JPH09246106A - 固体コンデンサ及びその導電性機能高分子膜の形成方法 - Google Patents
固体コンデンサ及びその導電性機能高分子膜の形成方法Info
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- JPH09246106A JPH09246106A JP7839396A JP7839396A JPH09246106A JP H09246106 A JPH09246106 A JP H09246106A JP 7839396 A JP7839396 A JP 7839396A JP 7839396 A JP7839396 A JP 7839396A JP H09246106 A JPH09246106 A JP H09246106A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルミニウム陽極酸化皮膜の膜厚が厚くなっ
ても、電解酸化重合反応が容易に進行する固体コンデン
サの導電性機能高分子膜の形成方法及びこの方法で形成
された導電性機能高分子膜を有する固体コンデンサを提
供すること。 【解決手段】 粗面化したアルミニウム箔１の表面に化
成化処理により、陽極酸化皮膜２を形成した後、該アル
ミニウム箔を１〜５ｗｔ・％（重量％）硼酸水溶液中に
浸漬・洗浄し、しかる後該陽極酸化皮膜上にγ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン又はオクタデシルト
リエトキシシランのシラン薄膜層４を形成し、しかる後
ピロールとアンモニウムボロ・ジサリシレート又は、ド
デシルベンゼンスルホン酸を含むアセトニトリル溶液中
で、電界酸化重合により、該陽極酸化皮膜２上に導電性
機能高分子膜層５を形成する。
ても、電解酸化重合反応が容易に進行する固体コンデン
サの導電性機能高分子膜の形成方法及びこの方法で形成
された導電性機能高分子膜を有する固体コンデンサを提
供すること。 【解決手段】 粗面化したアルミニウム箔１の表面に化
成化処理により、陽極酸化皮膜２を形成した後、該アル
ミニウム箔を１〜５ｗｔ・％（重量％）硼酸水溶液中に
浸漬・洗浄し、しかる後該陽極酸化皮膜上にγ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン又はオクタデシルト
リエトキシシランのシラン薄膜層４を形成し、しかる後
ピロールとアンモニウムボロ・ジサリシレート又は、ド
デシルベンゼンスルホン酸を含むアセトニトリル溶液中
で、電界酸化重合により、該陽極酸化皮膜２上に導電性
機能高分子膜層５を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明はアルミニウム箔の
表面に形成した陽極酸化皮膜上に導電性機能高分子膜を
形成し、該導電性機能高分子を電解質とする固体電界コ
ンデンサ及びその導電性機能高分子膜の形成方法に関す
るものである。
表面に形成した陽極酸化皮膜上に導電性機能高分子膜を
形成し、該導電性機能高分子を電解質とする固体電界コ
ンデンサ及びその導電性機能高分子膜の形成方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム箔の表面に形成した陽極酸
化皮膜上に導電性機能高分子膜を形成し、該導電性機能
高分子を電解質とする固体電界コンデンサは、従来の電
解コンデンサに使用されている電解質（駆動用電解液や
二酸化マンガン等）に比較して、比抵抗値が非常に小さ
いため、低インピーダンス・低等価直列抵抗値を有する
固体コンデンサとして知られている。
化皮膜上に導電性機能高分子膜を形成し、該導電性機能
高分子を電解質とする固体電界コンデンサは、従来の電
解コンデンサに使用されている電解質（駆動用電解液や
二酸化マンガン等）に比較して、比抵抗値が非常に小さ
いため、低インピーダンス・低等価直列抵抗値を有する
固体コンデンサとして知られている。
【０００３】従来、上記固体コンデンサにおいて、陽極
酸化皮膜上に形成した導電性機能高分子膜を形成する方
法として、化学酸化重合による方法と、電界酸化重合に
よる方法の２種類が提案されている。
酸化皮膜上に形成した導電性機能高分子膜を形成する方
法として、化学酸化重合による方法と、電界酸化重合に
よる方法の２種類が提案されている。
【０００４】上記アルミニウム陽極酸化皮膜上に導電性
機能高分子膜層を形成する上記２種類の方法のうち、電
界酸化重合による方法が有効であるが、アルミニウム陽
極酸化皮膜上に導電性機能高分子膜層を形成する電解酸
化重合液組成としては、例えば、アセトニトリル溶媒中
に、ピロールを溶解させ、電解質として、ホウ素化合物
（アンモニウムボロジ・サリシレート、ボロジ・クエン
酸等）又は、硫黄化合物（ドデシルベンゼンスルホン
酸、テトラエチルアンモニウムパラトルエンスルホン酸
等）を溶解させたものが、最も有効である。
機能高分子膜層を形成する上記２種類の方法のうち、電
界酸化重合による方法が有効であるが、アルミニウム陽
極酸化皮膜上に導電性機能高分子膜層を形成する電解酸
化重合液組成としては、例えば、アセトニトリル溶媒中
に、ピロールを溶解させ、電解質として、ホウ素化合物
（アンモニウムボロジ・サリシレート、ボロジ・クエン
酸等）又は、硫黄化合物（ドデシルベンゼンスルホン
酸、テトラエチルアンモニウムパラトルエンスルホン酸
等）を溶解させたものが、最も有効である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記電界
酸化重合液組成を用い導電性機能高分子膜層を形成した
場合でも、固体コンデンサの定格電圧が高くなると、漏
れ電流値が大きくなってしまうという欠点がある。この
欠点はアルミニウム陽極酸化皮膜上と導電性機能高分子
との界面において、密着性が悪かったり、導電性機能高
分子の膜層に膜厚、密度、均一性等のバラツキ等が発生
するためと考えられる。かかる原因は、アルミニウム酸
化皮膜の膜厚が厚くなる程、電解酸化重合反応が困難に
なり、反応がスムーズに進行しないことによる。
酸化重合液組成を用い導電性機能高分子膜層を形成した
場合でも、固体コンデンサの定格電圧が高くなると、漏
れ電流値が大きくなってしまうという欠点がある。この
欠点はアルミニウム陽極酸化皮膜上と導電性機能高分子
との界面において、密着性が悪かったり、導電性機能高
分子の膜層に膜厚、密度、均一性等のバラツキ等が発生
するためと考えられる。かかる原因は、アルミニウム酸
化皮膜の膜厚が厚くなる程、電解酸化重合反応が困難に
なり、反応がスムーズに進行しないことによる。
【０００６】本願発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、アルミニウム陽極酸化皮膜の膜厚が厚くなっても、
電解酸化重合反応が容易に進行する固体コンデンサの導
電性機能高分子膜の形成方法及びこの方法で形成された
導電性機能高分子膜を有する固体コンデンサを提供する
ことを目的とする。
で、アルミニウム陽極酸化皮膜の膜厚が厚くなっても、
電解酸化重合反応が容易に進行する固体コンデンサの導
電性機能高分子膜の形成方法及びこの方法で形成された
導電性機能高分子膜を有する固体コンデンサを提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本願請求項１に記載の発明は、粗面化したアルミニウム
箔の表面に化成化処理により、陽極酸化皮膜を形成し、
該陽極酸化皮膜上にピロールとアンモニウムボロジ・サ
リシレート又は、ドデシルベンゼンスルホン酸を含むア
セトニトリル溶液中で、電界酸化重合により形成した導
電性機能高分子膜を電解質とする固体コンデンサにおい
て、アルミニウム箔の表面に形成した陽極酸化皮膜上
に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又は
オクタデシルトリエトキシシランのシラン薄膜層を形成
し、該シラン薄膜層の上に電解質となる導電性機能高分
子膜を形成したことを特徴とする。
本願請求項１に記載の発明は、粗面化したアルミニウム
箔の表面に化成化処理により、陽極酸化皮膜を形成し、
該陽極酸化皮膜上にピロールとアンモニウムボロジ・サ
リシレート又は、ドデシルベンゼンスルホン酸を含むア
セトニトリル溶液中で、電界酸化重合により形成した導
電性機能高分子膜を電解質とする固体コンデンサにおい
て、アルミニウム箔の表面に形成した陽極酸化皮膜上
に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又は
オクタデシルトリエトキシシランのシラン薄膜層を形成
し、該シラン薄膜層の上に電解質となる導電性機能高分
子膜を形成したことを特徴とする。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、粗面化し
たアルミニウム箔の表面に化成化処理により、陽極酸化
皮膜を形成した後、所定の部分を絶縁性材でマスキング
し、該マスキングが施されていない部分に、ピロールと
アンモニウムボロ・ジサリシレート又は、ドデシルベン
ゼンスルホン酸を含むアセトニトリル溶液中で、電界酸
化重合により、該陽極酸化皮膜上に導電性機能高分子膜
を形成する固体コンデンサの導電性機能高分子膜の形成
方法において、アルミニウム箔の表面に陽極酸化皮膜を
形成した後、該アルミニウム箔を１〜５ｗｔ・％（重量
％）硼酸水溶液中に浸漬・洗浄し、しかる後該陽極酸化
皮膜上にγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
又はオクタデシルトリエトキシシランのシラン薄膜層を
形成した後、該シラン薄膜層の上に前記導電性機能高分
子膜を形成したことを特徴とする。
たアルミニウム箔の表面に化成化処理により、陽極酸化
皮膜を形成した後、所定の部分を絶縁性材でマスキング
し、該マスキングが施されていない部分に、ピロールと
アンモニウムボロ・ジサリシレート又は、ドデシルベン
ゼンスルホン酸を含むアセトニトリル溶液中で、電界酸
化重合により、該陽極酸化皮膜上に導電性機能高分子膜
を形成する固体コンデンサの導電性機能高分子膜の形成
方法において、アルミニウム箔の表面に陽極酸化皮膜を
形成した後、該アルミニウム箔を１〜５ｗｔ・％（重量
％）硼酸水溶液中に浸漬・洗浄し、しかる後該陽極酸化
皮膜上にγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
又はオクタデシルトリエトキシシランのシラン薄膜層を
形成した後、該シラン薄膜層の上に前記導電性機能高分
子膜を形成したことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１は本願発明の固体コンデン
サの製造工程を示す図である。同図（ａ）に示すように
表面をエッチングして粗面化したアルミニウム箔１を用
意する。該アルミニウム箔１をホウ酸・ホウ酸アンモニ
ウム・リン酸アンモニウムの３成分を含む電解水溶液中
で、アルミニウム箔１に１００Ｖの電圧を印加し、その
表面に同図（ｂ）に示すようにアルミニウム陽極酸化皮
膜２を形成する。
面に基づいて説明する。図１は本願発明の固体コンデン
サの製造工程を示す図である。同図（ａ）に示すように
表面をエッチングして粗面化したアルミニウム箔１を用
意する。該アルミニウム箔１をホウ酸・ホウ酸アンモニ
ウム・リン酸アンモニウムの３成分を含む電解水溶液中
で、アルミニウム箔１に１００Ｖの電圧を印加し、その
表面に同図（ｂ）に示すようにアルミニウム陽極酸化皮
膜２を形成する。
【００１０】上記アルミニウム箔１のアルミニウム陽極
酸化皮膜２の所定の部分に絶縁性材３でマスキングを施
した後、該アルミニウム箔１を濃度１〜５ｗｔ・％（３
ｗｔ％が最適）で水温４０〜７０℃（６０℃が最適）の
硼酸水溶液中に３０秒〜５分間（１．５分が最適）浸漬
し、洗浄する。続いて０．５〜５ｗｔ％（１ｗｔ％が最
適）のγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又
はオクタデシルトリエトキシシランのアルコール溶液
（メタノール又はエタノール）中に１時間浸漬して例え
ば１０５℃で１０分間乾燥・硬化させて、同図（ｃ）に
示すようにアルミニウム陽極酸化皮膜２上にγ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン又はオクタデシルト
リエトキシシランのシラン薄膜層４を形成する。
酸化皮膜２の所定の部分に絶縁性材３でマスキングを施
した後、該アルミニウム箔１を濃度１〜５ｗｔ・％（３
ｗｔ％が最適）で水温４０〜７０℃（６０℃が最適）の
硼酸水溶液中に３０秒〜５分間（１．５分が最適）浸漬
し、洗浄する。続いて０．５〜５ｗｔ％（１ｗｔ％が最
適）のγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又
はオクタデシルトリエトキシシランのアルコール溶液
（メタノール又はエタノール）中に１時間浸漬して例え
ば１０５℃で１０分間乾燥・硬化させて、同図（ｃ）に
示すようにアルミニウム陽極酸化皮膜２上にγ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン又はオクタデシルト
リエトキシシランのシラン薄膜層４を形成する。
【００１１】続いて、同図（ｄ）に示すように、シラン
薄膜層４の上に電解酸化重合により導電性機能高分子膜
層５を形成する。この導電性機能高分子膜層５の形成
は、アセトニトリル溶媒中に、ピロールを溶解させ、電
解質として、ホウ素化合物（アンモニウムボロジ・サリ
シレート、ボロジ・クエン酸等）又は、硫黄化合物（ド
デシルベンゼンスルホン酸、テトラエチルアンモニウム
パラトルエンスルホン酸等）を溶解させた溶液中で、電
解酸化重合でなされる。
薄膜層４の上に電解酸化重合により導電性機能高分子膜
層５を形成する。この導電性機能高分子膜層５の形成
は、アセトニトリル溶媒中に、ピロールを溶解させ、電
解質として、ホウ素化合物（アンモニウムボロジ・サリ
シレート、ボロジ・クエン酸等）又は、硫黄化合物（ド
デシルベンゼンスルホン酸、テトラエチルアンモニウム
パラトルエンスルホン酸等）を溶解させた溶液中で、電
解酸化重合でなされる。
【００１２】続いて、上記導電性機能高分子膜層５の上
に公知の方法でグラファイト層６、銀ペースト層７を順
次形成して固体コンデンサ素子ができる。
に公知の方法でグラファイト層６、銀ペースト層７を順
次形成して固体コンデンサ素子ができる。
【００１３】上記のようにアルミニウム陽極酸化皮膜２
の表面を硼酸水溶液で浸漬・洗浄した後、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン又はオクタデシルトリ
エトキシシランのシラン薄膜層４を形成し、その上に導
電性機能高分子膜層５を形成する方法を採用することに
より、アルミニウム陽極酸化皮膜２の表面とシラン薄膜
層４が密着し、該シラン薄膜層４の上に容易に導電性機
能高分子膜層５が形成できる。
の表面を硼酸水溶液で浸漬・洗浄した後、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン又はオクタデシルトリ
エトキシシランのシラン薄膜層４を形成し、その上に導
電性機能高分子膜層５を形成する方法を採用することに
より、アルミニウム陽極酸化皮膜２の表面とシラン薄膜
層４が密着し、該シラン薄膜層４の上に容易に導電性機
能高分子膜層５が形成できる。
【００１４】表１にホウ酸・ホウ酸アンモニウム・リン
酸アンモニウムの３成分を含む電解水溶液中で１００Ｖ
のアルミニウム陽極酸化皮膜を形成したアルミニウム化
成箔上に導電性高分子膜層を形成した従来例と、該アル
ミニウム化成箔を硼酸水溶液で浸漬・洗浄した後、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又はオクタデ
シルトリエトキシシランのシラン薄膜層を形成し、該シ
ラン薄膜層上に導電性機能高分子膜層を形成した本実施
の形態例との導電性機能高分子の外観良品率の比較例を
示す。なお、導電性機能高分子膜層を形成する面積は２
０ｍｍ×２０ｍｍである。
酸アンモニウムの３成分を含む電解水溶液中で１００Ｖ
のアルミニウム陽極酸化皮膜を形成したアルミニウム化
成箔上に導電性高分子膜層を形成した従来例と、該アル
ミニウム化成箔を硼酸水溶液で浸漬・洗浄した後、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又はオクタデ
シルトリエトキシシランのシラン薄膜層を形成し、該シ
ラン薄膜層上に導電性機能高分子膜層を形成した本実施
の形態例との導電性機能高分子の外観良品率の比較例を
示す。なお、導電性機能高分子膜層を形成する面積は２
０ｍｍ×２０ｍｍである。
【００１５】
【表１】 上記表１に示すように、従来例に比較し、本実施の形態
例の方が導電性高分子膜層の外観良品率が大幅に向上し
ている。
例の方が導電性高分子膜層の外観良品率が大幅に向上し
ている。
【００１６】図２は図１（ｅ）に示す構成の本願発明の
固体コンデンサと、従来の固体コンデンサ｛図１（ｅ）
において薄膜層４の無いもの｝の漏れ電流値の比較例を
示す図である。図２から明らかなように、本願発明の固
体コンデンサは、従来例のコンデンサに比較し、漏れ電
流値が大幅に小さくなっている。なお、図２において、
試験に用いたコンデンサの数は本願発明、従来例とも各
１５個である。
固体コンデンサと、従来の固体コンデンサ｛図１（ｅ）
において薄膜層４の無いもの｝の漏れ電流値の比較例を
示す図である。図２から明らかなように、本願発明の固
体コンデンサは、従来例のコンデンサに比較し、漏れ電
流値が大幅に小さくなっている。なお、図２において、
試験に用いたコンデンサの数は本願発明、従来例とも各
１５個である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本願発明によれば下
記のような効果が得られる。 （１）請求項１に記載の発明によれば、陽極酸化皮膜上
に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又は
オクタデシルトリエトキシシランのシラン薄膜層を形成
し、該シラン薄膜層の上に導電性機能高分子膜を形成し
たので、漏れ電流の小さい固体コンデンサを提供でき
る。
記のような効果が得られる。 （１）請求項１に記載の発明によれば、陽極酸化皮膜上
に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又は
オクタデシルトリエトキシシランのシラン薄膜層を形成
し、該シラン薄膜層の上に導電性機能高分子膜を形成し
たので、漏れ電流の小さい固体コンデンサを提供でき
る。
【００１８】（２）請求項２に記載の発明によれば、陽
極酸化皮膜を形成した後、硼酸水溶液中に浸漬・洗浄
し、その後にγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン又はオクタデシルトリエトキシシランのシラン薄膜
層を形成し、しかる後該シラン薄膜層の上に導電性機能
高分子膜を形成することにより、陽極酸化皮膜表面と該
薄膜層とが密着し、該薄膜層上に欠陥の少ない導電性機
能高分子膜が形成できる。
極酸化皮膜を形成した後、硼酸水溶液中に浸漬・洗浄
し、その後にγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン又はオクタデシルトリエトキシシランのシラン薄膜
層を形成し、しかる後該シラン薄膜層の上に導電性機能
高分子膜を形成することにより、陽極酸化皮膜表面と該
薄膜層とが密着し、該薄膜層上に欠陥の少ない導電性機
能高分子膜が形成できる。
【図１】本願発明の固体コンデンサの製造工程を示す図
である。
である。
【図２】本願発明の固体コンデンサと従来の固体コンデ
ンサの漏れ電流値の比較例を示す図である。
ンサの漏れ電流値の比較例を示す図である。
１ アルミニウム箔 ２ アルミニウム陽極酸化皮膜 ３ 絶縁性材 ４ シランの薄膜層 ５ 導電性機能高分子膜層 ６ グラファイト層 ７ 銀ペースト層
Claims (2)
- 【請求項１】 粗面化したアルミニウム箔の表面に化成
化処理により、陽極酸化皮膜を形成し、該陽極酸化皮膜
上にピロールとアンモニウムボロ・ジサリシレート又
は、ドデシルベンゼンスルホン酸を含むアセトニトリル
溶液中で、電解酸化重合により形成した導電性機能高分
子膜を電解質とする固体コンデンサにおいて、 前記アルミニウム箔の表面に形成した陽極酸化皮膜上
に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又は
オクタデシルトリエトキシシランのシラン薄膜層を形成
し、該シラン薄膜層の上に前記電解質となる導電性機能
高分子膜を形成したことを特徴とする固体コンデンサ。 - 【請求項２】 粗面化したアルミニウム箔の表面に化成
化処理により、陽極酸化皮膜を形成した後、所定の部分
を絶縁性材でマスキングし、該マスキングが施されてい
ない部分に、ピロールとアンモニウムボロ・ジサリシレ
ート又は、ドデシルベンゼンスルホン酸を含むアセトニ
トリル溶液中で、電界酸化重合により、該陽極酸化皮膜
上に導電性機能高分子膜を形成する固体コンデンサの導
電性機能高分子膜の形成方法において、 前記アルミニウム箔の表面に陽極酸化皮膜を形成した
後、該アルミニウム箔を１〜５ｗｔ・％（重量％）硼酸
水溶液中に浸漬・洗浄し、しかる後該陽極酸化皮膜上に
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又はオク
タデシルトリエトキシシランのシラン薄膜層を形成し、
しかる後該シラン薄膜層の上に前記導電性機能高分子膜
を形成したことを特徴とする固体コンデンサの導電性機
能高分子膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7839396A JPH09246106A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 固体コンデンサ及びその導電性機能高分子膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7839396A JPH09246106A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 固体コンデンサ及びその導電性機能高分子膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246106A true JPH09246106A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13660778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7839396A Pending JPH09246106A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 固体コンデンサ及びその導電性機能高分子膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246106A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000019469A1 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Kemet Electronics Corporation | Process for improving leakage and dissipation factor of solid electrolytic capacitors employing conductive polymer cathodes |
| US20150085428A1 (en) * | 2012-06-26 | 2015-03-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
| CN108155016A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 一种降低铝电解电容器化成箔漏电流的化成处理方法 |
| CN115014866A (zh) * | 2022-07-05 | 2022-09-06 | 湖南理东科技有限公司 | 一种金属基针管及其制备方法和应用 |
| CN115831618A (zh) * | 2022-10-31 | 2023-03-21 | 新疆金泰新材料技术股份有限公司 | 一种五级磷酸盐化成工艺及其装置 |
-
1996
- 1996-03-05 JP JP7839396A patent/JPH09246106A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000019469A1 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Kemet Electronics Corporation | Process for improving leakage and dissipation factor of solid electrolytic capacitors employing conductive polymer cathodes |
| US6191013B1 (en) | 1998-09-30 | 2001-02-20 | Kemet Electronics Corporation | Process for improving leakage and dissipation factor of solid electrolytic capacitors employing conductive polymer cathodes |
| GB2360129A (en) * | 1998-09-30 | 2001-09-12 | Kemet Electronics Corp | Process for improving leakage and dissipation factor of solid electrolytic capacitors employing conductive polymer cathodes |
| US20150085428A1 (en) * | 2012-06-26 | 2015-03-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
| US9653215B2 (en) * | 2012-06-26 | 2017-05-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid electrolyte capacitor including multiple silane coupling layers provided on a dielectric layer and method for manufacturing the same |
| CN108155016A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 一种降低铝电解电容器化成箔漏电流的化成处理方法 |
| CN115014866A (zh) * | 2022-07-05 | 2022-09-06 | 湖南理东科技有限公司 | 一种金属基针管及其制备方法和应用 |
| CN115831618A (zh) * | 2022-10-31 | 2023-03-21 | 新疆金泰新材料技术股份有限公司 | 一种五级磷酸盐化成工艺及其装置 |
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