JPH09293679A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. ソース及びドレイン領域、チャネル形成領域、前記ソース及びドレイン領域と前記チャネル形成領域との間にある低濃度不純物領域を有する半導体装置の作製方法において、
   絶縁基板上に非晶質珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜にレーザー光を照射して結晶性珪素膜を形成し、
   質量分離がなされた不純物イオンを前記結晶性珪素膜に注入し、
   前記不純物イオンが注入された前記結晶性珪素膜を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. ソース及びドレイン領域、チャネル形成領域、前記ソース及びドレイン領域と前記チャネル形成領域との間にある低濃度不純物領域を有する半導体装置の作製方法において、
   絶縁基板上に非晶質珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜を加熱処理して結晶性珪素膜を形成し、
   前記結晶性珪素膜にレーザー光を照射し、
   質量分離がなされた不純物イオンを前記結晶性珪素膜に注入し、
   前記不純物イオンが注入された前記結晶性珪素膜を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. ソース及びドレイン領域、チャネル形成領域、前記ソース及びドレイン領域と前記チャネル形成領域との間にある低濃度不純物領域を有する半導体装置の作製方法において、
   絶縁基板上に非晶質珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜にレーザー光を照射して結晶性珪素膜を形成し、
   前記結晶性珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
   前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
   質量分離がなされた不純物イオンを前記結晶性珪素膜に注入して前記低濃度不純物領域を形成し、
   前記低濃度不純物領域を活性化するとともに結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. ソース及びドレイン領域、チャネル形成領域、前記ソース及びドレイン領域と前記チャネル形成領域との間にある低濃度不純物領域を有する半導体装置の作製方法において、
   絶縁基板上に非晶質珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜を加熱処理して結晶性珪素膜を形成し、
   前記結晶性珪素膜にレーザー光を照射し、
   前記結晶性珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
   前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
   質量分離がなされた不純物イオンを前記結晶性珪素膜に注入して前記低濃度不純物領域を形成し、
   前記低濃度不純物領域を活性化するとともに結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. ソース及びドレイン領域、チャネル形成領域、前記ソース及びドレイン領域と前記チャネル形成領域との間にある低濃度不純物領域を有する半導体装置の作製方法において、
   絶縁基板上に非晶質珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜上に珪素の結晶化を助長する金属元素を含む膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜を加熱処理して結晶性珪素膜を形成し、
   前記結晶性珪素膜にレーザー光を照射し、
   前記結晶性珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
   前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
   質量分離がなされた不純物イオンを前記結晶性珪素膜に注入して前記低濃度不純物領域を形成し、
   前記低濃度不純物領域を活性化するとともに結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項５において、前記金属元素はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、またはＡｕであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記レーザー光は線状のレーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。