は、不純物拡散層１２とのオーミックコ
ンタクトを得るために形成されたコンタクトメタルであ
り、高融点金属であるチタン（Ｔｉ）を用いて、３０ｎ
ｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上の膜厚に形成されてい
る。バリアメタル層１６は、コンタクトの耐熱性向上の
ために形成されたもので、チタンオキシナイトライド
（ＴｉＯＮ）を用いて、例えば７０〜１００ｎｍ程度の
膜厚に形成されている。最上層１７は、ＥＭ耐性向上の
ために形成されたものであり、チタンを用いて、３０ｎ
ｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上の膜厚に形成されてい
る。

【００１６】配線層１９は、アルミニウムに例えば１％
程度のシリコンを含有させたアルミニウム合金からな
り、動作時に電流の大部分を流す役割を果たすものであ
る。この配線層１９の膜質は、後述するように、その下
層の積層膜１８（特に、最下層１５および最上層１７）
を構成する高融点金属の種類および膜厚によって大きく
左右され、ＥＭ耐性に重要な影響を及ぼす。

【００１７】次に、積層膜１８を構成する最上層１７お
よび最下層１５の各々について、主に膜厚をどの程度と
するのが最適であるかを実験データを参照して説明す
る。まず、最上層１７について説明する。

【００１８】図２は、最上層１７（配線層１９の直下の
層）の膜厚が配線層１９のＥＭ耐性に及ぼす影響を示す
実験結果を表すものである。この図で、横軸は所定の温
度条件下での加速試験時間（単位は任意量）を表し、縦
軸は累積故障率を表す。なお、この累積故障率は、エレ
クトロマイグレーションによる断線や局所的抵抗値増大
等が主原因と考えてよい。なお、両軸とも単位は任意と
している。○印は最上層１７を設けない場合のデータを
表し、△印，□印および◇印は、それぞれ、最上層１７
（チタン）の膜厚を３０ｎｍ，５０ｎｍ，８０ｎｍとし
た場合のデータを表す。

【００１９】この図から明らかなように、最上層１７を
設けない場合に比べてチタンからなる最上層１７を設け
た場合には、同一の加速試験時間に対する累積故障率の
平均値が著しく小さくなって（言い換えると、ある累積
故障率に達するまでの時間が長くなって）、ＥＭ耐性が
向上しており、さらに最上層１７の膜厚を厚くするほど
その効果が大きいことが判る。この効果は、最上層１７
がない場合と最上層１７の膜厚が３０ｎｍの場合とを比
較したときに相当顕著に認められるほか、最上層１７の
膜厚が３０ｎｍの場合と５０ｎｍの場合とを比較したと
きにも有意の差異が認められる。一方、最上層１７の膜
厚が５０ｎｍの場合と８０ｎｍの場合とを比較したとき
には、さほどの違いは見られない。

【００２０】また、各膜厚に対するデータをプロットし
て得られる近似直線の傾きは、各膜厚下における半導体
装置の寿命のばらつきを表しており、この傾きが大きい
（急である）ほど一般的に素子設計がし易くなると共
に、製品品質が安定化する。この点については、図２か
ら明らかなように、最上層１７の膜厚が５０ｎｍ以上の
場合に近似直線の傾きが大きくなっていることから、最
上層１７を５０ｎｍ程度以上にすることが素子寿命のば
らつきを小さくする点でも有効であることが判る。

【００２１】図３は、最上層１７の膜厚を様々に変えた
ときのアルミニウムの結晶配向に対するＸＲＤ（Ｘ線回
折）ロッキングカーブを表すものである。この図で、横
軸は回折角（単位は度）を表し、縦軸は回折Ｘ線強度
（単位は任意）を表す。

【００２２】この図に示したように、ロッキングカーブ
は、いずれの条件下でも約１９．３度の回折角において
最大強度を与えているが、この角度はアルミニウムの優
先結晶配向面（１，１，１）に対応するものである。従
って、この図から明らかなように、最上層１７が存在し
ない場合には、ピーク強度が小さく半値幅は大きいこと
から、配線層１９のアルミニウムは優先結晶配向面
（１，１，１）の方向に配向して結晶化している割合が
少ないことが判る。一方、最上層１７が存在すると、ピ
ーク強度が大きく半値幅は小さくなって鋭いピークが得
られることから、配線層１９のアルミニウムは優先結晶
配向面（１，１，１）の方向に配向して結晶化している
割合が多いことが判る。しかも、最上層１７の膜厚が大
きいほど鋭いピークとなっていることから、最上層１７
の膜厚が厚いほど配線層１９のアルミニウムが優先結晶
配向面（１，１，１）の方向に配向して結晶化している
こと、すなわち結晶配向性が向上していることが判る。

【００２３】以上のことから、ＥＭ耐性とアルミニウム
の配向性とは密接に対応しており、しかも、配線層１９
の直下のチタン層（最上層１７）の存在がＡｌ合金膜の
配向性を向上させ、ＥＭ耐性を向上させていることが判
る。特に、最上層１７の膜厚を３０ｎｍ以上、好ましく
は５０ｎｍ以上としたときには、顕著なＥＭ耐性向上が
認められる。

【００２４】次に、積層膜１８のうちの最下層１５（す
なわちコンタクトメタル）について説明する。

【００２５】図４は、最下層１５の素材や膜厚が配線層
１９のＥＭ耐性に及ぼす影響を示す実験結果を表すもの
である。横軸および縦軸は図２と同様の設定である。こ
の図で、○印は最下層１５を膜厚３０ｎｍのモリブデン
シリサイド（ＭｏＳｉ₂ ）で構成した場合のデータを表
し、△印は最下層１５を膜厚３０ｎｍのチタンナイトラ
イド（ＴｉＮ）で構成した場合のデータを表す。また、
□印，◇印および◆印は、それぞれ、最下層１５を膜厚
３０ｎｍ，５０ｎｍ，８０ｎｍのチタンで構成した場合
のデータを表している。

【００２６】この図から明らかなように、最下層１５を
ＭｏＳｉ₂ やＴｉＮで構成した場合に比べて最下層１５
をチタンで構成した場合には、ＥＭ耐性が向上してお
り、さらに最下層１５（チタン）の膜厚を厚くするほど
その効果が大きいことが判る。この効果の差異は、最下
層１５の膜厚が３０ｎｍの場合と５０ｎｍの場合とを比
較したときに特に顕著に認められるが、最下層１５の膜
厚が５０ｎｍの場合と８０ｎｍの場合とを比較したとき
には、さほどの違いは見られない。

【００２７】また、図４から明らかなように、最下層１
５の膜厚が５０ｎｍ以上の場合に近似直線の傾きが大き
くなっていることから、最下層１５を５０ｎｍ程度以上
にすることが素子寿命のばらつきを小さくする点でも有
効であることが判る。

【００２８】図５は、最下層１５の素材や膜厚を様々に
変えたときのアルミニウムの結晶配向に対するＸＲＤ
（Ｘ線回折）ロッキングカーブを表すものである。この
図で、横軸および縦軸は図３と同様の設定である。この
図に示したように、最下層１５をＭｏＳｉ₂ やＴｉＮで
構成した場合には、配線層１９のアルミニウムに対する
Ｘ線回折角の範囲は相当広くなり、アルミニウムの優先
結晶配向面（１，１，１）に対応する回折角（約１９．
３度）において最大強度を与えていないことから、配線
層１９のアルミニウムは様々な方向に配向して結晶化し
ており、配向性が極端に悪いことが判る。一方、最下層
１５をチタンで構成した場合には、ピーク値は大きく半
値幅は小さくなって鋭いピークが得られることから、配
線層１９のアルミニウムは優先結晶配向面（１，１，
１）の方向に配向して結晶化している割合が多いことが
判る。しかも、最下層１５の膜厚が大きいほど鋭いピー
クとなっていることから、最下層１５の膜厚が厚いほど
配線層１９のアルミニウムが優先結晶配向面（１，１，
１）の方向に配向して結晶化していること、すなわち結
晶配向性が向上していることが判る。

【００２９】以上のことから、積層膜１８のうちの最下
層１５としてチタンを用いるとＡｌ合金膜（配線層１
９）の配向性が良好となってＥＭ耐性が向上することが
判る。特に、最下層１５の膜厚を３０ｎｍ以上、好まし
くは５０ｎｍ以上としたときには、顕著なＥＭ耐性向上
が認められる。

【００３０】このように、本実施の形態では、配線層１
９下の積層膜１８のうち、最上層１７または最下層１５
の膜厚を最適化することにより、配線層１９のアルミニ
ウムの結晶配向性を改善することができ、ＥＭ耐性を十
分に向上させることができるまた、配向性のよいアルミ
ニウム合金膜においては、表面モフォロジーが改善され
ることから、にきび状のいわゆるヒロック(Hill Rock)
を減少させることができる。このため、このようなヒロ
ックがパターニングや層間絶縁膜形成プロセスに与える
悪影響を排除することができる。

【００３１】次に、本発明に係る半導体装置の積層配線
構造の形成方法を説明する。

【００３２】まず、Ｐ型（またはＮ型）のシリコン基板
１１の表面近傍の浅い領域にＮ型（またはＰ型）の不純
物をイオン注入し熱処理をすることによりＮ型（または
Ｐ型）の不純物拡散層１２を形成したのち、ＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition:化学的気相成長 )法により全
面にシリコン酸化膜等を堆積させて層間絶縁膜１３を形
成する。

【００３３】次に、層間絶縁膜１３に、通常のリソグラ
フィ工程により、不純物拡散層１２に達するコンタクト
ホール１４を形成する。

【００３４】次に、コンタクトホール１４の内壁面およ
び層間絶縁膜１３上に、チタンからなる最下層１５、チ
タンナイトライドからなるバリアメタル層１６およびチ
タンからなる最上層１７を順次形成する。この場合の各
層は、例えば通常のＤ．Ｃ．スパッタ装置を用いて、真
空中で連続的に成膜する。最下層１５および最上層１７
の膜厚は、いずれも３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ
以上とする。また、バリアメタル層１６の膜厚は、例え
ば７０〜１００ｎｍ程度とする。

【００３５】次に、最上層１７の上に、アルミニウムに
１％程度のシリコンを含有させたアルミニウム合金から
なる配線層１９を形成する。そして、最下層１５、バリ
アメタル層１６および最上層１７からなる積層膜１８
と、配線層１９とを通常のリソグラフィ工程により所定
の形状に加工して、配線パターンを形成する。その後、
図示しない保護膜等を全面に形成して、半導体装置の形
成方法を完了する。

【００３６】なお、以上の実施の形態では、最下層１５
および最上層１７の膜厚の下限は３０ｎｍ、好ましくは
５０ｎｍとしたが、その上限はアルミニウム配線による
段差などを考慮した常識的な値、例えば２００ｎｍ程度
とするのが好適と考えられる。

【００３７】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れるものではなく、その均等の範囲で種々変形可能であ
る。例えば、最下層１５および最上層１７を構成する材
料は必ずしもチタンのみに限定されるものではなく、配
線層１９のアルミニウムが優先結晶配向面の方向に揃っ
て結晶化するのを促進するようなもの（すなわち、アル
ミニウムの優先結晶配向面の面内格子間距離に近い面内
格子間距離をもつ優先結晶配向面を有する高融点金属ま
たはこれを含む材料）であればよい。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の積層配線構造およびその形成方法によれば、アルミ
ニウム合金膜下の積層膜のうち、最下層および最上層
に、アルミニウムの優先結晶配向面の面内格子間距離に
近い面内格子間距離をもつ優先結晶配向面を有する高融
点金属またはこれを含む材料を用いると共に、最下層ま
たは最上層の膜厚が３０ｎｍ以上となるようにしたの
で、アルミニウム合金膜の結晶配向性が格段に良好とな
り、この結果、ＥＭ耐性が著しく向上するという効果を
奏する。また、配向性のよいアルミニウム合金膜におい
ては、表面モフォロジーが改善されることから、にきび
状のいわゆるヒロックが減少し、パターニングや層間絶
縁膜形成プロセスに好影響を与えるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の積層
配線構造を表す断面図である。

【図２】積層膜のうちの最上層の膜厚がＡｌ合金配線層
のＥＭ耐性に及ぼす影響を示す実験結果を表すものであ
る。

【図３】積層膜のうちの最上層の膜厚を様々に変えたと
きのＡｌ合金配線層の結晶配向の分布を表すものであ
る。

【図４】積層膜のうちの最下層の素材および膜厚がＡｌ
合金配線層のＥＭ耐性に及ぼす影響を示す実験結果を表
すものである。

【図５】積層膜のうちの最下層の素材および膜厚を様々
に変えたときのアルミニウムの結晶配向の分布を表すも
のである。

【符号の説明】

１１…シリコン基板、１２…不純物拡散層、１３…層間
絶縁膜、１４…コンタクトホール、１５…最下層、１６
…バリアメタル層、１７…最上層、１８…積層膜、１９
…配線層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高融点金属またはこれを含む材料を適宜
   組合せてなる積層膜上にアルミニウム合金膜を形成して
   なる積層配線構造であって、 前記積層膜の最下層および最上層として、アルミニウム
   の優先結晶配向面の面内格子間距離に近い面内格子間距
   離をもつ優先結晶配向面を有する高融点金属またはこれ
   を含む材料を用いると共に、 前記積層膜の最下層の膜厚を少なくとも３０ｎｍとした
   ことを特徴とする半導体装置の積層配線構造。
2. 【請求項２】 高融点金属またはこれを含む材料を適宜
   組合せてなる積層膜上にアルミニウム合金膜を形成して
   なる積層配線構造であって、 前記積層膜の最下層および最上層として、アルミニウム
   の優先結晶配向面の面内格子間距離に近い面内格子間距
   離をもつ優先結晶配向面を有する高融点金属またはこれ
   を含む材料を用いると共に、 前記積層膜の最上層の膜厚を少なくとも３０ｎｍとした
   ことを特徴とする半導体装置の積層配線構造。
3. 【請求項３】 前記積層膜の最下層をチタンで構成した
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の積層配線
   構造。
4. 【請求項４】 前記積層膜の最上層をチタンで構成した
   ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の積層配線
   構造。
5. 【請求項５】 高融点金属またはこれを含む材料を適宜
   組合せてなる積層膜上にアルミニウム合金膜を形成して
   なる積層配線構造の形成方法であって、 アルミニウムの優先結晶配向面の面内格子間距離に近い
   面内格子間距離をもつ優先結晶配向面を有する高融点金
   属またはこれを含む材料を用いて、前記積層膜の最下層
   を少なくとも３０ｎｍの膜厚に形成する工程と、 アルミニウムの優先結晶配向面の面内格子間距離に近い
   面内格子間距離をもつ優先結晶配向面を有する高融点金
   属またはこれを含む材料を用いて、前記積層膜の最上層
   を少なくとも３０ｎｍの膜厚に形成する工程と、 前記積層膜の最上層の上に、アルミニウム合金膜を形成
   する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の積層配
   線構造の形成方法。