JPH09245524A

JPH09245524A - 耐熱導電性樹脂組成物

Info

Publication number: JPH09245524A
Application number: JP8055060A
Authority: JP
Inventors: Tomohiro Kimura; 知弘木村; Katsuhisa Hagita; 勝久萩田; Kenji Nabeta; 健司鍋田
Original assignee: Denki Kagaku Kogyo KK
Current assignee: Denka Co Ltd
Priority date: 1996-03-12
Filing date: 1996-03-12
Publication date: 1997-09-19

Abstract

(57)【要約】【課題】耐熱性、成形性、導電性に優れ、半導体集積回
路装置との接触・摩擦時の摩耗によるカ−ボンブラック
等の脱離が原因となる半導体集積回路装置等の汚染が著
しく少なく、半導体集積回路装置収納用トレ−を加熱し
た際に生じるうねり現象が著しく改善され、更に繰り返
し使用に耐える耐衝撃性を有する耐熱導電性樹脂組成物
および該組成物よりなる半導体集積回路装置用包装材料
の開発。【解決手段】数平均分子量が６０００〜６００００のポ
リフェニレンエ−テル樹脂１０〜９８重量％及びスチレ
ン樹脂９０〜２重量％からなる樹脂（ａ）１００重量部
に対し、ポリオレフィン樹脂（ｂ）１〜６０重量部、補
強材（ｃ）１〜９０重量部、カ−ボンブラック（ｄ）５
〜１７５重量部、無機充填材（ｅ）０〜２００重量部か
らなる耐熱導電性樹脂組成物を用いることにより前述の
課題を解決することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性、導電性、成形
性および衝撃強度に優れ、加熱した際に生じるうねり現
象が低減され、更に低カーボン脱離性を有する耐熱導電
性樹脂組成物およびそれを用いた半導体集積回路装置用
包装材料に関するものである。

【０００２】

【従来技術】従来、半導体集積回路装置を収納、移送す
るために樹脂製のトレーが多く利用されている。これら
トレーには半導体集積回路装置の移送時のみに使用され
る一般トレー（常温トレー）と移送及び加熱用途に使用
される耐熱トレーの２種類があり、耐熱トレーには非常
に高い耐熱性が求められている。

【０００３】半導体集積回路装置を基板に実装する際
に、半導体集積回路装置は２６０℃前後のハンダ浴につ
けられるがこの際、半導体集積回路装置の封止材が吸湿
していると、高温のため封止材中の水分が気化、膨張し
て半導体集積回路装置が破壊することがある。そこでこ
のパッケージクラックを防止するために通常は半導体集
積回路装置は出荷前に封止材の乾燥目的で予備加熱さ
れ、防湿梱包後に出荷されている。しかし、出荷先で半
導体集積回路装置が長期間保管されたときなどは再度加
熱される場合も多い。加熱温度は一般に１２５℃〜１５
０℃程度であり、従来は予備加熱をする際半導体集積回
路装置を一般トレ−からアルミ製トレ−に乗せ替えてい
た。しかし、搬送用トレ−からアルミ製トレ−に乗せ替
える際に半導体集積回路装置のリ−ド部が変形したりア
ルミ製トレ−が重く扱いにくい事から搬送と加熱用途の
両方で使用可能な耐熱トレ−が求められている。

【０００４】予備加熱では半導体集積回路装置を登載し
た耐熱トレ−は、通常数十枚程度重ねられた状態でオ−
ブンに入れられ加熱されるが、１５〜２０分程度経過す
ると積み重ねられたトレ−の面内で温度分布が生じ、そ
の結果材料の膨張量に差が生じてトレ−がうねるという
現象が生じる問題点がある。これにより登載されている
半導体集積回路装置が定位置からずれたり、トレ−から
飛び出す等の不都合が生じる場合がある。

【０００５】又、これらトレーには半導体集積回路装置
を静電気放電による障害から守るために導電性が必要と
される。半導体集積回路装置収納用トレ−に使用される
材料には、一般トレ−の場合は、ポリスチレン樹脂、ポ
リ塩化ビニル樹脂等が、耐熱トレ−の場合は、変性ポリ
フェニレンエ−テル樹脂、ポリカ−ボネ−ト樹脂、ポリ
エ−テルサルフォン樹脂等がある。半導体集積回路装置
収納用トレ−には前述の様に導電性が必要とされるが、
材料として用いられている樹脂にはもともとその様な導
電性がないため、導電性を付与するために、金属粉、金
属繊維、ステンレス繊維、カ−ボンブラック、カ−ボン
繊維、帯電防止材等が添加される。しかし、金属粉、金
属繊維、ステンレス繊維等は、材料比重が大きく高価な
ため殆ど実用化されていない。また、カ−ボン繊維は高
価であり、帯電防止材は導電性能の低さとその持続性に
問題があるため金属粉、金属繊維、ステンレス繊維と同
様使用されるのは希である。従って、現在使用されてい
る導電性充填材はカ−ボンブラックがほとんどである。

【０００６】しかし、導電性充填材にカ−ボンブラック
を使用した場合導電性能、経済性の面では優れているも
のの、新たな問題が生じる。すなわち、移送などの際に
半導体集積回路装置がトレ−と摩擦しその結果トレ−か
らカ−ボンブラックが脱落し、半導体集積回路装置のリ
−ド部を汚染する問題である。そのためトレーの材料に
はトレーと半導体集積回路装置が移送時の振動でこすれ
あってもカーボンが剥離してこないこと、すなわちカー
ボンブラックの脱離性が低い事がとくに強く求められる
ようになっている。

【０００７】又、最近、衝撃強度に対する新たな要求が
耐熱トレーでは一段と厳しくなってきている。すなわち
産業廃棄物の処理問題、また経済性等の問題から半導体
集積回路装置収納用トレ−は、繰り返し使用されるケ−
スが増加してきている。これまでトレーは半導体集積回
路装置メ−カ−とアッセンブリメ−カ−との間を片道１
回で使用されていたが、最近では３、５回と繰り返し使
用されるようになっている。これに伴い耐熱トレ−が加
熱処理を受ける回数も増加してきており、多い場合は２
０回程度まで加熱処理されている。樹脂材料は、熱履歴
を受ける事で劣化するため当然加熱回数とともに強度も
低下していく。このため耐熱導電性樹脂には、移送時の
衝撃に耐えるために高い衝撃強度が要求されるようにな
ってきており、特開平７−２６８２０４では変性ポリフ
ェニレンエ−テル樹脂等において高衝撃強度材料の開発
が提案されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
点を解決するものであり、半導体集積回路装置収納用ト
レ−等の半導体集積回路装置収納用包装材料に要求され
る耐熱性、成形性、導電性の他、更に半導体集積回路装
置との接触・摩擦時の摩耗によるカ−ボンブラック等の
脱離が原因となる半導体集積回路装置等の汚染を著しく
低減し、また、半導体集積回路装置収納用トレ−を加熱
した際に生じるうねり現象を著しく改善し、更に繰り返
し使用に耐える耐衝撃性を有する耐熱導電性樹脂組成物
および該組成物よりなる半導体集積回路装置用包装材料
に関するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は数平
均分子量が６０００〜６００００のポリフェニレンエ−
テル樹脂１０〜９８重量％及びスチレン樹脂９０〜２重
量％からなる樹脂（ａ）１００重量部に対し、ポリオレ
フィン樹脂（ｂ）１〜６０重量部、補強材（ｃ）１〜９
０重量部、カ−ボンブラック（ｄ）５〜１７５重量部、
無機充填材（ｅ）０〜２００重量部からなる耐熱導電性
樹脂組成物および該組成物よりなる半導体集積回路装置
用包装材料である。尚、（ａ）１００重量部に対し、
（ｂ）１〜５０重量部、成分（ｃ）がスチレンおよび共
役ジエンより製造されるブロック共重合体でありその添
加量が１〜１５重量部、（ｄ）１０〜７０重量部、
（ｅ）１５〜６０重量部の範囲では、更に低いカーボン
剥離性を持ち、又、成形された半導体集積回路装置様包
装材料において、加熱時のうねり現象を著しく低減でき
る耐熱導電性樹脂組成物および該材料よりなる半導体集
積回路装置包装様材料をうることができる。

【００１０】本発明の成分（ａ）で使用されるポリフェ
ニレンエ−テル樹脂とは、化学式（Ｉ）に記載する構造
単位を一個以上含有するホモポリマ−及びコポリマ−で
あり

【化１】、これらのブレンド物であってもよい。上式においてｎ
は５以上の整数であり、Ｒ１〜４は、それぞれ単独に水
素、ハロゲン、炭化水素基、ハロ炭化水素オキシ基等か
ら選択された物である。これらの構造単位の代表例は、
２，６ジメチル−１，４−フェニレンエ−テル、２，６
ジエチル−１，４−フェニレンエ−テル、２−メチル−
６−エチル−１，４−フェニレンエ−テル、２，６−ジ
フェニル−１，４−フェニレンエ−テル等である。

【００１１】さらに本発明の成分（ａ）で使用されるポ
リフェニレンエ−テル樹脂は、その数平均分子量が６０
００〜６００００の物であり、好ましくは１００００〜
２００００である。数平均分子量が６０００未満である
と衝撃強度特性が著しく低下し、数平均分子量が６００
００を超えると成形性が低下する。

【００１２】本発明の成分（ａ）に使用されるポリスチ
レン樹脂とは、ゴム例えばブタジエンポリマ−またはゴ
ム類似のスチレン／ブタジエンポリマ−の存在下または
不在下でのスチレンの重合により製造された強化または
非強化したスチレンのホモポリマ−いわゆるハイインパ
クトポリスチレン（耐衝撃ポリスチレン）の呼称で代表
されるブタジエングラフトポリスチレン、ＧＰポリスチ
レン（スチレン単独重合体）、ポリ−αメチルスチレ
ン、シンジオタクチックポリスチレンである。本発明の
成分（ａ）は、ポリフェニレンエ−テル樹脂１０〜９８
重量％に対して、スチレン系重合体を９０〜２重量％の
割合で用いる。成分（ａ）においてスチレン樹脂の割合
が、２重量％未満では射出成形性が著しく低下し、９０
重量％を超えると半導体集積回路装置収納用トレ−に対
して加熱温度に耐えうる耐熱性を付与する事が困難にな
る。従って、ポリフェニレンエ−テル重合体１０〜９８
重量％に対して、スチレン系重合体が９０〜２重量％の
割合で含有する事が望ましく、特に好ましくは、ポリフ
ェニレンエ−テル４０〜９０重量％に対して、スチレン
系重合体６０〜１０重量％である。

【００１３】本発明の成分（ｂ）のポリオレフィン樹脂
とは、エチレン及びプロピレンのホモポリマ−またはコ
ポリマ−である。例えば低圧、中圧、高圧法により製造
された密度０．９１〜０．９７ｇ／ｃｍ³を有するポリ
エチレンまたはエチレンと、例えばビニルエステル、例
えば酢酸ビニル、またはプロピオン酸ビニル、アクリレ
−トまたはプロピレンとのコポリマ−等である。成分
（ｂ）の添加量は成分（ａ）１００重量部に対して１〜
６０重量部とくに好ましくは１〜５０重量部である。１
重量部未満であると十分な衝撃強度、及び十分なカーボ
ンブラック剥離防止効果を得ることが困難であり、６０
重量部を越えると半導体集積回路装置の予備加熱温度に
耐えうる耐熱性を維持する事が困難になる。

【００１４】成分（ｃ）の補強材とは、エチレン−アク
リル酸エステル共重合体、オレフィン系グラフト共重合
体、Ａ−Ｂ−Ａ’型ブロック共重合体、スチレンおよび
共役ジエンにより製造されるブロック共重合体であり、
これらの内からすくなくとも１種類が使用される。これ
らの樹脂を添加することにより、該材料及び該材料から
なる成形品に対し、度重なる熱履歴に耐えうる十分な衝
撃強度を付与することができる。添加量は合計で１〜９
０重量部であるが、有利には１〜１５重量部で特に高い
衝撃強度、耐熱性及び低いカーボン脱離性が得られる。
添加量が１重量部未満では、高い衝撃強度、低いカーボ
ン脱離性を得ることが困難であり、９０重量部を越える
と半導体集積回路装置の予備乾燥温度に耐えうる耐熱性
を維持することが困難となる。

【００１５】エチレン−アクリル酸エステル共重合体と
しては特にアクリル酸エステル基の化学構造に制限はな
いがエチレン−アクリル酸エチル共重合体が好ましく、
その中でも特にアクリル酸エチルの含有率が８０％以下
の共重合体が望ましい。オレフィン系グラフト共重合体
としては、例えば、ポリオレフィン系樹脂またはポリオ
レフィン系共重合体、更に詳しくは、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体等にスチレンモノマ−及び他の
スチレン系モノマ−をグラフト共重合したものであり、
ポリオレフィン系エラストマ−中のスチレン含量が５重
量％〜４０重量％のものがよい。Ａ−Ｂ−Ａ’型ブロッ
ク共重合体とは、式中のＡ及びＡ’はビニル芳香族系炭
化水素共重合体ブロックであり、同一であっても異種で
あってもよく、代表的には、スチレン、α−メチルスチ
レン等の重合体があげられ、式中Ｂは、共役ジエン重合
体を水素添加した炭化水素ブロックであり、ブタジエ
ン、イソプレン等の重合体を水素添加した構造が挙げら
れる。このＡ−Ｂ−Ａ’型ブロック共重合体の分子量に
制限は無いが、好ましくは２００００〜１０００００で
あり、特に好ましくは６００００〜９００００である。
Ａ−Ｂ−Ａ’型ブロック共重合体の構成成分の組成比、
及び水素添加率については、特に制限は無いが本発明の
目的では、ビニル芳香族系炭化水素の組成比が１０〜４
０重量％の範囲にあり、共役ジエン重合体の水素添加率
が８０重量％以上であることが望ましい。スチレンおよ
び共役ジエンより製造されるブロック共重合体とはスチ
レンとブタジエンのブロックコポリマ−、スチレンとイ
ソプレンのブロックコポリマ−であり、例えばその構造
がＡ−Ｂ−Ａ（ＡはスチレンのＢはブタジエンまたはイ
ソプレンのブロックを示す）、Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ、Ｂ−Ａ
−Ｂ−Ａ−ＢまたはＡ−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ａでスチレン含有
量が１０〜５０重量％もの、あるいは米特許第３２８１
３８３号に記載されている星型に分岐した構造でスチレ
ン含有量が５０〜９０重量％のものも使用できる。これ
らの内から、異なった構造のものを一種類以上使うこと
もできる。

【００１６】成分（ｄ）に使用されるカ−ボンブラック
は、粒子径が１０μｍ〜３００μｍ、ＤＢＰ吸油量が３
０ｃｃ／１００ｇ〜５００ｃｃ／１００ｇ、比表面積
は、窒素吸着法または気相吸着法などで２０ｍ²／ｇ〜
１８００ｍ²／ｇであるものが好ましい。これらに該当
するカ−ボンブラクとしては、ファ−ネス式、チャンネ
ル式、アセチレン式カ−ボンブラックがあげられ、コス
ト、用途等により自由に選択する事ができる。カ−ボン
ブラックの添加量は、その種類などにより異なるが成分
（ａ）１００重量部に対して５〜１７５重量部であり、
好ましくは、１０〜７０重量部である。カ−ボンブラッ
クの添加量が５重量部未満では、材料に対して十分な導
電性を付与する事が困難であり、１７５重量部を超える
と衝撃強度の低下、成形性の低下を引き起こす。

【００１７】本発明で使用する成分（ｅ）は、一般的に
用いられている無機充填材であり、タルク、マイカ、シ
リカ、クレ−、炭酸カルシウム、酸化チタン、ガラス等
があげられる。形状的には、球状、繊維状、板状、針状
等様々であり、どの形状でも良いが強度低下の少ない針
状、繊維状物が好ましい。添加量としては、成分（ａ）
１００重量部に対して０〜２００重量部であり、好まし
くは１５〜６０重量部である。無機充填材を添加すると
加熱時のうねり現象を大幅に防止することができるが、
２００重量部を超えると強度及び成形性が著しく低下す
る。

【００１８】加工助剤として成分（ａ）、（ｂ）または
（ｃ）に従来使用されている添加剤すなわち酸化防止
剤、滑剤、含量などを必要に応じて添加する事ができ
る。

【００１９】以上の原料を用いて耐熱導電性樹脂組成物
を製造する場合、各原料を一緒にまたは別々に加える事
ができる。例えば、カ−ボンブラック以外の樹脂、添加
材、助材をヘンシェルミキサ−、タンブラ−等の混合機
で撹はん後、リボンブレンダ−、タンブラ−等でカ−ボ
ンブラックと併せて混合することができる。或いはポリ
スチレン樹脂、成分（ｂ）および成分（ｃ）よりなる市
販の樹脂を用いそれにポリフェニレンエーテル樹脂、成
分（ｄ）および（ｅ）を加えてもよい。混合物は、同方
向或いは異方向に回転する二軸スクリュー押出機にて、
溶融混練する。溶融混練した材料をストランドダイスに
通してペレットの形状にする。一般的に混練温度は、２
５０℃〜３５０℃であり、スクリュー回転数は１００か
ら３００ｒｐｍが目安である。

【００２０】上記方法により製造された耐熱導電性樹脂
組成物は、射出成形機を用いて先に述べた半導体集積回
路装置の搬送／予備加熱兼用のトレー及び電気電子機器
部品の様な静電気防止対策が必要な機器などのきょう体
に成形される。一般的な成形条件は、成形温度２８０℃
〜３５０℃、金型温度７０℃〜１４０℃程度であり、射
出速度／圧力は成形品の容量により適宜調整できる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例を示し説明する。実施
例、比較例に使用した原料を表１に示す。原料の一つと
してポリスチレン、ポリエチレン、スチレンとブタジエ
ンのブロックコポリマーを含む市販の樹脂、具体的には
ＢＡＳＦ社の商品名Styroblend KR-2776を使用したが社
内の分析ではその組成はポリスチレン４５重量％、ポリ
エチレン４５重量％、スチレンとブタジエンのブロック
コポリマーが１０重量％であった。表２に実施例の配合
組成を、表３に比較例の配合組成を示す。更に表４に実
施例、表５に比較例の物性評価結果を示す。実施例、比
較例で用いた組成物は、樹脂、添加材全てをタンブラ−
ミキサ−に投入、撹拌、混合した物を同方向回転の二軸
押出機にて、約３００℃の温度にて混練して得た材料を
使用した。

【００２２】

【表１】

【００２３】

【表２】

【００２４】

【表３】

【００２５】

【表４】

【００２６】

【表５】

【００２７】評価項目は、表面抵抗（社内法）、ＩＺＯ
Ｄ衝撃強度（JIS-K-7110）、ＨＤＴ（JIS-K-7207）、Ｍ
ＦＩ（JIS-K-7210）、摩擦時のカーボンブラック脱離性
（社内法）、加熱時うねりの有無（社内法）あるいは１
３５℃荷重たわみ量（社内法）である。

【００２８】（物性評価方法）１．表面抵抗試験片は、１２０×１２０×２ｔ（ｍｍ）の平板状の射
出成形品であり、試験片面上の９箇所に間隔が１ｃｍに
なるよう５×１０（ｍｍ）の面積に銀系導電塗料を塗布
して銀電極を作成する。試験片中９箇所の抵抗値の平均
を表面抵抗とする。測定機：HIOKI 3119 DIGITAL MΩ HI TESTER ２．荷重たわみ量試験片は１／４インチ棒を使用する。ＨＤＴ測定機のオ
イル温度を予め１３５℃にしておき、そこに試験片をセ
ットした後、９０分後のたわみ量を測定する。測定値が
０．１ｍｍ以下であると、試験温度に対して耐性があ
る。３．カ−ボン脱離性試験片形状は、１の表面抵抗値測定用サンプルに同じ。
プレ−ト上に半導体集積回路装置を置き約５０万回振動
（振幅）させる。振幅後に半導体集積回路装置のリ−ド
ピンの拡大写真をとり、カーボンブラックの脱離状況を
確認する。４．うねり評価射出成形機にて半導体集積回路装置用収納トレ−（315.
9×135.9×7.6mmt）を成形し、それを２０枚重ねた状態
で１２５℃に達したオ−ブンに入れた際のうねり現象の
有無を確認した。

【００２９】実施例１〜４及び９〜１１では請求範囲内
で補強材の種類と量を変化させたとき高い衝撃強度と１
３５℃荷重たわみ量が０．１mm以下と小さくしたがって
良好な耐熱性であること、およびいずれもカーボン脱離
性に問題ない事をしめしている。

【００３０】実施例５では、請求範囲内で各成分の量を
変化させても高衝撃強度が維持できる事を示している。
実施例６では、スチレン樹脂に市販のハイインパクトポ
リスチレンを併用した場合、実施例７〜８では、カ−ボ
ンブラック種を変化させても同様に良好な物性を示して
いる。

【００３１】それに対して、比較例１の様にポリオレフ
ィン樹脂の量を請求範囲より多くした場合、又、比較例
２の様にＰＰＥ／ＰＳ比率が請求範囲を下回る場合のど
ちらにおいても耐熱性が不足することを示している。

【００３２】比較例３〜５では、ポリオレフィン樹脂を
添加しなかったところカーボン脱離性が維持出来ない事
を示している。

【００３３】比較例６〜８では補強材の量が多いと耐熱
性が維持できない事を示している。

【００３４】比較例９、１０では、使用するカ−ボンブ
ラックの添加量が明細書の記載範囲外では、導電性、あ
るいは衝撃強度の面で問題がでる事を示している。

【００３５】比較例１１ではポリフェニレンエーテル樹
脂の分子量が５０００と低いものを使用したが、十分な
導電性および衝撃強度を得ることができなかった。

【００３６】比較例１２では逆に分子量が６４０００と
高いものを用いたがＭＦＩが著しく低くなってしまっ
た。

【００３７】実施例１２〜２０はいずれも請求項３の範
囲にはいる組成であるがいずれもカーボンの脱離が少な
くかつまたうねりの少ないことがわかる。実施例１２、
１３では、ポリフェニレンエーテル樹脂とポリスチレン
樹脂の比率を変化させている。実施例１３、１４、１
６、１７、１８では、主に充填材の量と種類を変化させ
ている。実施例１５、１９では、補強材としてＥＥＡ、
ＳＥＢＳを併用添加しているがカーボン脱離性、うねり
現象防止を維持しつつ衝撃強度が著しく向上している。
実施例２０ではポリエチレン樹脂を配合成分に使用した
が、同一組成の実施例１５と物性の差は殆どみられなか
った。

【００３８】比較例１３ではカーボンブラックの添加量
を３重量部としたが表面抵抗値が不足している。

【００３９】比較例１４、１５はポリオレフィンを添加
しなかったもの、大量添加したものであるが、比較例１
４ではカーボン脱離効果がなく、比較例１５ではカーボ
ン脱離効果があるものの材料の耐熱性が低下している。

【００４０】比較例１６は充填材を大量添加した物であ
るがうねり現象は防止されるが衝撃強度が著しく減少す
る。

【００４１】比較例１７ではポリオレフィン樹脂、充填
材を共に添加しなかった物である。この場合、カーボン
カーボンブラック脱離防止効果、うねり防止効果は共に
得る事は出来ない。

【００４２】

【発明の効果】以上のようにポリフェニレンエ−テル樹
脂およびスチレン系樹脂よりなる変成ポリフェニレンエ
ーテル樹脂にポリオレフィン樹脂及び補強材を添加する
ことにより、従来の耐熱導電性樹脂組成物及びその成形
品に比較して、熱履歴に十分耐えうる衝撃強度、高温荷
重下での材料変形防止性及び低カーボン脱離性を付与す
ることが出来、さらに無機充填材を添加することにより
成形品加熱時のうねり防止性を付与することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ０８Ｌ 71/12 ＬＱＰ 0333−3ＥＢ６５Ｄ 85/38 Ｓ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】数平均分子量が６０００〜６００００の
ポリフェニレンエ−テル樹脂１０〜９８重量％及びポリ
スチレン樹脂９０〜２重量％からなる樹脂（ａ）１００
重量部に対し、ポリオレフィン樹脂（ｂ）１〜６０重量
部、補強材（ｃ）１〜９０重量部、カ−ボンブラック
（ｄ）５〜１７５重量部、無機充填材（ｅ）０〜２００
重量部からなる耐熱導電性樹脂組成物。
【請求項２】請求項１に記載の組成物からなる半導体
集積回路装置用包装材料。
【請求項３】（ａ）１００重量部に対し、（ｂ）１〜
５０重量部、成分（ｃ）がスチレンおよび共役ジエンよ
り製造されるブロック共重合体でありその添加量が１〜
１５重量部、（ｄ）１０〜７０重量部、（ｅ）１５〜６
０重量部からなる請求項１の耐熱導電性樹脂組成物。
【請求項４】請求項３に記載の組成物からなる半導体
集積回路装置用包装材料。