JPH09281127A - 磁気抵抗素子を備えた磁気検出装置およびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗素子を備えた磁気検出装置およびその製造方法Info
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- JPH09281127A JPH09281127A JP8092535A JP9253596A JPH09281127A JP H09281127 A JPH09281127 A JP H09281127A JP 8092535 A JP8092535 A JP 8092535A JP 9253596 A JP9253596 A JP 9253596A JP H09281127 A JPH09281127 A JP H09281127A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】検出出力が高い磁気抵抗素子を備えた磁気検出
装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】回転体３のギア３Ｂと対向する位置に、所
望の距離だけ離間させて配置されたバイアス磁石５と、
基板９上に強磁性体により２つのＭＲＥ本体１１、１３
が各々形成されて、回転体３とバイアス磁石５との間に
介在され、回転体３の回転に伴ってバイアス磁石５が形
成するバイアス磁界Ｍが変化するのに応答して、２つの
ＭＲＥ本体１１、１３の電気抵抗値がそれぞれ変化する
ＭＲＥ７とを備えた回転体用センサ１であって、基板９
が一様磁界Ｂ中に設置され、基板９上に２つの金属薄膜
１１、１３が各々形成されることで、２つのＭＲＥ本体
１１、１３の磁化容易軸が、各々一様磁界Ｂの磁界方向
に揃えられる。
装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】回転体３のギア３Ｂと対向する位置に、所
望の距離だけ離間させて配置されたバイアス磁石５と、
基板９上に強磁性体により２つのＭＲＥ本体１１、１３
が各々形成されて、回転体３とバイアス磁石５との間に
介在され、回転体３の回転に伴ってバイアス磁石５が形
成するバイアス磁界Ｍが変化するのに応答して、２つの
ＭＲＥ本体１１、１３の電気抵抗値がそれぞれ変化する
ＭＲＥ７とを備えた回転体用センサ１であって、基板９
が一様磁界Ｂ中に設置され、基板９上に２つの金属薄膜
１１、１３が各々形成されることで、２つのＭＲＥ本体
１１、１３の磁化容易軸が、各々一様磁界Ｂの磁界方向
に揃えられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗素子の電
気抵抗値変化に応答して、回転体の回転速度や回転角度
などが検出される磁気抵抗素子を備えた磁気検出装置お
よびその製造方法に関する。
気抵抗値変化に応答して、回転体の回転速度や回転角度
などが検出される磁気抵抗素子を備えた磁気検出装置お
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の磁気抵抗素子が使用される磁気
検出装置としては、特開平２−２７１２５８号公報に記
載された「位置検出装置」が知られており、その装置で
は、自身の軸回りに回転自在とされた磁性回転体の外周
側面に複数のギヤが突出形成されている。また、その回
転体のギヤに向けてバイアス磁界を発生させるバイアス
磁石が、回転体と所望の距離だけ離間した位置に配置さ
れており、回転体が回転するのに対応してバイアス磁界
が変化される。
検出装置としては、特開平２−２７１２５８号公報に記
載された「位置検出装置」が知られており、その装置で
は、自身の軸回りに回転自在とされた磁性回転体の外周
側面に複数のギヤが突出形成されている。また、その回
転体のギヤに向けてバイアス磁界を発生させるバイアス
磁石が、回転体と所望の距離だけ離間した位置に配置さ
れており、回転体が回転するのに対応してバイアス磁界
が変化される。
【０００３】また、回転体とバイアス磁石との間には、
磁気抵抗素子（以下、ＭＲＥと称する）が介在され、ギ
ヤの回転に伴って回転体の外周側面に沿う方向の磁界強
度が変化するバイアス磁界の変化に応答して、ＭＲＥで
は、電気抵抗値が変化する。そして、その電気抵抗値の
変化が検出されることにより、回転体の回転速度や回転
角度などを検出することができる。
磁気抵抗素子（以下、ＭＲＥと称する）が介在され、ギ
ヤの回転に伴って回転体の外周側面に沿う方向の磁界強
度が変化するバイアス磁界の変化に応答して、ＭＲＥで
は、電気抵抗値が変化する。そして、その電気抵抗値の
変化が検出されることにより、回転体の回転速度や回転
角度などを検出することができる。
【０００４】前記ＭＲＥは、基板上に形成された強磁性
体の金属薄膜（以下、ＭＲＥ本体と称する）を有し、そ
のＭＲＥ本体の成膜方法は、スパッタ法や蒸着法によっ
て行われる。このＭＲＥ本体は、磁化方向と電流方向が
平行なときには、電気抵抗値が最大となり、磁化方向と
電流方向とが直交するときには、電気抵抗値が最小とな
るという特性を有している。
体の金属薄膜（以下、ＭＲＥ本体と称する）を有し、そ
のＭＲＥ本体の成膜方法は、スパッタ法や蒸着法によっ
て行われる。このＭＲＥ本体は、磁化方向と電流方向が
平行なときには、電気抵抗値が最大となり、磁化方向と
電流方向とが直交するときには、電気抵抗値が最小とな
るという特性を有している。
【０００５】そして、ＭＲＥの基板上には、同じ特性を
有する２つのＭＲＥ本体が形成されており、それら２つ
のＭＲＥ本体は、形成方向が互いに直交するように配設
されている。
有する２つのＭＲＥ本体が形成されており、それら２つ
のＭＲＥ本体は、形成方向が互いに直交するように配設
されている。
【０００６】以上のように構成された磁気検出装置にお
いては、回転体の外周側面に沿う接線方向における磁界
強度と電気抵抗値との関係は、図８に示された磁界強度
−電気抵抗曲線から理解されるように、磁界強度が値０
のとき、電気抵抗値は極値を示すが、磁化の方向は電流
方向に対して平行あるいは垂直な方向というわけではな
いので、磁界強度が値０のとき、一方のＭＲＥ本体の電
気抵抗値Ｌ１は最大値とはならないとともに、他方のＭ
ＲＥ本体の電気抵抗値Ｌ２は最小値とはならない。
いては、回転体の外周側面に沿う接線方向における磁界
強度と電気抵抗値との関係は、図８に示された磁界強度
−電気抵抗曲線から理解されるように、磁界強度が値０
のとき、電気抵抗値は極値を示すが、磁化の方向は電流
方向に対して平行あるいは垂直な方向というわけではな
いので、磁界強度が値０のとき、一方のＭＲＥ本体の電
気抵抗値Ｌ１は最大値とはならないとともに、他方のＭ
ＲＥ本体の電気抵抗値Ｌ２は最小値とはならない。
【０００７】このように、ＭＲＥ本体の電気抵抗値は、
磁化方向と電流方向のなす角度により変化されるととも
に、その磁化方向は外部磁界により変化するので、従来
の磁気検出装置では、バイアス磁界の強度を充分に大き
くすれば、磁化方向の変化はバイアス磁界の方向変化の
みに依存すると考えられ、ＭＲＥ本体の磁気異方性に依
存するかどうかについては考慮されていなかった。
磁化方向と電流方向のなす角度により変化されるととも
に、その磁化方向は外部磁界により変化するので、従来
の磁気検出装置では、バイアス磁界の強度を充分に大き
くすれば、磁化方向の変化はバイアス磁界の方向変化の
みに依存すると考えられ、ＭＲＥ本体の磁気異方性に依
存するかどうかについては考慮されていなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そのため、ＭＲＥ本体
の形成工程においては、磁気異方性が全く制御されてい
ないので、ＭＲＥの検出出力は、必ずしも充分ではなか
った。本発明の目的は、検出出力が高い磁気抵抗素子
（ＭＲＥ）を備えた磁気検出装置およびその製造方法を
提供することにある。
の形成工程においては、磁気異方性が全く制御されてい
ないので、ＭＲＥの検出出力は、必ずしも充分ではなか
った。本発明の目的は、検出出力が高い磁気抵抗素子
（ＭＲＥ）を備えた磁気検出装置およびその製造方法を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は、回転自在な
回転体本体の外周側面に複数のギヤが周回して突設され
た磁性回転体と、該回転体の前記ギヤと対向する位置に
所望の距離だけ離間させて配置されたバイアス磁石と、
該バイアス磁石と前記回転体との間に介在され、強磁性
体により基板上に金属薄膜が形成された磁気抵抗素子と
を備えた磁気検出装置であって、前記磁気抵抗素子の前
記金属薄膜の磁化容易軸が一様磁界の磁界方向に揃えら
れていることを特徴とする磁気抵抗素子を備えた磁気検
出装置によって解決される。
回転体本体の外周側面に複数のギヤが周回して突設され
た磁性回転体と、該回転体の前記ギヤと対向する位置に
所望の距離だけ離間させて配置されたバイアス磁石と、
該バイアス磁石と前記回転体との間に介在され、強磁性
体により基板上に金属薄膜が形成された磁気抵抗素子と
を備えた磁気検出装置であって、前記磁気抵抗素子の前
記金属薄膜の磁化容易軸が一様磁界の磁界方向に揃えら
れていることを特徴とする磁気抵抗素子を備えた磁気検
出装置によって解決される。
【００１０】また、回転自在な回転体本体の外周側面に
複数のギヤが周回して突設された磁性回転体と、該回転
体の前記ギヤと対向する位置に所望の距離だけ離間させ
て配置されたバイアス磁石と、該バイアス磁石と前記回
転体との間に介在され、強磁性体により基板上に金属薄
膜が形成された磁気抵抗素子とを備えた磁気検出装置の
製造方法であって、前記磁気抵抗素子が前記基板を一様
磁界中に設置する第１工程と、前記一様磁界中の前記基
板に２つの金属薄膜を形成する第２工程とから製造され
ることで、前記金属薄膜の各々磁化容易軸が前記一様磁
界の磁界方向に揃えられることを特徴とする磁気抵抗素
子を備えた磁気検出装置の製造方法によって解決され
る。
複数のギヤが周回して突設された磁性回転体と、該回転
体の前記ギヤと対向する位置に所望の距離だけ離間させ
て配置されたバイアス磁石と、該バイアス磁石と前記回
転体との間に介在され、強磁性体により基板上に金属薄
膜が形成された磁気抵抗素子とを備えた磁気検出装置の
製造方法であって、前記磁気抵抗素子が前記基板を一様
磁界中に設置する第１工程と、前記一様磁界中の前記基
板に２つの金属薄膜を形成する第２工程とから製造され
ることで、前記金属薄膜の各々磁化容易軸が前記一様磁
界の磁界方向に揃えられることを特徴とする磁気抵抗素
子を備えた磁気検出装置の製造方法によって解決され
る。
【００１１】上記構成の磁気抵抗素子を備えた磁気検出
装置の製造方法では、基板が一様磁界中に設置された状
態で、基板上に２つの強磁性体の金属薄膜が形成される
ことにより、基板が設置された一様磁界の方向に２つの
金属薄膜の磁気容易軸を各々揃えることができる。した
がって、検出出力が高い磁気抵抗素子を備えた磁気検出
装置を得ることができる。
装置の製造方法では、基板が一様磁界中に設置された状
態で、基板上に２つの強磁性体の金属薄膜が形成される
ことにより、基板が設置された一様磁界の方向に２つの
金属薄膜の磁気容易軸を各々揃えることができる。した
がって、検出出力が高い磁気抵抗素子を備えた磁気検出
装置を得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気抵抗素子
を備えた磁気検出装置およびその製造方法の好適な実施
の形態を図１乃至図７に基づいて詳細に説明する。図１
から理解されるように、本発明の磁気抵抗素子（ＭＲ
Ｅ）を備えた磁気検出装置が適用される回転体用センサ
１は、磁性材料により形成された回転体３を備えてい
る。この回転体３は、自身の軸回りに回転自在とされた
回転体本体３Ａと、この回転体本体３Ａの外周側面に突
出形成された複数のギヤ３Ｂとを有している。
を備えた磁気検出装置およびその製造方法の好適な実施
の形態を図１乃至図７に基づいて詳細に説明する。図１
から理解されるように、本発明の磁気抵抗素子（ＭＲ
Ｅ）を備えた磁気検出装置が適用される回転体用センサ
１は、磁性材料により形成された回転体３を備えてい
る。この回転体３は、自身の軸回りに回転自在とされた
回転体本体３Ａと、この回転体本体３Ａの外周側面に突
出形成された複数のギヤ３Ｂとを有している。
【００１３】また、回転体用センサ１には、バイアス磁
石５と、ＭＲＥ７とが備えられている。このバイアス磁
石５は、円盤状に形成され、回転体３と所望の距離だけ
離間した位置に配置され、回転体３のギヤ３Ｂに向けて
矢印Ｍで示されるバイアス磁界Ｍを発生する。そして、
回転体本体３Ａが回転されるのに対応して、回転体３の
ギヤ３Ｂ部分と該ギヤが設けられていない部分とが交互
にバイアス磁界Ｍ内を通過することで、バイアス磁界Ｍ
が変化されるように構成されている。なお、バイアス磁
石５は、磁束の方向が自身の軸方向に沿うように着磁さ
れている。
石５と、ＭＲＥ７とが備えられている。このバイアス磁
石５は、円盤状に形成され、回転体３と所望の距離だけ
離間した位置に配置され、回転体３のギヤ３Ｂに向けて
矢印Ｍで示されるバイアス磁界Ｍを発生する。そして、
回転体本体３Ａが回転されるのに対応して、回転体３の
ギヤ３Ｂ部分と該ギヤが設けられていない部分とが交互
にバイアス磁界Ｍ内を通過することで、バイアス磁界Ｍ
が変化されるように構成されている。なお、バイアス磁
石５は、磁束の方向が自身の軸方向に沿うように着磁さ
れている。
【００１４】また、回転体本体３Ａの回転に伴ってバイ
アス磁界Ｍが変化するのに応答して、ＭＲＥ７の電気抵
抗値が変化するので、その電気抵抗値の変化が検出され
ることにより、回転体本体３Ａの回転速度などを検出す
ることができる。
アス磁界Ｍが変化するのに応答して、ＭＲＥ７の電気抵
抗値が変化するので、その電気抵抗値の変化が検出され
ることにより、回転体本体３Ａの回転速度などを検出す
ることができる。
【００１５】図２から理解されるように、ＭＲＥ７の基
板９上に２つのＭＲＥ本体１１、１３が形成されてお
り、それら２つのＭＲＥ本体１１、１３の配置方向が、
互いに直交するように隣接した位置に形成されている。
なお、接点ａ、ｂは、印加電圧の接続部であり、接点ｃ
は検出部である。
板９上に２つのＭＲＥ本体１１、１３が形成されてお
り、それら２つのＭＲＥ本体１１、１３の配置方向が、
互いに直交するように隣接した位置に形成されている。
なお、接点ａ、ｂは、印加電圧の接続部であり、接点ｃ
は検出部である。
【００１６】次に、前記ＭＲＥ７の製造方法について説
明する。図３から理解されるように、この実施の形態で
は、蒸着法によってＭＲＥ本体１１とＭＲＥ本体１３と
が基板９上の所定位置に成膜されるので、第１の工程と
して、基板９が蒸着装置１０の蒸着槽１５内に設置され
る。
明する。図３から理解されるように、この実施の形態で
は、蒸着法によってＭＲＥ本体１１とＭＲＥ本体１３と
が基板９上の所定位置に成膜されるので、第１の工程と
して、基板９が蒸着装置１０の蒸着槽１５内に設置され
る。
【００１７】前記蒸着槽１５は、真空排気装置に連通さ
れる排気口１７を有し、その内部には、ＭＲＥ本体１
１、１３を形成する金属性の蒸発物Ａが入れられた坩堝
１９と、蒸発物Ａを加熱するためのヒータ２１とが備え
られている。なお、蒸着装置１０は、公知の装置である
ので、蒸着の方法などの詳細な説明は省略する。
れる排気口１７を有し、その内部には、ＭＲＥ本体１
１、１３を形成する金属性の蒸発物Ａが入れられた坩堝
１９と、蒸発物Ａを加熱するためのヒータ２１とが備え
られている。なお、蒸着装置１０は、公知の装置である
ので、蒸着の方法などの詳細な説明は省略する。
【００１８】そして、図４から理解されるように、基板
９の設置位置には、１対の永久磁石２３、２５が設置さ
れ、基板９は１対の永久磁石２３、２５により一様な磁
界Ｂ中に置かれることになる。
９の設置位置には、１対の永久磁石２３、２５が設置さ
れ、基板９は１対の永久磁石２３、２５により一様な磁
界Ｂ中に置かれることになる。
【００１９】次に、第２の工程では、公知の手段によっ
て蒸着槽１５内が真空にされることで蒸発物Ａが蒸発さ
れ、基板９表面上の所定位置に金属薄膜であるＭＲＥ本
体１１、１３として成膜される。このＭＲＥ本体１１、
１３は、一様な磁界Ｂの作用により、磁界Ｂの方向に磁
化容易軸がそろった磁性膜となる。
て蒸着槽１５内が真空にされることで蒸発物Ａが蒸発さ
れ、基板９表面上の所定位置に金属薄膜であるＭＲＥ本
体１１、１３として成膜される。このＭＲＥ本体１１、
１３は、一様な磁界Ｂの作用により、磁界Ｂの方向に磁
化容易軸がそろった磁性膜となる。
【００２０】すなわち、基板９が１対の永久磁石２３、
２５により形成される一様な磁界Ｂ中にあるので、２つ
のＭＲＥ本体１１、１３は、各々磁気異方性が制御され
た状態で形成されることになる。よって、ＭＲＥ本体１
１、１３は、共に磁界Ｂ方向に磁化容易軸が揃った磁性
膜として成膜される。
２５により形成される一様な磁界Ｂ中にあるので、２つ
のＭＲＥ本体１１、１３は、各々磁気異方性が制御され
た状態で形成されることになる。よって、ＭＲＥ本体１
１、１３は、共に磁界Ｂ方向に磁化容易軸が揃った磁性
膜として成膜される。
【００２１】この場合、ＭＲＥ本体１１、１３の磁化容
易軸は、各々図１中の矢印Ｘと矢印Ｙの方向となるよう
に設定されている。なお、図１中、矢印Ｘ、Ｙ、Ｚは、
各々、磁気検出装置１が存在する空間の３次元空間座標
系を示す座標軸を示し、Ｘ−Ｙ平面は、回転体３の外周
側面の頂点に接する平面と平行な基板９を含む平面であ
り、Ｚ座標は、回転体３の径方向に沿っている。
易軸は、各々図１中の矢印Ｘと矢印Ｙの方向となるよう
に設定されている。なお、図１中、矢印Ｘ、Ｙ、Ｚは、
各々、磁気検出装置１が存在する空間の３次元空間座標
系を示す座標軸を示し、Ｘ−Ｙ平面は、回転体３の外周
側面の頂点に接する平面と平行な基板９を含む平面であ
り、Ｚ座標は、回転体３の径方向に沿っている。
【００２２】以上のように形成されたＭＲＥ本体１１、
１３においては、図５から理解されるように、磁界強度
が値０のときの電流方向と磁化方向のなす角度が、ＭＲ
Ｅ本体１１では平行となり、ＭＲＥ本体１３では直角と
なる。すなわち、磁界強度が値０の位置で、ＭＲＥ本体
１１の電気抵抗値Ｒ１は最大値となり、ＭＲＥ本体１３
の電気抵抗値Ｒ２は最小となる。
１３においては、図５から理解されるように、磁界強度
が値０のときの電流方向と磁化方向のなす角度が、ＭＲ
Ｅ本体１１では平行となり、ＭＲＥ本体１３では直角と
なる。すなわち、磁界強度が値０の位置で、ＭＲＥ本体
１１の電気抵抗値Ｒ１は最大値となり、ＭＲＥ本体１３
の電気抵抗値Ｒ２は最小となる。
【００２３】そして、図６には、図２に示された構成の
等価回路が示されており、この回路中の、中点ｃにおけ
る電位のピークからピークまでの値ＶＰＰは、下式数１
で表される。
等価回路が示されており、この回路中の、中点ｃにおけ
る電位のピークからピークまでの値ＶＰＰは、下式数１
で表される。
【００２４】
【数１】ＶＰＰ＝ＶＣＣ｛Ｒ２（０）／（Ｒ１（０）＋
Ｒ２（０））−Ｒ２（０）／（Ｒ１（Ｐ）＋Ｒ２
（Ｐ））｝ 但し、上式数１において、Ｒ１（０）、Ｒ２（０）は、
磁界強度が値０での、ＭＲＥ本体１１、ＭＲＥ本体１３
の電気抵抗値をそれぞれ示し、Ｒ１（Ｐ）、Ｒ２（Ｐ）
は、磁界強度が値Ｐでの、ＭＲＥ本体１１、ＭＲＥ本体
１３の電気抵抗値をそれぞれ示しており、また、ＶＣＣ
は印加電圧の値を示している。
Ｒ２（０））−Ｒ２（０）／（Ｒ１（Ｐ）＋Ｒ２
（Ｐ））｝ 但し、上式数１において、Ｒ１（０）、Ｒ２（０）は、
磁界強度が値０での、ＭＲＥ本体１１、ＭＲＥ本体１３
の電気抵抗値をそれぞれ示し、Ｒ１（Ｐ）、Ｒ２（Ｐ）
は、磁界強度が値Ｐでの、ＭＲＥ本体１１、ＭＲＥ本体
１３の電気抵抗値をそれぞれ示しており、また、ＶＣＣ
は印加電圧の値を示している。
【００２５】このように、図５と図８および数１から理
解されるように、この実施の形態におけるＭＲＥ７で
は、従来のＭＲＥよりも高い出力が得られる。そして、
図７から理解されるように、実験結果ではＭＲＥ７から
の出力（○印）は、従来のＭＲＥからの出力（＊印）よ
りも、約１０パーセント高い値となっている。
解されるように、この実施の形態におけるＭＲＥ７で
は、従来のＭＲＥよりも高い出力が得られる。そして、
図７から理解されるように、実験結果ではＭＲＥ７から
の出力（○印）は、従来のＭＲＥからの出力（＊印）よ
りも、約１０パーセント高い値となっている。
【００２６】以上説明したように本実施の形態では、Ｍ
ＲＥ７の基板９が一様磁界Ｂ中に設置された状態（第１
の工程）で、この基板９に強磁性体の蒸発物Ａの金属薄
膜が成膜される（第２の工程）ことにより２つのＭＲＥ
本体１１、１３が形成される。したがって、ＭＲＥ本体
１１、１３が磁界Ｂ方向に磁気容易軸がそろった金属薄
膜となるように設定されているので、ＭＲＥ本体１１、
１３を備えたＭＲＥ７の検出出力が高くなり、従来の磁
気異方性の制御がされていないものより約１０パーセン
ト高くなる。
ＲＥ７の基板９が一様磁界Ｂ中に設置された状態（第１
の工程）で、この基板９に強磁性体の蒸発物Ａの金属薄
膜が成膜される（第２の工程）ことにより２つのＭＲＥ
本体１１、１３が形成される。したがって、ＭＲＥ本体
１１、１３が磁界Ｂ方向に磁気容易軸がそろった金属薄
膜となるように設定されているので、ＭＲＥ本体１１、
１３を備えたＭＲＥ７の検出出力が高くなり、従来の磁
気異方性の制御がされていないものより約１０パーセン
ト高くなる。
【００２７】なお、上記実施の形態では、蒸着法によっ
てＭＲＥ本体１１、１３が形成される場合について説明
したが、ＭＲＥ本体１１、１３は、スパッタ法等の他の
薄膜形成方法によって形成しても良い。
てＭＲＥ本体１１、１３が形成される場合について説明
したが、ＭＲＥ本体１１、１３は、スパッタ法等の他の
薄膜形成方法によって形成しても良い。
【００２８】また、永久磁石２３、２５の設置位置や数
量は、一様な磁界Ｂが形成される構成であれば、特に上
記実施の形態に限定されるものではない。また、永久磁
石２３、２５に代えて、電磁石により一様磁界を形成す
る構成も好適である。
量は、一様な磁界Ｂが形成される構成であれば、特に上
記実施の形態に限定されるものではない。また、永久磁
石２３、２５に代えて、電磁石により一様磁界を形成す
る構成も好適である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る磁気抵
抗素子を備えた磁気検出装置においては、磁気抵抗素子
の金属薄膜の磁化容易軸が一様磁界の磁界方向に揃えら
れている。したがって、検出出力が高い磁気抵抗素子を
備えた磁気検出装置を得ることができる。
抗素子を備えた磁気検出装置においては、磁気抵抗素子
の金属薄膜の磁化容易軸が一様磁界の磁界方向に揃えら
れている。したがって、検出出力が高い磁気抵抗素子を
備えた磁気検出装置を得ることができる。
【００３０】また、本発明に係る磁気抵抗素子を備えた
磁気検出装置の製造方法においては、磁気抵抗素子が基
板を一様磁界中に設置する第１工程と、一様磁界中の基
板に２つの金属薄膜を形成する第２工程とから製造され
ることで、金属薄膜の各々磁化容易軸が一様磁界の磁界
方向に揃えられる。したがって、一様磁界中で基板上に
磁気容易軸が各々揃えられた金属薄膜を確実に形成され
るとともに、検出出力の高い磁気抵抗素子を備えた磁気
検出装置を得ることができる。
磁気検出装置の製造方法においては、磁気抵抗素子が基
板を一様磁界中に設置する第１工程と、一様磁界中の基
板に２つの金属薄膜を形成する第２工程とから製造され
ることで、金属薄膜の各々磁化容易軸が一様磁界の磁界
方向に揃えられる。したがって、一様磁界中で基板上に
磁気容易軸が各々揃えられた金属薄膜を確実に形成され
るとともに、検出出力の高い磁気抵抗素子を備えた磁気
検出装置を得ることができる。
【図１】本発明に係る磁気抵抗素子を備えた磁気検出装
置が適用される回転体用センサの概略構成説明図であ
る。
置が適用される回転体用センサの概略構成説明図であ
る。
【図２】図１におけるＭＲＥ本体の構成を示す説明図で
ある。
ある。
【図３】蒸着法によりＭＲＥ本体を形成する製造方法を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図４】永久磁石によって形成される一様磁界の説明図
である。
である。
【図５】本発明に係る磁気抵抗素子の好適な実施の形態
における、ＭＲＥ本体の電気抵抗値と磁界強度との関係
を示す相関図である。
における、ＭＲＥ本体の電気抵抗値と磁界強度との関係
を示す相関図である。
【図６】図２におけるＭＲＥ本体の等価回路を示す構成
図である。
図である。
【図７】本発明が適用された磁気抵抗素子からの出力値
と、従来の磁気抵抗素子からの出力値との差を示す相関
図である。
と、従来の磁気抵抗素子からの出力値との差を示す相関
図である。
【図８】従来の磁気抵抗素子におけるＭＲＥ本体の電気
抵抗値と磁界強度との関係を示す相関図である。
抵抗値と磁界強度との関係を示す相関図である。
１ 回転体用センサ（磁気検出装置） ３ 回転体 ３Ａ 回転体本体 ３Ｂ ギヤ ５ バイアス磁石 ７ ＭＲＥ（磁気抵抗素子） ９ 基板 １０ 蒸着装置 １１、１３ ＭＲＥ本体（金属薄膜） ２３、２５ 永久磁石 Ａ 蒸発物 Ｍ バイアス磁界 Ｂ 一様磁界
Claims (2)
- 【請求項１】 回転自在な回転体本体の外周側面に複数
のギヤが周回して突設された磁性回転体と、該回転体の
前記ギヤと対向する位置に所望の距離だけ離間させて配
置されたバイアス磁石と、該バイアス磁石と前記回転体
との間に介在され、強磁性体により基板上に金属薄膜が
形成された磁気抵抗素子とを備えた磁気検出装置であっ
て、 前記磁気抵抗素子の前記金属薄膜の磁化容易軸が一様磁
界の磁界方向に揃えられていることを特徴とする磁気抵
抗素子を備えた磁気検出装置。 - 【請求項２】 回転自在な回転体本体の外周側面に複数
のギヤが周回して突設された磁性回転体と、該回転体の
前記ギヤと対向する位置に所望の距離だけ離間させて配
置されたバイアス磁石と、該バイアス磁石と前記回転体
との間に介在され、強磁性体により基板上に金属薄膜が
形成された磁気抵抗素子とを備えた磁気検出装置の製造
方法であって、 前記磁気抵抗素子が前記基板を一様磁界中に設置する第
１工程と、前記一様磁界中の前記基板に２つの金属薄膜
を形成する第２工程とから製造されることで、前記金属
薄膜の各々磁化容易軸が前記一様磁界の磁界方向に揃え
られることを特徴とする磁気抵抗素子を備えた磁気検出
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8092535A JPH09281127A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 磁気抵抗素子を備えた磁気検出装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8092535A JPH09281127A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 磁気抵抗素子を備えた磁気検出装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09281127A true JPH09281127A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14057069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8092535A Pending JPH09281127A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 磁気抵抗素子を備えた磁気検出装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09281127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11312448A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-09 | Murata Mfg Co Ltd | 鋼球検出センサ |
| JP2020030103A (ja) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | Tdk株式会社 | 回転検出システム |
| US11099033B2 (en) | 2018-08-22 | 2021-08-24 | Tdk Corporation | Position detection system |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP8092535A patent/JPH09281127A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11312448A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-09 | Murata Mfg Co Ltd | 鋼球検出センサ |
| JP2020030103A (ja) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | Tdk株式会社 | 回転検出システム |
| US11099033B2 (en) | 2018-08-22 | 2021-08-24 | Tdk Corporation | Position detection system |
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