JPH09275163A - 回路基板装置及びその製造方法 - Google Patents
回路基板装置及びその製造方法Info
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- JPH09275163A JPH09275163A JP10619696A JP10619696A JPH09275163A JP H09275163 A JPH09275163 A JP H09275163A JP 10619696 A JP10619696 A JP 10619696A JP 10619696 A JP10619696 A JP 10619696A JP H09275163 A JPH09275163 A JP H09275163A
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- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
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- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚膜抵抗の剥離を防ぐために第１及び第２の
保護樹脂層を設けたハイブリッドＩＣにおいて、第１及
び第２の保護樹脂層を容易に形成する方法を提供する。 【解決手段】 回路基板１上に厚膜抵抗２を形成する。
厚膜抵抗２を被覆しないようにオ−バコ−トガラス膜４
を形成する。オ−バコ−トガラス膜４の窓９の中に第１
の保護樹脂層５を形成する。オ−バコ−トガラス膜４の
上に第２の保護樹脂層６を形成する。
保護樹脂層を設けたハイブリッドＩＣにおいて、第１及
び第２の保護樹脂層を容易に形成する方法を提供する。 【解決手段】 回路基板１上に厚膜抵抗２を形成する。
厚膜抵抗２を被覆しないようにオ−バコ−トガラス膜４
を形成する。オ−バコ−トガラス膜４の窓９の中に第１
の保護樹脂層５を形成する。オ−バコ−トガラス膜４の
上に第２の保護樹脂層６を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は厚膜導体、厚膜抵抗等が
成形された回路基板を備えた回路基板装置及びその製造
方法に関する。
成形された回路基板を備えた回路基板装置及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】厚膜導体や厚膜抵抗が形成された回路基
板を備えた回路基板装置（ハイブリットＩＣ）は公知で
ある。一般に、この種の回路基板装置では、回路基板上
への不純物の侵入による特性劣下等の防止を図るため、
回路基板上を保護樹脂（コ−ト材）で被覆する。
板を備えた回路基板装置（ハイブリットＩＣ）は公知で
ある。一般に、この種の回路基板装置では、回路基板上
への不純物の侵入による特性劣下等の防止を図るため、
回路基板上を保護樹脂（コ−ト材）で被覆する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
保護樹脂で回路基板上を保護する場合に、回路基板上の
特定の箇所（例えば厚膜抵抗）を他の箇所とは異なる樹
脂で被覆したい場合がある。又、その特定箇所の保護樹
脂の厚みを十分に確保したい場合がある。従来では、こ
れに対する工夫は特にされていなかったため、異なる樹
脂を良好に区分して被覆すること、及び保護樹脂の厚み
を十分に確保することが困難であった。
保護樹脂で回路基板上を保護する場合に、回路基板上の
特定の箇所（例えば厚膜抵抗）を他の箇所とは異なる樹
脂で被覆したい場合がある。又、その特定箇所の保護樹
脂の厚みを十分に確保したい場合がある。従来では、こ
れに対する工夫は特にされていなかったため、異なる樹
脂を良好に区分して被覆すること、及び保護樹脂の厚み
を十分に確保することが困難であった。
【０００４】そこで、本発明は特定箇所の第１の保護樹
脂層を十分な厚みに形成することができ且つ特定箇所以
外の第２の保護樹脂層を第１の保護樹脂層と区分して形
成することができる回路基板装置及びその製造方法を提
供することを目的とする。
脂層を十分な厚みに形成することができ且つ特定箇所以
外の第２の保護樹脂層を第１の保護樹脂層と区分して形
成することができる回路基板装置及びその製造方法を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上に配設
された回路素子と、前記回路素子を被覆せずに包囲する
ように前記基板の上に形成されたオ−バコ−トガラス膜
と、前記オ−バコ−トガラス膜で被覆されていない前記
回路素子を被覆している第１の保護樹脂層と、前記オ−
バコ−トガラス膜を被覆している第２の保護樹脂層とを
備えた回路基板装置に係わるものである。なお、請求項
２に示すように第１及び第２の保護樹脂層を被覆する樹
脂被覆体を設け、第１の保護樹脂層の樹脂被覆体に対す
る接着力を第２の保護樹脂層の樹脂被覆体に対する接着
力よりも低くすることが望ましい。また、請求項３に示
すように、回路素子として厚膜抵抗を形成し、第１の保
護樹脂層を樹脂の滴下又は印刷によって形成し、第２の
保護樹脂層を第１の保護樹脂層と親和性の悪い樹脂によ
って形成することが望ましい。
の本発明は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上に配設
された回路素子と、前記回路素子を被覆せずに包囲する
ように前記基板の上に形成されたオ−バコ−トガラス膜
と、前記オ−バコ−トガラス膜で被覆されていない前記
回路素子を被覆している第１の保護樹脂層と、前記オ−
バコ−トガラス膜を被覆している第２の保護樹脂層とを
備えた回路基板装置に係わるものである。なお、請求項
２に示すように第１及び第２の保護樹脂層を被覆する樹
脂被覆体を設け、第１の保護樹脂層の樹脂被覆体に対す
る接着力を第２の保護樹脂層の樹脂被覆体に対する接着
力よりも低くすることが望ましい。また、請求項３に示
すように、回路素子として厚膜抵抗を形成し、第１の保
護樹脂層を樹脂の滴下又は印刷によって形成し、第２の
保護樹脂層を第１の保護樹脂層と親和性の悪い樹脂によ
って形成することが望ましい。
【０００６】
【発明の作用及び効果】各請求項の発明によれば、オ−
バコ−トガラス膜によって回路素子又は厚膜抵抗は被覆
せず、オ−バコ−トガラス膜は回路素子又は厚膜抵抗を
包囲するように形成する。従って、オ−バコ−トガラス
膜は第１及び第２の保護樹脂層の選択的被覆のための領
域の特定層として機能し、特に第１の保護樹脂層を特定
領域に容易に形成することが可能になる。また、回路素
子又は厚膜抵抗はオ−バコ−トガラス膜で被覆されない
ので、この領域の全体の厚さの制限がある場合にはオ−
バコ−トガラス膜を省いた分だけ第１の保護樹脂層を厚
くすることができる。請求項２の発明によれば、第１の
保護樹脂層の樹脂被覆体への接着力が第２の保護樹脂層
の樹脂被覆体への接着力よりも低くしたので、第１の保
護樹脂層が樹脂被覆体によって上方向に引張られ、これ
により厚膜抵抗も上方向に引張られた時に、厚膜抵抗が
第１の保護樹脂層によってさほど強く引張られない。こ
のため、厚膜抵抗の基板からの剥離や断線が生じ難くな
る。第１の保護樹脂層の樹脂被覆体に対する接着力が弱
くても、第１の保護樹脂層を平面的に見て囲むように配
設した第２の保護樹脂層の樹脂被覆体に対する接着力が
高いので、厚膜抵抗の形成領域への水や不純物の侵入を
防ぐことができる。また、樹脂被覆体と保護樹脂層との
間の剥離は外周側から内周側に進行しやすいので、外周
側に接着力の強い第２の保護樹脂層を設けることにより
剥離の発生及び進行を抑制することができる。また、請
求項３の発明によれば、第１の保護樹脂層を樹脂の滴下
によって特定領域に容易に形成することができる。ま
た、第２の保護樹脂層を形成する時に第１の保護樹脂層
に対して親和性の悪い樹脂を選択することによって第１
の保護樹脂層を特別にマスクしないで第２の保護樹脂層
を形成することが可能になる。
バコ−トガラス膜によって回路素子又は厚膜抵抗は被覆
せず、オ−バコ−トガラス膜は回路素子又は厚膜抵抗を
包囲するように形成する。従って、オ−バコ−トガラス
膜は第１及び第２の保護樹脂層の選択的被覆のための領
域の特定層として機能し、特に第１の保護樹脂層を特定
領域に容易に形成することが可能になる。また、回路素
子又は厚膜抵抗はオ−バコ−トガラス膜で被覆されない
ので、この領域の全体の厚さの制限がある場合にはオ−
バコ−トガラス膜を省いた分だけ第１の保護樹脂層を厚
くすることができる。請求項２の発明によれば、第１の
保護樹脂層の樹脂被覆体への接着力が第２の保護樹脂層
の樹脂被覆体への接着力よりも低くしたので、第１の保
護樹脂層が樹脂被覆体によって上方向に引張られ、これ
により厚膜抵抗も上方向に引張られた時に、厚膜抵抗が
第１の保護樹脂層によってさほど強く引張られない。こ
のため、厚膜抵抗の基板からの剥離や断線が生じ難くな
る。第１の保護樹脂層の樹脂被覆体に対する接着力が弱
くても、第１の保護樹脂層を平面的に見て囲むように配
設した第２の保護樹脂層の樹脂被覆体に対する接着力が
高いので、厚膜抵抗の形成領域への水や不純物の侵入を
防ぐことができる。また、樹脂被覆体と保護樹脂層との
間の剥離は外周側から内周側に進行しやすいので、外周
側に接着力の強い第２の保護樹脂層を設けることにより
剥離の発生及び進行を抑制することができる。また、請
求項３の発明によれば、第１の保護樹脂層を樹脂の滴下
によって特定領域に容易に形成することができる。ま
た、第２の保護樹脂層を形成する時に第１の保護樹脂層
に対して親和性の悪い樹脂を選択することによって第１
の保護樹脂層を特別にマスクしないで第２の保護樹脂層
を形成することが可能になる。
【０００７】
【実施例】次に、図１〜図３を参照して、本発明の１実
施例に係わる回路基板装置としてのハイブリッドＩＣを
説明する。このハイブリッドＩＣは、アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ）等から成る絶縁性回路基板１と、厚膜抵抗２と、
配線導体３と、オ−バコ−トガラス膜４と、第１及び第
２の保護樹脂層５、６と、樹脂被覆体７と、放熱板を兼
ねる金属支持板８とを有する。なお、回路基板１の主面
には回路素子として厚膜抵抗２以外にコンデンサ、半導
体素子、コイル素子等が配置されるが、これ等の図示は
省略されている。また、図３に概略的に示すようにこの
実施例では金属支持板８の上に電力用半導体素子１０が
固着され、樹脂被覆体７で被覆される。また、回路基板
１には厚膜導体から成る端子１１が設けられており、こ
の端子１と外部リ−ド１２とがリ−ド細線１３で接続さ
れている。
施例に係わる回路基板装置としてのハイブリッドＩＣを
説明する。このハイブリッドＩＣは、アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ）等から成る絶縁性回路基板１と、厚膜抵抗２と、
配線導体３と、オ−バコ−トガラス膜４と、第１及び第
２の保護樹脂層５、６と、樹脂被覆体７と、放熱板を兼
ねる金属支持板８とを有する。なお、回路基板１の主面
には回路素子として厚膜抵抗２以外にコンデンサ、半導
体素子、コイル素子等が配置されるが、これ等の図示は
省略されている。また、図３に概略的に示すようにこの
実施例では金属支持板８の上に電力用半導体素子１０が
固着され、樹脂被覆体７で被覆される。また、回路基板
１には厚膜導体から成る端子１１が設けられており、こ
の端子１と外部リ−ド１２とがリ−ド細線１３で接続さ
れている。
【０００８】回路基板１は四角形の平面形状を有してお
り、この周辺部よりも内側に厚膜抵抗２が配置されてい
る。厚膜抵抗２を電気的に接続するための配線導体３
は、厚膜導体ペ−ストを周知のスクリ−ン印刷によって
所定パタ−ンに印刷した後にこれを焼成することによっ
て形成したものである。厚膜抵抗２は、例えば酸化ルテ
ニウム系ガラス粉末と有機バインダとから成る厚膜抵抗
ペ−ストをスクリ−ン印刷にして向い合う２つの配線導
体の上面に跨がるように印刷した後にこれを焼成するこ
とによって形成したものである。従って、厚膜抵抗２の
両端部は対向する２つの配線導体３の上面に被着されて
おり、その他の部分は回路基板１の一方の主面に被着さ
れている。本実施例では、ほぼ四角形の平面形状を有す
るように厚膜抵抗２が形成されている。尚、図示は省略
されているが厚膜抵抗２には、周知のレ−ザトリミング
法によって例えばＬ字状に欠損部が形成され、抵抗値の
調整が図られている。
り、この周辺部よりも内側に厚膜抵抗２が配置されてい
る。厚膜抵抗２を電気的に接続するための配線導体３
は、厚膜導体ペ−ストを周知のスクリ−ン印刷によって
所定パタ−ンに印刷した後にこれを焼成することによっ
て形成したものである。厚膜抵抗２は、例えば酸化ルテ
ニウム系ガラス粉末と有機バインダとから成る厚膜抵抗
ペ−ストをスクリ−ン印刷にして向い合う２つの配線導
体の上面に跨がるように印刷した後にこれを焼成するこ
とによって形成したものである。従って、厚膜抵抗２の
両端部は対向する２つの配線導体３の上面に被着されて
おり、その他の部分は回路基板１の一方の主面に被着さ
れている。本実施例では、ほぼ四角形の平面形状を有す
るように厚膜抵抗２が形成されている。尚、図示は省略
されているが厚膜抵抗２には、周知のレ−ザトリミング
法によって例えばＬ字状に欠損部が形成され、抵抗値の
調整が図られている。
【０００９】オ−バコ−トガラス膜は、図２に示すよう
に、回路基板１の一方の主面のうち厚膜抵抗２が形成さ
れた特定領域を除くほぼ全面を被覆するように形成され
ている。即ち厚膜抵抗２が形成された特定領域に対応し
て開口即ち窓９が生じるようにオ−バコ−トガラス膜４
が形成されているいる。この窓９から回路基板１の主面
の一部及び配線導体３の一部さらに厚膜抵抗２の全体が
露出している。オ−バコ−トガラス膜４は例えば鉛系の
ガラスを回路基板１の一方の主面に窓９が生じるように
スクリ−ン印刷した後、これを焼成することにより形成
したものである。なお、オ−バコ−トガラス膜４によっ
て厚膜抵抗２以外の回路素子及び配線導体を被覆するこ
とができる。
に、回路基板１の一方の主面のうち厚膜抵抗２が形成さ
れた特定領域を除くほぼ全面を被覆するように形成され
ている。即ち厚膜抵抗２が形成された特定領域に対応し
て開口即ち窓９が生じるようにオ−バコ−トガラス膜４
が形成されているいる。この窓９から回路基板１の主面
の一部及び配線導体３の一部さらに厚膜抵抗２の全体が
露出している。オ−バコ−トガラス膜４は例えば鉛系の
ガラスを回路基板１の一方の主面に窓９が生じるように
スクリ−ン印刷した後、これを焼成することにより形成
したものである。なお、オ−バコ−トガラス膜４によっ
て厚膜抵抗２以外の回路素子及び配線導体を被覆するこ
とができる。
【００１０】第１の保護樹脂層５は、例えば流動性を有
するシリコ−ン樹脂を窓９の中に滴下又はスクリ−ン印
刷し、窓９の内側のみに選択的に形成したものであり、
厚膜抵抗２の上面全体と窓９に露出した配線導体３及び
回路基板１の一方の主面を被覆している。なお、図示は
省略しているが、第１の保護樹脂層５は厚膜抵抗２のト
リミングによる欠損部の内側も被覆している。第１の保
護樹脂層５の上面はオ−バコ−トガラス膜４の上面より
も下側もしくはほぼ同一平面上に設けるのが望ましい
が、オ−バ−コ−トガラス膜４の上面よりも若干上方に
あってもよい。
するシリコ−ン樹脂を窓９の中に滴下又はスクリ−ン印
刷し、窓９の内側のみに選択的に形成したものであり、
厚膜抵抗２の上面全体と窓９に露出した配線導体３及び
回路基板１の一方の主面を被覆している。なお、図示は
省略しているが、第１の保護樹脂層５は厚膜抵抗２のト
リミングによる欠損部の内側も被覆している。第１の保
護樹脂層５の上面はオ−バコ−トガラス膜４の上面より
も下側もしくはほぼ同一平面上に設けるのが望ましい
が、オ−バ−コ−トガラス膜４の上面よりも若干上方に
あってもよい。
【００１１】第２の保護樹脂層６は、第１の保護樹脂層
５に対して親和性の悪い例えばポリイミド系ワニスを回
路基板１の一方の主面上の全体即ちオ−バコ−トガラス
膜４の上のみならず窓９の上に塗布することによって形
成したものである。第２の保護樹脂層６を形成するため
のポリイミド系ワニスが第１の保護樹脂層５の上に塗布
されても、これとの親和性が悪いためにワニスが第１の
保護樹脂層５に弾かれてこの上には第２の保護樹脂層６
が形成されない。
５に対して親和性の悪い例えばポリイミド系ワニスを回
路基板１の一方の主面上の全体即ちオ−バコ−トガラス
膜４の上のみならず窓９の上に塗布することによって形
成したものである。第２の保護樹脂層６を形成するため
のポリイミド系ワニスが第１の保護樹脂層５の上に塗布
されても、これとの親和性が悪いためにワニスが第１の
保護樹脂層５に弾かれてこの上には第２の保護樹脂層６
が形成されない。
【００１２】樹脂被覆体７は、例えばエポキシ系合成樹
脂から成り、第１の保護樹脂層５及び第２の保護樹脂層
６の上面、さらには支持版８の一方の主面の回路基板１
が固着されていない領域も被覆している。ここで、樹脂
被覆体７と回路基板１とを直接に接着した場合における
両者の接着力（両者を引き剥がすに要する力）をＡkgｆ
／ｃｍ2 、第１の保護樹脂層５と樹脂被覆体７との接着
力Ｂkgｆ／ｃｍ2 、第２の保護樹脂層６と樹脂被覆体と
の接着力Ｃkgｆ／ｃｍ2 とした時にこれ等の間にはＢ＜
Ａ＜Ｃの関係がある。これによって、厚膜抵抗２の剥離
や断線が生じ難くなる。即ち、樹脂被覆体７が熱膨張等
によって回路基板１の主面から浮き上がっても、この実
施例では、樹脂被覆体７と第１の保護樹脂層５との接着
力が劣っているため、第１の保護樹脂層５が樹脂被覆体
７に引張られて浮き上がることがない。従って、厚膜抵
抗２に剥離が生じることがない。一方、厚膜抵抗２の上
面以外は第１の保護樹脂層５よりも樹脂被覆体７との接
着性に優れた第２の保護樹脂層６によって被覆されてい
るので、リ−ド細線１３の剥離や回路基板１の上面への
不純物侵入等も防止される。なお、リ−ド細線１３の接
続部分も第１の保護樹脂層５で被覆しても厚膜抵抗２の
剥離や断線は同様に防止できる。しかし、このようにす
ると、リ−ド細線１３の接続部分の近くにおいて第１の
保護樹脂層５と樹脂被覆体７との界面で剥離が生じ易
く、万一剥離が生じると、これに伴う応力がリ−ド細線
１３に加わって、リ−ド細線１３を端子１１から剥離さ
せかねない。また、保護樹脂層５と樹脂被覆体７との剥
離はその周辺側即ち回路基板１の外周側から内側に向か
って進行するので、回路基板１の外周側の保護樹脂の樹
脂被覆体７に対する接着性が悪いと、この剥離の進行が
早期に生じ、リ−ド細線１３の剥離を早期に招き易い。
また、回路基板１の外周側を含めてそのほぼ全面を被覆
する保護樹脂層が回路基板１との接着性が良くないと、
回路基板１と保護樹脂の剥離も生じ易く、保護樹脂の本
来の機能である不純物侵入防止効果が損なわれる。この
実施例では、リ−ド細線１３の接続部分や回路基板１の
外周側を含む回路基板のほぼ全面が第１の保護樹脂層５
に比較して樹脂被覆体７や回路基板への接着性に優れた
第２の保護樹脂層６によって被覆されているので、この
ような問題が生じない。
脂から成り、第１の保護樹脂層５及び第２の保護樹脂層
６の上面、さらには支持版８の一方の主面の回路基板１
が固着されていない領域も被覆している。ここで、樹脂
被覆体７と回路基板１とを直接に接着した場合における
両者の接着力（両者を引き剥がすに要する力）をＡkgｆ
／ｃｍ2 、第１の保護樹脂層５と樹脂被覆体７との接着
力Ｂkgｆ／ｃｍ2 、第２の保護樹脂層６と樹脂被覆体と
の接着力Ｃkgｆ／ｃｍ2 とした時にこれ等の間にはＢ＜
Ａ＜Ｃの関係がある。これによって、厚膜抵抗２の剥離
や断線が生じ難くなる。即ち、樹脂被覆体７が熱膨張等
によって回路基板１の主面から浮き上がっても、この実
施例では、樹脂被覆体７と第１の保護樹脂層５との接着
力が劣っているため、第１の保護樹脂層５が樹脂被覆体
７に引張られて浮き上がることがない。従って、厚膜抵
抗２に剥離が生じることがない。一方、厚膜抵抗２の上
面以外は第１の保護樹脂層５よりも樹脂被覆体７との接
着性に優れた第２の保護樹脂層６によって被覆されてい
るので、リ−ド細線１３の剥離や回路基板１の上面への
不純物侵入等も防止される。なお、リ−ド細線１３の接
続部分も第１の保護樹脂層５で被覆しても厚膜抵抗２の
剥離や断線は同様に防止できる。しかし、このようにす
ると、リ−ド細線１３の接続部分の近くにおいて第１の
保護樹脂層５と樹脂被覆体７との界面で剥離が生じ易
く、万一剥離が生じると、これに伴う応力がリ−ド細線
１３に加わって、リ−ド細線１３を端子１１から剥離さ
せかねない。また、保護樹脂層５と樹脂被覆体７との剥
離はその周辺側即ち回路基板１の外周側から内側に向か
って進行するので、回路基板１の外周側の保護樹脂の樹
脂被覆体７に対する接着性が悪いと、この剥離の進行が
早期に生じ、リ−ド細線１３の剥離を早期に招き易い。
また、回路基板１の外周側を含めてそのほぼ全面を被覆
する保護樹脂層が回路基板１との接着性が良くないと、
回路基板１と保護樹脂の剥離も生じ易く、保護樹脂の本
来の機能である不純物侵入防止効果が損なわれる。この
実施例では、リ−ド細線１３の接続部分や回路基板１の
外周側を含む回路基板のほぼ全面が第１の保護樹脂層５
に比較して樹脂被覆体７や回路基板への接着性に優れた
第２の保護樹脂層６によって被覆されているので、この
ような問題が生じない。
【００１３】また、この実施例では、回路基板上に第１
の保護樹脂層５と第２の保護樹脂層６とを容易に且つ確
実に塗り分けることができる。即ち、第１の保護樹脂層
５を選択的に塗布すべき領域はオ−バコ−トガラス膜４
によって包囲された窓９即ち凹状領域となっているた
め、この凹状領域に保護樹脂を滴下又はスクリ−ン印刷
するだけで容易に厚膜抵抗の全面を含む小面積領域のみ
を選択的に第１の保護樹脂層５によって被覆することが
できる。また、第１の保護樹脂層５と第２の保護樹脂層
６とは互いに親和性の悪い樹脂から成るので、第２の保
護樹脂層６の選択的形成が容易になる。なお、第１の保
護樹脂層５と第２の保護樹脂層６との接着力をＤとした
場合には、Ｄ＜Ｂ、及びＤ＜Ｃに設定されている。上記
Ｂ、Ｃは前述したように樹脂被覆体７に対する第１及び
第２の保護樹脂層５、６の接着力を示す。この様に、第
２の保護樹脂層６の第１の保護樹脂層５に対する接着力
が極めて小さいので、第２の保護樹脂層６を形成するた
めにワニスを全表面に塗布した時に第１の保護樹脂層５
で弾かれないものが残存したとしても、第１の保護樹脂
層５の上からこれを容易に除去し、第２の保護樹脂層６
を所定領域のみに形成することができる。
の保護樹脂層５と第２の保護樹脂層６とを容易に且つ確
実に塗り分けることができる。即ち、第１の保護樹脂層
５を選択的に塗布すべき領域はオ−バコ−トガラス膜４
によって包囲された窓９即ち凹状領域となっているた
め、この凹状領域に保護樹脂を滴下又はスクリ−ン印刷
するだけで容易に厚膜抵抗の全面を含む小面積領域のみ
を選択的に第１の保護樹脂層５によって被覆することが
できる。また、第１の保護樹脂層５と第２の保護樹脂層
６とは互いに親和性の悪い樹脂から成るので、第２の保
護樹脂層６の選択的形成が容易になる。なお、第１の保
護樹脂層５と第２の保護樹脂層６との接着力をＤとした
場合には、Ｄ＜Ｂ、及びＤ＜Ｃに設定されている。上記
Ｂ、Ｃは前述したように樹脂被覆体７に対する第１及び
第２の保護樹脂層５、６の接着力を示す。この様に、第
２の保護樹脂層６の第１の保護樹脂層５に対する接着力
が極めて小さいので、第２の保護樹脂層６を形成するた
めにワニスを全表面に塗布した時に第１の保護樹脂層５
で弾かれないものが残存したとしても、第１の保護樹脂
層５の上からこれを容易に除去し、第２の保護樹脂層６
を所定領域のみに形成することができる。
【００１４】
【変形例】本発明は、上述の実施例に限定されるもので
なく、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 第１及び第２の保護樹脂層５、６を共に接着力
の互いに異なるポリイミド系ワニスで形成することがで
きる。 （２） 厚膜抵抗２をＡｇ−Ｐｄ抵抗ペ−スト等で形成
することもできる。 （３） 厚膜抵抗２以外の類似の回路素子を基板１上に
形成する場合にも本発明を適用することができる。 （４） 接着力Ａ、Ｂ、Ｃの大小に関係なく、特定領域
に第１及び第２の保護樹脂層５、６を設ける場合にも本
発明を適用することができる。
なく、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 第１及び第２の保護樹脂層５、６を共に接着力
の互いに異なるポリイミド系ワニスで形成することがで
きる。 （２） 厚膜抵抗２をＡｇ−Ｐｄ抵抗ペ−スト等で形成
することもできる。 （３） 厚膜抵抗２以外の類似の回路素子を基板１上に
形成する場合にも本発明を適用することができる。 （４） 接着力Ａ、Ｂ、Ｃの大小に関係なく、特定領域
に第１及び第２の保護樹脂層５、６を設ける場合にも本
発明を適用することができる。
【図１】本発明の実施例に係わるハイブリッドＩＣの一
部を示す断面図である。
部を示す断面図である。
【図２】図１のハイブリッドＩＣのＡ−Ａ線断面図であ
る。
る。
【図３】ハイブリッドＩＣ全体の形状を一部省略して示
す平面図である。
す平面図である。
１ 基板 ２ 厚膜抵抗 ４ オ−バコ−トガラス膜 ５、６ 第１及び第２の保護樹脂層 ７ 樹脂被覆体 ８ 金属支持板
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、 前記絶縁性基板の上に配設された回路素子と、 前記回路素子を被覆せずに包囲するように前記基板の上
に形成されたオ−バコ−トガラス膜と、 前記オ−バコ−トガラス膜で被覆されていない前記回路
素子を被覆している第１の保護樹脂層と、 前記オ−バコ−トガラス膜を被覆している第２の保護樹
脂層と、を備えた回路基板装置。 - 【請求項２】 更に、前記第１の保護樹脂層及び前記第
２の保護樹脂層の上を被覆している樹脂被覆体を備え、
前記第１の保護樹脂層の前記樹脂被覆体に対する接着力
が前記第２の保護樹脂層の前記樹脂被覆体に対する接着
力よりも低いことを特徴とする請求項１記載の回路基板
装置。 - 【請求項３】 絶縁性基板の上に厚膜抵抗を形成する工
程と、 前記厚膜抵抗を被覆せずに包囲するように前記基板上に
オ−バコ−トガラス膜を形成する工程と、 流動性を有する樹脂を滴下又は印刷することによって前
記オ−バコ−トガラス膜で被覆されていない前記厚膜抵
抗を被覆して第１の保護樹脂層を形成する工程と、 前記第１の保護樹脂層に対する親和性の悪い樹脂によっ
て前記オ−バコ−トガラスを被覆して第２の保護樹脂層
を形成する工程とを備えた回路基板装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8106196A JP2865054B2 (ja) | 1996-04-03 | 1996-04-03 | 回路基板装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8106196A JP2865054B2 (ja) | 1996-04-03 | 1996-04-03 | 回路基板装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09275163A true JPH09275163A (ja) | 1997-10-21 |
| JP2865054B2 JP2865054B2 (ja) | 1999-03-08 |
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ID=14427429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8106196A Expired - Fee Related JP2865054B2 (ja) | 1996-04-03 | 1996-04-03 | 回路基板装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2865054B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113496962A (zh) * | 2020-03-20 | 2021-10-12 | 南茂科技股份有限公司 | 芯片封装结构及其制造方法 |
-
1996
- 1996-04-03 JP JP8106196A patent/JP2865054B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113496962A (zh) * | 2020-03-20 | 2021-10-12 | 南茂科技股份有限公司 | 芯片封装结构及其制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2865054B2 (ja) | 1999-03-08 |
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