JPH09260797A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH09260797A JPH09260797A JP9328496A JP9328496A JPH09260797A JP H09260797 A JPH09260797 A JP H09260797A JP 9328496 A JP9328496 A JP 9328496A JP 9328496 A JP9328496 A JP 9328496A JP H09260797 A JPH09260797 A JP H09260797A
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- insulating layer
- signal line
- wiring board
- line
- characteristic impedance
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、実装対象となる電子部品の電気特性
を劣化することを防止し得る配線基板を実現しようとす
るものである。 【解決手段】絶縁層の一面に所定パターンで信号線が形
成されると共に当該絶縁層の他面に導電層が形成されて
なる配線基板において、信号線のうち特性インピーダン
スが不整合となる線路部分と対向する絶縁層の所定位置
に、当該絶縁層の他の部分よりも比誘電率が低い空間領
域を設けたことにより、実装対象となる電子部品の電気
特性を劣化することを防止し得る配線基板を実現するこ
とができる。
を劣化することを防止し得る配線基板を実現しようとす
るものである。 【解決手段】絶縁層の一面に所定パターンで信号線が形
成されると共に当該絶縁層の他面に導電層が形成されて
なる配線基板において、信号線のうち特性インピーダン
スが不整合となる線路部分と対向する絶縁層の所定位置
に、当該絶縁層の他の部分よりも比誘電率が低い空間領
域を設けたことにより、実装対象となる電子部品の電気
特性を劣化することを防止し得る配線基板を実現するこ
とができる。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図５（Ａ）及び（Ｂ）） 発明が解決しようとする課題（図５（Ｂ）） 課題を解決するための手段 発明の実施の形態 （１）第１実施例（図１（Ａ）及び（Ｂ）） （２）第２実施例（図２（Ａ）及び（Ｂ）） （３）第３実施例（図３（Ａ）〜図４（Ｂ）） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は配線基板に関し、例
えば高周波回路用の配線基板に適用して好適なものであ
る。
えば高周波回路用の配線基板に適用して好適なものであ
る。
【０００３】
【従来の技術】従来、この種の配線基板の一つとして図
５（Ａ）及び（Ｂ）のように構成されたものがある。す
なわちこの配線基板１では、アース接地された導電層２
上に、例えばガラスエポキシ等の所定の比誘電率でなる
絶縁層３が積層され、当該絶縁層３上には、高周波回路
用の信号線４が所定の配線状態で配設されると共に、レ
ジスト５が一面及び信号線４上に塗布されている。さら
にレジスト４を介して絶縁層３と同じ材料でなる絶縁層
６が積層されている。
５（Ａ）及び（Ｂ）のように構成されたものがある。す
なわちこの配線基板１では、アース接地された導電層２
上に、例えばガラスエポキシ等の所定の比誘電率でなる
絶縁層３が積層され、当該絶縁層３上には、高周波回路
用の信号線４が所定の配線状態で配設されると共に、レ
ジスト５が一面及び信号線４上に塗布されている。さら
にレジスト４を介して絶縁層３と同じ材料でなる絶縁層
６が積層されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、配線基板１
に配設された信号線４が分岐した場合、当該分岐した線
路部分（以下、これを分岐線路部と呼ぶ）４Ａにおいて
信号線４の特性インピーダンスが急激に下がることとな
る。
に配設された信号線４が分岐した場合、当該分岐した線
路部分（以下、これを分岐線路部と呼ぶ）４Ａにおいて
信号線４の特性インピーダンスが急激に下がることとな
る。
【０００５】図５（Ｂ）において、この信号線４の特性
インピーダンスＺ0 は、信号線４の単位長さ当たりの抵
抗をＲとし、信号線４の単位長さ当たりのインダクタン
スをＬとし、導電層２及び単位長さ当たりの信号線４で
形成されるコンデンサの静電容量Ｃとしたとき、次式
インピーダンスＺ0 は、信号線４の単位長さ当たりの抵
抗をＲとし、信号線４の単位長さ当たりのインダクタン
スをＬとし、導電層２及び単位長さ当たりの信号線４で
形成されるコンデンサの静電容量Ｃとしたとき、次式
【数１】 で表される。さらに式（１）は、次式
【数２】 のように近似式として表される。この場合、導電層２及
び単位長さ当たりの信号線４で形成されるコンデンサの
静電容量Ｃは、信号線４及び導電層２間の距離をｄと
し、信号線４の単位長さ当たりの面積をＳとし、信号線
４及び導電層２間の誘電体によつて決定される比誘電率
をεr とし、さらに真空及び物質の誘電率をそれぞれε
O 及びεとして、次式
び単位長さ当たりの信号線４で形成されるコンデンサの
静電容量Ｃは、信号線４及び導電層２間の距離をｄと
し、信号線４の単位長さ当たりの面積をＳとし、信号線
４及び導電層２間の誘電体によつて決定される比誘電率
をεr とし、さらに真空及び物質の誘電率をそれぞれε
O 及びεとして、次式
【数３】 で表される。これにより信号線４の特性インピーダンス
Ｚ0 は、比誘電率εr が高くなるにつれて下がることが
わかる。
Ｚ0 は、比誘電率εr が高くなるにつれて下がることが
わかる。
【０００６】ここで、一般的に、特性インピーダンスが
同じでなる線路の長さ方向にわずかでも構造上の不均一
があつて当該線路に信号が伝送されると、当該線路の構
造が不均一な部分で特性インピーダンスが変化する。ま
た、特性インピーダンスの異なるいくつかの線路を継続
接続した複合線路に信号が伝送されると、当該各線路の
接続点で特性インピーダンスが不連続となる。これら特
性インピーダンスが不整合となる線路部分では、信号の
一部又は全部が逆方向に伝送される現象（以下、これを
反射と呼ぶ）が生じる。
同じでなる線路の長さ方向にわずかでも構造上の不均一
があつて当該線路に信号が伝送されると、当該線路の構
造が不均一な部分で特性インピーダンスが変化する。ま
た、特性インピーダンスの異なるいくつかの線路を継続
接続した複合線路に信号が伝送されると、当該各線路の
接続点で特性インピーダンスが不連続となる。これら特
性インピーダンスが不整合となる線路部分では、信号の
一部又は全部が逆方向に伝送される現象（以下、これを
反射と呼ぶ）が生じる。
【０００７】従つて、信号線４のうち分岐線路部４Ａで
は反射が生じることとなり、当該分岐線路部４Ａにおけ
る信号線４の信号波形が歪んだ結果、配線基板１上に実
装された電子部品（図示せず）の電気特性が劣化すると
いう問題があつた。また配線基板１に配設された信号線
４の特性インピーダンスは、配線基板１内の絶縁層及び
導電層における各層構造や、信号線４の物理的形状等に
よつて決定される性質を有することから、信号線４の特
性インピーダンスに不整合が生じた結果、反射が生じる
おそれがあつた。
は反射が生じることとなり、当該分岐線路部４Ａにおけ
る信号線４の信号波形が歪んだ結果、配線基板１上に実
装された電子部品（図示せず）の電気特性が劣化すると
いう問題があつた。また配線基板１に配設された信号線
４の特性インピーダンスは、配線基板１内の絶縁層及び
導電層における各層構造や、信号線４の物理的形状等に
よつて決定される性質を有することから、信号線４の特
性インピーダンスに不整合が生じた結果、反射が生じる
おそれがあつた。
【０００８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、実装対象となる電子部品の電気特性を劣化すること
を防止し得る配線基板を提案しようとするものである。
で、実装対象となる電子部品の電気特性を劣化すること
を防止し得る配線基板を提案しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、絶縁層の一面に所定パターンで信
号線が形成されると共に、絶縁層の他面に導電層が形成
されてなる配線基板において、信号線のうち特性インピ
ーダンスが不整合となる線路部分と対向する絶縁層の所
定位置に、当該絶縁層の他の部分よりも比誘電率が低い
空間領域を備えるようにする。
め本発明においては、絶縁層の一面に所定パターンで信
号線が形成されると共に、絶縁層の他面に導電層が形成
されてなる配線基板において、信号線のうち特性インピ
ーダンスが不整合となる線路部分と対向する絶縁層の所
定位置に、当該絶縁層の他の部分よりも比誘電率が低い
空間領域を備えるようにする。
【００１０】このように、信号線のうち特性インピーダ
ンスが不整合となる線路部分と対向する絶縁層の所定位
置に、当該絶縁層の他の部分よりも比誘電率が低い空間
領域を設けるようにしたことにより、信号線全体として
特性インピーダンスに不整合が生じるのを防止し得、こ
の結果信号線のうち特性インピーダンスが不整合となる
線路部分で反射が生じるのを防止し得、かくして当該線
路部分における信号線の信号波形が歪むのを防止するこ
とができる。
ンスが不整合となる線路部分と対向する絶縁層の所定位
置に、当該絶縁層の他の部分よりも比誘電率が低い空間
領域を設けるようにしたことにより、信号線全体として
特性インピーダンスに不整合が生じるのを防止し得、こ
の結果信号線のうち特性インピーダンスが不整合となる
線路部分で反射が生じるのを防止し得、かくして当該線
路部分における信号線の信号波形が歪むのを防止するこ
とができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１２】（１）第１実施例 図５（Ａ）及び（Ｂ）との対応部分に同一符号を付して
示す図１（Ａ）及び（Ｂ）において、配線基板１０は導
電層２上に積層された絶縁層３の形状が異なることを除
いて、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板１と同様の
構成からなる。
示す図１（Ａ）及び（Ｂ）において、配線基板１０は導
電層２上に積層された絶縁層３の形状が異なることを除
いて、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示す配線基板１と同様の
構成からなる。
【００１３】すなわち図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すよう
に、配線基板１０の導電層２上に積層された絶縁層３に
おいて、信号線４の分岐線路部４Ａに対向する所定位置
には、当該絶縁層３が取り除かれている空隙部（以下、
これを絶縁層未形成部と呼ぶ）３Ａが略Ｌ字状に形成さ
れている。この絶縁層未形成部３Ａは、配線基板１０の
製造時において絶縁層３を形成する際にドリル加工又は
エツチング加工等によつて予め形成しておくようになさ
れている。
に、配線基板１０の導電層２上に積層された絶縁層３に
おいて、信号線４の分岐線路部４Ａに対向する所定位置
には、当該絶縁層３が取り除かれている空隙部（以下、
これを絶縁層未形成部と呼ぶ）３Ａが略Ｌ字状に形成さ
れている。この絶縁層未形成部３Ａは、配線基板１０の
製造時において絶縁層３を形成する際にドリル加工又は
エツチング加工等によつて予め形成しておくようになさ
れている。
【００１４】因みに実施例の場合、信号線４はその線幅
ｗ2 が 200〔μm 〕及びその厚みが35〔μm 〕としたと
き、厚みが 100〔μm 〕でなる絶縁層３において、絶縁
層未形成部３Ａの幅ｗ1 は 150〔μm 〕に形成されてい
る。すなわち絶縁層未形成部３Ａの幅ｗ1 は、信号線４
の線幅ｗ2 の約75〔％〕となる。また絶縁層３は、比誘
電率が４〜５程度でなる例えばガラス布基材エポキシ樹
脂等の積層板から成形されている。
ｗ2 が 200〔μm 〕及びその厚みが35〔μm 〕としたと
き、厚みが 100〔μm 〕でなる絶縁層３において、絶縁
層未形成部３Ａの幅ｗ1 は 150〔μm 〕に形成されてい
る。すなわち絶縁層未形成部３Ａの幅ｗ1 は、信号線４
の線幅ｗ2 の約75〔％〕となる。また絶縁層３は、比誘
電率が４〜５程度でなる例えばガラス布基材エポキシ樹
脂等の積層板から成形されている。
【００１５】以上の構成において、信号線４の分岐線路
部４Ａに対向して絶縁層３に形成された絶縁層未形成部
３Ａは、空隙でなるため比誘電率４〜５でなる絶縁層３
よりも比誘電率が低くなることから、上述した式（２）
及び（３）に基づいて、信号線４のうち分岐線路部４Ａ
における特性インピーダンスは高くなる。
部４Ａに対向して絶縁層３に形成された絶縁層未形成部
３Ａは、空隙でなるため比誘電率４〜５でなる絶縁層３
よりも比誘電率が低くなることから、上述した式（２）
及び（３）に基づいて、信号線４のうち分岐線路部４Ａ
における特性インピーダンスは高くなる。
【００１６】実験結果によれば、信号線４のうち分岐線
路部４Ａ以外の信号線４の特性インピーダンスが約44
〔Ω〕でなるのに対して、信号線４のうち分岐線路部４
Ａの特性インピーダンスは約83〔Ω〕と２倍近く高くな
る。このため分岐線路部４Ａにおける二股に分岐した部
分の各特性インピーダンスは半分の約41.5〔Ω〕とな
る。従つて、信号線４全体として特性インピーダンスに
不整合が生じなくなることにより、信号線４のうち絶縁
層未形成部３Ａに相当する分岐線路部４Ａで反射が生じ
るのを防止することができる。
路部４Ａ以外の信号線４の特性インピーダンスが約44
〔Ω〕でなるのに対して、信号線４のうち分岐線路部４
Ａの特性インピーダンスは約83〔Ω〕と２倍近く高くな
る。このため分岐線路部４Ａにおける二股に分岐した部
分の各特性インピーダンスは半分の約41.5〔Ω〕とな
る。従つて、信号線４全体として特性インピーダンスに
不整合が生じなくなることにより、信号線４のうち絶縁
層未形成部３Ａに相当する分岐線路部４Ａで反射が生じ
るのを防止することができる。
【００１７】以上の構成によれば、配線基板１０におい
て、信号線４の分岐線路部４Ａに対向する所定位置に絶
縁層未形成部３Ａを形成するようにしたことにより、信
号線４のうち絶縁層未形成部３Ａに対向する分岐線路部
４Ａで反射が生じるのを防止し得、この結果当該分岐線
路部４Ａにおける信号線４の信号波形が歪むのを防止す
ることができる。かくして配線基板１０上に実装された
電子部品（図示せず）の電気特性が劣化するのを防止し
得る。
て、信号線４の分岐線路部４Ａに対向する所定位置に絶
縁層未形成部３Ａを形成するようにしたことにより、信
号線４のうち絶縁層未形成部３Ａに対向する分岐線路部
４Ａで反射が生じるのを防止し得、この結果当該分岐線
路部４Ａにおける信号線４の信号波形が歪むのを防止す
ることができる。かくして配線基板１０上に実装された
電子部品（図示せず）の電気特性が劣化するのを防止し
得る。
【００１８】（２）第２実施例 図１（Ａ）及び（Ｂ）との対応部分に同一符号を付して
示す図２（Ａ）及び（Ｂ）において、配線基板２０は、
配線基板１０における絶縁層未形成部３Ａに所定の比誘
電率を有する誘電部２１を形成したことを除いて、当該
配線基板１０と同様の構成からなる。この誘電部２１
は、既に形成されている絶縁層３から絶縁層未形成部３
Ａに相当する部分を取り除いた後、当該絶縁層未形成部
３Ａに埋め込むことにより形成される。
示す図２（Ａ）及び（Ｂ）において、配線基板２０は、
配線基板１０における絶縁層未形成部３Ａに所定の比誘
電率を有する誘電部２１を形成したことを除いて、当該
配線基板１０と同様の構成からなる。この誘電部２１
は、既に形成されている絶縁層３から絶縁層未形成部３
Ａに相当する部分を取り除いた後、当該絶縁層未形成部
３Ａに埋め込むことにより形成される。
【００１９】この場合、誘電部２１は、信号線４のうち
分岐線路部４Ａの特性インピーダンスが当該分岐線路部
４Ａ以外の信号線４の特性インピーダンスよりも２倍程
度高くなるように、絶縁層３よりも比誘電率が低い材質
のものが選定されている。因みに一般的に、誘電部２１
として用いられる材質のうち比誘電率４〜５程度でなる
ガラス布基材エポキシ樹脂よりも比較的比誘電率が低い
材質としては、テフロン（比誘電率 2.1）、天然ゴム
（比誘電率 2.91 ）、ブナＳ（比誘電率 2.91 ）、ポリ
エチレン（比誘電率 2.25 ）等がある。
分岐線路部４Ａの特性インピーダンスが当該分岐線路部
４Ａ以外の信号線４の特性インピーダンスよりも２倍程
度高くなるように、絶縁層３よりも比誘電率が低い材質
のものが選定されている。因みに一般的に、誘電部２１
として用いられる材質のうち比誘電率４〜５程度でなる
ガラス布基材エポキシ樹脂よりも比較的比誘電率が低い
材質としては、テフロン（比誘電率 2.1）、天然ゴム
（比誘電率 2.91 ）、ブナＳ（比誘電率 2.91 ）、ポリ
エチレン（比誘電率 2.25 ）等がある。
【００２０】以上の構成によれば、配線基板２０におい
て、信号線４の分岐線路部４Ａに対向する所定位置に絶
縁層３よりも比誘電率が低い誘電部２１を形成するよう
にしたことにより、信号線４のうち誘電部２１に対向す
る分岐線路部４Ａで反射が生じるのを防止し得、この結
果当該分岐線路部４Ａにおける信号線４の信号波形が歪
むのを防止することができる。かくして配線基板２０上
に実装された電子部品（図示せず）の電気特性が劣化す
るのを防止し得る。
て、信号線４の分岐線路部４Ａに対向する所定位置に絶
縁層３よりも比誘電率が低い誘電部２１を形成するよう
にしたことにより、信号線４のうち誘電部２１に対向す
る分岐線路部４Ａで反射が生じるのを防止し得、この結
果当該分岐線路部４Ａにおける信号線４の信号波形が歪
むのを防止することができる。かくして配線基板２０上
に実装された電子部品（図示せず）の電気特性が劣化す
るのを防止し得る。
【００２１】（３）他の実施例 なお第１実施例においては、信号線４が分岐してなる分
岐線路部４Ａに対向する所定位置に絶縁層未形成部３Ａ
を形成するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、図１（Ａ）及び（Ｂ）との対応部分に同
一符号を付して示す図３（Ａ）及び（Ｂ）において、信
号線３１が分岐しない線路部分（以下、これを直状線路
部と呼ぶ）３１Ａに対向する所定位置に絶縁層未形成部
３Ｂを形成するようにしても上述の場合と同様の効果を
得ることができる。
岐線路部４Ａに対向する所定位置に絶縁層未形成部３Ａ
を形成するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、図１（Ａ）及び（Ｂ）との対応部分に同
一符号を付して示す図３（Ａ）及び（Ｂ）において、信
号線３１が分岐しない線路部分（以下、これを直状線路
部と呼ぶ）３１Ａに対向する所定位置に絶縁層未形成部
３Ｂを形成するようにしても上述の場合と同様の効果を
得ることができる。
【００２２】また第２実施例においては、信号線４が分
岐してなる分岐線路部４Ａに対向する所定位置に絶縁層
３よりも比誘電率が低い誘電部２１を形成するようにし
た場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２
（Ａ）及び（Ｂ）との対応部分に同一符号を付して示す
図４（Ａ）及び（Ｂ）において、信号線３１が分岐しな
い直状線路部３１Ａに対向する所定位置に、誘電部２１
と同じ比誘電率でなる誘電部３２を形成するようにして
も上述の場合と同様の効果を得ることができる。
岐してなる分岐線路部４Ａに対向する所定位置に絶縁層
３よりも比誘電率が低い誘電部２１を形成するようにし
た場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図２
（Ａ）及び（Ｂ）との対応部分に同一符号を付して示す
図４（Ａ）及び（Ｂ）において、信号線３１が分岐しな
い直状線路部３１Ａに対向する所定位置に、誘電部２１
と同じ比誘電率でなる誘電部３２を形成するようにして
も上述の場合と同様の効果を得ることができる。
【００２３】さらに第１実施例においては、絶縁層未形
成部３Ａは、配線基板１０の製造時において絶縁層３を
形成する際にドリル加工又はエツチング加工等によつて
形成するようにした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、種々の手法を用いて既に形成されている絶
縁層３から絶縁層未形成部３Ａに相当する部分を取り除
くようにしても良い。このとき、絶縁層未形成部３Ａの
断面形状は長方形以外の種々の形状でなるようにしても
良い。
成部３Ａは、配線基板１０の製造時において絶縁層３を
形成する際にドリル加工又はエツチング加工等によつて
形成するようにした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、種々の手法を用いて既に形成されている絶
縁層３から絶縁層未形成部３Ａに相当する部分を取り除
くようにしても良い。このとき、絶縁層未形成部３Ａの
断面形状は長方形以外の種々の形状でなるようにしても
良い。
【００２４】さらに第２実施例においては、誘電部２１
は、既に形成されている絶縁層３から絶縁層未形成部３
Ａに相当する部分を取り除いた後、当該絶縁層未形成部
３Ａに埋め込むことにより形成した場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、種々の手法を用いて配線基
板２０の製造時において絶縁層３を形成する前に予め形
成しておくようにしても良い。このとき、誘電部２１の
断面形状は長方形以外の種々の形状でなるようにしても
良い。
は、既に形成されている絶縁層３から絶縁層未形成部３
Ａに相当する部分を取り除いた後、当該絶縁層未形成部
３Ａに埋め込むことにより形成した場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、種々の手法を用いて配線基
板２０の製造時において絶縁層３を形成する前に予め形
成しておくようにしても良い。このとき、誘電部２１の
断面形状は長方形以外の種々の形状でなるようにしても
良い。
【００２５】さらに上述の実施例においては、高周波回
路用の配線基板１０及び２０に配設された信号線４に対
応して絶縁層３に絶縁層未形成部３Ａ及び誘電部３Ｂを
形成するようにした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、低周波回路用の配線基板（図示せず）にお
いても本発明を適用し得る。
路用の配線基板１０及び２０に配設された信号線４に対
応して絶縁層３に絶縁層未形成部３Ａ及び誘電部３Ｂを
形成するようにした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、低周波回路用の配線基板（図示せず）にお
いても本発明を適用し得る。
【００２６】さらに上述の実施例においては、配線基板
１０及び２０に配設された信号線４の下側の絶縁層３に
絶縁層未形成部３Ａ及び誘電部３Ｂを形成した場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、信号線４の上側
の絶縁層６又は上下両側の各絶縁層３及び６に絶縁層未
形成部３Ａ及び誘電部３Ｂを形成するようにしても良
い。但し、信号線４の上側に絶縁層未形成部３Ａ及び誘
電部３Ｂを形成する場合には、絶縁層６上に導電層（図
示せず）を形成しておく必要がある。これにより配線基
板１０及び２０が複数積層されてなる多層配線基板（図
示せず）においても本発明を適用することができる。
１０及び２０に配設された信号線４の下側の絶縁層３に
絶縁層未形成部３Ａ及び誘電部３Ｂを形成した場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、信号線４の上側
の絶縁層６又は上下両側の各絶縁層３及び６に絶縁層未
形成部３Ａ及び誘電部３Ｂを形成するようにしても良
い。但し、信号線４の上側に絶縁層未形成部３Ａ及び誘
電部３Ｂを形成する場合には、絶縁層６上に導電層（図
示せず）を形成しておく必要がある。これにより配線基
板１０及び２０が複数積層されてなる多層配線基板（図
示せず）においても本発明を適用することができる。
【００２７】さらに上述の実施例においては、配線基板
１０及び２０に配設された信号線４の線幅の約75〔％〕
の幅で絶縁層未形成部３Ａ及び誘電部３Ｂを形成した場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、絶縁層未
形成部３Ａ及び誘電部３Ｂの幅は信号線４の線幅の約75
〔％〕以上でも以下でも良い。この場合、信号線４の線
幅の約75〔％〕以上であつても信号線４が絶縁層未形成
部３Ａに入り込まない程度であれば絶縁層未形成部３Ａ
の幅は所望の長さに設定し得る。
１０及び２０に配設された信号線４の線幅の約75〔％〕
の幅で絶縁層未形成部３Ａ及び誘電部３Ｂを形成した場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、絶縁層未
形成部３Ａ及び誘電部３Ｂの幅は信号線４の線幅の約75
〔％〕以上でも以下でも良い。この場合、信号線４の線
幅の約75〔％〕以上であつても信号線４が絶縁層未形成
部３Ａに入り込まない程度であれば絶縁層未形成部３Ａ
の幅は所望の長さに設定し得る。
【００２８】さらに第１実施例においては、配線基板１
０及び２０に配設された信号線４を分岐線路部４Ａにお
いて二股に分岐した場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、信号線４を三股以上に分岐した分岐線路部
（図示せず）においても本発明を適用しても良い。この
ようにしてバスラインのような多分岐でなる信号線にお
いても本発明を適用し得る。
０及び２０に配設された信号線４を分岐線路部４Ａにお
いて二股に分岐した場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、信号線４を三股以上に分岐した分岐線路部
（図示せず）においても本発明を適用しても良い。この
ようにしてバスラインのような多分岐でなる信号線にお
いても本発明を適用し得る。
【００２９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、絶縁層の
一面に所定パターンで信号線が形成されると共に当該絶
縁層の他面に導電層が形成されてなる配線基板におい
て、信号線のうち特性インピーダンスが不整合となる線
路部分と対向する絶縁層の所定位置に、当該絶縁層の他
の部分よりも比誘電率が低い空間領域を設けたことによ
り、実装対象となる電子部品の電気特性を劣化すること
を防止し得る配線基板を実現することができる。
一面に所定パターンで信号線が形成されると共に当該絶
縁層の他面に導電層が形成されてなる配線基板におい
て、信号線のうち特性インピーダンスが不整合となる線
路部分と対向する絶縁層の所定位置に、当該絶縁層の他
の部分よりも比誘電率が低い空間領域を設けたことによ
り、実装対象となる電子部品の電気特性を劣化すること
を防止し得る配線基板を実現することができる。
【図１】第１実施例による配線基板の構成を示す平面図
及び断面図である。
及び断面図である。
【図２】第２実施例による配線基板の構成を示す平面図
及び断面図である。
及び断面図である。
【図３】他の実施例による配線基板の構成を示す平面図
及び断面図である。
及び断面図である。
【図４】他の実施例による配線基板の構成を示す平面図
及び断面図である。
及び断面図である。
【図５】従来の配線基板の構成を示す平面図及び断面図
である。
である。
１、１０、２０、３０、４０……配線基板、２……導電
層、３、６……絶縁層、３Ａ、３Ｂ……絶縁層未形成
部、４……信号線、４Ａ……分岐線路部、５……レジス
ト、２１……誘電部、３１Ａ……直状線路部。
層、３、６……絶縁層、３Ａ、３Ｂ……絶縁層未形成
部、４……信号線、４Ａ……分岐線路部、５……レジス
ト、２１……誘電部、３１Ａ……直状線路部。
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁層の一面に所定パターンで信号線が形
成されると共に、上記絶縁層の他面に導電層が形成され
てなる配線基板において、 上記絶縁層は、 上記信号線のうち特性インピーダンスが不整合となる線
路部分と対向する所定位置に、上記絶縁層の他の部分よ
りも比誘電率が低い空間領域を具えることを特徴とする
配線基板。 - 【請求項２】上記空間領域は、 上記信号線のうち特性インピーダンスが不整合となる線
路部分と対向する所定位置に形成された空隙でなること
を特徴とする請求項１に記載の配線基板。 - 【請求項３】上記空間領域は、 上記空隙内に上記絶縁層の他の部分よりも比誘電率が低
い所定の誘電体が充填されてなることを特徴とする請求
項２に記載の配線基板。 - 【請求項４】上記信号線のうち特性インピーダンスが不
整合となる線路部分は、上記信号線の分岐部でなること
を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9328496A JPH09260797A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9328496A JPH09260797A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260797A true JPH09260797A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=14078126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9328496A Pending JPH09260797A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260797A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001453A3 (en) * | 1999-06-29 | 2001-07-26 | Sun Microsystems Inc | Method and apparatus for adjusting electrical characteristics of signal traces in layered circuit boards |
| WO2003063237A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Sony Corporation | Substrate for high-frequency module and high-frequency module |
| WO2003063238A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Sony Corporation | High-frequency module and its manufacturing method |
| EP1376736A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | Substrate enhancement for improved signal characteristics on a discontinuous transmission line |
| JP2015026833A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 易鼎股▲ふん▼有限公司 | 平坦化カバー層構造体を有するフレキシブル回路板 |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP9328496A patent/JPH09260797A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001453A3 (en) * | 1999-06-29 | 2001-07-26 | Sun Microsystems Inc | Method and apparatus for adjusting electrical characteristics of signal traces in layered circuit boards |
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| US7599190B2 (en) | 2002-01-25 | 2009-10-06 | Sony Corporation | High-frequency module, and method of producing same |
| EP1376736A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | Substrate enhancement for improved signal characteristics on a discontinuous transmission line |
| US6825743B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-11-30 | Harris Corporation | Substrate enhancement for improved signal characteristics on a discontinuous transmission line |
| JP2015026833A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 易鼎股▲ふん▼有限公司 | 平坦化カバー層構造体を有するフレキシブル回路板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040716 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040806 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20041203 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |