JPH09288813A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH09288813A JPH09288813A JP10029496A JP10029496A JPH09288813A JP H09288813 A JPH09288813 A JP H09288813A JP 10029496 A JP10029496 A JP 10029496A JP 10029496 A JP10029496 A JP 10029496A JP H09288813 A JPH09288813 A JP H09288813A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐久性に富む磁気記録媒体を提供することで
ある。 【解決手段】 支持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が設けら
れてなり、前記支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面近傍
においてＯ濃度が最も高い領域がある磁気記録媒体。
ある。 【解決手段】 支持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が設けら
れてなり、前記支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面近傍
においてＯ濃度が最も高い領域がある磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜
を有する磁気記録媒体に関する。
を有する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いこ
とから、高密度記録に適したものである。この種の金属
薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例え
ばＣｏ，Ｃｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などのＣｏを
主成分としたＣｏ系金属が用いられている。
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いこ
とから、高密度記録に適したものである。この種の金属
薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例え
ばＣｏ，Ｃｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などのＣｏを
主成分としたＣｏ系金属が用いられている。
【０００３】ところで、近年における磁気記録媒体と磁
気ヘッドとの間の相対速度は速くなる一方であり、磁性
膜の耐久性の要求は厳しくなって来た。この為、磁性膜
の表面に設ける保護膜に対する研究が押し進められ、ダ
イヤモンドライクカーボン膜などの保護膜が提案されて
いる。しかし、磁性膜の剥離に対する要求は高く、更な
る改善が求められた。
気ヘッドとの間の相対速度は速くなる一方であり、磁性
膜の耐久性の要求は厳しくなって来た。この為、磁性膜
の表面に設ける保護膜に対する研究が押し進められ、ダ
イヤモンドライクカーボン膜などの保護膜が提案されて
いる。しかし、磁性膜の剥離に対する要求は高く、更な
る改善が求められた。
【０００４】従って、本発明の課題は、耐久性に富む磁
気記録媒体を提供することである。
気記録媒体を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、支
持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなり、前記支
持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面近傍においてＯ濃度が
最も高い領域があることを特徴とする磁気記録媒体によ
って解決される。又、支持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が
設けられてなり、前記支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界
面近傍においてＯ濃度が５５〜６５ａｔ．％の領域があ
ることを特徴とする磁気記録媒体によって解決される。
持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなり、前記支
持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面近傍においてＯ濃度が
最も高い領域があることを特徴とする磁気記録媒体によ
って解決される。又、支持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が
設けられてなり、前記支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界
面近傍においてＯ濃度が５５〜６５ａｔ．％の領域があ
ることを特徴とする磁気記録媒体によって解決される。
【０００６】特に、支持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が設
けられてなり、前記支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面
近傍においてＯ濃度が最も高い領域があり、この領域に
おいてはＯ濃度が５５〜６５ａｔ．％であることを特徴
とする磁気記録媒体によって解決される。上記のように
構成させておくと、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜（ＣｏあるいはＣ
ｏ合金などのＣｏ系金属粒子の堆積時に、酸素などを供
給することによって構成された磁性膜）の支持体に対す
る結着性が向上し、剥離し難いものとなる。かつ、支持
体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面が明瞭なものとなり、ノ
イズが低減し、Ｃ／Ｎも向上する。
けられてなり、前記支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面
近傍においてＯ濃度が最も高い領域があり、この領域に
おいてはＯ濃度が５５〜６５ａｔ．％であることを特徴
とする磁気記録媒体によって解決される。上記のように
構成させておくと、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜（ＣｏあるいはＣ
ｏ合金などのＣｏ系金属粒子の堆積時に、酸素などを供
給することによって構成された磁性膜）の支持体に対す
る結着性が向上し、剥離し難いものとなる。かつ、支持
体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面が明瞭なものとなり、ノ
イズが低減し、Ｃ／Ｎも向上する。
【０００７】又、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面近傍において
Ｏ濃度が３０〜４０ａｔ．％（特に、３２〜３５ａｔ．
％）の領域があるものが好ましい。すなわち、Ｃｏ−Ｏ
系磁性膜の表面におけるＯ濃度が低いよりも高い方が、
つまり磁性膜の表面酸化がある程度なされている方が、
耐蝕性や耐久性の観点から好ましい。又、Ｃｏ−Ｏ系磁
性膜の中層部においてＯ濃度が３５〜４５ａｔ．％（特
に、３８〜４２ａｔ．％）の領域があるものが好まし
い。これにより、磁気分離が効果的になされ、ノイズが
減少し、Ｃ／Ｎが向上する。
Ｏ濃度が３０〜４０ａｔ．％（特に、３２〜３５ａｔ．
％）の領域があるものが好ましい。すなわち、Ｃｏ−Ｏ
系磁性膜の表面におけるＯ濃度が低いよりも高い方が、
つまり磁性膜の表面酸化がある程度なされている方が、
耐蝕性や耐久性の観点から好ましい。又、Ｃｏ−Ｏ系磁
性膜の中層部においてＯ濃度が３５〜４５ａｔ．％（特
に、３８〜４２ａｔ．％）の領域があるものが好まし
い。これにより、磁気分離が効果的になされ、ノイズが
減少し、Ｃ／Ｎが向上する。
【０００８】従って、本発明のＣｏ−Ｏ系磁性膜は、そ
のＯ濃度分布が略Ｗ形状（一番下のピーク点におけるＯ
濃度が最も高い。表面部と中層部とのピーク点における
Ｏ濃度はどちらが高くても良いが、好ましくは中層部の
ピーク点におけるＯ濃度が高いのが好ましい。従って、
表面部のピーク点におけるＯ濃度をＯ3 、中層部のピー
ク点におけるＯ濃度をＯ2 、支持体との界面部のピーク
点におけるＯ濃度をＯ 1 とすると、Ｏ1 ＞Ｏ2 ＞Ｏ3 で
あるのが好ましい。）であるものが好ましい。
のＯ濃度分布が略Ｗ形状（一番下のピーク点におけるＯ
濃度が最も高い。表面部と中層部とのピーク点における
Ｏ濃度はどちらが高くても良いが、好ましくは中層部の
ピーク点におけるＯ濃度が高いのが好ましい。従って、
表面部のピーク点におけるＯ濃度をＯ3 、中層部のピー
ク点におけるＯ濃度をＯ2 、支持体との界面部のピーク
点におけるＯ濃度をＯ 1 とすると、Ｏ1 ＞Ｏ2 ＞Ｏ3 で
あるのが好ましい。）であるものが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、支持体
上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなり、前記支持体
とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面近傍においてＯ濃度が最も
高い領域がある。又、支持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が
設けられてなり、前記支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界
面近傍においてＯ濃度が５５〜６５ａｔ．％の領域があ
る。特に、支持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が設けられて
なり、前記支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面近傍にお
いてＯ濃度が最も高い領域があり、この領域においては
Ｏ濃度が５５〜６５ａｔ．％（特に、５７〜６１ａｔ．
％）である。又、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面近傍において
Ｏ濃度が３０〜４０ａｔ．％（特に、３２〜３５ａｔ．
％）の領域がある。又、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の中層部にお
いてＯ濃度が３５〜４５ａｔ．％（特に、３８〜４２ａ
ｔ．％）の領域がある。特に、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜のＯ濃
度分布は略Ｗ形状であり、表面部のピーク点におけるＯ
濃度をＯ3、中層部のピーク点におけるＯ濃度をＯ2 、
支持体との界面部のピーク点におけるＯ濃度をＯ1 とす
ると、Ｏ1 ＞Ｏ2 ＞Ｏ3 である。
上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなり、前記支持体
とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面近傍においてＯ濃度が最も
高い領域がある。又、支持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が
設けられてなり、前記支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界
面近傍においてＯ濃度が５５〜６５ａｔ．％の領域があ
る。特に、支持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が設けられて
なり、前記支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面近傍にお
いてＯ濃度が最も高い領域があり、この領域においては
Ｏ濃度が５５〜６５ａｔ．％（特に、５７〜６１ａｔ．
％）である。又、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面近傍において
Ｏ濃度が３０〜４０ａｔ．％（特に、３２〜３５ａｔ．
％）の領域がある。又、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の中層部にお
いてＯ濃度が３５〜４５ａｔ．％（特に、３８〜４２ａ
ｔ．％）の領域がある。特に、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜のＯ濃
度分布は略Ｗ形状であり、表面部のピーク点におけるＯ
濃度をＯ3、中層部のピーク点におけるＯ濃度をＯ2 、
支持体との界面部のピーク点におけるＯ濃度をＯ1 とす
ると、Ｏ1 ＞Ｏ2 ＞Ｏ3 である。
【００１０】尚、支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面近
傍とは、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面より該Ｃｏ−Ｏ系磁性
膜の厚さの７５％の深さの位置から該Ｃｏ−Ｏ系磁性膜
の厚さの１００％の深さまでの部分のことを意味し、Ｃ
ｏ−Ｏ系磁性膜の表面近傍とは、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表
面（最表面位置）から該Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の厚さの１９
％の深さまでの部分のことを意味し、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜
の中層部とは、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面より該Ｃｏ−Ｏ
系磁性膜の厚さの２０％の深さの位置から該Ｃｏ−Ｏ系
磁性膜の厚さの７４％の深さまでの部分のことを意味す
る。
傍とは、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面より該Ｃｏ−Ｏ系磁性
膜の厚さの７５％の深さの位置から該Ｃｏ−Ｏ系磁性膜
の厚さの１００％の深さまでの部分のことを意味し、Ｃ
ｏ−Ｏ系磁性膜の表面近傍とは、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表
面（最表面位置）から該Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の厚さの１９
％の深さまでの部分のことを意味し、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜
の中層部とは、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面より該Ｃｏ−Ｏ
系磁性膜の厚さの２０％の深さの位置から該Ｃｏ−Ｏ系
磁性膜の厚さの７４％の深さまでの部分のことを意味す
る。
【００１１】本発明の磁気記録媒体は、支持体上に、例
えば斜め蒸着法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を
製造する方法であって、斜め蒸着工程を複数回に分けて
行い、各斜め蒸着工程における酸素の供給を制御するこ
とによって得られる。図１に、本発明で用いる斜め蒸着
装置を示す。図１中、１は支持体、２ａは支持体１の供
給側ロール、２ｂは支持体１の巻取側ロール、３ａ，３
ｂはキャンロール、４ａ，４ｂは遮蔽板、５ａ，５ｂは
ルツボ、６はＣｏ系金属、７ａ，７ｂは電子銃、８ａ，
８ｂ，８ｃは酸素ガス供給ノズル、９は真空槽である。
尚、本装置においては、斜め蒸着が続けて複数回行われ
るようにしているが、一つの装置で繰り返して行うよう
にしても良い。但し、このような場合においても、酸素
ガスの供給については注意する。
えば斜め蒸着法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を
製造する方法であって、斜め蒸着工程を複数回に分けて
行い、各斜め蒸着工程における酸素の供給を制御するこ
とによって得られる。図１に、本発明で用いる斜め蒸着
装置を示す。図１中、１は支持体、２ａは支持体１の供
給側ロール、２ｂは支持体１の巻取側ロール、３ａ，３
ｂはキャンロール、４ａ，４ｂは遮蔽板、５ａ，５ｂは
ルツボ、６はＣｏ系金属、７ａ，７ｂは電子銃、８ａ，
８ｂ，８ｃは酸素ガス供給ノズル、９は真空槽である。
尚、本装置においては、斜め蒸着が続けて複数回行われ
るようにしているが、一つの装置で繰り返して行うよう
にしても良い。但し、このような場合においても、酸素
ガスの供給については注意する。
【００１２】すなわち、真空度が２×１０-5〜２×１０
-6Ｔｏｒｒ程度に排気された真空雰囲気下において、供
給側ロール２ａから繰り出された支持体１はキャンロー
ル３ａの位置にてルツボ５ａからのＣｏ系金属粒子が斜
め蒸着する。尚、電子銃７ａの出力は８〜２０ｋｗ程度
であり、ルツボ５ａからのＣｏ系金属粒子の蒸発速度は
電子銃の出力によって制御されている。これにより、Ｃ
ｏ系金属磁性膜が形成される。この斜め蒸着に際して、
酸素ガスが酸素ガス供給ノズル８ａから斜め上方向けて
（最大入射角でＣｏ系金属粒子が斜め蒸着する方向に向
けて）供給され、かつ、酸素ガス供給ノズル８ｂからキ
ャンロール３ａの中心向けて、特にＣｏ系金属粒子が斜
め蒸着するのが開始する近傍においてキャンロール３ａ
の中心向けて供給される。酸素ガス供給ノズル８ｂから
の酸素は、活性度が高いように、加熱している。酸素ガ
ス供給ノズル８ａからの酸素ガス供給量は５０〜２００
ＳＣＣＭ、酸素ガス供給ノズル８ｂからの酸素ガス供給
量１０〜５０ＳＣＣＭである。つまり、このような手法
により、本発明が規定するような磁性膜が得られる。こ
の第一次斜め蒸着工程の後、第一次斜め蒸着工程で形成
された支持体１上のＣｏ−Ｏ系磁性膜上にルツボ５ｂか
らのＣｏ系金属粒子が斜め蒸着する。これにより、あた
かも二層状のＣｏ−Ｏ系磁性膜が形成される。この第二
次斜め蒸着に際しても、５０〜１５０ＳＣＣＭの割合で
酸素ガスが酸素ガス供給ノズル８ｃから斜め上方向けて
供給される。そして、この第二次斜め蒸着の後、支持体
１は巻取側ロール２ｂに巻き取られる。
-6Ｔｏｒｒ程度に排気された真空雰囲気下において、供
給側ロール２ａから繰り出された支持体１はキャンロー
ル３ａの位置にてルツボ５ａからのＣｏ系金属粒子が斜
め蒸着する。尚、電子銃７ａの出力は８〜２０ｋｗ程度
であり、ルツボ５ａからのＣｏ系金属粒子の蒸発速度は
電子銃の出力によって制御されている。これにより、Ｃ
ｏ系金属磁性膜が形成される。この斜め蒸着に際して、
酸素ガスが酸素ガス供給ノズル８ａから斜め上方向けて
（最大入射角でＣｏ系金属粒子が斜め蒸着する方向に向
けて）供給され、かつ、酸素ガス供給ノズル８ｂからキ
ャンロール３ａの中心向けて、特にＣｏ系金属粒子が斜
め蒸着するのが開始する近傍においてキャンロール３ａ
の中心向けて供給される。酸素ガス供給ノズル８ｂから
の酸素は、活性度が高いように、加熱している。酸素ガ
ス供給ノズル８ａからの酸素ガス供給量は５０〜２００
ＳＣＣＭ、酸素ガス供給ノズル８ｂからの酸素ガス供給
量１０〜５０ＳＣＣＭである。つまり、このような手法
により、本発明が規定するような磁性膜が得られる。こ
の第一次斜め蒸着工程の後、第一次斜め蒸着工程で形成
された支持体１上のＣｏ−Ｏ系磁性膜上にルツボ５ｂか
らのＣｏ系金属粒子が斜め蒸着する。これにより、あた
かも二層状のＣｏ−Ｏ系磁性膜が形成される。この第二
次斜め蒸着に際しても、５０〜１５０ＳＣＣＭの割合で
酸素ガスが酸素ガス供給ノズル８ｃから斜め上方向けて
供給される。そして、この第二次斜め蒸着の後、支持体
１は巻取側ロール２ｂに巻き取られる。
【００１３】このようにして得られた本発明になる磁気
記録媒体を図２に示す。図２中、１は支持体である。こ
の支持体１は非磁性のものである。例えば、ポリエチレ
ンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリ
イミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロ
ピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、
塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラスやセラ
ミック等の無機系材料、アルミニウム合金などの金属材
料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密着性を向
上させる為のアンダーコート層が必要に応じて設けられ
る。すなわち、乾式メッキで構成される磁性膜の密着性
を向上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度
なものとして走行性を改善する為、例えばＳｉＯ2等の
粒子を含有させた厚さが０．０１〜０．５μｍの塗膜を
設けることによってアンダーコート層が構成されてい
る。
記録媒体を図２に示す。図２中、１は支持体である。こ
の支持体１は非磁性のものである。例えば、ポリエチレ
ンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリ
イミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロ
ピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、
塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラスやセラ
ミック等の無機系材料、アルミニウム合金などの金属材
料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密着性を向
上させる為のアンダーコート層が必要に応じて設けられ
る。すなわち、乾式メッキで構成される磁性膜の密着性
を向上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度
なものとして走行性を改善する為、例えばＳｉＯ2等の
粒子を含有させた厚さが０．０１〜０．５μｍの塗膜を
設けることによってアンダーコート層が構成されてい
る。
【００１４】アンダーコート層の上には、図１に示した
斜め蒸着装置によってＣｏ−Ｏ系の金属薄膜型の磁性膜
１１（１１ａ，１１ｂ）が５００〜５０００Å、特に５
００〜２５００Å厚形成される。斜め蒸着の際の最小入
射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°〜７０°で
ある。尚、１１ａは第一次斜め蒸着工程で形成された下
層のＣｏ−Ｏ系磁性膜であり、その厚さは８００〜１５
００Åである。そして、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜１１ａの下層
部は酸素濃度が高い。１１ｂは第二次斜め蒸着工程で形
成された上層のＣｏ−Ｏ系磁性膜であり、その厚さは８
００〜１３００Åであり、第一次斜め蒸着工程で形成さ
れたＣｏ−Ｏ系磁性膜１１ａよりは薄い。そして、磁性
膜１１は上記した特徴を持つ。
斜め蒸着装置によってＣｏ−Ｏ系の金属薄膜型の磁性膜
１１（１１ａ，１１ｂ）が５００〜５０００Å、特に５
００〜２５００Å厚形成される。斜め蒸着の際の最小入
射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°〜７０°で
ある。尚、１１ａは第一次斜め蒸着工程で形成された下
層のＣｏ−Ｏ系磁性膜であり、その厚さは８００〜１５
００Åである。そして、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜１１ａの下層
部は酸素濃度が高い。１１ｂは第二次斜め蒸着工程で形
成された上層のＣｏ−Ｏ系磁性膜であり、その厚さは８
００〜１３００Åであり、第一次斜め蒸着工程で形成さ
れたＣｏ−Ｏ系磁性膜１１ａよりは薄い。そして、磁性
膜１１は上記した特徴を持つ。
【００１５】Ｃｏ−Ｏ系磁性膜１１の上には厚さが１０
〜２００Å程度の保護膜１２が設けられている。例え
ば、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト等のカ
ーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含珪素膜が設けら
れる。尚、ダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜
が好ましい。１３は潤滑剤層である。すなわち、炭化水
素系の潤滑剤やパーフルオロポリエーテル等のフッ素系
潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤を含有させた塗料を所定の
手段で塗布することにより、約２〜５０Å、好ましくは
約１０〜３０Å程度の厚さの潤滑剤層１３が設けられ
る。
〜２００Å程度の保護膜１２が設けられている。例え
ば、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト等のカ
ーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含珪素膜が設けら
れる。尚、ダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜
が好ましい。１３は潤滑剤層である。すなわち、炭化水
素系の潤滑剤やパーフルオロポリエーテル等のフッ素系
潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤を含有させた塗料を所定の
手段で塗布することにより、約２〜５０Å、好ましくは
約１０〜３０Å程度の厚さの潤滑剤層１３が設けられ
る。
【００１６】１４は、支持体１の他面に設けられたカー
ボンブラック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度
のバックコート層である。尚、バックコート層１４は、
例えばＡｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したも
のであっても良い。
ボンブラック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度
のバックコート層である。尚、バックコート層１４は、
例えばＡｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したも
のであっても良い。
【００１７】
【実施例１】図１に示す斜め蒸着装置に６μｍ厚のＰＥ
Ｔフィルム１を装着し、ＰＥＴフィルム１が３ｍ／ｍｉ
ｎの走行速度で走行させられている。真空槽９は２×１
０-6Ｔｏｒｒに排気されている。酸化マグネシウム製の
ルツボ５ａ，５ｂにはＣｏが入っており、出力１８ｋｗ
の電子銃７ａと出力１５ｋｗの電子銃７ｂによりＣｏは
蒸発させられ、ＰＥＴフィルム１にＣｏが蒸着させられ
る。
Ｔフィルム１を装着し、ＰＥＴフィルム１が３ｍ／ｍｉ
ｎの走行速度で走行させられている。真空槽９は２×１
０-6Ｔｏｒｒに排気されている。酸化マグネシウム製の
ルツボ５ａ，５ｂにはＣｏが入っており、出力１８ｋｗ
の電子銃７ａと出力１５ｋｗの電子銃７ｂによりＣｏは
蒸発させられ、ＰＥＴフィルム１にＣｏが蒸着させられ
る。
【００１８】キャンロール３ａは７０℃に、キャンロー
ル３ｂは２０℃に保持される。酸素ガス供給ノズル８ａ
からは１１０ＳＣＣＭの酸素が、酸素ガス供給ノズル８
ｂからは１６０℃に加熱した２０ＳＣＣＭの酸素が、酸
素ガス供給ノズル８ｃからは９０ＳＣＣＭの酸素が供給
される。第一次斜め蒸着工程における最小入射角は６０
°、第二次斜め蒸着工程における最小入射角は６０°で
ある。
ル３ｂは２０℃に保持される。酸素ガス供給ノズル８ａ
からは１１０ＳＣＣＭの酸素が、酸素ガス供給ノズル８
ｂからは１６０℃に加熱した２０ＳＣＣＭの酸素が、酸
素ガス供給ノズル８ｃからは９０ＳＣＣＭの酸素が供給
される。第一次斜め蒸着工程における最小入射角は６０
°、第二次斜め蒸着工程における最小入射角は６０°で
ある。
【００１９】第一次斜め蒸着工程で成膜された下層のＣ
ｏ−Ｏ系磁性膜１１ａは１２００Å、第二次斜め蒸着工
程で成膜された上層のＣｏ−Ｏ系磁性膜１１ｂは９００
Åである。Ｃｏ−Ｏ系磁性膜１１ｂの上にはＥＣＲ−Ｃ
ＶＤにより１００Å厚さのダイヤモンドライクカーボン
膜が設けられた。
ｏ−Ｏ系磁性膜１１ａは１２００Å、第二次斜め蒸着工
程で成膜された上層のＣｏ−Ｏ系磁性膜１１ｂは９００
Åである。Ｃｏ−Ｏ系磁性膜１１ｂの上にはＥＣＲ−Ｃ
ＶＤにより１００Å厚さのダイヤモンドライクカーボン
膜が設けられた。
【００２０】又、ＰＥＴフィルム１の反対側の面にはカ
ーボンブラック等を含有させた厚さが０．５μｍのバッ
クコート層が設けられた。又、ダイヤモンドライクカー
ボン膜の表面には潤滑剤が塗布された。上記磁気テープ
のオージェプロファイル（測定条件：電子銃；加速電圧
１０ｋＶ、エミッション電流１０ｎＡ、倍率２０００
倍、エッチング条件；エッチングガスはアルゴン、加速
電圧３ｋＶ、イオン電流３００ｎＡ、３０秒間毎にエッ
チング）を図３に示す。このＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージ
ェプロファイルにおいて、縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ
量（Ｃ量＋Ｃｏ量＋Ｏ量＝１００％。尚、最表面層は潤
滑剤成分からのＣが、又、支持体との界面側にあっては
支持体成分からのＣが認められるが、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜
の領域にあっては基本的にＣはないと考える。）を、横
軸にスパッタ時間をとると、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜上の潤滑
剤膜表面のスパッタ開始より５００秒の位置、スパッタ
開始より５０００秒の位置、及びスパッタ開始より１０
０００秒の位置において、Ｏ濃度分布にピークが認めら
れる。各ピーク点におけるＯ濃度、すなわちＯ3 は３２
ａｔ．％、Ｏ2 は３９ａｔ．％、Ｏ1 は６０ａｔ．％で
ある。これに対応する点でのＣｏ濃度、Ｃｏ3 は４８ａ
ｔ．％、Ｃｏ2 は６１ａｔ．％、Ｃｏ1 は３０ａｔ．％
である。
ーボンブラック等を含有させた厚さが０．５μｍのバッ
クコート層が設けられた。又、ダイヤモンドライクカー
ボン膜の表面には潤滑剤が塗布された。上記磁気テープ
のオージェプロファイル（測定条件：電子銃；加速電圧
１０ｋＶ、エミッション電流１０ｎＡ、倍率２０００
倍、エッチング条件；エッチングガスはアルゴン、加速
電圧３ｋＶ、イオン電流３００ｎＡ、３０秒間毎にエッ
チング）を図３に示す。このＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージ
ェプロファイルにおいて、縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ
量（Ｃ量＋Ｃｏ量＋Ｏ量＝１００％。尚、最表面層は潤
滑剤成分からのＣが、又、支持体との界面側にあっては
支持体成分からのＣが認められるが、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜
の領域にあっては基本的にＣはないと考える。）を、横
軸にスパッタ時間をとると、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜上の潤滑
剤膜表面のスパッタ開始より５００秒の位置、スパッタ
開始より５０００秒の位置、及びスパッタ開始より１０
０００秒の位置において、Ｏ濃度分布にピークが認めら
れる。各ピーク点におけるＯ濃度、すなわちＯ3 は３２
ａｔ．％、Ｏ2 は３９ａｔ．％、Ｏ1 は６０ａｔ．％で
ある。これに対応する点でのＣｏ濃度、Ｃｏ3 は４８ａ
ｔ．％、Ｃｏ2 は６１ａｔ．％、Ｃｏ1 は３０ａｔ．％
である。
【００２１】尚、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜と支持体（あるいは
ダイヤモンドライクカーボン膜）との界面は、オージェ
プロファイルにおいてＣｏ濃度とＣ濃度とが等しいポイ
ントを界面と考える。
ダイヤモンドライクカーボン膜）との界面は、オージェ
プロファイルにおいてＣｏ濃度とＣ濃度とが等しいポイ
ントを界面と考える。
【００２２】
【実施例２】酸素ガス供給ノズル８ｂから１４０℃に加
熱した２５ＳＣＣＭの酸素が供給された以外は実施例１
に準じて行い、図２に示されるタイプの磁気テープを得
た。上記磁気テープのオージェプロファイル（測定条
件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション電流１０
ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッチングガ
スはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３００ｎ
Ａ、３０秒間毎にエッチング）を図４に示す。このＣｏ
−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、縦軸に
Ｃ量、Ｃｏ量、及びＯ量（Ｃ量＋Ｃｏ量＋Ｏ量＝１００
％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、又、支持体
との界面側にあっては支持体成分からのＣが認められる
が、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては基本的にＣはな
いと考える。）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｃｏ
−Ｏ系磁性膜上の潤滑剤膜表面のスパッタ開始より５０
０秒の位置、スパッタ開始より５０００秒の位置、及び
スパッタ開始より９８００秒の位置において、Ｏ濃度分
布にピークが認められる。各ピーク点におけるＯ濃度、
すなわちＯ3 は３５ａｔ．％、Ｏ2 は３９ａｔ．％、Ｏ
1 は５９ａｔ．％である。これに対応する点でのＣｏ濃
度、Ｃｏ3 は４５ａｔ．％、Ｃｏ2 は６１ａｔ．％、Ｃ
ｏ1 は４１ａｔ．％である。
熱した２５ＳＣＣＭの酸素が供給された以外は実施例１
に準じて行い、図２に示されるタイプの磁気テープを得
た。上記磁気テープのオージェプロファイル（測定条
件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション電流１０
ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッチングガ
スはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３００ｎ
Ａ、３０秒間毎にエッチング）を図４に示す。このＣｏ
−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、縦軸に
Ｃ量、Ｃｏ量、及びＯ量（Ｃ量＋Ｃｏ量＋Ｏ量＝１００
％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、又、支持体
との界面側にあっては支持体成分からのＣが認められる
が、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては基本的にＣはな
いと考える。）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｃｏ
−Ｏ系磁性膜上の潤滑剤膜表面のスパッタ開始より５０
０秒の位置、スパッタ開始より５０００秒の位置、及び
スパッタ開始より９８００秒の位置において、Ｏ濃度分
布にピークが認められる。各ピーク点におけるＯ濃度、
すなわちＯ3 は３５ａｔ．％、Ｏ2 は３９ａｔ．％、Ｏ
1 は５９ａｔ．％である。これに対応する点でのＣｏ濃
度、Ｃｏ3 は４５ａｔ．％、Ｃｏ2 は６１ａｔ．％、Ｃ
ｏ1 は４１ａｔ．％である。
【００２３】
【実施例３】キャンロール３ａを７５℃に、キャンロー
ル３ｂを５０℃に保持し、酸素ガス供給ノズル８ａから
は１００ＳＣＣＭの酸素を、酸素ガス供給ノズル８ｂか
らは１８０℃に加熱した１５ＳＣＣＭの酸素を、酸素ガ
ス供給ノズル８ｃからは８０ＳＣＣＭの酸素を供給した
以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの
磁気テープを得た。
ル３ｂを５０℃に保持し、酸素ガス供給ノズル８ａから
は１００ＳＣＣＭの酸素を、酸素ガス供給ノズル８ｂか
らは１８０℃に加熱した１５ＳＣＣＭの酸素を、酸素ガ
ス供給ノズル８ｃからは８０ＳＣＣＭの酸素を供給した
以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの
磁気テープを得た。
【００２４】上記磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図５に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量（Ｃ量＋Ｃｏ量＋Ｏ量＝
１００％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、又、
支持体との界面側にあっては支持体成分からのＣが認め
られるが、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては基本的に
Ｃはないと考える。）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜上の潤滑剤膜表面のスパッタ開始
より５００秒の位置、スパッタ開始より４５００秒の位
置、及びスパッタ開始より９６００秒の位置において、
Ｏ濃度分布にピークが認められる。各ピーク点における
Ｏ濃度、すなわちＯ3 は３５ａｔ．％、Ｏ2 は４２ａ
ｔ．％、Ｏ1 は５７ａｔ．％である。これに対応する点
でのＣｏ濃度、Ｃｏ3 は４５ａｔ．％、Ｃｏ2 は５８ａ
ｔ．％、Ｃｏ1 は４３ａｔ．％である。
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図５に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量（Ｃ量＋Ｃｏ量＋Ｏ量＝
１００％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、又、
支持体との界面側にあっては支持体成分からのＣが認め
られるが、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては基本的に
Ｃはないと考える。）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜上の潤滑剤膜表面のスパッタ開始
より５００秒の位置、スパッタ開始より４５００秒の位
置、及びスパッタ開始より９６００秒の位置において、
Ｏ濃度分布にピークが認められる。各ピーク点における
Ｏ濃度、すなわちＯ3 は３５ａｔ．％、Ｏ2 は４２ａ
ｔ．％、Ｏ1 は５７ａｔ．％である。これに対応する点
でのＣｏ濃度、Ｃｏ3 は４５ａｔ．％、Ｃｏ2 は５８ａ
ｔ．％、Ｃｏ1 は４３ａｔ．％である。
【００２５】
【比較例１】電子銃７ａに出力１５ｋｗの電子銃を用
い、キャンロール３ａを２０℃に保持し、酸素ガス供給
ノズル８ｂからは酸素を供給せず、そしてＣｏ−Ｏ系磁
性膜１１ａ，１１ｂ共に厚さを９００Åとした以外は実
施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの磁気テー
プを得た。
い、キャンロール３ａを２０℃に保持し、酸素ガス供給
ノズル８ｂからは酸素を供給せず、そしてＣｏ−Ｏ系磁
性膜１１ａ，１１ｂ共に厚さを９００Åとした以外は実
施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの磁気テー
プを得た。
【００２６】上記磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図６に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量を、横軸にスパッタ時間
をとると、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜上の潤滑剤膜表面のスパッ
タ開始より５００秒の位置、スパッタ開始より４８００
秒の位置において、Ｏ濃度分布にピークが認められる。
各ピーク点におけるＯ濃度、すなわちＯ3 は３３ａｔ．
％、Ｏ2 は４０ａｔ．％である。これに対応する点での
Ｃｏ濃度、Ｃｏ3 は３４ａｔ．％、Ｃｏ2 は６０ａｔ．
％である。
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図６に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量を、横軸にスパッタ時間
をとると、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜上の潤滑剤膜表面のスパッ
タ開始より５００秒の位置、スパッタ開始より４８００
秒の位置において、Ｏ濃度分布にピークが認められる。
各ピーク点におけるＯ濃度、すなわちＯ3 は３３ａｔ．
％、Ｏ2 は４０ａｔ．％である。これに対応する点での
Ｃｏ濃度、Ｃｏ3 は３４ａｔ．％、Ｃｏ2 は６０ａｔ．
％である。
【００２７】
【比較例２】電子銃７ａに出力１７ｋｗの電子銃を用
い、電子銃７ｂに出力１６ｋｗの電子銃を用い、キャン
ロール３ａを５０℃に保持し、酸素ガス供給ノズル８ｂ
からは２０℃の酸素を３０ＳＣＣＭ供給し、そしてＣｏ
−Ｏ系磁性膜１１ａの厚さを１１５０Å、Ｃｏ−Ｏ系磁
性膜１１ｂの厚さを９５０Åとした以外は実施例１に準
じて行い、図２に示されるタイプの磁気テープを得た。
い、電子銃７ｂに出力１６ｋｗの電子銃を用い、キャン
ロール３ａを５０℃に保持し、酸素ガス供給ノズル８ｂ
からは２０℃の酸素を３０ＳＣＣＭ供給し、そしてＣｏ
−Ｏ系磁性膜１１ａの厚さを１１５０Å、Ｃｏ−Ｏ系磁
性膜１１ｂの厚さを９５０Åとした以外は実施例１に準
じて行い、図２に示されるタイプの磁気テープを得た。
【００２８】上記磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図７に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量を、横軸にスパッタ時間
をとると、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜上の潤滑剤膜表面のスパッ
タ開始より５００秒の位置、スパッタ開始より４８００
秒の位置、及びスパッタ開始より９８００秒の位置にお
いて、Ｏ濃度分布にピークが認められる。各ピーク点に
おけるＯ濃度、すなわちＯ3 は３５ａｔ．％、Ｏ2 は４
０ａｔ．％、Ｏ1 は３４ａｔ．％である。これに対応す
る点でのＣｏ濃度、Ｃｏ3 は４５ａｔ．％、Ｃｏ2 は６
０ａｔ．％、Ｃｏ1 は５２ａｔ．％である。
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図７に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量を、横軸にスパッタ時間
をとると、Ｃｏ−Ｏ系磁性膜上の潤滑剤膜表面のスパッ
タ開始より５００秒の位置、スパッタ開始より４８００
秒の位置、及びスパッタ開始より９８００秒の位置にお
いて、Ｏ濃度分布にピークが認められる。各ピーク点に
おけるＯ濃度、すなわちＯ3 は３５ａｔ．％、Ｏ2 は４
０ａｔ．％、Ｏ1 は３４ａｔ．％である。これに対応す
る点でのＣｏ濃度、Ｃｏ3 は４５ａｔ．％、Ｃｏ2 は６
０ａｔ．％、Ｃｏ1 は５２ａｔ．％である。
【００２９】
【比較例３】市販の磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図８に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始より７００秒の位置、スパッタ
開始より４６５０秒の位置において、Ｏ濃度分布にピー
クが認められる。各ピーク点におけるＯ濃度、すなわち
Ｏ3 は３３ａｔ．％、Ｏ2 は４０ａｔ．％である。これ
に対応する点でのＣｏ濃度、Ｃｏ3 は５７ａｔ．％、Ｃ
ｏ2 は６０ａｔ．％である。
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図８に示す。こ
のＣｏ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、
縦軸にＣ量、Ｃｏ量、及びＯ量を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始より７００秒の位置、スパッタ
開始より４６５０秒の位置において、Ｏ濃度分布にピー
クが認められる。各ピーク点におけるＯ濃度、すなわち
Ｏ3 は３３ａｔ．％、Ｏ2 は４０ａｔ．％である。これ
に対応する点でのＣｏ濃度、Ｃｏ3 は５７ａｔ．％、Ｃ
ｏ2 は６０ａｔ．％である。
【００３０】
【特性】上記各例の磁気テープについてのＣ／Ｎ、及び
磁性膜の耐剥離性（スクラッチテスト）を調べたので、
その結果を表−１に示す。 表−１ Ｃ／Ｎ（ｄＢ） 耐剥離性 １ＭＨｚ １０ＭＨｚ ２０ＭＨｚ （ｍＮ） 実施例１ ＋１．２ ＋１．９ ＋２．１ ２４．１ 実施例２ ＋０．８ ＋１．３ ＋１．８ ２３．９ 実施例３ ＋１．５ ＋２．１ ＋２．４ ２４．３ 比較例１ ＋０．３ ＋０．４ ＋０．６ １７．３ 比較例２ −０．６ −１．３ −１．５ １８．６ 比較例３ ０ ０ ０ １６．３ ＊Ｃ／Ｎは市販品の比較例３を基準（０ｄＢ）
磁性膜の耐剥離性（スクラッチテスト）を調べたので、
その結果を表−１に示す。 表−１ Ｃ／Ｎ（ｄＢ） 耐剥離性 １ＭＨｚ １０ＭＨｚ ２０ＭＨｚ （ｍＮ） 実施例１ ＋１．２ ＋１．９ ＋２．１ ２４．１ 実施例２ ＋０．８ ＋１．３ ＋１．８ ２３．９ 実施例３ ＋１．５ ＋２．１ ＋２．４ ２４．３ 比較例１ ＋０．３ ＋０．４ ＋０．６ １７．３ 比較例２ −０．６ −１．３ −１．５ １８．６ 比較例３ ０ ０ ０ １６．３ ＊Ｃ／Ｎは市販品の比較例３を基準（０ｄＢ）
【００３１】
【発明の効果】耐久性に富み、Ｃ／Ｎ特性に優れたもの
が得られる。
が得られる。
【図１】磁気記録媒体製造装置の概略図
【図２】磁気記録媒体の概略断面図
【図３】実施例１の磁気テープのオージェプロファイル
【図４】実施例２の磁気テープのオージェプロファイル
【図５】実施例３の磁気テープのオージェプロファイル
【図６】比較例１の磁気テープのオージェプロファイル
【図７】比較例２の磁気テープのオージェプロファイル
【図８】比較例３の磁気テープのオージェプロファイル
１ 支持体 １１ａ 下層のＣｏ−Ｏ系磁性膜 １１ｂ 上層のＣｏ−Ｏ系磁性膜 １２ 保護膜 １３ 潤滑剤層 １４ バックコート層
Claims (4)
- 【請求項１】 支持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が設けら
れてなり、 前記支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面近傍においてＯ
濃度が最も高い領域があることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 支持体上にＣｏ−Ｏ系の磁性膜が設けら
れてなり、 前記支持体とＣｏ−Ｏ系磁性膜との界面近傍においてＯ
濃度が５５〜６５ａｔ．％の領域があることを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項３】 Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の表面近傍においてＯ
濃度が３０〜４０ａｔ．％の領域があることを特徴とす
る請求項１又は請求項２の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 Ｃｏ−Ｏ系磁性膜の中層部においてＯ濃
度が３５〜４５ａｔ．％の領域があることを特徴とする
請求項１〜請求項３いずれかの磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10029496A JPH09288813A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10029496A JPH09288813A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09288813A true JPH09288813A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14270165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10029496A Pending JPH09288813A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09288813A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940676B1 (en) | 2000-06-07 | 2005-09-06 | Quantum Corporation | Triple push-pull optical tracking system |
| US6980390B2 (en) | 2003-02-05 | 2005-12-27 | Quantum Corporation | Magnetic media with embedded optical servo tracks |
| US7029726B1 (en) | 1999-07-27 | 2006-04-18 | Quantum Corporation | Method for forming a servo pattern on a magnetic tape |
| US7110210B2 (en) | 1998-03-24 | 2006-09-19 | Quantum Corporation | Multi-channel magnetic tape system having optical tracking servo |
| US7153366B1 (en) | 1998-03-24 | 2006-12-26 | Quantum Corporation | Systems and method for forming a servo pattern on a magnetic tape |
| US7187515B2 (en) | 2003-02-05 | 2007-03-06 | Quantum Corporation | Method and system for tracking magnetic media with embedded optical servo tracks |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP10029496A patent/JPH09288813A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7110210B2 (en) | 1998-03-24 | 2006-09-19 | Quantum Corporation | Multi-channel magnetic tape system having optical tracking servo |
| US7153366B1 (en) | 1998-03-24 | 2006-12-26 | Quantum Corporation | Systems and method for forming a servo pattern on a magnetic tape |
| US7029726B1 (en) | 1999-07-27 | 2006-04-18 | Quantum Corporation | Method for forming a servo pattern on a magnetic tape |
| US6940676B1 (en) | 2000-06-07 | 2005-09-06 | Quantum Corporation | Triple push-pull optical tracking system |
| US6980390B2 (en) | 2003-02-05 | 2005-12-27 | Quantum Corporation | Magnetic media with embedded optical servo tracks |
| US7187515B2 (en) | 2003-02-05 | 2007-03-06 | Quantum Corporation | Method and system for tracking magnetic media with embedded optical servo tracks |
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