JPH09238044A - 高周波素子モジュール及びその形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波素子の制動容量による性能の劣化をコ
ストを増加させずに抑圧する。 【解決手段】 信号入力端子および信号出力端子部分に
ボンディングパッド１４を具える高周波素子チップ１２
と、リードフレーム１６とをパッケージ２０中に具え、
これらボンディングパッド１４およびリードフレーム１
６間が導電細線１８により接続されてなる高周波素子モ
ジュールにおいて、前記導電細線１８の周囲に設けられ
ていて前記導電細線１８から生成される磁束密度を高め
るための閉ループ状磁性体２２を具える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、高周波素子モジ
ュールの実装化に伴うチップおよびリードフレーム間の
ワイヤ配線技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】高周波素子モジュール、例えば圧電材料
から構成される水晶振動子や弾性表面波素子等の高周波
素子モジュールは、その構造のため、信号入力端子およ
び信号出力端子間に静電容量を形成してしまう。ここで
は、この静電容量を制動容量と呼ぶことにする。かかる
制動容量が高周波素子に寄生している結果、この高周波
素子のインピーダンスは低下し、また、制動容量は素子
に与えられた電力を消費してしまう。従って、安定な素
子の動作が得られない。この制動容量に起因して生じる
素子特性の劣化を抑えるために、従来、高周波素子の信
号入力端子および信号出力端子部分に直列または並列に
コイルを挿入することにより対処してきた。例えば、文
献「電子情報通信学会論文誌Vol.J76-A,No.2,p.238(199
3)」や文献「IEEE Trans.Ultrason.Ferroelec.Freq.Con
tr.,UFFC-36,p.531(1989) 」によれば、弾性表面波素子
により構成されたフィルタの入出力ＩＤＴ（Interdigit
al Transducer ）の電極指間容量を打ち消すために、信
号入力端子部分や信号出力端子部分に誘導性の整合回路
を導入する技術が開示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、高周波素子
を実装化するに当たっては、高周波素子チップ（単に、
高周波素子と呼ぶ場合もある。）およびリードフレーム
（素子を固定するダイパッドと引き出し配線とを備える
金属フレームのこと。）間を配線接続し、これらを樹脂
等のパッケージにより保護してモジュール化を施す（こ
のように、本明細書において、「高周波素子モジュー
ル」とは、各端子がリードフレームに配線接続された
（単数または複数の）高周波素子チップを樹脂等でコー
ティングして形成した一体型の単一素子のことをい
う。）。

【０００４】しかしながら、高周波素子チップの信号入
力端子部分や信号出力端子部分に誘導性の整合回路、例
えばコイル（インダクタ）を挿入する場合には、このコ
イルを作り込むための面積分だけ高周波素子チップのサ
イズを大きくしなければならない。従って、高周波素子
モジュールは大型化する。また、この例のようにチップ
上にコイルを形成するのではなく、高周波素子モジュー
ルを用いて回路を組む際に、その回路を組むプリント基
板上にコイルを作成するときには、プリント基板のサイ
ズを大きくしなければならないし、回路設計の能率も良
くない。また、これらの問題に加え、製造工程において
は新たなプロセスを追加することになるので、コストが
増大してしまうといった問題点があった。

【０００５】従って、従来より、コストの増大を抑制し
つつ、制動容量による特性の劣化が低減された高周波素
子モジュール及びその形成方法の出現が望まれていた。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明の高周波素子モ
ジュールによれば、信号入力端子および信号出力端子部
分にボンディングパッドを具える高周波素子チップとリ
ードフレームとをパッケージ中に具え、これらボンディ
ングパッドおよびリードフレーム間が導電細線により接
続されてなる高周波素子モジュールにおいて、前記導電
細線の周囲に設けられていて前記導電細線が周囲に生成
する磁束密度を高めるための閉ループ状磁性体を具える
ことを特徴とする。

【０００７】このように、高周波素子チップの信号入力
端子および信号出力端子部分からリードフレームに接続
される導電細線に、この導電細線を取り囲むようにして
磁性体を設けることによって、この磁性体中に導電細線
から発生する磁束密度を閉じ込めている。ここで、用語
「導電細線」は、導電性を有する細線のことであり、通
常は、導電性に優れたＡｕやＡｌが用いられ、直径は約
２０〜１００μｍ径のものが使用される。また、「磁束
密度」とは、磁場の量的な尺度として用いるベクトル量
のことである。

【０００８】コイルすなわちインダクタの機能発生原理
は、電流の変化による電磁誘導作用により、その電流の
変化を妨げるような起電力を生ずることにある。このよ
うな性質のことをインダクタンスと呼ぶ。インダクタン
スは、磁束と電流との鎖交数に比例する。このように、
高周波電流が流れる導電細線自体は弱いながらもインダ
クタンスを有している。導電細線の周囲に生成された磁
束密度は、設けられた閉ループ状磁性体が環の円周に沿
う方向に磁化されることにより、高まるのでインダクタ
ンスは増強される。このような導電細線および閉ループ
状磁性体から構成されるインダクタは、高周波素子チッ
プ上の新たな場所に形成しなくて済むので、チップのサ
イズを大きくする必要がない。

【０００９】この発明の好適な実施例によれば、前記閉
ループ状磁性体を前記ボンディングパッド上に設けてな
ることを特徴とする。このように、高周波素子チップの
近くに閉ループ状磁性体を設ければ、結局、高周波素子
チップの近くにインダクタが挿入されることになり、通
常は導電細線およびチップ間に形成されてしまう浮遊容
量を小さくすることができる。また、この閉ループ状磁
性体は、中央部に上面から下面に貫通する孔が設けてあ
る磁性体薄膜とするのが好適である。

【００１０】さらに、この発明の高周波素子モジュール
の形成方法によれば、信号入力端子および信号出力端子
部分にボンディングパッドを具える高周波素子チップと
リードフレームとをパッケージ中に具え、これらボンデ
ィングパッドおよびリードフレーム間が導電細線により
接続されてなる高周波素子モジュールを作成するに当た
り、前記導電細線が周囲に生成する磁束密度を高めるた
めの閉ループ状磁性体を前記ボンディングパッドまたは
前記リードフレームに設ける工程と、前記閉ループ状磁
性体の貫通した孔を通して前記導電細線を前記ボンディ
ングパッドまたは前記リードフレームにボンディングす
る工程とを含むことを特徴とする。

【００１１】このように、ボンディングパッドまたはリ
ードフレーム上に閉ループ状磁性体を設けて、その後
に、この閉ループ状磁性体の孔に導電細線を通してボン
ディングを行う。この結果、ボンディングパッドおよび
リードフレーム間を接続する導電細線を取り囲むように
して閉ループ状磁性体が形成される。

【００１２】また、この発明の別の高周波素子モジュー
ルの形成方法によれば、信号入力端子および信号出力端
子部分にボンディングパッドを具える高周波素子チップ
とリードフレームとをパッケージ中に具え、これらボン
ディングパッドおよびリードフレーム間が導電細線によ
り接続されてなる高周波素子モジュールを作成するに当
たり、前記ボンディングパッド上に磁性体薄膜を蒸着す
る工程と、この磁性体薄膜の上面の中央部を前記ボンデ
ィングパッドの上面が露出するまでエッチングする工程
と、このボンディングパッドの露出された上面および前
記リードフレーム間に前記導電細線をボンディングする
工程とを含むことを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
実施の形態につき説明する。尚、図は、この発明を理解
出来る程度に、各構成成分の形状、大きさおよび配置関
係を概略的に示してあるにすぎず、従って、この発明
は、この実施の形態に何ら限定されることはない。

【００１４】［第１の実施の形態］図１の（Ａ）は、第
１の実施の形態の高周波素子モジュールの構成を示す断
面図である。下地として基板（ダイパッド）１０が設け
られており、この上側に高周波素子チップ１２が形成さ
れている。この構成例では、高周波素子チップ１２とし
て圧電共振子である弾性表面波素子チップを用いてお
り、その構造については後に述べる。高周波素子チップ
１２の上側両端には、高周波素子チップ１２の信号入力
端子および信号出力端子部分に電気的に接続されるボン
ディングパッド１４が設けられている。ボンディングパ
ッド１４とリードフレーム１６とは、導電細線として金
線１８により接続されている。これら基板１０、高周波
素子チップ１２、ボンディングパッド１４、リードフレ
ーム１６の一部（内部リードフレームと呼ばれる。）お
よび金線１８は、パッケージ２０によって取り囲まれて
保護される。この構成例では導電細線として金線を用い
たが、これに限ることなく、通常の半導体モジュールに
用いられる導電性の金属、例えばアルミニウムや銅を用
いてもよい。

【００１５】次に、この構成例の高周波素子は、ボンデ
ィングパッド１４の上側に、閉ループ状磁性体として磁
性体薄膜２２が設けてある。図１の（Ｂ）は、このボン
ディングパッド１４および磁性体薄膜２２部分（図１の
（Ａ）の破線ａで囲まれた部分。）を拡大して示した斜
視図である。磁性体薄膜２２は、貫通した孔２４を有し
かつ閉ループ形状を成している磁性体物質の薄膜であ
る。このように、磁性体薄膜２２は、ボンディングパッ
ド１４の上面に堆積する磁性体薄膜の中央部分に、上面
から下面にかけて貫通する孔２４を有しており、孔２４
からボンディングパッド１４の表面が露出している。こ
の露出したボンディングパッド１４の表面に孔２４を通
して金線１８がボンディングされる。

【００１６】磁性体薄膜２２の材料としては、例えばフ
ェライトが用いられる。また、アモルファス磁性体、例
えばＦｅＢアモルファスを用いてもよい。この磁性体薄
膜２２の材料は、強磁性体であるのならば特に限定され
ることはなく、高周波素子チップ１２を動作させる周波
数（信号周波数）に応じて、導電細線から生成される磁
束密度を高めるような磁気特性（例えば、透磁率）を有
する材料となるように選択すればよい。また、磁性体薄
膜２２の形状は、この構成例では、ボンディングパッド
１４と同様の四角形状としたが、これに限ることなく、
閉ループを成していてしかも導電細線から生成される磁
束密度を高める形状であれば別の形状であってもよい。

【００１７】また、磁性体薄膜２２の膜厚は用いる磁性
体物質によって異なるが、５００〜５０００Åの範囲で
形成される。磁性体薄膜２２の孔２４の形状は長方形で
あり、そのサイズは１辺が６０〜７０μｍ程度である。
通常用いられる導電細線（金線１８）は、２０〜３０μ
ｍ径であるから、この程度のサイズがあれば後の形成プ
ロセスに対して影響はない。この孔２４のサイズは、磁
気特性とボンディングの行い易さから決定される。ま
た、磁性体によっては導電性を有するので、短絡するお
それがある場合には、ボンディングパッド１４および磁
性体薄膜２２間に絶縁層を挿入し、金線１８も磁性体薄
膜２２に接触しないようにボンディングする。この絶縁
層としては、例えばＳｉＯ₂ を用いれば通常の半導体プ
ロセスが使えるので好適である。

【００１８】このように、この第１の構成例の高周波素
子モジュールは、金線１８の周囲を取り囲むようにして
磁性体物質が設けられている構成である。次に、この構
成例の高周波素子モジュールの形成方法について説明す
る。図２は、この構成例の形成工程の説明に供する斜視
図である。

【００１９】先ず、ボンディングパッド１４の上面に、
磁性体薄膜２６を蒸着する（図２の（Ａ））。例えば、
この蒸着はスパッタ法により行われる。

【００２０】次に、蒸着した磁性体薄膜２６の上面にマ
スク２８を形成する（図２の（Ｂ））。このマスク２８
を形成するには、先ず、磁性体薄膜２６の上面にレジス
ト層を塗布形成し、次に、フォトリソグラフィ技術を用
いてレジスト層の中央部分に四角形状の開口部３０をパ
ターン形成する。このマスク２８を用いて磁性体薄膜２
６の中央部をボンディングパッド１４の上面が露出する
までエッチングを行い、磁性体薄膜２６の中央部分に上
面から下面まで貫通する四角形状の孔２４を有する磁性
体薄膜２２を作成する（図２の（Ｃ））。このエッチン
グ工程は、ドライエッチングにより行うのが好適であ
る。用いるエッチングガスは磁性体材料によって異なる
が、例えばフェライトであればＣＦ₄ やＮＦ₃ を使うの
が適当である。

【００２１】最後に、ボンディングパッド１４の露出し
た上面およびリードフレーム１６間に金線１８をボンデ
ィングする（図２の（Ｄ））。このボンディング工程は
通常のワイヤボンダにより行われる。この後の工程で
は、通常の実装技術に従うプロセスによりパッケージ化
を行い、高周波素子モジュールを完成させる。この実施
の形態においては磁性体薄膜２２の作成をエッチングプ
ロセスにより行ったが、リフトオフ法により行ってもよ
い。

【００２２】次に、この構成例の高周波素子モジュール
の動作について説明する。図３は、この構成例の高周波
素子チップ１２として用いられる弾性表面波素子チップ
の構成例を示す平面図である。弾性表面波素子は圧電材
料基板３２上に、すだれ状に配列された電極指３４を具
える圧電素子である。このすだれ状に配列された電極指
３４から構成される電極部分は、ＩＤＴ３６を構成す
る。ＩＤＴ３６は、電気−弾性表面波変換を行うための
変換器である。このＩＤＴ３６にはボンディングパッド
４０および４２が設けられ、これらを入力端子および出
力端子とし、ここから高周波電気信号の入力および出力
が行われる。

【００２３】また、この図の構成のように共振器型の弾
性表面波共振子の場合には、ＩＤＴ３６の両端にグレー
ティング反射器３８を具えている。このグレーティング
反射器３８は、ＩＤＴ３６に平行に複数の金属線が配列
して構成される。このように、ＩＤＴ３６の両端にグレ
ーティング反射器３８を設けることにより、ＩＤＴ３６
で励振されたＳＡＷ（弾性表面波）を二つのグレーティ
ング反射器３８の間に多重伝播させて定常波を形成す
る。

【００２４】このような構成の弾性表面波素子が高周波
素子チップ１２として、高周波素子モジュールを構成し
ている。図４は、この弾性表面波素子の等価回路図であ
り、構成例の動作の説明に供する回路図である。高周波
素子は共振回路で表すことができ、図中の信号入力端子
４４および信号出力端子４６間に形成されるＬＣＲ直列
回路４８によって表される。図中、Ｒ_m は抵抗であり、
Ｌ_m はインダクタであり、Ｃ_m はキャパシタである。ま
た、信号入力端子４４および信号出力端子４６間には、
ＬＣＲ直列回路４８に並列に制動容量Ｃ₀ が接続され
る。制動容量Ｃ₀は、信号入力端子４４と信号出力端子
４６との間に自然に形成される容量である。この制動容
量Ｃ₀ は、ＩＤＴ３６の電極指３４間に形成され、共振
周波数以外でも観測される静電容量である。

【００２５】この制動容量Ｃ₀ を打ち消すためには、図
５の（Ａ）の回路図に示されるように、信号入力端子４
４および接続点Ｐ₁ 間、信号出力端子４６および接続点
Ｐ₂間にそれぞれ直列にインダクタＬ₀ を挿入すればよ
い。インダクタＬ₀ の値は、入力電気信号の角周波数を
ωとすれば、（ω² Ｃ₀ ）^-1で表される。このインダク
タＬ₀ の挿入により、図５の（Ｂ）の回路図に示される
ように、制動容量Ｃ₀が打ち消される。

【００２６】一般に、導電線を流れる電流は、その導電
線の周囲に磁束密度を生成する（このことは電磁気学上
の周知事項である。）。よって、導電線自体は弱いなが
らもインダクタンス機能を有している。そして、導電線
の周囲を取り囲むようにして磁性体を設ければ、導電線
の周囲に生成された磁束密度により環状に形成された磁
性体中には円周に沿う方向に磁化が形成され、導電線周
囲の磁束密度が高められ、この導電線のインダクタンス
機能が高められる。従って、このような構成の導電線お
よび磁性体物質の組み合わせにより、インダクタＬ₀ を
構成することができる。

【００２７】この構成例においては、このインダクタＬ
₀ として、磁性体薄膜２２によって取り囲まれた金線１
８を用いている（図１の（Ｂ））。前述したように、こ
の磁性体薄膜２２は、ボンディングパッド１４の上側に
設けられている（図３においては、ボンディングパッド
４０および４２の上側に設けられる。）。このようなイ
ンダクタＬ₀ を具えることにより、制動容量Ｃ₀ が高周
波素子モジュールの動作特性に与える悪影響を、実用上
弊害とならない程度にまで当該制動容量Ｃ₀ を打ち消す
ことが出来、これにより高周波素子モジュールの不整合
による損失が減少し、外部との整合が良好となる。

【００２８】前述したように、使用する磁性体材料は、
使用する周波数領域に応じてその材料を変える必要があ
るが、この発明の構成は、ＭＨｚ領域で作動する高周波
素子モジュールに適用して好適である。このような使用
可能な周波数領域を考慮し、周波数依存性および温度依
存性がなく、また、インダクタＬ₀ が最大１００ｎＨ程
度の大きさのインダクタンスが得られれば、どのような
磁性体を用いてもよい。

【００２９】この実施の形態では、高周波素子として弾
性表面波素子を用いたが、これに限定されるものではな
く、例えば水晶振動子等の他の圧電素子（例えば、圧電
共振子素子、セラミックフィルタなど）を用いることも
可能である。

【００３０】また、この実施の形態の構成例は、制動容
量だけでなく配線間に形成される浮遊容量の抑圧にも効
果がある。特に半導体素子、例えばＧａＡｓやＳｉで形
成された高周波素子の場合には、制動容量は無いが浮遊
容量による素子特性の劣化が起こり、これを抑圧するた
めに、この構成例のインダクタＬ₀ を用いてもよい。弾
性表面波素子の場合には、制動容量に比べて浮遊容量は
かなり小さいので、あまり問題とならないが、この第１
の構成例のように、ボンディングパッド１４上に磁性体
薄膜２２を設ける構成にしたことにより弾性表面波素子
チップ（高周波素子チップ）１２の近傍にインダクタＬ
₀ が設けられ、配線間に形成される浮遊容量を除去する
ことが可能となる。

【００３１】このように、この第１の構成例の高周波素
子モジュールは、金線１８の周囲に設けられていて金線
１８から生成される磁束密度を高めるための閉ループ形
状の磁性体薄膜２２を具えている。この構成例によれ
ば、高周波素子チップ上に新たな場所を設けてコイルを
形成することを必要としないので、チップの大きさを増
大しないで済む。従って、従来のようにチップの大きさ
を増大させることなく、従来と同等の性能を引き出すこ
とが可能である。また、プロセス自体も通常の半導体製
造技術により行えるので良好な歩留まりが得られる。こ
のように、コストの増大を抑えつつ、制動容量による素
子特性の劣化を防ぐことが可能になる。

【００３２】［第２の実施の形態］図６は、第２の実施
の形態の構成を示す図である。尚、第１の構成例と同一
の構成については説明を省略する。この第２の構成例
は、導電細線（金線１８）の周囲に設けられていて、導
電細線から生成される磁束密度を高めるための閉ループ
状（リング状）磁性体として、磁性体ビーズ５０を用い
ている。この磁性体ビーズ５０は貫通した孔を有する磁
性体物質であり、リング形状を成している。そして、こ
の構成例では、第１の構成例のようにボンディングパッ
ド１４上に限らず、導電細線の任意の位置に磁性体ビー
ズ５０を設けることが可能である。図６に示される構成
例では、ボンディングパッド１４およびリードフレーム
１６間を接続する金線１８の中央付近に、この金線１８
を磁性体ビーズ５０の孔に通して設けてある。この磁性
体ビーズ５０は、この図６の位置に限らず、金線１８の
周囲を取り囲むように設けられているのであればどこで
も良く、第１の構成例のようにボンディングパッド１４
上に設けてもよい。この実施の形態では、磁性体ビーズ
５０をリードフレーム１６上に設ける場合について、こ
の場合の高周波素子モジュールの形成方法を次に説明す
る。

【００３３】図７および図８は、第２の実施の形態の形
成方法の説明に供する斜視図である。この実施の形態で
は、ワイヤボンダを用いて金線のボンディングを行う。

【００３４】ボンディングパッド１４を具える高周波素
子チップ１２とリードフレーム１６とは同一のステージ
６０上に載せてある。尚、通常、高周波素子チップ１２
およびリードフレーム１６はパッケージ２０上に形成さ
れ、また、高周波素子チップ１２は基板（ダイパッド）
１０の上に形成されるが、図が煩雑になるので、この図
８および図９にはパッケージ２０および基板１０を省略
して示してある。また、この実施の形態例のリードフレ
ーム１６は、金線１８をボンディングする位置に窪み５
２を有している（図７の（Ａ））。

【００３５】先ず、金線１８から生成される磁束密度を
高めるための磁性体ビーズ５０をリードフレーム１６に
設ける（図７の（Ａ））。この実施の形態では、磁性体
ビーズ５０は円筒形であり、孔５４を有している。そし
て、リードフレーム１６の窪み５２に磁性体ビーズ５０
を置く。但し、孔５４をリードフレーム１６の面に垂直
な方向（図中の矢印ｂで示される方向。）に向けて置
く。このように磁性体ビーズ５０をリードフレーム１６
上に置くことにより、孔５４からボンディング位置が臨
めるようにしておく。

【００３６】次に、ワイヤボンダのキャピラリ５６を孔
５４の真上に配置させる（図７の（Ｂ））。キャピラリ
５６の先端部には金線１８が引き出され、金線１８の先
端部には放電により溶融した金球５８が造られている。

【００３７】次に、キャピラリ５６を下降し、孔５４を
通してリードフレーム１６上に金球５８を圧着する（図
７の（Ｃ））。このように第１のボンディングを行った
後、キャピラリ５６を垂直方向（図中の矢印ｃで示され
る方向。）に引き上げ、一旦、停止させる。次に、高周
波素子チップ１２とリードフレーム１６とを載せたステ
ージ６０を動かして、キャピラリ５６をボンディングパ
ッド１４上に移動させる（図８の（Ａ））。

【００３８】そして、キャピラリ５６を下降し、金線１
８をボンディングパッド１４上に圧着して第２のボンデ
ィングを行う（図８の（Ｂ））。最後に、金線１８を切
りキャピラリ５６を上昇させる（図８の（Ｃ））。

【００３９】以上説明した形成方法により、磁性体ビー
ズ５０が、孔５４に金線１８を通した状態でリードフレ
ーム１６上に設けられる。尚、この実施の形態では、窪
み５２を用いてリードフレーム１６上に磁性体ビーズ５
０を固定したが、リードフレーム１６上に突起を設け
て、この突起を孔５４に嵌合することによって固定して
もよい。そして、金線１８をこの突起にボンディングす
る。また、この実施の形態ではリードフレーム１６上に
磁性体ビーズ５０を設けたが、ボンディングパッド１４
上に設けても良い。磁性体ビーズ５０に用いられる磁性
体材料としては、第１の実施の形態で挙げたものと同様
のものが使える。また、磁性体ビーズ５０の孔５４のサ
イズは直径が最小でも１００μｍ程度あればよい。

【００４０】このように、この第２の構成例の高周波素
子モジュールは、金線１８の周囲に設けられていて金線
１８から生成される磁束密度を高めるための閉ループ形
状の磁性体ビーズ５０を具えている。従って、第１の構
成例と同様にして、この第２の構成例によれば、高周波
素子チップ上に新たな場所を設けてコイルを形成するこ
とを必要としないのでチップの大きさを増大させなくて
済む。従って、従来のようにチップの大きさを増大させ
ずに、従来と同等の性能を得ることが可能になる。ま
た、プロセス自体も通常の半導体製造技術により行える
ので良好な歩留まりが得られる。このように、コストの
増大を抑えつつ、制動容量による素子特性の劣化を防ぐ
ことが可能になる。

【００４１】

【発明の効果】この発明の高周波素子モジュールによれ
ば、高周波素子チップの信号入力端子および信号出力端
子部分からリードフレームに接続される導電細線に、こ
の導電細線を取り囲むようにして磁性体を設けることに
よって導電細線から生成される磁束密度を高め、導電細
線が有するインダクタンスを増強する。従って、従来の
ように外付けのコイルを必要とせず、高周波素子チップ
を構成する基板面積（サイズ）を増大させずに済み、か
つ、コストの増大を防ぐことが可能である。

【００４２】また、この発明の高周波素子モジュールの
形成方法によれば、ボンディングパッドまたはリードフ
レーム上に閉ループ状磁性体を設けて、その後に、この
閉ループ状磁性体の孔に導電細線を通してボンディング
を行うので、ボンディングパッドおよびリードフレーム
間を接続する導電細線を取り囲むようにして閉ループ状
磁性体が形成される。従って、上記の効果を有する構造
を形成することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）共に第１の構成例の構造を示す
図である。

【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は第１の実施の形態の形成工程
を示す図である。

【図３】弾性表面波素子の構造を示す図である。

【図４】弾性表面波素子の等価回路図である。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）共に構成例の動作の説明に供す
る図である。

【図６】第２の構成例を示す図である。

【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、第２の実施の形態の形成工
程を示す図である。

【図８】（Ａ）〜（Ｃ）は、図７の（Ｃ）に続く第２の
実施の形態の形成工程を示す図である。

【符号の説明】

１０：基板 １２：高周波素子チップ １４、４０、４２：ボンディングパッド １６：リードフレーム １８：金線 ２０：パッケージ ２２、２６：磁性体薄膜 ２４、５４：孔 ２８：マスク ３０：開口部 ３２：圧電材料基板 ３４：電極指 ３６：ＩＤＴ ３８：グレーティング反射器 ４４：信号入力端子 ４６：信号出力端子 ４８：ＬＣＲ直列回路 ５０：磁性体ビーズ ５２：窪み ５６：キャピラリ ５８：金球 ６０：ステージ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 信号入力端子および信号出力端子部分に
   ボンディングパッドを具える高周波素子チップとリード
   フレームとをパッケージ中に具え、該ボンディングパッ
   ドおよび該リードフレーム間が導電細線により接続され
   てなる高周波素子モジュールにおいて、 前記導電細線の周囲に設けられていて前記導電細線が周
   囲に生成する磁束密度を高めるための閉ループ状磁性体
   を具えることを特徴とする高周波素子モジュール。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の高周波素子モジュール
   において、前記閉ループ状磁性体を前記ボンディングパ
   ッド上に設けてなることを特徴とする高周波素子モジュ
   ール。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の高周波素子モジュール
   において、前記閉ループ状磁性体は、中央部に上面から
   下面に貫通する孔が設けてある磁性体薄膜とすることを
   特徴とする高周波素子モジュール。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の高周波素子モジュール
   において、前記高周波素子チップを圧電素子チップとす
   ることを特徴とする高周波素子モジュール。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の高周波素子モジュール
   において、前記高周波素子チップを弾性表面波素子チッ
   プとすることを特徴とする高周波素子モジュール。
6. 【請求項６】 信号入力端子および信号出力端子部分に
   ボンディングパッドを具える高周波素子チップとリード
   フレームとをパッケージ中に具え、該ボンディングパッ
   ドおよび該リードフレーム間が導電細線により接続され
   てなる高周波素子モジュールを作成するに当たり、 前記導電細線が周囲に生成する磁束密度を高めるための
   閉ループ状磁性体を前記ボンディングパッドまたは前記
   リードフレームに設ける工程と、 前記閉ループ状磁性体の貫通した孔を通して前記導電細
   線を前記ボンディングパッドまたは前記リードフレーム
   にボンディングする工程とを含むことを特徴とする高周
   波素子モジュールの形成方法。
7. 【請求項７】 信号入力端子および信号出力端子部分に
   ボンディングパッドを具える高周波素子チップとリード
   フレームとをパッケージ中に具え、該ボンディングパッ
   ドおよび該リードフレーム間が導電細線により接続され
   てなる高周波素子モジュールを作成するに当たり、 前記ボンディングパッド上に磁性体薄膜を蒸着する工程
   と、 該磁性体薄膜の上面の中央部を前記ボンディングパッド
   の上面が露出するまでエッチングする工程と、 該ボンディングパッドの露出された上面および前記リー
   ドフレーム間に前記導電細線をボンディングする工程と
   を含むことを特徴とする高周波素子モジュールの形成方
   法。