JPH09274716A - 磁気記録媒体、及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体、及びその製造方法Info
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- JPH09274716A JPH09274716A JP8116096A JP8116096A JPH09274716A JP H09274716 A JPH09274716 A JP H09274716A JP 8116096 A JP8116096 A JP 8116096A JP 8116096 A JP8116096 A JP 8116096A JP H09274716 A JPH09274716 A JP H09274716A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐蝕性、及びヘッドタッチに優れた磁気記録
媒体を提供することである。 【解決手段】 支持体上に金属薄膜型の磁性膜が設けら
れてなる磁気記録媒体であって、前記磁性膜中にＣｏ2
Ｏ3 が存在する磁気記録媒体。
媒体を提供することである。 【解決手段】 支持体上に金属薄膜型の磁性膜が設けら
れてなる磁気記録媒体であって、前記磁性膜中にＣｏ2
Ｏ3 が存在する磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
する。
する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープなどの磁気
記録媒体においては、高密度記録化の要請から、支持体
上に設けられる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗
布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜
型のものが提案されている。すなわち、無電解メッキな
どの湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングあるい
はイオンプレーティングなどの乾式メッキ手段により磁
性膜を形成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高く、
高密度記録に適したものである。尚、磁性膜の材料とし
ては、例えばＣｏ，Ｃｏ−Ｎｉ合金などのＣｏ系材料が
有る。
記録媒体においては、高密度記録化の要請から、支持体
上に設けられる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗
布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜
型のものが提案されている。すなわち、無電解メッキな
どの湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングあるい
はイオンプレーティングなどの乾式メッキ手段により磁
性膜を形成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高く、
高密度記録に適したものである。尚、磁性膜の材料とし
ては、例えばＣｏ，Ｃｏ−Ｎｉ合金などのＣｏ系材料が
有る。
【０００３】しかし、金属薄膜型の磁性膜は耐蝕性に劣
る。この為、表面酸化が行われている。例えば、Ｃｏを
主体とする磁性薄膜を有し、該磁性薄膜の少なくとも表
面部にＣｏ3 Ｏ4 が存在する磁気記録媒体が提案（特開
昭６０−１６００２７号公報）されている。又、磁性膜
の表面近傍を除き、支持体から遠ざかるにつれて磁性膜
中の酸素原子量が漸増する磁気記録媒体が提案（特開昭
５８−８３３２７号公報）されている。又、磁性薄膜の
表面からその近傍では磁性金属の酸化物結晶が形成さ
れ、該層の膜厚方向に連続して、前記金属および金属酸
化物が混在している層が形成され、該混在している層で
は各膜厚深さにおいて金属および金属酸化物を形成する
全金属原子に対する酸化物形成金属原子の割合αが磁性
薄膜の表面から膜厚方向に連続的に減少している磁気記
録媒体が提案（特開昭６０−１７１６２２号公報）され
ている。又、Ｃｏ系合金と酸素よりなる磁性薄膜を有
し、前記薄膜の厚み方向に対し磁性薄膜表面部に最も酸
素の多い部分を設けると共に、前記薄膜の表面部と支持
体と接触する面との間に酸素の成分比が高くなる部分を
設けた磁気記録媒体が提案（特公平５−３０４８号公
報）されている。
る。この為、表面酸化が行われている。例えば、Ｃｏを
主体とする磁性薄膜を有し、該磁性薄膜の少なくとも表
面部にＣｏ3 Ｏ4 が存在する磁気記録媒体が提案（特開
昭６０−１６００２７号公報）されている。又、磁性膜
の表面近傍を除き、支持体から遠ざかるにつれて磁性膜
中の酸素原子量が漸増する磁気記録媒体が提案（特開昭
５８−８３３２７号公報）されている。又、磁性薄膜の
表面からその近傍では磁性金属の酸化物結晶が形成さ
れ、該層の膜厚方向に連続して、前記金属および金属酸
化物が混在している層が形成され、該混在している層で
は各膜厚深さにおいて金属および金属酸化物を形成する
全金属原子に対する酸化物形成金属原子の割合αが磁性
薄膜の表面から膜厚方向に連続的に減少している磁気記
録媒体が提案（特開昭６０−１７１６２２号公報）され
ている。又、Ｃｏ系合金と酸素よりなる磁性薄膜を有
し、前記薄膜の厚み方向に対し磁性薄膜表面部に最も酸
素の多い部分を設けると共に、前記薄膜の表面部と支持
体と接触する面との間に酸素の成分比が高くなる部分を
設けた磁気記録媒体が提案（特公平５−３０４８号公
報）されている。
【０００４】上記提案の磁気記録媒体は耐蝕性の向上が
謳われている。しかし、磁気記録媒体として必要な条件
は、耐蝕性のみでなく、ヘッドタッチ、即ち記録再生特
性も良いことが必要不可欠である。そして、上記提案の
ものは、ヘッドタッチが充分なものでない。従って、本
発明が解決しようとする課題は、耐蝕性、及びヘッドタ
ッチ（記録再生特性）に優れた磁気記録媒体を提供する
ことである。
謳われている。しかし、磁気記録媒体として必要な条件
は、耐蝕性のみでなく、ヘッドタッチ、即ち記録再生特
性も良いことが必要不可欠である。そして、上記提案の
ものは、ヘッドタッチが充分なものでない。従って、本
発明が解決しようとする課題は、耐蝕性、及びヘッドタ
ッチ（記録再生特性）に優れた磁気記録媒体を提供する
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、支
持体上に金属薄膜型の磁性膜が設けられてなる磁気記録
媒体であって、前記磁性膜中にＣｏ2 Ｏ3 が存在するこ
とを特徴とする磁気記録媒体によって解決される。
持体上に金属薄膜型の磁性膜が設けられてなる磁気記録
媒体であって、前記磁性膜中にＣｏ2 Ｏ3 が存在するこ
とを特徴とする磁気記録媒体によって解決される。
【０００６】特に、支持体上に金属薄膜型の磁性膜が設
けられてなる磁気記録媒体であって、前記磁性膜中にＣ
ｏ2 Ｏ3 が存在すると共に、前記磁性膜の上層部にＣｏ
3 Ｏ 4 が存在することを特徴とする磁気記録媒体によっ
て解決される。尚、上記の磁気記録媒体において、Ｃｏ
2 Ｏ3 は磁性膜の上層部以外の部分に存在するのが好ま
しい。特に、磁性膜の下層部に主として存在するものが
好ましい。そして、磁性膜中におけるＣｏ2 Ｏ3 の割合
が４〜５０％であるものが好ましい。より具体的には、
全磁性膜中におけるＣｏ2 Ｏ3 の割合が５〜１５％であ
り、かつ、磁性膜の厚さの７／２０の深さから下面まで
の部分において全Ｃｏ2Ｏ3 の５０％以上が存在するも
のが好ましい。
けられてなる磁気記録媒体であって、前記磁性膜中にＣ
ｏ2 Ｏ3 が存在すると共に、前記磁性膜の上層部にＣｏ
3 Ｏ 4 が存在することを特徴とする磁気記録媒体によっ
て解決される。尚、上記の磁気記録媒体において、Ｃｏ
2 Ｏ3 は磁性膜の上層部以外の部分に存在するのが好ま
しい。特に、磁性膜の下層部に主として存在するものが
好ましい。そして、磁性膜中におけるＣｏ2 Ｏ3 の割合
が４〜５０％であるものが好ましい。より具体的には、
全磁性膜中におけるＣｏ2 Ｏ3 の割合が５〜１５％であ
り、かつ、磁性膜の厚さの７／２０の深さから下面まで
の部分において全Ｃｏ2Ｏ3 の５０％以上が存在するも
のが好ましい。
【０００７】又、磁性膜の上面から磁性膜の厚さの１／
２０の深さまでの部分におけるＣｏ 3 Ｏ4 の割合が３０
〜１００％であるものが好ましい。特に、全磁性膜中に
おけるＣｏ3 Ｏ4 の割合が１０〜５０％であり、かつ、
磁性膜の上面から磁性膜の厚さの１／２０の深さまでの
部分におけるＣｏ3 Ｏ4 の割合が３０〜１００％である
ものが好ましい。
２０の深さまでの部分におけるＣｏ 3 Ｏ4 の割合が３０
〜１００％であるものが好ましい。特に、全磁性膜中に
おけるＣｏ3 Ｏ4 の割合が１０〜５０％であり、かつ、
磁性膜の上面から磁性膜の厚さの１／２０の深さまでの
部分におけるＣｏ3 Ｏ4 の割合が３０〜１００％である
ものが好ましい。
【０００８】上記Ｃｏ2 Ｏ3 の結晶粒子は、その粒径が
５０〜１５０Å、特に７０〜１００Åであるものが好ま
しく、又、Ｃｏ3 Ｏ4 の結晶粒子は、その粒径が５０〜
１５０Å、特に７０〜１００Åであるものが好ましい。
すなわち、上記のように構成させていると、Ｃｏ2 Ｏ3
結晶粒子は空隙率が大きなものである為、クッション効
果を発揮することから、金属薄膜型の磁性膜の場合にあ
っては、ヘッドタッチを向上させるようになる。そし
て、磁気ヘッドに対する当たりが良いことから、例えば
再生波形が綺麗であり、再生特性が良いものとなる。
５０〜１５０Å、特に７０〜１００Åであるものが好ま
しく、又、Ｃｏ3 Ｏ4 の結晶粒子は、その粒径が５０〜
１５０Å、特に７０〜１００Åであるものが好ましい。
すなわち、上記のように構成させていると、Ｃｏ2 Ｏ3
結晶粒子は空隙率が大きなものである為、クッション効
果を発揮することから、金属薄膜型の磁性膜の場合にあ
っては、ヘッドタッチを向上させるようになる。そし
て、磁気ヘッドに対する当たりが良いことから、例えば
再生波形が綺麗であり、再生特性が良いものとなる。
【０００９】又、酸化によって耐蝕性も向上する。特
に、磁性膜の上層部にＣｏ3 Ｏ4 結晶粒子が存在（従っ
て、Ｃｏ2 Ｏ3 結晶粒子は磁性膜の上層部以外の部分に
主として存在）するタイプのものは、Ｃｏ3 Ｏ4 が耐蝕
性に富むことから、耐蝕性も向上する。又、前記本発明
の課題は、支持体上にＣｏ系粒子を堆積させる工程と、
支持体上にＣｏ系粒子が堆積し始める初期段階において
冷却した酸化性ガスを供給する工程と、支持体上にＣｏ
系粒子が堆積し終わる終期段階において加熱した酸化性
ガスを供給する工程とを具備することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法によって解決される。
に、磁性膜の上層部にＣｏ3 Ｏ4 結晶粒子が存在（従っ
て、Ｃｏ2 Ｏ3 結晶粒子は磁性膜の上層部以外の部分に
主として存在）するタイプのものは、Ｃｏ3 Ｏ4 が耐蝕
性に富むことから、耐蝕性も向上する。又、前記本発明
の課題は、支持体上にＣｏ系粒子を堆積させる工程と、
支持体上にＣｏ系粒子が堆積し始める初期段階において
冷却した酸化性ガスを供給する工程と、支持体上にＣｏ
系粒子が堆積し終わる終期段階において加熱した酸化性
ガスを供給する工程とを具備することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法によって解決される。
【００１０】尚、冷却した酸化性ガスは−１５０〜５℃
に冷却されたものであり、加熱した酸化性ガスが８０〜
２００℃に加熱されたものが好ましい。そして、冷却し
た酸化性ガスの供給量は１０〜５００ｓｃｃｍであり、
加熱した酸化性ガスの供給量が１０〜５００ｓｃｃｍで
あるのが好ましい。このようにして金属薄膜型Ｃｏ系磁
性膜を成膜することにより、上記特徴の磁性膜が得られ
る。
に冷却されたものであり、加熱した酸化性ガスが８０〜
２００℃に加熱されたものが好ましい。そして、冷却し
た酸化性ガスの供給量は１０〜５００ｓｃｃｍであり、
加熱した酸化性ガスの供給量が１０〜５００ｓｃｃｍで
あるのが好ましい。このようにして金属薄膜型Ｃｏ系磁
性膜を成膜することにより、上記特徴の磁性膜が得られ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、支持体
上に金属薄膜型の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体
であって、前記磁性膜中にＣｏ2 Ｏ3 が存在する。特
に、支持体上に金属薄膜型の磁性膜が設けられてなる磁
気記録媒体であって、前記磁性膜中にＣｏ2 Ｏ3 が存在
すると共に、前記磁性膜の上層部にＣｏ3 Ｏ4 が存在す
る。尚、上記の磁気記録媒体において、Ｃｏ2 Ｏ3 は磁
性膜の上層部以外の部分に存在する。特に、磁性膜の下
層部に主として存在する。磁性膜中におけるＣｏ2 Ｏ3
の割合は４〜５０％（特に、５〜２０％）である。特
に、全磁性膜中におけるＣｏ 2 Ｏ3 の割合が４〜５０％
（特に、５〜２０％）であり、かつ、磁性膜の厚さの７
／２０の深さから下面までの部分において全Ｃｏ2 Ｏ3
の５０％以上（特に、７０〜１００％）が存在する。
又、磁性膜の上面から磁性膜の厚さの１／２０の深さま
での部分におけるＣｏ3 Ｏ4 の割合が３０〜１００％で
ある。特に、全磁性膜中におけるＣｏ3 Ｏ4 の割合が１
０〜５０％（特に、１５〜３０％）であり、かつ、磁性
膜の上面から磁性膜の厚さの１／２０の深さまでの部分
におけるＣｏ3 Ｏ4 の割合が３０〜１００％（特に、６
０〜１００％）である。特に、支持体上にＣｏ系磁性膜
が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｃｏ系磁
性膜の上面からＣｏ系磁性膜の厚さの１／２０の深さま
での部分にあってはＣｏ3 Ｏ 4 の割合が６５〜１００％
（特に、７５〜１００％）であり、前記Ｃｏ系磁性膜の
厚さの１／２０の深さから２／２０の深さまでの部分に
あってはＣｏ3 Ｏ4 の割合が５０〜９０％（特に、６０
〜８０％）であり、前記Ｃｏ系磁性膜の厚さの２／２０
の深さから４／２０の深さまでの部分にあってはＣｏ3
Ｏ4 の割合が３０〜８０％（特に、４０〜５５％）であ
り、前記Ｃｏ系磁性膜の厚さの４／２０の深さから１６
／２０の深さまでの部分にあっては金属Ｃｏの割合が３
０〜７０％（特に、４０〜６０％）であり、前記Ｃｏ系
磁性膜の厚さの１６／２０の深さから１８／２０の深さ
までの部分にあってはＣｏ2 Ｏ3 の割合が３０〜８０％
（特に、４０〜５５％）であり、前記Ｃｏ系磁性膜の厚
さの１８／２０の深さから１９／２０の深さまでの部分
にあってはＣｏ2 Ｏ3 の割合が５０〜９０％（特に、６
０〜８０％）であり、前記Ｃｏ系磁性膜の厚さの１９／
２０の深さから下面までの部分にあってはＣｏ2 Ｏ3 の
割合が６５〜１００％（特に、７５〜１００％）であ
り、そして全磁性膜中の金属Ｃｏの割合が４６〜８６％
（特に、５０〜７０％）、全磁性膜中のＣｏ2 Ｏ3 の割
合が４〜５０％（特に、１５〜２０％）、全磁性膜中の
Ｃｏ3 Ｏ4 の割合が４〜５０％（特に、１５〜３０％）
である。Ｃｏ2 Ｏ3 の結晶粒子は、その粒径が５０〜１
５０Å、特に７０〜１００Åである。又、Ｃｏ3 Ｏ4 の
結晶粒子は、その粒径が５０〜１５０Å、特に７０〜１
００Åである。
上に金属薄膜型の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体
であって、前記磁性膜中にＣｏ2 Ｏ3 が存在する。特
に、支持体上に金属薄膜型の磁性膜が設けられてなる磁
気記録媒体であって、前記磁性膜中にＣｏ2 Ｏ3 が存在
すると共に、前記磁性膜の上層部にＣｏ3 Ｏ4 が存在す
る。尚、上記の磁気記録媒体において、Ｃｏ2 Ｏ3 は磁
性膜の上層部以外の部分に存在する。特に、磁性膜の下
層部に主として存在する。磁性膜中におけるＣｏ2 Ｏ3
の割合は４〜５０％（特に、５〜２０％）である。特
に、全磁性膜中におけるＣｏ 2 Ｏ3 の割合が４〜５０％
（特に、５〜２０％）であり、かつ、磁性膜の厚さの７
／２０の深さから下面までの部分において全Ｃｏ2 Ｏ3
の５０％以上（特に、７０〜１００％）が存在する。
又、磁性膜の上面から磁性膜の厚さの１／２０の深さま
での部分におけるＣｏ3 Ｏ4 の割合が３０〜１００％で
ある。特に、全磁性膜中におけるＣｏ3 Ｏ4 の割合が１
０〜５０％（特に、１５〜３０％）であり、かつ、磁性
膜の上面から磁性膜の厚さの１／２０の深さまでの部分
におけるＣｏ3 Ｏ4 の割合が３０〜１００％（特に、６
０〜１００％）である。特に、支持体上にＣｏ系磁性膜
が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｃｏ系磁
性膜の上面からＣｏ系磁性膜の厚さの１／２０の深さま
での部分にあってはＣｏ3 Ｏ 4 の割合が６５〜１００％
（特に、７５〜１００％）であり、前記Ｃｏ系磁性膜の
厚さの１／２０の深さから２／２０の深さまでの部分に
あってはＣｏ3 Ｏ4 の割合が５０〜９０％（特に、６０
〜８０％）であり、前記Ｃｏ系磁性膜の厚さの２／２０
の深さから４／２０の深さまでの部分にあってはＣｏ3
Ｏ4 の割合が３０〜８０％（特に、４０〜５５％）であ
り、前記Ｃｏ系磁性膜の厚さの４／２０の深さから１６
／２０の深さまでの部分にあっては金属Ｃｏの割合が３
０〜７０％（特に、４０〜６０％）であり、前記Ｃｏ系
磁性膜の厚さの１６／２０の深さから１８／２０の深さ
までの部分にあってはＣｏ2 Ｏ3 の割合が３０〜８０％
（特に、４０〜５５％）であり、前記Ｃｏ系磁性膜の厚
さの１８／２０の深さから１９／２０の深さまでの部分
にあってはＣｏ2 Ｏ3 の割合が５０〜９０％（特に、６
０〜８０％）であり、前記Ｃｏ系磁性膜の厚さの１９／
２０の深さから下面までの部分にあってはＣｏ2 Ｏ3 の
割合が６５〜１００％（特に、７５〜１００％）であ
り、そして全磁性膜中の金属Ｃｏの割合が４６〜８６％
（特に、５０〜７０％）、全磁性膜中のＣｏ2 Ｏ3 の割
合が４〜５０％（特に、１５〜２０％）、全磁性膜中の
Ｃｏ3 Ｏ4 の割合が４〜５０％（特に、１５〜３０％）
である。Ｃｏ2 Ｏ3 の結晶粒子は、その粒径が５０〜１
５０Å、特に７０〜１００Åである。又、Ｃｏ3 Ｏ4 の
結晶粒子は、その粒径が５０〜１５０Å、特に７０〜１
００Åである。
【００１２】尚、本明細書において、Ｃｏ2 Ｏ3 の割合
とは、断面ＴＥＭ切片にプローブ径を３０Åに集束して
任意の数点に照射し、得られた電子線回折像からＣｏ2
Ｏ3の結晶と判定された点の全点に対する割合である。
Ｃｏ3 Ｏ4 の割合とは、断面ＴＥＭ切片にプローブ径を
３０Åに集束して任意の数点に照射し、得られた電子線
回折像からＣｏ3 Ｏ4 の結晶と判定された点の全点に対
する割合である。Ｃｏの割合とは、断面ＴＥＭ切片にプ
ローブ径を３０Åに集束して任意の数点に照射し、得ら
れた電子線回折像からＣｏの結晶と判定された点の全点
に対する割合である。
とは、断面ＴＥＭ切片にプローブ径を３０Åに集束して
任意の数点に照射し、得られた電子線回折像からＣｏ2
Ｏ3の結晶と判定された点の全点に対する割合である。
Ｃｏ3 Ｏ4 の割合とは、断面ＴＥＭ切片にプローブ径を
３０Åに集束して任意の数点に照射し、得られた電子線
回折像からＣｏ3 Ｏ4 の結晶と判定された点の全点に対
する割合である。Ｃｏの割合とは、断面ＴＥＭ切片にプ
ローブ径を３０Åに集束して任意の数点に照射し、得ら
れた電子線回折像からＣｏの結晶と判定された点の全点
に対する割合である。
【００１３】磁気記録媒体、特に上記特徴の磁気記録媒
体は、支持体上にＣｏ系粒子を堆積させる工程と、支持
体上にＣｏ系粒子が堆積し始める初期段階において冷却
した酸化性ガスを供給する工程と、支持体上にＣｏ系粒
子が堆積し終わる終期段階において加熱した酸化性ガス
を供給する工程とを具備する。冷却した酸化性ガスは−
１５０〜５℃に冷却されたものであり、加熱した酸化性
ガスは８０〜２００℃に加熱されたものである。又、冷
却した酸化性ガスの供給量は１０〜５００ｓｃｃｍであ
り、加熱した酸化性ガスの供給量は１０〜５００ｓｃｃ
ｍである。
体は、支持体上にＣｏ系粒子を堆積させる工程と、支持
体上にＣｏ系粒子が堆積し始める初期段階において冷却
した酸化性ガスを供給する工程と、支持体上にＣｏ系粒
子が堆積し終わる終期段階において加熱した酸化性ガス
を供給する工程とを具備する。冷却した酸化性ガスは−
１５０〜５℃に冷却されたものであり、加熱した酸化性
ガスは８０〜２００℃に加熱されたものである。又、冷
却した酸化性ガスの供給量は１０〜５００ｓｃｃｍであ
り、加熱した酸化性ガスの供給量は１０〜５００ｓｃｃ
ｍである。
【００１４】すなわち、図１に示す装置によって得られ
る。図１中、１は支持体、２ａは支持体１の供給側ロー
ル、２ｂは支持体１の巻取側ロール、３は冷却キャンロ
ール、４はルツボ（容器）、５は容器４内に充填された
Ｃｏ系金属材料、６は電子銃、７は遮蔽板、８は真空槽
である。尚、この蒸着装置、特に斜め蒸着装置は従来か
らも知られているから、詳細は省略する。本装置の特徴
は、ノズル９ａ，９ｂに有る。ノズル９ａは、容器４内
に充填されたＣｏ系金属材料から蒸発したＣｏ系粒子が
冷却キャンロール３に案内される支持体１に蒸着し始め
る位置に向けて設置されており、蒸着し始めたＣｏ系粒
子（蒸着初期のＣｏ系蒸着膜、Ｃｏ系磁性膜の下層部）
に向けて冷却された酸素ガス等の酸化性ガスが供給され
る。ノズル９ｂは、容器４内に充填されたＣｏ系金属材
料から蒸発したＣｏ系粒子が冷却キャンロール３に案内
される支持体１に蒸着し終わる位置に向けて設置されて
おり、蒸着し終わるＣｏ系粒子（蒸着終期のＣｏ系蒸着
膜、Ｃｏ系磁性膜の上層部）に向けて加熱された酸素ガ
ス等の酸化性ガスが供給される。この装置を用いて、支
持体上にＣｏ系粒子を堆積させると共に、支持体上にＣ
ｏ系粒子が堆積し始める初期段階において冷却酸素ガス
を供給し、かつ、Ｃｏ系粒子が堆積し終わる終期段階に
おいて加熱酸素ガスを供給することにより、上記した特
徴の磁気記録媒体が得られる。
る。図１中、１は支持体、２ａは支持体１の供給側ロー
ル、２ｂは支持体１の巻取側ロール、３は冷却キャンロ
ール、４はルツボ（容器）、５は容器４内に充填された
Ｃｏ系金属材料、６は電子銃、７は遮蔽板、８は真空槽
である。尚、この蒸着装置、特に斜め蒸着装置は従来か
らも知られているから、詳細は省略する。本装置の特徴
は、ノズル９ａ，９ｂに有る。ノズル９ａは、容器４内
に充填されたＣｏ系金属材料から蒸発したＣｏ系粒子が
冷却キャンロール３に案内される支持体１に蒸着し始め
る位置に向けて設置されており、蒸着し始めたＣｏ系粒
子（蒸着初期のＣｏ系蒸着膜、Ｃｏ系磁性膜の下層部）
に向けて冷却された酸素ガス等の酸化性ガスが供給され
る。ノズル９ｂは、容器４内に充填されたＣｏ系金属材
料から蒸発したＣｏ系粒子が冷却キャンロール３に案内
される支持体１に蒸着し終わる位置に向けて設置されて
おり、蒸着し終わるＣｏ系粒子（蒸着終期のＣｏ系蒸着
膜、Ｃｏ系磁性膜の上層部）に向けて加熱された酸素ガ
ス等の酸化性ガスが供給される。この装置を用いて、支
持体上にＣｏ系粒子を堆積させると共に、支持体上にＣ
ｏ系粒子が堆積し始める初期段階において冷却酸素ガス
を供給し、かつ、Ｃｏ系粒子が堆積し終わる終期段階に
おいて加熱酸素ガスを供給することにより、上記した特
徴の磁気記録媒体が得られる。
【００１５】本発明における磁気記録媒体の支持体１と
しては、磁性を有するものでも、非磁性のものでも良
い。代表的なものとして、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレ
ンナフタレート、ポリシクロヘキシレンジメチレンテレ
フタレート、ポリエチレンビスフェノキシカルボキシレ
ート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン類、セルロースアセテートブチレ
ート、セルロースアセテートプロピオネート等のセルロ
ース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等の
ビニル系樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート等の非磁
性のプラスチック材料が挙げられる。勿論、これらに限
定されるものではない。又、各種の処理が行われること
が有る。例えば、コロナ放電、あるいはその他適宜な手
段による表面処理がなされる。又、接着性向上の為のポ
リエステルやポリウレタンあるいはオリゴマー等が塗布
されても良い。
しては、磁性を有するものでも、非磁性のものでも良
い。代表的なものとして、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレ
ンナフタレート、ポリシクロヘキシレンジメチレンテレ
フタレート、ポリエチレンビスフェノキシカルボキシレ
ート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン類、セルロースアセテートブチレ
ート、セルロースアセテートプロピオネート等のセルロ
ース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等の
ビニル系樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート等の非磁
性のプラスチック材料が挙げられる。勿論、これらに限
定されるものではない。又、各種の処理が行われること
が有る。例えば、コロナ放電、あるいはその他適宜な手
段による表面処理がなされる。又、接着性向上の為のポ
リエステルやポリウレタンあるいはオリゴマー等が塗布
されても良い。
【００１６】この支持体１上に斜め蒸着法により金属薄
膜型の磁性膜が設けられる。尚、磁性膜は一層であって
も、二層以上であっても良い。しかし、少なくとも一層
に上記特徴の磁性膜が有る。尚、二層以上の磁性膜があ
る場合、上層側に本発明の特徴の磁性膜が有るのが好ま
しい。本発明の磁性膜を構成する材料としては、例えば
Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金
等が用いられる。磁性膜は、その厚さ（平均厚さ）が６
００〜５０００Åである。従って、所謂、バインダ樹脂
を用いない金属薄膜型のものである。
膜型の磁性膜が設けられる。尚、磁性膜は一層であって
も、二層以上であっても良い。しかし、少なくとも一層
に上記特徴の磁性膜が有る。尚、二層以上の磁性膜があ
る場合、上層側に本発明の特徴の磁性膜が有るのが好ま
しい。本発明の磁性膜を構成する材料としては、例えば
Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金
等が用いられる。磁性膜は、その厚さ（平均厚さ）が６
００〜５０００Åである。従って、所謂、バインダ樹脂
を用いない金属薄膜型のものである。
【００１７】斜め蒸着等で設けられた最上層の磁性膜の
上には保護膜が必要に応じて設けられる。この保護膜を
構成する材料として、例えばＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ等の金属の酸化物、窒化
物、炭化物あるいはダイヤモンドライクカーボンやボロ
ンナイトライド等が用いられる。成膜方法としてＣＶＤ
（ケミカルベーパーデポジション）やＰＶＤ（フィジカ
ルベーパーデポジション）が用いられる。保護膜の厚さ
は１０〜５００Å、特に３０〜２００Å程度である。
上には保護膜が必要に応じて設けられる。この保護膜を
構成する材料として、例えばＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ等の金属の酸化物、窒化
物、炭化物あるいはダイヤモンドライクカーボンやボロ
ンナイトライド等が用いられる。成膜方法としてＣＶＤ
（ケミカルベーパーデポジション）やＰＶＤ（フィジカ
ルベーパーデポジション）が用いられる。保護膜の厚さ
は１０〜５００Å、特に３０〜２００Å程度である。
【００１８】最上層の磁性膜、保護膜が設けられた場合
には、保護膜の上に潤滑剤の膜が設けられる。例えば、
フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音波噴霧などの手
段により２０〜７０Å程度の厚さ設けられる。潤滑剤と
しては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但し、ＲはＦ，Ｃ
Ｆ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF
2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH と言
ったようなカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテ
ル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，HO-
(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2C
H2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OHと言ったよ
うなアルコール変性パーフロオロポリエーテル、又、分
子の一方に、又は、一部にアルキル基などの飽和炭化水
素基、あるいは不飽和炭化水素基、若しくは芳香族炭化
水素基、その他の官能基が付いたもの等が挙げられる。
具体的には、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ
ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業
社のデムナムＳＡ等がある。
には、保護膜の上に潤滑剤の膜が設けられる。例えば、
フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音波噴霧などの手
段により２０〜７０Å程度の厚さ設けられる。潤滑剤と
しては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但し、ＲはＦ，Ｃ
Ｆ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF
2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH と言
ったようなカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテ
ル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，HO-
(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2C
H2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OHと言ったよ
うなアルコール変性パーフロオロポリエーテル、又、分
子の一方に、又は、一部にアルキル基などの飽和炭化水
素基、あるいは不飽和炭化水素基、若しくは芳香族炭化
水素基、その他の官能基が付いたもの等が挙げられる。
具体的には、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ
ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業
社のデムナムＳＡ等がある。
【００１９】支持体の他面側にはバックコート膜が設け
られる。バックコート膜を塗布により構成する場合は、
粒径１０〜１００ｎｍのカーボンブラックを塩ビ系、ウ
レタン系等のバインダ樹脂中に分散させ、グラビア方
式、リバース方式あるいはダイ塗工方式等で乾燥後の厚
さが０．４〜１μｍとなるよう塗布する。バックコート
膜を蒸着などのＰＶＤ手段で構成する場合は、Ａｌ−Ｃ
ｕ合金などの金属材料を蒸発源に置き、蒸発金属粒子を
０．０５〜１μｍの厚さ堆積させる。そして、このよう
なバックコート膜の上には、走行性や耐久性を向上させ
る為に、トップコート層を設けても良い。
られる。バックコート膜を塗布により構成する場合は、
粒径１０〜１００ｎｍのカーボンブラックを塩ビ系、ウ
レタン系等のバインダ樹脂中に分散させ、グラビア方
式、リバース方式あるいはダイ塗工方式等で乾燥後の厚
さが０．４〜１μｍとなるよう塗布する。バックコート
膜を蒸着などのＰＶＤ手段で構成する場合は、Ａｌ−Ｃ
ｕ合金などの金属材料を蒸発源に置き、蒸発金属粒子を
０．０５〜１μｍの厚さ堆積させる。そして、このよう
なバックコート膜の上には、走行性や耐久性を向上させ
る為に、トップコート層を設けても良い。
【００２０】
【実施例１】図１に示す装置を用い、−２０℃の冷却キ
ャンロール３に沿って５ｍ／ｍｉｎで走行する６μｍ厚
のＰＥＴフィルム上にＣｏ金属粒子を蒸着させた。ノズ
ル９ａから−５０℃に冷却した酸素ガスが１００ｓｃｃ
ｍ、ノズル９ｂから１５０℃に加熱した酸素ガスが１５
０ｓｃｃｍ導入された。真空槽８内の真空度は２×１０
-5Ｔｏｒｒとなるよう排気されている。この斜め蒸着で
成膜された磁性膜は、厚さが２０００Åであった。そし
て、磁性膜の断面ＴＥＭ像によれば、粒径５０〜９０Å
の結晶粒子が観察された。プローブ径を３０Åに集束し
た電子線を磁性膜の各結晶粒子に照射し、各々の電子線
回折により調べた結果を表−１に示す。
ャンロール３に沿って５ｍ／ｍｉｎで走行する６μｍ厚
のＰＥＴフィルム上にＣｏ金属粒子を蒸着させた。ノズ
ル９ａから−５０℃に冷却した酸素ガスが１００ｓｃｃ
ｍ、ノズル９ｂから１５０℃に加熱した酸素ガスが１５
０ｓｃｃｍ導入された。真空槽８内の真空度は２×１０
-5Ｔｏｒｒとなるよう排気されている。この斜め蒸着で
成膜された磁性膜は、厚さが２０００Åであった。そし
て、磁性膜の断面ＴＥＭ像によれば、粒径５０〜９０Å
の結晶粒子が観察された。プローブ径を３０Åに集束し
た電子線を磁性膜の各結晶粒子に照射し、各々の電子線
回折により調べた結果を表−１に示す。
【００２１】 表−１ 表面からの深さ 表面（０Å） Ｃｏ3 Ｏ4 Ｃｏ3 Ｏ4 ＣｏＯ Ｃｏ3 Ｏ4 ＣｏＯ ２００Å ＣｏＯ Ｃｏ Ｃｏ ＣｏＯ Ｃｏ3 Ｏ4 ４００Å ＣｏＯ Ｃｏ Ｃｏ Ｃｏ ＣｏＯ ６００Å ＣｏＯ ＣｏＯ Ｃｏ Ｃｏ Ｃｏ ８００Å Ｃｏ Ｃｏ Ｃｏ2 Ｏ3 Ｃｏ ＣｏＯ １０００Å Ｃｏ2 Ｏ3 Ｃｏ ＣｏＯ ＣｏＯ Ｃｏ １２００Å Ｃｏ Ｃｏ2 Ｏ3 Ｃｏ ＣｏＯ Ｃｏ2 Ｏ3 １４００Å ＣｏＯ Ｃｏ2 Ｏ3 Ｃｏ Ｃｏ2 Ｏ3 Ｃｏ １６００Å Ｃｏ2 Ｏ3 Ｃｏ2 Ｏ3 Ｃｏ2 Ｏ3 Ｃｏ ＣｏＯ １８００Å Ｃｏ2 Ｏ3 ＣｏＯ Ｃｏ2 Ｏ3 Ｃｏ2 Ｏ3 Ｃｏ ２０００Å（支持体との界面） 上記斜め蒸着で成膜された磁性膜の上に８０Å厚のダイ
ヤモンドライクカーボン膜を設け、この上に２０Å厚の
潤滑剤膜を設けた。そして、ＰＥＴフィルムの反対側の
面に０．５μｍ厚さのバックコート膜を設け、この後８
ｍｍ幅にスリットして８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得
た。
ヤモンドライクカーボン膜を設け、この上に２０Å厚の
潤滑剤膜を設けた。そして、ＰＥＴフィルムの反対側の
面に０．５μｍ厚さのバックコート膜を設け、この後８
ｍｍ幅にスリットして８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得
た。
【００２２】
【実施例２】実施例１において、ノズル９ａから−５０
℃に冷却した酸素ガスを１５０ｓｃｃｍ、ノズル９ｂか
ら８０℃に加熱した酸素ガスを１００ｓｃｃｍとし、か
つ、磁性膜の厚さを１９００Åとした以外は実施例１に
準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。
℃に冷却した酸素ガスを１５０ｓｃｃｍ、ノズル９ｂか
ら８０℃に加熱した酸素ガスを１００ｓｃｃｍとし、か
つ、磁性膜の厚さを１９００Åとした以外は実施例１に
準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。
【００２３】
【実施例３】実施例１において、ノズル９ａから−１０
０℃に冷却した酸素ガスを５０ｓｃｃｍ、ノズル９ｂか
ら１５０℃に加熱した酸素ガスを５０ｓｃｃｍとした以
外は実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ
を得た。
０℃に冷却した酸素ガスを５０ｓｃｃｍ、ノズル９ｂか
ら１５０℃に加熱した酸素ガスを５０ｓｃｃｍとした以
外は実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ
を得た。
【００２４】
【比較例１】実施例１において、ノズル９ａから酸素ガ
スを導入せず、ノズル９ｂから２０℃の酸素ガスを１０
０ｓｃｃｍ導入した以外は実施例１に準じて行い、８ｍ
ｍＶＴＲ用磁気テープを得た。
スを導入せず、ノズル９ｂから２０℃の酸素ガスを１０
０ｓｃｃｍ導入した以外は実施例１に準じて行い、８ｍ
ｍＶＴＲ用磁気テープを得た。
【００２５】
【比較例２】実施例１において、ノズル９ａから酸素ガ
スを導入せず、ノズル９ｂから１５０℃の酸素ガスを１
００ｓｃｃｍ導入した以外は実施例１に準じて行い、８
ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。
スを導入せず、ノズル９ｂから１５０℃の酸素ガスを１
００ｓｃｃｍ導入した以外は実施例１に準じて行い、８
ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。
【００２６】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープにつ
いて、アドバンテスト社のＴＲ４１７１型スペクトルア
ナライザを用い、ＲＢＷ(Resolution Band Width) ＝１
０ｋＨｚ，ＶＢＷ(Video Band Width)＝３０ｋＨｚ，周
波数スパン＝０ＭＨｚ，スイープタイム＝４０ｍｓ，平
均回数＝１６回の条件でエンベロープの測定を行い、前
欠け（出力変動）の程度を求め、これによりヘッドタッ
チを調べたので、その結果を表−２に示す。又、耐蝕性
（６０℃，９０％ＲＨの環境下に１カ月放置した際の、
Ｂｓの保持率（％）で表示）を調べたので、その結果も
表−２に示す。
いて、アドバンテスト社のＴＲ４１７１型スペクトルア
ナライザを用い、ＲＢＷ(Resolution Band Width) ＝１
０ｋＨｚ，ＶＢＷ(Video Band Width)＝３０ｋＨｚ，周
波数スパン＝０ＭＨｚ，スイープタイム＝４０ｍｓ，平
均回数＝１６回の条件でエンベロープの測定を行い、前
欠け（出力変動）の程度を求め、これによりヘッドタッ
チを調べたので、その結果を表−２に示す。又、耐蝕性
（６０℃，９０％ＲＨの環境下に１カ月放置した際の、
Ｂｓの保持率（％）で表示）を調べたので、その結果も
表−２に示す。
【００２７】又、電子線回折によるＣｏ2 Ｏ3 結晶粒
子、Ｃｏ3 Ｏ4 結晶粒子、及びＣｏ結晶粒子の割合を表
−３，４，５に示す。 表−２ 磁性膜の厚さ（Å） ヘツドタッチ（％） 耐蝕性（％） 実施例１ ２０００ １０ ９５ 実施例２ １９００ １５ ９３ 実施例３ ２０００ １５ ９３ 比較例１ ２０００ ４０ ８１ 比較例２ １８００ ４５ ７５ 表−３ Ｃｏ2 Ｏ3 結晶粒子の割合（％） A領域 B領域 C領域 D領域 E領域 F領域 G領域 H領域 I領域 実施例１ ０ ０ ０ ０ ２０ ４０ ６０ ６０ ６０ 実施例２ ０ ０ ０ ０ ３０ ５０ ６０ ６０ ７０ 実施例３ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ３０ ５０ ８０ 比較例１ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 比較例２ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 表−４ Ｃｏ3 Ｏ4 結晶粒子の割合（％） A領域 B領域 C領域 D領域 E領域 F領域 G領域 H領域 I領域 実施例１ ６０ ６０ ２０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 実施例２ ５０ ４０ １０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 実施例３ ６０ ２０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 比較例１ １０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 比較例２ ６０ ５０ ２０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 表−５ Ｃｏ結晶粒子の割合（％） A領域 B領域 C領域 D領域 E領域 F領域 G領域 H領域 I領域 実施例１ ４０ ４０ ４０ ６０ ５０ ４０ ２０ ２０ ２０ 実施例２ ５０ ６０ ５０ ５０ ４０ ４０ ２０ ２０ ２０ 実施例３ ４０ ５０ ６０ ７０ ７０ ７０ ６０ ４０ ２０ 比較例１ ４０ ５０ ６０ ７０ ７０ ６０ ７０ ５０ ５０ 比較例２ ３０ ４０ ７０ ８０ ８０ ８０ ８０ ７０ ７０ 表−３〜表−５中、Ａ領域は磁性膜の表面（上面）から
磁性膜の厚さの１／２０の深さまでの部分、Ｂ領域は磁
性膜の厚さの１／２０の深さから２／２０の深さまでの
部分、Ｃ領域は磁性膜の厚さの２／２０の深さから４／
２０の深さまでの部分、Ｄ領域は磁性膜の厚さの４／２
０の深さから６／２０の深さまでの部分、Ｅ領域は磁性
膜の厚さの６／２０の深さから１４／２０の深さまでの
部分、Ｆ領域は磁性膜の厚さの１４／２０の深さから１
６／２０の深さまでの部分、Ｇ領域は磁性膜の厚さの１
６／２０の深さから１８／２０の深さまでの部分、Ｈ領
域は磁性膜の厚さの１８／２０の深さから１９／２０の
深さまでの部分、Ｉ領域は磁性膜の厚さの１９／２０の
深さから２０／２０の深さ（磁性膜と支持体との界面
（下面））までの部分である。
子、Ｃｏ3 Ｏ4 結晶粒子、及びＣｏ結晶粒子の割合を表
−３，４，５に示す。 表−２ 磁性膜の厚さ（Å） ヘツドタッチ（％） 耐蝕性（％） 実施例１ ２０００ １０ ９５ 実施例２ １９００ １５ ９３ 実施例３ ２０００ １５ ９３ 比較例１ ２０００ ４０ ８１ 比較例２ １８００ ４５ ７５ 表−３ Ｃｏ2 Ｏ3 結晶粒子の割合（％） A領域 B領域 C領域 D領域 E領域 F領域 G領域 H領域 I領域 実施例１ ０ ０ ０ ０ ２０ ４０ ６０ ６０ ６０ 実施例２ ０ ０ ０ ０ ３０ ５０ ６０ ６０ ７０ 実施例３ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ３０ ５０ ８０ 比較例１ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 比較例２ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 表−４ Ｃｏ3 Ｏ4 結晶粒子の割合（％） A領域 B領域 C領域 D領域 E領域 F領域 G領域 H領域 I領域 実施例１ ６０ ６０ ２０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 実施例２ ５０ ４０ １０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 実施例３ ６０ ２０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 比較例１ １０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 比較例２ ６０ ５０ ２０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 表−５ Ｃｏ結晶粒子の割合（％） A領域 B領域 C領域 D領域 E領域 F領域 G領域 H領域 I領域 実施例１ ４０ ４０ ４０ ６０ ５０ ４０ ２０ ２０ ２０ 実施例２ ５０ ６０ ５０ ５０ ４０ ４０ ２０ ２０ ２０ 実施例３ ４０ ５０ ６０ ７０ ７０ ７０ ６０ ４０ ２０ 比較例１ ４０ ５０ ６０ ７０ ７０ ６０ ７０ ５０ ５０ 比較例２ ３０ ４０ ７０ ８０ ８０ ８０ ８０ ７０ ７０ 表−３〜表−５中、Ａ領域は磁性膜の表面（上面）から
磁性膜の厚さの１／２０の深さまでの部分、Ｂ領域は磁
性膜の厚さの１／２０の深さから２／２０の深さまでの
部分、Ｃ領域は磁性膜の厚さの２／２０の深さから４／
２０の深さまでの部分、Ｄ領域は磁性膜の厚さの４／２
０の深さから６／２０の深さまでの部分、Ｅ領域は磁性
膜の厚さの６／２０の深さから１４／２０の深さまでの
部分、Ｆ領域は磁性膜の厚さの１４／２０の深さから１
６／２０の深さまでの部分、Ｇ領域は磁性膜の厚さの１
６／２０の深さから１８／２０の深さまでの部分、Ｈ領
域は磁性膜の厚さの１８／２０の深さから１９／２０の
深さまでの部分、Ｉ領域は磁性膜の厚さの１９／２０の
深さから２０／２０の深さ（磁性膜と支持体との界面
（下面））までの部分である。
【００２８】合計値が１００にならない場合が有るの
は、ＣｏＯが有るからによる。この結果から、本発明に
なるものは、ヘッドタッチに優れ、再生特性が良く、か
つ、耐蝕性に優れていることが判る。
は、ＣｏＯが有るからによる。この結果から、本発明に
なるものは、ヘッドタッチに優れ、再生特性が良く、か
つ、耐蝕性に優れていることが判る。
【００２９】
【発明の効果】ヘッドタッチに優れ、再生特性が良く、
かつ、耐蝕性に優れた磁気記録媒体が得られる。
かつ、耐蝕性に優れた磁気記録媒体が得られる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の製造装置の概略図
１ 支持体 ３ 冷却キャンロール ５ Ｃｏ系金属材料 ６ 電子銃 ８ 真空槽 ９ａ，９ｂ 酸素ガス供給ノズル
Claims (9)
- 【請求項１】 支持体上に金属薄膜型の磁性膜が設けら
れてなる磁気記録媒体であって、 前記磁性膜中にＣｏ2 Ｏ3 が存在することを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項２】 支持体上に金属薄膜型の磁性膜が設けら
れてなる磁気記録媒体であって、 前記磁性膜中にＣｏ2 Ｏ3 が存在すると共に、前記磁性
膜の上層部にＣｏ3 Ｏ 4 が存在することを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項３】 Ｃｏ2 Ｏ3 は磁性膜の上層部以外の部分
に存在することを特徴とする請求項１又は請求項２の磁
気記録媒体。 - 【請求項４】 Ｃｏ2 Ｏ3 は磁性膜の下層部に主として
存在することを特徴とする請求項１〜請求項３いずれか
の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 磁性膜中におけるＣｏ2 Ｏ3 の割合が４
〜５０％であることを特徴とする請求項１〜請求項４い
ずれかの磁気記録媒体。 - 【請求項６】 磁性膜の上面から磁性膜の厚さの１／２
０の深さまでの部分におけるＣｏ3 Ｏ4 の割合が３０〜
１００％であることを特徴とする請求項２の磁気記録媒
体。 - 【請求項７】 支持体上にＣｏ系粒子を堆積させる工程
と、 支持体上にＣｏ系粒子が堆積し始める初期段階において
冷却した酸化性ガスを供給する工程と、 支持体上にＣｏ系粒子が堆積し終わる終期段階において
加熱した酸化性ガスを供給する工程とを具備することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 冷却した酸化性ガスが−１５０〜５℃に
冷却されたものであり、加熱した酸化性ガスが８０〜２
００℃に加熱されたものであることを特徴とする請求項
７の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 冷却した酸化性ガスの供給量が１０〜５
００ｓｃｃｍであり、加熱した酸化性ガスの供給量が１
０〜５００ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項７又
は請求項８の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8116096A JPH09274716A (ja) | 1996-04-03 | 1996-04-03 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8116096A JPH09274716A (ja) | 1996-04-03 | 1996-04-03 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09274716A true JPH09274716A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=13738704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8116096A Pending JPH09274716A (ja) | 1996-04-03 | 1996-04-03 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09274716A (ja) |
-
1996
- 1996-04-03 JP JP8116096A patent/JPH09274716A/ja active Pending
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