JPH0284744A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0284744A JPH0284744A JP1201171A JP20117189A JPH0284744A JP H0284744 A JPH0284744 A JP H0284744A JP 1201171 A JP1201171 A JP 1201171A JP 20117189 A JP20117189 A JP 20117189A JP H0284744 A JPH0284744 A JP H0284744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- tab
- lead frame
- pellet
- inner leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はリードフレームを用いた半導体装置の製造方法
に関する。
に関する。
［従来技術］
一般に、たとえばトランジスタや集積回路（ＩＣ）の如
き半導体装置の製造には、金属リボン状のリードフレー
ムが用いられている。このリードフレームは半導体チッ
プであるペレットを取り付けるためのタブ、ペレットの
ボンディングとワイヤで電気的に接続されるインナーリ
ード、該インナーリードとダムと呼ばれる連結部を介し
て連結され、外部接続端子を構成するアウターリード等
を有している。
き半導体装置の製造には、金属リボン状のリードフレー
ムが用いられている。このリードフレームは半導体チッ
プであるペレットを取り付けるためのタブ、ペレットの
ボンディングとワイヤで電気的に接続されるインナーリ
ード、該インナーリードとダムと呼ばれる連結部を介し
て連結され、外部接続端子を構成するアウターリード等
を有している。
このようなリードフレームにおいて、従来インナーリー
ドには、ペレットのボンディングとの電気的接続のため
に金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等の貴金属を、たとえば樹脂
モールドやパッケージの如き封入物への気密封止のため
のモールド外形線ＭＬ（またはガラス封止外形線）の領
域内でメッキするのが普通である。
ドには、ペレットのボンディングとの電気的接続のため
に金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等の貴金属を、たとえば樹脂
モールドやパッケージの如き封入物への気密封止のため
のモールド外形線ＭＬ（またはガラス封止外形線）の領
域内でメッキするのが普通である。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、リードフレームに形成される銀メッキ層
は部分メッキの場合でも、はとんどのメッキ部分は本来
不必要なものであり、金や銀のような極めて高価な貴金
属材料の無駄使いになり、また徒らにリードフレームお
よびそれを用いた半導体装置のコストを上昇させる結果
となる。
は部分メッキの場合でも、はとんどのメッキ部分は本来
不必要なものであり、金や銀のような極めて高価な貴金
属材料の無駄使いになり、また徒らにリードフレームお
よびそれを用いた半導体装置のコストを上昇させる結果
となる。
さらに、たとえば銀の場合には、本来タブにはメッキを
する必要がない上に、余分な銀メッキによりマイグレー
ションのポテンシャルを高くし、水分による短絡を生じ
易くなる等の欠点を生じていた。
する必要がない上に、余分な銀メッキによりマイグレー
ションのポテンシャルを高くし、水分による短絡を生じ
易くなる等の欠点を生じていた。
本発明は前記した従来技術の欠点を解消するためになさ
れたもので、貴金属材料である銀の使用量を大幅に減少
させ、なおかつその銀がリードフレームに対して接着良
好にせしめることのできる半導体装置の製造方法を提供
することを目的とするものである。
れたもので、貴金属材料である銀の使用量を大幅に減少
させ、なおかつその銀がリードフレームに対して接着良
好にせしめることのできる半導体装置の製造方法を提供
することを目的とするものである。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は１本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［問題点を解決するための手段］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば１次のとおりである。
を説明すれば１次のとおりである。
すなわち。
■タブ、そのタブに先端が近接する複数のインナーリー
ド、外部端子を構成する複数のアウターリードおよびそ
れらインナーリードとアウターリードとを連結する連結
部とから成る銅系素材のリードフレームを準備する段階
、 ■そのリードフレームの全面に対して銀との密着性の良
好な被膜を形成する段階、しかる後、■ワイヤボンディ
ングされるべき前記複数のインナーリードの先端に部分
銀メッキ層を施す段階、■前記タブ上に半導体ペレット
をボンディングする段階、 ■ワイヤの一端を前記ペレットの電極部に、他端を前記
インナーリードの先端にボンディングする段階、 ■前記インナーリード、半導体ペレット、タブおよびワ
イヤをパッケージにより封止する段階。
ド、外部端子を構成する複数のアウターリードおよびそ
れらインナーリードとアウターリードとを連結する連結
部とから成る銅系素材のリードフレームを準備する段階
、 ■そのリードフレームの全面に対して銀との密着性の良
好な被膜を形成する段階、しかる後、■ワイヤボンディ
ングされるべき前記複数のインナーリードの先端に部分
銀メッキ層を施す段階、■前記タブ上に半導体ペレット
をボンディングする段階、 ■ワイヤの一端を前記ペレットの電極部に、他端を前記
インナーリードの先端にボンディングする段階、 ■前記インナーリード、半導体ペレット、タブおよびワ
イヤをパッケージにより封止する段階。
とを含むことを特徴とする。
［作用］
前記した手段によれば、リードフレームに対して部分的
な銀メッキ層形成であるために、貴金属材料である銀の
使用量は大幅に減少されることになる。
な銀メッキ層形成であるために、貴金属材料である銀の
使用量は大幅に減少されることになる。
また、部分銀形成に先立っての銀との密着性の良好な被
膜形成はをリードフレーム対して全面的な形成手段とし
たものであるから極めて簡便である。
膜形成はをリードフレーム対して全面的な形成手段とし
たものであるから極めて簡便である。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例である半導体装置に使用され
ているリードフレームを示す平面図、第２図はそのペレ
ット取付状態を示す拡大部分断面図、第３図は本発明の
リードフレームの状態をよ視図である。
ているリードフレームを示す平面図、第２図はそのペレ
ット取付状態を示す拡大部分断面図、第３図は本発明の
リードフレームの状態をよ視図である。
本実施例はシングルインライン（Ｓ Ｉ Ｌ）形のリー
ドフレームに本発明を適用した例であり、このリードフ
レームは、外部接続端子を構成するアウターリード１０
、該アウターリード１０と連結部（ダム）１２を介して
連結されたインナーリード１４、半導体チップであるペ
レット１８（第２図）を取り付けるタブ１６、該タブ１
６を機械的に支持するタブ吊り用リード２ｏ、前記ペレ
ット１８のポンディングパッド部と前記インナーリード
１４とを電気的に接続するワイヤ２２（第２図）を有し
ている。
ドフレームに本発明を適用した例であり、このリードフ
レームは、外部接続端子を構成するアウターリード１０
、該アウターリード１０と連結部（ダム）１２を介して
連結されたインナーリード１４、半導体チップであるペ
レット１８（第２図）を取り付けるタブ１６、該タブ１
６を機械的に支持するタブ吊り用リード２ｏ、前記ペレ
ット１８のポンディングパッド部と前記インナーリード
１４とを電気的に接続するワイヤ２２（第２図）を有し
ている。
本実施例においては、前記インナーリード１４への金ま
たは銀のような貴金属のメッキは第１図および第２図に
符号２４で示すように、ワイヤ２２をボンディングすべ
き部分に部分的に施されている。したがって、本実施例
における銀のような貴金属の使用量は非常に少くなり、
コスト的に極めて有利である。
たは銀のような貴金属のメッキは第１図および第２図に
符号２４で示すように、ワイヤ２２をボンディングすべ
き部分に部分的に施されている。したがって、本実施例
における銀のような貴金属の使用量は非常に少くなり、
コスト的に極めて有利である。
このような部分的なメッキ２４を施す方法としては、リ
ードフレームの素材が銅（Ｃｕ）系の金属の場合には、
まず第３図に示すように、予めリードフレーム（全面）
上にフラッシュメッキ層２６を、常温での酸化防止を可
能にする程度の厚さに形成しておき、そのフラッシュメ
ッキ層２６上に部分銀メッキ層２４を形成する。この場
合の有益な点は以下に述べるとおりにある。
ードフレームの素材が銅（Ｃｕ）系の金属の場合には、
まず第３図に示すように、予めリードフレーム（全面）
上にフラッシュメッキ層２６を、常温での酸化防止を可
能にする程度の厚さに形成しておき、そのフラッシュメ
ッキ層２６上に部分銀メッキ層２４を形成する。この場
合の有益な点は以下に述べるとおりにある。
一般に、Ｃｕ系フレーム素材は多くの不純物を含み、ま
た表面が酸化されているために、銀との密着性が良くな
い。このため、上述の如く予めリードフレームに銀との
密着性をよくする被膜を全面的に形成する。全面的な被
膜（フラッシュメッキ層）形成は、リボン状のリードフ
レームに対して最も簡便な方法であることは言うまでも
ない。
た表面が酸化されているために、銀との密着性が良くな
い。このため、上述の如く予めリードフレームに銀との
密着性をよくする被膜を全面的に形成する。全面的な被
膜（フラッシュメッキ層）形成は、リボン状のリードフ
レームに対して最も簡便な方法であることは言うまでも
ない。
かかるフラッシュメッキ層上への部分銀メッキは密着性
良く、確実なものとなる。
良く、確実なものとなる。
このようにして、インナーリード１４上の必要な部ファ
ンのみに形成された銀メッキ層２４には、他端をペレッ
ト１８のポンディングパッド部にボンディングされたワ
イヤ２２の一端がボンディングされており、この銀メッ
キＭ２４とワイヤ２２とのボンディングにより良好な電
気的接続が行なわれる。
ンのみに形成された銀メッキ層２４には、他端をペレッ
ト１８のポンディングパッド部にボンディングされたワ
イヤ２２の一端がボンディングされており、この銀メッ
キＭ２４とワイヤ２２とのボンディングにより良好な電
気的接続が行なわれる。
なお、その場合、銀メッキ暦２４はごく一部のみに施さ
れるので、インナーリード１４のほぼ全面に銀メッキ暦
を施す場合と違って、銀メッキ層２４に若干のダレが生
じても特に問題とはならない。
れるので、インナーリード１４のほぼ全面に銀メッキ暦
を施す場合と違って、銀メッキ層２４に若干のダレが生
じても特に問題とはならない。
ペレットおよびワイヤボンディングされたリードフレー
ムには樹脂封止パッケージ２８が、銀メッキ層２４を含
むインナーリード１４．タブ１６、タブ１６にボンディ
ングされたペレット１８およびワイヤ２２をｍ封止する
ように形成される。
ムには樹脂封止パッケージ２８が、銀メッキ層２４を含
むインナーリード１４．タブ１６、タブ１６にボンディ
ングされたペレット１８およびワイヤ２２をｍ封止する
ように形成される。
樹脂封止後、リードフレームのダム１２および外枠が切
り落され、第４図に示されているようなＳＩＬ形ＩＣが
完成される。
り落され、第４図に示されているようなＳＩＬ形ＩＣが
完成される。
本発明はＳＩＬ形のみならず、デュアルインライン（Ｄ
ＩＬ）形の半導体装置やペレット取付部をセラミックパ
ッケージ内に気密封止した半導体装置も含むものである
。
ＩＬ）形の半導体装置やペレット取付部をセラミックパ
ッケージ内に気密封止した半導体装置も含むものである
。
［発明の効果］
以上用説明したように、本発明によれば、半導体装置に
使用される貴金属である銀の使用量を大幅に減少させる
ことができるため、コストを著しく低減させることがで
きる。
使用される貴金属である銀の使用量を大幅に減少させる
ことができるため、コストを著しく低減させることがで
きる。
また、特に樹脂封止の場合はセラミックによる気密封止
に比べて水分がパッケージ内へ浸入し易いが、部分銀メ
ッキ形成のために、銀によるマイグレーションのポテン
シャル減少により、水分による短絡の発生を防止するこ
とができる。
に比べて水分がパッケージ内へ浸入し易いが、部分銀メ
ッキ形成のために、銀によるマイグレーションのポテン
シャル減少により、水分による短絡の発生を防止するこ
とができる。
さらに、本発明によれば、部分銀メッキ層形成に先立っ
てのリードフレームに対する銀との密着性の良い薄膜形
成は全面的に行なうものであるから極めて簡便である。
てのリードフレームに対する銀との密着性の良い薄膜形
成は全面的に行なうものであるから極めて簡便である。
第１図は本発明の一実施例である半導体装置に使用され
ているリードフレームを示す平面図、第２図はそのペレ
ット取付状態を示す拡大部分断面図、 第３図は本発明のリードフレームの状態をより詳細に開
示した拡大部分断面図、 第４図は本発明の方法によって組立られた半導体装置を
示す斜視図である。 １０・・・アウターリード、１４・・・インナーリード
、１６・・・タブ、１８・・・ペレット、２ｏ・・・タ
ブ吊り用リード、２２・・・ワイヤ、２４・・・部分的
な銀メッキ層、２６・・・フラッシュメッキ層、２８・
・・樹脂封止パッケージ。 第 図 第 図 第 図
ているリードフレームを示す平面図、第２図はそのペレ
ット取付状態を示す拡大部分断面図、 第３図は本発明のリードフレームの状態をより詳細に開
示した拡大部分断面図、 第４図は本発明の方法によって組立られた半導体装置を
示す斜視図である。 １０・・・アウターリード、１４・・・インナーリード
、１６・・・タブ、１８・・・ペレット、２ｏ・・・タ
ブ吊り用リード、２２・・・ワイヤ、２４・・・部分的
な銀メッキ層、２６・・・フラッシュメッキ層、２８・
・・樹脂封止パッケージ。 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（１）タブ、そのタブに先端が近接する複数のイン
ナーリード、外部端子を構成する複数のアウターリード
およびそれらインナーリードとアウターリードとを連結
する連結部とから成る銅系素材のリードフレームを準備
する段階、 （２）そのリードフレームの全面に対して銀との密着性
の良好な被膜を形成する段階、しかる後、（３）ワイヤ
ボンディングされるべき前記複数のインナーリードの先
端に部分銀メッキ層を施す段階、（４）前記タブ上に半
導体ペレットをボンディングする段階、 （５）ワイヤの一端を前記ペレットの電極部に、他端を
前記インナーリードの先端にボンディングする段階、 （６）前記インナーリード、半導体ペレット、タブおよ
びワイヤをパッケージにより封止する段階、とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201171A JPH0284744A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201171A JPH0284744A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10113080A Division JPS5727050A (en) | 1980-07-25 | 1980-07-25 | Lead frame and semiconductor device using said lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284744A true JPH0284744A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=16436542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201171A Pending JPH0284744A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0284744A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19640256A1 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | Anschlußrahmen, Verfahren zur teilweisen Edelplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
| EP0902472A3 (en) * | 1997-09-15 | 2000-10-18 | Microchip Technology Inc. | Combination inductive coil and integrated circuit semiconductor chip in a single lead frame package and method therefor |
| JP2009032899A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4895184A (ja) * | 1972-03-16 | 1973-12-06 | ||
| JPS52128845A (en) * | 1976-04-21 | 1977-10-28 | Hitachi Cable | Method of fabricating silver plated copper wire |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP1201171A patent/JPH0284744A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4895184A (ja) * | 1972-03-16 | 1973-12-06 | ||
| JPS52128845A (en) * | 1976-04-21 | 1977-10-28 | Hitachi Cable | Method of fabricating silver plated copper wire |
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|---|---|---|---|---|
| DE19640256A1 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | Anschlußrahmen, Verfahren zur teilweisen Edelplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
| US6034422A (en) * | 1995-09-29 | 2000-03-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame, method for partial noble plating of said lead frame and semiconductor device having said lead frame |
| DE19640256B4 (de) * | 1995-09-29 | 2004-04-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Anschlußrahmen, Verfahren zur Edelmetallplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
| EP0902472A3 (en) * | 1997-09-15 | 2000-10-18 | Microchip Technology Inc. | Combination inductive coil and integrated circuit semiconductor chip in a single lead frame package and method therefor |
| JP2009032899A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
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