JPH09291377A

JPH09291377A - 被膜を備えた物品

Info

Publication number: JPH09291377A
Application number: JP8106944A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Umeda; 泰梅田; Makoto Yanagawa; 誠柳川; Shiho Terada; 志帆寺田
Original assignee: Noge Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Noge Electric Industries Co Ltd
Priority date: 1996-04-26
Filing date: 1996-04-26
Publication date: 1997-11-11

Abstract

(57)【要約】【課題】基材上に、Ｎｉ膜とＰｄ膜とを備えた物品であ
って、膜剥がれの生じにくい構成を提供する。【解決手段】Ｎｉを含む層１４とＰｄを含む層１８との
間の、Ｎｉを含む層１４に接する位置に、ＮｉおよびＡ
ｕを含む層１５を配置し、Ｐｄを含む層１８に接する位
置に、ＰｄおよびＡｕを含む層１７を配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基材上にめっき被
膜を備えた物品に関し、特に、基材に被膜を備えたリー
ドフレームに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子用のリードフレームにおいて
は、従来より半田付け時やワイヤボンディング時の接合
性、ならびにリードフレーム自体の耐食性を向上させる
ために、基材に様々な被膜加工を施す技術が開発されて
いる。例えば、特公昭６３−４９３８２号公報には、Ｎ
ｉ下地メッキ層とＰｄ層とを積層することにより、半田
付け時やワイヤボンディング時の接合性を保持しつつ、
耐食性を向上させる構成が開示されている。また、特開
平４−１１５５５８号公報には、Ｐｄ層の上に、Ａｇや
Ａｕめっき被膜を薄く形成することによりＰｄ層の酸化
を防ぎ、半田濡れ性を向上させる構成が開示されてい
る。さらに、特開平７−１６９９０１号公報には、Ｎｉ
層の上に保護合成層を形成する構成が開示されている。
保護合成層として、Ｐｄ層、Ｐｄ／Ｎｉ層、Ａｕ層等の
多層膜が示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のＮｉめっき層のうえにＰｄ層を設ける構成は、Ｐ
ｄ層の厚さを厚くすると層内部の応力によって膜剥がれ
が生じやすいという問題があった。このように被膜に剥
がれが生じやすい状態では、ワイヤボンディングを施し
た場合にワイヤがリードフレームから剥がれてしまう。
また、ＩＣチップ組立時にリードフレームを折り曲げる
加工する際に、被膜が剥がれ、半田付け等の実装ができ
なくなる。

【０００４】本発明は、Ｎｉ層の上にＰｄ層を重ねた被
膜を備えながら、膜剥がれの生じにくい物品を提供する
ことを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のよれば、下記のような物品が提供される。

【０００６】すなわち、基材と、前記基材上の少なくと
も一部に形成された被膜とを有する物品であって、前記
被膜は、Ｎｉを含む層と、該Ｎｉを含む層の上側に配置
された、Ｐｄを含む層とを有する複数層からなり、前記
Ｎｉを含む層と前記Ｐｄを含む層との間には、前記Ｎｉ
を含む層に接する位置に、ＮｉおよびＡｕを含む層が配
置され、前記Ｐｄを含む層に接する位置に、Ｐｄおよび
Ａｕを含む層が配置されている物品である。

【０００７】発明者らは、従来のＮｉめっき膜上のＰｄ
層が剥がれやすい原因が、ＮｉとＰｄとが相互に拡散し
にくいためであると考えた。このためＮｉ層とＰｄ層と
の間に両者の拡散層ができにくく、ＮｉとＰｄの金属間
の結合が弱くなる。本発明では、ＰｄともＮｉとも拡散
層を作りやすいＡｕを配置し、ＰｄとＡｕの拡散層、お
よび、ＮｉとＡｕの拡散層を形成させることにより密着
強度を増加させる。このようなＰｄおよびＮｉと拡散層
を形成する元素は、Ａｕ以外にも存在するが、Ａｕ以外
の金属は被膜表面に移動して腐食を発生するおそれがあ
る。そのため本発明では腐食が発生しないＡｕを用い
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について図
面を用いて説明する。

【０００９】まず、一実施の形態のリードフレームにつ
いて、図１を用いて説明する。

【００１０】図１のように、本実施の形態では、基材１
１として銅合金を用い、基材１１の表面に、半田付け時
に半田と溶融し、良好な接合を形成するＮｉ層１を配置
する。

【００１１】Ｎｉ層１４の上には、Ｎｉ層１４の酸化を
防ぐためにＰｄ層１８が配置される。Ｎｉ層１４とＰｄ
層１８との間には、両者の密着性を向上させるために、
層１５〜層１７が形成される。すなわち、Ｎｉ層１４の
上側には、Ｎｉ層１４と接するようにＮｉ−Ａｕ拡散層
１５が形成され、また、Ｐｄ層１８の下側には、Ｐｄ層
１８と接するようにＰｄ−Ａｕ拡散層１７が形成され
る。Ｎｉ−Ａｕ拡散層１５とＰｄ−Ａｕ拡散層１７との
間には、これら２層を形成するためのＡｕ層１６が配置
される。Ｐｄ層１８は、耐食性に優れているとともに、
半田には溶融し難く、ボンディングワイヤとの接合にも
優れているため、Ｎｉ層１４の酸化を防ぎ、半田付け時
やボンディング時に良好な接合性を提供することができ
る。

【００１２】また、Ｐｄ層１８の表面には、Ｐｄ−Ａｕ
拡散層１９を配置する。Ｐｄ−Ａｕ拡散層１９は、Ｐｄ
層１８の表面に酸化膜が形成されて半田濡れ性が低下す
るのを防止するために配置される。

【００１３】なお、本実施の形態のリードフレームの外
形は、図８のような形状とすることができる。すなわ
ち、アイランド部８１と、インナーリード部８２と、ア
ウターリード部８３と、タイバー部８４とを備えた形状
である。アウターリード部８３は、ＩＣチップ化された
時にモールドの外側に露出される部分である。また、イ
ンナーリード部８２は、モールドの内側に位置し、アイ
ランド部８１に搭載される半導体素子とのボンディング
が施される部分である。

【００１４】本実施の形態では、アウターリード部８３
には、図１の層１４〜層１９の被膜のすべてを形成す
る。また、インナーリード部８２のうちボンディングが
施される領域IIにも、層１４〜１９の被膜のすべてを形
成する。ただし、インナーリード部８２のうちのボンデ
ィングが施されない領域IIIには層１４の１層のみを形
成することが望ましい。また、アイランド部８１（図８
の領域IV）も、層１４の１層のみを形成することが望ま
しい。このように、図８の領域IIIおよびIVにおいて、
Ｎｉ層１４を露出するのは、半導体素子とアイランド部
８１との接着に用いられる樹脂や、モールドに用いられ
る樹脂との密着を良好にするためである。

【００１５】ここで、本発明の別の実施の形態のリード
フレームの被膜の構成について説明する。たとえば、図
２（ａ）のように、図１の構成のＡｕ層１６がない構成
や、図２（ｂ）のように層１５〜層１７の代わりに、Ｎ
ｉとＰｄとＡｕとが相互に拡散したＮｉ−Ｐｄ−Ａｕ拡
散層２２を備えた構成にすることができる。さらに、図
２（ｃ）のように、図１のＡｕ層１６の代わりにＮｉ−
Ｐｄ−Ａｕ拡散層２２を備えた構成にすることもでき
る。図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の構成の場合にも、Ｎ
ｉ層１４とＰｄ層１８との密着性を向上させることがで
きる。

【００１６】また、図１では、Ｐｄ層１９の最表面に、
ＰｄにＡｕが拡散したＰｄ−Ａｕ拡散層１９を配置して
いるが、必ずしも拡散層にする必要はなく、単にＡｕ層
を配置した構成にすることも可能である。

【００１７】本実施の形態のリードフレームの図１の被
膜を製造する工程について説明する。本実施の形態で
は、被膜の各層を電気めっきにより形成している。

【００１８】まず、図５（ａ）のように、複数のリード
フレーム基材１１が連なった短冊状の基材５０を複数本
めっき治具５１にセットする。これを、図５（ｂ）のよ
うに、めっき浴５２中の２つのアノード５３の間に配置
する。めっき治具５１を介して短冊状の基材５０を電源
の負極に接続し、電解洗浄やめっきをおこなう。このと
き、めっき浴５２内に、噴流形成装置５４により噴流を
形成する。また、めっき浴５２の加温が必要な工程で
は、不図示のヒータにより加熱する。めっき浴５２とし
ては、表１および表２に示した各工程のそれぞれの組成
のめっき浴を用意しておき、これらのめっき浴で表１お
よび表２に示した条件で順に、１、アルカリ電解洗浄工程、２、塩酸浸漬工程、３、ニッケルめっき工程４、金ストライク工程５、パラジウムめっき工程６、金ストライク工程を行うことにより、図１に示した層構成の被膜を基材１
１上に形成することができる。工程１、２は、基材１１
表面の洗浄工程である。工程３はＮｉ層１４を、工程４
はＡｕ層１６を、工程５はＰｄ層１８を形成する工程で
ある。工程６は、Ｐｄ−Ａｕ拡散層１９の形成のための
Ａｕ層を、Ｐｄ層１８の上に形成する工程である。

【００１９】これらのめっき工程が終了した後、被膜の
乾燥工程として、熱風乾燥を施す。このとき本実施の形
態では、熱風温度を１１０℃〜１５０℃にすることによ
り、乾燥と同時にめっき被膜に熱処理を加え、Ａｕ層１
６のＡｕをＮｉ層１４およびＰｄ層１８に拡散させて、
Ｎｉ−Ａｕ拡散層１５およびＰｄ−Ａｕ拡散層１７を形
成する。同時に、工程６で形成したＡｕ層をＰｄ層１８
に拡散させてＰｄ−Ａｕ拡散層１９を形成する。

【００２０】なお、熱風乾燥後にさらに、１００℃〜３
００℃程度の熱処理を所定の時間施すことにより、Ａｕ
を十分に拡散させて拡散Ｎｉ−Ａｕ拡散層１５、Ｐｄ−
Ａｕ拡散層１７およびＰｄ−Ａｕ拡散層１９を形成する
ことも可能である。熱処理時間は、例えば、１００℃の
場合には３分程度、３００℃の場合には１分程度にする
ことができる。熱処理温度を１５０℃以上にする場合に
は、被膜や基材の酸化を防ぐために還元雰囲気中で行う
ことが望ましい。熱処理を施す場合には、熱風乾燥の温
度を通常の温度に下げることも可能である。また、上述
の高温の熱風乾燥と熱処理の両方を行うことも可能であ
る。熱風乾燥および熱処理の温度と時間は、拡散層の厚
さが所望の厚さ得られる温度と時間を実験的に定めて、
それを用いる。

【００２１】

【表１】

【００２２】

【表２】

【００２３】ただし、上述の工程において、図８のよう
に層１５〜層１９は、アウターリード部８３、および、
インナリード部８２のボンディングを施す領域IIのみに
形成するため、工程４の前に、図８の領域IIIおよびIV
にマスクを形成する。

【００２４】また、図２（ａ）の実施の形態のリードフ
レームの被膜を形成する場合には、工程４のめっき時間
を短くしてめっきされるＡｕの量を少なくするか、また
は、めっき浴温度を高くして拡散を促進することによ
り、めっきされたすべてのＡｕを拡散させることで形成
できる。また、被膜の形成後に熱処理を施することによ
りＡｕの拡散させる方法でも形成することが可能であ
る。

【００２５】また、図２（ｂ）、（ｃ）のようにＰｄ層
１８とＮｉ層１４との間にＮｉ−Ｐｄ−Ａｕ拡散層を形
成する場合には、工程８の後に熱処理する工程を加え
て、ＰｄとＮｉとＡｕとを相互に拡散させることにより
形成できる。

【００２６】実際に、図１の形態の被膜を備えたリード
フレーム試料を上述の製造工程によって作成し、その耐
膜剥がれ性、および、半田濡れ性について調べた。その
結果を、図３，図４を用いて説明する。

【００２７】試料は、基材１１を、ＦｅとＰをそれぞれ
０．１％と０．０３％の割合で含む銅材で形成し、被膜
の各層は、上述のめっき工程により形成した。Ｎｉ層１
４、の厚さは、２．０μｍ、Ｐｄ−Ａｕ拡散層１９の厚
さは、０．００８μｍとした。Ａｕ層１６の厚さを０．
０１μｍ、０．０５μｍ、０．３μｍの各厚さ、Ｐｄ層
１８の厚さを０．０５μｍ、０．１５μｍ、０．５０μ
ｍ、１．０μｍの各厚さとした複数の試料を作成した。
このとき、Ｐｄ−Ａｕ拡散層１７、Ｎｉ−Ａｕ拡散層１
５の厚さは、０．００５μｍである。また、比較試料と
して、上述の製造工程において工程４の金めっきのみを
行わず、Ｐｄ−Ａｕ拡散層１７、Ａｕ層１６、Ｎｉ−Ａ
ｕ拡散層１５を備えない試料を作成した。

【００２８】各試料の耐膜剥がれ性を調べるために、次
のような折り曲げ試験を行った。

【００２９】まず試料を２枚の板状の治具の間に挟む。
このとき、試料の一部が、治具の間から突き出すように
する。そして、治具から突き出た部分の試料に力を加え
て、試料の主平面に対して９０度折り曲げる。折り曲げ
た部分を元の位置まで戻し、さらに反対側に９０度折り
曲げ、再び元の位置まで戻す。この折り曲げ試験後に、
折り曲げた部分に膜剥がれが生じるかどうかを調べた。

【００３０】その結果を図３に示す。ただし、図３にお
いて、Ａｕ層１６の膜厚を０のものは、比較試料であ
る。

【００３１】図３のように、比較試料で膜剥がれが生じ
ないのは、Ｐｄ層１８の厚さが０．０５μｍの比較試料
のみであり、Ｐｄ層１８の厚さが０．１５μｍ以上の３
つの比較試料は、いずれも膜剥がれが生じた。これに対
し、本実施の形態の試料では、Ｐｄ層１８の膜厚に関わ
らず、膜剥がれが生じた試料はなかった。このことか
ら、本実施の形態のように、Ｐｄ層１８とＮｉ層１４と
の間に、Ｐｄ−Ａｕ拡散層１７、Ａｕ層１６、Ｎｉ−Ａ
ｕ拡散層１５を備えることにより、膜剥がれを防止する
ことができることが明確にわかるまた、本実施の形態のリードフレームの半田濡れ性を評
価するために、上述の試料を加熱後、半田に浸漬する試
験を行った。その結果、いずれも試料も、半田濡れ性は
良好であった。これにより、本実施の形態のようにＰｄ
層１８とＮｉ層１４との間に配置された、Ｐｄ−Ａｕ拡
散層１７、Ａｕ層１６、Ｎｉ−Ａｕ拡散層１５の３層
は、半田濡れ性に影響を与えないことが確認できた。

【００３２】以上のように、本実施の形態の図１の構成
のリードフレームは、密着性がよく耐食性に優れ、しか
も、半田濡れ性も高いことがわかる。このため、本実施
の形態の被膜を備えたリードフレームは、ワイヤーボン
ディングの際に膜剥がれが生じにくいく、ワイヤーがリ
ードからはずれる不良を発生しにくい。また、ＩＣチッ
プ化したリードフレームのアウターリード部８３を足曲
げ加工する際にもめっき被膜が剥がれにくく、実装時の
半田接合を良好に行うことができる。

【００３３】ここで、本実施の形態のリードフレームの
各層の膜厚は、上述の試料の膜厚に限定されるものでは
なく、自由に設計することができる。たとえば、Ｎｉ層
１４を０．５〜２．０μｍ、Ｐｄ層１８を０．０５〜
１．０μｍ、Ｐｄ−Ａｕ拡散層１９を０．００５〜０．
０１５μｍの厚さにすることができる。また、図１、図
２（ａ）、（ｃ）において、Ｐｄ−Ａｕ拡散層１７およ
びＮｉ−Ａｕ拡散層１５は、厚さに関わらずこれらの層
が存在していればよい。また、図２（ｂ）の構成におい
て、ＮｉとＰｄとＡｕとが相互に拡散したＮｉ−Ｐｄ−
Ａｕ層も、厚さに関わらずこの層が存在していればよ
い。

【００３４】ここで、図１および図４の本実施の形態の
リードフレームに半導体素子を取り付け、半導体チップ
を製造する工程について簡単に説明する。まず、図４の
アイランド部８１に接着剤を用いて半導体素子を固定す
る。半導体素子の電極パッドと、リードフレームのイン
ナーリード部とをボンディングワイヤによりボンディン
グし接合する。半導体素子とインナーリード部８２を樹
脂により埋め込みモールドを形成する。そして、タイバ
ー部８４を切り取り、アウターリード部８３を用途に合
わせて足曲げ成形する。これにより半導体チップが完成
する。半導体チップをプリント基板等に実装する際に
は、アウターリード部の先端をプリント基板のホールに
さしこみ半田漕に浸漬し半田付けする。

【００３５】このような半導体チップの製造工程におい
て、本実施の形態のリードフレームは、インナーリード
部８２の領域IIおよびアウターリード部８３に図１のよ
うな被膜を備えているため、上述のように被膜剥がれが
生じにくく、半田付け時およびボンディング時の接合特
性が良好である。このため、組立時の作業性が高く、不
良品が生じにくいリードフレームを提供することができ
る。

【００３６】また、本発明においてリードフレームの被
膜を形成するためのめっき工程では、図５（ｂ）に示し
たような装置のほか、リードフレーム基材１１を連続さ
せたフープ材６３を用いる図６のようなめっき装置を用
いることができる。図６のようなフープ材６３を用いる
場合には、フープ材６３をローラー６１により送り出
し、めっき浴６２を通過させる。フープ材６３への給電
は、ローラー６１により行う構成とする。このとき、め
っき浴６２は、図７のように処理槽７１と管理槽７２と
に分けることができる。図７のようにすることで、管理
槽７２からポンプ７３でポンプアップしためっき浴を噴
流として処理槽７１に供給でき、処理槽７１からオーバ
ーフローしためっき浴を管理槽７２へ循環させるように
構成できる。

【００３７】上述の実施の形態のリードフレームでは、
基材上の被膜をめっきにより形成したが、めっき以外の
方法、たとえばスパッタリングや蒸着等の気相成長法に
より各層を形成することももちろん可能である。

【００３８】また、上述の実施の形態では、Ｎｉ−Ａｕ
拡散層１５やＰｄ−Ａｕ拡散層１７やＰｄ−Ａｕ拡散層
１９などを、めっき途中やめっき後の熱処理によりＡｕ
を拡散させることにより形成しているが、これらの拡散
層の代わりに、Ｎｉ−Ａｕ合金層やＰｄ−Ａｕ合金層や
Ｐｄ−Ａｕ合金層をめっきや熱処理により最初から形成
することもできる。これら合金層を形成した場合にも、
従来よりも被膜の密着性を向上させることができる。

【００３９】また、上述の実施の形態では、基材１１の
上に直接Ｎｉ層１４を形成したが、Ｎｉ層１４の下地層
をこれらの間に配置することも可能である。例えば、下
地層１４としては、Ｃｕ層を用いることができる。

【００４０】上述の実施の形態では、リードフレームに
ついて説明してきたが、本発明はリードフレームに限定
されるものではなく、鉄基材上に被膜を備える他の物品
に適用することも可能である。

【００４１】

【発明の効果】上述のように、本発明では、基材上に、
Ｎｉ膜とＰｄ膜とを備えた構成であって、膜の密着性の
高い物品を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態のリードフレームの構造
を示す断面図。

【図２】（ａ），（ｂ），（ｃ）本発明の一実施の形態
のリードフレームの構造を示す断面図。

【図３】図１の形態の試料の膜剥がれ試験を行った結果
を説明するための説明図。

【図４】本実施の形態のリードフレームの形状を示す説
明図。

【図５】本発明の一実施の形態のリードフレームを製造
するための（ａ）めっき用治具と（ｂ）めっき装置の全
体の構成を説明するための説明図。

【図６】本発明の一実施の形態のリードフレームを製造
するためのめっき装置の構成を示す説明図。

【図７】図６のめっき装置をさらに説明するための説明
図。

【符号の説明】

１１・・・基材、１４・・・Ｎｉ層、１５・・・Ｎｉ−
Ａｕ拡散層、１６・・・Ａｕ層、１７・・・Ｐｄ−Ａｕ
拡散層、１８・・・Ｐｄ層、１９・・・Ｐｄ−Ａｕ拡散
層、２０・・・Ｚｎ層、２２・・・Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ拡
散層、５１・・・めっき用治具、５２・・・めっき浴、
５３・・・アノード。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材と、前記基材上の少なくとも一部に形
成された被膜とを有する物品であって、前記被膜は、Ｎｉを含む層と、該Ｎｉを含む層の上側に
配置された、Ｐｄを含む層とを有する複数層からなり、前記Ｎｉを含む層と前記Ｐｄを含む層との間には、前記
Ｎｉを含む層に接する位置に、ＮｉおよびＡｕを含む層
が配置され、前記Ｐｄを含む層に接する位置に、Ｐｄお
よびＡｕを含む層が配置されていることを特徴とする物
品。
【請求項２】請求項１において、前記ＮｉおよびＡｕを
含む層と、前記ＰｄおよびＡｕを含む層との間には、Ａ
ｕを含む層が配置されていることを特徴とする物品。
【請求項３】請求項２において、前記ＮｉおよびＡｕを
含む層は、前記Ｎｉを含む層にＡｕを拡散させることに
より形成された層であることを特徴とする物品。
【請求項４】請求項２において、前記ＰｄおよびＡｕを
含む層は、前記Ｐｄを含む層にＡｕを拡散させることに
より形成された層であることを特徴とする物品。
【請求項５】基材と、前記基材上の少なくとも一部に形
成された被膜とを有する物品であって、前記被膜は、Ｎｉを含む層と、該Ｎｉを含む層の上側に
配置された、Ｐｄを含む層とを有する複数層からなり、前記Ｎｉを含む層と前記Ｐｄを含む層との間には、Ｎ
ｉ、Ａｕ、および、Ｐｄを含む層が配置されていること
を特徴とする物品。
【請求項６】請求項１または５において、前記Ｐｄを含
む層の上には、前記ＰｄとＡｕとを含む層が配置されて
いることを特徴とする物品。
【請求項７】請求項６において、前記ＰｄとＡｕとを含
む層は、前記Ｐｄを含む層に、Ａｕを拡散させることに
より形成された層であることを特徴とする物品。
【請求項８】基材と、前記基材上の少なくとも一部に形
成された被膜とを有するリードフレームであって、前記被膜は、Ｎｉを含む層と、該Ｎｉを含む層の上側に
配置されたＰｄを含む層とを有する複数層からなり、前記Ｎｉを含む層と前記Ｐｄを含む層との間には、前記
Ｎｉを含む層に接する位置に、ＮｉおよびＡｕを含む層
が配置され、前記Ｐｄを含む層に接する位置に、Ｐｄお
よびＡｕを含む層が配置されていることを特徴とするリ
ードフレーム。
【請求項９】基材と、前記基材上の少なくとも一部に形
成された被膜とを有するリードフレームであって、前記被膜は、Ｎｉを含む層と、該Ｎｉを含む層の上側に
配置されたＰｄを含む層とを有する複数層からなり、前記Ｎｉを含む層と前記Ｐｄを含む層との間には、Ｎ
ｉ、Ａｕ、および、Ｐｄを含む層が配置されていること
を特徴とするリードフレーム。
【請求項１０】基材上に、複数層からなる被膜を備えた
物品の製造方法であって、基材上に、Ｎｉを含む層をめっきにより形成する工程
と、前記Ｎｉを含む層の上にＡｕを含む層をめっきにより形
成し、前記ＮｉとＡｕとを相互に拡散させ、前記Ｎｉを
含む層と前記Ａｕを含む層との間に、ＮｉとＡｕとを含
む層を形成する工程と、前記Ａｕを含む層の上に、Ｐｄを含む層をめっきにより
形成し、前記ＡｕとＰｄとを相互に拡散させ、前記Ａｕ
を含む層と前記Ｐｄを含む層との間に、ＡｕとＰｄとを
含む層を形成する工程とを有することを特徴とする物品
の製造方法。