JPH09270374A - 照度測定方法 - Google Patents
照度測定方法Info
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- JPH09270374A JPH09270374A JP8076523A JP7652396A JPH09270374A JP H09270374 A JPH09270374 A JP H09270374A JP 8076523 A JP8076523 A JP 8076523A JP 7652396 A JP7652396 A JP 7652396A JP H09270374 A JPH09270374 A JP H09270374A
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- illuminance
- reticle
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- exposure apparatus
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 実際に露光に用いるレチクルで、直接的にゴ
ーストの分布を測定すること。 【解決手段】 実際の露光に用いるレチクル２３が装着
された状態でウエハ面上の照度を複数の方法によって測
定し、その測定値からレチクル２３によって生ずるゴー
ストの分布を求める。
ーストの分布を測定すること。 【解決手段】 実際の露光に用いるレチクル２３が装着
された状態でウエハ面上の照度を複数の方法によって測
定し、その測定値からレチクル２３によって生ずるゴー
ストの分布を求める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置の照度測
定方法、及びこの照度測定方法を用いて照度の測定を行
う露光装置に関するものである。
定方法、及びこの照度測定方法を用いて照度の測定を行
う露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の微細加工技術の進展は著し
く、露光光の波長と同じ長さに至るまでの線幅を精度よ
く形成することのできる露光装置が求められている。こ
の際、照明光（露光光）の照度ムラがレチクル面上に存
在すると、ウエハ面上に精度よく回路パターンの転写を
行うことができない。
く、露光光の波長と同じ長さに至るまでの線幅を精度よ
く形成することのできる露光装置が求められている。こ
の際、照明光（露光光）の照度ムラがレチクル面上に存
在すると、ウエハ面上に精度よく回路パターンの転写を
行うことができない。
【０００３】そこで従来は、レチクルを光路から取り除
いた状態でウエハ面上の照度分布を測定し、測定した照
度分布の誤差が、例えば±１％以下の値となるように照
明系を調整することにより、レチクル面上の照度均一性
を保っていた。
いた状態でウエハ面上の照度分布を測定し、測定した照
度分布の誤差が、例えば±１％以下の値となるように照
明系を調整することにより、レチクル面上の照度均一性
を保っていた。
【０００４】しかし、レチクルを光路から取り除いた状
態で照度の均一性が図れても、実際の露光中にはレチク
ルによって反射された照明光が照明系側に戻り、照明系
の内部で再び反射されて戻って来るために生じるゴース
ト現象が存在する。±５％、あるいはそれ以下の厳しい
線幅制御を行おうとすると、従来では無視してきたこの
ような現象さえも管理する必要が生じてくる。
態で照度の均一性が図れても、実際の露光中にはレチク
ルによって反射された照明光が照明系側に戻り、照明系
の内部で再び反射されて戻って来るために生じるゴース
ト現象が存在する。±５％、あるいはそれ以下の厳しい
線幅制御を行おうとすると、従来では無視してきたこの
ような現象さえも管理する必要が生じてくる。
【０００５】このようなゴーストの測定法には、例えば
特開平５−６２８８３に開示されているような特殊なレ
チクル（テストレチクル）を用いる方法が知られてい
る。
特開平５−６２８８３に開示されているような特殊なレ
チクル（テストレチクル）を用いる方法が知られてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た方法は、あくまでもゴーストの量を推定するための方
法に過ぎず、測定に際しては、煩雑な手順を踏むため測
定に時間がかかるという問題がある。また、ゴーストに
よって生じるレチクル面上の照度分布は、レチクルのパ
ターンの粗密、あるいはパターンの形状によって異なる
ため、テストレチクルを各パターン毎に用意せねばなら
ないという問題もあった。
た方法は、あくまでもゴーストの量を推定するための方
法に過ぎず、測定に際しては、煩雑な手順を踏むため測
定に時間がかかるという問題がある。また、ゴーストに
よって生じるレチクル面上の照度分布は、レチクルのパ
ターンの粗密、あるいはパターンの形状によって異なる
ため、テストレチクルを各パターン毎に用意せねばなら
ないという問題もあった。
【０００７】本発明では、実際に露光に用いるレチクル
で、直接的にゴーストの分布を測定することを目的とし
ている。
で、直接的にゴーストの分布を測定することを目的とし
ている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願第１発明の照度測定方法は、実際の露光に用い
るレチクルが装着された状態で、ウエハ面上の照度を複
数の方法によって測定し、複数の方法により測定された
測定値からレチクルによって生ずるゴーストの分布を求
めることを特徴としている。
め、本願第１発明の照度測定方法は、実際の露光に用い
るレチクルが装着された状態で、ウエハ面上の照度を複
数の方法によって測定し、複数の方法により測定された
測定値からレチクルによって生ずるゴーストの分布を求
めることを特徴としている。
【０００９】本願第１発明の照度測定方法において、複
数の方法により測定された同一の測定点の測定値の比較
からレチクルによって生ずるゴーストの分布を求めるこ
とができる。また、前記複数の方法には、例えば、レチ
クルに形成されたパタ−ン全面を照明した状態で照度を
測定する方法、照度を測定する領域の近傍のみを照明し
た状態で照度を測定する方法等がある。
数の方法により測定された同一の測定点の測定値の比較
からレチクルによって生ずるゴーストの分布を求めるこ
とができる。また、前記複数の方法には、例えば、レチ
クルに形成されたパタ−ン全面を照明した状態で照度を
測定する方法、照度を測定する領域の近傍のみを照明し
た状態で照度を測定する方法等がある。
【００１０】本願第２発明の照度測定方法は、実際の露
光に用いるレチクルが装着された状態で、ゴーストを含
んだウエハ面上の照度と、ゴーストを含まないウエハ面
上の照度を測定し、測定された測定値の比較から前記レ
チクルによって生ずるゴーストの分布を求めることを特
徴としている。
光に用いるレチクルが装着された状態で、ゴーストを含
んだウエハ面上の照度と、ゴーストを含まないウエハ面
上の照度を測定し、測定された測定値の比較から前記レ
チクルによって生ずるゴーストの分布を求めることを特
徴としている。
【００１１】本願第２発明の照度測定方法において、ゴ
ーストを含んだウエハ面上の照度は、レチクルに形成さ
れたパタ−ン全面を照明した状態で測定し、ゴーストを
含まないウエハ面上の照度は、照度を測定する領域の近
傍のみを照明した状態で測定する形態がある。
ーストを含んだウエハ面上の照度は、レチクルに形成さ
れたパタ−ン全面を照明した状態で測定し、ゴーストを
含まないウエハ面上の照度は、照度を測定する領域の近
傍のみを照明した状態で測定する形態がある。
【００１２】本願第３発明の露光装置は、本願第１及び
第２発明の照度測定方法を用いて、レチクルによって生
ずるゴーストの分布を求めることを特徴としている。
第２発明の照度測定方法を用いて、レチクルによって生
ずるゴーストの分布を求めることを特徴としている。
【００１３】本願第３発明の露光装置において、求めら
れたゴーストの分布を用いて、レチクルが均一に照明さ
れるよう、照度分布を調整する手段を有することが好ま
しい。照度分布を調整する手段の様々な形態について
は、発明の実施の形態にて明らかにする。
れたゴーストの分布を用いて、レチクルが均一に照明さ
れるよう、照度分布を調整する手段を有することが好ま
しい。照度分布を調整する手段の様々な形態について
は、発明の実施の形態にて明らかにする。
【００１４】また、本願第３発明の露光装置において、
各レチクル毎の測定結果、または測定結果に基づいて照
度分布を調整する手段の調整量を記憶する手段を有し、
記憶された情報に基づいて、再度測定をやり直さなくと
も自動的に照度分布を調整することができるようにする
ことが好ましい。
各レチクル毎の測定結果、または測定結果に基づいて照
度分布を調整する手段の調整量を記憶する手段を有し、
記憶された情報に基づいて、再度測定をやり直さなくと
も自動的に照度分布を調整することができるようにする
ことが好ましい。
【００１５】本願第４発明は、本願第３発明の露光装置
を用いた半導体素子の製造方法である。
を用いた半導体素子の製造方法である。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、投影露光装置の概略構成
図である。図には本発明に関係のある露光部に関する部
分のみを示した。
図である。図には本発明に関係のある露光部に関する部
分のみを示した。
【００１７】図中、１１は光源である超高圧水銀灯、１
２は集光用の楕円鏡、１３はシャッタ、１４はシャッタ
の駆動モータである。１５はコンデンサレンズ、１６は
波長選択フィルタ、１７はオプティカルインテグレータ
である。１８はオプティカルインテグレータ１７から出
た光を集光するコンデンサレンズで、アクチュエータ１
９により構成するレンズ間の距離を変えてレチクル面、
ひいてはウエハ面での照度分布を調整することができ
る。２０はマスキングブレードで、レチクル面の所定の
部分のみを照明するようにブレード位置が調整できる。
このため、マスキングブレード２０はレチクルの共役面
に置かれている。３５はマスキングブレード２０を駆動
するためのアクチュエータである。マスキングブレード
２０を通過した露光光は後続のコンデンサレンズ２１、
２２によりレチクル２３を照明する。照明されたレチク
ル２３上のパターンは投影光学系２４によって、ウエハ
チャック２６に保持されたウエハ２５面上に結像され
る。
２は集光用の楕円鏡、１３はシャッタ、１４はシャッタ
の駆動モータである。１５はコンデンサレンズ、１６は
波長選択フィルタ、１７はオプティカルインテグレータ
である。１８はオプティカルインテグレータ１７から出
た光を集光するコンデンサレンズで、アクチュエータ１
９により構成するレンズ間の距離を変えてレチクル面、
ひいてはウエハ面での照度分布を調整することができ
る。２０はマスキングブレードで、レチクル面の所定の
部分のみを照明するようにブレード位置が調整できる。
このため、マスキングブレード２０はレチクルの共役面
に置かれている。３５はマスキングブレード２０を駆動
するためのアクチュエータである。マスキングブレード
２０を通過した露光光は後続のコンデンサレンズ２１、
２２によりレチクル２３を照明する。照明されたレチク
ル２３上のパターンは投影光学系２４によって、ウエハ
チャック２６に保持されたウエハ２５面上に結像され
る。
【００１８】従来、露光装置の照度均一性のチェック
は、レチクル２３を外してマスキングブレード２０を完
全に開いた状態で、ウエハステージ２７上に載置された
光電検出系により行われていた。光電検出系は、ウエハ
２５と同じ高さの位置に設けられた直径０．５ｍｍ程の
ピンホール３０、その下に配置されたフォトディテクタ
３１を有しており、ピンホール３０を通過した露光光を
フォトディテクタ３１によって検出する。この光電検出
系がウエハステージ２７によって移動されながら露光領
域内の各点の照度を測定し、測定結果によって得られた
照度分布の誤差が±１％以内となるように初期設定され
る。
は、レチクル２３を外してマスキングブレード２０を完
全に開いた状態で、ウエハステージ２７上に載置された
光電検出系により行われていた。光電検出系は、ウエハ
２５と同じ高さの位置に設けられた直径０．５ｍｍ程の
ピンホール３０、その下に配置されたフォトディテクタ
３１を有しており、ピンホール３０を通過した露光光を
フォトディテクタ３１によって検出する。この光電検出
系がウエハステージ２７によって移動されながら露光領
域内の各点の照度を測定し、測定結果によって得られた
照度分布の誤差が±１％以内となるように初期設定され
る。
【００１９】しかしながら、実際のレチクルは例え３層
レチクルを用いたとしても１０％程度の反射があり、２
層レチクルだとその反射率は６０％にも到達する。この
反射光が照明系に向かい、照明系で反射して再びレチク
ルに戻ってくるとレチクル面上の照度分布はレチクル無
しで測定したときと異なってしまう。
レチクルを用いたとしても１０％程度の反射があり、２
層レチクルだとその反射率は６０％にも到達する。この
反射光が照明系に向かい、照明系で反射して再びレチク
ルに戻ってくるとレチクル面上の照度分布はレチクル無
しで測定したときと異なってしまう。
【００２０】本実施形態では、照度分布の測定を２回、
実際のレチクルを載置した状態で行う。これにより、反
射光によるゴーストを測定し、測定結果をもとにゴース
トの影響を除去すべく照明系を調整する。このため、先
ず基準状態として、レチクルの無い状態での照度分布
は、予め定められた誤差範囲内、例えば±１％以内に調
整されているものとする。
実際のレチクルを載置した状態で行う。これにより、反
射光によるゴーストを測定し、測定結果をもとにゴース
トの影響を除去すべく照明系を調整する。このため、先
ず基準状態として、レチクルの無い状態での照度分布
は、予め定められた誤差範囲内、例えば±１％以内に調
整されているものとする。
【００２１】第１の測定は、レチクル２３を装置に装着
した後、マスキングブレード２０を実際の露光状態まで
開いた状態、すなわち、実際にウエハ２５を露光する状
態と同じ条件で行われる。したがって、この状態ではレ
チクル２３からの反射光が照明系に戻り、ゴーストとし
て再びレチクル２３に戻ることになる。測定は露光領域
の複数点で行われ、例えばマトリックス状に行われる。
この場合、測定点の位置は不図示のレーザ測長器（２８
はレーザ測長器の一部を構成するミラー）で精密に測定
され、記憶される。
した後、マスキングブレード２０を実際の露光状態まで
開いた状態、すなわち、実際にウエハ２５を露光する状
態と同じ条件で行われる。したがって、この状態ではレ
チクル２３からの反射光が照明系に戻り、ゴーストとし
て再びレチクル２３に戻ることになる。測定は露光領域
の複数点で行われ、例えばマトリックス状に行われる。
この場合、測定点の位置は不図示のレーザ測長器（２８
はレーザ測長器の一部を構成するミラー）で精密に測定
され、記憶される。
【００２２】本発明の照度分布の測定において注意しな
ければならないのは、レチクル２３に形成されたパター
ンを介して測定を行っているので、測定値はパターン自
体の存在による透過状態の影響を受けた値となっている
ことである。これは次に説明する第２の測定においても
同様である。
ければならないのは、レチクル２３に形成されたパター
ンを介して測定を行っているので、測定値はパターン自
体の存在による透過状態の影響を受けた値となっている
ことである。これは次に説明する第２の測定においても
同様である。
【００２３】次いで第２の測定が行われる。この様子を
示したのが図２である。第２の測定においてレチクル２
３は、第１の測定と装置に対して同一の状態で保持され
る。すなわち、第１の測定から第２の測定は続けて行う
ことができる。第２の測定では、ウエハステージ２７上
の光電検出系に対応した部分だけを照明するようにマス
キングブレード２０が絞られる。ピンホール３０とマス
キングブレード２０によって絞られた照明領域の関係を
示したのが図３である。照明領域は、ピンホール３０の
径よりも少し大きく、例えばピンホールの径を直径０．
５ｍｍとしたとき、ウエハ面で１辺１〜５ｍｍ位の大き
さの正方形または長方形になるよう絞るとよい。露光領
域内の照度分布を測定するため、ウエハステージ２７は
光電検出系を各測定点に移動させ、照明領域が測定点に
対応して移動するよう、マスキングブレード２０の開口
部の位置も変化する。
示したのが図２である。第２の測定においてレチクル２
３は、第１の測定と装置に対して同一の状態で保持され
る。すなわち、第１の測定から第２の測定は続けて行う
ことができる。第２の測定では、ウエハステージ２７上
の光電検出系に対応した部分だけを照明するようにマス
キングブレード２０が絞られる。ピンホール３０とマス
キングブレード２０によって絞られた照明領域の関係を
示したのが図３である。照明領域は、ピンホール３０の
径よりも少し大きく、例えばピンホールの径を直径０．
５ｍｍとしたとき、ウエハ面で１辺１〜５ｍｍ位の大き
さの正方形または長方形になるよう絞るとよい。露光領
域内の照度分布を測定するため、ウエハステージ２７は
光電検出系を各測定点に移動させ、照明領域が測定点に
対応して移動するよう、マスキングブレード２０の開口
部の位置も変化する。
【００２４】ゴーストは図４に示すようにレチクル２３
上のＡという位置に入射した光がレチクルで反射を受け
て照明系に戻り、照明系内の光学素子で反射を受けて本
来の入射位置とは異なるレチクル上の位置Ｂに入射する
ことによって生ずる現象である。図中、実線は正規にレ
チクルを照明する光、点線はゴースト光を示す。レチク
ル２３上には、クロムあるいは酸化クロム等によって回
路パターンが形成されており、そこで反射する反射光の
強度は、回路パターンに依存するためレチクルごとに異
なった値を持つ。第２の測定は測定点近傍にしか露光光
を当てていないため、例えばＢに対応する位置の測定を
行っているときに、Ａに入射した光の反射光が回り込ん
でＢに再入射するということがない。すなわち、ゴース
トの無い状態の測定に対応する。測定時の光電検出系の
位置は、不図示のレーザ干渉計でモニタされており、第
２の測定の測定点の位置は、第１の測定の測定点の位置
と０．１μｍ以下の精度で一致させることができる。し
たがって、２つの測定値は対応する同一の測定点におい
て正確に比較することが可能である。ゴーストが全く無
ければ両者の測定値は一致する。
上のＡという位置に入射した光がレチクルで反射を受け
て照明系に戻り、照明系内の光学素子で反射を受けて本
来の入射位置とは異なるレチクル上の位置Ｂに入射する
ことによって生ずる現象である。図中、実線は正規にレ
チクルを照明する光、点線はゴースト光を示す。レチク
ル２３上には、クロムあるいは酸化クロム等によって回
路パターンが形成されており、そこで反射する反射光の
強度は、回路パターンに依存するためレチクルごとに異
なった値を持つ。第２の測定は測定点近傍にしか露光光
を当てていないため、例えばＢに対応する位置の測定を
行っているときに、Ａに入射した光の反射光が回り込ん
でＢに再入射するということがない。すなわち、ゴース
トの無い状態の測定に対応する。測定時の光電検出系の
位置は、不図示のレーザ干渉計でモニタされており、第
２の測定の測定点の位置は、第１の測定の測定点の位置
と０．１μｍ以下の精度で一致させることができる。し
たがって、２つの測定値は対応する同一の測定点におい
て正確に比較することが可能である。ゴーストが全く無
ければ両者の測定値は一致する。
【００２５】ここで、ｍ×ｎ個のマトリックス状に配列
された点列で露光領域（測定対象領域）の照度分布を測
定するとする。第１の測定で得られた各点での測定値を
ａ1(ｍ，ｎ) 、第２の測定で得られた各点での測定値を
ａ2(ｍ，ｎ) とし、測定対象領域の中心近傍の所定位置
（ｐ，ｑ）を基準位置と考える。あえて中心近傍とした
のは、回路パターンの形成された実際のレチクルを測定
しているため、中心位置がクロムで覆われていれば、測
定値が０となってしまうためである。したがって（ｐ，
ｑ）は、測定値が０ではないある程度以上（例えば、全
測定点の最大測定値に対し、３０％以上）の値を示す中
心近傍の位置から選択する。ウエハ面上での照度分布を
測定したのち、第１の測定に対しては、 ａ1(ｍ，ｎ) / ａ1(ｐ，ｑ) を、第２の測定に対しては、 ａ2(ｍ，ｎ) / ａ2(ｐ，ｑ) を計算する。２つの計算結果は、同一測定点においてゴ
ーストがなければ一致するはずであるが、実際にはレチ
クル２３からの反射光によるゴーストのため一致しな
い。したがって、第１の測定によって得られた測定値を
第２の測定によって得られた測定値で割った、 ｂ（ｍ，ｎ)＝｛ａ1(ｍ，ｎ) ・ａ2(ｐ，ｑ) ｝／{ ａ1
(ｐ，ｑ) ・ａ2(ｍ，ｎ) } がゴーストの分布を示しているといえる。この場合、０
で割るという操作を防ぐためａ2(ｍ，ｎ) ≠０である
（ｍ，ｎ) についてこの計算を行い、ａ2(ｍ，ｎ)＝０
である（ｍ，ｎ) についてはｂ（ｍ，ｎ) ＝０とする。
このように強制的に０にした箇所以外のｂ（ｍ，ｎ) は
ゴーストが存在しなければ１で、１からのずれがゴース
トの分布を示す。簡単のため最も端の４点である（１，
１）、（１，ｎ）、（ｍ，１）、（ｍ，ｎ）が、０でな
い値を持っているものとすると、 { ｂ（１，１）＋ｂ（１，ｎ）＋ｂ（ｍ，１）＋ｂ
（ｍ，ｎ） }／４ が周辺での光量のアップあるいはダウンにつながるもの
となる。このような計算を行うことによって、ゴースト
の分布を２次元的に得ることができ、同心円状で自乗特
性を持つ分布や、直線的に傾いた分布を得ることができ
る。例えば直線的に傾いた分布の計算では、 { ｂ（１，１）＋ｂ（１，ｎ）−ｂ（ｍ，１）−ｂ
（ｍ，ｎ）｝／２ が横方向の照度分布の傾きを、また、 { ｂ（１，１）−ｂ（１，ｎ）＋ｂ（ｍ，１）−ｂ
（ｍ，ｎ）} ／２ が縦方向の照度分布の傾きをあらわす。
された点列で露光領域（測定対象領域）の照度分布を測
定するとする。第１の測定で得られた各点での測定値を
ａ1(ｍ，ｎ) 、第２の測定で得られた各点での測定値を
ａ2(ｍ，ｎ) とし、測定対象領域の中心近傍の所定位置
（ｐ，ｑ）を基準位置と考える。あえて中心近傍とした
のは、回路パターンの形成された実際のレチクルを測定
しているため、中心位置がクロムで覆われていれば、測
定値が０となってしまうためである。したがって（ｐ，
ｑ）は、測定値が０ではないある程度以上（例えば、全
測定点の最大測定値に対し、３０％以上）の値を示す中
心近傍の位置から選択する。ウエハ面上での照度分布を
測定したのち、第１の測定に対しては、 ａ1(ｍ，ｎ) / ａ1(ｐ，ｑ) を、第２の測定に対しては、 ａ2(ｍ，ｎ) / ａ2(ｐ，ｑ) を計算する。２つの計算結果は、同一測定点においてゴ
ーストがなければ一致するはずであるが、実際にはレチ
クル２３からの反射光によるゴーストのため一致しな
い。したがって、第１の測定によって得られた測定値を
第２の測定によって得られた測定値で割った、 ｂ（ｍ，ｎ)＝｛ａ1(ｍ，ｎ) ・ａ2(ｐ，ｑ) ｝／{ ａ1
(ｐ，ｑ) ・ａ2(ｍ，ｎ) } がゴーストの分布を示しているといえる。この場合、０
で割るという操作を防ぐためａ2(ｍ，ｎ) ≠０である
（ｍ，ｎ) についてこの計算を行い、ａ2(ｍ，ｎ)＝０
である（ｍ，ｎ) についてはｂ（ｍ，ｎ) ＝０とする。
このように強制的に０にした箇所以外のｂ（ｍ，ｎ) は
ゴーストが存在しなければ１で、１からのずれがゴース
トの分布を示す。簡単のため最も端の４点である（１，
１）、（１，ｎ）、（ｍ，１）、（ｍ，ｎ）が、０でな
い値を持っているものとすると、 { ｂ（１，１）＋ｂ（１，ｎ）＋ｂ（ｍ，１）＋ｂ
（ｍ，ｎ） }／４ が周辺での光量のアップあるいはダウンにつながるもの
となる。このような計算を行うことによって、ゴースト
の分布を２次元的に得ることができ、同心円状で自乗特
性を持つ分布や、直線的に傾いた分布を得ることができ
る。例えば直線的に傾いた分布の計算では、 { ｂ（１，１）＋ｂ（１，ｎ）−ｂ（ｍ，１）−ｂ
（ｍ，ｎ）｝／２ が横方向の照度分布の傾きを、また、 { ｂ（１，１）−ｂ（１，ｎ）＋ｂ（ｍ，１）−ｂ
（ｍ，ｎ）} ／２ が縦方向の照度分布の傾きをあらわす。
【００２６】ここでは簡単のため４隅で計算する例を示
したが、実際にはある程度広がりを持った領域で平均化
してゴーストの量を求めてもよい。これはゴースト自体
がレチクル面、即ちウエハ面上に結像する光ではないの
で、レチクル面上では緩やかな分布を持っているためで
ある。例えば、ｍ＝ｎ＝１５として２２５点で測定する
とき、隣接する３×３＝９点を一つのブロックとして測
定対象領域を５×５＝２５ブロックに分け、各ブロック
内での測定値を平均化して、ゴーストの分布を求めるこ
とができる。
したが、実際にはある程度広がりを持った領域で平均化
してゴーストの量を求めてもよい。これはゴースト自体
がレチクル面、即ちウエハ面上に結像する光ではないの
で、レチクル面上では緩やかな分布を持っているためで
ある。例えば、ｍ＝ｎ＝１５として２２５点で測定する
とき、隣接する３×３＝９点を一つのブロックとして測
定対象領域を５×５＝２５ブロックに分け、各ブロック
内での測定値を平均化して、ゴーストの分布を求めるこ
とができる。
【００２７】次に、レチクルを均一に照明するために、
測定されたゴーストを補正する方法について説明する。
測定されたゴーストを補正する方法について説明する。
【００２８】同心円状で自乗特性を持つ分布に対して
は、例えば、コンデンサレンズ１８を構成するレンズの
間隔をアクチュエータ１９によって調整することによっ
て補正することができる。直線的な傾きを持つ照度分布
に対しては、例えば、オプティカルインテグレータ１７
の前に設置された２枚の回転可能なくさびの回転の組み
合わせによって作られる偏向角可変くさびを用いたり、
超高圧水銀灯１１の位置を照明光学系の光軸と垂直方向
に調整したりすることによって補正することができる。
は、例えば、コンデンサレンズ１８を構成するレンズの
間隔をアクチュエータ１９によって調整することによっ
て補正することができる。直線的な傾きを持つ照度分布
に対しては、例えば、オプティカルインテグレータ１７
の前に設置された２枚の回転可能なくさびの回転の組み
合わせによって作られる偏向角可変くさびを用いたり、
超高圧水銀灯１１の位置を照明光学系の光軸と垂直方向
に調整したりすることによって補正することができる。
【００２９】この他、フィルタを露光光の光路中に挿入
することにより照度分布を補正する方法等も適用可能で
ある。同心円状で自乗特性を持つ分布を補正するフィル
タとしては、オプティカルインテグレータ１７の直後に
挿入した垂直入射光に比して斜入射光の方が透過率の低
い角度特性を持つ多層膜を有した反射型フィルタや、図
５に示すような、透過率が高く光の吸収がないガラスと
光の吸収があるガラスを凹凸に張り合せ、光の吸収があ
るガラスの効果で同心円状の分布を持たせる吸収型フィ
ルタ等が考えられる。図６は、ゴーストの状況に応じて
マスキングブレード２０近傍に配置した各種フィルタを
交換する装置の例である。図中、３６は図５に示した吸
収型フィルタ、３７は標準状態で挿入する吸収の無い硝
材で作られた基準フィルタ、３８は各種フィルタを交換
するモータである。
することにより照度分布を補正する方法等も適用可能で
ある。同心円状で自乗特性を持つ分布を補正するフィル
タとしては、オプティカルインテグレータ１７の直後に
挿入した垂直入射光に比して斜入射光の方が透過率の低
い角度特性を持つ多層膜を有した反射型フィルタや、図
５に示すような、透過率が高く光の吸収がないガラスと
光の吸収があるガラスを凹凸に張り合せ、光の吸収があ
るガラスの効果で同心円状の分布を持たせる吸収型フィ
ルタ等が考えられる。図６は、ゴーストの状況に応じて
マスキングブレード２０近傍に配置した各種フィルタを
交換する装置の例である。図中、３６は図５に示した吸
収型フィルタ、３７は標準状態で挿入する吸収の無い硝
材で作られた基準フィルタ、３８は各種フィルタを交換
するモータである。
【００３０】一方、直線的な傾きを持つ照度分布につい
ても、前述の反射型フィルタを照明系の光軸に対して微
小に傾けることで補正が可能である。図７は、そのよう
な多層膜が設けられた反射型フィルタ４１をオプテイカ
ルインテグレータ１７の後方に配した例である。２回の
測定から得られた測定値に基づいてフィルタ４１はアク
チュエータ４２によって傾けられる。この時の傾き量は
微小であるため光軸ずれ等の他の性能への影響は特に問
題とならず、ゴーストを含めた形でレチクル２３上を均
一に照明することができる。
ても、前述の反射型フィルタを照明系の光軸に対して微
小に傾けることで補正が可能である。図７は、そのよう
な多層膜が設けられた反射型フィルタ４１をオプテイカ
ルインテグレータ１７の後方に配した例である。２回の
測定から得られた測定値に基づいてフィルタ４１はアク
チュエータ４２によって傾けられる。この時の傾き量は
微小であるため光軸ずれ等の他の性能への影響は特に問
題とならず、ゴーストを含めた形でレチクル２３上を均
一に照明することができる。
【００３１】本実施形態で説明した測定方法によって得
られた照明系のゴーストの状況は、照度むら調整部位へ
の駆動指示値としてジョブにファイルすることができ
る。このため、一度ゴーストの状況を測定したレチクル
については、露光装置にセットする度の測定は必要な
く、ファイルされた値を装置側で読み込み、読み込んだ
値に基づいて自動的に照明系の状態をセットし、ゴース
トを補正することができる。この時、ゴーストの状況
（分布）をファイルしておいて、その値に基づいて照明
系を駆動してもよい。また、ゴーストの発生状態は露光
装置ごとに異なる可能性もあるため、ファイルはレチク
ルそのものに対してだけでなく、装置自体の固有パラメ
ータとして扱ってもよい。
られた照明系のゴーストの状況は、照度むら調整部位へ
の駆動指示値としてジョブにファイルすることができ
る。このため、一度ゴーストの状況を測定したレチクル
については、露光装置にセットする度の測定は必要な
く、ファイルされた値を装置側で読み込み、読み込んだ
値に基づいて自動的に照明系の状態をセットし、ゴース
トを補正することができる。この時、ゴーストの状況
（分布）をファイルしておいて、その値に基づいて照明
系を駆動してもよい。また、ゴーストの発生状態は露光
装置ごとに異なる可能性もあるため、ファイルはレチク
ルそのものに対してだけでなく、装置自体の固有パラメ
ータとして扱ってもよい。
【００３２】次に図１の露光装置を利用した半導体素子
の製造方法の実施例を説明する。
の製造方法の実施例を説明する。
【００３３】図８は半導体素子（ＩＣやＬＳＩ等の半導
体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体素子の回路設計を行
う。ステップ２（マスク制作）では設計した回路パター
ンを形成したマスク（レチクル２３）を制作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハ（ウエハ２５）を製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハとを用いて、リソグラフィー技術によって
ウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組
み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成さ
れたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッセン
ブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージン
グ工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検
査）ではステップ５で作成された半導体素子の動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を
経て半導体素子が完成し、これが出荷（ステップ７）さ
れる。
体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体素子の回路設計を行
う。ステップ２（マスク制作）では設計した回路パター
ンを形成したマスク（レチクル２３）を制作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハ（ウエハ２５）を製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハとを用いて、リソグラフィー技術によって
ウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組
み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成さ
れたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッセン
ブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージン
グ工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検
査）ではステップ５で作成された半導体素子の動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を
経て半導体素子が完成し、これが出荷（ステップ７）さ
れる。
【００３４】図９は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ（ウエハ２
５）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では
ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジ
スト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では上
記露光装置によってマスク（レチクル２３）の回路パタ
ーンの像でウエハを露光する。ステップ１７（現像）で
は露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチン
グ）では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステ
ップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要
となったレジストを取り除く。これらステップを繰り返
し行うことによりウエハ上に回路パターンが形成され
る。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ（ウエハ２
５）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では
ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジ
スト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では上
記露光装置によってマスク（レチクル２３）の回路パタ
ーンの像でウエハを露光する。ステップ１７（現像）で
は露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチン
グ）では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステ
ップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要
となったレジストを取り除く。これらステップを繰り返
し行うことによりウエハ上に回路パターンが形成され
る。
【００３５】本実施例の製造方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度の半導体素子を製造することが可能に
なる。
しかった高集積度の半導体素子を製造することが可能に
なる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、実際に露光に用いるレチクルで、直接的にゴースト
の分布を測定することができる。また、測定されたゴー
ストの分布に基づいて、レチクルを均一に照明するよう
照度分布を補正することが可能になる。
ば、実際に露光に用いるレチクルで、直接的にゴースト
の分布を測定することができる。また、測定されたゴー
ストの分布に基づいて、レチクルを均一に照明するよう
照度分布を補正することが可能になる。
【図１】本実施形態の露光装置の概略図であり、第１の
測定を行う際の状態を示す図である。
測定を行う際の状態を示す図である。
【図２】本実施形態の露光装置の概略図であり、第２の
測定を行う際の状態を示す図である。
測定を行う際の状態を示す図である。
【図３】第２の測定の際のピンホールとマスキングブレ
ードによって絞られた照明領域の関係を示す図である。
ードによって絞られた照明領域の関係を示す図である。
【図４】レチクルで反射した光によってゴーストが発生
する様子を説明するための図である。
する様子を説明するための図である。
【図５】２種のガラス部材を用いた吸収型フィルタを示
す図である。
す図である。
【図６】図５に示した吸収型フィルタの露光装置内への
配置例である。
配置例である。
【図７】直線的な傾きの照度分布を補正する反射型フィ
ルタの露光装置内への配置例である。
ルタの露光装置内への配置例である。
【図８】半導体素子の製造工程を示す図である。
【図９】図８の工程中のウエハプロセスの詳細を示す図
である。
である。
１１ 超高圧水銀灯 １２ 楕円鏡 １３ シャッタ １４ シャッタの駆動モータ １５ コンデンサレンズ １６ 波長選択フィルタ １７ オプティカルインテグレータ １８ コンデンサレンズ １９ アクチュエータ ２０ マスキングブレード ２１ コンデンサレンズ ２２ コンデンサレンズ ２３ レチクル ２４ 投影光学系 ２５ ウエハ ２６ ウエハチャック ２７ ウエハステージ ２８ レーザ干渉計のミラー ３０ ピンホール ３１ フォトディテクタ ３５ アクチュエータ ３６ 吸収型フィルタ ３７ 基準フィルタ ３８ モータ ４１ 反射型フィルタ ４２ アクチュエータ
Claims (23)
- 【請求項１】 レチクルに形成されたパターンをウエハ
に転写する露光装置のウエハ面上の照度を測定する照度
測定方法において、 実際の露光に用いるレチクルが装着された状態でウエハ
面上の照度を複数の方法によって測定し、該複数の方法
により測定された測定値から前記レチクルによって生ず
るゴーストの分布を求めることを特徴とする照度測定方
法。 - 【請求項２】 前記複数の方法により測定された同一の
測定点の測定値の比較から前記レチクルによって生ずる
ゴーストの分布を求めることを特徴とする請求項１記載
の照度測定方法。 - 【請求項３】 前記複数の方法は、レチクルに形成され
たパタ−ン全面を照明した状態で照度を測定する方法
と、照度を測定する領域の近傍のみを照明した状態で照
度を測定する方法を含むことを特徴とする請求項１、２
記載の照度測定方法。 - 【請求項４】 レチクルに形成されたパターンをウエハ
に転写する露光装置のウエハ面上の照度を測定する照度
測定方法において、 実際の露光に用いるレチクルが装着された状態で、ゴー
ストを含んだウエハ面上の照度と、ゴーストを含まない
ウエハ面上の照度を測定し、測定された測定値の比較か
ら前記レチクルによって生ずるゴーストの分布を求める
ことを特徴とする照度測定方法。 - 【請求項５】 ゴーストを含んだウエハ面上の照度は、
レチクルに形成されたパタ−ン全面を照明した状態で測
定し、ゴーストを含まないウエハ面上の照度は、照度を
測定する領域の近傍のみを照明した状態で測定すること
を特徴とする請求項４記載の照度測定方法。 - 【請求項６】 レチクルと、該レチクルに形成されたパ
ターンが転写されるウエハと、ウエハ面上の照度を測定
する照度測定手段とを有する露光装置において、 請求項１乃至５記載の照度測定方法を用いて前記レチク
ルによって生ずるゴーストの分布を求めることを特徴と
する露光装置。 - 【請求項７】 求められたゴーストの分布を用いて、前
記レチクルが均一に照明されるよう、照度分布を調整す
る手段を有することを特徴とする請求項６記載の露光装
置。 - 【請求項８】 前記照度分布を調整する手段は、照明系
を構成するレンズの間隔を変える手段であることを特徴
とする請求項７記載の露光装置。 - 【請求項９】 前記照度分布を調整する手段は、照明系
中に配された複数の回転可能なくさび型プリズムである
ことを特徴とする請求項７記載の露光装置。 - 【請求項１０】 前記照度分布を調整する手段は、光源
の位置を変える手段であることを特徴とする請求項７記
載の露光装置。 - 【請求項１１】 前記照度分布を調整する手段は、照明
系の光路中に挿入するフィルタであることを特徴とする
請求項７記載の露光装置。 - 【請求項１２】 前記フィルタは、垂直入射光に対して
斜入射光の方が透過率の低い角度特性を持つ多層膜を有
した反射型フィルタであることを特徴とする請求項１１
記載の露光装置。 - 【請求項１３】 前記フィルタは、透過率が高く光の吸
収がない光学部材と光の吸収がある光学部材を張り合せ
た吸収型フィルタであることを特徴とする請求項１１記
載の露光装置。 - 【請求項１４】 前記フィルタを交換する手段を有する
ことを特徴とする請求項１１記載の露光装置。 - 【請求項１５】 照度分布を調整する手段の各レチクル
毎のゴーストの分布に基づいて決定された調整量を記憶
する手段を有することを特徴とする請求項７乃至１４記
載の露光装置。 - 【請求項１６】 記憶された前記調整量に基づいて、自
動的に照度分布を調整することを特徴とする請求項１５
記載の露光装置。 - 【請求項１７】 各レチクルに対応したゴーストの分布
を記憶する手段を有することを特徴とする請求項７乃至
１４記載の露光装置。 - 【請求項１８】 記憶されたゴーストの分布に基づい
て、前記レチクルが均一に照明されるよう、自動的に照
度分布を調整することを特徴とする請求項１７記載の露
光装置。 - 【請求項１９】 レチクルと、該レチクルに形成された
パターンが転写されるウエハと、ウエハ面上の照度を測
定する照度測定手段とを有する露光装置において、 実際のパターンの露光に用いるレチクルが装着された状
態でウエハ面上の照度を複数の方法によって測定し、該
複数の方法により測定された測定値から前記レチクルに
よって生ずるゴーストの分布を求める手段を有すること
を特徴とする露光装置。 - 【請求項２０】 前記複数の方法により測定された同一
の測定点の測定値の比較から前記レチクルによって生ず
るゴーストの分布を求めることを特徴とする請求項１９
記載の露光装置。 - 【請求項２１】 前記複数の方法は、レチクルに形成さ
れたパタ−ン全面を照明した状態で照度を測定する方法
と、照度を測定する領域の近傍のみを照明した状態で照
度を測定する方法を含むことを特徴とする請求項１９、
２０記載の露光装置。 - 【請求項２２】 求められたゴーストの分布を用いて、
前記レチクルが均一に照明されるよう、照度分布を調整
する手段を有することを特徴とする請求項１９乃至２１
記載の露光装置。 - 【請求項２３】 請求項６乃至２２記載の露光装置を用
いて半導体素子を製造することを特徴とする半導体素子
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07652396A JP3624048B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 照度測定方法 |
| US08/824,797 US5905569A (en) | 1996-03-29 | 1997-03-26 | Illuminance measuring method, an exposure apparatus using the method, and a device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07652396A JP3624048B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 照度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270374A true JPH09270374A (ja) | 1997-10-14 |
| JP3624048B2 JP3624048B2 (ja) | 2005-02-23 |
Family
ID=13607654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07652396A Expired - Fee Related JP3624048B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 照度測定方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5905569A (ja) |
| JP (1) | JP3624048B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11271213A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-05 | Toshiba Corp | マスク検査装置、露光装置及び照明方法 |
| JP2005108892A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 調節フィルタ、露光装置、及び、露光方法 |
| JP4599797B2 (ja) * | 2000-07-26 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | フレア計測方法、露光方法、露光装置の調整方法 |
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| JP2001338868A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Nikon Corp | 照度計測装置及び露光装置 |
| US6490031B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-12-03 | Intel Corporation | Radiometric scatter monitor |
| JP4616983B2 (ja) * | 2000-11-22 | 2011-01-19 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、該検出装置を用いた投影露光装置及びデバイス製造方法 |
| US20020100863A1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-01 | Spears Kurt E. | Optical image scanner with color and intensity compensation during lamp warmup |
| WO2006035925A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Nikon Corporation | 計測方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2010016317A (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-21 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR20150015254A (ko) * | 2013-07-31 | 2015-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 빔의 모니터링 방법 및 이를 이용한 레이저 조사 장치 |
| KR102166895B1 (ko) * | 2020-04-16 | 2020-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 빔의 모니터링 방법 및 이를 이용한 레이저 조사 장치 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS58116541A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-11 | Canon Inc | 整合方法 |
| US4871257A (en) * | 1982-12-01 | 1989-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus for observing patterned article |
| JPS6052021A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-23 | Canon Inc | 位置検出方法 |
| US4799791A (en) * | 1984-02-13 | 1989-01-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Illuminance distribution measuring system |
| US4883359A (en) * | 1984-02-28 | 1989-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment method and pattern forming method using the same |
| JPS612124A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-08 | Canon Inc | 結像光学系 |
| JPS61148415A (ja) * | 1984-12-22 | 1986-07-07 | Canon Inc | 照明光学系 |
| US4780615A (en) * | 1985-02-01 | 1988-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment system for use in pattern transfer apparatus |
| US4886975A (en) * | 1986-02-14 | 1989-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on two or more surfaces |
| JP2599591B2 (ja) * | 1987-04-28 | 1997-04-09 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子特性測定装置 |
| US5133603A (en) * | 1988-10-18 | 1992-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for observing alignment marks on a mask and wafer |
| US5124562A (en) * | 1989-01-27 | 1992-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface position detecting method at a predetermined and plurality of adjacent points |
| JP2890882B2 (ja) * | 1990-04-06 | 1999-05-17 | キヤノン株式会社 | 位置付け方法、半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置 |
| JP3064433B2 (ja) * | 1990-12-25 | 2000-07-12 | 株式会社ニコン | 位置合わせ装置およびそれを備えた投影露光装置 |
| JP3109852B2 (ja) * | 1991-04-16 | 2000-11-20 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
| JPH0562883A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Nikon Corp | 照度分布補正機能付き投影露光装置 |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP07652396A patent/JP3624048B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-26 US US08/824,797 patent/US5905569A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3624048B2 (ja) | 2005-02-23 |
| US5905569A (en) | 1999-05-18 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040721 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040817 |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081203 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091203 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091203 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101203 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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