JPH09272865A - 有機エレクトロルミネッセンス素子用電子注入材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子用電子注入材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH09272865A JPH09272865A JP8084872A JP8487296A JPH09272865A JP H09272865 A JPH09272865 A JP H09272865A JP 8084872 A JP8084872 A JP 8084872A JP 8487296 A JP8487296 A JP 8487296A JP H09272865 A JPH09272865 A JP H09272865A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 電子輸送性と陰極からの注入効率が良好な電
子注入材料により高輝度・高発光効率、発光劣化が少な
く信頼性の高いエレクトロルミネッセンス(EL)素子
を提供する。 【解決手段】一般式1の有機EL素子用電子注入材料、
および一対の電極間に発光層または1および電子注入層
を含む複数層の有機化合物薄膜よりなる層を備えた有機
EL素子において、電子注入層が該有機EL素子材料を
含有する有機EL素子。 [AとR1 〜R5 は独立に水素、ハロゲン、置換1未置
換のアルコキシ基・アミノ基・アルキル基・シクロアル
キル基・窒素原子を有しても良いアリール基・窒素を有
しても良いアリールオキシ基を表し(ただしAは水素で
はない。)、R1 〜R5 の隣接する置換基同士が結合し
て窒素を含んで良い芳香族環を形成しても良い。Mは2
〜4価の金属原子、nは2〜4の整数を表す。]
子注入材料により高輝度・高発光効率、発光劣化が少な
く信頼性の高いエレクトロルミネッセンス(EL)素子
を提供する。 【解決手段】一般式1の有機EL素子用電子注入材料、
および一対の電極間に発光層または1および電子注入層
を含む複数層の有機化合物薄膜よりなる層を備えた有機
EL素子において、電子注入層が該有機EL素子材料を
含有する有機EL素子。 [AとR1 〜R5 は独立に水素、ハロゲン、置換1未置
換のアルコキシ基・アミノ基・アルキル基・シクロアル
キル基・窒素原子を有しても良いアリール基・窒素を有
しても良いアリールオキシ基を表し(ただしAは水素で
はない。)、R1 〜R5 の隣接する置換基同士が結合し
て窒素を含んで良い芳香族環を形成しても良い。Mは2
〜4価の金属原子、nは2〜4の整数を表す。]
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、平面光源や発光表示に
使用される有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子
用電子注入材料および高輝度、長寿命の発光素子による
ものである。
使用される有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子
用電子注入材料および高輝度、長寿命の発光素子による
ものである。
【0002】
【従来の技術】有機物質を使用したEL素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にELは
発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構成さ
れている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰
極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入され
る。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合
し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエ
ネルギーを光として放出する現象である。
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にELは
発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構成さ
れている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰
極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入され
る。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合
し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエ
ネルギーを光として放出する現象である。
【0003】従来の有機EL素子は、無機EL素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法は、金属キレート錯体を蛍光体層、ア
ミン化合物を正孔注入層として積層させて高輝度の緑色
発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は数100
cd/m2 、最大発光効率は1.5lm/Wを達成し
て、実用領域に近い性能を持っている。
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法は、金属キレート錯体を蛍光体層、ア
ミン化合物を正孔注入層として積層させて高輝度の緑色
発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は数100
cd/m2 、最大発光効率は1.5lm/Wを達成し
て、実用領域に近い性能を持っている。
【0004】有機EL素子の有機層の正孔注入材料とし
ては、陽極からの正孔注入効率が良く、注入された正孔
を効率よく発光層の方向に輸送できる材料であることが
好ましい。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さ
く、正孔移動度が大きく、安定性に優れていることが要
求される。電子注入材料としては、陰極からの電子注入
効率が良く、注入された電子を効率よく発光層の方向に
輸送できる材料であることが好ましい。そのためには、
電子親和力が大きく、電子移動度が大きく、安定性に優
れていることが要求される。
ては、陽極からの正孔注入効率が良く、注入された正孔
を効率よく発光層の方向に輸送できる材料であることが
好ましい。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さ
く、正孔移動度が大きく、安定性に優れていることが要
求される。電子注入材料としては、陰極からの電子注入
効率が良く、注入された電子を効率よく発光層の方向に
輸送できる材料であることが好ましい。そのためには、
電子親和力が大きく、電子移動度が大きく、安定性に優
れていることが要求される。
【0005】現在までに提案された正孔注入材料として
は、オキサジアゾール誘導体(米国特許第3,189,
447号)、オキサゾール誘導体(米国特許第3,25
7,203号)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,7
17,462号、特開昭54−59,143号、米国特
許第4,150,978号)、トリアリールピラゾリン
誘導体(米国特許第3,820,989号、特開昭51
−93,224号、特開昭55−108,667号)、
アリールアミン誘導体(米国特許第3,180,730
号、米国特許第4,232,103号、特開昭55−1
44,250号、特開昭56−119,132号)、ス
チルベン誘導体(特開昭58−190,953号、特開
昭59−195,658号)等がある。
は、オキサジアゾール誘導体(米国特許第3,189,
447号)、オキサゾール誘導体(米国特許第3,25
7,203号)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,7
17,462号、特開昭54−59,143号、米国特
許第4,150,978号)、トリアリールピラゾリン
誘導体(米国特許第3,820,989号、特開昭51
−93,224号、特開昭55−108,667号)、
アリールアミン誘導体(米国特許第3,180,730
号、米国特許第4,232,103号、特開昭55−1
44,250号、特開昭56−119,132号)、ス
チルベン誘導体(特開昭58−190,953号、特開
昭59−195,658号)等がある。
【0006】また、電子注入材料としては、オキサジア
ゾール誘導体(特開平2−216791号)、ペリノン
誘導体(特開平2−289676号)、ペリレン誘導体
(特開平2−189890号、特開平3−791号)、
キナクリドン誘導体(特開平6−330031号)等が
あるが、この電子注入材料使用した有機EL素子の陰極
から有機層への電子注入特性は充分ではなかった。
ゾール誘導体(特開平2−216791号)、ペリノン
誘導体(特開平2−289676号)、ペリレン誘導体
(特開平2−189890号、特開平3−791号)、
キナクリドン誘導体(特開平6−330031号)等が
あるが、この電子注入材料使用した有機EL素子の陰極
から有機層への電子注入特性は充分ではなかった。
【0007】現在までの有機EL素子は、構成を改善す
ることにより発光効率は改良されているが、未だ充分な
素子寿命は有していない。特に、陰極金属と有機層界面
の接触による注入効率が低く、電極に接触した有機層の
耐熱性等も大きな問題になっている。そのため、より高
い発光効率であり、長寿命の有機EL素子の開発のため
に、電子注入材料の開発が望まれている。
ることにより発光効率は改良されているが、未だ充分な
素子寿命は有していない。特に、陰極金属と有機層界面
の接触による注入効率が低く、電極に接触した有機層の
耐熱性等も大きな問題になっている。そのため、より高
い発光効率であり、長寿命の有機EL素子の開発のため
に、電子注入材料の開発が望まれている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、優れ
た電子輸送能力を有し、耐久性のある電子注入材料を提
供することにあり、さらに該電子注入材料を使用した高
輝度、長寿命の有機EL素子を提供することを目的とす
る。本発明者らが鋭意検討した結果、一般式[1]で示
される少なくとも一種の電子注入材料を使用した有機E
L素子が、電子注入能力が大きく、繰り返し使用時での
寿命安定性も優れていることを見いだし本発明に至っ
た。
た電子輸送能力を有し、耐久性のある電子注入材料を提
供することにあり、さらに該電子注入材料を使用した高
輝度、長寿命の有機EL素子を提供することを目的とす
る。本発明者らが鋭意検討した結果、一般式[1]で示
される少なくとも一種の電子注入材料を使用した有機E
L素子が、電子注入能力が大きく、繰り返し使用時での
寿命安定性も優れていることを見いだし本発明に至っ
た。
【0009】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は下記一般
式[1]で示される有機エレクトロルミネッセンス素子
用電子注入材料である。
式[1]で示される有機エレクトロルミネッセンス素子
用電子注入材料である。
【0010】[式中、AおよびR1 〜R5 は、それぞれ
独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換
のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換
もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシ
クロアルキル基、置換もしくは未置換の窒素原子を有し
ても良いアリール基、置換もしくは未置換の窒素原子を
有しても良いアリールオキシ基を表す。ただし、Aは水
素原子を含まない。ここで、R1 〜R5 の隣接する置換
基同士が互いに結合して窒素原子を含んで良い芳香族間
を形成しても良い。Mは、二価ないし四価の金属原子を
表し、nは、2〜4の正の整数を表す。] 一般式[1]
独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換
のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換
もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシ
クロアルキル基、置換もしくは未置換の窒素原子を有し
ても良いアリール基、置換もしくは未置換の窒素原子を
有しても良いアリールオキシ基を表す。ただし、Aは水
素原子を含まない。ここで、R1 〜R5 の隣接する置換
基同士が互いに結合して窒素原子を含んで良い芳香族間
を形成しても良い。Mは、二価ないし四価の金属原子を
表し、nは、2〜4の正の整数を表す。] 一般式[1]
【化4】
【0011】更に、本発明は、一対の電極間に、発光層
または発光層および電子注入層を含む有機化合物薄膜層
を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記電子注入層が、上記有機エレクトロルミネッセンス
素子用電子注入材料を含有する層である有機エレクトロ
ルミネッセンス素子である。
または発光層および電子注入層を含む有機化合物薄膜層
を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記電子注入層が、上記有機エレクトロルミネッセンス
素子用電子注入材料を含有する層である有機エレクトロ
ルミネッセンス素子である。
【0012】更に、本発明は、発光層が金属錯体化合物
を含有する層である上記有機エレクトロルミネッセンス
素子である。
を含有する層である上記有機エレクトロルミネッセンス
素子である。
【0013】更に、本発明は、発光層が下記一般式
[2]で示される化合物を含有する層である上記有機エ
レクトロルミネッセンス素子である。 一般式[2]
[2]で示される化合物を含有する層である上記有機エ
レクトロルミネッセンス素子である。 一般式[2]
【化5】 [式中、Ar1 は、C,N,H,O,Sから選ばれる1
〜100個の原子で構成される化学的に合理的な組合わ
せからなる二価の連結基である。R6 〜R9 は、それぞ
れ独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もし
くは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換の
窒素原子を有しても良いアリール基を表す。]
〜100個の原子で構成される化学的に合理的な組合わ
せからなる二価の連結基である。R6 〜R9 は、それぞ
れ独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もし
くは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換の
窒素原子を有しても良いアリール基を表す。]
【0014】更に、本発明は、発光層が下記一般式
[3]で示される化合物を含有する層であることを特徴
とする請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子である。 一般式[3]
[3]で示される化合物を含有する層であることを特徴
とする請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子である。 一般式[3]
【化6】 [式中、Ar1 は、C,N,H,O,Sから選ばれる1
〜100個の原子で構成される化学的に合理的な組合わ
せからなる二価の連結基である。R6 〜R9 は、それぞ
れ独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もし
くは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換の
窒素原子を有しても良いアリール基を表す。nは、2以
上10000以下の正の整数を表す。]
〜100個の原子で構成される化学的に合理的な組合わ
せからなる二価の連結基である。R6 〜R9 は、それぞ
れ独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もし
くは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換の
窒素原子を有しても良いアリール基を表す。nは、2以
上10000以下の正の整数を表す。]
【0015】更に、本発明は陽極と発光層の間に正孔注
入層を設けることを特徴とする上記有機エレクトロルミ
ネッセンス素子である。
入層を設けることを特徴とする上記有機エレクトロルミ
ネッセンス素子である。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の一般式[1]で示される
化合物のAもしくはR1 〜R5 は、それぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルコキ
シ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未
置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキ
ル基、置換もしくは未置換の窒素原子を有しても良いア
リール基、置換もしくは未置換の窒素原子を有しても良
いアリールオキシ基を表す。ただし、Aは水素原子では
ない。
化合物のAもしくはR1 〜R5 は、それぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルコキ
シ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未
置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキ
ル基、置換もしくは未置換の窒素原子を有しても良いア
リール基、置換もしくは未置換の窒素原子を有しても良
いアリールオキシ基を表す。ただし、Aは水素原子では
ない。
【0017】ハロゲン原子の具体例としては、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素がある。アルコキシ基の具体例とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基等がある。アミノ基の具体例としては、アミノ基、
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミ
ノ基、ジトリルアミノ基、N−ナフチル−1−フェニル
アミノ基等がある。アルキル基の具体例としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、sec−ブチ
ル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメ
チル基等がある。シクロアルキル基の具体例としては、
シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基等がある。
窒素原子を有しても良いアリール基の具体例としては、
フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナント
レニル基、9,10−ジフェニルアントラニル基、ピレ
ニル基、ピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピ
ラジル基、トリアジル基、インドリル基、カルバゾリル
基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、キノ
キサリル基、ピロリジル基、ピペリジル基、モルフォリ
ル基、ピペラジル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、
トリアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル
基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベン
ゾトリアゾリル基等がある。窒素原子を有しても良いア
リールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、4−
フェニルフェノキシ基、4−フェノキシフェノキシ基、
ピルジルオキシ基等がある。
塩素、臭素、ヨウ素がある。アルコキシ基の具体例とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基等がある。アミノ基の具体例としては、アミノ基、
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミ
ノ基、ジトリルアミノ基、N−ナフチル−1−フェニル
アミノ基等がある。アルキル基の具体例としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、sec−ブチ
ル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメ
チル基等がある。シクロアルキル基の具体例としては、
シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基等がある。
窒素原子を有しても良いアリール基の具体例としては、
フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナント
レニル基、9,10−ジフェニルアントラニル基、ピレ
ニル基、ピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピ
ラジル基、トリアジル基、インドリル基、カルバゾリル
基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、キノ
キサリル基、ピロリジル基、ピペリジル基、モルフォリ
ル基、ピペラジル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、
トリアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル
基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベン
ゾトリアゾリル基等がある。窒素原子を有しても良いア
リールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、4−
フェニルフェノキシ基、4−フェノキシフェノキシ基、
ピルジルオキシ基等がある。
【0018】上記記載の基に付加しても良い置換基の具
体例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン
原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、s
ec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、ト
リクロロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2
−トリフルオロエチル基、2,2,3,3−テトラフル
オロプロピル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロ
プロピル基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ
−2−プロピル基、2,2,3,3,4,4−ヘキサフ
ルオロブチル基、2−メトキシエチル基等の置換もしく
は未置換のアルキル基、シクロペンタン基、シクロヘキ
シル基等の置換もしくは未置換のシクロアルキル基、フ
ェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル
基、3ーメチルフェニル基、3ーメトキシフェニル基、
3ーフルオロフェニル基、3ートリクロロメチルフェニ
ル基、3ートリフルオロメチルフェニル基、3ーニトロ
フェニル基、p−t−ブチルフェニル基、ペンタフルオ
ロフェニル基等の置換もしくは未置換のアリール基、メ
トキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ト
リクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタ
フルオロプロポキシ基、2,2,3,3−テトラフルオ
ロプロポキシ基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフル
オロ−2−プロポキシ基、6−(パーフルオロエチル)
ヘキシルオキシ基等の置換もしくは未置換のアルコキシ
基、フェノキシ基、p−ニトロフェノキシ基、p−te
rt−ブチルフェノキシ基、3−フルオロフェノキシ
基、ペンタフルオロフェニル基、3−トリフルオロメチ
ルフェノキシ基等の置換もしくは未置換のアリールオキ
シ基、メチルチオ基、エチルチオ基、tert−ブチル
チオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオ
ロメチルチオ基等の置換もしくは未置換のアルキルチオ
基、フェニルチオ基、p−ニトロフェニルチオ基、p−
tert−ブチルフェニルチオ基、3−フルオロフェニ
ルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、3−トリフ
ルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは未置換の
アリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ
基、ジフェニルアミノ基等のモノまたはジ置換アミノ
基、ビス(アセトキシメチル)アミノ基、ビス(アセト
キシエチル)アミノ基、ビスアセトキシプロピル)アミ
ノ基、ビス(アセトキシブチル)アミノ基等のアシルア
ミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチルカルバ
モイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイ
ル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイ
ル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基
等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、
イミド基、ピリジン基、ピラジン基、ピリミジン基、ピ
リダジン基、トリアジン基、インドール基、キノリン
基、アクリジン基、ピロリジン基、ジオキサン基、ピペ
リジン基、モルフォリン基、ピペラジン基等の複素環基
等がある。ここで、R1 ないしR5 は隣接する置換基同
士でお互いに結合して窒素原子を含んで良い芳香族環を
形成しても良い。
体例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン
原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、s
ec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、ト
リクロロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2
−トリフルオロエチル基、2,2,3,3−テトラフル
オロプロピル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロ
プロピル基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ
−2−プロピル基、2,2,3,3,4,4−ヘキサフ
ルオロブチル基、2−メトキシエチル基等の置換もしく
は未置換のアルキル基、シクロペンタン基、シクロヘキ
シル基等の置換もしくは未置換のシクロアルキル基、フ
ェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル
基、3ーメチルフェニル基、3ーメトキシフェニル基、
3ーフルオロフェニル基、3ートリクロロメチルフェニ
ル基、3ートリフルオロメチルフェニル基、3ーニトロ
フェニル基、p−t−ブチルフェニル基、ペンタフルオ
ロフェニル基等の置換もしくは未置換のアリール基、メ
トキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ト
リクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタ
フルオロプロポキシ基、2,2,3,3−テトラフルオ
ロプロポキシ基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフル
オロ−2−プロポキシ基、6−(パーフルオロエチル)
ヘキシルオキシ基等の置換もしくは未置換のアルコキシ
基、フェノキシ基、p−ニトロフェノキシ基、p−te
rt−ブチルフェノキシ基、3−フルオロフェノキシ
基、ペンタフルオロフェニル基、3−トリフルオロメチ
ルフェノキシ基等の置換もしくは未置換のアリールオキ
シ基、メチルチオ基、エチルチオ基、tert−ブチル
チオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオ
ロメチルチオ基等の置換もしくは未置換のアルキルチオ
基、フェニルチオ基、p−ニトロフェニルチオ基、p−
tert−ブチルフェニルチオ基、3−フルオロフェニ
ルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、3−トリフ
ルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは未置換の
アリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ
基、ジフェニルアミノ基等のモノまたはジ置換アミノ
基、ビス(アセトキシメチル)アミノ基、ビス(アセト
キシエチル)アミノ基、ビスアセトキシプロピル)アミ
ノ基、ビス(アセトキシブチル)アミノ基等のアシルア
ミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチルカルバ
モイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイ
ル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイ
ル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基
等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、
イミド基、ピリジン基、ピラジン基、ピリミジン基、ピ
リダジン基、トリアジン基、インドール基、キノリン
基、アクリジン基、ピロリジン基、ジオキサン基、ピペ
リジン基、モルフォリン基、ピペラジン基等の複素環基
等がある。ここで、R1 ないしR5 は隣接する置換基同
士でお互いに結合して窒素原子を含んで良い芳香族環を
形成しても良い。
【0019】また、一般式[1]において、Mは、ベリ
リウム、亜鉛、カドミウム、マグネシウム、カルシウ
ム、コバルト、ニッケル、鉄、銅、ストロンチウム、ス
カンジウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、イ
ットリウムもしくはジルコニウムを示すが、これらに限
られるものではない。nは金属原子の価数によって異な
り、二価金属の場合2、三価金属の場合3、四価金属の
場合4である。
リウム、亜鉛、カドミウム、マグネシウム、カルシウ
ム、コバルト、ニッケル、鉄、銅、ストロンチウム、ス
カンジウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、イ
ットリウムもしくはジルコニウムを示すが、これらに限
られるものではない。nは金属原子の価数によって異な
り、二価金属の場合2、三価金属の場合3、四価金属の
場合4である。
【0020】以下に、本発明の有機EL素子の電子注入
層に使用される一般式[1]の化合物の代表例を具体的
に例示するが、本発明は以下の代表例に限定されるもの
ではない。
層に使用される一般式[1]の化合物の代表例を具体的
に例示するが、本発明は以下の代表例に限定されるもの
ではない。
【0021】
【表1】
【0022】
【0023】本発明の一般式[1]で示される化合物
は、同一層内で単独で用いても混合して用いても良い。
また、必要があれば他の正孔もしくは電子注入性化合物
と混合して使用してもさしつかえない。本発明の化合物
は、電子輸送能力および陰極からの電子注入性が大きい
ので、有機EL素子の電子注入層に極めて有効に使用す
ることができる。
は、同一層内で単独で用いても混合して用いても良い。
また、必要があれば他の正孔もしくは電子注入性化合物
と混合して使用してもさしつかえない。本発明の化合物
は、電子輸送能力および陰極からの電子注入性が大きい
ので、有機EL素子の電子注入層に極めて有効に使用す
ることができる。
【0024】有機EL素子は、陽極と陰極間に一層もし
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送
させるために、正孔注入材料もしくは電子注入材料を含
有しても良い。発光材料が、正孔輸送性もしくは電子輸
送性を有している場合もある。多層型は、(陽極/正孔
注入層/発光層/陰極)、(陽極/発光層/電子注入層
/陰極)、(陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/
陰極)等の多層構成で積層した有機EL素子がある。一
般式[1]の化合物は、大きな電子輸送能力を持ってい
るので、発光層と陰極との間の電子注入層の電子注入材
料として使用できる。
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送
させるために、正孔注入材料もしくは電子注入材料を含
有しても良い。発光材料が、正孔輸送性もしくは電子輸
送性を有している場合もある。多層型は、(陽極/正孔
注入層/発光層/陰極)、(陽極/発光層/電子注入層
/陰極)、(陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/
陰極)等の多層構成で積層した有機EL素子がある。一
般式[1]の化合物は、大きな電子輸送能力を持ってい
るので、発光層と陰極との間の電子注入層の電子注入材
料として使用できる。
【0025】発光層には、必要があれば、本発明の一般
式[1]の化合物に加えて、発光材料、ドーピング材
料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもでき
る。(陽極/正孔注入層/発光層/陰極)の順で積層さ
れた有機薄膜二層構造の場合、発光層と正孔注入層を分
離している。この構造により、正孔注入層から発光層へ
の正孔注入効率が向上して、発光輝度や発光効率を増加
させることができる。この場合、発光層に使用される発
光材料自身が電子輸送性であること、または発光層中に
電子注入材料を添加することが望ましい。(陽極/発光
層/電子注入層/陰極)の順で積層された有機薄膜二層
構造の場合、発光層と電子注入層を分離している。この
構造により、電子注入層から発光層への電子注入効率が
向上して、発光輝度や発光効率を増加させることができ
る。この場合、発光層に使用される発光材料自身が正孔
輸送性であること、または発光層中に正孔注入材料を添
加することが望ましい。
式[1]の化合物に加えて、発光材料、ドーピング材
料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもでき
る。(陽極/正孔注入層/発光層/陰極)の順で積層さ
れた有機薄膜二層構造の場合、発光層と正孔注入層を分
離している。この構造により、正孔注入層から発光層へ
の正孔注入効率が向上して、発光輝度や発光効率を増加
させることができる。この場合、発光層に使用される発
光材料自身が電子輸送性であること、または発光層中に
電子注入材料を添加することが望ましい。(陽極/発光
層/電子注入層/陰極)の順で積層された有機薄膜二層
構造の場合、発光層と電子注入層を分離している。この
構造により、電子注入層から発光層への電子注入効率が
向上して、発光輝度や発光効率を増加させることができ
る。この場合、発光層に使用される発光材料自身が正孔
輸送性であること、または発光層中に正孔注入材料を添
加することが望ましい。
【0026】また、有機薄膜三層構造の場合は、発光
層、正孔注入層、電子注入層を有し、発光層での正孔と
電子の再結合の効率を向上させている。このように、有
機EL素子を多層構造にすることにより、クエンチング
による輝度や寿命の低下を防ぐことができる。このよう
な多層構造の素子においても、必要があれば、発光材
料、ドーピング材料、キャリア輸送を行う正孔注入材料
や電子注入材料を組み合わせて使用することが出来る。
また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二
層以上の層により形成されても良い。正孔注入層が二層
以上の場合、陽極に接している層を正孔注入層、その正
孔注入層と発光層との間の層を正孔輸送層と呼び、電子
注入層が二層以上の場合、陰極に接している層を電子注
入層、その電子注入層と発光層との間の層を電子輸送層
と呼ぶ例が多い。
層、正孔注入層、電子注入層を有し、発光層での正孔と
電子の再結合の効率を向上させている。このように、有
機EL素子を多層構造にすることにより、クエンチング
による輝度や寿命の低下を防ぐことができる。このよう
な多層構造の素子においても、必要があれば、発光材
料、ドーピング材料、キャリア輸送を行う正孔注入材料
や電子注入材料を組み合わせて使用することが出来る。
また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二
層以上の層により形成されても良い。正孔注入層が二層
以上の場合、陽極に接している層を正孔注入層、その正
孔注入層と発光層との間の層を正孔輸送層と呼び、電子
注入層が二層以上の場合、陰極に接している層を電子注
入層、その電子注入層と発光層との間の層を電子輸送層
と呼ぶ例が多い。
【0027】本発明の有機EL素子は、発光層、電子注
入層において、必要があれば、一般式[1]の化合物に
加えて、公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材
料、電子注入材料を使用することもできる。
入層において、必要があれば、一般式[1]の化合物に
加えて、公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材
料、電子注入材料を使用することもできる。
【0028】公知の発光材料またはドーピング材料とし
ては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピ
レン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイ
ン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペ
リノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニ
ルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、
オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリ
ン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、オ
キシン、アミノキノリン、イミン、ジフェニルエチレ
ン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラ
ン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾ
ールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ル
ブレン等およびそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。
ては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピ
レン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイ
ン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペ
リノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニ
ルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、
オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリ
ン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、オ
キシン、アミノキノリン、イミン、ジフェニルエチレ
ン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラ
ン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾ
ールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ル
ブレン等およびそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。
【0029】本発明の電子注入材料に適した発光材料と
しては、金属錯体化合物、一般式[2]の化合物、もし
くは、発光層がC,N,H,O,Sから選ばれる1〜1
00個の原子で構成される化学的に合理的な組合わせか
らなる二価の連結基および/またはビニル基との繰り返
し単位より構成される共役系重合体があげられる。金属
錯体化合物としては、(8−ヒドロキシキノリノナト)
リチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリノナト)亜鉛、
ビス(8−ヒドロキシキノリノナト)マンガン、ビス
(8−ヒドロキシキノリノナト)銅、トリス(8−ヒド
ロキシキノリノナト)アルミニウム、トリス(8−ヒド
ロキシキノリノナト)ガリウム、ビス(10−ヒドロキ
シベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム、ビス(10−
ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)亜鉛、ビス(10
−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)マグネシウム、
トリス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ア
ルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリナト)クロ
ロガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナト)(o
−クレゾラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キ
ノリナト)(1−フェノラート)アルミウム、ビス(2
−メチル−8−キノリナト)(1−フェノラート)ガリ
ウム、ビス(2−メチル−8−キノリナト)(1−ナフ
トラート)アルミウム、ビス(2−メチル−8−キノリ
ナト)(1−ナフトラート)ガリウム、ビス(2−メチ
ル−8−キノリナト)(1−ビフェノラート)ガリウ
ム、ビス(2−[2−ベンゾオキサゾリナト]フェノラ
ート)亜鉛、ビス(2−[2−ベンゾチアゾリナト]フ
ェノラート)亜鉛、ビス(2−[2−ベンゾトリアゾリ
ナト]フェノラート)亜鉛等があるがこれらに限定され
るものではない。これらの化合物は、単独で用いてもよ
いし、2種類以上を混合してもよい。
しては、金属錯体化合物、一般式[2]の化合物、もし
くは、発光層がC,N,H,O,Sから選ばれる1〜1
00個の原子で構成される化学的に合理的な組合わせか
らなる二価の連結基および/またはビニル基との繰り返
し単位より構成される共役系重合体があげられる。金属
錯体化合物としては、(8−ヒドロキシキノリノナト)
リチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリノナト)亜鉛、
ビス(8−ヒドロキシキノリノナト)マンガン、ビス
(8−ヒドロキシキノリノナト)銅、トリス(8−ヒド
ロキシキノリノナト)アルミニウム、トリス(8−ヒド
ロキシキノリノナト)ガリウム、ビス(10−ヒドロキ
シベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム、ビス(10−
ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)亜鉛、ビス(10
−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)マグネシウム、
トリス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ア
ルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリナト)クロ
ロガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナト)(o
−クレゾラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キ
ノリナト)(1−フェノラート)アルミウム、ビス(2
−メチル−8−キノリナト)(1−フェノラート)ガリ
ウム、ビス(2−メチル−8−キノリナト)(1−ナフ
トラート)アルミウム、ビス(2−メチル−8−キノリ
ナト)(1−ナフトラート)ガリウム、ビス(2−メチ
ル−8−キノリナト)(1−ビフェノラート)ガリウ
ム、ビス(2−[2−ベンゾオキサゾリナト]フェノラ
ート)亜鉛、ビス(2−[2−ベンゾチアゾリナト]フ
ェノラート)亜鉛、ビス(2−[2−ベンゾトリアゾリ
ナト]フェノラート)亜鉛等があるがこれらに限定され
るものではない。これらの化合物は、単独で用いてもよ
いし、2種類以上を混合してもよい。
【0030】さらに、発光材料として適した一般式
[2]で示される化合物のAr1 としては、C,N,
H,O,Sから選ばれる1〜100個の原子で構成され
る化学的に合理的な組合わせからなる二価の連結基であ
れば良い。具体的な連結基としては、置換基を有しても
よいフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、ア
ントラニレン基、ピレニレン基、チオフェニレン基、ト
リフェニルアミノ基、N−エチルカルバゾール基等があ
るがあるがこれらに限定されるものではない。これらの
置換基としては、上記の一般式[1]で示される化合物
のAもしくはR1 〜R 5 と同様の置換基があげられる。
R6 〜R9 は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、
置換もしくは未置換の窒素原子を有しても良いアリール
基であり、それらに付加する置換基としては、R1 〜R
5 と同様の置換基があげられる。また、アルキル基、シ
クロアルキル基もしくは窒素原子を有しても良いアリー
ル基は、R1 〜R5 で示される基と同様の基があげられ
る。
[2]で示される化合物のAr1 としては、C,N,
H,O,Sから選ばれる1〜100個の原子で構成され
る化学的に合理的な組合わせからなる二価の連結基であ
れば良い。具体的な連結基としては、置換基を有しても
よいフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、ア
ントラニレン基、ピレニレン基、チオフェニレン基、ト
リフェニルアミノ基、N−エチルカルバゾール基等があ
るがあるがこれらに限定されるものではない。これらの
置換基としては、上記の一般式[1]で示される化合物
のAもしくはR1 〜R 5 と同様の置換基があげられる。
R6 〜R9 は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、
置換もしくは未置換の窒素原子を有しても良いアリール
基であり、それらに付加する置換基としては、R1 〜R
5 と同様の置換基があげられる。また、アルキル基、シ
クロアルキル基もしくは窒素原子を有しても良いアリー
ル基は、R1 〜R5 で示される基と同様の基があげられ
る。
【0031】以下に、本発明の有機EL素子の発光層に
使用される一般式[2]の化合物の代表例を具体的に例
示するが、以下の代表例に限定されるものではない。こ
れらの化合物は、単独で用いてもよいし、2種類以上を
混合してもよい。
使用される一般式[2]の化合物の代表例を具体的に例
示するが、以下の代表例に限定されるものではない。こ
れらの化合物は、単独で用いてもよいし、2種類以上を
混合してもよい。
【0032】
【表2】
【0033】さらに、発光材料として適した化合物とし
ては、C,N,H,O,Sから選ばれる1〜100個の
原子で構成される化学的に合理的な組合わせからなる二
価の連結基および/またはビニル基との繰り返し単位よ
り構成される共役系重合体がある。上記の二価の連結基
としては、上記Ar1 と同様の連結基であって良い。こ
れらの連結基の置換基としては、上記の一般式[1]で
示される化合物のAもしくはR1 〜R5 と同様の置換基
があげられる。繰り返し単位は、2以上100,000
以下である。該共役系重合体の代表例を具体的に例示す
るが、以下の代表例に限定されるものではない。例示さ
れる共役系重合体としては、ポリ(p−フェニレン)、
ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジペ
ンチル−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジ
ペンチル−m−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−
ジオクチル−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5
−ジヘキシルオキシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ
(2,5−ジヘキシルオキシ−m−フェニレンビニレ
ン)、ポリ(2,5−ジヘキシルチオ−p−フェニレン
ビニレン)、ポリ(2,5−ジデシルオキシ−p−フェ
ニレンビニレン)ポリ(2−メトキシ−5−ヘキシルオ
キシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2−メトキシ
−5−(3’−メチル−ブトキシ)−p−フェニレンビ
ニレン、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)、ポリ
(3−n−オクチル−2,5−チエニレンビニレン)、
ポリ(1,4−ナフタレンビニレン)、ポリ(9,10
−アントラセンビニレン)およびそれらの共重合体があ
る。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、2種類
以上を混合してもよい。
ては、C,N,H,O,Sから選ばれる1〜100個の
原子で構成される化学的に合理的な組合わせからなる二
価の連結基および/またはビニル基との繰り返し単位よ
り構成される共役系重合体がある。上記の二価の連結基
としては、上記Ar1 と同様の連結基であって良い。こ
れらの連結基の置換基としては、上記の一般式[1]で
示される化合物のAもしくはR1 〜R5 と同様の置換基
があげられる。繰り返し単位は、2以上100,000
以下である。該共役系重合体の代表例を具体的に例示す
るが、以下の代表例に限定されるものではない。例示さ
れる共役系重合体としては、ポリ(p−フェニレン)、
ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジペ
ンチル−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジ
ペンチル−m−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−
ジオクチル−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5
−ジヘキシルオキシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ
(2,5−ジヘキシルオキシ−m−フェニレンビニレ
ン)、ポリ(2,5−ジヘキシルチオ−p−フェニレン
ビニレン)、ポリ(2,5−ジデシルオキシ−p−フェ
ニレンビニレン)ポリ(2−メトキシ−5−ヘキシルオ
キシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2−メトキシ
−5−(3’−メチル−ブトキシ)−p−フェニレンビ
ニレン、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)、ポリ
(3−n−オクチル−2,5−チエニレンビニレン)、
ポリ(1,4−ナフタレンビニレン)、ポリ(9,10
−アントラセンビニレン)およびそれらの共重合体があ
る。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、2種類
以上を混合してもよい。
【0034】本発明の有機EL素子に使用できる正孔注
入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、発光層ま
たは発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光
層で生成した励起子の電子注入層または電子輸送材料へ
の移動を防止し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が挙げ
られる。具体的には、フタロシアニン、ナフタロシアニ
ン、ポルフィリン、オキサジアゾール、トリアゾール、
イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピ
ラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オ
キサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒ
ドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジ
エン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミ
ン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミ
ン等と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾー
ル、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等がある
が、これらに限定されるものではない。
入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、発光層ま
たは発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光
層で生成した励起子の電子注入層または電子輸送材料へ
の移動を防止し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が挙げ
られる。具体的には、フタロシアニン、ナフタロシアニ
ン、ポルフィリン、オキサジアゾール、トリアゾール、
イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピ
ラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オ
キサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒ
ドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジ
エン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミ
ン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミ
ン等と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾー
ル、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等がある
が、これらに限定されるものではない。
【0035】本発明の有機EL素子に使用する一般式
[1]の化合物と併せて使用できる電子注入材料として
は、電子を輸送する能力を持ち、発光層または発光材料
に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した
励起子の正孔注入層または正孔輸送材料への移動を防止
し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が挙げられる。例え
ば、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキ
ノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、ペリ
レンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アン
トラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体があ
るが、これらに限定されるものではない。これらの電子
注入材料は、一般式[1]の化合物と同一層に使用する
こともできるが、一般式[1]の化合物により形成され
る電子注入層と積層して電子注入効果を向上させること
もできる。また、正孔注入材料に電子受容材料を、電子
注入材料に電子供与性材料を添加することにより増感さ
せることもできる。
[1]の化合物と併せて使用できる電子注入材料として
は、電子を輸送する能力を持ち、発光層または発光材料
に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した
励起子の正孔注入層または正孔輸送材料への移動を防止
し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が挙げられる。例え
ば、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキ
ノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、ペリ
レンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アン
トラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体があ
るが、これらに限定されるものではない。これらの電子
注入材料は、一般式[1]の化合物と同一層に使用する
こともできるが、一般式[1]の化合物により形成され
る電子注入層と積層して電子注入効果を向上させること
もできる。また、正孔注入材料に電子受容材料を、電子
注入材料に電子供与性材料を添加することにより増感さ
せることもできる。
【0036】本発明の一般式[1]の化合物は、発光層
と陰極との間の少なくとも一層に使用できる。また、本
発明により得られた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲
気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護
層を設けたり、シリコンオイル等を封入して素子全体を
保護することも可能である。
と陰極との間の少なくとも一層に使用できる。また、本
発明により得られた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲
気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護
層を設けたり、シリコンオイル等を封入して素子全体を
保護することも可能である。
【0037】陽極に使用される導電性材料としては、4
eVより大きな仕事関数を持つ金属が適しており、A
u、Pt、Ag、Cu、Al等の金属、金属合金、IT
O、NESAもしくはポリチオフェンやポリピロール等
の有機導電性樹脂が用いられる。
eVより大きな仕事関数を持つ金属が適しており、A
u、Pt、Ag、Cu、Al等の金属、金属合金、IT
O、NESAもしくはポリチオフェンやポリピロール等
の有機導電性樹脂が用いられる。
【0038】陰極に使用される導電性材料としては、4
eVより小さな仕事関数を持つ金属もしくは金属合金が
適している。その材料としては、Al、In、Mg、L
i、Ca等の金属、もしくは、Mg/Ag、Li/A
l、Mg/In等の合金が挙げられる。陽極および陰極
は、必要があれば二層以上で形成されていても良い。陽
極および陰極は、蒸着、スパッタリング、イオンプレー
ティング、プラズマガン等の公知の成膜法により作製さ
れる。
eVより小さな仕事関数を持つ金属もしくは金属合金が
適している。その材料としては、Al、In、Mg、L
i、Ca等の金属、もしくは、Mg/Ag、Li/A
l、Mg/In等の合金が挙げられる。陽極および陰極
は、必要があれば二層以上で形成されていても良い。陽
極および陰極は、蒸着、スパッタリング、イオンプレー
ティング、プラズマガン等の公知の成膜法により作製さ
れる。
【0039】有機EL素子では、効率良く発光させるた
めに、陰極もしくは陽極のうち、少なくとも一方は素子
の発光波長領域において充分透明にすることが好まし
い。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極
は、上記の導電性材料を使用して、蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティング法等の方法で所定の透光性が
確保するように設定する。発光面側の電極の光透過率は
10%以上が望ましい。
めに、陰極もしくは陽極のうち、少なくとも一方は素子
の発光波長領域において充分透明にすることが好まし
い。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極
は、上記の導電性材料を使用して、蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティング法等の方法で所定の透光性が
確保するように設定する。発光面側の電極の光透過率は
10%以上が望ましい。
【0040】基板は機械的、熱的強度を有し透明なもの
であれば良いが、例示すると、ガラス基板、ポリエチレ
ン、ポリエーテルサルフォン、ポリプロピレン、ポリイ
ミド等の板状もしくはフィルム状のものがあげられる。
であれば良いが、例示すると、ガラス基板、ポリエチレ
ン、ポリエーテルサルフォン、ポリプロピレン、ポリイ
ミド等の板状もしくはフィルム状のものがあげられる。
【0041】本発明の有機EL素子の各層の形成は、真
空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、プラ
ズマガン法等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディ
ッピング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用すること
ができる。共重合体の場合は、適切な溶剤等に溶解した
後に湿式成膜することが好ましい。膜厚は特に限定され
るものではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要が
ある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大
きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄す
ぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分
な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10
μmの範囲が適しているであるが、10nmから0.2
μmの範囲がさらに好ましい。
空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、プラ
ズマガン法等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディ
ッピング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用すること
ができる。共重合体の場合は、適切な溶剤等に溶解した
後に湿式成膜することが好ましい。膜厚は特に限定され
るものではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要が
ある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大
きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄す
ぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分
な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10
μmの範囲が適しているであるが、10nmから0.2
μmの範囲がさらに好ましい。
【0042】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、その溶
媒はいずれでも良い。また、いずれの有機層において
も、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹
脂や添加剤を使用する。このような樹脂としては、ポリ
スチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエ
ステル、ポリアミド、ウレタン、ポリスルフォン、ポリ
メチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等の絶
縁性樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン
等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の
導電性樹脂を挙げることができる。
を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、その溶
媒はいずれでも良い。また、いずれの有機層において
も、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹
脂や添加剤を使用する。このような樹脂としては、ポリ
スチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエ
ステル、ポリアミド、ウレタン、ポリスルフォン、ポリ
メチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等の絶
縁性樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン
等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の
導電性樹脂を挙げることができる。
【0043】以上のように、本発明の有機EL素子に一
般式[1]の化合物を用いて、電子の輸送能力および陰
極面からの電子の注入効率を向上させ、発光効率と発光
輝度を高くできた。また、電子注入効率が高いために非
常に安定であり、その結果低い駆動電流で高い発光輝度
が得られるため、従来まで大きな問題であった寿命も大
幅に低下させることができた。
般式[1]の化合物を用いて、電子の輸送能力および陰
極面からの電子の注入効率を向上させ、発光効率と発光
輝度を高くできた。また、電子注入効率が高いために非
常に安定であり、その結果低い駆動電流で高い発光輝度
が得られるため、従来まで大きな問題であった寿命も大
幅に低下させることができた。
【0044】本発明の有機EL素子は、壁掛けテレビ等
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。
【0045】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細
に説明する。 実施例1 洗浄した表面抵抗値10(Ω/□)のITO電極付きガ
ラス板上に、N,N’−(4−メチルフェニル)−N,
N’−(4−n−ブチルフェニル)−フェナントレン−
9,10−ジアミンをテトラヒドロフランに溶解させ、
スピンコーティングにより膜厚40nmの正孔注入層を
得た。次いで、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アル
ミニウム錯体の膜厚40nmの発光層を作成し、化合物
(2)を真空蒸着して膜厚30nmの電子注入層を作成
し、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚
100nmの電極を形成して有機EL素子を得た。発光
層および電子注入層は、10-6Torrの真空中で、基
板温度は室温で蒸着した。この素子は、直流電圧5Vで
50(cd/m2 )、最高輝度11,000(cd/m
2 )、5V印加時での発光効率1.0(lm/W)の緑
色発光が得られた。次に、3(mA/cm2 )の電流密
度で、この素子を連続して発光させた寿命試験の結果、
初期輝度の1/2以上の発光輝度が10,000時間以
上保持された。
に説明する。 実施例1 洗浄した表面抵抗値10(Ω/□)のITO電極付きガ
ラス板上に、N,N’−(4−メチルフェニル)−N,
N’−(4−n−ブチルフェニル)−フェナントレン−
9,10−ジアミンをテトラヒドロフランに溶解させ、
スピンコーティングにより膜厚40nmの正孔注入層を
得た。次いで、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アル
ミニウム錯体の膜厚40nmの発光層を作成し、化合物
(2)を真空蒸着して膜厚30nmの電子注入層を作成
し、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚
100nmの電極を形成して有機EL素子を得た。発光
層および電子注入層は、10-6Torrの真空中で、基
板温度は室温で蒸着した。この素子は、直流電圧5Vで
50(cd/m2 )、最高輝度11,000(cd/m
2 )、5V印加時での発光効率1.0(lm/W)の緑
色発光が得られた。次に、3(mA/cm2 )の電流密
度で、この素子を連続して発光させた寿命試験の結果、
初期輝度の1/2以上の発光輝度が10,000時間以
上保持された。
【0046】実施例2 電子注入層に化合物(4)を使用する以外は、実施例1
と同様の方法で有機EL素子を作製した。この素子は、
直流電圧5Vで65(cd/m2 )、最高輝度12,0
00(cd/m2 )、5V印加時での発光効率1.2
(lm/W)の緑色発光が得られた。次に、3(mA/
cm2 )の電流密度で、この素子を連続して発光させた
寿命試験の結果、初期輝度の1/2以上の発光輝度が1
0,000時間以上保持された。
と同様の方法で有機EL素子を作製した。この素子は、
直流電圧5Vで65(cd/m2 )、最高輝度12,0
00(cd/m2 )、5V印加時での発光効率1.2
(lm/W)の緑色発光が得られた。次に、3(mA/
cm2 )の電流密度で、この素子を連続して発光させた
寿命試験の結果、初期輝度の1/2以上の発光輝度が1
0,000時間以上保持された。
【0047】実施例3 洗浄した表面抵抗値10(Ω/□)のITO電極付きガ
ラス板上に、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフ
チル−1,1−ビフェニル−4,4’−ジアミンを真空
蒸着して、膜厚40nmの正孔注入層を得た。次いで、
トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体を
真空蒸着して膜厚40nmの発光層を作成し、化合物
(4)を真空蒸着して膜厚30nmの電子注入層を作成
し、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚
100nmの電極を形成して有機EL素子を得た。正孔
注入層、発光層および電子注入層は、10-6Torrの
真空中で、基板温度は室温で蒸着した。この素子は、直
流電圧5Vで75(cd/m 2 )、最高輝度14,50
0(cd/m2 )、5V印加時での発光効率1.3(l
m/W)の緑色発光が得られた。次に、3mA/cm2
の電流密度で、この素子を連続して発光させた寿命試験
の結果、初期輝度の1/2以上の発光輝度が10,00
0時間以上保持された。
ラス板上に、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフ
チル−1,1−ビフェニル−4,4’−ジアミンを真空
蒸着して、膜厚40nmの正孔注入層を得た。次いで、
トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体を
真空蒸着して膜厚40nmの発光層を作成し、化合物
(4)を真空蒸着して膜厚30nmの電子注入層を作成
し、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚
100nmの電極を形成して有機EL素子を得た。正孔
注入層、発光層および電子注入層は、10-6Torrの
真空中で、基板温度は室温で蒸着した。この素子は、直
流電圧5Vで75(cd/m 2 )、最高輝度14,50
0(cd/m2 )、5V印加時での発光効率1.3(l
m/W)の緑色発光が得られた。次に、3mA/cm2
の電流密度で、この素子を連続して発光させた寿命試験
の結果、初期輝度の1/2以上の発光輝度が10,00
0時間以上保持された。
【0048】実施例4 ITO電極付きガラス板とN,N’−ジフェニル−N,
N’−ジナフチル−1,1−ビフェニル−4,4’−ジ
アミンとの間に、無金属フタロシアニンを真空蒸着し
て、膜厚5nmの正孔注入層を設ける以外は、実施例3
と同様の方法で有機EL素子を作製した。この素子は、
直流電圧5Vで100(cd/m2 )、最高輝度12,
500(cd/m2 )、5V印加時での発光効率1.0
(lm/W)の緑色発光が得られた。次に、3mA/c
m2 の電流密度で、この素子を連続して発光させた寿命
試験の結果、初期輝度の1/2以上の発光輝度が20,
000時間以上保持された。
N’−ジナフチル−1,1−ビフェニル−4,4’−ジ
アミンとの間に、無金属フタロシアニンを真空蒸着し
て、膜厚5nmの正孔注入層を設ける以外は、実施例3
と同様の方法で有機EL素子を作製した。この素子は、
直流電圧5Vで100(cd/m2 )、最高輝度12,
500(cd/m2 )、5V印加時での発光効率1.0
(lm/W)の緑色発光が得られた。次に、3mA/c
m2 の電流密度で、この素子を連続して発光させた寿命
試験の結果、初期輝度の1/2以上の発光輝度が20,
000時間以上保持された。
【0049】実施例5 洗浄した表面抵抗値10(Ω/□)のITO電極付きガ
ラス板上に、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフ
チル−1,1−ビフェニル−4,4’−ジアミンを真空
蒸着して、膜厚40nmの正孔注入層を得た。次いで、
トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体と
キナクリドンとを50:1の重量比で真空蒸着して膜厚
30nmの発光層を作成し、その上に化合物(5)を真
空蒸着して膜厚30nmの電子注入層を作成し、アルミ
ニウムとリチウムを100:1で混合した合金で膜厚1
00nmの電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注
入層、発光層および電子注入層は10-6Torrの真空
中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、
直流電圧5Vで1200(cd/m2 )、最高輝度10
5,000(cd/m2 )、5V印加時での発光効率1
0.1(lm/W)の緑色発光が得られた。次に、3m
A/cm2 の電流密度で、この素子を連続して発光させ
た寿命試験の結果、初期輝度の1/2以上の発光輝度が
20,000時間以上保持された。
ラス板上に、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフ
チル−1,1−ビフェニル−4,4’−ジアミンを真空
蒸着して、膜厚40nmの正孔注入層を得た。次いで、
トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体と
キナクリドンとを50:1の重量比で真空蒸着して膜厚
30nmの発光層を作成し、その上に化合物(5)を真
空蒸着して膜厚30nmの電子注入層を作成し、アルミ
ニウムとリチウムを100:1で混合した合金で膜厚1
00nmの電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注
入層、発光層および電子注入層は10-6Torrの真空
中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、
直流電圧5Vで1200(cd/m2 )、最高輝度10
5,000(cd/m2 )、5V印加時での発光効率1
0.1(lm/W)の緑色発光が得られた。次に、3m
A/cm2 の電流密度で、この素子を連続して発光させ
た寿命試験の結果、初期輝度の1/2以上の発光輝度が
20,000時間以上保持された。
【0050】実施例6 洗浄した表面抵抗値10(Ω/□)のITO電極付きガ
ラス板上に、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフ
チル−1,1−ビフェニル−4,4’−ジアミンを真空
蒸着して、膜厚40nmの正孔注入層を得た。次いで、
表2の化合物の(A−3)を真空蒸着して膜厚40nm
の発光層を作成し、その上に化合物(5)を真空蒸着し
て膜厚30nmの電子注入層を作成し、アルミニウムと
リチウムを100:1で混合した合金で膜厚100nm
の電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入層、発
光層および電子注入層は10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧
5Vで500(cd/m2)、最高輝度25,000
(cd/m2 )、5V印加時での発光効率2.2(lm
/W)の青色発光が得られた。次に、3mA/cm2 の
電流密度で、この素子を連続して発光させた寿命試験の
結果、初期輝度の1/2以上の発光輝度が10,000
時間以上保持された。
ラス板上に、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフ
チル−1,1−ビフェニル−4,4’−ジアミンを真空
蒸着して、膜厚40nmの正孔注入層を得た。次いで、
表2の化合物の(A−3)を真空蒸着して膜厚40nm
の発光層を作成し、その上に化合物(5)を真空蒸着し
て膜厚30nmの電子注入層を作成し、アルミニウムと
リチウムを100:1で混合した合金で膜厚100nm
の電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入層、発
光層および電子注入層は10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧
5Vで500(cd/m2)、最高輝度25,000
(cd/m2 )、5V印加時での発光効率2.2(lm
/W)の青色発光が得られた。次に、3mA/cm2 の
電流密度で、この素子を連続して発光させた寿命試験の
結果、初期輝度の1/2以上の発光輝度が10,000
時間以上保持された。
【0051】実施例7 表2の化合物の(A−3)と(A−2)とを5:1の重
量比で真空蒸着して膜厚40nmの発光層を作成する以
外は実施例6と同様の方法で有機EL素子を作製した。
この素子は、直流電圧5Vで1500(cd/m2 )、
最高輝度45,000(cd/m2 )、5V印加時での
発光効率5.3(lm/W)の青色発光が得られた。3
mA/cm2 の電流密度で、この素子を連続して発光さ
せた寿命試験の結果、初期輝度の1/2以上の発光輝度
が10,000時間以上保持された。
量比で真空蒸着して膜厚40nmの発光層を作成する以
外は実施例6と同様の方法で有機EL素子を作製した。
この素子は、直流電圧5Vで1500(cd/m2 )、
最高輝度45,000(cd/m2 )、5V印加時での
発光効率5.3(lm/W)の青色発光が得られた。3
mA/cm2 の電流密度で、この素子を連続して発光さ
せた寿命試験の結果、初期輝度の1/2以上の発光輝度
が10,000時間以上保持された。
【0052】実施例8 正孔注入層を設けない以外は、実施例6と同様の方法で
有機EL素子を作製した。この素子は、直流電圧5Vで
320(cd/m2 )、最高輝度19,000(cd/
m2 )、5V印加時での発光効率1.7(lm/W)の
青色発光が得られた。次に、3mA/cm2 の電流密度
で、この素子を連続して発光させた寿命試験の結果、初
期輝度の1/2以上の発光輝度が8,000時間以上保
持された。
有機EL素子を作製した。この素子は、直流電圧5Vで
320(cd/m2 )、最高輝度19,000(cd/
m2 )、5V印加時での発光効率1.7(lm/W)の
青色発光が得られた。次に、3mA/cm2 の電流密度
で、この素子を連続して発光させた寿命試験の結果、初
期輝度の1/2以上の発光輝度が8,000時間以上保
持された。
【0053】実施例9 ポリ(2,5−ジペンチル−p−フェニレンビニレン)
をテトラヒドロフランに溶解させ、スピンコーティング
により膜厚40nmの発光層を得る以外は実施例6と同
様の方法で有機EL素子を作製した。この素子は、直流
電圧5Vで650(cd/m2 )、最高輝度27,00
0(cd/m2 )、5V印加時での発光効率3.1(l
m/W)の発光が得られた。次に、3mA/cm2 の電
流密度で、この素子を連続して発光させた寿命試験の結
果、初期輝度の1/2以上の発光輝度が10,000時
間以上保持された。
をテトラヒドロフランに溶解させ、スピンコーティング
により膜厚40nmの発光層を得る以外は実施例6と同
様の方法で有機EL素子を作製した。この素子は、直流
電圧5Vで650(cd/m2 )、最高輝度27,00
0(cd/m2 )、5V印加時での発光効率3.1(l
m/W)の発光が得られた。次に、3mA/cm2 の電
流密度で、この素子を連続して発光させた寿命試験の結
果、初期輝度の1/2以上の発光輝度が10,000時
間以上保持された。
【0054】実施例10 正孔注入層を設けない以外は、実施例6と同様の方法で
有機EL素子を作製した。この素子は、直流電圧5Vで
440(cd/m2 )、最高輝度15,000(cd/
m2 )、5V印加時での発光効率1.3(lm/W)の
発光が得られた。次に、3mA/cm2 の電流密度で、
この素子を連続して発光させた寿命試験の結果、初期輝
度の1/2以上の発光輝度が10,000時間以上保持
された。
有機EL素子を作製した。この素子は、直流電圧5Vで
440(cd/m2 )、最高輝度15,000(cd/
m2 )、5V印加時での発光効率1.3(lm/W)の
発光が得られた。次に、3mA/cm2 の電流密度で、
この素子を連続して発光させた寿命試験の結果、初期輝
度の1/2以上の発光輝度が10,000時間以上保持
された。
【0055】実施例11 N,N,N’,N’−(4−メチルフェニル)−アント
ラセン−9,10−ジアミンを真空蒸着して膜厚40n
mの発光層を作成する以外は実施例6と同様の方法で有
機EL素子を作製した。この素子は、直流電圧5Vで2
100(cd/m2 )、最高輝度85,000(cd/
m2 )、5V印加時での発光効率9.3(lm/W)の
緑色発光が得られた。次に、3mA/cm2 の電流密度
で、この素子を連続して発光させた寿命試験の結果、初
期輝度の1/2以上の発光輝度が20,000時間以上
保持された。
ラセン−9,10−ジアミンを真空蒸着して膜厚40n
mの発光層を作成する以外は実施例6と同様の方法で有
機EL素子を作製した。この素子は、直流電圧5Vで2
100(cd/m2 )、最高輝度85,000(cd/
m2 )、5V印加時での発光効率9.3(lm/W)の
緑色発光が得られた。次に、3mA/cm2 の電流密度
で、この素子を連続して発光させた寿命試験の結果、初
期輝度の1/2以上の発光輝度が20,000時間以上
保持された。
【0056】実施例12 ITO電極付きガラス板に代えて、洗浄した表面抵抗値
15(Ω/□)のITO電極付きPETフィルム基板を
使用する以外は、実施例11と同様の方法で有機EL素
子を作製した。この素子は、直流電圧5Vで2000
(cd/m2 )、最高輝度79,000(cd/
m2 )、5V印加時での発光効率12.3(lm/W)
の発光が得られた。次に、3mA/cm2 の電流密度
で、この素子を連続して発光させた寿命試験の結果、初
期輝度の1/2以上の発光輝度が10,000時間以上
保持された。
15(Ω/□)のITO電極付きPETフィルム基板を
使用する以外は、実施例11と同様の方法で有機EL素
子を作製した。この素子は、直流電圧5Vで2000
(cd/m2 )、最高輝度79,000(cd/
m2 )、5V印加時での発光効率12.3(lm/W)
の発光が得られた。次に、3mA/cm2 の電流密度
で、この素子を連続して発光させた寿命試験の結果、初
期輝度の1/2以上の発光輝度が10,000時間以上
保持された。
【0057】実施例13〜24 化合物(5)に代えて表3に示した化合物を使用し、真
空蒸着により膜厚30nmの電子注入層を作成する以外
は、実施例6と同様の方法で有機EL素子を作製した。
それぞれの有機EL素子の発光輝度を表2に示す。次
に、3mA/cm 2 の電流密度で、これらの素子を連続
して発光させた寿命試験の結果、全ての素子において、
初期輝度の1/2以上の発光輝度が10,000時間以
上保持された。
空蒸着により膜厚30nmの電子注入層を作成する以外
は、実施例6と同様の方法で有機EL素子を作製した。
それぞれの有機EL素子の発光輝度を表2に示す。次
に、3mA/cm 2 の電流密度で、これらの素子を連続
して発光させた寿命試験の結果、全ての素子において、
初期輝度の1/2以上の発光輝度が10,000時間以
上保持された。
【0058】
【表3】
【0059】比較例1 化合物(5)に代えて2−(4’−tert−ブチルフ
ェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−オ
キサジアゾールを使用する以外は、実施例11と同様の
方法で有機EL素子を作製した。この素子は、直流電圧
5Vで220(cd/m2 )、最高輝度19,500
(cd/m2 )、5V印加時での発光効率2.3(lm
/W)の緑色発光が得られた。次に、3mA/cm2 の
電流密度で、この素子を連続して発光させた寿命試験の
結果、初期輝度の1/2以下の発光輝度に1200時間
で低下した。
ェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−オ
キサジアゾールを使用する以外は、実施例11と同様の
方法で有機EL素子を作製した。この素子は、直流電圧
5Vで220(cd/m2 )、最高輝度19,500
(cd/m2 )、5V印加時での発光効率2.3(lm
/W)の緑色発光が得られた。次に、3mA/cm2 の
電流密度で、この素子を連続して発光させた寿命試験の
結果、初期輝度の1/2以下の発光輝度に1200時間
で低下した。
【0060】比較例2 化合物(5)に代えてトリス(8−ヒドロキシキノリ
ン)アルミニウム錯体を使用する以外は、実施例11と
同様の方法で有機EL素子を作製した。この素子は、直
流電圧5Vで520(cd/m2 )、最高輝度27,0
00(cd/m2)、5V印加時での発光効率2.8
(lm/W)の緑色発光が得られた。次に、3mA/c
m2 の電流密度で、この素子を連続して発光させた寿命
試験の結果、初期輝度の1/2以下の発光輝度に330
0時間で低下した。
ン)アルミニウム錯体を使用する以外は、実施例11と
同様の方法で有機EL素子を作製した。この素子は、直
流電圧5Vで520(cd/m2 )、最高輝度27,0
00(cd/m2)、5V印加時での発光効率2.8
(lm/W)の緑色発光が得られた。次に、3mA/c
m2 の電流密度で、この素子を連続して発光させた寿命
試験の結果、初期輝度の1/2以下の発光輝度に330
0時間で低下した。
【0061】本発明の有機EL素子は、発光効率、発光
輝度の向上と長寿命化を達成するものであり、併せて使
用される発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、電
子注入材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製
方法を限定するものではない。
輝度の向上と長寿命化を達成するものであり、併せて使
用される発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、電
子注入材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製
方法を限定するものではない。
【0062】
【発明の効果】本発明により、優れた電子輸送能力、陰
極からの注入効率が良好な化合物を電子注入層に使用す
ることにより、従来に比べて高発光効率、高輝度であ
り、長寿命の有機EL素子を得ることができた。これ
は、成膜された薄膜中の化合物の凝集が少ないために、
素子の劣化を防止して、安定した電子注入特性が得られ
たためと思われる。
極からの注入効率が良好な化合物を電子注入層に使用す
ることにより、従来に比べて高発光効率、高輝度であ
り、長寿命の有機EL素子を得ることができた。これ
は、成膜された薄膜中の化合物の凝集が少ないために、
素子の劣化を防止して、安定した電子注入特性が得られ
たためと思われる。
Claims (6)
- 【請求項1】下記一般式[1]で示される有機エレクト
ロルミネッセンス素子用電子注入材料。 一般式[1] 【化1】 [式中、AおよびR1 〜R5 は、それぞれ独立に、水素
原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルコキシ
基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置
換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル
基、置換もしくは未置換の窒素原子を有しても良いアリ
ール基、置換もしくは未置換の窒素原子を有しても良い
アリールオキシ基を表し(ただし、Aは水素原子ではな
い。)、R1 〜R5 の隣接する置換基同士が互いに結合
して窒素原子を含んで良い芳香族環を形成しても良い。
Mは二価ないし四価の金属原子を表し、nは2〜4の整
数を表す。] - 【請求項2】 一対の電極間に、発光層または発光層お
よび電子注入層を含む有機化合物薄膜層を備えた有機エ
レクトロルミネッセンス素子において、上記電子注入層
が、請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子
用電子注入材料を含有する層であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項3】 発光層が金属錯体化合物を含有する層で
あることを特徴とする請求項2記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。 - 【請求項4】 発光層が下記一般式[2]で示される化
合物を含有する層であることを特徴とする請求項2記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。 一般式[2] 【化2】 [式中、Ar1 は、C,N,H,O,Sから選ばれる1
〜100個の原子で構成される化学的に合理的な組合わ
せからなる二価の連結基である。R6 〜R9 は、それぞ
れ独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もし
くは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換の
窒素原子を有しても良いアリール基を表す。] - 【請求項5】 発光層が下記一般式[3]で示される化
合物を含有する層であることを特徴とする請求項2記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。 一般式[3] 【化3】 [式中、Ar1 は、C,N,H,O,Sから選ばれる1
〜100個の原子で構成される化学的に合理的な組合わ
せからなる二価の連結基である。R6 〜R9 は、それぞ
れ独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もし
くは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換の
窒素原子を有しても良いアリール基を表す。nは、2以
上10000以下の正の整数を表す。] - 【請求項6】 陽極と発光層の間に正孔注入層を設ける
ことを特徴とする請求項2〜5記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8084872A JPH09272865A (ja) | 1996-04-08 | 1996-04-08 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用電子注入材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8084872A JPH09272865A (ja) | 1996-04-08 | 1996-04-08 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用電子注入材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09272865A true JPH09272865A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=13842896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8084872A Pending JPH09272865A (ja) | 1996-04-08 | 1996-04-08 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用電子注入材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09272865A (ja) |
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-
1996
- 1996-04-08 JP JP8084872A patent/JPH09272865A/ja active Pending
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