JPH08332772A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH08332772A JPH08332772A JP7139459A JP13945995A JPH08332772A JP H08332772 A JPH08332772 A JP H08332772A JP 7139459 A JP7139459 A JP 7139459A JP 13945995 A JP13945995 A JP 13945995A JP H08332772 A JPH08332772 A JP H08332772A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- metal
- recording medium
- azo compound
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 21
- -1 azo compound Chemical class 0.000 claims abstract description 92
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 58
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 21
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 6
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 35
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 13
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- CSUFEOXMCRPQBB-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound CC(F)(F)C(O)(F)F CSUFEOXMCRPQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- KUGBQWBWWNPMIT-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoropentan-1-ol Chemical compound CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(O)(F)F KUGBQWBWWNPMIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000005309 thioalkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 2
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical class C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODJQKYXPKWQWNK-UHFFFAOYSA-L 3-(2-carboxylatoethylsulfanyl)propanoate Chemical class [O-]C(=O)CCSCCC([O-])=O ODJQKYXPKWQWNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001767 cationic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical group 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004662 dithiols Chemical class 0.000 description 2
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine group Chemical group N1=CCC2=CC=CC=C12 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 229910001411 inorganic cation Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000027 (C1-C10) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- HAZJTCQWIDBCCE-UHFFFAOYSA-N 1h-triazine-6-thione Chemical group SC1=CC=NN=N1 HAZJTCQWIDBCCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- 125000006024 2-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005083 alkoxyalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005194 alkoxycarbonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005115 alkyl carbamoyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005153 alkyl sulfamoyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004656 alkyl sulfonylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005336 allyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- JEHKKBHWRAXMCH-UHFFFAOYSA-N benzenesulfinic acid Chemical group O[S@@](=O)C1=CC=CC=C1 JEHKKBHWRAXMCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N carbamodithioic acid Chemical compound NC(S)=S DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 239000012990 dithiocarbamate Substances 0.000 description 1
- 150000004659 dithiocarbamates Chemical class 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005928 isopropyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(OC(*)=O)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006610 n-decyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001298 n-hexoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000006608 n-octyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003935 n-pentoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005186 naphthyloxy group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)O* 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000005920 sec-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005930 sec-butyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(OC(*)=O)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000000626 sulfinic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005931 tert-butyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(OC(*)=O)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003718 tetrahydrofuranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- QQOWHRYOXYEMTL-UHFFFAOYSA-N triazin-4-amine Chemical class N=C1C=CN=NN1 QQOWHRYOXYEMTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 透明基板上に光吸収層、光反射層および保護
層を順次積層してなる光記録媒体において、該光吸収層
が下記一般式[I]で示されるアゾ化合物と金属塩から
形成される含金属アゾ化合物を含有し、かつ該光反射層
が銀または銀合金の薄膜よりなることを特徴とする光記
録媒体。 【化1】
層を順次積層してなる光記録媒体において、該光吸収層
が下記一般式[I]で示されるアゾ化合物と金属塩から
形成される含金属アゾ化合物を含有し、かつ該光反射層
が銀または銀合金の薄膜よりなることを特徴とする光記
録媒体。 【化1】
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光記録媒体に関する。詳
しくは、有機色素を用いた追記型のコンパクトディスク
に好適な光記録媒体に関する。
しくは、有機色素を用いた追記型のコンパクトディスク
に好適な光記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】光ディスクは従来の記録媒体と比べて記
録容量が大きく、ランダムアクセスも可能なことから、
オーディオソフト、コンピュータソフト、ゲームソフ
ト、電子出版用などの再生専用の媒体として広く用いら
れている。これに対して、種々の記録原理に基づいた有
機記録層や無機記録層を備えた追記型や書換型の記録可
能光ディスクが開発され一部は実用化に至っている。
録容量が大きく、ランダムアクセスも可能なことから、
オーディオソフト、コンピュータソフト、ゲームソフ
ト、電子出版用などの再生専用の媒体として広く用いら
れている。これに対して、種々の記録原理に基づいた有
機記録層や無機記録層を備えた追記型や書換型の記録可
能光ディスクが開発され一部は実用化に至っている。
【0003】その中のひとつに記録可能コンパクトディ
スク(CD−WO)があり、追記記録が可能であると共
に、再生専用コンパクトディスクと同等の反射率を示す
ため、記録後に再生専用コンパクトディスクプレイヤ
ー、ドライブで再生可能であるという特徴を持つ。この
記録可能コンパクトディスクは、通常案内溝を有する透
明基板上にシアニン色素等の有機色素からなる光吸収
層、金属からなる光反射層および紫外線硬化樹脂からな
る保護層を順次設けることにより作製され、記録は、1
μm程度に絞り込まれたレーザービームを用いたヒート
モードによる光吸収層およびそれに隣接する層の変形・
変質などにより行われている。近年一層の高密度化を狙
って、トラックピッチを1μm未満にし、使用レーザー
光波長を600〜680nmとした高密度コンパクトデ
ィスク規格が提唱されている。(日経エレクトロニク
ス、1995、2月27日号、p87−100)このよ
うな高密度規格においても同様に記録可能な媒体が求め
られている。
スク(CD−WO)があり、追記記録が可能であると共
に、再生専用コンパクトディスクと同等の反射率を示す
ため、記録後に再生専用コンパクトディスクプレイヤ
ー、ドライブで再生可能であるという特徴を持つ。この
記録可能コンパクトディスクは、通常案内溝を有する透
明基板上にシアニン色素等の有機色素からなる光吸収
層、金属からなる光反射層および紫外線硬化樹脂からな
る保護層を順次設けることにより作製され、記録は、1
μm程度に絞り込まれたレーザービームを用いたヒート
モードによる光吸収層およびそれに隣接する層の変形・
変質などにより行われている。近年一層の高密度化を狙
って、トラックピッチを1μm未満にし、使用レーザー
光波長を600〜680nmとした高密度コンパクトデ
ィスク規格が提唱されている。(日経エレクトロニク
ス、1995、2月27日号、p87−100)このよ
うな高密度規格においても同様に記録可能な媒体が求め
られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】既に実用化・市販され
ている記録可能コンパクトディスクでは、光反射層とし
て読み出しレーザー光の波長(780nm近傍)に対し
て65%以上の高反射率と高耐腐食性を得るために金お
よび金を主成分とする合金が使用されているものが多い
が、金が高価であるためコストの上で大きな問題となっ
ている。また、金では今後主流となると考えられる波長
700〜600nmのレーザー光に対しては、むしろ反
射率が低下する傾向がある。
ている記録可能コンパクトディスクでは、光反射層とし
て読み出しレーザー光の波長(780nm近傍)に対し
て65%以上の高反射率と高耐腐食性を得るために金お
よび金を主成分とする合金が使用されているものが多い
が、金が高価であるためコストの上で大きな問題となっ
ている。また、金では今後主流となると考えられる波長
700〜600nmのレーザー光に対しては、むしろ反
射率が低下する傾向がある。
【0005】これらの波長ではむしろ安価で金並みの高
反射率を有する銀、銅、アルミニウムなどの金属および
それらを主成分とする合金を光反射層として用いること
も考えられるがその場合には、隣接する光吸収層の有機
色素が光反射層の腐食を促進して、エラー増加や記録感
度の低下などのディスク特性の経時変化を起こしやすく
なるため、使用環境に対して十分な信頼性のある記録可
能コンパクトディスクの作製が困難であった。
反射率を有する銀、銅、アルミニウムなどの金属および
それらを主成分とする合金を光反射層として用いること
も考えられるがその場合には、隣接する光吸収層の有機
色素が光反射層の腐食を促進して、エラー増加や記録感
度の低下などのディスク特性の経時変化を起こしやすく
なるため、使用環境に対して十分な信頼性のある記録可
能コンパクトディスクの作製が困難であった。
【0006】本発明は上記従来の問題点を解決し、波長
700〜600nmの短波長を利用した高密度のコンパ
クトディスクに適した光反射層である銀または銀合金膜
を使用し、光記録媒体の寿命・信頼性を損なうことな
く、高密度記録が可能でかつ低コストの光記録媒体を提
供することを目的としている。
700〜600nmの短波長を利用した高密度のコンパ
クトディスクに適した光反射層である銀または銀合金膜
を使用し、光記録媒体の寿命・信頼性を損なうことな
く、高密度記録が可能でかつ低コストの光記録媒体を提
供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】既に述べたように、高耐
食性を有する金の代わりに銀、銅、アルミニウムおよび
それらを主成分とする合金を光反射層として用いた場合
には、光吸収層と光反射層の界面から光反射層の腐食が
促進され、エラー増加や記録感度の低下などのディスク
特性の経時変化を起こしやすいという問題があった。そ
こで、本発明者らは上述した問題点を克服するために、
波長700〜600nm領域において有効な光反射層材
質と有機色素の組合せについて鋭意検討を行った結果、
光反射層を銀または銀を主成分とする合金の薄膜とした
場合には比較的高い反射率(少なくとも30%)を得る
ことが容易で、かつ光吸収層を構成する有機色素にさら
に含金属アゾ色素を添加することにより、ディスク特性
の経時変化を大幅に抑制できるという知見を得るに至っ
た。
食性を有する金の代わりに銀、銅、アルミニウムおよび
それらを主成分とする合金を光反射層として用いた場合
には、光吸収層と光反射層の界面から光反射層の腐食が
促進され、エラー増加や記録感度の低下などのディスク
特性の経時変化を起こしやすいという問題があった。そ
こで、本発明者らは上述した問題点を克服するために、
波長700〜600nm領域において有効な光反射層材
質と有機色素の組合せについて鋭意検討を行った結果、
光反射層を銀または銀を主成分とする合金の薄膜とした
場合には比較的高い反射率(少なくとも30%)を得る
ことが容易で、かつ光吸収層を構成する有機色素にさら
に含金属アゾ色素を添加することにより、ディスク特性
の経時変化を大幅に抑制できるという知見を得るに至っ
た。
【0008】しかし一方で、光吸収層を構成する有機色
素に含金属アゾ化合物を添加した場合、光吸収層を構成
する有機色素に元来固有の記録再生特性が損なわれる場
合があったため、更に有効な含金属アゾ化合物について
検討を加えた結果、一般式[I]で示されるアゾ化合物
と金属塩から形成される含金属アゾ化合物を光吸収層に
用いた場合、記録再生特性の変化が少なく、銀または銀
合金の薄膜よりなる光反射層の腐食を抑制するばかりで
なく、光吸収層の結晶化や光劣化を抑制し、耐高温高湿
性をも向上させることが判明し、本発明を完成させた。
素に含金属アゾ化合物を添加した場合、光吸収層を構成
する有機色素に元来固有の記録再生特性が損なわれる場
合があったため、更に有効な含金属アゾ化合物について
検討を加えた結果、一般式[I]で示されるアゾ化合物
と金属塩から形成される含金属アゾ化合物を光吸収層に
用いた場合、記録再生特性の変化が少なく、銀または銀
合金の薄膜よりなる光反射層の腐食を抑制するばかりで
なく、光吸収層の結晶化や光劣化を抑制し、耐高温高湿
性をも向上させることが判明し、本発明を完成させた。
【0009】即ち、本発明の要旨は、透明基板上に光吸
収層、光反射層および保護層を順次積層してなる光記録
媒体において、該光吸収層が一般式[I]で示されるア
ゾ化合物と金属塩から形成される含金属アゾ化合物を含
有し、かつ該光反射層が銀または銀合金の薄膜よりなる
ことを特徴とする光記録媒体に存する。
収層、光反射層および保護層を順次積層してなる光記録
媒体において、該光吸収層が一般式[I]で示されるア
ゾ化合物と金属塩から形成される含金属アゾ化合物を含
有し、かつ該光反射層が銀または銀合金の薄膜よりなる
ことを特徴とする光記録媒体に存する。
【0010】
【化2】 (式中、R1 およびR2 はそれぞれ独立して、水素原
子、置換されていてもよい、アルキル基、アリール基、
アルケニル基またはシクロアルキル基を表わし、R 1 と
R2 は環化して炭化水素環または複素環を形成していて
もよい。環Aおよび環Bは置換基を有していてもよい。
Xはヒドロキシ基、カルボン酸基、スルホン酸基または
これらの塩を表わす。) これらの色素は特に、700〜600nmにおいて、良
好な吸収特性、屈折率を有する。
子、置換されていてもよい、アルキル基、アリール基、
アルケニル基またはシクロアルキル基を表わし、R 1 と
R2 は環化して炭化水素環または複素環を形成していて
もよい。環Aおよび環Bは置換基を有していてもよい。
Xはヒドロキシ基、カルボン酸基、スルホン酸基または
これらの塩を表わす。) これらの色素は特に、700〜600nmにおいて、良
好な吸収特性、屈折率を有する。
【0011】以下に、本発明の光記録媒体を詳細に説明
する。本発明に用いられる透明基板としては、ポリカー
ボネート、ポリメタクリル酸メチル、非晶性ポリオレフ
ィンなどのプラスチックまたはガラスが挙げられる。こ
れらの透明基板は、好ましくは厚み0.4〜1.4mm
でスパイラル状に案内溝を形成したものが用いられる。
本発明の光記録媒体は、光吸収層が前記一般式[I]で
示されるアゾ化合物と金属塩から形成される含金属アゾ
化合物を含有することを特徴とする。
する。本発明に用いられる透明基板としては、ポリカー
ボネート、ポリメタクリル酸メチル、非晶性ポリオレフ
ィンなどのプラスチックまたはガラスが挙げられる。こ
れらの透明基板は、好ましくは厚み0.4〜1.4mm
でスパイラル状に案内溝を形成したものが用いられる。
本発明の光記録媒体は、光吸収層が前記一般式[I]で
示されるアゾ化合物と金属塩から形成される含金属アゾ
化合物を含有することを特徴とする。
【0012】一般式[I]において、R1 およびR
2 は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていても
よい、アルキル基、アリール基、アルケニル基またはシ
クロアルキル基を表し、さらに詳しくは、R1 およびR
2 は、それぞれ独立して水素原子;メチル基、エチル
基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、
tert−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−オクタデシル
基等の炭素数1〜20のアルキル基、好ましくは炭素数
1〜10のアルキル基、より好ましくは炭素数1〜6の
アルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフ
チル基等の炭素数6〜12のアリール基;ビニル基、1
−プロペニル基、アリル基、イソプロペニル基、2−ブ
テニル基、1,3−ブタジエニル基、2−ペンテニル基
等の炭素数2〜10のアルケニル基;またはシクロプロ
ピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭
素数3〜10のシクロアルキル基を表す。かかる炭素数
1〜20のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、
炭素数2〜10のアルケニル基および炭素数3〜10の
シクロアルキル基は、メトキシ基、エトキシ基、n−プ
ロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、te
rt−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチル
オキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ
基、n−オクチルオキシ基、n−デシルオキシ基等の炭
素数1〜10のアルコキシ基;メトキシメトキシ基、エ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエ
トキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ
基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メ
トキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数2〜
12のアルコキシアルコキシ基;メトキシメトキシメト
キシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキ
シメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシ
メトキシメトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エ
トキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ
基等の炭素数3〜15のアルコキシアルコキシアルコキ
シ基;アリルオキシ基;フェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ナフチル基等の炭素数6〜12のアリール基;フ
ェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフ
チルオキシ基等の炭素数6〜12のアリールオキシ基;
シアノ基;ニトロ基、ヒドロキシ基;テトラヒドロフリ
ル基;メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルア
ミノ基、n−プロピルスルホニルアミノ基、イソプロピ
ルスルホニルアミノ基、n−ブチルスルホニルアミノ
基、tert−ブチルスルホニルアミノ基、sec−ブ
チルスルホニルアミノ基、n−ペンチルスルホニルアミ
ノ基、n−ヘキシルスルホニルアミノ基等の炭素数1〜
6のアルキルスルホニルアミノ基;フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子;メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル
基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボ
ニル基、tert−ブトキシカルボニル基、sec−ブ
トキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル
基、n−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数2〜7
のアルコキシカルボニル基;メチルカルボニルオキシ
基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニ
ルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブ
チルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニル
オキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、n−ペ
ンチルカルボニルオキシ基、n−ヘキシルカルボニルオ
キシ基等の炭素数2〜7のアルキルカルボニルオキシ
基;メトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオ
キシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロ
ポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカルボニルオ
キシ基、tert−ブトキシカルボニルオキシ基、se
c−ブトキシカルボニルオキシ基、n−ペンチルオキシ
カルボニルオキシ基、n−ヘキシルオキシカルボニルオ
キシ基等の炭素数2〜7のアルコキシカルボニルオキシ
基等で置換されていてもよい。
2 は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていても
よい、アルキル基、アリール基、アルケニル基またはシ
クロアルキル基を表し、さらに詳しくは、R1 およびR
2 は、それぞれ独立して水素原子;メチル基、エチル
基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、
tert−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−オクタデシル
基等の炭素数1〜20のアルキル基、好ましくは炭素数
1〜10のアルキル基、より好ましくは炭素数1〜6の
アルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフ
チル基等の炭素数6〜12のアリール基;ビニル基、1
−プロペニル基、アリル基、イソプロペニル基、2−ブ
テニル基、1,3−ブタジエニル基、2−ペンテニル基
等の炭素数2〜10のアルケニル基;またはシクロプロ
ピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭
素数3〜10のシクロアルキル基を表す。かかる炭素数
1〜20のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、
炭素数2〜10のアルケニル基および炭素数3〜10の
シクロアルキル基は、メトキシ基、エトキシ基、n−プ
ロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、te
rt−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチル
オキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ
基、n−オクチルオキシ基、n−デシルオキシ基等の炭
素数1〜10のアルコキシ基;メトキシメトキシ基、エ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエ
トキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ
基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メ
トキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数2〜
12のアルコキシアルコキシ基;メトキシメトキシメト
キシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキ
シメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシ
メトキシメトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エ
トキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ
基等の炭素数3〜15のアルコキシアルコキシアルコキ
シ基;アリルオキシ基;フェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ナフチル基等の炭素数6〜12のアリール基;フ
ェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフ
チルオキシ基等の炭素数6〜12のアリールオキシ基;
シアノ基;ニトロ基、ヒドロキシ基;テトラヒドロフリ
ル基;メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルア
ミノ基、n−プロピルスルホニルアミノ基、イソプロピ
ルスルホニルアミノ基、n−ブチルスルホニルアミノ
基、tert−ブチルスルホニルアミノ基、sec−ブ
チルスルホニルアミノ基、n−ペンチルスルホニルアミ
ノ基、n−ヘキシルスルホニルアミノ基等の炭素数1〜
6のアルキルスルホニルアミノ基;フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子;メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル
基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボ
ニル基、tert−ブトキシカルボニル基、sec−ブ
トキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル
基、n−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数2〜7
のアルコキシカルボニル基;メチルカルボニルオキシ
基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニ
ルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブ
チルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニル
オキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、n−ペ
ンチルカルボニルオキシ基、n−ヘキシルカルボニルオ
キシ基等の炭素数2〜7のアルキルカルボニルオキシ
基;メトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオ
キシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロ
ポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカルボニルオ
キシ基、tert−ブトキシカルボニルオキシ基、se
c−ブトキシカルボニルオキシ基、n−ペンチルオキシ
カルボニルオキシ基、n−ヘキシルオキシカルボニルオ
キシ基等の炭素数2〜7のアルコキシカルボニルオキシ
基等で置換されていてもよい。
【0013】又、R1 ,R2 は環化して、炭化水素環ま
たは複素環を形成していてもよい。これらの中でも特に
炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。前記一般式
[I]において、Xで表わされるヒドロキシ基、カルボ
ン酸基、スルホン酸基の塩としては、Na+ ,Li+ ,
K+ 等の無機系の陽イオンもしくはP+ (フェニル),
N+ (C2 H5 ),N+ (C4 H9 (n))4 ,(フェ
ニル−N+ )(CH3 )3 等の有機系の陽イオン等のカ
チオンを表す。
たは複素環を形成していてもよい。これらの中でも特に
炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。前記一般式
[I]において、Xで表わされるヒドロキシ基、カルボ
ン酸基、スルホン酸基の塩としては、Na+ ,Li+ ,
K+ 等の無機系の陽イオンもしくはP+ (フェニル),
N+ (C2 H5 ),N+ (C4 H9 (n))4 ,(フェ
ニル−N+ )(CH3 )3 等の有機系の陽イオン等のカ
チオンを表す。
【0014】金属塩の金属は、配位子であるアゾ系化合
物とキレート化合物を形成する能力を有する金属であれ
ば特に制限されないが、ニッケル、コバルト、鉄、ルテ
ニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウム、イリ
ジウム、白金、ジルコニウム等の遷移元素が好ましく、
特にニッケル、コバルト、パラジウムが好ましい。環A
は置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、
アルキル基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリー
ルチオ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリール
基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、
カルバモイル基、アシル基、アシルアミノ基、スルファ
モイル基、スルフィン酸基、アミノ基、ヒドロキシル
基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、ビニル基等が挙
げられ、これらの置換基は更に置換基を有していてもよ
い。これらの置換基の中で好ましいものとしては、ヒド
ロキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換
基を有していてもよい、炭素数1〜25のアルキル基、
炭素数1〜25のアルコキシ基、炭素数1〜25のチオ
アルコキシ基、炭素数6〜30のアリールチオ基、炭素
数1〜25のアルキルスルファモイル基、炭素数6〜3
0のフェニルスルファモイル基、炭素数1〜25のアル
キルスルフィン酸基、炭素数6〜30のフェニルスルフ
ィン酸基、炭素数6〜30のピリジノアゾ基、炭素数2
〜26のエステル基、炭素数2〜26のアルキルカルバ
モイル基、炭素数6〜30のフェニルカルバモイル基、
炭素数2〜26のアシル基、炭素数1〜25のアシルア
ミノ基、−NR3 R4 (R3 およびR4 は、それぞれ独
立して、水素原子、置換基を有していてもよい、炭素数
1〜25のアルキル基またはフェニル基を表し、R3お
よびR4 は互いに結合して5員環もしくは6員環を形成
してもよい。)、−CR5 =C(CN)R6 (R5 は、
水素原子または炭素数1〜6のアルキル基を表し、R6
はシアノ基または炭素数2〜7のアルコキシカルボニル
基を表す。)等が挙げられ、より好ましくはハロゲン原
子等の置換基を有していてもよい、炭素数1〜10のア
ルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜
10のチオアルコキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。
物とキレート化合物を形成する能力を有する金属であれ
ば特に制限されないが、ニッケル、コバルト、鉄、ルテ
ニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウム、イリ
ジウム、白金、ジルコニウム等の遷移元素が好ましく、
特にニッケル、コバルト、パラジウムが好ましい。環A
は置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、
アルキル基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリー
ルチオ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリール
基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、
カルバモイル基、アシル基、アシルアミノ基、スルファ
モイル基、スルフィン酸基、アミノ基、ヒドロキシル
基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、ビニル基等が挙
げられ、これらの置換基は更に置換基を有していてもよ
い。これらの置換基の中で好ましいものとしては、ヒド
ロキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換
基を有していてもよい、炭素数1〜25のアルキル基、
炭素数1〜25のアルコキシ基、炭素数1〜25のチオ
アルコキシ基、炭素数6〜30のアリールチオ基、炭素
数1〜25のアルキルスルファモイル基、炭素数6〜3
0のフェニルスルファモイル基、炭素数1〜25のアル
キルスルフィン酸基、炭素数6〜30のフェニルスルフ
ィン酸基、炭素数6〜30のピリジノアゾ基、炭素数2
〜26のエステル基、炭素数2〜26のアルキルカルバ
モイル基、炭素数6〜30のフェニルカルバモイル基、
炭素数2〜26のアシル基、炭素数1〜25のアシルア
ミノ基、−NR3 R4 (R3 およびR4 は、それぞれ独
立して、水素原子、置換基を有していてもよい、炭素数
1〜25のアルキル基またはフェニル基を表し、R3お
よびR4 は互いに結合して5員環もしくは6員環を形成
してもよい。)、−CR5 =C(CN)R6 (R5 は、
水素原子または炭素数1〜6のアルキル基を表し、R6
はシアノ基または炭素数2〜7のアルコキシカルボニル
基を表す。)等が挙げられ、より好ましくはハロゲン原
子等の置換基を有していてもよい、炭素数1〜10のア
ルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜
10のチオアルコキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。
【0015】環Bは、−NR1 R2 基および−X基以外
に置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、
アルキル基、好ましくは炭素数1〜10のアルキル基;
アルコキシ基、好ましくは炭素数1〜10のアルコキシ
基;ハロゲン原子等が挙げられ、これらのアルキル基、
アルコキシ基等の置換基は更にハロゲン原子などの置換
基を有していてもよい。本発明における好ましい化合物
の一つの態様として、下記一般式[II]
に置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、
アルキル基、好ましくは炭素数1〜10のアルキル基;
アルコキシ基、好ましくは炭素数1〜10のアルコキシ
基;ハロゲン原子等が挙げられ、これらのアルキル基、
アルコキシ基等の置換基は更にハロゲン原子などの置換
基を有していてもよい。本発明における好ましい化合物
の一つの態様として、下記一般式[II]
【0016】
【化3】 (式中、Yは水素原子、無機系の陽イオン、有機系の陽
イオン等のカチオンを表わし、Zは水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子を表わす。)で示され
るモノアゾ化合物と金属塩との金属キレート化合物が挙
げられる。ここで、一般式[I]のモノアゾ化合物につ
いて、好ましい具体例を下記に示す。
イオン等のカチオンを表わし、Zは水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子を表わす。)で示され
るモノアゾ化合物と金属塩との金属キレート化合物が挙
げられる。ここで、一般式[I]のモノアゾ化合物につ
いて、好ましい具体例を下記に示す。
【0017】
【化4】
【0018】
【化5】
【0019】
【化6】
【0020】
【化7】
【0021】
【化8】
【0022】
【化9】
【0023】
【化10】
【0024】
【化11】
【0025】
【化12】
【0026】
【化13】
【0027】
【化14】
【0028】
【化15】
【0029】
【化16】
【0030】
【化17】
【0031】ここで、含金属アゾ化合物について、特に
好ましいR1 ,R2 、環Aの置換基、環Bの置換基(−
NR1 R2 基および−X基以外のもの)、Xおよび金属
塩の金属の組み合わせを表−1に示す。
好ましいR1 ,R2 、環Aの置換基、環Bの置換基(−
NR1 R2 基および−X基以外のもの)、Xおよび金属
塩の金属の組み合わせを表−1に示す。
【0032】
【表1】
【0033】含金属アゾ化合物は、単独あるいは数種類
を混合して用いてもよい。光吸収層に用いられる含金属
アゾ化合物以外の他の有機色素としては、シアニン系色
素、スクアリリウム系色素、クロコニウム系色素、アズ
レニウム系色素、トリアリールアミン系色素、アントラ
キノン系色素、ジチオール金属錯塩系色素、インドアニ
リン金属錯体色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシ
アニン系色素、分子間型CT色素などが用いられるが、
シアニン系色素、フタロシアニン系色素、その中でもシ
アニン系色素、特にインドレニン系シアニン色素が好ま
しく用いられる。
を混合して用いてもよい。光吸収層に用いられる含金属
アゾ化合物以外の他の有機色素としては、シアニン系色
素、スクアリリウム系色素、クロコニウム系色素、アズ
レニウム系色素、トリアリールアミン系色素、アントラ
キノン系色素、ジチオール金属錯塩系色素、インドアニ
リン金属錯体色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシ
アニン系色素、分子間型CT色素などが用いられるが、
シアニン系色素、フタロシアニン系色素、その中でもシ
アニン系色素、特にインドレニン系シアニン色素が好ま
しく用いられる。
【0034】含金属アゾ化合物以外の他の有機色素は、
それぞれ単独あるいは数種類を混合して用いてもよい。
光吸収層への含金属アゾ化合物の混合比率は5重量%以
上、より好ましくは10〜90重量%とするのが効果的
である。本発明の含金属アゾ化合物は通常の劣化防止剤
とは異なり、含金属アゾ化合物自体が光記録材料として
も良好な特性を有しているため、含金属アゾ化合物の配
合比を大きくしても記録再生特性の変化は少なく、有機
色素に固有の特性を損ねない利点を有している。
それぞれ単独あるいは数種類を混合して用いてもよい。
光吸収層への含金属アゾ化合物の混合比率は5重量%以
上、より好ましくは10〜90重量%とするのが効果的
である。本発明の含金属アゾ化合物は通常の劣化防止剤
とは異なり、含金属アゾ化合物自体が光記録材料として
も良好な特性を有しているため、含金属アゾ化合物の配
合比を大きくしても記録再生特性の変化は少なく、有機
色素に固有の特性を損ねない利点を有している。
【0035】光吸収層中には、前述した有機色素及び含
金属アゾ化合物以外に、有機色素に対する劣化防止剤、
バインダーなどを添加してもよい。光吸収層の形成法と
しては、被塗物を有機溶媒に溶解して前記透明基板上に
スピンコートする方法が好ましく用いられる。光反射層
には銀または銀合金の薄膜を用い、成膜にはスパッタリ
ング法、真空蒸着法などの手法が用いられるが、特にス
パッタリング法が好ましく用いられ、光反射層は、基板
面に対する入射角をθとしてθ−2θ法で測定したX線
回折スペクトルにおいて、(111)面によるX線回折
強度をI111 、(200)面によるX線回折強度をI
200 としたとき、I200 /I111 ≦0.2となるような
銀の多結晶薄膜とするのが好適である。光反射層の膜厚
は50〜200nmとするのが好ましい。銀合金薄膜を
光反射層に用いる場合、その合金組成は再生レーザー光
に対して高反射率のものであれば特に限定されないが、
耐食性向上のためにロジウム、パラジウム、白金、チタ
ン、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステ
ン、バナジウムなどの添加元素を5原子%以下の範囲で
含有させてもよい。
金属アゾ化合物以外に、有機色素に対する劣化防止剤、
バインダーなどを添加してもよい。光吸収層の形成法と
しては、被塗物を有機溶媒に溶解して前記透明基板上に
スピンコートする方法が好ましく用いられる。光反射層
には銀または銀合金の薄膜を用い、成膜にはスパッタリ
ング法、真空蒸着法などの手法が用いられるが、特にス
パッタリング法が好ましく用いられ、光反射層は、基板
面に対する入射角をθとしてθ−2θ法で測定したX線
回折スペクトルにおいて、(111)面によるX線回折
強度をI111 、(200)面によるX線回折強度をI
200 としたとき、I200 /I111 ≦0.2となるような
銀の多結晶薄膜とするのが好適である。光反射層の膜厚
は50〜200nmとするのが好ましい。銀合金薄膜を
光反射層に用いる場合、その合金組成は再生レーザー光
に対して高反射率のものであれば特に限定されないが、
耐食性向上のためにロジウム、パラジウム、白金、チタ
ン、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステ
ン、バナジウムなどの添加元素を5原子%以下の範囲で
含有させてもよい。
【0036】また、光反射層の保護層側の表面に対する
耐食性向上のためにトリアジンチオール系化合物、トリ
アジンアミン系化合物、メルカプトベンゾイミダゾール
系化合物、チオジプロピオン酸エステル系化合物、ジチ
オカルバミン酸塩から選ばれる少なくとも1種の化合物
による表面処理を施してもよい。光反射層上に形成する
保護層の材質としては、紫外線硬化樹脂、特にアクリル
系の紫外線硬化樹脂を用いるのが好適であり、スピンコ
ート法やスクリーン印刷法により厚み2〜20μmで塗
布した後、紫外線照射により硬化させて形成される。ま
た、紫外線硬化樹脂には、光反射層の保護層側の表面に
対する防食剤として、トリアジンチオール系化合物、ト
リアジンアミン系化合物、メルカプトベンゾイミダゾー
ル系化合物、チオジプロピオン酸エステル系化合物、ジ
チオカルバミン酸塩から選ばれる少なくとも1種の化合
物を含有させて用いてもよい。また、保護層の上には必
要に応じて第二の保護層やレーベル等の印刷層を設けて
もよい。
耐食性向上のためにトリアジンチオール系化合物、トリ
アジンアミン系化合物、メルカプトベンゾイミダゾール
系化合物、チオジプロピオン酸エステル系化合物、ジチ
オカルバミン酸塩から選ばれる少なくとも1種の化合物
による表面処理を施してもよい。光反射層上に形成する
保護層の材質としては、紫外線硬化樹脂、特にアクリル
系の紫外線硬化樹脂を用いるのが好適であり、スピンコ
ート法やスクリーン印刷法により厚み2〜20μmで塗
布した後、紫外線照射により硬化させて形成される。ま
た、紫外線硬化樹脂には、光反射層の保護層側の表面に
対する防食剤として、トリアジンチオール系化合物、ト
リアジンアミン系化合物、メルカプトベンゾイミダゾー
ル系化合物、チオジプロピオン酸エステル系化合物、ジ
チオカルバミン酸塩から選ばれる少なくとも1種の化合
物を含有させて用いてもよい。また、保護層の上には必
要に応じて第二の保護層やレーベル等の印刷層を設けて
もよい。
【0037】
【実施例】以下、実施例により本発明をより具体的に説
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。 実施例1 透明基板として、記録可能コンパクトディスク用に画期
的に蛇行したトラッキング溝を設けた直径120mm、
厚さ1.2mmのポリカーボネート基板を用いた。
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。 実施例1 透明基板として、記録可能コンパクトディスク用に画期
的に蛇行したトラッキング溝を設けた直径120mm、
厚さ1.2mmのポリカーボネート基板を用いた。
【0038】光吸収層は、下記構造式(1)で示される
含金属アゾ化合物を2.6重量%の濃度でテトラフルオ
ロプロパノールに溶解して、濾過した後、前記基板上に
スピンコート法により成膜した。色素塗布の後、色素層
中の溶媒を完全に蒸発させるために80℃のオーブン中
で10分間乾燥を行った。
含金属アゾ化合物を2.6重量%の濃度でテトラフルオ
ロプロパノールに溶解して、濾過した後、前記基板上に
スピンコート法により成膜した。色素塗布の後、色素層
中の溶媒を完全に蒸発させるために80℃のオーブン中
で10分間乾燥を行った。
【0039】
【化18】
【0040】次いで、光吸収層の上に光反射層として、
平均厚さ100nmの銀をDCマグネトロンスパッタ法
により形成した。さらに、光反射層の上に紫外線硬化剤
SD−318(大日本インキ化学(株)製)をスピンコ
ート法により3μmの厚さで塗布し、紫外線照射装置で
紫外線を照射して硬化させて、保護層を形成した。
平均厚さ100nmの銀をDCマグネトロンスパッタ法
により形成した。さらに、光反射層の上に紫外線硬化剤
SD−318(大日本インキ化学(株)製)をスピンコ
ート法により3μmの厚さで塗布し、紫外線照射装置で
紫外線を照射して硬化させて、保護層を形成した。
【0041】得られた記録可能コンパクトディスクにつ
いて、635nmの半導体レーザーでEFM信号の記録
及び初期特性評価を行ったところ良好であった。温度8
0℃、湿度90%の条件で500時間の高温高湿試験の
後に、ブロックエラーレートの変化を測定したところ、
わずかなエラーの増加が見られるだけであった。結果を
表−2に示した。
いて、635nmの半導体レーザーでEFM信号の記録
及び初期特性評価を行ったところ良好であった。温度8
0℃、湿度90%の条件で500時間の高温高湿試験の
後に、ブロックエラーレートの変化を測定したところ、
わずかなエラーの増加が見られるだけであった。結果を
表−2に示した。
【0042】なお、本評価で使用したドライブは、基本
的に現行のコンパクトディスク規格に基づいた評価可能
なドライブの光ヘッドのみを、635nmレーザーに変
更したものである。EFM信号変調方式等は現行コンパ
クトディスクと同様であり、ブロックエラーレートもこ
の変調方式にのっとって評価した。さらに、本コンパク
トディスクでは、クロック周波数及びトラックピッチを
あげることにより、現行のコンパクトディスクの約半分
のピッチ(0.8μm)、半分のマーク長でも良好な特
性が得られた。 実施例2 下記構造式(2)
的に現行のコンパクトディスク規格に基づいた評価可能
なドライブの光ヘッドのみを、635nmレーザーに変
更したものである。EFM信号変調方式等は現行コンパ
クトディスクと同様であり、ブロックエラーレートもこ
の変調方式にのっとって評価した。さらに、本コンパク
トディスクでは、クロック周波数及びトラックピッチを
あげることにより、現行のコンパクトディスクの約半分
のピッチ(0.8μm)、半分のマーク長でも良好な特
性が得られた。 実施例2 下記構造式(2)
【0043】
【化19】
【0044】で示される含金属アゾ化合物を1.3重量
%の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して塗布
液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可
能なコンパクトディスクを作製した。得られたディスク
について、実施例1と同様に試験したところ、650n
mの半導体レーザーで、EFM信号の記録及び初期特性
評価は良好であった。また、実施例1と同様に試験を行
ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであ
った。結果を表−2に示した。 実施例3 下記構造式(3)
%の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して塗布
液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可
能なコンパクトディスクを作製した。得られたディスク
について、実施例1と同様に試験したところ、650n
mの半導体レーザーで、EFM信号の記録及び初期特性
評価は良好であった。また、実施例1と同様に試験を行
ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであ
った。結果を表−2に示した。 実施例3 下記構造式(3)
【0045】
【化20】
【0046】で示される含金属アゾ化合物を1.3重量
%の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して塗布
液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可
能なコンパクトディスクを作製した。得られたディスク
について、実施例1と同様に試験したところ、650n
mの半導体レーザーで、EFM信号の記録及び初期特性
評価は良好であった。また、実施例1と同様に試験を行
ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであ
った。結果を表−2に示した。 実施例4 下記構造式(4)
%の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して塗布
液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可
能なコンパクトディスクを作製した。得られたディスク
について、実施例1と同様に試験したところ、650n
mの半導体レーザーで、EFM信号の記録及び初期特性
評価は良好であった。また、実施例1と同様に試験を行
ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであ
った。結果を表−2に示した。 実施例4 下記構造式(4)
【0047】
【化21】
【0048】で示される含金属アゾ化合物を1.3重量
%の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗布
液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可
能なコンパクトディスクを作製した。得られたディスク
について、実施例1と同様に試験したところ、635n
mの半導体レーザーで、EFM信号の記録及び初期特性
評価は良好であった。また、実施例1と同様に試験を行
ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであ
った。結果を表−2に示した。 実施例5 下記構造式(5)
%の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗布
液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可
能なコンパクトディスクを作製した。得られたディスク
について、実施例1と同様に試験したところ、635n
mの半導体レーザーで、EFM信号の記録及び初期特性
評価は良好であった。また、実施例1と同様に試験を行
ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであ
った。結果を表−2に示した。 実施例5 下記構造式(5)
【0049】
【化22】
【0050】で示される含金属アゾ化合物を1.3重量
%の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗布
液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可
能なコンパクトディスクを作製した。得られたディスク
について、実施例1と同様に試験したところ、650n
mの半導体レーザーで、EFM信号の記録及び初期特性
評価は良好であった。また、実施例1と同様に試験を行
ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであ
った。結果を表−2に示した。 実施例6 下記構造式(6)
%の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗布
液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可
能なコンパクトディスクを作製した。得られたディスク
について、実施例1と同様に試験したところ、650n
mの半導体レーザーで、EFM信号の記録及び初期特性
評価は良好であった。また、実施例1と同様に試験を行
ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであ
った。結果を表−2に示した。 実施例6 下記構造式(6)
【0051】
【化23】
【0052】で示される含金属アゾ化合物を1.3重量
%の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して塗布
液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可
能なコンパクトディスクを作製した。得られたディスク
について、実施例1と同様に試験したところ、635n
mの半導体レーザーで、EFM信号の記録及び初期特性
評価は良好であった。また、実施例1と同様に試験を行
ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであ
った。結果を表−2に示した。
%の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して塗布
液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可
能なコンパクトディスクを作製した。得られたディスク
について、実施例1と同様に試験したところ、635n
mの半導体レーザーで、EFM信号の記録及び初期特性
評価は良好であった。また、実施例1と同様に試験を行
ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであ
った。結果を表−2に示した。
【0053】実施例7 下記構造式(7)で示されるシアニン系色素及び前記構
造式(1)で示される含金属アゾ化合物を重量比1:1
で混合した後、該混合物を2.4重量%の濃度でテトラ
フルオロプロパノールに溶解して塗布液を調製したこと
以外は、実施例1と同様にして記録可能コンパクトディ
スクを作製した。
造式(1)で示される含金属アゾ化合物を重量比1:1
で混合した後、該混合物を2.4重量%の濃度でテトラ
フルオロプロパノールに溶解して塗布液を調製したこと
以外は、実施例1と同様にして記録可能コンパクトディ
スクを作製した。
【0054】
【化24】
【0055】得られたディスクについて、実施例1と同
様に試験したところ、635nmの半導体レーザーで、
EFM信号の記録及び初期特性評価は良好であった。ま
た、実施例1と同様に試験を行ったところ、わずかなエ
ラーの増加が見られるだけであった。結果を表−2に示
した。
様に試験したところ、635nmの半導体レーザーで、
EFM信号の記録及び初期特性評価は良好であった。ま
た、実施例1と同様に試験を行ったところ、わずかなエ
ラーの増加が見られるだけであった。結果を表−2に示
した。
【0056】実施例8 下記構造式(8)で示されるシアニン系色素及び前記構
造式(4)で示される含金属アゾ化合物を重量比1:1
で混合した後、該混合物を1.3重量%の濃度でテトラ
フルオロプロパノールに溶解して塗布液を調製したこと
以外は、実施例1と同様にして記録可能コンパクトディ
スクを作製した。
造式(4)で示される含金属アゾ化合物を重量比1:1
で混合した後、該混合物を1.3重量%の濃度でテトラ
フルオロプロパノールに溶解して塗布液を調製したこと
以外は、実施例1と同様にして記録可能コンパクトディ
スクを作製した。
【0057】
【化25】
【0058】得られたディスクについて、実施例1と同
様に試験したところ、635nmの半導体レーザーで、
EFM信号の記録及び初期特性評価は良好であった。ま
た、実施例1と同様に試験を行ったところ、わずかなエ
ラーの増加が見られるだけであった。結果を表−2に示
した。
様に試験したところ、635nmの半導体レーザーで、
EFM信号の記録及び初期特性評価は良好であった。ま
た、実施例1と同様に試験を行ったところ、わずかなエ
ラーの増加が見られるだけであった。結果を表−2に示
した。
【0059】実施例9 下記構造式(9)で示されるシアニン系色素及び前記構
造式(5)で示される含金属アゾ化合物を重量比1:1
で混合した後、該混合物を1.3重量%の濃度でテトラ
フルオロプロパノールに溶解して塗布液を調製したこと
以外は、実施例1と同様にして記録可能コンパクトディ
スクを作製した。
造式(5)で示される含金属アゾ化合物を重量比1:1
で混合した後、該混合物を1.3重量%の濃度でテトラ
フルオロプロパノールに溶解して塗布液を調製したこと
以外は、実施例1と同様にして記録可能コンパクトディ
スクを作製した。
【0060】
【化26】
【0061】得られたディスクについて、実施例1と同
様に試験したところ、650nmの半導体レーザーで、
EFM信号の記録及び初期特性評価は良好であった。ま
た、実施例1と同様に試験を行ったところ、わずかなエ
ラーの増加が見られるだけであった。結果を表−2に示
した。
様に試験したところ、650nmの半導体レーザーで、
EFM信号の記録及び初期特性評価は良好であった。ま
た、実施例1と同様に試験を行ったところ、わずかなエ
ラーの増加が見られるだけであった。結果を表−2に示
した。
【0062】実施例10 下記構造式(10)で示されるシアニン系色素、下記構
造式(11)で示されるジチオールニッケル錯塩系色素
及び前記構造式(1)で示される含金属アゾ化合物を重
量比6:1:3で混合した後、該混合物を2.4重量%
の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗布液
を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可能
コンパクトディスクの作製を行った。
造式(11)で示されるジチオールニッケル錯塩系色素
及び前記構造式(1)で示される含金属アゾ化合物を重
量比6:1:3で混合した後、該混合物を2.4重量%
の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗布液
を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可能
コンパクトディスクの作製を行った。
【0063】
【化27】
【0064】得られたディスクについて、実施例1と同
様に試験したところ、635nmの半導体レーザーで、
EFM信号の記録及び初期特性評価は良好であった。ま
た、実施例1と同様に試験を行ったところ、わずかなエ
ラーの増加が見られるだけであった。結果を表−2に示
した。
様に試験したところ、635nmの半導体レーザーで、
EFM信号の記録及び初期特性評価は良好であった。ま
た、実施例1と同様に試験を行ったところ、わずかなエ
ラーの増加が見られるだけであった。結果を表−2に示
した。
【0065】比較例1 前記構造式(7)で示されるシアニン系色素を2.4重
量%の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗
布液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録
可能コンパクトディスクの作製を行った。得られたディ
スクについて、実施例1と同様に試験を行ったところ、
大きなエラーの増加が見られた。結果を表−2に示し
た。
量%の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗
布液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録
可能コンパクトディスクの作製を行った。得られたディ
スクについて、実施例1と同様に試験を行ったところ、
大きなエラーの増加が見られた。結果を表−2に示し
た。
【0066】比較例2 前記構造式(10)で示されるシアニン系色素及び前記
構造式(11)で示されるジチオールニッケル錯塩系色
素を重量比6:1で混合した後、該混合物を2.4重量
%の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗布
液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可
能コンパクトディスクの作製を行った。得られたディス
クについて、実施例1と同様に試験を行ったところ、大
きなエラーの増加が見られた。結果を表−2に示した。
構造式(11)で示されるジチオールニッケル錯塩系色
素を重量比6:1で混合した後、該混合物を2.4重量
%の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗布
液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録可
能コンパクトディスクの作製を行った。得られたディス
クについて、実施例1と同様に試験を行ったところ、大
きなエラーの増加が見られた。結果を表−2に示した。
【0067】比較例3 前記構造式(8)で示されるシアニン系色素を1.3重
量%の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗
布液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録
可能コンパクトディスクの作製を行った。得られたディ
スクについて、実施例1と同様に試験を行ったところ、
大きなエラーの増加が見られた。結果を表−2に示し
た。
量%の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗
布液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして記録
可能コンパクトディスクの作製を行った。得られたディ
スクについて、実施例1と同様に試験を行ったところ、
大きなエラーの増加が見られた。結果を表−2に示し
た。
【0068】参考例 実施例1〜10、比較例1〜3のそれぞれにおいて、光
反射層の材質を金としたこと以外は同様にして記録可能
コンパクトディスクの作製を行った。得られたディスク
について、それぞれ実施例1と同様に試験を行った。結
果を表−2の中で各実施例及び比較例に対応させて示し
た。
反射層の材質を金としたこと以外は同様にして記録可能
コンパクトディスクの作製を行った。得られたディスク
について、それぞれ実施例1と同様に試験を行った。結
果を表−2の中で各実施例及び比較例に対応させて示し
た。
【0069】
【表2】
【0070】表−2により次のことが明らかである。比
較例1〜3では高温高湿試験後に、光反射層の腐食に基
づく多大なブロックエラーの増加が見られている。これ
に対して、本発明を適用した実施例1〜10では、高温
高湿試験後においても、ブロックエラーの増加が少な
く、金を光反射層として用いた参考例の場合と同等のデ
ィスク信頼性が得られている。本発明による光記録媒体
は、EFM変調方式の他に、短波長(700〜600n
m)レーザーを用いた高密度でのマーク長記録全般に適
用可能である。
較例1〜3では高温高湿試験後に、光反射層の腐食に基
づく多大なブロックエラーの増加が見られている。これ
に対して、本発明を適用した実施例1〜10では、高温
高湿試験後においても、ブロックエラーの増加が少な
く、金を光反射層として用いた参考例の場合と同等のデ
ィスク信頼性が得られている。本発明による光記録媒体
は、EFM変調方式の他に、短波長(700〜600n
m)レーザーを用いた高密度でのマーク長記録全般に適
用可能である。
【0071】
【発明の効果】本発明によれば、耐久性に優れた高信頼
性光記録媒体が低コストで製造可能となるため、工業上
非常に有用である。
性光記録媒体が低コストで製造可能となるため、工業上
非常に有用である。
Claims (2)
- 【請求項1】 透明基板上に光吸収層、光反射層および
保護層を順次積層してなる光記録媒体において、該光吸
収層が下記一般式[I]で示されるアゾ化合物と金属塩
から形成される含金属アゾ化合物を含有し、かつ該光反
射層が銀または銀合金の薄膜よりなることを特徴とする
光記録媒体。 【化1】 (式中、R1 およびR2 はそれぞれ独立して、水素原
子、置換されていてもよい、アルキル基、アリール基、
アルケニル基またはシクロアルキル基を表わし、R 1 と
R2 は環化して炭化水素環または複素環を形成していて
もよい。環Aおよび環Bは置換基を有していてもよい。
Xはヒドロキシ基、カルボン酸基、スルホン酸基または
これらの塩を表わす。) - 【請求項2】 光吸収層が、含金属アゾ化合物以外の他
の有機色素としてシアニン系色素を含有する請求項1に
記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7139459A JPH08332772A (ja) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7139459A JPH08332772A (ja) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08332772A true JPH08332772A (ja) | 1996-12-17 |
Family
ID=15245720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7139459A Pending JPH08332772A (ja) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08332772A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998029257A1 (fr) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| EP0849727A3 (en) * | 1996-12-18 | 1998-08-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording disk |
| WO2001078993A1 (en) * | 2000-04-17 | 2001-10-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium |
| US6737143B2 (en) | 2001-06-14 | 2004-05-18 | Ricoh Company Ltd. | Optical recording medium, optical recording method and optical recording device |
| US6936323B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-08-30 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and method and device using the same |
| JP2006021543A (ja) * | 2005-09-20 | 2006-01-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光情報記録媒体及び情報の記録方法 |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7572517B2 (en) | 2002-07-08 | 2009-08-11 | Target Technology Company, Llc | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
-
1995
- 1995-06-06 JP JP7139459A patent/JPH08332772A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849727A3 (en) * | 1996-12-18 | 1998-08-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording disk |
| WO1998029257A1 (fr) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7384677B2 (en) | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7291374B2 (en) | 1998-06-22 | 2007-11-06 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6794114B2 (en) | 2000-04-17 | 2004-09-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium |
| WO2001078993A1 (en) * | 2000-04-17 | 2001-10-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6737143B2 (en) | 2001-06-14 | 2004-05-18 | Ricoh Company Ltd. | Optical recording medium, optical recording method and optical recording device |
| US7572517B2 (en) | 2002-07-08 | 2009-08-11 | Target Technology Company, Llc | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6936323B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-08-30 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and method and device using the same |
| JP2006021543A (ja) * | 2005-09-20 | 2006-01-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光情報記録媒体及び情報の記録方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5633106A (en) | Optical recording media and a method of recording and reproducing information | |
| JP2000108513A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08332772A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2699120B2 (ja) | 情報記録媒体および光情報記録方法 | |
| JP2000057627A (ja) | 光反射膜及びそれを用いた光記録媒体 | |
| JPH07105575A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH1058828A (ja) | 光記録媒体 | |
| KR100201210B1 (ko) | 광기록 매체 | |
| KR100204455B1 (ko) | 광기록매체 | |
| JP3648823B2 (ja) | 光学記録媒体及び情報記録方法 | |
| JP2657579B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2686841B2 (ja) | 情報記録媒体及び光情報記録方法 | |
| JPH08295811A (ja) | 金属キレート化合物およびそれを用いた光学的記録媒体 | |
| JP3135100B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| EP0895230B1 (en) | Optical information recording medium | |
| JPH09245373A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08108625A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3371487B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4313085B2 (ja) | 追記型光記録媒体 | |
| JPH10856A (ja) | 光記録媒体 | |
| TW518590B (en) | Azo compound containing metal and optical recording medium using the compound | |
| JPH07262604A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2007044995A (ja) | 光記録媒体及びアゾ系金属キレート色素添加剤 | |
| JPH07254167A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08108623A (ja) | 光記録媒体 |