JPH09297903A

JPH09297903A - 磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH09297903A
Application number: JP10975496A
Authority: JP
Inventors: Norikatsu Fujisawa; 憲克藤澤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-04-30
Filing date: 1996-04-30
Publication date: 1997-11-18

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｔａ₂Ｏ₅をギャップ材に用いて、磁気記録媒
体に損傷を与えることなく、良好な記録再生特性を有す
る磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】非磁性体からなるギャップ膜４を介して
一対のコア半体３Ａ，３Ｂを突き合わせ、溶融したガラ
ス材によりこれら一対のコア半体を融着するに際し、上
記ガラス材の粘度が４．５〜５．０（Ｐａ・ｓ）に達す
るまでの間は、不活性ガス雰囲気とするとともに、その
後は、不活性ガスとＯ₂ガスとからなる混合気体雰囲気
とする。不活性ガス雰囲気で加熱される間に、ギャップ
膜４の表面に薄層が形成されることなく、ギャップ膜４
の内部に封入されたＡｒガスが放出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体等の
記録及び／又は再生に好適な磁気ヘッドの製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気記録の分野において、磁気記
録媒体は、情報信号の高密度記録化が進められている。
これに伴い、磁気記録媒体では、磁気記録媒体上に記録
される信号の波長が短くなっている。そして、磁気ヘッ
ドは、この高密度記録化された磁気記録媒体を記録又は
再生するために、そのトラック幅も狭トラック化、高出
力化が進められている。

【０００３】磁気ヘッド１００は、図９に示すように、
閉磁路を構成する一対のコア半体１０２Ａ，１０２Ｂ
と、この一対のコア半体１０２Ａ，１０２Ｂの間に配さ
れるギャップ膜１０３と、この一対のコア半体１０２
Ａ，１０２Ｂの側面に埋め込まれたガラス部１０４とか
ら構成されている。また、この磁気ヘッド１００には、
図示しないコイルが一対のコア半体１０２Ａ，１０２Ｂ
にそれぞれ巻装されている。

【０００４】一対のコア半体１０２Ａ，１０２Ｂは、軟
磁性酸化物からなり、ギャップ膜１０３を介して接合さ
れることにより閉磁路を形成する。そして、この一対の
コア半体１０２Ａ，１０２Ｂには、突き合わされた状態
でその突合せ面に切欠き部１０５が設けられている。こ
の切欠き部１０５は、磁気ヘッド１００のトラック幅を
規制するものであり、磁気ヘッド１００の両側面に一対
設けられている。

【０００５】またギャップ膜１０３は、非磁性体からな
り、一対のコア半体１０２Ａ，１０２Ｂの間に配される
ことにより磁気ギャップを形成している。

【０００６】ガラス部１０４は、低融点ガラス材からな
り、この低融点ガラス材が溶融した状態で一対のコア半
体１０２Ａ，１０２Ｂの両側面に設けられた切欠き部１
０５に充填され、この低融点ガラス材が固化することに
より形成される。

【０００７】以上のように構成された従来の磁気ヘッド
１０１において、ギャップ膜１０３がＳｉＯ₂からなる
場合、図１０に示すように、一対のコア半体１０２Ａ，
１０２Ｂが接合される際に圧力、温度、低融点ガラス材
の影響によりコア半体１０２Ａ，１０２Ｂに対する応力
が大きくなると、低融点ガラス材がギャップ膜１０３の
両端に浸食していた。

【０００８】これにより、磁気ヘッド１００は、ギャッ
プ膜１０３に浸食した低融点ガラス材にコア半体１０２
Ａ，１０２Ｂを形成する磁性体が拡散し、一対のコア半
体１０２Ａ，１０２Ｂがやや磁気的に結合してしまって
いた。したがって、この磁気ヘッド１００では、一対の
コア半体１０２Ａ，１０２Ｂ間の磁気ギャップが十分に
形成されず、磁気記録媒体に対して磁束の漏れが小さく
なり、記録再生特性が劣化していた。

【０００９】一方、磁気ヘッド１００では、ギャップ膜
がＴａ₂Ｏ₅からなる場合、上述したギャップ膜１０３が
ＳｉＯ₂からなる場合に発生した低融点ガラス材の浸食
が抑制される。ギャップ材がＴａ₂Ｏ₅からなる磁気ヘッ
ド１００は、先ず、一対のコア半体１０２Ａ，１０２Ｂ
の接合面に逆スパッタを施した後に、Ｔａ₂Ｏ₅からなる
ギャップ材を用いてギャップ膜１０３を形成する。この
とき、ギャップ膜１０３は、コア半体１０２Ａ，１０２
Ｂが接合する面にスパッタ法等の手法によって薄膜形成
される。

【００１０】次に、一対のコア半体１０２Ａ，１０２Ｂ
は、突き合わされるとともに切欠き部１０５に溶融した
低融点ガラスが充填されて固化することによって、融着
し閉磁路を形成する。このとき、磁気ヘッド１００で
は、Ｎ₂及びＯ₂からなる混合気体雰囲気中で、低融点ガ
ラス材の粘度が４．５〜５．０（Ｐａ・ｓ）になる温度
領域（５２０〜５４０℃）で低融点ガラス材を溶融させ
る。

【００１１】以上のように形成された磁気ヘッド１００
は、ギャップ材がＴａ₂Ｏ₅からなる場合、ギャップ材が
ＳｉＯ₂からなる磁気ヘッド１００と比較して、低融点
ガラスの浸食が抑えられる。これにより、ギャップ材が
Ｔａ₂Ｏ₅からなる磁気ヘッド１００では、表１に示すよ
うに、記録再生特性が劣化することなく、高出力を実現
することができる。

【００１２】

【表１】

【００１３】この表１から明らかなように、磁気ヘッド
１００では、ギャップ材をＴａ₂Ｏ₅により形成すること
により、高出力化が図られる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の磁気ヘッド１００において、Ｔａ₂Ｏ₅からなる
ギャップ膜１０３は、Ａｒガス中でスパッタ法等の手法
を用いて成膜されていたため、成膜されたギャップ膜１
０３内部に小量のＡｒガスが封入されていた。そして、
磁気ヘッド１００では、低融点ガラス材の粘度が４．５
〜５．０（Ｐａ・ｓ）になる温度領域（５２０〜５４０
℃）付近に達すると、ギャップ膜１０３の内部に封入さ
れたＡｒガスが放出される。

【００１５】そして、放出したＡｒガスは、図１１に示
すように、溶融したガラス材が固化することによって、
ガラス材の内部にガラス泡１０６として残存する。この
ガラス泡１０６は、磁気記録媒体と摺動する面に形成さ
れると、磁気記録媒体を削ることとなる。したがって、
従来の磁気ヘッドの製造方法では、磁気記録媒体を損傷
させてしまう磁気ヘッドを製造してしまうといった問題
点があった。

【００１６】そして、従来の磁気ヘッド１００では、磁
気記録媒体が削られることにより発生する磁性層の粉末
が磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間に堆積する。これに
より、磁気ヘッド１００は、その磁気記録媒体が摺動す
る面と磁気記録媒体との間が大きくなってしまい、磁気
記録媒体との間で十分に磁束の伝達を行うことが困難で
あった。したがって、従来の磁気ヘッドの製造方法で
は、磁気ヘッドのガラス部にガラス泡が発生することに
よって、良好な記録再生特性が得られない磁気ヘッドを
製造してしまうといった問題点があった。

【００１７】そこで、このガラス泡１０６を発生させな
いために、ギャップ材がＴａ₂Ｏ₅又はＳｉＯ₂からなる
ギャップ膜１０３が用いられた磁気ヘッド１００に関し
て、低融点ガラス材の昇温速度を遅くすることが考えら
れる。すなわち、これは、磁気ヘッド１００が遅い昇温
速度で加熱されることによって、低融点ガラス材が充填
される前にギャップ膜１０３の内部に封入されたＡｒガ
スを放出させようとするものである。

【００１８】このことを検証するために、以下の実験を
行った。

【００１９】まず、フェライト基板上にＳｉＯ₂膜が８
５０オングストロームの膜厚で形成されたものと、フェ
ライト基板上にＴａ₂Ｏ₅膜が８５０オングストロームの
膜厚で形成されたものとに対して、低融点ガラス材を２
０００オングストロームの膜厚でそれぞれ成膜する。そ
して、それぞれに対して５℃／ｍｉｎの昇温速度と２℃
／ｍｉｎの昇温速度とで加熱し、低融点ガラス材の粘度
が４．５〜５．０（Ｐａ・ｓ）になる温度領域（５２０
〜５４０℃）で１時間保持した。

【００２０】上述した２種類の昇温速度で加熱処理した
後、ＳｉＯ₂膜を有するものと、Ｔａ₂Ｏ₅膜を有するも
のとに発生したガラス泡を目視により計測したところ、
表２に示すようになった。

【００２１】

【表２】

【００２２】表２より明らかなように、低融点ガラス材
内に発生するガラス泡は、昇温速度に依存することな
く、Ｔａ₂Ｏ₅膜から放出されるＡｒガスにより形成され
る。したがって、従来の磁気ヘッド１００においては、
低融点ガラス材を溶融させる際の昇温速度を遅くするこ
とによって、ガラス泡１０６の発生を制御することがで
きない。

【００２３】そこで、本発明は、Ｔａ₂Ｏ₅をギャップ材
に用いて、磁気記録媒体に損傷を与えることなく、良好
な記録再生特性を有する磁気ヘッドを製造する磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することを目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、鋭意検討を重ねた結果、低融点ガラス材を軟化さ
せる際、Ｎ₂及びＯ₂からなる混合気体雰囲気中で加熱し
ていたために、混合気体中のＯ₂とギャップ膜の表面と
が反応して薄層が形成されており、この薄層がＡｒガス
の放出を妨げているという結論に至った。そして、従来
の磁気ヘッドは、低融点ガラス材が充填され始めると同
時に、ギャップ膜の内部に封入されたＡｒガスがギャッ
プ膜の内部から放出されてガラス部にガラス泡を生じて
いるという結論に達した。

【００２５】そこで、本発明は、このような知見に基づ
いて成されたものであり、すなわち、本発明に係る磁気
ヘッドの製造方法は、非磁性体からなるギャップ膜を介
して一対のコア半体を突き合わせ、溶融したガラス材に
よりこれら一対のコア半体を融着するに際し、上記ガラ
ス材の粘度が４．５〜５．０（Ｐａ・ｓ）に達するまで
の間は、不活性ガス雰囲気とするとともに、その後は、
不活性ガスとＯ₂ガスとからなる混合気体雰囲気とす
る。

【００２６】以上のような磁気ヘッドの製造方法では、
不活性ガス雰囲気で加熱される間に、ギャップ膜の表面
に薄層が形成されることなく、ギャップ膜の内部に封入
されたＡｒガスが放出される。そして、この手法では、
ガラス材の粘度が４．５〜５．０（Ｐａ・ｓ）に達した
後にＯ₂が添加されることによって、ギャップ膜の表面
に薄層が形成される。このとき、ギャップ膜内部には、
封入されてていたＡｒガスがほぼ放出されているため
に、Ａｒガスが残存することはない。したがって、この
手法においては、ガラス材が充填される際にガラス泡が
発生することがない。そして、この磁気ヘッドの製造方
法では、ギャップ膜の表面に薄層が形成されることによ
ってガラス材がギャップ膜に対して強固に結合する。

【００２７】また、この手法において、上記ギャップ膜
は、Ｔａ₂Ｏ₅又はＴａ₂Ｏ₅を主成分とする混合物からな
ることが好ましい。

【００２８】この手法では、ギャップ膜の表面に薄層が
形成されずに加熱されることによって、内部に封入され
たＡｒガスが放出される。したがって、この手法は、ギ
ャップ膜としてＴａ₂Ｏ₅又はＴａ₂Ｏ₅を主成分とする混
合物のようなＡｒガスが封入されやすい材料を用いた場
合で特に好適である。

【００２９】さらに、上記混合気体は、Ｏ₂ガスの濃度
が５０〜５００ｐｐｍであることが好ましい。

【００３０】この手法は、Ｏ２ガスの濃度が５０ｐｐｍ
以下であるとギャップ膜表面に十分な薄層が形成され
ず、Ｏ２ガスの濃度が５００ｐｐｍ以上であるとギャッ
プ膜が変質してしまう。したがって、本発明に係る磁気
ヘッドの製造方法は、Ｏ₂ガスの濃度が５０〜５００ｐ
ｐｍで好適である。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
磁気ヘッドの製造方法を図面を参照しながら詳細に説明
する。

【００３２】本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法
は、磁気記録媒体等に対して用いられる磁気ヘッドを製
造するものである。この磁気ヘッドの製造方法により製
造される磁気ヘッド１は、図１に示すように、閉磁路を
構成する一対のコア半体３Ａ，３Ｂと、この一対のコア
半体３Ａ，３Ｂの間に配されるギャップ膜４と、このギ
ャップ膜４の両脇に配されるガラス部５とから構成され
ている。また、この磁気ヘッド１には、図示しないがコ
イルが巻装されている。

【００３３】この磁気ヘッド１は、一対のコア半体３
Ａ，３Ｂが突き合わされることにより閉磁路を形成する
ように構成される。このコア半体３Ａ，３Ｂは、断面略
コ字状を呈し、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェ
ライト等の酸化物軟磁性体から形成されている。磁気ヘ
ッド１には、コア半体３Ａ，３Ｂの突合せ面に一対の切
欠き部６Ａ，６Ｂが形成されている。この切欠き部６
Ａ，６Ｂには、後述するガラス部５が形成される。ま
た、コア半体３Ａ，３Ｂは、この切欠き部６Ａ，６Ｂが
形成されることによって、後述するギャップ膜４の幅寸
法を規制している。

【００３４】また、磁気ヘッド１は、ギャップ膜４が形
成される面を媒体摺動面７とする。そして、この媒体摺
動面７は、円筒研磨されることにより断面円弧状とされ
ている。

【００３５】ギャップ膜４は、磁気ヘッド１において磁
気ギャップとなるものであり、非磁性体、例えばＴａ₂
Ｏ₅からなる。そして、ギャップ膜４では、上述した切
欠き部６Ａ，６Ｂにより幅寸法が規制されている。

【００３６】ガラス部５は、非磁性絶縁体、例えば低融
点ガラス材からなり、上述した切欠き部６Ａ，６Ｂに形
成される。このガラス部５は、詳細は後述するが低融点
ガラス材が溶融して切欠き部６Ａ，６Ｂに充填され、固
化されることにより形成される。

【００３７】以上のように構成された磁気ヘッド１は、
磁気記録媒体からの信号磁界を検出する。このとき、磁
気ヘッド１では、磁気ギャップとしてギャップ膜４がコ
ア半体３Ａ，３Ｂ間の防磁状態を維持するとともに切欠
き部６Ａ，６Ｂがギャップ膜４の幅寸法、すなわちトラ
ック幅寸法を規定する。

【００３８】次に、以上のように構成された本発明に係
る磁気ヘッド１の製造方法について、図面を参照しなが
ら詳細に説明する。

【００３９】上述した磁気ヘッド１を製造する際には、
先ず、図２に示すように、平板状のフェライト基板１０
を用意する。このフェライト基板１０は、Ｍｎ−Ｚｎフ
ェライトやＮｉ−Ｚｎフェライト等の酸化物軟磁性材料
からなる。そして、このフェライト基板１０は、その長
さ寸法が約３０ｍｍとされ、その幅寸法が約２．９ｍｍ
とされる。

【００４０】次に、図３に示すように、フェライト基板
１０の一方主面１０Ａに、フェライト基板１０の幅方向
に対して平行な方向に複数のトラック幅規制溝１１を一
定のピッチで形成する。このトラック幅規制溝１１は、
その深さ寸法が約６０μｍとされている。また、このト
ラック幅規制溝１１は、その一方側面が傾斜面とされ、
その傾斜角（図３中βで示す。）が８度から４５度とさ
れている。

【００４１】次に、図４に示すように、フェライト基板
１０の一方主面１０Ａに、上述したトラック幅規制溝１
１に対して垂直な方向にギャップデプス規制溝１２を形
成する。このギャップデプス規制溝１２は、ギャップデ
プスの大きさを規制するとともにコイルを巻装するため
のものである。そして、フェライト基板１０の一方主面
１０Ａを鏡面研磨して、その表面粗度Ｒａ（中心線平均
粗さ）を２０〜１００オングストロームとすることによ
りコア半体ブロック１３とする。

【００４２】次に、コア半体ブロック１３上のギャップ
膜４を形成する面に対して逆スパッタを行う。この逆ス
パッタは、ギャップ膜４を形成する面の粗さを除去する
ために行われる。

【００４３】次に、図５に示すように、コア半体ブロッ
ク１３の一方主面１０Ａ上に、スパッタ法を用いてＴａ
₂Ｏ₅膜１４を成膜する。このＴａ₂Ｏ₅膜１４は、その膜
厚が約８５０オングストロームとされ、上述したように
磁気ヘッド１における磁気ギャップとなるものである。
このとき、スパッタ法は、Ａｒガス雰囲気中で行われ
る。これにより、Ｔａ₂Ｏ₅膜１４には、その内部にスパ
ッタ法に用いられるＡｒガスが封入される。

【００４４】次に、図６に示すように、一対のコア半体
ブロック１３を、それぞれＴａ₂Ｏ₅膜１４が成膜された
面が対向するように突き合わされる。そして、この状態
で相対向するトラック幅規制溝１１に低融点ガラス材を
挿入する。この状態で、突き合わされた一対のコア半体
ブロック１３を後述するように加熱することによって、
低融点ガラス材を溶融してトラック幅規制溝１１に充填
する。その後、低融点ガラス材が充填された一対のコア
半体ブロック１３を冷却することによって、低融点ガラ
ス材を固化して一対のコア半体ブロック１３を融着す
る。

【００４５】ここで、低融点ガラス材は、図７に示すよ
うな粘度と温度との関係を有している。低融点ガラス材
は、その粘度が４．５〜５．０（Ｐａ・ｓ）となると、
トラック幅規制溝１１に充填可能な粘度となる。このと
き、低融点ガラス材の温度は、約５２０〜５４０℃であ
る。

【００４６】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法では、
一対のコア半体ブロック１３を融着する際、加熱する炉
内の雰囲気を温度変化に従って変化させることにより、
製造される磁気ヘッド１のガラス部５にガラス泡が発生
しないようにする。

【００４７】すなわち、本発明に係る磁気ヘッドの製造
方法では、加熱開始時から低融点ガラス材の温度が約５
２０〜５４０℃に達するまでの間、炉内の雰囲気をＮ₂
ガス等の不活性ガスのみにし、低融点ガラス材の温度が
５２０〜５４０℃に達すると、炉内の雰囲気をＮ₂ガス
及びＯ₂ガスからなる混合気体にし、約１時間その温度
を維持する。このとき、混合気体は、Ｏ₂ガスの濃度が
５０〜５００ｐｐｍとされ、より好ましくは１００ｐｐ
ｍとされる。

【００４８】上述のように低融点ガラス材の温度が５２
０〜５４０℃に達するまでの間、炉内の雰囲気をＮ₂ガ
スのみにすることによって、Ｔａ₂Ｏ₅膜１４表面にＯ₂
ガスとの反応による薄層が形成されることはない。これ
により、Ｔａ₂Ｏ₅膜１４からなるギャップ膜４では、加
熱されることにより、その内部に封入されているＡｒガ
スが放出される。

【００４９】その後、Ｔａ₂Ｏ₅膜１４は、炉内にＯ２ガ
スが約１００ｐｐｍ添加されることによって、その表面
にＯ₂との反応による薄層が形成される。そして、低融
点ガラス材は、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスからなる混合気体中
で５２０〜５４０℃に約１時間維持されることによっ
て、トラック幅規制溝１１に隙間なく充填される。この
とき、一対のコア半体ブロック１３では、Ｔａ₂Ｏ₅膜１
４の表面に薄層が形成されることによって、低融点ガラ
ス材が直接Ｔａ₂Ｏ₅膜１４に接触することなく充填され
る。これにより、低融点ガラス材は、Ｔａ₂Ｏ₅膜１４に
対して浸食することなく充填されるとともに、Ｔａ₂Ｏ₅
膜１４に対して密着性よく結合する。

【００５０】その後、低融点ガラス材は、一対のコア半
体ブロック１３が冷却されることによって、固化してガ
ラス部５となり、一対のコア半体ブロック１３を密着性
よく融着する。

【００５１】次に、融着された一対のコア半体ブロック
１３は、図６中点線で示すように、切断され、所定の形
状に整えられることによって、図１に示すような磁気ヘ
ッド１となる。

【００５２】以上のような製造方法が用いられた磁気ヘ
ッド１では、低融点ガラス材が充填される前にＴａ₂Ｏ₅
膜１４内部からＡｒガスが放出されている。このため、
磁気ヘッド１は、表３に示すように、低融点ガラス材内
部にＡｒガスが放出されることがなく、ガラス部５内部
にガラス泡が殆ど発生することがない。

【００５３】

【表３】

【００５４】また、この磁気ヘッド１では、ガラス部５
内部にガラス泡が殆どないために、磁気記録媒体の磁性
層が削られることがない。したがって、この磁気ヘッド
１では、表４に示すように、いわゆるスペーシングロス
を発生することなく高出力を維持することができる。

【００５５】

【表４】

【００５６】この表４において、従来の磁気ヘッドと
は、低融点ガラス材を溶融させる際の雰囲気をＮ₂及び
Ｏ₂からなる混合気体のみで行ったものである。

【００５７】また、上述した製造方法が用いられた磁気
ヘッド１では、図８に示めすＡＥＳ解析結果より明らか
なように、ガラス部５とギャップ膜４との界面及びギャ
ップ膜４とコア半体３との界面がそれぞれに含まれる酸
素成分により結合していることがわかる。なお、図８に
おいて、横軸は、ガラス部５の表面からの膜厚方向の距
離を示し、縦軸は、縦軸に対応する位置における膜の組
成を相対値で示している。また、図８において、破線Ａ
で示す位置は、ガラス部５とギャップ膜４との界面の位
置を示し、破線Ｂで示す位置は、ギャップ膜４とコア半
体３との界面の位置を示す。

【００５８】したがって、磁気ヘッド１では、ガラス部
５とギャップ膜４と及びギャップ膜４とコア半体３とが
密着性よく結合しているため、高い硬度を有するように
形成される。

【００５９】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る磁気ヘッドの製造方法によれば、不活性ガス雰囲気
中で低融点ガラス材を溶融させるため、ギャップ膜を構
成する非磁性体表面に薄層が形成されることなく、ギャ
ップ膜の内部に封入されたＡｒガスが放出される。これ
により、この製造方法では、ガラス部の内部にガラス泡
を発生することのない磁気ヘッドを製造することができ
る。したがって、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法で
は、磁気記録媒体を損傷することなく、良好な記録再生
特性を有する磁気ヘッドを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法を用いて製
造された磁気ヘッドの要部斜視図である。

【図２】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法に用いられ
るフェライト基板の斜視図である。

【図３】トラック幅規制溝が形成されたフェライト基板
の斜視図である。

【図４】ギャップデプス規制溝が形成されたフェライト
基板の斜視図である。

【図５】Ｔａ₂Ｏ₅膜が形成されたフェライト基板の斜視
図である。

【図６】低融点ガラス材により融着された一対のフェラ
イト基板の斜視図である。

【図７】低融点ガラス材における温度と粘度との関係を
示す特性図である。

【図８】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法により製造
された磁気ヘッドのＡＥＳ解析結果を示す図である。

【図９】従来の磁気ヘッドの製造方法により製造された
磁気ヘッドの斜視図である。

【図１０】ギャップ膜にＳｉＯ₂が用いられた際の磁気
ヘッドの要部平面図である。

【図１１】ギャップ材にＴａ₂Ｏ₅が用いられた際の磁気
ヘッドの要部平面図である

【符号の説明】

１磁気ヘッド、３コア半体、４ギャップ膜、５
ガラス部、１０フェライト基板、１１トラック幅規
制溝、１２ギャップデプス規制溝、１３コア半体ブ
ロック、１４Ｔａ₂Ｏ₅膜、

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性体からなるギャップ膜を介して一
対のコア半体を突き合わせ、溶融したガラス材によりこ
れら一対のコア半体を融着するに際し、上記ガラス材の粘度が４．５〜５．０（Ｐａ・ｓ）に達
するまでの間は、不活性ガス雰囲気とするとともに、その後は、不活性ガスとＯ₂ガスとからなる混合気体雰
囲気とすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】上記ギャップ膜は、Ｔａ₂Ｏ₅又はＴａ₂
Ｏ₅を主成分とする混合物からなることを特徴とする請
求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】上記不活性ガスは、Ｎ₂ガスであること
を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】上記混合気体は、Ｏ₂ガスの濃度が５０
ｐｐｍ〜５００ｐｐｍであることを特徴とする請求項１
記載の磁気ヘッドの製造方法。