JPH0137879B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0137879B2 JPH0137879B2 JP59068010A JP6801084A JPH0137879B2 JP H0137879 B2 JPH0137879 B2 JP H0137879B2 JP 59068010 A JP59068010 A JP 59068010A JP 6801084 A JP6801084 A JP 6801084A JP H0137879 B2 JPH0137879 B2 JP H0137879B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- thin film
- ground
- ceramic
- multilayer wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の属する技術分野）
本発明は多層配線基板に関する。
（従来技術）
情報処理装置等に用いる配線基板においては、
その配線の高密度化およびこの配線を伝播する信
号の高速化を同時に達成できることが要求されて
いる。主に電源配線パターンを形成したセラミツ
ク積層配線部と薄膜法により形成した微細な信号
配線パターンを有する複数の薄膜配線層を持ち前
記セラミツク積層配線部上に形成した薄膜多層配
線部とから構成した基板が上記要求を満足させ得
る基板として用いられており、特に、薄膜配線層
間の絶縁材料として、ポリイミド系樹脂等の誘電
率の低いものを用いたときにはより一層の高速化
が可能である。
その配線の高密度化およびこの配線を伝播する信
号の高速化を同時に達成できることが要求されて
いる。主に電源配線パターンを形成したセラミツ
ク積層配線部と薄膜法により形成した微細な信号
配線パターンを有する複数の薄膜配線層を持ち前
記セラミツク積層配線部上に形成した薄膜多層配
線部とから構成した基板が上記要求を満足させ得
る基板として用いられており、特に、薄膜配線層
間の絶縁材料として、ポリイミド系樹脂等の誘電
率の低いものを用いたときにはより一層の高速化
が可能である。
このような従来の多層配線基板を第１図に示
す。第１図を参照すると、従来の基板は、複数の
セラミツク層１２と該セラミツク層間の予め定め
た部分に形成された接地配線１１、電源配線１３
およびスルーホール１４とを有するセラミツク積
層配線部１０と、薄膜法により形成した微細な信
号配線２１および２３と複数の絶縁薄膜２２とを
有する複数の薄膜配線層を持つ薄膜多層配線部２
０と、配線部２０上に形成した部品取付端子２５
と、配線部１０と配線部２０との間に形成された
接続パツド１５と、配線部１０上に形成された端
子ピン接続パツド１６と、パツド１６に接続され
た端子ピン１７とから構成されている。
す。第１図を参照すると、従来の基板は、複数の
セラミツク層１２と該セラミツク層間の予め定め
た部分に形成された接地配線１１、電源配線１３
およびスルーホール１４とを有するセラミツク積
層配線部１０と、薄膜法により形成した微細な信
号配線２１および２３と複数の絶縁薄膜２２とを
有する複数の薄膜配線層を持つ薄膜多層配線部２
０と、配線部２０上に形成した部品取付端子２５
と、配線部１０と配線部２０との間に形成された
接続パツド１５と、配線部１０上に形成された端
子ピン接続パツド１６と、パツド１６に接続され
た端子ピン１７とから構成されている。
しかしながら、このような従来の多層配線基板
においては、薄膜多層配線部１０内に形成された
薄膜配線２１および２３とセラミツク積層配線部
２０内の接地配線１１との距離がセラミツク層１
２の厚さにより変化するので、これにより薄膜配
線２１および２３の特性インピーダンスは設計値
に対してばらつく。また、このセラミツク層１２
はセラミツク・グリーンシートを焼成してつくら
れるため、その厚さは、通常、あまり薄くでき
ず、0.1ミリメートル〜0.3ミリメートルの間にあ
り、この結果、薄膜配線の特性インピーダンスが
所定の値まで下らず、この配線と接続される回路
素子とのインピーダンス不整合やクロストーク特
性の悪化が生じるという欠点がある。
においては、薄膜多層配線部１０内に形成された
薄膜配線２１および２３とセラミツク積層配線部
２０内の接地配線１１との距離がセラミツク層１
２の厚さにより変化するので、これにより薄膜配
線２１および２３の特性インピーダンスは設計値
に対してばらつく。また、このセラミツク層１２
はセラミツク・グリーンシートを焼成してつくら
れるため、その厚さは、通常、あまり薄くでき
ず、0.1ミリメートル〜0.3ミリメートルの間にあ
り、この結果、薄膜配線の特性インピーダンスが
所定の値まで下らず、この配線と接続される回路
素子とのインピーダンス不整合やクロストーク特
性の悪化が生じるという欠点がある。
（発明の目的）
本発明の目的はセラミツク積層配線部と薄膜多
層配線部との境界面に予め定めた形状の接地配線
を形成することにより上述の欠点を除去した多層
配線基板を提供することにある。
層配線部との境界面に予め定めた形状の接地配線
を形成することにより上述の欠点を除去した多層
配線基板を提供することにある。
（発明の構成）
本発明の基板は、複数のセラミツク配線層が積
層されたセラミツク積層配線部と、該セラミツク
積層配線部上に形成され予め定めたパターンを有
する接地配線と、薄膜法により形成した複数の薄
膜配線層を有し前記接地配線上に形成された薄膜
多層配線部とから構成される。
層されたセラミツク積層配線部と、該セラミツク
積層配線部上に形成され予め定めたパターンを有
する接地配線と、薄膜法により形成した複数の薄
膜配線層を有し前記接地配線上に形成された薄膜
多層配線部とから構成される。
（実施例）
次に本発明について、図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第２図を参照すると、本発明の第１の実施例
は、複数のセラミツク層１２とこのセラミツク層
１２間の予め定めた部分に形成された接地配線１
１、電源配線１３およびスルーホール１４とを有
するセラミツク多層配線部１０と、薄膜法により
形成した微細な信号配線２１および２３とヴイア
２４と複数の絶縁薄膜２２とを有する複数の薄膜
配線層を持つ薄膜多層配線部２０と、配線部１０
と配線部２０との間に形成され予め定めた形状を
有する接地配線１８および接続パツド１５と、配
線部２０上に形成した部品取付端子２５と、配線
部上に形成された端子ピン接続パツド１６と、パ
ツド１６に接続された端子ピン１７とから構成さ
れている。
は、複数のセラミツク層１２とこのセラミツク層
１２間の予め定めた部分に形成された接地配線１
１、電源配線１３およびスルーホール１４とを有
するセラミツク多層配線部１０と、薄膜法により
形成した微細な信号配線２１および２３とヴイア
２４と複数の絶縁薄膜２２とを有する複数の薄膜
配線層を持つ薄膜多層配線部２０と、配線部１０
と配線部２０との間に形成され予め定めた形状を
有する接地配線１８および接続パツド１５と、配
線部２０上に形成した部品取付端子２５と、配線
部上に形成された端子ピン接続パツド１６と、パ
ツド１６に接続された端子ピン１７とから構成さ
れている。
接地配線１８はセラミツク積層配線部１０の表
面に厚膜法により形成されている。この同じ表面
に形成された接続パツド１５はセラミツク積層配
線部１０内の配線と薄膜多層配線部２０内の配線
２１および２３とをヴイア２４を介して接続する
ためのものである。薄膜多層配線部２０の底部全
域にわたつて接地配線１８が分布しているので、
薄膜配線２１および２３の特性インピーダンスは
均一となり、その値は薄膜配線２１および２３自
体の幅寸法と絶縁薄膜２２の膜厚および材質とか
らだけで定まる。すなわち、第１０図に示すよう
に、絶縁層全体の厚さをＨ、信号配線の線幅を
Ｗ、信号配線間の間隔をＳ、信号配線ピツチを
Ｄ、信号配線の厚さをＴおよび接地配線と信号配
線との距離をｈとすると、薄膜多層配線の特性イ
ンピーダンスZ0は、 Z0＝（Z0e・Z00）1/2〔Ω〕 ここで、Z0eは奇数次伝播項であり、Z00は偶数次
伝播項であり、それぞれ次のように表せる。
面に厚膜法により形成されている。この同じ表面
に形成された接続パツド１５はセラミツク積層配
線部１０内の配線と薄膜多層配線部２０内の配線
２１および２３とをヴイア２４を介して接続する
ためのものである。薄膜多層配線部２０の底部全
域にわたつて接地配線１８が分布しているので、
薄膜配線２１および２３の特性インピーダンスは
均一となり、その値は薄膜配線２１および２３自
体の幅寸法と絶縁薄膜２２の膜厚および材質とか
らだけで定まる。すなわち、第１０図に示すよう
に、絶縁層全体の厚さをＨ、信号配線の線幅を
Ｗ、信号配線間の間隔をＳ、信号配線ピツチを
Ｄ、信号配線の厚さをＴおよび接地配線と信号配
線との距離をｈとすると、薄膜多層配線の特性イ
ンピーダンスZ0は、 Z0＝（Z0e・Z00）1/2〔Ω〕 ここで、Z0eは奇数次伝播項であり、Z00は偶数次
伝播項であり、それぞれ次のように表せる。
ただし、εre＝εr｛１−ｅ×ｐ（−1.55H／ｈ）｝
εr：絶縁層の比誘電率 絶縁薄膜２２の膜厚および材質は、配線２１およ
び２３が薄膜法でつくられることから、かなり自
由に選択することができる。材質がガラス・セラ
ミツク系の場合には、誘電率は約１０で膜厚は50
〜100マイクロメートル、材質が有機高分子の場
合には、誘電率は３〜７で膜厚は１〜50マイクロ
メートルとなり、薄膜配線の特性インピーダンス
は幅広い値のなかから決定することができる。接
続パツド１５と接地配線１８とは薄膜法で形成さ
れるために、精密微細なパターン形成が可能であ
る。このため、薄膜配線２１および２３の特性イ
ンピーダンスをきめ細かに制御することができ
る。また、接地配線１８は直流的に接地されてい
なくても、交流的に接地されてさえいれば、薄膜
配線の特性インピーダンスを補正するように働
く。すなわち、接地配線１８はセラミツク積層配
線部１０内の接地配線１１と接続されているが、
電源配線１３と接続されていても同様に働く。
εr：絶縁層の比誘電率 絶縁薄膜２２の膜厚および材質は、配線２１およ
び２３が薄膜法でつくられることから、かなり自
由に選択することができる。材質がガラス・セラ
ミツク系の場合には、誘電率は約１０で膜厚は50
〜100マイクロメートル、材質が有機高分子の場
合には、誘電率は３〜７で膜厚は１〜50マイクロ
メートルとなり、薄膜配線の特性インピーダンス
は幅広い値のなかから決定することができる。接
続パツド１５と接地配線１８とは薄膜法で形成さ
れるために、精密微細なパターン形成が可能であ
る。このため、薄膜配線２１および２３の特性イ
ンピーダンスをきめ細かに制御することができ
る。また、接地配線１８は直流的に接地されてい
なくても、交流的に接地されてさえいれば、薄膜
配線の特性インピーダンスを補正するように働
く。すなわち、接地配線１８はセラミツク積層配
線部１０内の接地配線１１と接続されているが、
電源配線１３と接続されていても同様に働く。
本発明の第２の実施例を示す第３図を参照する
と、本実施例は、接地配線１８と接続パツド１５
とが、セラミツク積層配線部１０の研磨された表
面に薄膜法で形成されている点が第１の実施例と
異なるだけであるので説明は省略する。
と、本実施例は、接地配線１８と接続パツド１５
とが、セラミツク積層配線部１０の研磨された表
面に薄膜法で形成されている点が第１の実施例と
異なるだけであるので説明は省略する。
また、セラミツク積層配線部１０の表面に形成
される接地配線１８の形状としては、第４図に示
すようなシート状パターン、第５図に示すような
網目状パターン、第６図に示すような縞状パター
ン、第７図および第８図に示すような複数の島状
パターン、第９図に示すような複数の島状パター
ンの連結体等が考えられる。
される接地配線１８の形状としては、第４図に示
すようなシート状パターン、第５図に示すような
網目状パターン、第６図に示すような縞状パター
ン、第７図および第８図に示すような複数の島状
パターン、第９図に示すような複数の島状パター
ンの連結体等が考えられる。
（発明の効果）
以上、本発明には、薄膜多層配線部内に形成さ
れた薄膜配線の特性インピーダンスの設計値から
のバラツキおよび誤差を低減できるという効果が
ある。
れた薄膜配線の特性インピーダンスの設計値から
のバラツキおよび誤差を低減できるという効果が
ある。
第１図は従来の多層配線基板を示す断面図、第
２図は本発明の第１の実施例を示す断面斜視図、
第３図は本発明の第２の実施例を示す断面斜視
図、第４〜第９図は各種の接地配線パターンを示
す平面図および第１０図は特性インピーダンスを
説明するための断面図である。 図において、１０……セラミツク積層配線部、
１１……接地配線、１２……セラミツク層、１３
……電源配線、１４……スルーホール、１５……
接続パツド、１６……端子ピン接続パツド、１７
……端子ピン、１８……接地配線、２０……薄膜
多層配線部、２１……薄膜配線、２２……絶縁薄
膜、２３……薄膜配線、２４……ヴイア、２５…
…部品取付端子。
２図は本発明の第１の実施例を示す断面斜視図、
第３図は本発明の第２の実施例を示す断面斜視
図、第４〜第９図は各種の接地配線パターンを示
す平面図および第１０図は特性インピーダンスを
説明するための断面図である。 図において、１０……セラミツク積層配線部、
１１……接地配線、１２……セラミツク層、１３
……電源配線、１４……スルーホール、１５……
接続パツド、１６……端子ピン接続パツド、１７
……端子ピン、１８……接地配線、２０……薄膜
多層配線部、２１……薄膜配線、２２……絶縁薄
膜、２３……薄膜配線、２４……ヴイア、２５…
…部品取付端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数のセラミツク配線層が積層されたセラミ
ツク積層配線部と、該セラミツク積層配線部上に
形成され予め定めたパターンを有する接地配線
と、薄膜法により形成した複数の薄膜配線層を有
し前記接地配線上に形成された薄膜多層配線部と
から構成したことを特徴とする多層配線基板。 ２ 前記接地配線が、表面を研磨した前記セラミ
ツク積層配線部のこの表面上に薄膜法により形成
されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の多層配線基板。 ３ 前記接地配線が、前記セラミツク積層配線部
上に厚膜法により形成されたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の多層配線基板。 ４ 前記接地配線のパターンが、シート形状、網
目形状、縞形状、島形状またはこれらを組み合わ
せた形状であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の多層配線基板。 ５ 前記接地配線は、交流的あるいは直流的ある
いは交流的または直流的に接地されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層配線
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6801084A JPS60211897A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6801084A JPS60211897A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 多層配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211897A JPS60211897A (ja) | 1985-10-24 |
| JPH0137879B2 true JPH0137879B2 (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=13361448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6801084A Granted JPS60211897A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211897A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0716100B2 (ja) * | 1990-01-10 | 1995-02-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 多層配線モジュール |
| JPH085579Y2 (ja) * | 1990-02-08 | 1996-02-14 | 新光電気工業株式会社 | 薄膜配線基板 |
| JP2579046B2 (ja) * | 1990-09-19 | 1997-02-05 | 日本電気株式会社 | 多層配線基板 |
| JPH04132295A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Nec Corp | 多層配線基板 |
| JPH04252095A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Fujitsu Ltd | セラミックプリント配線板 |
| JPH07123150B2 (ja) * | 1992-03-06 | 1995-12-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | ハイブリッド半導体モジュール |
| WO2000018202A1 (en) * | 1998-09-17 | 2000-03-30 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer build-up wiring board |
| US9818682B2 (en) * | 2014-12-03 | 2017-11-14 | International Business Machines Corporation | Laminate substrates having radial cut metallic planes |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56160100A (en) * | 1980-05-13 | 1981-12-09 | Nippon Electric Co | Multilayer thick film circuit board |
| JPS5957976A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 金属膜積層セラミツクス |
| FR2618258B1 (fr) * | 1987-07-17 | 1990-01-05 | Suisse Electronique Microtech | Detecteur de particules ionisantes. |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP6801084A patent/JPS60211897A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60211897A (ja) | 1985-10-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |