JPH09254543A - 光記録媒体 - Google Patents
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 2種類の波長で再生できる追記可能な光記録
媒体を提供する。 【解決手段】 有機色素を含有する記録層が次の(イ)
〜(ニ)の条件を満たす光記録媒体。 (イ)第1の記録再生波長λ1(760nm〜800n
m)よりも50nm〜70nm短波長側に吸収極大B1
を有すること。 (ロ)λ1±5nmでの吸光度が、B1での吸光度の10
%以下であること。 (ハ)第2の再生波長λ2(600nm〜700nm)
よりも40nm〜80nm短波長側に第2の吸収極大B
2を有すること。 (ニ)波長λ2±5nmでの吸光度がB2での吸光度の1
0%以下であること。
媒体を提供する。 【解決手段】 有機色素を含有する記録層が次の(イ)
〜(ニ)の条件を満たす光記録媒体。 (イ)第1の記録再生波長λ1(760nm〜800n
m)よりも50nm〜70nm短波長側に吸収極大B1
を有すること。 (ロ)λ1±5nmでの吸光度が、B1での吸光度の10
%以下であること。 (ハ)第2の再生波長λ2(600nm〜700nm)
よりも40nm〜80nm短波長側に第2の吸収極大B
2を有すること。 (ニ)波長λ2±5nmでの吸光度がB2での吸光度の1
0%以下であること。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体に関し、
詳しくはレーザー光により記録できる光記録媒体に関す
る。
詳しくはレーザー光により記録できる光記録媒体に関す
る。
【0002】
【従来の技術】昨今CDーROM、CDが普及し、それ
に伴いユーザーが記録できる追記型CDすなわち、CD
−Rの需要も伸びている。さらに、高密度記録のため、
レーザー光の発振波長の短波長化が注目され、780n
m、830nmよりも短波長のレーザー光で記録再生可
能な光記録媒体が求められている。かかる状況におい
て、780nm近傍で記録再生するCD−R媒体に対し
ても、より短波長のレーザーで再生できるタイプが望ま
れている。
に伴いユーザーが記録できる追記型CDすなわち、CD
−Rの需要も伸びている。さらに、高密度記録のため、
レーザー光の発振波長の短波長化が注目され、780n
m、830nmよりも短波長のレーザー光で記録再生可
能な光記録媒体が求められている。かかる状況におい
て、780nm近傍で記録再生するCD−R媒体に対し
ても、より短波長のレーザーで再生できるタイプが望ま
れている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術におい
ては、有機色素系光記録媒体は、安価でプロセズ上容易
であることからCD−R媒体として使用されてきたが、
有機色素は相変化や光磁気記録媒体のような無機材料と
異なり波長依存性が大きいという欠点がある。従来用い
られているCD−R用の有機色素は主に2つのタイプに
わけられる。600nm〜700nm近傍に吸収極大を
もつものと、この波長域に小さな吸収帯をもつものであ
る。前者のタイプでは、780nm近傍のレーザーで記
録した部分を短波長レーザーで再生すると、ある程度の
変調度が得られるものの、その吸収のために600nm
〜700nmの短波長レーザー波長での反射率が10%
をはるかに下回るため、トラッキング等再生上、困難が
生じる。後者のタイプでは吸収そのものが小さいため上
記短波長レーザーで再生すると20%〜30%程度の反
射率が得られ、再生には困難がないものの、屈折率が小
さいために十分な変調度が得られない。かかる問題を解
決するために、例えば特開平7ー156550や特開平
8ー31010等では、2種以上の色素を混合すること
が提案されている。しかし、短波長での反射率が30%
以下であったり、現実的には測定が極めて困難な有機色
素層の屈折率、消衰係数でパラメータ制御する等、2つ
の波長において十分な反射率を得ながら良好な信号特性
を得るための条件が十分とはいえない。
ては、有機色素系光記録媒体は、安価でプロセズ上容易
であることからCD−R媒体として使用されてきたが、
有機色素は相変化や光磁気記録媒体のような無機材料と
異なり波長依存性が大きいという欠点がある。従来用い
られているCD−R用の有機色素は主に2つのタイプに
わけられる。600nm〜700nm近傍に吸収極大を
もつものと、この波長域に小さな吸収帯をもつものであ
る。前者のタイプでは、780nm近傍のレーザーで記
録した部分を短波長レーザーで再生すると、ある程度の
変調度が得られるものの、その吸収のために600nm
〜700nmの短波長レーザー波長での反射率が10%
をはるかに下回るため、トラッキング等再生上、困難が
生じる。後者のタイプでは吸収そのものが小さいため上
記短波長レーザーで再生すると20%〜30%程度の反
射率が得られ、再生には困難がないものの、屈折率が小
さいために十分な変調度が得られない。かかる問題を解
決するために、例えば特開平7ー156550や特開平
8ー31010等では、2種以上の色素を混合すること
が提案されている。しかし、短波長での反射率が30%
以下であったり、現実的には測定が極めて困難な有機色
素層の屈折率、消衰係数でパラメータ制御する等、2つ
の波長において十分な反射率を得ながら良好な信号特性
を得るための条件が十分とはいえない。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、2波長で
十分な反射率を得、良好な信号特性を得る条件、およ
び、媒体を鋭意検討した結果、本発明に到達した。本発
明の要旨は、透明基板上に、少なくとも、有機色素を含
有する記録層、金属反射層、保護層の順に積層した光記
録媒体において、記録層が透明基板上の膜とした状態
で、次の(イ)〜(ニ)の条件を満たすことを特徴とす
る光記録媒体、に存する。
十分な反射率を得、良好な信号特性を得る条件、およ
び、媒体を鋭意検討した結果、本発明に到達した。本発
明の要旨は、透明基板上に、少なくとも、有機色素を含
有する記録層、金属反射層、保護層の順に積層した光記
録媒体において、記録層が透明基板上の膜とした状態
で、次の(イ)〜(ニ)の条件を満たすことを特徴とす
る光記録媒体、に存する。
【0005】(イ)第1の記録再生波長λ1(760n
m〜800nm)よりも50nm〜70nm短波長側に
吸収極大B1を有すること。 (ロ)λ1±5nmでの吸光度が、B1での吸光度の10
%以下であること。 (ハ)第2の再生波長λ2(600nm〜700nm)
よりも40nm〜80nm短波長側に第2の吸収極大B
2を有すること。 (ニ)波長λ2±5nmでの吸光度がB2での吸光度の1
0%以下であること。
m〜800nm)よりも50nm〜70nm短波長側に
吸収極大B1を有すること。 (ロ)λ1±5nmでの吸光度が、B1での吸光度の10
%以下であること。 (ハ)第2の再生波長λ2(600nm〜700nm)
よりも40nm〜80nm短波長側に第2の吸収極大B
2を有すること。 (ニ)波長λ2±5nmでの吸光度がB2での吸光度の1
0%以下であること。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明における記録層は、記録用のレーザ
ー光を吸収することによる昇温で減量し、膜厚が減少
し、光学特性が変化することにより、戻り光の位相が変
化し、反射率が変化したところを記録部とするものであ
る。
て説明する。本発明における記録層は、記録用のレーザ
ー光を吸収することによる昇温で減量し、膜厚が減少
し、光学特性が変化することにより、戻り光の位相が変
化し、反射率が変化したところを記録部とするものであ
る。
【0007】本発明において、透明基板としてはポリカ
ーボネート、ポリメタクリレート、非晶質ポリオレフィ
ン等の樹脂やガラス等の公知のものが用いられ、サーボ
用の案内溝を有している。その溝は、深さは、通常10
0〜200nm、好ましくは、140〜180nmで、
溝幅は、通常0.45〜0.5μm、トラックピッチは、
通常1〜1.6μmであり、溝形状はU字溝が好まし
い。溝の深さは、100nm未満の場合には、記録時に
十分な変化がおきず、十分な記録変調度が得られない場
合がある。200nmを越えると、溝部と溝間部の反射
率差が大きすぎるため、溝上記録の場合には反射率が低
くなりすぎるので良くない。溝幅は、0.45μm未満
には十分なトラッキングエラー信号振幅を得ることが困
難となる恐れがある。また、0.5μmを越える溝幅の
場合には、記録した時に記録部が横に広がりやすくなる
ので好ましくない。トラックピッチは、1.0μm〜
1.6μmが好ましい。なお、HeーNeレーザーによ
る光学測定、あるいは、STMやAFMでプロファイル
を測定して求める。なお本件に関しては、STMで求め
た。
ーボネート、ポリメタクリレート、非晶質ポリオレフィ
ン等の樹脂やガラス等の公知のものが用いられ、サーボ
用の案内溝を有している。その溝は、深さは、通常10
0〜200nm、好ましくは、140〜180nmで、
溝幅は、通常0.45〜0.5μm、トラックピッチは、
通常1〜1.6μmであり、溝形状はU字溝が好まし
い。溝の深さは、100nm未満の場合には、記録時に
十分な変化がおきず、十分な記録変調度が得られない場
合がある。200nmを越えると、溝部と溝間部の反射
率差が大きすぎるため、溝上記録の場合には反射率が低
くなりすぎるので良くない。溝幅は、0.45μm未満
には十分なトラッキングエラー信号振幅を得ることが困
難となる恐れがある。また、0.5μmを越える溝幅の
場合には、記録した時に記録部が横に広がりやすくなる
ので好ましくない。トラックピッチは、1.0μm〜
1.6μmが好ましい。なお、HeーNeレーザーによ
る光学測定、あるいは、STMやAFMでプロファイル
を測定して求める。なお本件に関しては、STMで求め
た。
【0008】記録層は、通常、有機色素等をエタノー
ル、3ーヒドロキシー3ーメチルー2ーブタノン、ジア
セトンアルコール、フッ素系アルコール等の溶媒に溶か
した溶液をスピンコートして得られる。この溶媒として
は、沸点が100〜150℃である溶媒でnが3以上の
フッ素系アルコール、すなはち、1H、1H、3Hーテ
トラフルオロプロパノール、1H、1H、5Hーオクタ
フルオロペンタノール、1H、1H、、3Hーヘキサフ
ルオロブタノール等が好ましく用いられる。沸点が10
0℃未満の場合には、スピンコート時に溶媒が速く気化
するため、ディスクの半径40mmより外周側に塗布液
がゆきつかず、半径方向の膜厚分布が極めて大きくな
り、良好な特性が得られないことがあるので好ましくな
い。また、150℃を越える場合には、蒸発に時間がか
かる上に、膜中に溶媒が残留しやすく、この様な場合に
は、良好な記録ジッターが得られないことが多い。膜厚
は溝部で60〜180nm程度が好ましい。60nm未
満では薄すぎて良好な記録感度が得られにく恐れがあ
る。また、180nmを越えると、記録部の横方向、ス
キャン方向への変形が大きくなるため、クロストークや
ジッターが大きくなるため好ましくない。ところで、有
機色素の塗布には、スピンコート法を用いるため、溝部
とランド部の膜厚の比はは、溝深さ、色素濃度、色素溶
液の粘度、基板材料と溶媒の濡れ性、成膜回転数、風速
等のいくつものパラメータにより左右されるものであ
る。したがって、特開平8ー31010のように、ラン
ド部と溝部の平均膜厚のみをパラメータとすると、信号
特性そのものに関係している実際の溝部の膜厚に関する
情報を得ることが難しい。特に、基板がポリカーボネー
トのような高分子材の場合には基板の断面の切り出しが
技術上、極めて困難であるために、実際の溝部とランド
部の記録層の膜厚を測定することは難しい。実際に測定
可能なのは、ランド部と塗布膜の溝深さであり、溝部の
膜厚はこの2つの値から算出できる。本件では塗布膜の
溝深さが50〜180nmであり、U字型であることが
好ましい。この溝深さが50nm未満であると、トラッ
キングエラー信号振幅が十分に得られなくなり、また、
180nmを越える場合には溝部の膜厚が薄すぎるた
め、十分な記録変調度が得られない恐れがある。
ル、3ーヒドロキシー3ーメチルー2ーブタノン、ジア
セトンアルコール、フッ素系アルコール等の溶媒に溶か
した溶液をスピンコートして得られる。この溶媒として
は、沸点が100〜150℃である溶媒でnが3以上の
フッ素系アルコール、すなはち、1H、1H、3Hーテ
トラフルオロプロパノール、1H、1H、5Hーオクタ
フルオロペンタノール、1H、1H、、3Hーヘキサフ
ルオロブタノール等が好ましく用いられる。沸点が10
0℃未満の場合には、スピンコート時に溶媒が速く気化
するため、ディスクの半径40mmより外周側に塗布液
がゆきつかず、半径方向の膜厚分布が極めて大きくな
り、良好な特性が得られないことがあるので好ましくな
い。また、150℃を越える場合には、蒸発に時間がか
かる上に、膜中に溶媒が残留しやすく、この様な場合に
は、良好な記録ジッターが得られないことが多い。膜厚
は溝部で60〜180nm程度が好ましい。60nm未
満では薄すぎて良好な記録感度が得られにく恐れがあ
る。また、180nmを越えると、記録部の横方向、ス
キャン方向への変形が大きくなるため、クロストークや
ジッターが大きくなるため好ましくない。ところで、有
機色素の塗布には、スピンコート法を用いるため、溝部
とランド部の膜厚の比はは、溝深さ、色素濃度、色素溶
液の粘度、基板材料と溶媒の濡れ性、成膜回転数、風速
等のいくつものパラメータにより左右されるものであ
る。したがって、特開平8ー31010のように、ラン
ド部と溝部の平均膜厚のみをパラメータとすると、信号
特性そのものに関係している実際の溝部の膜厚に関する
情報を得ることが難しい。特に、基板がポリカーボネー
トのような高分子材の場合には基板の断面の切り出しが
技術上、極めて困難であるために、実際の溝部とランド
部の記録層の膜厚を測定することは難しい。実際に測定
可能なのは、ランド部と塗布膜の溝深さであり、溝部の
膜厚はこの2つの値から算出できる。本件では塗布膜の
溝深さが50〜180nmであり、U字型であることが
好ましい。この溝深さが50nm未満であると、トラッ
キングエラー信号振幅が十分に得られなくなり、また、
180nmを越える場合には溝部の膜厚が薄すぎるた
め、十分な記録変調度が得られない恐れがある。
【0009】本発明では、基板上の膜とした時に、記録
層が次の(イ)〜(ニ)の条件を満足する必要がある。
(イ)記録再生波長λ1(760〜800nm)よりも
50〜70nm短波長側に吸収極大B1を持つこと、
(ロ)λ1±5nmでの吸光度がB1での吸光度の10%
以下であること、(ハ)第2の再生波長λ2(600〜
700nm)よりも40〜80nm短波長側に吸収極大
B2を持つこと、(ニ)λ2±5nmでの吸光度がB2で
の吸光度の10%以下であること。また、B1での吸光
度とB2での吸光度との比率は、通常、B1:B2=1:
9〜9:1、好ましくは3:7〜9:1、更に好ましく
は3:7〜7:3、特に好ましくは5:5〜7:3であ
る。かかる条件を満たす光学記録用有機色素であれば単
一の色素でもよいが、通常は2種以上の色素を混合して
記録層として用いられる。
層が次の(イ)〜(ニ)の条件を満足する必要がある。
(イ)記録再生波長λ1(760〜800nm)よりも
50〜70nm短波長側に吸収極大B1を持つこと、
(ロ)λ1±5nmでの吸光度がB1での吸光度の10%
以下であること、(ハ)第2の再生波長λ2(600〜
700nm)よりも40〜80nm短波長側に吸収極大
B2を持つこと、(ニ)λ2±5nmでの吸光度がB2で
の吸光度の10%以下であること。また、B1での吸光
度とB2での吸光度との比率は、通常、B1:B2=1:
9〜9:1、好ましくは3:7〜9:1、更に好ましく
は3:7〜7:3、特に好ましくは5:5〜7:3であ
る。かかる条件を満たす光学記録用有機色素であれば単
一の色素でもよいが、通常は2種以上の色素を混合して
記録層として用いられる。
【0010】光学記録に用いられる有機色素としては、
フタロシアニン系色素、シアニン色素、含金属アゾ系色
素や、ジベンゾフラノン系、含金属インドアニリン等が
提案されているが、その中で、2波長で高反射率を得る
ためには760nm〜800nmの波長λ1での記録再
生用色素(色素1)と、600nm〜700nmの波長
λ2での再生用の有機色素(色素2)それぞれに、要求
される特性がある。色素1は、CD−Rのオレンジブッ
クを満たす特性をもたらすのみならず、さらに、従来の
CD−R用の色素よりも吸収の半値幅が小さい色素でな
ければならない。
フタロシアニン系色素、シアニン色素、含金属アゾ系色
素や、ジベンゾフラノン系、含金属インドアニリン等が
提案されているが、その中で、2波長で高反射率を得る
ためには760nm〜800nmの波長λ1での記録再
生用色素(色素1)と、600nm〜700nmの波長
λ2での再生用の有機色素(色素2)それぞれに、要求
される特性がある。色素1は、CD−Rのオレンジブッ
クを満たす特性をもたらすのみならず、さらに、従来の
CD−R用の色素よりも吸収の半値幅が小さい色素でな
ければならない。
【0011】具体的には、色素1の透明基板上の膜の状
態で、λ1よりも50nm〜70nm短波長側に吸収極
大B1をもち、λ2での吸光度がB1での吸光度の5%未
満であることが好ましい。λ2での吸光度が5%未満で
あるところが、従来のCD−R用の色素と異なる要求条
件である。従来の色素はシアニン系色素にせよ、フタロ
シアニン色素にしろ、会合性が大きいために吸収帯の半
値幅が大きい。本件では、会合性を抑制する置換基を付
与しやすいという観点から、下記フタロシアニン色素を
色素1として選択することが好ましく、具体的には、下
記一般式[1]で示されるフタロシアニン系色素が挙げ
られる。
態で、λ1よりも50nm〜70nm短波長側に吸収極
大B1をもち、λ2での吸光度がB1での吸光度の5%未
満であることが好ましい。λ2での吸光度が5%未満で
あるところが、従来のCD−R用の色素と異なる要求条
件である。従来の色素はシアニン系色素にせよ、フタロ
シアニン色素にしろ、会合性が大きいために吸収帯の半
値幅が大きい。本件では、会合性を抑制する置換基を付
与しやすいという観点から、下記フタロシアニン色素を
色素1として選択することが好ましく、具体的には、下
記一般式[1]で示されるフタロシアニン系色素が挙げ
られる。
【0012】
【化3】
【0013】(式中、A1〜A4は置換基を有していて
もよいアルキル基、フェニル基、シクロヘキシル基、ア
ルコキシ基、フェノキシ基、シクロヘキシルオキシ基を
表し、Z1〜Z4は、ハロゲン原子、ニトロ基を表す。
n1〜n4は0〜3の整数を表す。Mは2価の金属原
子、3価又は4価の置換金属原子、酸化金属又は2個の
水素原子を表す。)
もよいアルキル基、フェニル基、シクロヘキシル基、ア
ルコキシ基、フェノキシ基、シクロヘキシルオキシ基を
表し、Z1〜Z4は、ハロゲン原子、ニトロ基を表す。
n1〜n4は0〜3の整数を表す。Mは2価の金属原
子、3価又は4価の置換金属原子、酸化金属又は2個の
水素原子を表す。)
【0014】このうち、Z1〜Z4で表わされるハロゲ
ン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ
素原子が挙げられ、特に臭素原子が好ましい。n1〜n
4は、0又は1が特に好ましい。
ン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ
素原子が挙げられ、特に臭素原子が好ましい。n1〜n
4は、0又は1が特に好ましい。
【0015】Mで表わされる2価金属原子の例として
は、Cu,Ni,Co,Zn,Fe,Mn,Mg,P
d,Ru,Pt,Rh,Ca,Ba,Cd,Hg,P
b,Sn,Ti,Be,Cr等が挙げられる。1置換3
価金属原子の例としては、AlF,AlCl,AlB
r,AlI,GaF,GaCl,GaBr,GaI,I
nF,InCl,InBr,InI,TlF,TlC
l,TlBr,TlI等が挙げられる。2置換4価金属
の例としては、SiF2,SiCl2,SiBr2,SiI2,
GeF2,GeCl2,GeBr2,GeI2,SnF2,SnC
l2,SnBr2,SnI2,TiF2,TiCl2,TiBr2,
TiI2,ZrCl2,HfCl2,Si(OH)2,Ge(O
H)2,Sn(OH)2,Zr(OH)2,Hf(OH)2,S
iR2,GeR2,SnR2,TiR2(ここでRは置換基を有
していてもよいアルキル基、アリール基を表わす。),
Si(OR′)2,Ge(OR′)2,Sn(OR′)2,T
i(OR′) 2(ここでR′は置換基を有していてもよい
アルキル基、アリール基、アシル基、トリアルキルシリ
ルオキシ基,PO基,CO基などを表わす。)等が挙げら
れる。酸化金属の例としてはVO,TiO,PbO等が
挙げられる。特に好ましい金属原子の例としてはPd、
Cu,Ni、Pb,SnCl2,Si(OR′)2,R−A
l,VO,TiOである。
は、Cu,Ni,Co,Zn,Fe,Mn,Mg,P
d,Ru,Pt,Rh,Ca,Ba,Cd,Hg,P
b,Sn,Ti,Be,Cr等が挙げられる。1置換3
価金属原子の例としては、AlF,AlCl,AlB
r,AlI,GaF,GaCl,GaBr,GaI,I
nF,InCl,InBr,InI,TlF,TlC
l,TlBr,TlI等が挙げられる。2置換4価金属
の例としては、SiF2,SiCl2,SiBr2,SiI2,
GeF2,GeCl2,GeBr2,GeI2,SnF2,SnC
l2,SnBr2,SnI2,TiF2,TiCl2,TiBr2,
TiI2,ZrCl2,HfCl2,Si(OH)2,Ge(O
H)2,Sn(OH)2,Zr(OH)2,Hf(OH)2,S
iR2,GeR2,SnR2,TiR2(ここでRは置換基を有
していてもよいアルキル基、アリール基を表わす。),
Si(OR′)2,Ge(OR′)2,Sn(OR′)2,T
i(OR′) 2(ここでR′は置換基を有していてもよい
アルキル基、アリール基、アシル基、トリアルキルシリ
ルオキシ基,PO基,CO基などを表わす。)等が挙げら
れる。酸化金属の例としてはVO,TiO,PbO等が
挙げられる。特に好ましい金属原子の例としてはPd、
Cu,Ni、Pb,SnCl2,Si(OR′)2,R−A
l,VO,TiOである。
【0016】本発明に特に好適なフタロシアニン系色素
として、表ー1、2、3、4および5に示す、それぞれ
一般式 (3)、(4)、(5)、(6)および(7)
で表わされる化合物が挙げられる。
として、表ー1、2、3、4および5に示す、それぞれ
一般式 (3)、(4)、(5)、(6)および(7)
で表わされる化合物が挙げられる。
【0017】
【化4】
【0018】
【表1】
【0019】
【化5】
【0020】
【表2】
【0021】
【化6】
【0022】
【表3】
【0023】
【化7】
【0024】
【表4】
【0025】
【化8】
【0026】
【表5】
【0027】一方、色素2は、同じく透明基板上の膜と
した状態で、上記波長λ2よりも40nm〜80nmに
吸収極大B2をもち、λ2での吸光度がB2での吸光度の
10%以下である。かかる条件を満たす有機色素は、シ
アニン色素、含金属アゾ系色素、ジオキサジン系色素、
キノン系色素等様々のものがあるが、特に保存安定性、
耐光性に優れているという点から含金属アゾ系色素が好
ましく、具体的には下記一般式(2)で表される含金属
アゾ系色素が挙げられる。
した状態で、上記波長λ2よりも40nm〜80nmに
吸収極大B2をもち、λ2での吸光度がB2での吸光度の
10%以下である。かかる条件を満たす有機色素は、シ
アニン色素、含金属アゾ系色素、ジオキサジン系色素、
キノン系色素等様々のものがあるが、特に保存安定性、
耐光性に優れているという点から含金属アゾ系色素が好
ましく、具体的には下記一般式(2)で表される含金属
アゾ系色素が挙げられる。
【0028】
【化9】
【0029】(式中、R5及びR6はそれぞれ独立して、
水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、アリー
ル基、アルケニル基又はシクロアルキル基を表し、R5
とR6は環化して炭化水素環又は複素環を形成していて
もよい。含窒素ヘテロ環A及びベンゼン環Bは置換基を
有していてもよい。Xはヒドロキシ基、カルボン酸基、
スルホン酸基又はこれらの塩を表す。) これらの色素は特に、600〜700nmにおいて、良
好な吸収特性、屈折率を有する。
水素原子、置換されていてもよい、アルキル基、アリー
ル基、アルケニル基又はシクロアルキル基を表し、R5
とR6は環化して炭化水素環又は複素環を形成していて
もよい。含窒素ヘテロ環A及びベンゼン環Bは置換基を
有していてもよい。Xはヒドロキシ基、カルボン酸基、
スルホン酸基又はこれらの塩を表す。) これらの色素は特に、600〜700nmにおいて、良
好な吸収特性、屈折率を有する。
【0030】一般式[2]において、R5およびR6は、
さらに詳しくは、それぞれ独立して水素原子;メチル
基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、n
−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−
オクチル基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−オク
タデシル基等の炭素数1〜20のアルキル基、好ましく
は炭素数1〜10のアルキル基、より好ましくは炭素数
1〜6のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル
基、ナフチル基等の炭素数6〜12のアリール基;ビニ
ル基、1−プロペニル基、アリル基、イソプロペニル
基、2−ブテニル基、1,3−ブタジエニル基、2−ペ
ンテニル基等の炭素数2〜10のアルケニル基;または
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオク
チル基等の炭素数3〜10のシクロアルキル基を表す。
かかる炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜12の
アリール基、炭素数2〜10のアルケニル基および炭素
数3〜10のシクロアルキル基は、メトキシ基、エトキ
シ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブト
キシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、
n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘ
プチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−デシルオ
キシ基等の炭素数1〜10のアルコキシ基;メトキシメ
トキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ
基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポ
キシエトキシ基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロ
ポキシ基、メトキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等
の炭素数2〜12のアルコキシアルコキシ基;メトキシ
メトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メ
トキシエトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ
基、エトキシメトキシメトキシ基、エトキシメトキシエ
トキシ基、エトキシエトキシメトキシ基、エトキシエト
キシエトキシ基等の炭素数3〜15のアルコキシアルコ
キシアルコキシ基;アリルオキシ基;フェニル基、トリ
ル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数6〜12のア
リール基;フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオ
キシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数6〜12のアリー
ルオキシ基;シアノ基;ニトロ基、ヒドロキシ基;テト
ラヒドロフリル基;メチルスルホニルアミノ基、エチル
スルホニルアミノ基、n−プロピルスルホニルアミノ
基、イソプロピルスルホニルアミノ基、n−ブチルスル
ホニルアミノ基、tert−ブチルスルホニルアミノ
基、sec−ブチルスルホニルアミノ基、n−ペンチル
スルホニルアミノ基、n−ヘキシルスルホニルアミノ基
等の炭素数1〜6のアルキルスルホニルアミノ基;フッ
素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;メトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキ
シカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブ
トキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル
基、sec−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキ
シカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基等の
炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基;メチルカルボ
ニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピ
ルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ
基、n−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチル
カルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ
基、n−ペンチルカルボニルオキシ基、n−ヘキシルカ
ルボニルオキシ基等の炭素数2〜7のアルキルカルボニ
ルオキシ基;メトキシカルボニルオキシ、エトキシカル
ボニルオキシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、
イソプロポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカル
ボニルオキシ基、tert−ブトキシカルボニルオキシ
基、sec−ブトキシカルボニルオキシ基、n−ペンチ
ルオキシカルボニルオキシ基、n−ヘキシルオキシカル
ボニルオキシ基等の炭素数2〜7のアルコキシカルボニ
ルオキシ基等で置換されていてもよい。
さらに詳しくは、それぞれ独立して水素原子;メチル
基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、n
−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−
オクチル基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−オク
タデシル基等の炭素数1〜20のアルキル基、好ましく
は炭素数1〜10のアルキル基、より好ましくは炭素数
1〜6のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル
基、ナフチル基等の炭素数6〜12のアリール基;ビニ
ル基、1−プロペニル基、アリル基、イソプロペニル
基、2−ブテニル基、1,3−ブタジエニル基、2−ペ
ンテニル基等の炭素数2〜10のアルケニル基;または
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオク
チル基等の炭素数3〜10のシクロアルキル基を表す。
かかる炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜12の
アリール基、炭素数2〜10のアルケニル基および炭素
数3〜10のシクロアルキル基は、メトキシ基、エトキ
シ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブト
キシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、
n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘ
プチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−デシルオ
キシ基等の炭素数1〜10のアルコキシ基;メトキシメ
トキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ
基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポ
キシエトキシ基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロ
ポキシ基、メトキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等
の炭素数2〜12のアルコキシアルコキシ基;メトキシ
メトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メ
トキシエトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ
基、エトキシメトキシメトキシ基、エトキシメトキシエ
トキシ基、エトキシエトキシメトキシ基、エトキシエト
キシエトキシ基等の炭素数3〜15のアルコキシアルコ
キシアルコキシ基;アリルオキシ基;フェニル基、トリ
ル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数6〜12のア
リール基;フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオ
キシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数6〜12のアリー
ルオキシ基;シアノ基;ニトロ基、ヒドロキシ基;テト
ラヒドロフリル基;メチルスルホニルアミノ基、エチル
スルホニルアミノ基、n−プロピルスルホニルアミノ
基、イソプロピルスルホニルアミノ基、n−ブチルスル
ホニルアミノ基、tert−ブチルスルホニルアミノ
基、sec−ブチルスルホニルアミノ基、n−ペンチル
スルホニルアミノ基、n−ヘキシルスルホニルアミノ基
等の炭素数1〜6のアルキルスルホニルアミノ基;フッ
素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;メトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキ
シカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブ
トキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル
基、sec−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキ
シカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基等の
炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基;メチルカルボ
ニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピ
ルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ
基、n−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチル
カルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ
基、n−ペンチルカルボニルオキシ基、n−ヘキシルカ
ルボニルオキシ基等の炭素数2〜7のアルキルカルボニ
ルオキシ基;メトキシカルボニルオキシ、エトキシカル
ボニルオキシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、
イソプロポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカル
ボニルオキシ基、tert−ブトキシカルボニルオキシ
基、sec−ブトキシカルボニルオキシ基、n−ペンチ
ルオキシカルボニルオキシ基、n−ヘキシルオキシカル
ボニルオキシ基等の炭素数2〜7のアルコキシカルボニ
ルオキシ基等で置換されていてもよい。
【0031】又、R5 ,R6は環化して、炭化水素環ま
たは複素環を形成していてもよい。これらの中でも特に
炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。前記一般式
[2]において、Xで表わされるヒドロキシ基、カルボ
ン酸基、スルホン酸基の塩としては、Na+,Li+,K
+等の無機系の陽イオンもしくはP+(フェニル)4,N+
(C2H5)4,N+(C4H9(n))4,(フェニル−N+)
(CH3)3等の有機系の陽イオン等のカチオンを表す。
たは複素環を形成していてもよい。これらの中でも特に
炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。前記一般式
[2]において、Xで表わされるヒドロキシ基、カルボ
ン酸基、スルホン酸基の塩としては、Na+,Li+,K
+等の無機系の陽イオンもしくはP+(フェニル)4,N+
(C2H5)4,N+(C4H9(n))4,(フェニル−N+)
(CH3)3等の有機系の陽イオン等のカチオンを表す。
【0032】金属塩の金属は、配位子であるアゾ系化合
物とキレート化合物を形成する能力を有する金属であれ
ば特に制限されないが、ニッケル、コバルト、鉄、ルテ
ニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウム、イリ
ジウム、白金、ジルコニウム等の遷移元素が好ましく、
特にニッケル、コバルト、パラジウムが好ましい。
物とキレート化合物を形成する能力を有する金属であれ
ば特に制限されないが、ニッケル、コバルト、鉄、ルテ
ニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウム、イリ
ジウム、白金、ジルコニウム等の遷移元素が好ましく、
特にニッケル、コバルト、パラジウムが好ましい。
【0033】含窒素ヘテロ環Aとしては、ピリジン環、
1、2、4ーチアジアゾール環、1、3、4ーチアジア
ゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾ
ール環、ピラゾール環、イソキサゾール環などが挙げら
れ、これらは置換基を有していてもよく、かかる置換基
としては、アルキル基、アルコキシ基、チオアルコキシ
基、アリールチオ基、アリールオキシ基、アラルキル
基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
エステル基、カルバモイル基、アシル基、アシルアミノ
基、スルファモイル基、スルフィン酸基、アミノ基、ヒ
ドロキシル基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、ビニ
ル基等が挙げられ、これらの置換基は更に置換基を有し
ていてもよい。これらの置換基の中で好ましいものとし
ては、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニト
ロ基、置換基を有していてもよい、炭素数1〜25のア
ルキル基、炭素数1〜25のアルコキシ基、炭素数1〜
25のチオアルコキシ基、炭素数6〜30のアリールチ
オ基、炭素数1〜25のアルキルスルファモイル基、炭
素数6〜30のフェニルスルファモイル基、炭素数1〜
25のアルキルスルフィン酸基、炭素数6〜30のフェ
ニルスルフィン酸基、炭素数6〜30のピリジノアゾ
基、炭素数2〜26のエステル基、炭素数2〜26のア
ルキルカルバモイル基、炭素数6〜30のフェニルカル
バモイル基、炭素数2〜26のアシル基、炭素数1〜2
5のアシルアミノ基、−NR7R8(R7およびR8は、そ
れぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよ
い、炭素数1〜25のアルキル基またはフェニル基を表
し、R7およびR8は互いに結合して5員環もしくは6員
環を形成してもよい。)、−CR9=C(CN)R
10(R9は、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基
を表し、R10はシアノ基または炭素数2〜7のアルコキ
シカルボニル基を表す。)等が挙げられ、より好ましく
はハロゲン原子等の置換基を有していてもよい、炭素数
1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ
基、炭素数1〜10のチオアルコキシ基、ハロゲン原子
が挙げられる。
1、2、4ーチアジアゾール環、1、3、4ーチアジア
ゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾ
ール環、ピラゾール環、イソキサゾール環などが挙げら
れ、これらは置換基を有していてもよく、かかる置換基
としては、アルキル基、アルコキシ基、チオアルコキシ
基、アリールチオ基、アリールオキシ基、アラルキル
基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
エステル基、カルバモイル基、アシル基、アシルアミノ
基、スルファモイル基、スルフィン酸基、アミノ基、ヒ
ドロキシル基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、ビニ
ル基等が挙げられ、これらの置換基は更に置換基を有し
ていてもよい。これらの置換基の中で好ましいものとし
ては、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニト
ロ基、置換基を有していてもよい、炭素数1〜25のア
ルキル基、炭素数1〜25のアルコキシ基、炭素数1〜
25のチオアルコキシ基、炭素数6〜30のアリールチ
オ基、炭素数1〜25のアルキルスルファモイル基、炭
素数6〜30のフェニルスルファモイル基、炭素数1〜
25のアルキルスルフィン酸基、炭素数6〜30のフェ
ニルスルフィン酸基、炭素数6〜30のピリジノアゾ
基、炭素数2〜26のエステル基、炭素数2〜26のア
ルキルカルバモイル基、炭素数6〜30のフェニルカル
バモイル基、炭素数2〜26のアシル基、炭素数1〜2
5のアシルアミノ基、−NR7R8(R7およびR8は、そ
れぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよ
い、炭素数1〜25のアルキル基またはフェニル基を表
し、R7およびR8は互いに結合して5員環もしくは6員
環を形成してもよい。)、−CR9=C(CN)R
10(R9は、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基
を表し、R10はシアノ基または炭素数2〜7のアルコキ
シカルボニル基を表す。)等が挙げられ、より好ましく
はハロゲン原子等の置換基を有していてもよい、炭素数
1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ
基、炭素数1〜10のチオアルコキシ基、ハロゲン原子
が挙げられる。
【0034】環Bは、−NR5R6基および−X基以外に
置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、ア
ルキル基、好ましくは炭素数1〜10のアルキル基;ア
ルコキシ基、好ましくは炭素数1〜10のアルコキシ
基;ハロゲン原子等が挙げられ、これらのアルキル基、
アルコキシ基等の置換基は更にハロゲン原子などの置換
基を有していてもよい。
置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、ア
ルキル基、好ましくは炭素数1〜10のアルキル基;ア
ルコキシ基、好ましくは炭素数1〜10のアルコキシ
基;ハロゲン原子等が挙げられ、これらのアルキル基、
アルコキシ基等の置換基は更にハロゲン原子などの置換
基を有していてもよい。
【0035】本発明における好ましい化合物の一つの態
様として、表ー6に示すような置換基を有する一般式
[2]の化合物が挙げられ、一般式[8],[9],
[10],[11],[12]および[13]で表わさ
れる化合物が挙げられる。
様として、表ー6に示すような置換基を有する一般式
[2]の化合物が挙げられ、一般式[8],[9],
[10],[11],[12]および[13]で表わさ
れる化合物が挙げられる。
【0036】
【表6】
【0037】
【化10】
【0038】
【化11】
【0039】
【化12】
【0040】
【化13】
【0041】
【化14】
【0042】
【化15】
【0043】そして、記録層は、上記色素1の1種以上
と上記色素2の1種以上とを混合した溶液をスピンコー
トして基板上に形成する。その結果、記録層単層は、上
記請求項1に示される条件を満たす。λ1での吸収端、
λ2での吸収端の吸光度の、それぞれの吸収極大にたい
する割合が記録層の好ましい消衰係の範囲に相当する条
件であり、吸収極大の波長と上記吸収端の吸光度の割合
の両方が、記録層の好ましい屈折率の範囲に相当する条
件を示す。記録層の屈折率は、波長λ1で2〜3、波長
λ2で1.7〜2.3、消衰係数は、λ1で、0.02〜0.
08、λ2で0.02〜0.1である。吸光度、吸収極
大、屈折率、消衰がこの範囲をはずれて小さい場合、2
波長で十分な変調度を得ることが困難となりやすい。
と上記色素2の1種以上とを混合した溶液をスピンコー
トして基板上に形成する。その結果、記録層単層は、上
記請求項1に示される条件を満たす。λ1での吸収端、
λ2での吸収端の吸光度の、それぞれの吸収極大にたい
する割合が記録層の好ましい消衰係の範囲に相当する条
件であり、吸収極大の波長と上記吸収端の吸光度の割合
の両方が、記録層の好ましい屈折率の範囲に相当する条
件を示す。記録層の屈折率は、波長λ1で2〜3、波長
λ2で1.7〜2.3、消衰係数は、λ1で、0.02〜0.
08、λ2で0.02〜0.1である。吸光度、吸収極
大、屈折率、消衰がこの範囲をはずれて小さい場合、2
波長で十分な変調度を得ることが困難となりやすい。
【0044】金属反射層は、記録層を透過したレーザー
光を効率良く反射する金属膜であり、600nm〜70
0nmで反射率が低下しないために、記録再生波長±5
nmの波長領域の光の屈折率が0.1〜0.2、消衰係数
が3〜5であるものが好ましい。好ましい金属反射膜と
して、金を主成分とした金属反射膜や、銀を主成分とし
た金属反射膜が例示できる。特に銀を主成分とした金属
反射膜が好ましい。また、対候性の向上のために、銀
に、ロジウム、パラジウム、白金、チタン、モリブデ
ン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、バナジウ
ム等の添加元素を5原子%以下の範囲で加えてもよい。
金属反射層の膜厚は、好ましくは80nm以上で、記録
層の変形を抑制しすぎたり、記録感度を悪化させすぎな
い程度の膜厚が好ましい。
光を効率良く反射する金属膜であり、600nm〜70
0nmで反射率が低下しないために、記録再生波長±5
nmの波長領域の光の屈折率が0.1〜0.2、消衰係数
が3〜5であるものが好ましい。好ましい金属反射膜と
して、金を主成分とした金属反射膜や、銀を主成分とし
た金属反射膜が例示できる。特に銀を主成分とした金属
反射膜が好ましい。また、対候性の向上のために、銀
に、ロジウム、パラジウム、白金、チタン、モリブデ
ン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、バナジウ
ム等の添加元素を5原子%以下の範囲で加えてもよい。
金属反射層の膜厚は、好ましくは80nm以上で、記録
層の変形を抑制しすぎたり、記録感度を悪化させすぎな
い程度の膜厚が好ましい。
【0045】本発明の光学記録媒体においては、反射層
の上に保護層を積層し、記録部の金属反射層の穴の発生
を防止したり、変形の非対称性を抑制する効果を有して
いる。保護層としては紫外線硬化樹脂が好ましい。ま
た、保護層は、通常1μm以上、好ましくは3μm以上
の膜厚にして、酸素による硬化抑制等がおこらないよう
にする。
の上に保護層を積層し、記録部の金属反射層の穴の発生
を防止したり、変形の非対称性を抑制する効果を有して
いる。保護層としては紫外線硬化樹脂が好ましい。ま
た、保護層は、通常1μm以上、好ましくは3μm以上
の膜厚にして、酸素による硬化抑制等がおこらないよう
にする。
【0046】
【実施例】以下本発明を実施例を用いてさらに詳細に説
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、実施例に
限定されるものではない。 実施例1 溝深さ180nm、溝幅(溝の半値幅)0.45μm
(トラックピッチ1.6μm)のV字案内溝を有するポ
リカーボネート基板上に下記構造式[14]のフタロシ
アニン色素と、下記構造式[15]の含金属アゾ色素を
1:1の重量割合で、溶媒(オクタフルオロペンタノー
ル)に対し、色素総重量2.2wt%溶解した塗布液を
作成し、これを前述のポリカーボネート基板上に900
rpmでスピンコートし、その後80℃のオーブンで1
時間アニール記録層を形成した。
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、実施例に
限定されるものではない。 実施例1 溝深さ180nm、溝幅(溝の半値幅)0.45μm
(トラックピッチ1.6μm)のV字案内溝を有するポ
リカーボネート基板上に下記構造式[14]のフタロシ
アニン色素と、下記構造式[15]の含金属アゾ色素を
1:1の重量割合で、溶媒(オクタフルオロペンタノー
ル)に対し、色素総重量2.2wt%溶解した塗布液を
作成し、これを前述のポリカーボネート基板上に900
rpmでスピンコートし、その後80℃のオーブンで1
時間アニール記録層を形成した。
【0047】
【化16】
【0048】
【化17】
【0049】その上に銀の反射層を厚さ100nm、ス
パッタリングにて形成し、更にその上にUV硬化樹脂
(大日本インキ製「SD−318」)を約3μmスピン
コートし、紫外線ランプで硬化させ保護層とし、ディス
クを形成した。このディスクを半導体レーザー評価機
(DDU−1000)にかけ、780nm(λ1)での
光ディスク特性を測定した。その結果反射率は65%
で、4.8m/sでの記録特性(記録パワー9mW)は
すべてオレンジブックの規格を満たしていた。
パッタリングにて形成し、更にその上にUV硬化樹脂
(大日本インキ製「SD−318」)を約3μmスピン
コートし、紫外線ランプで硬化させ保護層とし、ディス
クを形成した。このディスクを半導体レーザー評価機
(DDU−1000)にかけ、780nm(λ1)での
光ディスク特性を測定した。その結果反射率は65%
で、4.8m/sでの記録特性(記録パワー9mW)は
すべてオレンジブックの規格を満たしていた。
【0050】この記録部を、680nm(λ2)の半導
体レーザー評価機(パルステック社製)で再生したとこ
ろ、反射率は48%、3Tジッターが15%で良好なア
イパターンが再生できた。尚、塗布膜の溝深さは100
nmであった。この結果として、それぞれの色素の吸収
極大(B1,B2)、B1、B2での吸光度に対するλ1、
λ2での吸光度の割合、680nmでの3Tジッター
(%)の結果を表−7に示す。
体レーザー評価機(パルステック社製)で再生したとこ
ろ、反射率は48%、3Tジッターが15%で良好なア
イパターンが再生できた。尚、塗布膜の溝深さは100
nmであった。この結果として、それぞれの色素の吸収
極大(B1,B2)、B1、B2での吸光度に対するλ1、
λ2での吸光度の割合、680nmでの3Tジッター
(%)の結果を表−7に示す。
【0051】実施例2 実施例1の含金アゾ色素を下記構造式[16]の含金属
アゾ色素に替えた以外は実施例1と同様の実験を行っ
た。結果を表−7に示す。
アゾ色素に替えた以外は実施例1と同様の実験を行っ
た。結果を表−7に示す。
【0052】
【化18】
【0053】実施例3 実施例1の含金アゾ色素を下記構造式[17]の含金属
アゾ色素に替えた以外は実施例1と同様の実験を行っ
た。結果を表−7に示す。
アゾ色素に替えた以外は実施例1と同様の実験を行っ
た。結果を表−7に示す。
【0054】
【化19】
【0055】実施例4 実施例1の含金アゾ色素を下記構造式[18]の含金属
アゾ色素に替えた以外は実施例1と同様の実験を行っ
た。結果を表−7に示す。
アゾ色素に替えた以外は実施例1と同様の実験を行っ
た。結果を表−7に示す。
【0056】
【化20】
【0057】実施例5 実施例1のフタロシアニン色素を構造式[19]のフタ
ロシアニン色素に、実施例1の含金アゾ色素を構造式
[20]の含金属アゾ色素に替えた以外は実施例1と同
様の実験を行った。結果を表−7に示す。
ロシアニン色素に、実施例1の含金アゾ色素を構造式
[20]の含金属アゾ色素に替えた以外は実施例1と同
様の実験を行った。結果を表−7に示す。
【0058】
【化21】
【0059】
【化22】
【0060】実施例6 実施例5の含金アゾ色素を構造式[21]の含金属アゾ
色素に替え、λ2を640nmに替えた以外は実施例5
と同様の実験を行った。結果を表−7に示す。
色素に替え、λ2を640nmに替えた以外は実施例5
と同様の実験を行った。結果を表−7に示す。
【0061】
【化23】
【0062】比較例1 含金アゾ色素を使用せず、塗布液中の濃度が1.1wt
%にした以外は実施例1と同様の実験を行った。この結
果780nmではオレンジブックを満たす特性が得られ
たが、680nmで再生すると、アイパターンは全く見
えなかった。この結果を表−7に示す。
%にした以外は実施例1と同様の実験を行った。この結
果780nmではオレンジブックを満たす特性が得られ
たが、680nmで再生すると、アイパターンは全く見
えなかった。この結果を表−7に示す。
【0063】
【表7】
【0064】
【発明の効果】本発明により、従来の780nm、83
0nm前後での記録再生と同時に、600〜700nm
の短波長でも好適に再生のできる光ディスクを提供する
ことができる。
0nm前後での記録再生と同時に、600〜700nm
の短波長でも好適に再生のできる光ディスクを提供する
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀江 通和 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内
Claims (4)
- 【請求項1】 透明基板上に、少なくとも、有機色素を
含有する記録層、金属反射層、保護層の順に積層した光
記録媒体において、記録層が透明基板上の膜とした状態
で、次の(イ)〜(ニ)の条件を満たすことを特徴とす
る光記録媒体。 (イ)第1の記録再生波長λ1(760nm〜800n
m)よりも50nm〜70nm短波長側に吸収極大B1
を有すること。 (ロ)λ1±5nmでの吸光度が、B1での吸光度の10
%以下であること。 (ハ)第2の再生波長λ2(600nm〜700nm)
よりも40nm〜80nm短波長側に第2の吸収極大B
2を有すること。 (ニ)波長λ2±5nmでの吸光度がB2での吸光度の1
0%以下であること。 - 【請求項2】 上記記録層が、下記一般式[1]で構造
式が示される一種以上のフタロシアニン系色素と、下記
一般式[2]で構造式が示される一種以上の含金属アゾ
系色素を混合して成ることを特徴とする請求項1に記載
の光記録媒体。 【化1】 (式中、A1〜A4は置換基を有していてもよいアルキ
ル基、フェニル基、シクロヘキシル基、アルコキシ基、
フェノキシ基、シクロヘキシルオキシ基を表し、Z1〜
Z4は、ハロゲン原子、ニトロ基を表す。n1〜n4は
0〜3の整数を表す。Mは2価の金属原子、3価又は4
価の置換金属原子、酸化金属又は2個の水素原子を表
す。) 【化2】 (式中、R5及びR6はそれぞれ独立して、水素原子、置
換されていてもよい、アルキル基、アリール基、アルケ
ニル基又はシクロアルキル基を表し、R5とR6は環化し
て炭化水素環又は複素環を形成していてもよい。含窒素
ヘテロ環A及びベンゼン環Bは置換基を有していてもよ
い。Xはヒドロキシ基、カルボン酸基、スルホン酸基又
はこれらの塩を表す。) - 【請求項3】 金属反射層が銀を主成分とすることを特
徴とする請求項1又は2に記載の光記録媒体。 - 【請求項4】 保護層が紫外線硬化樹脂である請求項1
〜3のいずれか1項に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8064489A JPH09254543A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8064489A JPH09254543A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09254543A true JPH09254543A (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=13259684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8064489A Pending JPH09254543A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09254543A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849727A3 (en) * | 1996-12-18 | 1998-08-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording disk |
| US7022393B2 (en) | 2002-03-26 | 2006-04-04 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
-
1996
- 1996-03-21 JP JP8064489A patent/JPH09254543A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849727A3 (en) * | 1996-12-18 | 1998-08-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording disk |
| US7022393B2 (en) | 2002-03-26 | 2006-04-04 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040525 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041005 |