JPH09243979A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH09243979A JPH09243979A JP4569896A JP4569896A JPH09243979A JP H09243979 A JPH09243979 A JP H09243979A JP 4569896 A JP4569896 A JP 4569896A JP 4569896 A JP4569896 A JP 4569896A JP H09243979 A JPH09243979 A JP H09243979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal panel
- display device
- manufacturing
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、出画検査では検出不可能であっ
た不良品を早期排除することが可能な液晶表示装置の製
造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 この発明は、一対の電極(161),(331) 間
に液晶層(200) が保持されて成る表示画素を複数含む液
晶パネル(5) を作成するセル工程と、液晶パネルに駆動
回路部を電気的に接続するモジュール工程とを含む液晶
表示装置の製造方法に係り、モジュール工程に先立ち、
液晶パネル(5) の保持率を測定する保持率測定工程を含
むことを特徴としている。
た不良品を早期排除することが可能な液晶表示装置の製
造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 この発明は、一対の電極(161),(331) 間
に液晶層(200) が保持されて成る表示画素を複数含む液
晶パネル(5) を作成するセル工程と、液晶パネルに駆動
回路部を電気的に接続するモジュール工程とを含む液晶
表示装置の製造方法に係り、モジュール工程に先立ち、
液晶パネル(5) の保持率を測定する保持率測定工程を含
むことを特徴としている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極間に液
晶層が保持され成る液晶表示装置の製造方法に関する。
晶層が保持され成る液晶表示装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、CRTディスプレイに代わる平面
型の表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示
装置は軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を
集めている。
型の表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示
装置は軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を
集めている。
【0003】例えば、各表示画素にスイッチ素子が配置
されたアクティブマトリクス型液晶表示装置を例にとり
説明する。この液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板
との間に配向膜を介して配されるツイスト・ネマチック
型の液晶層を含む。
されたアクティブマトリクス型液晶表示装置を例にとり
説明する。この液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板
との間に配向膜を介して配されるツイスト・ネマチック
型の液晶層を含む。
【0004】アレイ基板は、透明絶縁基板上に複数本の
信号線と走査線とが格子状に配置され、各交点部分に非
晶質シリコン(以下、a−Siと略称する。)等の半導
体薄膜を用いた薄膜トランジスタ(以下、TFTと略称
する。)が接続されて成る。TFTのゲート電極は走査
線に、ドレイン電極は信号線にそれぞれ電気的に接続さ
れ、更にソース電極は透明導電材料、例えばITO(In
dium Tin Oxide)から成る画素電極に接続されている。
対向基板は、ITOから成る対向電極を含み、またカラ
ー表示を実現するのであればカラーフィルタを含む。
信号線と走査線とが格子状に配置され、各交点部分に非
晶質シリコン(以下、a−Siと略称する。)等の半導
体薄膜を用いた薄膜トランジスタ(以下、TFTと略称
する。)が接続されて成る。TFTのゲート電極は走査
線に、ドレイン電極は信号線にそれぞれ電気的に接続さ
れ、更にソース電極は透明導電材料、例えばITO(In
dium Tin Oxide)から成る画素電極に接続されている。
対向基板は、ITOから成る対向電極を含み、またカラ
ー表示を実現するのであればカラーフィルタを含む。
【0005】そして、このような液晶表示装置は、一般
に、1フレーム期間(T)中に各走査線に順次走査パル
ス(Vg)が印加され、その期間、TFTはオン状態と
なり、信号線に印加される映像信号(Vsig )が所定の
画素電極に書き込まれる。そして、画素電極の電位と対
向電極の電位との電位差が液晶層に印加され、この印加
電圧に応答した表示がなされる。
に、1フレーム期間(T)中に各走査線に順次走査パル
ス(Vg)が印加され、その期間、TFTはオン状態と
なり、信号線に印加される映像信号(Vsig )が所定の
画素電極に書き込まれる。そして、画素電極の電位と対
向電極の電位との電位差が液晶層に印加され、この印加
電圧に応答した表示がなされる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板とをシール材を
介して互いに対向配置し、液晶材料を基板間に注入し、
注入孔を封止して液晶パネルを完成させた後、偏向板を
配し、更に外部回路を接続して製造される。
液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板とをシール材を
介して互いに対向配置し、液晶材料を基板間に注入し、
注入孔を封止して液晶パネルを完成させた後、偏向板を
配し、更に外部回路を接続して製造される。
【0007】そこで、不良な液晶パネルの次工程への流
れ込みを事前に防止するべく、液晶パネルに偏向板を貼
り付け、プローバー等を介して液晶パネルと検査回路と
を電気的に接続し、出画検査することができる。
れ込みを事前に防止するべく、液晶パネルに偏向板を貼
り付け、プローバー等を介して液晶パネルと検査回路と
を電気的に接続し、出画検査することができる。
【0008】確かに、このような出画検査により、不良
液晶パネルを事前に排除することができるものの、画質
に影響する程度に極端な不良品に限られ、現実には不良
因子を含む液晶パネルが次工程へ流れ込んでしまう。こ
の発明は、上述した技術課題に対処して成されたもので
あって、不良品の早期排除が可能な液晶表示装置の製造
方法を提供することを目的としている。
液晶パネルを事前に排除することができるものの、画質
に影響する程度に極端な不良品に限られ、現実には不良
因子を含む液晶パネルが次工程へ流れ込んでしまう。こ
の発明は、上述した技術課題に対処して成されたもので
あって、不良品の早期排除が可能な液晶表示装置の製造
方法を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
一対の電極間に液晶層が保持されて成る表示画素を複数
含む液晶パネルを作成するセル工程と、前記液晶パネル
に駆動回路部を電気的に接続するモジュール工程とを含
む液晶表示装置の製造方法において、前記モジュール工
程に先立ち、前記液晶パネルの保持率を測定する保持率
測定工程を含むことを特徴とした液晶表示装置の製造方
法ある。
一対の電極間に液晶層が保持されて成る表示画素を複数
含む液晶パネルを作成するセル工程と、前記液晶パネル
に駆動回路部を電気的に接続するモジュール工程とを含
む液晶表示装置の製造方法において、前記モジュール工
程に先立ち、前記液晶パネルの保持率を測定する保持率
測定工程を含むことを特徴とした液晶表示装置の製造方
法ある。
【0010】請求項2記載の発明は、請求項1記載の保
持率測定工程により測定される前記液晶パネルが検査用
の液晶パネルであることを特徴とした液晶表示装置の製
造方法にある。
持率測定工程により測定される前記液晶パネルが検査用
の液晶パネルであることを特徴とした液晶表示装置の製
造方法にある。
【0011】請求項3記載の発明は、請求項2記載の液
晶パネルが、互いに対向する個別電極を含む液晶パネル
であることを特徴とした液晶表示装置の製造方法にあ
る。請求項4記載の発明は、請求項1記載の保持率測定
工程が、前記液晶パネルの少なくとも一表示画素を被測
定画素として対応する電極に所定の電荷を書き込む工程
と、所定期間の後に前記一表示画素の電荷を読み出す工
程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法に
ある。
晶パネルが、互いに対向する個別電極を含む液晶パネル
であることを特徴とした液晶表示装置の製造方法にあ
る。請求項4記載の発明は、請求項1記載の保持率測定
工程が、前記液晶パネルの少なくとも一表示画素を被測
定画素として対応する電極に所定の電荷を書き込む工程
と、所定期間の後に前記一表示画素の電荷を読み出す工
程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法に
ある。
【0012】請求項5記載の発明は、請求項4記載の保
持率測定工程において、前記一表示画素に電荷を書き込
むに先立ち、少なくとも他の前記表示画素を構成する電
極間の電位差を実質的に零と成す工程を含むことを特徴
とする液晶表示装置の製造方法にある。
持率測定工程において、前記一表示画素に電荷を書き込
むに先立ち、少なくとも他の前記表示画素を構成する電
極間の電位差を実質的に零と成す工程を含むことを特徴
とする液晶表示装置の製造方法にある。
【0013】請求項6記載の発明は、請求項1記載のモ
ジュール工程が偏向板を貼り付ける工程を含むことを特
徴とする液晶表示装置の製造方法にある。液晶表示装置
における画像劣化の原因としては、配線の短絡や断線、
TFTの特性不良等の他に、液晶層中の不純物によるも
のが挙げられる。
ジュール工程が偏向板を貼り付ける工程を含むことを特
徴とする液晶表示装置の製造方法にある。液晶表示装置
における画像劣化の原因としては、配線の短絡や断線、
TFTの特性不良等の他に、液晶層中の不純物によるも
のが挙げられる。
【0014】配線の短絡や断線、TFTの特性不良等
は、出画検査により概ね検出することができるが、液晶
層中の不純物による不良モードは、出画検査で検出する
ことが極めて困難である。しかも、液晶層中の不純物に
よる不良モードは、時間経過と共に顕著になるため、製
造途中での検出が困難であった。
は、出画検査により概ね検出することができるが、液晶
層中の不純物による不良モードは、出画検査で検出する
ことが極めて困難である。しかも、液晶層中の不純物に
よる不良モードは、時間経過と共に顕著になるため、製
造途中での検出が困難であった。
【0015】そこで、この発明では、液晶層中の不純物
による不良モードを、液晶層の保持率を測定することで
判定し、不良因子を含む液晶パネルの次工程への流れ込
みを防止するものである。
による不良モードを、液晶層の保持率を測定することで
判定し、不良因子を含む液晶パネルの次工程への流れ込
みを防止するものである。
【0016】液晶層中の不純物による不良モードは、液
晶材料の注入時に液晶材料中に不純物が混入される、あ
るいは配向膜、シール材あるいは封止材中等から液晶材
料中に不純物が溶出されることにより生じるものであっ
て、不純物が混入されると保持率は一般に小さくなるこ
とに基づく。
晶材料の注入時に液晶材料中に不純物が混入される、あ
るいは配向膜、シール材あるいは封止材中等から液晶材
料中に不純物が溶出されることにより生じるものであっ
て、不純物が混入されると保持率は一般に小さくなるこ
とに基づく。
【0017】本明細書における液晶パネルの保持率の測
定は、一対の電極間に保持される液晶層によって成る液
晶容量における電荷の経時変化を測定するものであっ
て、電荷の変動量自体を求めるものであっても良いし、
変動後の電荷を基準値と対比するものであってもかまわ
ない。また、電圧として読みとるものであっても、電流
として読みとるものであってもかまわない。
定は、一対の電極間に保持される液晶層によって成る液
晶容量における電荷の経時変化を測定するものであっ
て、電荷の変動量自体を求めるものであっても良いし、
変動後の電荷を基準値と対比するものであってもかまわ
ない。また、電圧として読みとるものであっても、電流
として読みとるものであってもかまわない。
【0018】また、液晶パネルの保持率の測定は、液晶
パネルを昇温させた状態で行うことが望ましい。液晶パ
ネルを昇温させるのは、昇温させることにより液晶層の
保持率は常温状態よりも低下するため、保持率の変化の
度合いを増幅して検出することができるためである。
パネルを昇温させた状態で行うことが望ましい。液晶パ
ネルを昇温させるのは、昇温させることにより液晶層の
保持率は常温状態よりも低下するため、保持率の変化の
度合いを増幅して検出することができるためである。
【0019】液晶パネルの昇温は、液晶材料が劣化しな
い程度に十分に高温であることが望ましく、好ましくは
50℃以上、更には70〜100℃の範囲内であること
が好ましい。
い程度に十分に高温であることが望ましく、好ましくは
50℃以上、更には70〜100℃の範囲内であること
が好ましい。
【0020】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施例の液晶
表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。
この液晶表示装置(1) は、図1に示すように、対角1
0.4インチサイズの表示領域(3) を含み、図2に示す
ようにアレイ基板(100) と対向基板(300) との間にツイ
スト・ネマチック型の液晶材料を主体とした液晶層(20
0) が配向膜(211),(213) を介して5ミクロンの間隙で
略90゜ねじれて保持されて成る液晶セル(5) 、液晶セ
ル(5) 外表面に貼り付けられた一対の偏向板(221),(22
3) 、液晶セル(5) に電気的に接続されるX−TAB(T
ape Automated Bonding)(11)、各X−TAB(11)同士
を接続するX−PCB(21)、液晶セル(5) に電気的に接
続されるY−TAB(31)、各Y−TAB(31)同士を接続
するY−PCB(41)を含む。
表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。
この液晶表示装置(1) は、図1に示すように、対角1
0.4インチサイズの表示領域(3) を含み、図2に示す
ようにアレイ基板(100) と対向基板(300) との間にツイ
スト・ネマチック型の液晶材料を主体とした液晶層(20
0) が配向膜(211),(213) を介して5ミクロンの間隙で
略90゜ねじれて保持されて成る液晶セル(5) 、液晶セ
ル(5) 外表面に貼り付けられた一対の偏向板(221),(22
3) 、液晶セル(5) に電気的に接続されるX−TAB(T
ape Automated Bonding)(11)、各X−TAB(11)同士
を接続するX−PCB(21)、液晶セル(5) に電気的に接
続されるY−TAB(31)、各Y−TAB(31)同士を接続
するY−PCB(41)を含む。
【0021】アレイ基板(100) は、ガラスから成る透明
基板(101) 上に640×3本の信号線(111) と480本
の走査線(113) とが互いに直交するように配置され(図
3参照)、その交点部分にはa−Si:H膜からなる半
導体膜(123) を含むTFT(151) が配置されて構成され
ている。このTFT(151) のゲート電極(115) は走査線
(1113)と一体に形成され、ドレイン電極(131) は信号線
(111) と一体に形成されている。そして、ITOから成
る画素電極(161) が配置され、TFT(151) にソース電
極(133) を介して電気的に接続されている。また、この
アレイ基板(100) は、走査線(113) と略平行な補助容量
線(117) を含み、この補助容量線(117)と画素電極(161)
との間で絶縁膜(121) を介して補助容量(Cs)が形
成されて成る。
基板(101) 上に640×3本の信号線(111) と480本
の走査線(113) とが互いに直交するように配置され(図
3参照)、その交点部分にはa−Si:H膜からなる半
導体膜(123) を含むTFT(151) が配置されて構成され
ている。このTFT(151) のゲート電極(115) は走査線
(1113)と一体に形成され、ドレイン電極(131) は信号線
(111) と一体に形成されている。そして、ITOから成
る画素電極(161) が配置され、TFT(151) にソース電
極(133) を介して電気的に接続されている。また、この
アレイ基板(100) は、走査線(113) と略平行な補助容量
線(117) を含み、この補助容量線(117)と画素電極(161)
との間で絶縁膜(121) を介して補助容量(Cs)が形
成されて成る。
【0022】対向基板(300) は、ガラスからなる透明基
板(301) 上に、マトリクス状の遮光膜(311) 、ITOか
ら成る対向電極(331) が形成されて構成されている。ま
た、カラー表示を実現するために、対向基板(300) はカ
ラーフィルタ層(321) を含む。
板(301) 上に、マトリクス状の遮光膜(311) 、ITOか
ら成る対向電極(331) が形成されて構成されている。ま
た、カラー表示を実現するために、対向基板(300) はカ
ラーフィルタ層(321) を含む。
【0023】ところで、このような液晶表示装置(1)
は、次のようにして製造される。まず、配向膜(211),(2
13) が配されたアレイ基板(100) と対向基板(300) と
を、図示しないがシール材を介して、ここでは5ミクロ
ンの間隙で対向配置し、注入孔から液晶材料を注入し、
エポキシ樹脂等で封止し、液晶パネル(5) を完成させ
る。
は、次のようにして製造される。まず、配向膜(211),(2
13) が配されたアレイ基板(100) と対向基板(300) と
を、図示しないがシール材を介して、ここでは5ミクロ
ンの間隙で対向配置し、注入孔から液晶材料を注入し、
エポキシ樹脂等で封止し、液晶パネル(5) を完成させ
る。
【0024】このようにして作成される同一ロットの液
晶パネル(5) から、例えば100個の液晶パネル(5) か
ら1つの液晶パネル(5) を無作為に抽出する。そして、
図3に示す保持率測定装置(500) により保持率を測定
し、規定範囲内であれば後工程へ、規定範囲外であれ
ば、対応する1ロット分の液晶パネル(5)を工程中から
除去する。
晶パネル(5) から、例えば100個の液晶パネル(5) か
ら1つの液晶パネル(5) を無作為に抽出する。そして、
図3に示す保持率測定装置(500) により保持率を測定
し、規定範囲内であれば後工程へ、規定範囲外であれ
ば、対応する1ロット分の液晶パネル(5)を工程中から
除去する。
【0025】保持率測定装置(500) は、図示しないが、
液晶パネル(5) を昇温するヒータを備えたステージと、
液晶パネル(5) の信号線(111) 及び走査線(113) 、更に
補助容量線(171) 、対向電極(331) のそれぞれに対応す
る給電パッドP(Xi),P(Yj),P(CS),P
(COM)に所望の信号を供給するプローブ(511),(51
3),(515),(517) を含む。
液晶パネル(5) を昇温するヒータを備えたステージと、
液晶パネル(5) の信号線(111) 及び走査線(113) 、更に
補助容量線(171) 、対向電極(331) のそれぞれに対応す
る給電パッドP(Xi),P(Yj),P(CS),P
(COM)に所望の信号を供給するプローブ(511),(51
3),(515),(517) を含む。
【0026】また、この保持率測定装置(500) は、走査
線(Yj)に対応する任意のプローブ(513) に液晶パネ
ル(5) のTFT(151) を選択する走査パルス(Vg)の
出力が可能なY−選択出力回路(521) 、信号線(Xi)
に対応する任意のプローブ(511) に所定の電圧を出力す
ると共に、信号線(Xi)に対応する任意のプローブ(5
11) から電荷を抽出するX−書き込み/読み出し回路(5
31) 、X−書き込み/読み出し回路(531) から抽出され
る電荷を検出する検出回路(541) 、更にY−選択出力回
路(521) 及びX−書き込み/読み出し回路(531) を制御
する制御回路(551) とを含む。X−書き込み/読み出し
回路(531) は、制御回路(551) からの制御信号に基づい
て所定の信号線(Xi)に対応するプローブ(511) に所
定の電圧を出力する第1選択回路(533) 、制御回路(55
1) からの制御信号に基づいて所定の信号線(Xi)に
対応するプローブ(511) から電荷を抽出するように切り
替えスイッチ(557) を制御する第2選択回路(535) を含
む。
線(Yj)に対応する任意のプローブ(513) に液晶パネ
ル(5) のTFT(151) を選択する走査パルス(Vg)の
出力が可能なY−選択出力回路(521) 、信号線(Xi)
に対応する任意のプローブ(511) に所定の電圧を出力す
ると共に、信号線(Xi)に対応する任意のプローブ(5
11) から電荷を抽出するX−書き込み/読み出し回路(5
31) 、X−書き込み/読み出し回路(531) から抽出され
る電荷を検出する検出回路(541) 、更にY−選択出力回
路(521) 及びX−書き込み/読み出し回路(531) を制御
する制御回路(551) とを含む。X−書き込み/読み出し
回路(531) は、制御回路(551) からの制御信号に基づい
て所定の信号線(Xi)に対応するプローブ(511) に所
定の電圧を出力する第1選択回路(533) 、制御回路(55
1) からの制御信号に基づいて所定の信号線(Xi)に
対応するプローブ(511) から電荷を抽出するように切り
替えスイッチ(557) を制御する第2選択回路(535) を含
む。
【0027】また、この実施例では、X−書き込み/読
み出し回路(531) から抽出される電荷を検出する検出回
路(541) は、電荷を電圧として検出する電圧計(543) 、
電圧計(543) と並列に接続される保持容量(545) 、更に
制御回路(551) からの制御信号に基づいてX−書き込み
/読み出し回路(531) と電気的な接続制御を可能にする
制御スイッチ(547) とを含む。この実施例では、電荷を
電圧として検出するよう検出回路(541) を構成したが、
電流として検出するものであってもかまわない。
み出し回路(531) から抽出される電荷を検出する検出回
路(541) は、電荷を電圧として検出する電圧計(543) 、
電圧計(543) と並列に接続される保持容量(545) 、更に
制御回路(551) からの制御信号に基づいてX−書き込み
/読み出し回路(531) と電気的な接続制御を可能にする
制御スイッチ(547) とを含む。この実施例では、電荷を
電圧として検出するよう検出回路(541) を構成したが、
電流として検出するものであってもかまわない。
【0028】そして、このような保持率測定装置(500)
により、次のようにして保持率は測定される。まず、保
持率測定装置(500) のステージ上に配置された液晶パネ
ル(5) を、90℃に昇温する。しかる後、液晶パネル
(5) の信号線(111) 及び走査線(113) 、更に補助容量線
(171) 、対向電極(331) のそれぞれに対応する給電パッ
ドP(Xi),P(Yj),P(CS),P(COM)
にプローブ(511),(513),(515),(517) を当接する。
により、次のようにして保持率は測定される。まず、保
持率測定装置(500) のステージ上に配置された液晶パネ
ル(5) を、90℃に昇温する。しかる後、液晶パネル
(5) の信号線(111) 及び走査線(113) 、更に補助容量線
(171) 、対向電極(331) のそれぞれに対応する給電パッ
ドP(Xi),P(Yj),P(CS),P(COM)
にプローブ(511),(513),(515),(517) を当接する。
【0029】このような状態で、X−書き込み/読み出
し回路(531) から各信号線Xiに対応するプローブ(51
1) にグランド・レベルのリセット電圧を出力し、また
補助容量線(171) 、対向電極(331) に対応するプローブ
(515),(517) にもグランド・レベルのリセット電圧を出
力する。このような状態で、Y−選択出力回路(521) か
ら各走査線Yjに対応するプローブ(513) に走査パルス
(Vg)を出力し、各画素電極(161) と対向電極( 331)
との間の電位差、及び各画素電極(161) と補助容量線(1
71) との間の電位差をそれぞれ実質的に零にする。各走
査線Yjに対応するプローブ(513) への走査パルス(V
g)の出力は、順次に行っても良いし、また短時間で行
うのであれば一括して行ってもかまわない。
し回路(531) から各信号線Xiに対応するプローブ(51
1) にグランド・レベルのリセット電圧を出力し、また
補助容量線(171) 、対向電極(331) に対応するプローブ
(515),(517) にもグランド・レベルのリセット電圧を出
力する。このような状態で、Y−選択出力回路(521) か
ら各走査線Yjに対応するプローブ(513) に走査パルス
(Vg)を出力し、各画素電極(161) と対向電極( 331)
との間の電位差、及び各画素電極(161) と補助容量線(1
71) との間の電位差をそれぞれ実質的に零にする。各走
査線Yjに対応するプローブ(513) への走査パルス(V
g)の出力は、順次に行っても良いし、また短時間で行
うのであれば一括して行ってもかまわない。
【0030】しかる後に、例えば、信号線X1と走査線
Y1との交点の表示画素(X1,Y1)に所望の電荷を
印加する。詳しくは、X−書き込み/読み出し回路(53
1) から信号線X1に対応するプローブ(511) にのみ5
Vの保持電圧を出力し、このような状態でY−選択出力
回路(521) から走査線Y1に対応するプローブ(513) に
のみ走査パルス(Vg)を出力する。これにより、表示
画素(X1,Y1)に対応するTFT(151) はオン状態
となり画素電極(161) には5Vの保持電圧が書き込ま
れ、対向電極(331) と画素電極(161) との間には5Vの
電位差が生じる。
Y1との交点の表示画素(X1,Y1)に所望の電荷を
印加する。詳しくは、X−書き込み/読み出し回路(53
1) から信号線X1に対応するプローブ(511) にのみ5
Vの保持電圧を出力し、このような状態でY−選択出力
回路(521) から走査線Y1に対応するプローブ(513) に
のみ走査パルス(Vg)を出力する。これにより、表示
画素(X1,Y1)に対応するTFT(151) はオン状態
となり画素電極(161) には5Vの保持電圧が書き込ま
れ、対向電極(331) と画素電極(161) との間には5Vの
電位差が生じる。
【0031】そして、TFT(151) をオフさせ、放置さ
せた後、第2選択回路(535) により信号線X1に対応す
るプローブ(511) からのみ電荷が抽出されるよう切り替
えスイッチ(557) を制御すると共に、このような状態で
Y−選択出力回路(521) から走査線Y1に対応するプロ
ーブ(513) にのみ走査パルス(Vg)を出力する。
せた後、第2選択回路(535) により信号線X1に対応す
るプローブ(511) からのみ電荷が抽出されるよう切り替
えスイッチ(557) を制御すると共に、このような状態で
Y−選択出力回路(521) から走査線Y1に対応するプロ
ーブ(513) にのみ走査パルス(Vg)を出力する。
【0032】これにより、表示画素(X1,Y1)に対
応するTFT(151) はオン状態となり画素電極(161) に
保持される電荷が抽出される。このようにして抽出され
た電荷量を、切り替えスイッチ(557) に同期して制御ス
イッチ(547) を制御し、一端がグランド・レベルの保持
容量(545) の他端に導く。しかる後に、制御スイッチ(5
47) を開放し、電圧計(543) にて保持容量(545) に導か
れた電荷量を電圧として読み取る。
応するTFT(151) はオン状態となり画素電極(161) に
保持される電荷が抽出される。このようにして抽出され
た電荷量を、切り替えスイッチ(557) に同期して制御ス
イッチ(547) を制御し、一端がグランド・レベルの保持
容量(545) の他端に導く。しかる後に、制御スイッチ(5
47) を開放し、電圧計(543) にて保持容量(545) に導か
れた電荷量を電圧として読み取る。
【0033】そして、予め設定される基準値と、実際に
読みとられた電圧とを対比することで、保持率が正常か
否かを判定する。以上のようにして検査され、不良品と
判定された液晶パネル(5) を含むロットは排除され、ま
た良品と判定された液晶パネル(5) は、次工程に搬送さ
れ、図2に示すように偏向板(221),(223) が貼り付けら
れ、更に図1に示すようにX−TAB(11)、各X−TA
B(11)同士を接続するX−PCB(21)、Y−TAB(3
1)、各Y−TAB(31 ) 同士を接続するY−PCB(41)
がそれぞれ電気的に接続されて液晶表示装置(1) は製造
される。
読みとられた電圧とを対比することで、保持率が正常か
否かを判定する。以上のようにして検査され、不良品と
判定された液晶パネル(5) を含むロットは排除され、ま
た良品と判定された液晶パネル(5) は、次工程に搬送さ
れ、図2に示すように偏向板(221),(223) が貼り付けら
れ、更に図1に示すようにX−TAB(11)、各X−TA
B(11)同士を接続するX−PCB(21)、Y−TAB(3
1)、各Y−TAB(31 ) 同士を接続するY−PCB(41)
がそれぞれ電気的に接続されて液晶表示装置(1) は製造
される。
【0034】以上説明したように、この実施例の液晶表
示装置の製造方法によれば、従来の出画検査では検出が
困難であった液晶層中の不純物による不良モードが、製
造初期で検出可能となり、これにより不良因子を含む液
晶パネルの次工程への流れ込みが効果的に防止された。
示装置の製造方法によれば、従来の出画検査では検出が
困難であった液晶層中の不純物による不良モードが、製
造初期で検出可能となり、これにより不良因子を含む液
晶パネルの次工程への流れ込みが効果的に防止された。
【0035】保持率の測定は、全表示画素について行う
必要はなく、保持率が変動しやすい注入孔周辺の表示画
素やシール材周辺の表示画素を数点選択的に行うことが
できる。これにより、検査に長時間を要することもない
ので、生産性が損なわれることがない。また、近接する
表示画素から同時に検出するようにしても良い。
必要はなく、保持率が変動しやすい注入孔周辺の表示画
素やシール材周辺の表示画素を数点選択的に行うことが
できる。これにより、検査に長時間を要することもない
ので、生産性が損なわれることがない。また、近接する
表示画素から同時に検出するようにしても良い。
【0036】また、全表示画素について順次行うことに
より、断線や短絡等の検出も可能となる。しかも、この
実施例の液晶表示装置の製造法法によれば、液晶パネル
に偏向板を貼り付けるに先立ち検査することができるた
め、検査工程で偏向板に傷付けることもなく、また不良
液晶パネルに偏向板を貼り付けることもないので、製造
上、有益である。
より、断線や短絡等の検出も可能となる。しかも、この
実施例の液晶表示装置の製造法法によれば、液晶パネル
に偏向板を貼り付けるに先立ち検査することができるた
め、検査工程で偏向板に傷付けることもなく、また不良
液晶パネルに偏向板を貼り付けることもないので、製造
上、有益である。
【0037】この実施例では、一液晶パネルを無作為抽
出して検査したが、このように実際の液晶パネルを用い
るのではなく、例えば外形寸法等は他の液晶パネルと同
様であって、電極構造のみが異なる検査用基板を用い、
配向膜の形成、シール材の塗布や液晶材料の注入等は実
際の液晶パネルと同様にして作成された図4に示す検査
用パネル(700) を1ロット中に1つ配し、これを用いる
ものであってもかまわない。このようにすれば、品種毎
に図3に示す保持率測定装置(500) のプローブ等を変更
する必要がない。
出して検査したが、このように実際の液晶パネルを用い
るのではなく、例えば外形寸法等は他の液晶パネルと同
様であって、電極構造のみが異なる検査用基板を用い、
配向膜の形成、シール材の塗布や液晶材料の注入等は実
際の液晶パネルと同様にして作成された図4に示す検査
用パネル(700) を1ロット中に1つ配し、これを用いる
ものであってもかまわない。このようにすれば、品種毎
に図3に示す保持率測定装置(500) のプローブ等を変更
する必要がない。
【0038】また、この実施例で、非測定画素の電極間
の電位差を一度、実質的に零にした後に、測定画素の電
極間に電位差を持たせた。これは、測定画素が非測定画
素からの影響を十分に軽減し、正確な測定を可能にする
ためである。
の電位差を一度、実質的に零にした後に、測定画素の電
極間に電位差を持たせた。これは、測定画素が非測定画
素からの影響を十分に軽減し、正確な測定を可能にする
ためである。
【0039】上述した実施例では、各表示画素毎にTF
Tが配されて成るアクティブマトリクス型の液晶表示装
置を例に取り説明したが、TFTの他にもMIM(Meta
l Insulator Metal)等の2端子非線形素子を含むもの
であっても良いし、またストライプ状の電極を含む一対
の電極基板から成る単純マトリクス型の液晶表示装置で
あっても有効に作用する。
Tが配されて成るアクティブマトリクス型の液晶表示装
置を例に取り説明したが、TFTの他にもMIM(Meta
l Insulator Metal)等の2端子非線形素子を含むもの
であっても良いし、またストライプ状の電極を含む一対
の電極基板から成る単純マトリクス型の液晶表示装置で
あっても有効に作用する。
【0040】また、液晶材料としては、上述したツイス
ト・ネマチック型の液晶材料以外にも各種液晶材料に有
効であり、高分子ポリマー中に液晶材料が分散されて成
るポリマー分散型液晶や色素を含有するものであっても
かまわない。
ト・ネマチック型の液晶材料以外にも各種液晶材料に有
効であり、高分子ポリマー中に液晶材料が分散されて成
るポリマー分散型液晶や色素を含有するものであっても
かまわない。
【0041】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の液晶表示
装置の製造方法によれば、出画検査では検出不可能であ
った不良品を早期排除することが可能となり、これによ
り液晶表示装置の生産性を高めることができる。
装置の製造方法によれば、出画検査では検出不可能であ
った不良品を早期排除することが可能となり、これによ
り液晶表示装置の生産性を高めることができる。
【図1】図1は、この発明の一実施例により製造される
液晶表示装置の概略斜視図である。
液晶表示装置の概略斜視図である。
【図2】図2は、図1の液晶表示装置の概略断面図であ
る。
る。
【図3】図3は、この発明の一実施例で用いられる保持
率測定装置の概略構成図である。
率測定装置の概略構成図である。
【図4】図4は、この発明の他の実施例で用いられる検
査用パネルの概略構成図である。
査用パネルの概略構成図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 一対の電極間に液晶層が保持されて成る
表示画素を複数含む液晶パネルを作成するセル工程と、
前記液晶パネルに駆動回路部を電気的に接続するモジュ
ール工程とを含む液晶表示装置の製造方法において、 前記モジュール工程に先立ち、前記液晶パネルの保持率
を測定する保持率測定工程を含むことを特徴とした液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の保持率測定工程により測
定される前記液晶パネルが検査用の液晶パネルであるこ
とを特徴とした液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項3】 請求項2記載の液晶パネルが、互いに対
向する個別電極を含む液晶パネルであることを特徴とし
た液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項4】 請求項1記載の保持率測定工程が、前記
液晶パネルの少なくとも一表示画素を被測定画素として
対応する電極に所定の電荷を書き込む工程と、所定期間
の後に前記一表示画素の電荷を読み出す工程とを含むこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項5】 請求項4記載の保持率測定工程におい
て、前記一表示画素に電荷を書き込むに先立ち、少なく
とも他の前記表示画素を構成する電極間の電位差を実質
的に零と成す工程を含むことを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項6】 請求項1記載のモジュール工程が偏向板
を貼り付ける工程を含むことを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4569896A JPH09243979A (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4569896A JPH09243979A (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09243979A true JPH09243979A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12726606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4569896A Pending JPH09243979A (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09243979A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116416882A (zh) * | 2022-06-27 | 2023-07-11 | 住华科技股份有限公司 | 测试组件及其形成方法与测试方法 |
| US12259607B2 (en) | 2023-03-30 | 2025-03-25 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal apparatus and electronic device |
| US12306488B2 (en) | 2022-10-31 | 2025-05-20 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, electronic device, and diagnostic system for measuring state of liquid crystal panel |
| US12313922B2 (en) | 2023-03-30 | 2025-05-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal apparatus and electronic device |
| US12436435B2 (en) | 2023-03-29 | 2025-10-07 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal apparatus and electronic device |
| US12449684B2 (en) | 2021-09-30 | 2025-10-21 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, electronic apparatus, and physical property measurement method for liquid crystal layer |
-
1996
- 1996-03-04 JP JP4569896A patent/JPH09243979A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12449684B2 (en) | 2021-09-30 | 2025-10-21 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, electronic apparatus, and physical property measurement method for liquid crystal layer |
| CN116416882A (zh) * | 2022-06-27 | 2023-07-11 | 住华科技股份有限公司 | 测试组件及其形成方法与测试方法 |
| US12306488B2 (en) | 2022-10-31 | 2025-05-20 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, electronic device, and diagnostic system for measuring state of liquid crystal panel |
| US12436435B2 (en) | 2023-03-29 | 2025-10-07 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal apparatus and electronic device |
| US12259607B2 (en) | 2023-03-30 | 2025-03-25 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal apparatus and electronic device |
| US12313922B2 (en) | 2023-03-30 | 2025-05-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal apparatus and electronic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7388397B2 (en) | Testing method for array substrate | |
| US7622941B2 (en) | Liquid crystal display panel and testing and manufacturing methods thereof | |
| US6624857B1 (en) | Active-matrix-type liquid crystal display panel and method of inspecting the same | |
| US5473261A (en) | Inspection apparatus and method for display device | |
| US6590411B2 (en) | Image sticking measurement method for liquid crystal display device | |
| JP3888013B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| US6704084B2 (en) | Liquid-crystal display wherein a common potential is supplied to an alignment film | |
| KR100442305B1 (ko) | 어레이 기판 및 그 검사 방법 및 액정 표시 장치 | |
| KR100965585B1 (ko) | 액정 표시 장치와 이의 온도 감지 방법 | |
| JPH0416930A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
| TW523595B (en) | Matrix substrate, its inspection method and liquid crystal display device | |
| Kido | In‐process functional inspection technique for TFT‐LCD arrays | |
| JPH01102498A (ja) | アクティブマトリックス基板の試験方法 | |
| JPH07120694B2 (ja) | 液晶表示装置の検査装置及びその検査方法 | |
| JPH04346318A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US20070176623A1 (en) | Method and apparatus for testing a TFT array for a liquid crystal panel | |
| JP2774704B2 (ja) | アクティブマトリクス基板検査装置および方法 | |
| JP2004045763A (ja) | 液晶表示パネル検査方法及びその検査装置 | |
| JPH0778673B2 (ja) | マトリクス型画像表示装置用検査装置およびその短絡検査方法、短絡欠陥修正方法、点欠陥検査方法 | |
| JP2558755B2 (ja) | 液晶表示パネル用セグメントドライブic | |
| JP3183580B2 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法、並びに表示装置の検査方法 | |
| JP2002229056A (ja) | 表示装置用電極基板及びその検査方法 | |
| JP4566677B2 (ja) | 液晶パネル | |
| JP3309083B2 (ja) | 画素容量検査装置 | |
| JPH0328717B2 (ja) |