JPH09294002A - 誘電体フィルタ - Google Patents

誘電体フィルタ

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JPH09294002A
JPH09294002A JP10586996A JP10586996A JPH09294002A JP H09294002 A JPH09294002 A JP H09294002A JP 10586996 A JP10586996 A JP 10586996A JP 10586996 A JP10586996 A JP 10586996A JP H09294002 A JPH09294002 A JP H09294002A
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conductor
base substrate
dielectric
island
dielectric resonator
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JP10586996A
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Yoshifumi Yamagata
佳史 山形
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Original Assignee
Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の誘電体フィルタでは、ベース基板と誘
電体共振器の島状導体・外導体の接続の確認が困難であ
り、半田付けの信頼性も低い。また、低損失化を図る目
的で同軸誘電体共振器の断面形状を大きくすると誘電体
フィルタが大型化してしまう。 【解決手段】 所定の導体パターン3が形成されたベー
ス基板2に、誘電体基体6の側面に外導体9と絶縁され
た島状導体10を備えた複数個の同軸誘電体共振器4を、
島状導体10をベース基板2に対してほぼ垂直に、かつ隣
接する同軸誘電体共振器4をずらせて配置することによ
り露出した側面に形成して、それら島状導体10と複数個
のリアクタンス素子11とを導体パターン3により接続す
るようにした誘電体フィルタ1である。さらに同軸誘電
体共振器4をベース基板2に設けた開口部5に嵌入する
ことにより、低損失化と低背化・小型化を両立できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は携帯電話を始めとす
る移動体通信機器等に使用される同軸誘電体共振器を用
いた誘電体フィルタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】同軸誘電体共振器を用いた誘電体フィル
タは携帯電話や携帯無線機・自動車電話を始めとする移
動体通信機器等に使用されており、それら機器の小型化
に伴って誘電体フィルタに対しても小型化することが要
求されている。
【0003】上記誘電体フィルタは、通常は1/4波長
型あるいは1/2波長型の同軸誘電体共振器が複数個基
板上に配置され、導体パターンやコンデンサ・インダク
タンス等により接続されて構成されている。例えば、特
開平5−167308号公報には、共振穴を有する誘電体ブロ
ックと、その共振穴の内面ならびに誘電体ブロックの所
定部位に形成したアースパターンを構成する導体膜とを
備えた誘電体共振器を複数個併設するとともに、その複
数の誘電体共振器間をLC結合することにより構成され
る誘電体フィルタにおいて、各誘電体共振器の側面のう
ち、隣接する他の誘電体共振器と対向しない側面に、島
状導体により内面の導体膜との間に容量を構成する容量
パターンを形成するとともに、その容量パターン間をイ
ンダクタンスで結合するようにした誘電体フィルタが提
案されている。
【0004】また同公報には、面実装用のベースプレー
ト上の所定位置にアースパターンならびに端子パターン
を形成し、上記容量パターン付きの誘電体共振器に設け
られた導体膜ならびに容量パターンを、それぞれベース
プレート上に設けたアースパターンならびに端子パター
ンに面接触させるようにして複数の誘電体共振器をベー
スプレート上に併設させ、かつ、その端子パターン間を
インダクタンスで接続した誘電体フィルタが開示されて
いる。この誘電体フィルタによれば、島状導体と内面の
導体膜との間の容量を直列共振容量として共振ユニット
間をLCのπ型移相回路で結合しており、バンドエリミ
ネーションフィルタを構成している。
【0005】この誘電体フィルタにおいては、誘電体共
振器はその島状導体が半田ペーストを塗布したベースプ
レートと当接する向きに載置され、その後リフロー半田
付けを行なうことにより搭載されている。
【0006】そして、かかる誘電体フィルタによれば、
従来必須であった外付けの接地容量の部品等が不要とな
り、容量パターンの形状・寸法を調整するだけで容量が
変更されて所望のフィルタ特性となるので小型化を図る
ことができ、しかも構造が簡単で組立(実装)作業も簡
易化されてコスト安となるというものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成の誘電体フィルタでは、誘電体共振器の側面
に形成された島状導体をベースプレートと対向させて当
接させているため、島状導体とベースプレートとの半田
付けが確実に行なわれているかどうかの確認が困難であ
るとともに、その半田付けの信頼性が低いという問題点
があった。
【0008】また、ベースプレート上に誘電体共振器を
載置する構成のため、フィルタの低損失化を図る目的で
誘電体共振器の断面形状を大きくすると誘電体フィルタ
がそれだけ大型化してしまうという問題点もあった。
【0009】本発明は上記問題点を解決すべく本発明者
が鋭意研究に努めた結果完成されたものであり、その目
的は、同軸誘電体共振器を用いた誘電体フィルタとし
て、ベース基板上の配線パターンへの同軸誘電体共振器
の半田等による接続を確実に、かつ容易に確認できるよ
うに行なえるものとした、信頼性の高い誘電体フィルタ
を提供することにある。
【0010】また、本発明の目的は、フィルタの低損失
化を図る目的で誘電体共振器の断面形状を大きくした場
合であっても低背化・小型化が可能な誘電体フィルタを
提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
誘電体フィルタは、表面もしくは内層に所定の導体パタ
ーンが形成されたベース基板に、誘電体基体の対向する
2つの側面を貫通する貫通孔に内導体を、前記貫通孔に
平行な側面に外導体およびその外導体と絶縁された島状
導体を備えた複数個の同軸誘電体共振器と、複数個のリ
アクタンス素子とを搭載するとともに、各々を前記導体
パターンで接続して成る誘電体フィルタにおいて、前記
島状導体がベース基板に対してほぼ垂直で、かつ、隣接
する同軸誘電体共振器のそれぞれ外側の側面または隣接
する同軸誘電体共振器を前記貫通孔方向にずらせて配置
することにより露出した側面に形成したことを特徴とす
るものである。
【0012】また、本発明の請求項2に係る誘電体フィ
ルタは、上記の構成において、前記同軸誘電体共振器
を、前記ベース基板に設けた開口部に、前記島状導体の
少なくとも一部がベース基板上面に露出するように嵌入
したことを特徴とするものである。
【0013】本発明の誘電体フィルタによれば、同軸誘
電体共振器の側面に島状導体を設け、その島状導体をベ
ース基板に対してほぼ垂直に配して形成し、その少なく
とも一部をベース基板上に露出させて導体パターンと接
続するようにしたことから、ベース基板上に搭載した同
軸誘電体共振器の島状導体とベース基板の導体パターン
との半田付け等による接続を確実に行なうことができる
とともにその確認も容易に行なうことができるものとな
り、信頼性の高い誘電体フィルタとなる。
【0014】また、本発明の誘電体フィルタによれば、
ベース基板上で隣接する同軸誘電体共振器をその貫通孔
方向にずらせて側面の島状導体を露出させるようにした
ことにより、それら島状導体を誘電体基体の側面の端部
に設けておけば複数個の同軸誘電体共振器を導体パター
ンに確実に接続させつつ最小の搭載面積で近接させて搭
載できるものとなり、信頼性が高く、かつ小型化を図る
ことができるものとなる。
【0015】さらに、本発明の請求項2に係る誘電体フ
ィルタによれば、ベース基板に設けた開口部に、同軸誘
電体共振器を、島状導体の少なくとも一部がベース基板
上面に露出するように嵌入したことにより、フィルタの
低損失化を図る目的で誘電体共振器の断面形状を大きく
した場合であっても従来よりも低背化・小型化が可能な
誘電体フィルタとなる。
【0016】さらにまた、同軸誘電体共振器をベース基
板に嵌入しているため、従来であれば同軸誘電体共振器
の断面を小さくすることにより生じていたフィルタの挿
入損失(フィルタへの入力信号とフィルタを通過した出
力信号とのレベル差)を劣化させることなく、ベース基
板に嵌入させた分だけ誘電体フィルタの低背化を実現で
きるものとなる。
【0017】以上により、本発明によれば、同軸誘電体
共振器を用いた誘電体フィルタにおいて、共振器と導体
パターンとの接続を確実かつ確認が容易なものとして信
頼性を高めることができるとともに、低背化・小型化が
可能な誘電体フィルタを提供することができた。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明を詳
細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲での種々の
変更や改良は何ら差し支えない。
【0019】図1は本発明の誘電体フィルタの一実施形
態を示す外観斜視図である。同図の誘電体フィルタ1に
おいて、2は誘電体等から成るベース基板であり、その
表面または内層には配線パターンとして所定の導体パタ
ーン3が形成されている。この導体パターン3は所望の
部位においてベース基板2の側面にも延設されて、外部
回路基板への実装時の実装用端子電極としても利用され
る。4は同軸誘電体共振器であり、同図中に点線で示す
ように、本形態ではその一部をベース基板2に設けた開
口部5に嵌入しているが、後述するように、開口部5を
設けずに同軸誘電体共振器4をベース基板2上に載置し
たもの、あるいはベース基板2を貫通した開口部を設け
て同軸誘電体共振器4を貫通させたものとしてもよい。
【0020】図2にもこの同軸誘電体共振器4の外観斜
視図を示している。図1および図2に示すように、本発
明の同軸誘電体共振器4においては、チタン酸バリウム
等から成る誘電体基体6に、その対向する2つの側面を
貫通する貫通孔7が形成され、その貫通孔7の内面に内
導体8を、貫通孔7に平行な側面に外導体9および外導
体9と絶縁された島状導体10を備えており、この島状導
体10と内導体8との間で所定の容量を持つように構成さ
れている。また、貫通孔7の対向する側面(図示されて
いない側)には、この同軸誘電体共振器4が1/4波長
型の場合は内導体8と外導体9とを接続する短絡導体が
形成されており、1/2波長型の場合はそのような導体
が形成されずに誘電体基体6が露出している。
【0021】このような同軸誘電体共振器4を複数個、
隣接するもの同士の外導体9を接触させて接続するとと
もに、本形態においては隣接する同軸誘電体共振器4同
士を貫通孔7方向にずらせて配置することによりそれぞ
れの島状導体10を露出させ、それぞれに対応する導体パ
ターン3に接続している。
【0022】そして、11はリアクタンス素子としてのコ
イル(インダクタンス)であり、同軸誘電体共振器4を
ずらせた部分が無駄にならないように配置され、同軸誘
電体共振器4とともに導体パターン3に接続されて、L
・Cのπ型移相回路等の結合により所望の特性の誘電体
フィルタ1が構成されている。
【0023】なお、本形態においては同軸誘電体共振器
4を3個配設した例を示したが、誘電体フィルタ1の仕
様に応じて2個としても、4個以上としてもよいことは
いうまでもない。また、必要に応じて箱状のケースで覆
うことにより、外部からの電磁ノイズの侵入や他の回路
への電波漏れを抑制するようにしてもよい。
【0024】ベース基板2は、例えばチタン酸バリウム
等の誘電体、あるいはガラスエポキシ等から成る。その
寸法は所望の誘電体フィルタの仕様に応じて設定される
が、厚みとしては約 0.5〜1.0 mm程度が主流である。
【0025】導体パターン3は銅(Cu)または銀(A
g)等から成る導体膜を、メッシュパターンを用いた厚
膜印刷やフォトエッチング等により所定のパターン形状
となるように形成されている。また、この導体パターン
3をベース基板2に内層する場合には、同じくメッシュ
パターンを用いた厚膜印刷やフォトエッチング等によ
り、同じく所定のパターン形状となるように形成すれば
よい。
【0026】同軸誘電体共振器4に使用される誘電体基
体6の材料および寸法は所望のフィルタ特性に応じて適
宜選択すればよいが、例えば 900MHz帯用のとき、狭
帯域で減衰極の近いフィルタに対しては、高周波特性が
良く誘電率が90〜100 程度のチタン酸バリウム系等の材
料を用い、角柱状であれば長さ8〜9mm×2〜3mm
□程度の寸法として、直径 0.5〜1.0 mm程度の貫通孔
7を形成すればよい。
【0027】なお、誘電体基体6の形状は図1および図
2に示した角柱状だけでなく、円柱状であってもよい。
【0028】内導体8は貫通孔7の内面全体にわたって
形成され、銅や銀等から成る導体膜をメッキ法や厚膜焼
付法等の方法により5〜数10μm程度の厚みで形成すれ
ばよい。
【0029】また、外導体9は誘電体基体6の貫通孔7
に平行な側面に、内導体8と同様の材料や形成方法・厚
み等により、基本的には貫通孔7に平行な側面の4面と
もに形成される。
【0030】1/4波長型共振器となるように短絡導体
を形成する場合、その短絡導体も材料・形成方法・厚み
等は内導体8・外導体9と同様に形成される。
【0031】島状導体10は、誘電体基体6の貫通孔7に
平行な側面の1つに、ベース基板2に搭載したときにベ
ース基板2に対してほぼ垂直に配されるように、外導体
9と絶縁されて形成される。その位置や形状・寸法・厚
み等は、フィルタの最適な特性を得るための容量になる
ように決定される。またその形成方法は、まず誘電体基
体6の側面に、外導体9および島状導体10を形成しない
部分にレジスト樹脂を印刷して乾燥させた上、全体をメ
ッキした後、レジスト部をレジスト剥離液に浸けて取り
去るとよい。または、メッキをする代わりに厚膜ペース
トを塗布し、焼成(このときレジスト部は焼失する)し
てもよい。あるいは、別の方法として、全体にメッキも
しくは厚膜ペーストで導体膜を付けた後、導体がそのま
ま必要とされる部分にレジストを塗布し、エッチングに
より不要部分の導体を除去するようにしてもよい。な
お、島状導体10の形成位置は、後述するように同軸誘電
体共振器4をベース基板2に搭載する仕様に応じて適宜
設定すればよい。
【0032】コイル(インダクタンス)11は、図示した
ような通常のコイルの他にも、空芯コイルやチップイン
ダクタであってもよい。また、リアクタンス素子として
はコンデンサやストリップラインを用いることもでき
る。
【0033】ベース基板2に設ける開口部5の大きさや
深さは同軸誘電体共振器4の搭載形態に応じて適宜設定
すればよく、図示したように同軸誘電体共振器4がちょ
うど嵌まり込む大きさの他にも、同軸誘電体共振器4の
周囲にいくらか間隙を設けるような大きさとしてもよ
い。また、開口部5の周囲を段差状としてその段差部を
同軸誘電体共振器4の島状導体10が形成された側面に当
接させ、一方、ベース基板2に内層した導体パターン3
をその段差面に露出させて接続するようにしてもよい。
なお,この開口部5は、同軸誘電体共振器4をベース基
板2上面に載置する場合には特に設ける必要はない。
【0034】また、開口部5を設けず、導体パターン3
がベース基板2に内層されている場合、導体パターン3
とベース基板2上面に載置された同軸誘電体共振器4な
らびにコイル11との接続は、導体パターン3からベース
基板2の上面にかけて形成したビアホールなどの接続導
体を介して行なえばよい。
【0035】次に、ベース基板への同軸誘電体共振器の
搭載形態について図3〜7により説明する。
【0036】図3(a)はベース基板への同軸誘電体共
振器の搭載形態の一例を示す断面図であり、図3(b)
はその同軸誘電体共振器の側面図である。
【0037】図3(a)において、12はベース基板、13
はベース基板12の表面に形成された導体パターン、14は
同軸誘電体共振器である。同軸誘電体共振器14は角柱状
の誘電体基体15に形成された貫通孔16の内面に内導体17
が、貫通孔16に平行な側面に外導体18が形成され、ベー
ス基板12に垂直な側面の端部には、ベース基板12に接す
る側の角部に島状導体19が形成されている。そして、21
は半田であり、この半田21により導体パターン13と島状
導体19あるいは外導体18とが電気的に接続される。な
お、半田21は導電性接着剤等であってもよく、以下の例
も同様である。
【0038】図3に示した形態であれば、ベース基板12
に開口部などの形成を行なう必要がなく、しかも導体パ
ターン13と島状導体19あるいは外導体18との半田21によ
る接続が確実に行なえ、かつ容易に確認できるものとな
る。
【0039】図4(a)はベース基板への同軸誘電体共
振器の搭載形態の他の例を示す断面図であり、図4
(b)はその同軸誘電体共振器の側面図である。
【0040】図4(a)において、22はベース基板、23
はベース基板22の表面に形成された導体パターン、24は
同軸誘電体共振器である。そして本例においては、同軸
誘電体共振器24をベース基板22にその厚みの途中まで形
成された開口部25に嵌入している。同軸誘電体共振器24
は角柱状の誘電体基体26に形成された貫通孔27の内面に
内導体28が、貫通孔27に平行な側面に外導体29が形成さ
れ、ベース基板22に垂直な側面の端部の角部には、ベー
ス基板22の開口部25からその一部が露出するように島状
導体30が形成されている。31は導体パターン23と島状導
体30あるいは外導体29とを電気的に接続するための半田
である。
【0041】図4に示した形態であれば、ベース基板22
に開口部25を形成したことにより低背となり、しかも導
体パターン23と島状導体30あるいは外導体29との半田31
による接続が確実に行なえ、かつ容易に確認できるもの
となる。また、同軸誘電体共振器24の位置決めを、開口
部25に嵌入することにより簡単に行なうことができる。
【0042】図5(a)はベース基板への同軸誘電体共
振器の搭載形態の他の例を示す断面図であり、図5
(b)はその同軸誘電体共振器の側面図である。
【0043】図5(a)において、32はベース基板、33
はベース基板32の表面に形成された導体パターン、34は
同軸誘電体共振器である。そして本例においては、同軸
誘電体共振器34を、ベース基板32を貫通するように形成
された開口部35に嵌入している。同軸誘電体共振器34は
角柱状の誘電体基体36に形成された貫通孔37の内面に内
導体38が、貫通孔37に平行な側面に外導体39が形成さ
れ、ベース基板32に垂直な側面の端部の角部には、ベー
ス基板32の開口部35からその一部が露出するように島状
導体40が形成されている。この場合、同軸誘電体共振器
34の構成は同軸誘電体共振器24と同様とし、ベース基板
32の厚みを誘電体基体36の高さよりも小さくすればよ
い。また、同軸誘電体共振器34を、ベース基板32を貫通
するように嵌入してもよい。41は導体パターン33と島状
導体40あるいは外導体39とを電気的に接続するための半
田である。
【0044】図5に示した形態であれば、ベース基板32
にそのベース基体32を貫通する開口部35を形成したこと
により図4の例よりもさらに低背となり、しかも導体パ
ターン33と島状導体40あるいは外導体39との半田41によ
る接続が確実に行なえ、かつ容易に確認できるものとな
る。また、同軸誘電体共振器34の位置決めを、開口部35
に嵌入することにより簡単に行なうことができる。
【0045】図6(a)はベース基板への同軸誘電体共
振器の搭載形態の他の例を示す断面図であり、図6
(b)はその同軸誘電体共振器の側面図である。
【0046】図6(a)において、42はベース基板、43
はベース基板42の表面に形成された導体パターン、44は
同軸誘電体共振器である。そして本例においては、同軸
誘電体共振器44をベース基板42にその厚みの途中まで形
成された開口部45に嵌入している。同軸誘電体共振器44
は角柱状の誘電体基体46に形成された貫通孔47の内面に
内導体48が、貫通孔47に平行な側面に外導体49が形成さ
れ、ベース基板42に垂直な側面の端部の中央部には、ベ
ース基板42の開口部45からその一部が露出するように島
状導体50が形成されている。51は導体パターン43と島状
導体50あるいは外導体49とを電気的に接続するための半
田である。
【0047】図6に示した形態であれば、ベース基板42
に開口部25を形成したことにより低背となり、しかも導
体パターン43と島状導体50あるいは外導体49との半田51
による接続が確実に行なえ、かつ容易に確認できるもの
となる。また、同軸誘電体共振器44の位置決めを、開口
部45に嵌入することにより簡単に行なうことができる。
【0048】図7(a)はベース基板への同軸誘電体共
振器の搭載形態の他の例を示す断面図であり、図7
(b)はその同軸誘電体共振器の側面図である。
【0049】図7(a)において、52はベース基板、53
はベース基板52の表面に形成された導体パターン、54は
同軸誘電体共振器である。そして本例においては、同軸
誘電体共振器54をベース基板52にその厚みの途中まで形
成された断面が円弧状の開口部55に嵌入している。同軸
誘電体共振器54は円柱状の誘電体基体56に形成された貫
通孔57の内面に内導体58が、貫通孔57に平行な側面に外
導体59が形成され、ベース基板52にほぼ垂直な側面の端
部の中央部には、ベース基板52の開口部55からその一部
が露出するように島状導体60が形成されている。61は導
体パターン53と島状導体60あるいは外導体59とを電気的
に接続するための半田である。
【0050】図7に示した形態であれば、ベース基板52
に開口部25を形成したことにより低背となり、しかも導
体パターン53と島状導体60あるいは外導体59との半田61
による接続が確実に行なえ、かつ容易に確認できるもの
となる。また、同軸誘電体共振器54の位置決めを、開口
部55に嵌入することにより簡単に行なうことができる。
さらに、同軸誘電体共振器54を作製するにあたって、誘
電体基体56を方向性がない状態で加工し作製することが
できる。
【0051】以上の同軸誘電体共振器の構成において
は、島状導体を誘電体基体の端部に形成した例を示した
が、島状導体は誘電体フィルタの仕様に応じて誘電体基
体の中央部など所望の部位に形成すればよい。
【0052】また、貫通孔は円形として図示したが、四
角形もしくは楕円形等の形状としても構わない。
【0053】次いで、本発明の誘電体フィルタの他の実
施形態を図8に外観斜視図で示す。
【0054】また、この誘電体フィルタの等価回路図を
図9に示す。
【0055】図8および図9に示す誘電体フィルタ62に
おいて、63はベース基板、64〜69は同軸誘電体共振器で
あり、それぞれベース基板63に形成された開口部70・71
に嵌入してある。同軸誘電体共振器64〜69はそれぞれ誘
電体基体72の対向する2つの側面を貫通する貫通孔73に
内導体74が、貫通孔73に平行な側面に外導体75が形成さ
れている。さらに同軸誘電体共振器64〜67・69は貫通孔
73に平行な側面に外導体75と絶縁された島状導体76を備
えており、それぞれ内導体74との間で容量(コンデンサ
成分)C64〜C67・C69を持つ様になっている。これに
より従来は外付けのコンデンサとして必要であったこれ
らコンデンサ成分C64〜C67・C69が各同軸誘電体共振
器64〜67・69の内部に構成されている。
【0056】開口部70に嵌入した同軸誘電体共振器64〜
66は、隣接するそれぞれが外導体75により接続され、ベ
ース基板63上に配設された導体パターン77により島状導
体76とインダクタンス成分L1 〜L3 を有する空芯コイ
ル78とにより結合された構成となっており、送信フィル
タを構成している。この空芯コイル78は、位置決めが容
易なようにベース基板63に設けられた穴部79にはめ込ま
れている。
【0057】一方、開口部71に嵌入した同軸誘電体共振
器67〜69は、隣接するそれぞれが外導体75により接続さ
れるとともに同軸誘電体共振器67〜69の側面に設けられ
た電極のないスリット80により結合しており、同軸誘電
体共振器67・69は、島状導体76と内導体74との間の容量
を整合容量C67・C69として利用している。なお、同軸
誘電体共振器68は同軸誘電体共振器67・69に接する両側
面にスリット80を有しており、島状導体76は備えていな
い。
【0058】また、等価回路図に示す容量C1 〜C5
は、ベース基板63の内部に形成したで電極を用いて構成
している。
【0059】そして、導体パターン77をベース基板63の
側面に設けた凹部に延設して形成した81はアンテナ端子
Ant に、82は送信端子Tx に、83は受信端子Rx にそれ
ぞれ相当し、その他の凹部はグランド端子Gに相当する
ものである。
【0060】なお、本形態においても前述のように箱状
のケースによりベース基板63を覆ってもよい。
【0061】図8より分かるように、同軸誘電体共振器
64〜67・69とベース基板63上の導体パターン77との接続
は、各同軸誘電体共振器64〜67・69の島状導体76をベー
ス基板63にほぼ垂直に位置し、かつその一部がベース基
板63の上面に露出するように配して、それぞれ導体パタ
ーン77と半田等により接続することにより行なう。ここ
で、同軸誘電体共振器66は同軸誘電体共振器65に対し
て、同軸誘電体共振器65の島状導体76と導体パターン77
とを接続するために、貫通穴73に平行な方向にずらして
配置されている。
【0062】このような構成の本発明の誘電体フィルタ
62によれば、各島状導体76と導体パターン77との接続を
確実に、かつ容易に確認できるものとして高信頼性の誘
電体フィルタ62を得ることができるとともに、誘電体フ
ィルタ62の高さを高くすることなく各同軸誘電体共振器
64〜69の断面形状を大きくすることができるものとな
り、それにより、低損失化と低背化・小型化を両立させ
た誘電体フィルタ62を得ることができるものとなる。
【0063】さらに、本形態に対しても、各同軸誘電体
共振器64〜69をベース基板63上に載置した構成として
も、ベース基板63を貫通した構成としてもよく、各同軸
誘電体共振器64〜67・69の島状導体76を側面の中央部に
形成したり、誘電体基体72を円柱状等にしてもよく、そ
れらによっても本発明の有利な効果が得られる。
【0064】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、同軸誘電
体共振器を用いた誘電体フィルタとして、同軸誘電体共
振器の側面に島状導体を設け、その島状導体をベース基
板に対してほぼ垂直に配して、その少なくとも一部をベ
ース基板上に露出させた導体パターンと接続するように
したことから、ベース基板上に搭載した同軸誘電体共振
器の島状導体とベース基板の導体パターンとの半田付け
等による接続を確実に行なうことができるとともにその
確認も容易に行なうことができる、信頼性の高い誘電体
フィルタを提供することができた。
【0065】また、本発明によれば、ベース基板上で隣
接する同軸誘電体共振器をその貫通孔方向にずらせて側
面の島状導体を露出させるようにしたことにより、それ
ら島状導体を誘電体基体の側面の端部に設けておけば複
数個の同軸誘電体共振器を導体パターンに確実に接続さ
せつつ最小の搭載面積で近接させて搭載できるものとな
り、信頼性が高く、かつ小型化を図ることができる誘電
体フィルタを提供することができた。
【0066】さらに、本発明の請求項2に係る誘電体フ
ィルタによれば、ベース基板に設けた開口部に、同軸誘
電体共振器を、島状導体の少なくとも一部がベース基板
上面に露出するように嵌入したことにより、フィルタの
低損失化を図る目的で誘電体共振器の断面形状を大きく
した場合であっても従来よりも低背化・小型化が可能な
誘電体フィルタを提供することができた。
【0067】となる。
【0068】従って、本発明によれば、フィルタの低損
失化を図る目的で同軸誘電体共振器の断面形状を大きく
した場合であっても、低背化・小型化が可能な誘電体フ
ィルタを提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の誘電体フィルタの一実施形態を示す外
観斜視図である。
【図2】本発明に係る同軸誘電体共振器の外観斜視図で
ある。
【図3】(a)は本発明の誘電体フィルタにおけるベー
ス基板への同軸誘電体共振器の搭載形態の一例を示す断
面図であり、(b)はその同軸誘電体共振器の側面図で
ある。
【図4】(a)は本発明の誘電体フィルタにおけるベー
ス基板への同軸誘電体共振器の搭載形態の他の例を示す
断面図であり、(b)はその同軸誘電体共振器の側面図
である。
【図5】(a)は本発明の誘電体フィルタにおけるベー
ス基板への同軸誘電体共振器の搭載形態の他の例を示す
断面図であり、(b)はその同軸誘電体共振器の側面図
である。
【図6】(a)は本発明の誘電体フィルタにおけるベー
ス基板への同軸誘電体共振器の搭載形態の他の例を示す
断面図であり、(b)はその同軸誘電体共振器の側面図
である。
【図7】(a)は本発明の誘電体フィルタにおけるベー
ス基板への同軸誘電体共振器の搭載形態の他の例を示す
断面図であり、(b)はその同軸誘電体共振器の側面図
である。
【図8】本発明の誘電体フィルタの他の実施形態を示す
外観斜視図である。
【図9】図8の誘電体フィルタの等価回路図である。
【符号の説明】
1、62・・・・・・・・・・・・・・・誘電体フィルタ 2、12、22、32、42、52、63・・・・・ベース基板 3、13、23、33、43、53、77・・・・・導体パターン 4、14、24、34、44、54、64〜69・・・同軸誘電体共振
器 5、25、35、45、55、70、71・・・・・開口部 6、15、26、36、46、56、72・・・・・誘電体基体 7、16、27、37、47、57、73・・・・・貫通孔 8、17、28、38、48、58、74・・・・・内導体 9、18、29、39、49、59、75・・・・・外導体 10、19、30、40、50、60、76・・・・・島状導体 11・・・コイル(インダクタンス:リアクタンス素子) 78・・・空芯コイル(リアクタンス素子)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面もしくは内層に所定の導体パターン
    が形成されたベース基板に、誘電体基体の対向する2つ
    の側面を貫通する貫通孔に内導体を、前記貫通孔に平行
    な側面に外導体および該外導体と絶縁された島状導体を
    備えた複数個の同軸誘電体共振器と、複数個のリアクタ
    ンス素子とを搭載するとともに、各々を前記導体パター
    ンで接続して成る誘電体フィルタにおいて、前記島状導
    体がベース基板に対してほぼ垂直で、かつ、隣接する同
    軸誘電体共振器のそれぞれ外側の側面または隣接する同
    軸誘電体共振器を前記貫通孔方向にずらせて配置するこ
    とにより露出した側面に形成したことを特徴とする誘電
    体フィルタ。
  2. 【請求項2】 前記同軸誘電体共振器を、前記ベース基
    板に設けた開口部に、前記島状導体の少なくとも一部が
    ベース基板上面に露出するように嵌入したことを特徴と
    する請求項1記載の誘電体フィルタ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007029601A1 (ja) * 2005-09-05 2007-03-15 National University Corporation The University Of Electro-Communications 分波回路及びその設計方法

Cited By (3)

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CN100566011C (zh) 2005-09-05 2009-12-02 国立大学法人电气通信大学 分波电路及其设计方法
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