JPH093033A - アミンオキシドの製法 - Google Patents
アミンオキシドの製法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D295/00—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms
- C07D295/22—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with hetero atoms directly attached to ring nitrogen atoms
- C07D295/24—Oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C291/00—Compounds containing carbon and nitrogen and having functional groups not covered by groups C07C201/00 - C07C281/00
- C07C291/02—Compounds containing carbon and nitrogen and having functional groups not covered by groups C07C201/00 - C07C281/00 containing nitrogen-oxide bonds
- C07C291/04—Compounds containing carbon and nitrogen and having functional groups not covered by groups C07C201/00 - C07C281/00 containing nitrogen-oxide bonds containing amino-oxide bonds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 高価な過酸化水素を使用しないアミンオキシ
ドの製法を提供する。 【解決手段】 一般式IIのアミン、例えばN−メチル
モルホリンから、(−5)〜90℃の温度、1〜100
バールの圧力で、酸化触媒の存在下に、水素/酸素混合
物を用いて、一般式Iのアミンオキシド、例えばN−メ
チルモルホリンオキシドを製造する場合に、酸化触媒と
してゼオライト構造を有する珪酸チタニウム、珪酸バナ
ジウム又はこれらの混合物上の周期律表第VIII族のもの
を使用する。
ドの製法を提供する。 【解決手段】 一般式IIのアミン、例えばN−メチル
モルホリンから、(−5)〜90℃の温度、1〜100
バールの圧力で、酸化触媒の存在下に、水素/酸素混合
物を用いて、一般式Iのアミンオキシド、例えばN−メ
チルモルホリンオキシドを製造する場合に、酸化触媒と
してゼオライト構造を有する珪酸チタニウム、珪酸バナ
ジウム又はこれらの混合物上の周期律表第VIII族のもの
を使用する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ゼオライト構造を
有する珪酸チタン、珪酸バナジウム又はこれらの混合物
上の周期律表第VIII族の元素の酸化触媒の存在で、アミ
ンと水素/酸素混合物との反応により、アミンオキシド
を製造する方法に関する。
有する珪酸チタン、珪酸バナジウム又はこれらの混合物
上の周期律表第VIII族の元素の酸化触媒の存在で、アミ
ンと水素/酸素混合物との反応により、アミンオキシド
を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】米国特許(US−A)第4994614
号、欧州特許(EP−A)第320694号及び欧州特
許第426084号からは、溶剤としての水中で、欧州
特許第553552号、欧州特許第401503号、米
国特許第5055233号、米国特許第5082600
号、米国特許第5130488号及び欧州特許第307
184号からは、有機溶剤またはそれらの混合物中で、
相応するアミンと過酸化水素との反応でトリアルキルア
ミンオキシドを製造することは公知である。ドイツ特許
(DE−A)第4306609号は、ポリビニルピリジ
ンのポリマー類縁反応がポリビニルピリジンN−オキシ
ドを形成することを記載している。
号、欧州特許(EP−A)第320694号及び欧州特
許第426084号からは、溶剤としての水中で、欧州
特許第553552号、欧州特許第401503号、米
国特許第5055233号、米国特許第5082600
号、米国特許第5130488号及び欧州特許第307
184号からは、有機溶剤またはそれらの混合物中で、
相応するアミンと過酸化水素との反応でトリアルキルア
ミンオキシドを製造することは公知である。ドイツ特許
(DE−A)第4306609号は、ポリビニルピリジ
ンのポリマー類縁反応がポリビニルピリジンN−オキシ
ドを形成することを記載している。
【0003】記載のこの方法に伴う欠点は、高価な過酸
化水素の使用である。
化水素の使用である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一つの課題
は、前記の欠点を除くことであり、特に過酸化水素を使
用せずにトリアルキルアミンオキシドを製造する方法を
見つけることである。
は、前記の欠点を除くことであり、特に過酸化水素を使
用せずにトリアルキルアミンオキシドを製造する方法を
見つけることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】この課題は、一般式I
【0006】
【化3】
【0007】[式中、R1、R2及びR3は、それぞれ
C1〜C30−アルキル、C3〜C12−シクロアルキ
ル、C1〜C30−ヒドロキシアルキル、C1〜C30
−アミノアルキル、C2〜C30−アルコキシアルキ
ル、アリール、C7〜C20−アラルキル、C7〜C
20−アルキルアリール、C1〜C8−アルキル−、C
1〜C8−アルコキシ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ
置換、−トリ置換、−テトラ置換又は−ペンタ置換C3
〜C12−シクロアルキル、アリール、C7〜C20−
アラルキル、C7〜C20ーアルキルアリール、−
[(CH2)2−O]n−R4、−{[CH(CH3)
CH2]−O}m−R5を表すか又はR1及びR2は、
一緒になって、中断されていないか又は酸素、窒素又は
硫黄で中断されたC3〜C12−アルキレンジラジカル
連鎖を表し、R4及びR5は、それぞれC1〜C12−
アルキル、C3〜C12−シクロアルキル、ヒドロキシ
ル、−COR6又は−CH2−COOR7、C3〜C
12−シクロアルキル、アリール、C7〜C20−アラ
ルキル又はC7〜C20−アルキルアリールを表し、R
6及びR7は、それぞれC1〜C12−アルキル又はC
3〜C12−シクロアルキルを表し、m及びnは、それ
ぞれ1〜40である]のアミンオキシドを、一般式II
C1〜C30−アルキル、C3〜C12−シクロアルキ
ル、C1〜C30−ヒドロキシアルキル、C1〜C30
−アミノアルキル、C2〜C30−アルコキシアルキ
ル、アリール、C7〜C20−アラルキル、C7〜C
20−アルキルアリール、C1〜C8−アルキル−、C
1〜C8−アルコキシ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ
置換、−トリ置換、−テトラ置換又は−ペンタ置換C3
〜C12−シクロアルキル、アリール、C7〜C20−
アラルキル、C7〜C20ーアルキルアリール、−
[(CH2)2−O]n−R4、−{[CH(CH3)
CH2]−O}m−R5を表すか又はR1及びR2は、
一緒になって、中断されていないか又は酸素、窒素又は
硫黄で中断されたC3〜C12−アルキレンジラジカル
連鎖を表し、R4及びR5は、それぞれC1〜C12−
アルキル、C3〜C12−シクロアルキル、ヒドロキシ
ル、−COR6又は−CH2−COOR7、C3〜C
12−シクロアルキル、アリール、C7〜C20−アラ
ルキル又はC7〜C20−アルキルアリールを表し、R
6及びR7は、それぞれC1〜C12−アルキル又はC
3〜C12−シクロアルキルを表し、m及びnは、それ
ぞれ1〜40である]のアミンオキシドを、一般式II
【0008】
【化4】
【0009】[式中、R1、R2及びR3は、それぞれ
前記のものを表す]から、水素/酸素混合物を用い、
(−5)〜90℃の温度及び1〜100バールの圧力
で、酸化触媒の存在下に製造する、新規かつ改良された
方法により達成され、これは、酸化触媒として、ゼオラ
イト構造を有する珪酸チタン、珪酸バナジウム又はこれ
らの混合物上の周期律表の第VIIIのものを使用すること
よりなる。
前記のものを表す]から、水素/酸素混合物を用い、
(−5)〜90℃の温度及び1〜100バールの圧力
で、酸化触媒の存在下に製造する、新規かつ改良された
方法により達成され、これは、酸化触媒として、ゼオラ
イト構造を有する珪酸チタン、珪酸バナジウム又はこれ
らの混合物上の周期律表の第VIIIのものを使用すること
よりなる。
【0010】本発明の方法は、次のように実施すること
ができる:使用される反応器は、有利に圧力装置、例え
ばオートクレーブ、シルードシェーカー又は固定床反応
器のような圧力容器、特に有利にオートクレーブ又は耐
圧性の鋼反応器であり;最初のチャージは溶剤なしでの
又は有利に不活性溶剤中での、アミンII及び酸化触
媒、有利に不均一系触媒であってよく;水素/酸素混合
物との反応は、(−5)〜90℃の温度、有利に15〜
80℃、特に20〜75℃の温度で、1〜100バー
ル、有利に5〜80バール、特に有利に10〜70バー
ルで実施することができる。
ができる:使用される反応器は、有利に圧力装置、例え
ばオートクレーブ、シルードシェーカー又は固定床反応
器のような圧力容器、特に有利にオートクレーブ又は耐
圧性の鋼反応器であり;最初のチャージは溶剤なしでの
又は有利に不活性溶剤中での、アミンII及び酸化触
媒、有利に不均一系触媒であってよく;水素/酸素混合
物との反応は、(−5)〜90℃の温度、有利に15〜
80℃、特に20〜75℃の温度で、1〜100バー
ル、有利に5〜80バール、特に有利に10〜70バー
ルで実施することができる。
【0011】変換されるべきアミンIIに依り、本発明
の酸化は、液相で、気相で又は過臨界相でも実施するこ
とができる。液体の場合には、触媒を懸濁液の形で使用
するなが有利であり、気相又は過臨界法の場合には、固
定床装置が有利である。
の酸化は、液相で、気相で又は過臨界相でも実施するこ
とができる。液体の場合には、触媒を懸濁液の形で使用
するなが有利であり、気相又は過臨界法の場合には、固
定床装置が有利である。
【0012】液相酸化は、一般に、1〜50バール、有
利に1〜10バールの圧力で、かつ懸濁液中で、溶剤の
存在で実施される。好適な溶剤には、アルコール類、例
えばメタノール、エタノール、イソプロパノール又はt
−ブタノール、ケトン類、例えばアセトン、ジエチルケ
トン又はメチルイソブチルケトン、ニトリル類、例えば
アセトニトリル、これらの混合物及び特に水が包含され
る。前記溶剤と水との混合物も使用できる。特定の場合
には、水又は水含有溶剤系の使用は、溶剤としての純粋
アルコールの使用の場合と比べて、所望のアミンオキシ
ドに対する選択率を明確に増加させる。
利に1〜10バールの圧力で、かつ懸濁液中で、溶剤の
存在で実施される。好適な溶剤には、アルコール類、例
えばメタノール、エタノール、イソプロパノール又はt
−ブタノール、ケトン類、例えばアセトン、ジエチルケ
トン又はメチルイソブチルケトン、ニトリル類、例えば
アセトニトリル、これらの混合物及び特に水が包含され
る。前記溶剤と水との混合物も使用できる。特定の場合
には、水又は水含有溶剤系の使用は、溶剤としての純粋
アルコールの使用の場合と比べて、所望のアミンオキシ
ドに対する選択率を明確に増加させる。
【0013】酸と水素とのモル比は、通常、50:1〜
1:1、有利には10:1〜1:1のO2:H2の範囲
内であってよい。アミンと酸素とのモル比は、一般に、
1:1〜3:1、有利に1.5:1〜1.7:1の範囲
内である。使用キャリアガスは、任意の所望の不活性ガ
スであってよいが、窒素が特に好適である。
1:1、有利には10:1〜1:1のO2:H2の範囲
内であってよい。アミンと酸素とのモル比は、一般に、
1:1〜3:1、有利に1.5:1〜1.7:1の範囲
内である。使用キャリアガスは、任意の所望の不活性ガ
スであってよいが、窒素が特に好適である。
【0014】好適な酸化触媒は、ゼオライト構造を有す
る珪酸チタン、珪酸バナジウム又はこれらの混合物上の
周期律表第VIII族の元素、有利に、鉄、コバルト、ニッ
ケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウ
ム、イリジウム及び白金よりなる群から選択された1種
以上の元素、有利にはルテニウム、ロジウム、パラジウ
ム、オスミウム、イリジウム及び白金、特に有利には、
パラジウムを有し、この酸化触媒は、パラジウム金属が
各々の場合に、少なくとも2の異なる結合エネルギー状
態で存在する。
る珪酸チタン、珪酸バナジウム又はこれらの混合物上の
周期律表第VIII族の元素、有利に、鉄、コバルト、ニッ
ケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウ
ム、イリジウム及び白金よりなる群から選択された1種
以上の元素、有利にはルテニウム、ロジウム、パラジウ
ム、オスミウム、イリジウム及び白金、特に有利には、
パラジウムを有し、この酸化触媒は、パラジウム金属が
各々の場合に、少なくとも2の異なる結合エネルギー状
態で存在する。
【0015】本発明の範囲の酸化触媒中の周期律表の第
VIII族の元素の割合は、酸化触媒の全量に対して0.0
1〜30重量%、有利に0.1〜15重量%、特に0.
2〜5重量%であり、従って、ゼオライト構造を有する
珪酸チタン、珪酸バナジウム又はこれらの混合物の割合
は、有利に99.99〜70重量%、特に有利に99.
9〜85重量%、特に99.8〜95重量%である。
VIII族の元素の割合は、酸化触媒の全量に対して0.0
1〜30重量%、有利に0.1〜15重量%、特に0.
2〜5重量%であり、従って、ゼオライト構造を有する
珪酸チタン、珪酸バナジウム又はこれらの混合物の割合
は、有利に99.99〜70重量%、特に有利に99.
9〜85重量%、特に99.8〜95重量%である。
【0016】記載の白金金属と同様に、本発明の酸化触
媒は、付加的に、レニウム、銀及び金よりなる群から選
択された元素1種以上で変性されていてもよい。これら
の元素は、通常、酸化触媒の全量に対して0.01〜1
0重量%、特に0.05〜5重量%の量で存在する。
媒は、付加的に、レニウム、銀及び金よりなる群から選
択された元素1種以上で変性されていてもよい。これら
の元素は、通常、酸化触媒の全量に対して0.01〜1
0重量%、特に0.05〜5重量%の量で存在する。
【0017】酸化触媒は、一般に、使用前に、異なる結
合エネルギー状態の混合物の特別な変性体に変換するの
が有利である。
合エネルギー状態の混合物の特別な変性体に変換するの
が有利である。
【0018】異なる結合エネルギー状態は、形式的には
金属の異なる即ち2以上の酸化状態に相当する。この結
合エネルギー状態は、一般に、異なる結合エネルギー状
態である。本発明の酸化触媒の有利な1態様では、周期
律表第VIII族の元素が2つ、3つ、4つ又は5つの、特
に有利に2つ、3つ又は4つの、特に2つ又は3つの異
なる結合エネルギー状態で存在する。
金属の異なる即ち2以上の酸化状態に相当する。この結
合エネルギー状態は、一般に、異なる結合エネルギー状
態である。本発明の酸化触媒の有利な1態様では、周期
律表第VIII族の元素が2つ、3つ、4つ又は5つの、特
に有利に2つ、3つ又は4つの、特に2つ又は3つの異
なる結合エネルギー状態で存在する。
【0019】2つの異なる結合エネルギー状態が存在す
る場合には、これは、例えば、酸化状態0と(+1)、
0と(+2)、0と(+3)又は0と(+4)のものの
混合物であり得る。これらの2つのものは、通常5:9
5〜95:5、特に10:90〜90:10の比で存在
する。
る場合には、これは、例えば、酸化状態0と(+1)、
0と(+2)、0と(+3)又は0と(+4)のものの
混合物であり得る。これらの2つのものは、通常5:9
5〜95:5、特に10:90〜90:10の比で存在
する。
【0020】3つの異なる結合エネルギー状態が存在す
る場合には、これは、例えば、酸化状態0、(+1)及
び(+2)又は0、(+2)及び(+3)又は0、(+
2)及び(+4)又は0、(+1)及び(+3)又は
0、(+1)及び(+4)又は0、(+3)及び(+
4)の混合物であり得る。これら3種は、通常は、
(0.05〜20):(0.05〜20):1、特に
(0.1〜10):(0.1〜10):1の比で存在す
る。
る場合には、これは、例えば、酸化状態0、(+1)及
び(+2)又は0、(+2)及び(+3)又は0、(+
2)及び(+4)又は0、(+1)及び(+3)又は
0、(+1)及び(+4)又は0、(+3)及び(+
4)の混合物であり得る。これら3種は、通常は、
(0.05〜20):(0.05〜20):1、特に
(0.1〜10):(0.1〜10):1の比で存在す
る。
【0021】4つ以上の異なる酸化状態の、例えば、
0、(+1)、(+2)及び(+3)又は0、(+
1)、(+2)及び(+4)又は0、(+2)、(+
3)及び(+4)又は0、(+1)、(+3)及び(+
4)又は0、(+1)、(+2)、(+3)及び(+
4)の混合物の存在も可能である。この場合に、これら
は、相互に、2又は3つの異なる酸化状態の混合物にお
けると同様な重量割合で存在しうる。
0、(+1)、(+2)及び(+3)又は0、(+
1)、(+2)及び(+4)又は0、(+2)、(+
3)及び(+4)又は0、(+1)、(+3)及び(+
4)又は0、(+1)、(+2)、(+3)及び(+
4)の混合物の存在も可能である。この場合に、これら
は、相互に、2又は3つの異なる酸化状態の混合物にお
けると同様な重量割合で存在しうる。
【0022】白金族金属のうち、パラジウムが有利であ
る。特に有利な態様では、パラジウムが2つ又は3つの
異なる結合エネルギー状態で存在する。
る。特に有利な態様では、パラジウムが2つ又は3つの
異なる結合エネルギー状態で存在する。
【0023】触媒の表面での結合エネルギー状態は、最
も簡単には、X−線光電子スペクトル法(XPS)で特
徴付けできる。例えば、3種のパラジウムの典型的な混
合物中では、Pd3D 5/2状態のエネルギーの相応す
る値は、335.0〜335.4eV、336〜33
6.6eV及び337.1〜337.9eVであり、こ
れらは、形式的に、酸化状態Pd0、Pd1+及びPd
2+ に相当する。
も簡単には、X−線光電子スペクトル法(XPS)で特
徴付けできる。例えば、3種のパラジウムの典型的な混
合物中では、Pd3D 5/2状態のエネルギーの相応す
る値は、335.0〜335.4eV、336〜33
6.6eV及び337.1〜337.9eVであり、こ
れらは、形式的に、酸化状態Pd0、Pd1+及びPd
2+ に相当する。
【0024】本発明の酸化触媒中で、白金金属を、金属
−金属結合が形成されず、金属−ゼオライト結合が支配
するように使用するのが有利である。広範囲のX−線吸
収微細構造の分析は、特に、パラジウムが存在する場合
には、2.02±0.01Åのパラジウム−酸素結合距
離が殆ど独占的に生じ、広範囲のパラジウム金属又はパ
ラジウム凝集物におけるような2.74±0.02Åの
パラジウム−パラジウム距離も酸化パラジウム(II)
中におけるような3.04±0.02Åのパラジウム−
パラジウム距離も避けられることが必須であることを示
している。
−金属結合が形成されず、金属−ゼオライト結合が支配
するように使用するのが有利である。広範囲のX−線吸
収微細構造の分析は、特に、パラジウムが存在する場合
には、2.02±0.01Åのパラジウム−酸素結合距
離が殆ど独占的に生じ、広範囲のパラジウム金属又はパ
ラジウム凝集物におけるような2.74±0.02Åの
パラジウム−パラジウム距離も酸化パラジウム(II)
中におけるような3.04±0.02Åのパラジウム−
パラジウム距離も避けられることが必須であることを示
している。
【0025】本発明の酸化触媒は、公知のゼオライト構
造、有利には、ペンタシルゼオライト構造を有するチタ
ン又は珪酸バナジウム、特にX−線でMFI、MEL又
は混合MFI/MELと分類されるタイプのものをベー
スとする。このタイプのゼオライトは、例えば W.M.Me
ier 及び D.H.Olson,Atlas of Zeolite StruktureTyp
es,Butterworths,第2版.,1987に記載されてい
る。ZSM−48、フェリエライト、β−ゼオライト又
はZSM−12の構造を有するチタン含有ゼオライトも
可能である。
造、有利には、ペンタシルゼオライト構造を有するチタ
ン又は珪酸バナジウム、特にX−線でMFI、MEL又
は混合MFI/MELと分類されるタイプのものをベー
スとする。このタイプのゼオライトは、例えば W.M.Me
ier 及び D.H.Olson,Atlas of Zeolite StruktureTyp
es,Butterworths,第2版.,1987に記載されてい
る。ZSM−48、フェリエライト、β−ゼオライト又
はZSM−12の構造を有するチタン含有ゼオライトも
可能である。
【0026】本発明の酸化触媒中には、シリカライトの
チタンがバナジウムにより部分的に又は完全に入れ替え
られていてよい。チタン及び/又はバナジウム対珪素+
チタン及び/又はバナジウムの合計のモル比は、一般
に、100:1〜5:1、有利に80:1〜10:1、
特に有利に60:1〜20:1の範囲である。
チタンがバナジウムにより部分的に又は完全に入れ替え
られていてよい。チタン及び/又はバナジウム対珪素+
チタン及び/又はバナジウムの合計のモル比は、一般
に、100:1〜5:1、有利に80:1〜10:1、
特に有利に60:1〜20:1の範囲である。
【0027】本発明の酸化触媒は、ゼオライト構造を有
するチタン又はバナジウムのシリカライトに、白金金属
の塩溶液、キレート錯体又はカルボニル錯体で含浸させ
るか又はこれとの反応させることにより製造するのが有
利であり、白金金属の結合エネルギー状態に所望の分布
は、含浸又は反応に引き続き、適当な還元又は酸化条件
により設定されている。
するチタン又はバナジウムのシリカライトに、白金金属
の塩溶液、キレート錯体又はカルボニル錯体で含浸させ
るか又はこれとの反応させることにより製造するのが有
利であり、白金金属の結合エネルギー状態に所望の分布
は、含浸又は反応に引き続き、適当な還元又は酸化条件
により設定されている。
【0028】従って、白金金属は、例えば白金金属塩溶
液での含浸により、特に酸化状態(+2)〜(+4)
で、純粋な水、純粋アルコール又は水−アルコール混合
物から、20〜90℃、特に30〜60℃の温度で施す
ことができる。塩としては、例えば相応する塩化物、酢
酸塩又はこれらのテトラミン錯体を使用することがで
き、パラジウムの場合には、ハロゲン化パラジウム(I
I)、例えば塩化物又は臭化物、酢酸パラジウム(I
I)及びパラジウム(II)テトラミンクロル錯体が好
適である。使用金属塩の量は、生じる酸化触媒上の白金
金属濃度が0.01〜20重量%を生じるように使用す
べきである。
液での含浸により、特に酸化状態(+2)〜(+4)
で、純粋な水、純粋アルコール又は水−アルコール混合
物から、20〜90℃、特に30〜60℃の温度で施す
ことができる。塩としては、例えば相応する塩化物、酢
酸塩又はこれらのテトラミン錯体を使用することがで
き、パラジウムの場合には、ハロゲン化パラジウム(I
I)、例えば塩化物又は臭化物、酢酸パラジウム(I
I)及びパラジウム(II)テトラミンクロル錯体が好
適である。使用金属塩の量は、生じる酸化触媒上の白金
金属濃度が0.01〜20重量%を生じるように使用す
べきである。
【0029】ここで、非極性溶剤中での白金金属の相応
するキレート錯体、即ちアセチルアセトネート、アセト
ニルアセトネート又はホスフィン錯体を用いる反応も可
能である。
するキレート錯体、即ちアセチルアセトネート、アセト
ニルアセトネート又はホスフィン錯体を用いる反応も可
能である。
【0030】相応するカルボニル錯体の形の白金金属を
適用することもできる。この場合には、気相中で、大気
圧より高い圧力で操作するか又は過臨界溶剤中、例えば
CO2中でのカルボニル錯体で含浸することも可能であ
る。
適用することもできる。この場合には、気相中で、大気
圧より高い圧力で操作するか又は過臨界溶剤中、例えば
CO2中でのカルボニル錯体で含浸することも可能であ
る。
【0031】必要に応じて、乾燥工程及び/又は必要に
応じてベーキング工程に引き続き、生じる触媒前駆物質
を、有利には存在する白金金属の高い酸化状態の部分的
還元により、特に水素雰囲気中での水素化により、結合
エネルギー状態の所望の分布にする。白金金属が既に酸
化状態0で存在する場合には、例えばカルボニル錯体と
しての適用時に部分的酸化が必要になる。
応じてベーキング工程に引き続き、生じる触媒前駆物質
を、有利には存在する白金金属の高い酸化状態の部分的
還元により、特に水素雰囲気中での水素化により、結合
エネルギー状態の所望の分布にする。白金金属が既に酸
化状態0で存在する場合には、例えばカルボニル錯体と
しての適用時に部分的酸化が必要になる。
【0032】有利な1実施態様では、本発明の酸化触媒
は、酸化状態(+2)〜(+4)の白金金属の塩溶液で
含浸し、乾燥された触媒を引き続き、水素雰囲気中、2
0〜120℃、有利に25〜100℃、特に有利に30
〜70℃の温度で水素化する。
は、酸化状態(+2)〜(+4)の白金金属の塩溶液で
含浸し、乾燥された触媒を引き続き、水素雰囲気中、2
0〜120℃、有利に25〜100℃、特に有利に30
〜70℃の温度で水素化する。
【0033】水素雰囲気中での水素化によるこの部分還
元のために高すぎる温度を選択すると、白金金属は、殆
どもっぱら酸化状態0で、即ち金属として、かつ比較的
大きい凝集物(これは、顕微鏡の下で約1nmの寸法を
有する金属クラスターの外観として認められる)の形で
存在する。
元のために高すぎる温度を選択すると、白金金属は、殆
どもっぱら酸化状態0で、即ち金属として、かつ比較的
大きい凝集物(これは、顕微鏡の下で約1nmの寸法を
有する金属クラスターの外観として認められる)の形で
存在する。
【0034】ゼオライト構造を有する前記のチタン又は
バナジウムのシリカライト、殊にMFIペンタシルゼオ
ライト構造を有するものは、一般に、水、チタン又はバ
ナジウム源及び二酸化珪素よりなる合成されたゲルを適
当な方法で有機窒素含有化合物(テンプレート化合物)
の存在で、熱水条件下に、かつ場合によっては無機化剤
としてのアンモニア、アルカリ又はフッ化物の存在で結
晶化させることにより製造される。好適な有機窒素含有
化合物は、1,6−ジアミノヘキサン又は塩又はテトラ
アルキルアンモニウム、殊にテトラプロピルアンモニウ
ムの遊離水酸化物である。
バナジウムのシリカライト、殊にMFIペンタシルゼオ
ライト構造を有するものは、一般に、水、チタン又はバ
ナジウム源及び二酸化珪素よりなる合成されたゲルを適
当な方法で有機窒素含有化合物(テンプレート化合物)
の存在で、熱水条件下に、かつ場合によっては無機化剤
としてのアンモニア、アルカリ又はフッ化物の存在で結
晶化させることにより製造される。好適な有機窒素含有
化合物は、1,6−ジアミノヘキサン又は塩又はテトラ
アルキルアンモニウム、殊にテトラプロピルアンモニウ
ムの遊離水酸化物である。
【0035】チタン又はバナジウムのシリカライトの製
造時に、多量のアルカリ金属又はアルカリ土類金属化合
物での汚染を避ける必要があり;後に充分な活性の酸化
触媒を得るためには、アルカリ金属(特にナトリウム又
はカリウム)含分<100ppmが望ましい。チタン又
はバナジウムのシリカライトの単一相構造の結晶化は、
140〜190℃、殊に160〜180℃の温度で、2
〜7日に渡り行うのが有利であり、完全な結晶生成物は
約4日後に得られる。この結晶化の間の激しい撹拌及び
12〜14の高いpHは、一方で、合成時間を明確に短
縮し、かつ他方で、結晶寸法を減少させることができ
る。
造時に、多量のアルカリ金属又はアルカリ土類金属化合
物での汚染を避ける必要があり;後に充分な活性の酸化
触媒を得るためには、アルカリ金属(特にナトリウム又
はカリウム)含分<100ppmが望ましい。チタン又
はバナジウムのシリカライトの単一相構造の結晶化は、
140〜190℃、殊に160〜180℃の温度で、2
〜7日に渡り行うのが有利であり、完全な結晶生成物は
約4日後に得られる。この結晶化の間の激しい撹拌及び
12〜14の高いpHは、一方で、合成時間を明確に短
縮し、かつ他方で、結晶寸法を減少させることができ
る。
【0036】例えば、0.05〜0.5μmの一次結晶
を得るのが有利であるが、特に平均粒径0.2μmより
小さい寸法を有するものが有利である。
を得るのが有利であるが、特に平均粒径0.2μmより
小さい寸法を有するものが有利である。
【0037】結晶化の後に、通常、チタン又はバナジウ
ムのシリカライトを常法で濾過し、洗浄し、かつ100
〜120℃で乾燥させることができる。
ムのシリカライトを常法で濾過し、洗浄し、かつ100
〜120℃で乾燥させることができる。
【0038】なお孔内に存在するアミン又はテトラアル
キルアンモニウム化合物を除去するために、物質を付加
的に空気中又は窒素気下に熱処理することができ、この
場合には、温度を<550℃の値に上昇するのを制限す
る条件下でテンプレートを焼失させるのが有利である。
キルアンモニウム化合物を除去するために、物質を付加
的に空気中又は窒素気下に熱処理することができ、この
場合には、温度を<550℃の値に上昇するのを制限す
る条件下でテンプレートを焼失させるのが有利である。
【0039】本発明の酸化触媒を変性するために、白金
金属又は他の元素の前記の添加ばかりではなく、結合
剤、イオン交換及び表面変性例えば化学蒸着(CVD)
又は化学的誘導体化、例えばシリル化を用いる慣用の形
成技術を使用することもできる。酸化反応のために要求
される触媒機能の存在は、IRスペクトル分光法でチェ
ックでき;所望の固体状態結晶性及び所望の酸化活性の
存在を示す有為なバンドは550cm−1及び960c
m−1のところに現れる。
金属又は他の元素の前記の添加ばかりではなく、結合
剤、イオン交換及び表面変性例えば化学蒸着(CVD)
又は化学的誘導体化、例えばシリル化を用いる慣用の形
成技術を使用することもできる。酸化反応のために要求
される触媒機能の存在は、IRスペクトル分光法でチェ
ックでき;所望の固体状態結晶性及び所望の酸化活性の
存在を示す有為なバンドは550cm−1及び960c
m−1のところに現れる。
【0040】本発明の酸化触媒の再生は、同様に可能で
ある。失活された触媒を、炭素デポジットを350〜6
50℃の温度で調整燃焼させ、引き続き例えば水素を用
いて還元することにより活性形に戻すことができる。
ある。失活された触媒を、炭素デポジットを350〜6
50℃の温度で調整燃焼させ、引き続き例えば水素を用
いて還元することにより活性形に戻すことができる。
【0041】炭素デポジットが最小である場合には、簡
単な洗浄法で再生することもできる。所望に応じて、こ
の洗浄法は、中性、酸性又は塩基性pH範囲で実施する
ことができる。所望の場合には、触媒活性を、鉱酸中の
過酸化水素を用いて復元させることもできる。
単な洗浄法で再生することもできる。所望に応じて、こ
の洗浄法は、中性、酸性又は塩基性pH範囲で実施する
ことができる。所望の場合には、触媒活性を、鉱酸中の
過酸化水素を用いて復元させることもできる。
【0042】化合物I及びII中の置換基R1、R2、
R3、R4、R5、R6及びR7及び指数m及びnは次
の意味を有する: R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7: − C3〜C12−シクロアルキル、有利にC3〜C
8−シクロアルキル、例えばシクロプロピル、シクロブ
チル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル及びシクロオクチル、特に有利にシクロペンチル、シ
クロヘキシル及びシクロオクチル、 R1、R2、R3、R4、R5: − アリール、例えばフェニル、1−ナフチル、2−
ナフチル、1−アンスリル、2−アンスリル及び9−ア
ンスリル、有利にフェニル、1−ナフチル及び2−ナフ
チル、特に有利にフェニル、 − C7〜C20−アラルキル、有利にC7〜C12
−フェニルアルキル、例えばベンジル、1−フェネチ
ル、2−フェネチル、1−フェニルプロピル、2−フェ
ニルプロピル、3−フェニルプロピル、1−フェニルブ
チル、2−フェニルブチル、3−フェニルブチル及び4
−フェニルブチル、特に有利にベンジル、1−フェネチ
ル及び2−フェネチル、 − C7〜C20−アルキルアリール、有利にC7〜
C12−アルキルフェニル、例えば2−メチルフェニ
ル、3−メチルフェニル、4−メチルフェニル、2,4
−ジメチルフェニル、2,5−ジメチルフェニル、2,
6−ジメチルフェニル、3,4−ジメチルフェニル、
3,5−ジメチルフェニル、2,3,4−トリメチルフ
ェニル、2,3,5−トリメチルフェニル、2,3,6
−トリメチルフェニル、2,4,6−トリメチルフェニ
ル、2−エチルフェニル、3−エチルフェニル、4−エ
チルフェニル、2−n−プロピルフェニル、3−n−プ
ロピルフェニル及び4−n−プロピルフェニル、 R1、R2、R3: − C1〜C30−アルキル、有利にC1〜C20−
アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソ
プロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−
ブチル、n−ペンチル、イソペンチル、s−ペンチル、
ネオペンチル、1,2−ジメチルプロピル、n−ヘキシ
ル、イソヘキシル、s−ヘキシル、n−ヘプチル、イソ
ヘプチル、n−オクチル、イソオクチル、n−ノニル、
イソノニル、n−デシル、イソデシル、n−ウンデシ
ル、イソウンデシル、n−ドデシル、イソドデシル、n
−テトラデシル、n−ヘキサデシル及びn−オクタデシ
ル、特に有利にメチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブ
チル、n−オクチル、n−デシル、n−ドデシル、n−
テトラデシル、n−ヘキサデシル及びn−オクタデシ
ル、 − C1〜C30−ヒドロキシアルキル、有利にC1
〜C8−ヒドロキシアルキル、特に有利にC1〜C4−
ヒドロキシアルキル、例えばヒドロキシメチル、1−ヒ
ドロキシエチル、2−ヒドロキシエチル、1−ヒドロキ
シ−n−プロピル、2−ヒドロキシ−n−プロピル、3
−ヒドロキシ−n−プロピル及び1−ヒドロキシメチル
エチル、 − C1〜C30−アミノアルキル、有利にC1〜C
20−アミノアルキル、特に有利にC1〜C8−アミノ
アルキル、例えばアミノメチル、1−アミノエチル、2
−アミノエチル、1−アミノ−n−プロピル、2−アミ
ノ−n−プロピル、3−アミノ−n−プロピル及び1−
アミノメチルエチル、 − C2〜C30−アルコキシアルキル、有利にC2
〜C20−アルコキシアルキル、特に有利にC2〜C8
−アルコキシアルキル、例えばメトキシメチル、エトキ
シメチル、n−プロポキシメチル、イソプロポキシメチ
ル、n−ブトキシメチル、イソブトキシメチル、s−ブ
トキシメチル、t−ブトキシメチル、1−メトキシエチ
ル及び2−メトキシエチル、 − C1〜C8−アルキル−、C1〜C8−アルコキ
シ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換、−トリ置換、
−テトラ置換又はペンタ置換C3〜C12−シクロアル
キル、有利にC1〜C4−アルキル−、C1〜C4−ア
ルコキシ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換又は−ト
リ置換C3〜C8−シクロアルキル、特に有利にC1〜
C2−アルキル−、C1〜C2−アルコキシ−又はハロ
ゲン−モノ置換、−ジ置換又は−トリ置換C5〜C8−
シクロアルキル、 − C1〜C8−アルキル−、C1〜C8−アルコキ
シ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換、−トリ置換、
−テトラ置換又は−ペンタ置換アリール、有利にC1〜
C4−アルキル−、C1〜C4−アルコキシ−又はハロ
ゲン−モノ置換、−ジ置換又は−トリ置換フェニル、特
に有利にC1〜C2−アルキル−、C1〜C2−アルコ
キシ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換又は−トリ置
換フェニル、 − C1〜C8−アルキル−、C1〜C8−アルコキ
シ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換、−トリ置換、
−テトラ置換又は−ペンタ置換C7〜C20−アルアル
キル、有利にC1〜C4−アルキル−、C1〜C4−ア
ルコキシ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換又は−ト
リ置換C7〜C16−フェンアルキル、特に有利にC1
〜C2−アルキル−、C1〜C2−アルコキシ−又はハ
ロゲン−モノ置換、−ジ置換又は−トリ置換C7〜C
12−フェンアルキル、 − C1〜C8−アルキル−、C1〜C8−アルコキ
シ又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換、−トリ置換、−
テトラ置換又は−ペンタ置換C7〜C20−アルキルア
リール、有利にC1〜C4−アルキル−、C1〜C4−
アルコキシ又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換又は−ト
リ置換C7〜C16−アルキルフェニル、特に有利にC
1〜C2−アルキル−、C1〜C2−アルコキシ又はハ
ロゲン−モノ置換、−ジ置換又は−トリ置換C7〜C
12−アルキルフェニル、 − −[(CH2)2−O]n−R4、 − −{[CH(CH3)CH2]−O}m−R5、 R1及びR2が一緒になって: − C3〜C12−アルキレンジラジカル連鎖、例え
ば−(CH2)3−、−[(CH3)CH−CH2]
−、−(CH2)4−、−[CH2−(CH3)CH−
CH2]−、−[(CH3)CH−(CH2)2]−、
−(CH2)5−、 −(CH2)6−、−(CH2)7−、−(CH2)8
−、−(CH2)−、−(CH2)10−、−(C
H2)11−及び−(CH2)12−、有利にC3〜C
8−アルキレンジラジカル連鎖、例えば −(CH2)3−、−[(CH3)CH−CH2]−、
−(CH2)4−、−[CH2−(CH3)CH−CH
2]−、−[(CH3)CH−(CH2)2]−、−
(CH2)5−、−(CH2)6−、−(CH2)7−
及び−(CH2)8−、 − 酸素−、窒素−又は硫黄−中断されたC3〜C
12−アルキレンジラジカル連鎖、有利に酸素−又は窒
素−中断されたC3〜C8−アルキレンジラジカル連
鎖、特に有利に酸素−又は窒素−中断されたC4〜C6
−アルキレンジラジカル連鎖、 −[(CH2)2−N(CH2)2−]−、−[(CH
2)2−O−(CH2)2]−、−[(CH2)3−N
−(CH2)2]−、−[(CH2)3−O−(C
H2)2]−、−[(CH2)4−N−(CH2)2]
−、−[(CH2)4−O−(CH2)2]−、−
[(CH2)3−N−(CH2)3]−及び−[(CH
2)3−O−(CH2)3]−、 R4及びR5: − ヒドロキシル、− −COR6又は − −CH2−COOR7、 R4、R5、R6及びR7: − C1〜C12−アルキル、有利にC1〜C8−ア
ルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブ
チル、n−ペンチル、イソペンチル、s−ペンチル、ネ
オペンチル、1,2−ジメチルプロピル、n−ヘキシ
ル、イソヘキシル、s−ヘキシル、n−ヘプチル、イソ
ヘプチル、n−オクチル、イソオクチル、特に有利にC
1〜C4−アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロ
ピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブ
チル及びt−ブチル及びm及びn: − 1〜40、有利に2〜20の整数、例えば2、
3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、1
3、14、15、16、17、18、19及び20、特
に有利に3〜15、例えば3、4、5、6、7、8、
9、10、11、12、13、14及び15 。
R3、R4、R5、R6及びR7及び指数m及びnは次
の意味を有する: R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7: − C3〜C12−シクロアルキル、有利にC3〜C
8−シクロアルキル、例えばシクロプロピル、シクロブ
チル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル及びシクロオクチル、特に有利にシクロペンチル、シ
クロヘキシル及びシクロオクチル、 R1、R2、R3、R4、R5: − アリール、例えばフェニル、1−ナフチル、2−
ナフチル、1−アンスリル、2−アンスリル及び9−ア
ンスリル、有利にフェニル、1−ナフチル及び2−ナフ
チル、特に有利にフェニル、 − C7〜C20−アラルキル、有利にC7〜C12
−フェニルアルキル、例えばベンジル、1−フェネチ
ル、2−フェネチル、1−フェニルプロピル、2−フェ
ニルプロピル、3−フェニルプロピル、1−フェニルブ
チル、2−フェニルブチル、3−フェニルブチル及び4
−フェニルブチル、特に有利にベンジル、1−フェネチ
ル及び2−フェネチル、 − C7〜C20−アルキルアリール、有利にC7〜
C12−アルキルフェニル、例えば2−メチルフェニ
ル、3−メチルフェニル、4−メチルフェニル、2,4
−ジメチルフェニル、2,5−ジメチルフェニル、2,
6−ジメチルフェニル、3,4−ジメチルフェニル、
3,5−ジメチルフェニル、2,3,4−トリメチルフ
ェニル、2,3,5−トリメチルフェニル、2,3,6
−トリメチルフェニル、2,4,6−トリメチルフェニ
ル、2−エチルフェニル、3−エチルフェニル、4−エ
チルフェニル、2−n−プロピルフェニル、3−n−プ
ロピルフェニル及び4−n−プロピルフェニル、 R1、R2、R3: − C1〜C30−アルキル、有利にC1〜C20−
アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソ
プロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−
ブチル、n−ペンチル、イソペンチル、s−ペンチル、
ネオペンチル、1,2−ジメチルプロピル、n−ヘキシ
ル、イソヘキシル、s−ヘキシル、n−ヘプチル、イソ
ヘプチル、n−オクチル、イソオクチル、n−ノニル、
イソノニル、n−デシル、イソデシル、n−ウンデシ
ル、イソウンデシル、n−ドデシル、イソドデシル、n
−テトラデシル、n−ヘキサデシル及びn−オクタデシ
ル、特に有利にメチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブ
チル、n−オクチル、n−デシル、n−ドデシル、n−
テトラデシル、n−ヘキサデシル及びn−オクタデシ
ル、 − C1〜C30−ヒドロキシアルキル、有利にC1
〜C8−ヒドロキシアルキル、特に有利にC1〜C4−
ヒドロキシアルキル、例えばヒドロキシメチル、1−ヒ
ドロキシエチル、2−ヒドロキシエチル、1−ヒドロキ
シ−n−プロピル、2−ヒドロキシ−n−プロピル、3
−ヒドロキシ−n−プロピル及び1−ヒドロキシメチル
エチル、 − C1〜C30−アミノアルキル、有利にC1〜C
20−アミノアルキル、特に有利にC1〜C8−アミノ
アルキル、例えばアミノメチル、1−アミノエチル、2
−アミノエチル、1−アミノ−n−プロピル、2−アミ
ノ−n−プロピル、3−アミノ−n−プロピル及び1−
アミノメチルエチル、 − C2〜C30−アルコキシアルキル、有利にC2
〜C20−アルコキシアルキル、特に有利にC2〜C8
−アルコキシアルキル、例えばメトキシメチル、エトキ
シメチル、n−プロポキシメチル、イソプロポキシメチ
ル、n−ブトキシメチル、イソブトキシメチル、s−ブ
トキシメチル、t−ブトキシメチル、1−メトキシエチ
ル及び2−メトキシエチル、 − C1〜C8−アルキル−、C1〜C8−アルコキ
シ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換、−トリ置換、
−テトラ置換又はペンタ置換C3〜C12−シクロアル
キル、有利にC1〜C4−アルキル−、C1〜C4−ア
ルコキシ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換又は−ト
リ置換C3〜C8−シクロアルキル、特に有利にC1〜
C2−アルキル−、C1〜C2−アルコキシ−又はハロ
ゲン−モノ置換、−ジ置換又は−トリ置換C5〜C8−
シクロアルキル、 − C1〜C8−アルキル−、C1〜C8−アルコキ
シ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換、−トリ置換、
−テトラ置換又は−ペンタ置換アリール、有利にC1〜
C4−アルキル−、C1〜C4−アルコキシ−又はハロ
ゲン−モノ置換、−ジ置換又は−トリ置換フェニル、特
に有利にC1〜C2−アルキル−、C1〜C2−アルコ
キシ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換又は−トリ置
換フェニル、 − C1〜C8−アルキル−、C1〜C8−アルコキ
シ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換、−トリ置換、
−テトラ置換又は−ペンタ置換C7〜C20−アルアル
キル、有利にC1〜C4−アルキル−、C1〜C4−ア
ルコキシ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換又は−ト
リ置換C7〜C16−フェンアルキル、特に有利にC1
〜C2−アルキル−、C1〜C2−アルコキシ−又はハ
ロゲン−モノ置換、−ジ置換又は−トリ置換C7〜C
12−フェンアルキル、 − C1〜C8−アルキル−、C1〜C8−アルコキ
シ又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換、−トリ置換、−
テトラ置換又は−ペンタ置換C7〜C20−アルキルア
リール、有利にC1〜C4−アルキル−、C1〜C4−
アルコキシ又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換又は−ト
リ置換C7〜C16−アルキルフェニル、特に有利にC
1〜C2−アルキル−、C1〜C2−アルコキシ又はハ
ロゲン−モノ置換、−ジ置換又は−トリ置換C7〜C
12−アルキルフェニル、 − −[(CH2)2−O]n−R4、 − −{[CH(CH3)CH2]−O}m−R5、 R1及びR2が一緒になって: − C3〜C12−アルキレンジラジカル連鎖、例え
ば−(CH2)3−、−[(CH3)CH−CH2]
−、−(CH2)4−、−[CH2−(CH3)CH−
CH2]−、−[(CH3)CH−(CH2)2]−、
−(CH2)5−、 −(CH2)6−、−(CH2)7−、−(CH2)8
−、−(CH2)−、−(CH2)10−、−(C
H2)11−及び−(CH2)12−、有利にC3〜C
8−アルキレンジラジカル連鎖、例えば −(CH2)3−、−[(CH3)CH−CH2]−、
−(CH2)4−、−[CH2−(CH3)CH−CH
2]−、−[(CH3)CH−(CH2)2]−、−
(CH2)5−、−(CH2)6−、−(CH2)7−
及び−(CH2)8−、 − 酸素−、窒素−又は硫黄−中断されたC3〜C
12−アルキレンジラジカル連鎖、有利に酸素−又は窒
素−中断されたC3〜C8−アルキレンジラジカル連
鎖、特に有利に酸素−又は窒素−中断されたC4〜C6
−アルキレンジラジカル連鎖、 −[(CH2)2−N(CH2)2−]−、−[(CH
2)2−O−(CH2)2]−、−[(CH2)3−N
−(CH2)2]−、−[(CH2)3−O−(C
H2)2]−、−[(CH2)4−N−(CH2)2]
−、−[(CH2)4−O−(CH2)2]−、−
[(CH2)3−N−(CH2)3]−及び−[(CH
2)3−O−(CH2)3]−、 R4及びR5: − ヒドロキシル、− −COR6又は − −CH2−COOR7、 R4、R5、R6及びR7: − C1〜C12−アルキル、有利にC1〜C8−ア
ルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブ
チル、n−ペンチル、イソペンチル、s−ペンチル、ネ
オペンチル、1,2−ジメチルプロピル、n−ヘキシ
ル、イソヘキシル、s−ヘキシル、n−ヘプチル、イソ
ヘプチル、n−オクチル、イソオクチル、特に有利にC
1〜C4−アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロ
ピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブ
チル及びt−ブチル及びm及びn: − 1〜40、有利に2〜20の整数、例えば2、
3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、1
3、14、15、16、17、18、19及び20、特
に有利に3〜15、例えば3、4、5、6、7、8、
9、10、11、12、13、14及び15 。
【0043】同様に、ポリマー類縁反応は、例えばポリ
アルキレンアミンを変換して相応するポリアルキレンア
ミンN−オキシドにするために使用できる。これは、ポ
リマー性のピリジン、例えばポリビニルピリジンをポリ
ビニルピリジンN−オキシドに変換するために使用する
こともできる。
アルキレンアミンを変換して相応するポリアルキレンア
ミンN−オキシドにするために使用できる。これは、ポ
リマー性のピリジン、例えばポリビニルピリジンをポリ
ビニルピリジンN−オキシドに変換するために使用する
こともできる。
【0044】アミンIIの典型的な例は、ジメチルオク
チルアミン、ジエチルオクチルアミン、ジメチルブチル
アミン、ジエチルヘキシルアミン、ジメチルイソブチル
アミン、ジエチル−2−エチルヘキシルアミン、ジメチ
ルデシルアミン、ジメチルドデシルアミン、ジメチルテ
トラデシルアミン、ジメチルヘキサデシルアミン、ジメ
チルオクタデシルアミン、トリブチルアミン、トリメチ
ルアミン、ブチルジエチルアミン、トリエタノールアミ
ン、ジメチルエタノールアミン、メチルジエタノールア
ミン、ジベンジルブチルアミン、ジシクロヘキシルメチ
ルアミン、N−メチルモルホリン、N−ブチルモルホリ
ン、N−メチルピペリジン、N−ブチルピロリジン。
チルアミン、ジエチルオクチルアミン、ジメチルブチル
アミン、ジエチルヘキシルアミン、ジメチルイソブチル
アミン、ジエチル−2−エチルヘキシルアミン、ジメチ
ルデシルアミン、ジメチルドデシルアミン、ジメチルテ
トラデシルアミン、ジメチルヘキサデシルアミン、ジメ
チルオクタデシルアミン、トリブチルアミン、トリメチ
ルアミン、ブチルジエチルアミン、トリエタノールアミ
ン、ジメチルエタノールアミン、メチルジエタノールア
ミン、ジベンジルブチルアミン、ジシクロヘキシルメチ
ルアミン、N−メチルモルホリン、N−ブチルモルホリ
ン、N−メチルピペリジン、N−ブチルピロリジン。
【0045】2個の短鎖アルキル基、例えばメチル及び
エチルを炭素原子数6〜20を有する長鎖基と共に有す
るこれらのアミンII、例えばジメチルオクチルアミ
ン、ジメチルデシルアミン、ジメチルドデシルアミン、
ジメチルテトラデシルアミン、ジメチルオクタデシルア
ミン又はその窒素原子がヘテロ環の一部であるアミン、
例えばブチルピペリジン又はプロピルピロリジン又はメ
チルモルホリン又はこれらの混合物が有利である。
エチルを炭素原子数6〜20を有する長鎖基と共に有す
るこれらのアミンII、例えばジメチルオクチルアミ
ン、ジメチルデシルアミン、ジメチルドデシルアミン、
ジメチルテトラデシルアミン、ジメチルオクタデシルア
ミン又はその窒素原子がヘテロ環の一部であるアミン、
例えばブチルピペリジン又はプロピルピロリジン又はメ
チルモルホリン又はこれらの混合物が有利である。
【0046】本発明の方法は、特にN−メチルモルホリ
ンを酸化してN−メチルモルホリンオキシドにするため
に有用である。
ンを酸化してN−メチルモルホリンオキシドにするため
に有用である。
【0047】三級アミンオキシドは、化学品及び中間体
としての広い用途を示す(Kirk,Othmer,4th.edition vo
l.2 357頁以降参照)。例えば、長いアルキル連鎖を有
するアミン、例えばジメチルドデシルアミンの酸化物
は、洗剤活性処方物の成分である。N−メチルモルホリ
ンN−オキシドは、セルロース繊維製造用のセルロース
の好適性の高い溶媒である(例えば、DE−A−169
4048参照)。これは、オレフィンのジヒドロキシル
化での酸化剤としても使用され[J.Amer.Chem.Soc.98(1
976),1986-87]、従って、例えば医薬品用の中間体合成
に使用される。
としての広い用途を示す(Kirk,Othmer,4th.edition vo
l.2 357頁以降参照)。例えば、長いアルキル連鎖を有
するアミン、例えばジメチルドデシルアミンの酸化物
は、洗剤活性処方物の成分である。N−メチルモルホリ
ンN−オキシドは、セルロース繊維製造用のセルロース
の好適性の高い溶媒である(例えば、DE−A−169
4048参照)。これは、オレフィンのジヒドロキシル
化での酸化剤としても使用され[J.Amer.Chem.Soc.98(1
976),1986-87]、従って、例えば医薬品用の中間体合成
に使用される。
【0048】
触媒A チタニウムシリカライトの結晶化 テトラエチルオルトシリケート455gに、30分かか
って、テトライソプロピルオルトチタネート15gを、
引き続き、20重量%濃度のテトラプロピルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液(アルカリ金属含有量<10pp
m)800gを添加し、1時間撹拌し、90〜100℃
で蒸留物を除去した。塔底生成物を脱イオン水1.5リ
ットルと混合し、175℃で撹拌オートクレーブ中で9
2時間保持した。冷反応混合物を遠心分離し、水で中性
になるまで洗浄し、110℃で24時間乾燥させ(生成
重量149g)、500℃で、空気中で5時間ベーキン
グして、ゼオライト中になお存在するテンプレートを焼
失させた(焼き損失:14重量%)。
って、テトライソプロピルオルトチタネート15gを、
引き続き、20重量%濃度のテトラプロピルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液(アルカリ金属含有量<10pp
m)800gを添加し、1時間撹拌し、90〜100℃
で蒸留物を除去した。塔底生成物を脱イオン水1.5リ
ットルと混合し、175℃で撹拌オートクレーブ中で9
2時間保持した。冷反応混合物を遠心分離し、水で中性
になるまで洗浄し、110℃で24時間乾燥させ(生成
重量149g)、500℃で、空気中で5時間ベーキン
グして、ゼオライト中になお存在するテンプレートを焼
失させた(焼き損失:14重量%)。
【0049】生成物を湿式化学物質分析に供し、チタン
含有率1.5重量%を有し、残留アルカリ金属(カリウ
ム)含有率<0.01重量%を有することが判明した。
収率(使用したSiO2に対して計算)は97%であっ
た。結晶寸法は、約0.1〜0.15μmであり、生成
物は、960cm−1及び550cm−1にIR特性帯
を有した。
含有率1.5重量%を有し、残留アルカリ金属(カリウ
ム)含有率<0.01重量%を有することが判明した。
収率(使用したSiO2に対して計算)は97%であっ
た。結晶寸法は、約0.1〜0.15μmであり、生成
物は、960cm−1及び550cm−1にIR特性帯
を有した。
【0050】触媒B 活性成分の使用 塩化パラジウム(II)0.515g及びアンモニア溶
液(水中の25重量%濃度)120gの溶液を、脱イオ
ン水130g中の触媒Aから新しく製造された珪酸チタ
ン60gに添加し、1時間撹拌し、90〜100℃/5
ミリバールで蒸発させた。生成物を、直接、還元のため
に使用した。
液(水中の25重量%濃度)120gの溶液を、脱イオ
ン水130g中の触媒Aから新しく製造された珪酸チタ
ン60gに添加し、1時間撹拌し、90〜100℃/5
ミリバールで蒸発させた。生成物を、直接、還元のため
に使用した。
【0051】触媒Bの活性化 回転管状炉(石英ガラス、直径5cm、加熱帯域の長さ
20cm)中で、Pd−含浸された生成物20gを、5
0℃の温度で90分間かかって、窒素20リトル/h及
び水素1リットル/hのガス混合物を用いて、50rp
mの炉回転速度で還元した。最終生成物の透過型電子顕
微鏡検査(TEM)は、1.0nmより大きい寸法の金
属パラジウムクラスターを示さなかった。湿式化学分析
によれば、このパラジウム含有率は0.49重量%であ
ることが判明した。XPSは、Pd3D 5/2光電子の
前記の3つの結合状態を見出した[形式的に、酸化状態
(+2)、(+1)及び0に相当]。この試料上でのE
XAFS測定は、2.02±0.02ÅのPd−O又は
Pd−N結合距離の信号を示した。2.74±0.02
Å又は3.04±0.02ÅのPd−Pd結合距離は認
められなかった。
20cm)中で、Pd−含浸された生成物20gを、5
0℃の温度で90分間かかって、窒素20リトル/h及
び水素1リットル/hのガス混合物を用いて、50rp
mの炉回転速度で還元した。最終生成物の透過型電子顕
微鏡検査(TEM)は、1.0nmより大きい寸法の金
属パラジウムクラスターを示さなかった。湿式化学分析
によれば、このパラジウム含有率は0.49重量%であ
ることが判明した。XPSは、Pd3D 5/2光電子の
前記の3つの結合状態を見出した[形式的に、酸化状態
(+2)、(+1)及び0に相当]。この試料上でのE
XAFS測定は、2.02±0.02ÅのPd−O又は
Pd−N結合距離の信号を示した。2.74±0.02
Å又は3.04±0.02ÅのPd−Pd結合距離は認
められなかった。
【0052】例1 オートクレーブ中で、N−メチルモルホリン3.66
g、蒸留水141.3ml及び触媒B 2gを、室温
で、かつ30℃での酸素20バール及び水素20バール
で2時間撹拌した。放圧、遠心による触媒の除去及び触
媒の洗浄の後に、流出液及び洗浄液中のN−メチルモル
ホリン及びN−メチルモルホリンオキシドの濃度を、1
N塩酸を用いる滴定により測定した。結果を第1表に示
す。
g、蒸留水141.3ml及び触媒B 2gを、室温
で、かつ30℃での酸素20バール及び水素20バール
で2時間撹拌した。放圧、遠心による触媒の除去及び触
媒の洗浄の後に、流出液及び洗浄液中のN−メチルモル
ホリン及びN−メチルモルホリンオキシドの濃度を、1
N塩酸を用いる滴定により測定した。結果を第1表に示
す。
【0053】
【表1】
【0054】例2 N−メチルモルホリン5gを用い、反応温度60℃及び
反応時間5時間を用いて、例1に記載の方法を繰り返し
た。結果を第2表に示す。
反応時間5時間を用いて、例1に記載の方法を繰り返し
た。結果を第2表に示す。
【0055】
【表2】
【0056】例3 オートクレーブ中で、蒸留水144ml、N−メチルモ
ルホリン15g及び触媒B6gを、室温で、かつ30℃
での酸素20バール及び水素20バールで5時間撹拌し
た。放圧、遠心による触媒の除去及び触媒の洗浄の後
に、流出液及び洗浄液中のN−メチルモルホリン及びN
−メチルモルホリンオキシドの濃度を、1N塩酸を用い
る滴定により測定した。結果を第3表に示す。
ルホリン15g及び触媒B6gを、室温で、かつ30℃
での酸素20バール及び水素20バールで5時間撹拌し
た。放圧、遠心による触媒の除去及び触媒の洗浄の後
に、流出液及び洗浄液中のN−メチルモルホリン及びN
−メチルモルホリンオキシドの濃度を、1N塩酸を用い
る滴定により測定した。結果を第3表に示す。
【0057】
【表3】
【0058】例4 触媒B6.5gを用いて例3を繰り返した。反応時間は
8時間であった。結果を第4表にまとめる。
8時間であった。結果を第4表にまとめる。
【0059】
【表4】
【0060】比較例I オートクレーブに蒸留水144ml、N−メチルモルホ
リン11g及び(炭素上のPd5%)4.5g、酸素2
0バール及び水素20バールを、室温で連続的に注入
し、内容物を60℃で8時間撹拌した。冷却及び放圧の
後に、触媒を遠心分離し、水で洗浄した。流出液及び洗
浄液を1N塩酸を用いて滴定した。結果を第I表に示
す。
リン11g及び(炭素上のPd5%)4.5g、酸素2
0バール及び水素20バールを、室温で連続的に注入
し、内容物を60℃で8時間撹拌した。冷却及び放圧の
後に、触媒を遠心分離し、水で洗浄した。流出液及び洗
浄液を1N塩酸を用いて滴定した。結果を第I表に示
す。
【0061】
【表5】
【0062】比較例II N−メチルモルホリン5g及び触媒A(チタニウムシリ
カライト)2gを用い、30℃の反応温度で、反応時間
2時間を用いて、例Iを繰り返した。結果を第II表に
示す。
カライト)2gを用い、30℃の反応温度で、反応時間
2時間を用いて、例Iを繰り返した。結果を第II表に
示す。
【0063】
【表6】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カールステン エラー ドイツ連邦共和国 ルートヴィッヒスハー フェン ドイチェ シュトラーセ 19 (72)発明者 ミヒャエル シュルツ ドイツ連邦共和国 ルートヴィッヒスハー フェン ダウナー シュトラーセ 39
Claims (10)
- 【請求項1】 一般式I 【化1】 [式中、R1、R2及びR3は、それぞれC1〜C30
−アルキル、C3〜C12−シクロアルキル、C1〜C
30−ヒドロキシアルキル、C1〜C30−アミノアル
キル、C2〜C30−アルコキシアルキル、アリール、
C7〜C20−アラルキル、C7〜C20−アルキルア
リール、C1〜C8−アルキル−、C1〜C8−アルコ
キシ−又はハロゲン−モノ置換、−ジ置換、−トリ置
換、−テトラ置換又は−ペンタ置換C3〜C12−シク
ロアルキル、アリール、C7〜C20−アラルキル、C
7〜C20ーアルキルアリール、−[(CH2)2−
O]n−R4、−{[CH(CH3)CH2]−O}m
−R5を表すか、又はR1及びR2は、一緒になって、
中断されていないか又は酸素、窒素又は硫黄で中断され
たC3〜C12−アルキレンジラジカル連鎖を表し、R
4及びR5は、それぞれC1〜C12−アルキル、C3
〜C12−シクロアルキル、ヒドロキシル、−COR6
又は−CH2−COOR7、C3〜C12−シクロアル
キル、アリール、C7〜C20−アラルキル又はC7〜
C20−アルキルアリールを表し、R6及びR7は、そ
れぞれC1〜C12−アルキル又はC3〜C12−シク
ロアルキルを表し、m及びnは、それぞれ1〜40であ
る]のアミンオキシドを、一般式II 【化2】 [式中、R1、R2及びR3は、それぞれ前記のものを
表す]から、水素/酸素混合物を用い、(−5)〜90
℃の温度及び1〜100バールの圧力で、酸化触媒の存
在下に製造する場合に、酸化触媒としてゼオライト構造
を有する珪酸チタン、珪酸バナジウム又はこれらの混合
物上の周期律表第VIII族のものを使用することを特徴と
する、アミンオキシドの製法。 - 【請求項2】 酸化触媒は、周期律表第VIII族の元素
0.01〜20重量%を含有する、請求項1に記載のア
ミンオキシドIの製法。 - 【請求項3】 酸化触媒は、周期律表第VIII族の元素と
して、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウ
ム、イリジウム、白金又はこれらの混合物を包含する、
請求項1に記載のアミンオキシドIの製法。 - 【請求項4】 酸化触媒は、付加的にレニウム、銀及び
金よりなる群から選択された元素1種以上を包含する、
請求項1に記載のアミンオキシドIの製法。 - 【請求項5】 酸化触媒は、周期律表第VIII族の元素
0.01〜20重量%及びゼオライト構造を有する珪酸
チタン、珪酸バナジウム又はこれらの混合物9.99〜80重
量%を含有する、請求項1に記載のアミンオキシドIの
製法。 - 【請求項6】 周期律表第VIII族の元素は、少なくとも
2つの異なる結合エネルギー状態で存在する、請求項1
に記載のアミンオキシドIの製法。 - 【請求項7】 酸化触媒は、周期律表第VIII族の元素と
して、2又は3の異なる結合エネルギー状態で存在する
パラジウムを包含する、請求項1に記載のアミンオキシ
ドIの製法。 - 【請求項8】 酸化触媒中の珪素対チタン、バナジウム
又はそれらの混合物のモル比は、100:1〜5:1で
ある、請求項1に記載のアミンオキシドIの製法。 - 【請求項9】 式中のR1、R2及びR3は、それぞれ
C1〜C4−アルキルであり、R1とR2は一緒になっ
て、−(CH2)2−O(CH2)2−又は−(C
H2)2−NR1ー(CH2)2−であり、R3は付加
的にn−デシル、n−ドデシル、n−テトラデシル、n
−ヘキサデシル又はn−オクタデシルである、請求項1
に記載のアミンオキシドIの製法。 - 【請求項10】 式中のR1及びR2は一緒になって、
−(CH2)2−O−(CH2)2−であり、R3はメ
チルである、請求項1に記載のアミンオキシドIの製
法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19520270A DE19520270A1 (de) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | Verfahren zur Herstellung von Aminoxiden |
| DE19520270.8 | 1995-06-02 | ||
| US08/656,412 US5639880A (en) | 1995-06-02 | 1996-05-30 | Preparation of amine oxides |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH093033A true JPH093033A (ja) | 1997-01-07 |
Family
ID=26015702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8137031A Withdrawn JPH093033A (ja) | 1995-06-02 | 1996-05-30 | アミンオキシドの製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5639880A (ja) |
| EP (1) | EP0745587B1 (ja) |
| JP (1) | JPH093033A (ja) |
| DE (1) | DE19520270A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002102701A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-09 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 常温触媒 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0917532B1 (en) * | 1996-07-01 | 2002-02-13 | The Dow Chemical Company | Process for the direct oxidation of olefins to olefin oxides |
| US6294514B1 (en) | 1998-11-24 | 2001-09-25 | The Procter & Gamble Company | Process for preparing mono-long chain amine oxide surfactants with low nitrite, nitrosamine and low residual peroxide |
| WO2003043937A2 (en) * | 2001-11-15 | 2003-05-30 | Pq Holding, Inc. | Method for controlling synthesis conditions during molecular sieve synthesis using combinations of quaternary ammonium hydroxides and halides |
| JP4784760B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2011-10-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| KR20100052948A (ko) * | 2008-11-11 | 2010-05-20 | 삼성전자주식회사 | 라디칼 중합용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| CN103920530B (zh) * | 2014-04-10 | 2015-12-09 | 四川之江高新材料股份有限公司 | 2-羟基-5-烷基苯乙酮肟及所用催化剂的制备法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1127311B (it) * | 1979-12-21 | 1986-05-21 | Anic Spa | Materiale sintetico,cristallino,poroso costituito da ossidi di silicio e titanio,metodo per la sua preparazione e suoi usi |
| DE3362496D1 (en) * | 1982-04-21 | 1986-04-17 | Procter & Gamble | Process for the oxidation of tertiary amines to amine oxides |
| US4565891A (en) * | 1984-07-19 | 1986-01-21 | The Procter & Gamble Company | Oxidation of tertiary amines using octacyanomolybdate or iron (III) salts as catalysts |
| AU615471B2 (en) * | 1987-09-08 | 1991-10-03 | Ethyl Corporation | Amine oxide process |
| US4994614A (en) * | 1987-12-14 | 1991-02-19 | Ethyl Corporation | Amine oxide process |
| US5055233A (en) * | 1989-04-26 | 1991-10-08 | Ethyl Corporation | Detergent bar process using trialkylamine oxide dihydrate |
| US5082600A (en) * | 1989-04-26 | 1992-01-21 | Ethyl Corporation | Transparent soap bar process using trialkylamine oxide dihydrate |
| CA2014201A1 (en) * | 1989-04-26 | 1990-10-26 | Albemarle Corporation | Solid non-hygroscopic trialkylamine oxides |
| US5130488A (en) * | 1989-04-26 | 1992-07-14 | Ethyl Corporation | Process for preparing tert-amine oxides |
| EP0426084B1 (en) * | 1989-10-30 | 1993-01-27 | Ethyl Corporation | Amine oxide process |
| IT1243402B (it) * | 1990-11-30 | 1994-06-10 | Enichem Sintesi | Procedimento per la preparazione dei radicali nitrosilici delle amminestericamente impedite. |
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| DE4306609A1 (de) * | 1993-03-03 | 1994-09-08 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Polyvinylpyridin-N-oxiden |
-
1995
- 1995-06-02 DE DE19520270A patent/DE19520270A1/de not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-05-23 EP EP96108220A patent/EP0745587B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-30 US US08/656,412 patent/US5639880A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-30 JP JP8137031A patent/JPH093033A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002102701A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-09 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 常温触媒 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0745587A1 (de) | 1996-12-04 |
| US5639880A (en) | 1997-06-17 |
| EP0745587B1 (de) | 1998-12-09 |
| DE19520270A1 (de) | 1996-12-05 |
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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