JPH09305921A - 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板１上にＭＲヘッド素子Ｈ２と誘導型ヘッ
ド素子Ｈ１を積層して形成され、両ヘッド素子Ｈ１、Ｈ
２の全体が保護層14によって覆われ、誘導型ヘッド素子
Ｈ１は、ギャップスペーサ層33を挟んでＭＲヘッド素子
Ｈ２側に下部コア層８、その反対側に上部コア層９を配
置している複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、製造工程の
歩留まりを改善する。 【解決手段】 本発明に係る複合型薄膜磁気ヘッドにお
いて、下部コア層８は、上部コア層９側に形成されて記
録媒体と対向すべき媒体対向面の近傍にて記録媒体上の
トラック幅に応じた幅を有するコア部8bと、ＭＲヘッド
素子Ｈ２側に形成されて媒体対向面の近傍にてコア部8b
よりも大きな幅を有するシールド部8aとを具えている。
又、上部コア層９は、媒体対向面の近傍にて前記コア部
8bよりも大きな幅を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクド
ライブ装置等の磁気記録再生装置に用いられる複合型薄
膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置とし
てのハードディスクドライブ装置等においては、信号記
録用の誘導型ヘッド素子Ｈ１と、信号再生用の磁気抵抗
効果型ヘッド素子Ｈ２(以下、ＭＲヘッド素子という)と
を一体に具えた複合型薄膜磁気ヘッドが注目されてい
る。

【０００３】図１３は、一般的な複合型薄膜磁気ヘッド
の記録媒体に平行な断面を表わしており、図１４は、該
複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体に垂直な断面を表わし
ている。図１３及び図１４に示す如く、基板(１)上に、
ＭＲヘッド素子Ｈ２として、下部シールド層(２)、下部
絶縁層(３)、ＭＲ素子層(４)、電極層(５)(５)及び上部
絶縁層(31)が順次積層されている。又、該ヘッド素子Ｈ
２上には、誘導型ヘッド素子Ｈ１として、下部コア層(8
0)、ギャップスペーサ層(36)、コイル層(15)、絶縁層(3
7)及び上部コア層(90)が順次積層されている。尚、下部
コア層(80)は、誘導型ヘッド素子Ｈ１の磁気コアとして
の機能を発揮すると同時に、誘導型ヘッド素子Ｈ１とＭ
Ｒヘッド素子Ｈ２の間の磁気シールドとしての機能を兼
ね具えている。そして、両ヘッド素子Ｈ１及びＨ２を覆
って保護層(16)が形成されている。

【０００４】図１５(ａ)乃至(ｄ)、及び図１６(ａ)(ｂ)
は、上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程における上部
コア層形成工程を表わしている。図１５(ａ)の如く、基
板(１)上に、下部シールド層(２)、下部絶縁層(３)、Ｍ
Ｒ素子層(４)、電極層(５)(５)、上部絶縁層(31)及び下
部コア層(80)を順次形成した後、スパッタリングによっ
てギャップスペーサ層(36)を成膜する。次に、ギャップ
スペーサ層(36)上に、コイル層(図示省略)及び絶縁層
(図示省略)を形成した後、同図(ｂ)の如く、ギャップス
ペーサ層(36)及び絶縁層の表面にスパッタリングによっ
て磁性層(64)を成膜する。そして、同図(ｃ)の如く、磁
性層(64)の全面にレジスト(74)を塗布した後、露光及び
現像処理を施して、同図(ｄ)に示す如く、レジスト(74)
を上部コア層(90)に応じた平面形状のレジスト層(75)に
成形する。続いて、レジスト層(75)及び磁性層(64)の表
面にイオンビームエッチングを施して、図１６(ａ)の如
く、磁性層(64)を上部コア層(90)に成形する。その後、
超音波洗浄によってレジスト層(75)を除去した後、同図
(ｂ)の如くスパッタリングによって保護層(16)を成膜す
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記複合型薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、図１４に示す如く、ギャップスペーサ
層(36)の表面から絶縁層(37)の表面にかけて、記録媒体
に垂直な断面にて段差部Ｃが形成される。従って、図１
５(ｂ)の如く、ギャップスペーサ層(36)の表面に前記上
部コア層(90)に成形すべき磁性層(64)を厚く成膜する必
要がある。又、この様に膜厚の大きい磁性層(64)にイオ
ンビームエッチングを施して、レジスト層(75)の外周縁
よりも外側に拡がる磁性層(64)を完全に削り取り、図１
６(ａ)に示す如く上部コア層(90)に成形するためには、
図１５(ｄ)の如く膜厚の大きいレジスト層(75)が必要で
ある。更に、磁性層(64)の表面には、前記段差部Ｃに応
じた形状の段差部が形成されている。従って、レジスト
(74)を厚く塗布する必要がある。そこで、該複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法においては、磁性層(64)の表面
に、図１５(ｃ)の如く膜厚の大きいレジスト(74)が塗布
される。

【０００６】次に、レジスト(74)に露光及び現像処理を
施してレジスト層(75)に成形するのであるが、前述の如
くレジスト(74)の膜厚が大きいためにレジスト層形成の
精度が低く、所定形状のレジスト層(75)が得られない。
特に、高記録密度化に対応するべくトラック幅の狭い複
合型薄膜磁気ヘッドを製造する場合、アスペクト比が厚
さ方向に極端に大きいレジスト層を形成することになる
ので、レジスト層形成の精度が更に低下する。又、レジ
スト(74)は、図１４に示す段差部Ｃにて他の領域よりも
膜厚が大きくなるので、露光工程において、膜厚の大き
い部分でハレーションが発生し、レジスト層形成の精度
が低下する。この結果、所期の幅を有する上部コア層を
得ることが出来ず、正確なトラック幅が得られないこと
となって、製造工程の歩留まりが低下する問題がある。
又、上記製造工程においては、図１３に示す如く、上部
コア層(90)の表面に、ＭＲ素子層(４)の形状に応じた凹
部Ｈが形成され、これが原因となって記録パターンに歪
みが発生することとなる。

【０００７】本発明の目的は、正確なトラック幅が得ら
れ、歩留まりの高い製造が可能な複合型薄膜磁気ヘッド
及びその製造方法を提供することである。又、本発明の
目的は、正確なトラック幅が得られ、歩留まりの高い製
造が可能であると共に、記録パターンに歪みが発生しな
い複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するこ
とである。

【０００８】

【課題を解決する為の手段】本発明に係る複合型薄膜磁
気ヘッドは、基板上にＭＲヘッド素子と誘導型ヘッド素
子を積層して形成され、誘導型ヘッド素子は、ギャップ
スペーサ層を挟んでＭＲヘッド素子側に下部コア層、そ
の反対側に上部コア層を配置している。前記下部コア層
は、上部コア層側に形成されて少なくとも記録媒体と対
向すべき媒体対向面の近傍にて記録媒体上のトラック幅
に応じた幅を有するコア部と、ＭＲヘッド素子側に形成
されて少なくとも媒体対向面の近傍にてコア部よりも大
きな幅を有するシールド部とを具え、上部コア層は、少
なくとも媒体対向面の近傍にて前記コア部よりも大きな
幅を有している。

【０００９】該複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基
板上にＭＲ素子層を覆って上部絶縁層を形成する第１工
程と、上部絶縁層上に下部コア層を形成する第２工程
と、下部コア層上にギャップスペーサ層を形成する第３
工程と、ギャップスペーサ層上に上部コア層を形成する
第４工程とを具えている。

【００１０】前記第２工程は、上部絶縁層の表面に下部
コア層となる磁性層を形成する工程と、磁性層の表面を
レジストによって覆う工程と、前記レジストをトラック
幅と同一幅の平面形状を有するレジスト層に成形する工
程と、レジスト層を介して前記磁性層にイオンビームエ
ッチングを施して、前記磁性層の上層部を記録媒体上の
トラック幅に応じた幅を有するコア部に成形し、該コア
部を具えた下部コア層を形成する工程と、前記レジスト
層を除去する工程とを具えている。又、前記第４工程
は、ギャップスペーサ層の表面に上部コア層となる磁性
層を形成する工程と、磁性層の表面をレジストによって
覆う工程と、前記レジストを下部コア層のコア部よりも
トラック幅方向の幅が大きい平面形状を有するレジスト
層に成形する工程と、レジスト層を介して前記磁性層に
イオンビームエッチングを施して、前記磁性層を上部コ
ア層に成形する工程と、前記レジスト層を除去する工程
とを具えている。

【００１１】該複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
ては、上部絶縁層の表面に、記録媒体に垂直な断面にて
段差部が形成されていないので、第２工程の磁性層形成
工程にて、従来の如き段差部による厚さの増加は不要で
ある。一般に、レジスト層を用いたイオンビームエッチ
ングにおいては、レジスト層はエッチングの深さに応じ
て厚く形成する必要がある。これに対し、本発明の製造
方法においては、上述の如く、第２工程にて形成される
磁性層の膜厚が大きくなることはなく、該磁性層の上層
部のみにイオンビームエッチングを施すので、エッチン
グの深さは浅い。従って、レジスト成膜工程にて、磁性
層の表面に膜厚の小さいレジストを成膜することが出来
る。この様にレジストの膜厚が小さいので、レジスト層
形成工程にて所定形状のレジスト層を得ることが出来、
レジスト層形成の精度が向上する。更に、上部絶縁層の
表面に、記録媒体に垂直な断面にて段差部が形成されて
いないので、レジストの膜厚は均一となり、露光工程に
おけるハレーションの発生が防止され、レジスト層形成
の精度が向上する。この結果、磁性層の上層部は、所期
の幅を有する下部コア層のコア部に成形される。又、磁
性層の下層部は、該コア部よりも幅の大きいシールド部
に成形されることになる。

【００１２】ところで、一般に、記録媒体上に形成され
るトラック幅は、上部コア層或いは下部コア層のトラッ
ク幅方向の幅の内、狭い方の幅によって規定される。そ
こで、該製造方法においては、上部コア層の幅を下部コ
ア層のコア部の幅よりも大きな幅に形成することによっ
て、下部コア層のコア部の幅によりトラック幅を規定す
る。ここで、該下部コア層のコア部の幅は、前述の如く
所期の幅に形成されるので、正確なトラック幅を得るこ
とが出来る。尚、下部コア層のコア部によってトラック
幅を規定するので、従来の如く上部コア層形成工程にて
形成された上部コア層の幅に多少の誤差が生じたとして
も、問題にはならない。又、下部コア層のコア部は、上
述の如く誘導型ヘッド素子の磁気コアとして機能するの
に対し、シールド部は、誘導型ヘッド素子とＭＲヘッド
素子の間の磁気シールドとして機能するのであるが、該
シールド部は充分な幅を有しているので、効果的なシー
ルドが可能である。

【００１３】具体的には、前記下部コア層は、絶縁層に
よって包囲され、絶縁層の表面と前記下部コア層のコア
部の表面は夫々平面に形成され、互いに同一の平面上に
揃っている。

【００１４】該具体的構成を有する複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法は、第３工程を除いて上記本発明の製造方
法と同一であり、前記第３工程は、下部コア層の表面を
覆って絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の表面及び
下部コア層のコア部の表面に平面加工を施して、前記絶
縁層の表面と下部コア層のコア部の表面を同一平面に揃
える工程と、平面加工の施された下部コア層のコア部及
び絶縁層の表面にギャップスペーサ層を形成する工程と
から構成されている。

【００１５】該具体的構成を有する複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法においては、下部コア層のコア部の表面に
平面加工を施すので、コア部の表面は平面に形成され、
これによって、記録パターンに歪みが発生しない複合型
薄膜磁気ヘッドを得ることが出来る。

【００１６】又、具体的には、前記上部コア層は、下部
コア層側に、少なくとも媒体対向面の近傍にて前記下部
コア層のコア部と同一幅を有する下層部を具えている。

【００１７】該具体的構成を有する複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法は、第３工程を除いて上記本発明の製造方
法と同一であり、前記第３工程は、下部コア層の表面を
覆って絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の表面及び
下部コア層のコア部の表面に平面加工を施して、前記絶
縁層の表面と下部コア層のコア部の表面を同一平面に揃
える工程と、下部コア層のコア部及び絶縁層の表面に対
し、選択性を有するエッチングを施して、コア部の表面
を絶縁層の表面よりも低く加工する工程と、下部コア層
のコア部及び絶縁層の表面にギャップスペーサ層を形成
する工程とから構成されている。

【００１８】該具体的構成を有する複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法においては、下部コア層のコア部及び絶縁
層の表面に、選択性を有するエッチングを施すことによ
って、コア部の表面は絶縁層の表面よりも速くエッチン
グが進み、或いはコア部の表面のみがエッチングされ
て、最終的にコア部の表面が絶縁層の表面よりも低くな
る。これによって、ギャップスペーサ層の表面には、コ
ア部の幅と同一幅の平面形状を有する凹部が形成される
こととなる。従って、下部コア層となるべき磁性層を形
成する工程において、該磁性層は前記凹部に応じた形状
に形成されることとなる。この結果、下部コア層側に少
なくとも媒体対向面の近傍にて前記下部コア層のコア部
の幅と同一幅を有する下層部を具えた上部コア層が形成
されることになる。該製造方法においては、上部コア層
の幅がトラック幅を規定すべき下部コア層のコア部の幅
と同一幅に形成されるので、ギャップスペーサ層からの
漏れ磁束がコア部の両側へ広がり難くなって、記録にじ
みが抑制される。

【００１９】又、本発明に係る複合型薄膜磁気ヘッド
は、基板上にＭＲヘッド素子と誘導型ヘッド素子を積層
して形成され、誘導型ヘッド素子は、ギャップスペーサ
層を挟んでＭＲヘッド素子側に下部コア層、その反対側
に上部コア層を配置している。前記下部コア層は、上部
コア層側に形成されて少なくとも記録媒体と対向すべき
媒体対向面の近傍にて記録媒体上のトラック幅に応じた
幅を有するコア部と、ＭＲヘッド素子側に形成されて少
なくとも媒体対向面の近傍にてコア部よりも大きな幅を
有するシールド部とを具えると共に、コア部及びシール
ド部が絶縁層によって包囲され、該絶縁層の表面と前記
下部コア層のコア部の表面は夫々平面に形成され、互い
に同一の平面上に揃っている。

【００２０】該複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基
板上にＭＲ素子層を覆って上部絶縁層を形成する第１工
程と、上部絶縁層上に下部コア層を形成する第２工程
と、下部コア層上にギャップスペーサ層を形成する第３
工程と、ギャップスペーサ層上に上部コア層を形成する
第４工程とを具えている。

【００２１】前記第２工程は、上部絶縁層の表面に下部
コア層となる磁性層を形成する工程と、磁性層の表面を
レジストによって覆う工程と、前記レジストをトラック
幅と同一幅の平面形状を有するレジスト層に成形する工
程と、レジスト層を介して前記磁性層にイオンビームエ
ッチングを施して、前記磁性層の上層部を記録媒体上の
トラック幅に応じた幅を有するコア部に成形し、該コア
部を具えた下部コア層を形成する工程と、前記レジスト
層を除去する工程とを具えている。又、前記第３工程
は、下部コア層の表面を覆って絶縁層を形成する工程
と、前記絶縁層の表面及び下部コア層のコア部の表面に
平面加工を施して、前記絶縁層の表面と下部コア層のコ
ア部の表面を同一平面に揃える工程と、平面加工の施さ
れた下部コア層のコア部及び絶縁層の表面にギャップス
ペーサ層を形成する工程とから構成されている。

【００２２】該複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
ては、下部コア層のコア部の表面に平面加工を施すの
で、コア部の表面は平面に形成され、これによって、記
録パターンに歪みが発生しない複合型薄膜磁気ヘッドを
得ることが出来る。

【００２３】又、具体的構成においては、下部コア層の
シールド部とコア部の間に、非磁性膜が介在している。

【００２４】該具体的構成においては、下部コア層のシ
ールド部とコア部の間に非磁性膜が介在しているので、
シールド部とコア部は磁気的に分断される。これによっ
て、信号記録時において、磁束がコア部に収束し、大き
な記録磁界が発生することとなる。この結果、記録能力
が向上する。

【００２５】

【発明の効果】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて
は、下部コア層のコア部の幅によって、記録媒体上に形
成されるトラック幅を規定する構造を採用しており、該
構造を有する複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法において
は、下部コア層のコア部を高精度に形成することが出来
るので、正確なトラック幅が得られ、歩留まりの高い製
造が可能となる。又、本発明の複合型薄膜磁気ヘッド及
びその製造方法においては、下部コア層のコア部の表面
が平面に形成されるので、記録パターンに歪みが発生し
ない。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の２つの実施の形態
につき、図面に沿って具体的に説明する。第１実施例 本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドは、図６に示す如く、
ヘッドスライダーとなる基板(１)の表面に空気ベアリン
グ面Ｓを形成すると共に、その側面に、信号記録用の誘
導型ヘッド素子Ｈ１と、信号再生用のＭＲヘッド素子Ｈ
２とを具えている。

【００２７】誘導型ヘッド素子Ｈ１は、上部コア層(９)
を包囲して伸びるコイル層(11)を具え、該コイル層(11)
の両端部は、一対のターミナル層(12)(12)を経て、一対
のバンプ層(13)(13)へ接続されている。一方、ＭＲヘッ
ド素子Ｈ２は、ＭＲ素子層(図示省略)から伸びる一対の
電極層(５)(５)が、一対のターミナル層(12)(12)を経て
一対のバンプ層(13)(13)へ接続されている。又、電極層
(５)及びターミナル層(12)は、両ヘッド素子Ｈ１及びＨ
２と共に保護層(14)によって覆われており、バンプ層(1
3)は、保護層(14)を貫通して、表面が保護層(14)から露
出している。

【００２８】図１は、本実施例の複合型薄膜磁気ヘッド
の記録媒体に対して平行な断面を表わしている。図示の
如く、Ａl₂Ｏ₃−ＴiＣからなる基板(１)上に、ＭＲヘッ
ド素子Ｈ２として、下部シールド層(２)が形成され、該
下部シールド層(２)上に、下部絶縁層(３)を介してＭＲ
素子層(４)及び電極層(５)(５)が形成されている。又、
ＭＲ素子層(４)及び電極層(５)(５)を覆って上部絶縁層
(31)が形成されている。上部絶縁層(31)上には、誘導型
ヘッド素子Ｈ１として、下部コア層(８)が形成されてい
る。該下部コア層(８)は、ＭＲヘッド素子Ｈ２側に形成
された幅広のシールド部(8a)と、その反対側に形成され
た細幅のコア部(8b)とから構成され、該コア部(8b)は、
記録媒体と対向すべき媒体対向面の近傍にて記録媒体上
のトラック幅と同一幅を有している。ここで、下部コア
層(８)は、誘導型ヘッド素子Ｈ１の磁気コアとしての機
能を発揮すると同時に、誘導型ヘッド素子Ｈ１とＭＲヘ
ッド素子Ｈ２の間の磁気シールドとしての機能を兼ね具
えている。

【００２９】更に、下部コア層(８)は、絶縁層(32)によ
って包囲され、該絶縁層(32)の表面と前記下部コア層
(８)のコア部(8b)の表面は夫々平面に形成されて、互い
に同一の平面上に揃っている。該平面上には、ギャップ
スペーサ層(33)が形成され、ギャップスペーサ層(33)上
には、媒体対向面の近傍にて前記コア部(8b)よりも大き
な幅を有する上部コア層(９)が形成されている。

【００３０】該複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程におい
ては、Ａl₂Ｏ₃−ＴiＯからなる基板(１)上に、先ず、Ｍ
Ｒヘッド素子Ｈ２として、下部シールド層(２)、Ａl₂Ｏ
₃等からなる下部絶縁層(３)、ＭＲ素子層(４)、電極層
(５)(５)及びＡl₂Ｏ₃等からなる上部絶縁層(31)を順次
形成する。ここまでの工程は従来と同一である。

【００３１】図７乃至図１０は、上部絶縁層(31)の形成
後、保護層(14)を形成するまでの具体的な工程を示して
いる。図７(ａ)の如く、基板(１)上には、下部シールド
層(２)、下部絶縁層(３)、ＭＲ素子層(４)、電極層(５)
(５)及び上部絶縁層(31)が順次形成されている。先ず、
上部絶縁層(31)の全表面に、スパッタリングによって、
磁性層(６)を成膜する。ここで、上部絶縁層(31)の表面
に、記録媒体に垂直な断面にて段差部が形成されていな
いので、段差部による厚さの増加は不要である。該磁性
層(６)は、従来、よく用いられているＮiＦeに加え、高
飽和磁束密度、高透磁率の磁性材料、例えばＦeＺrＮ等
のＦe系窒化物、ＦeＴaＣ等のＦe系炭化物、ＦeＳi、Ｃ
oＺr系非晶質、ＦeＡlＳi、或いはＦeＮiＳi等から形成
される。

【００３２】次に同図(ｂ)の如く、磁性層(６)の全表面
に、レジスト(70)を塗布する。ここで、上述の如く、磁
性層(６)の膜厚が大きくなることはなく、後のエッチン
グ工程においては、該磁性層(６)の上層部のみにイオン
ビームエッチングを施すので、エッチングの深さは浅
い。従って、レジスト(70)を薄く塗布することが可能で
ある。その後、露光及び現像処理を施して、同図(ｃ)の
如く、レジスト(70)をトラック幅と同一幅の平面形状を
有するレジスト層(７)に成形するのであるが、前述の如
くレジスト(70)の膜厚が小さいので、所定形状のレジス
ト層(７)を得ることが出来る。又、上部絶縁層(31)の表
面に、記録媒体に垂直な断面にて段差部が形成されてい
ないので、レジスト(70)の膜厚は均一であり、露光工程
におけるハレーションの発生が防止され、所定形状のレ
ジスト層(７)を得ることが出来る。そして、磁性層(６)
及びレジスト層(７)の表面にイオンビームエッチングを
施して、レジスト層(７)の外周縁よりも外側に拡がる磁
性層(６)の上層部を削り取り、同図(ｄ)の如く、磁性層
(６)の上層部をコア部(8b)に成形した後、超音波洗浄を
施して、図８(ａ)の如く前記レジスト層(７)を除去す
る。ここで、前述の如くレジスト層(７)は所定形状に形
成されているので、所期の幅、即ちトラック幅と同一幅
を有するコア部(8b)を得ることが出来る。

【００３３】続いて、同様に、コア部(8b)及び磁性層(6
1)の全表面に、レジストを塗布し(図示省略)、該レジス
トに露光現像処理を施すことによって、同図(ｂ)の如
く、レジストを前記コア部の幅よりも大きな幅の平面形
状を有するレジスト層(71)に成形する。そして、磁性層
(61)及びレジスト層(71)の表面にイオンビームエッチン
グ或いはウエットエッチングを施して、同図(ｃ)の如
く、磁性層(61)の下層部をシールド部(8a)に成形した
後、超音波洗浄を施して、同図(ｄ)の如く前記レジスト
層(71)を除去する。この結果、トラック幅と同一幅を有
するコア部(8b)と、該コア部(8b)よりも大きな幅を有す
るシールド部(8a)とを具えた下部コア層(８)が形成され
ることとなる。

【００３４】更に、上部絶縁層(31)及び下部コア層(８)
を覆って、スパッタリングにより、図９(ａ)の如くＡl₂
Ｏ₃等からなる絶縁層(32)を成膜する。ここで、該絶縁
層(32)は、少なくともコア部(8b)よりも厚く成膜され
る。次に、絶縁層(32)の表面に研磨を施して、同図(ｂ)
の如く、コア部(8b)の表面を絶縁層(32)から露出させ、
コア部(8b)の表面と絶縁層(32)の表面を夫々平面に形成
して、互いに同一平面上に揃える。

【００３５】続いて、コア部(8b)及び絶縁層(32)の表面
に、スパッタリングによって、同図(ｃ)の如くギャップ
スペーサ層(33)を成膜した後、ギャップスペーサ層(33)
の全表面に、スパッタリングによって、同図(ｄ)の如く
磁性層(62)を成膜する。

【００３６】その後、磁性層(62)の全表面にレジストを
塗布し(図示省略)、該レジストに露光及び現像処理を施
して、図１０(ａ)の如く、レジストを前記コア部(8b)の
幅よりも大きい幅の平面形状を有するレジスト層(72)に
成形する。次に、磁性層(62)及びレジスト層(72)の表面
にイオンビームエッチングを施して、同図(ｂ)の如く、
磁性層(62)を上部コア層(９)に成形した後、超音波洗浄
によって、同図(ｃ)の如く前記レジスト層(72)を除去す
る。この結果、前記コア部(8b)よりも大きな幅を有する
上部コア層(９)が得られる。

【００３７】その後、周知の工程により、ターミナル層
及びバンプ層を形成した後、スパッタリングによって、
同図(ｄ)の如く、保護層(14)を成膜する。最後に、該保
護層(14)の表面に研磨を施して、バンプ層を露出させ、
該露出面に、金メッキを施してワイヤボンディングのた
めのパッド層を形成し、複合型薄膜磁気ヘッドを完成す
る。

【００３８】本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて
は、上部コア層(９)の幅を下部コア層(８)のコア部(8b)
の幅よりも大きな幅に形成することによって、コア部(8
b)の幅により記録媒体上のトラック幅を規定する。該下
部コア層(８)のコア部(8b)の幅は、上述の如く所期の幅
に形成される。この結果、正確なトラック幅を得ること
が出来、歩留まりの高い製造が可能となる。又、下部コ
ア層(８)のコア部(8b)の幅によってトラック幅を規定す
るので、上部コア層形成工程にて形成された上部コア層
(９)の幅に多少の誤差が生じたとしても、問題にはなら
ない。更に、本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて
は、下部コア層(８)のコア部(8b)の表面が平面に形成さ
れているので、記録パターンに歪みが発生しない。

【００３９】第２実施例 本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの構造は、誘導型ヘッ
ド素子Ｈ１を除いて図６に示す第１実施例と同一である
ので、その全体構成についての説明は省略する。図４
は、本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対し
て平行な断面を表わしている。図示の如く、Ａl₂Ｏ₃−
ＴiＣからなる基板(１)上に、ＭＲヘッド素子Ｈ２とし
て、下部シールド層(２)が形成されている。又、該下部
シールド層(２)上に、下部絶縁層(３)を介してＭＲ素子
層(４)及び電極層(５)(５)が形成され、ＭＲ素子層(４)
及び電極層(５)(５)を覆って上部絶縁層(31)が形成され
ている。

【００４０】上部絶縁層(31)上には、誘導型ヘッド素子
Ｈ１として、下部コア層(85)が形成されている。該下部
コア層(85)は、ＭＲヘッド素子Ｈ２側に形成された幅広
のシールド部(85a)と、その反対側に形成された細幅の
コア部(85b)とから構成され、該コア部(85b)は、記録媒
体と対向すべき媒体対向面の近傍にて記録媒体上のトラ
ック幅と同一幅に形成されている。ここで、下部コア層
(85)は、誘導型ヘッド素子Ｈ１の磁気コアとしての機能
を発揮すると同時に、誘導型ヘッド素子Ｈ１とＭＲヘッ
ド素子Ｈ２の間の磁気シールドとしての機能を兼ね具え
ている。

【００４１】更に、下部コア層(85)は、絶縁層(32)によ
って包囲され、該絶縁層(32)の表面と前記下部コア層(8
5)のコア部(85b)の表面は夫々平面に形成されて、コア
部(85b)の表面が絶縁層(32)の表面よりも低く形成され
ている。該コア部(85b)及び絶縁層(32)の上面には、ギ
ャップスペーサ層(34)が形成され、ギャップスペーサ層
(34)の表面には、コア部(85b)の幅と同一幅の平面形状
を有する凹部が形成されている。該ギャップスペーサ層
(34)上には、上部コア層(92)が形成されており、該上部
コア層(92)は、下部コア層(85)側に、前記凹部に応じた
平面形状を有する下層部(92a)と、その反対側に、該下
層部(92a)の幅よりも大きな幅を有する上層部(92b)とか
ら構成されている。

【００４２】該複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程におい
て、上部絶縁層形成工程までは従来と同一であり、下部
コア層形成工程は図７及び図８に示す第１実施例と同一
である。

【００４３】図１１及び図１２は、下部コア層形成後、
保護層(14)を形成するまでの具体的な工程を示してい
る。図１１(ａ)の如く、基板(１)上には、下部シールド
層(２)、下部絶縁層(３)、ＭＲ素子層(４)、電極層(５)
(５)、上部絶縁層(31)及び下部コア層(85)が順次形成さ
れている。先ず、上部絶縁層(31)及び下部コア層(85)を
覆って、スパッタリングにより、Ａl₂Ｏ₃等からなる絶
縁層(32)を成膜する。ここで、該絶縁層(32)は、少なく
ともコア部(85b)よりも厚く成膜される。次に、絶縁層
(32)の表面に研磨を施して、同図(ｂ)の如く、コア部(8
5b)の表面を絶縁層(32)から露出させ、コア部(85b)の表
面と絶縁層(32)の表面を夫々平面に形成して、互いに同
一平面上に揃える。

【００４４】そして、コア部(85b)及び絶縁層(32)の表
面に、イオンビームエッチング或いはウエットエッチン
グを施す。イオンビームエッチングにおいては、コア部
(85b)及び絶縁層(32)の表面に、コア部(85b)を形成する
物質に対するエッチング速度が、絶縁層(32)を形成する
物質に対するエッチング速度よりも速いイオンビームを
照射することによって、コア部(85b)の表面を絶縁層(3
2)の表面よりも速い速度でエッチングする。又、ウエッ
トエッチングにおいては、コア部(85b)及び絶縁層(32)
を、コア部(85b)を形成する物質と絶縁層(32)を形成す
る物質の選択性を有する水溶液に浸すことによって、コ
ア部(85b)の表面のみをエッチングする。この様にし
て、同図(ｃ)の如く、コア部(85b)の表面を絶縁層(32)
の表面よりも低くする。

【００４５】次に、コア部(85b)及び絶縁層(32)の表面
に、スパッタリングによって、同図(ｄ)の如く、ギャッ
プスペーサ層(34)を成膜する。ここで、前述の如くコア
部(85b)の表面が絶縁層(32)の表面よりも低く形成され
ているので、ギャップスペーサ層(34)の表面には、コア
部(85b)の幅と同一幅の平面形状を有する凹部(34a)が形
成される。そして、ギャップスペーサ層(34)の全表面
に、スパッタリングによって、同図(ｅ)の如く磁性層(6
3)を成膜する。この際、ギャップスペーサ層(34)の表面
には、前述の如く凹部(34a)が形成されているので、磁
性層(63)は該凹部(34a)に応じた形状に形成される。

【００４６】その後、磁性層(63)の全表面にレジストを
塗布し(図示省略)、該レジストに露光及び現像処理を施
して、図１２(ａ)の如く、レジストを前記コア部(85b)
の幅よりも大きい幅の平面形状を有するレジスト層(73)
に成形する。次に、磁性層(63)及びレジスト層(73)の表
面にイオンビームエッチングを施して、同図(ｂ)の如
く、磁性層(63)を上部コア層(92)に成形した後、超音波
洗浄によって、同図(ｃ)の如く前記レジスト層(73)を除
去する。ここで、磁性層(63)が凹部(34a)に応じた形状
に形成されているので、下部コア層(85)側に、コア部(8
5b)の幅と同一幅の下層部(92a)を具えた上部コア層(92)
が形成されることとなる。

【００４７】その後、周知の工程により、ターミナル層
及びバンプ層を形成した後、スパッタリングによって、
同図(ｄ)の如く、保護層(14)を成膜する。最後に、該保
護層(14)の表面に研磨を施して、バンプ層を露出させ、
該露出面に、金メッキを施してワイヤボンディングのた
めのパッド層を形成し、複合型薄膜磁気ヘッドを完成す
る。

【００４８】本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて
は、上部コア層(92)の下層部(92a)の幅がトラック幅を
規定すべき下部コア層(85)のコア部(85b)の幅と同一幅
に形成されるので、ギャップスペーサ層(34)からの漏れ
磁束がコア部(85b)の両側へ広がり難くなって、記録に
じみが抑制される。

【００４９】上記実施の形態の説明は、本発明を説明す
るためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を
限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許
請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能で
あることは勿論である。

【００５０】例えば、第１実施例において、上記上部コ
ア層(９)の代わりに、図２に示す如く、下部コア層(８)
のコア部(8b)の幅と同一幅、即ちトラック幅を有する上
部コア層(91)を形成することも可能である。この場合、
図１０(ａ)に示すレジスト層形成工程にて、下部コア層
(８)のコア部(8b)の幅と同一幅の平面形状を有するレジ
スト層を形成する。該複合型薄膜磁気ヘッドにおいて
は、上部コア層(91)の幅がトラック幅を規定すべき下部
コア層(８)のコア部(8b)の幅と同一幅に形成されるの
で、ギャップスペーサ層(33)からの漏れ磁束がコア部(8
b)の両側へ広がり難くなって、記録にじみが抑制され
る。

【００５１】又、第１及び第２実施例において、上記下
部コア層(８)(85)の代わりに、図３及び図５に示す如
く、シールド部(81)(86)とコア部(83)(88)の間に非磁性
膜(82)(87)が介在する下部コア層(84)(89)を形成するこ
とも可能である。この場合、図７(ａ)に示す磁性層形成
工程において、磁性層として、磁性膜、非磁性膜及び磁
性膜を順次成膜する。磁性膜は、従来、よく用いられて
いるＮiＦeに加え、高飽和磁束密度、高透磁率の磁性材
料、例えばＦeＺrＮ等のＦe系窒化物、ＦeＴaＣ等のＦe
系炭化物、ＦeＳi、ＣoＺr系非晶質、ＦeＡlＳi、或い
はＦeＮiＳi等から形成される。一方、非磁性膜は、Ａl
₂Ｏ₃、ＳiＯ₂等の絶縁材料、或いはＴi、Ｔa、Ｎb、
Ｗ、Ｃr等の非磁性金属から、１００〜２０００Åの厚
さに形成される。該複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、
下部コア層(84)(89)のシールド部(81)(86)とコア部(83)
(88)の間に非磁性膜(82)(87)が介在しているので、シー
ルド部(81)(86)とコア部(83)(88)は磁気的に分断され
る。これによって、信号記録時において、磁束がコア部
(83)(88)に収束し、大きな記録磁界が発生することとな
る。この結果、記録能力が向上する。

【００５２】又、第１及び第２実施例において、下部コ
ア層(８)(85)のコア部(8b)(85b)のみを高飽和磁束密
度、高透磁率の磁性材料、例えばＦeＺrＮ等のＦe系窒
化物、ＦeＴaＣ等のＦe系炭化物、ＦeＳi、ＣoＺr系非
晶質、ＦeＡlＳi、或いはＦeＮiＳi等から形成すること
も可能である。該複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、少
なくとも、磁気コアとして機能するコア部のみを上記磁
性材料から形成することによって、コア部の磁気飽和が
抑制され、ギャップスペーサ層からの漏れ磁束がコア部
の両側へ広がることを阻止することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体
に平行な断面図である。

【図２】第１実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの変形例を
示す同上の断面図である。

【図３】第１実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの他の変形
例を示す同上の断面図である。

【図４】第２実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体
に平行な断面図である。

【図５】第２実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの変形例を
示す同上の断面図である。

【図６】複合型薄膜磁気ヘッドの外観を示す斜視図であ
る。

【図７】第１及び第２実施例における下部コア層形成工
程の前半を示す工程図である。

【図８】同上工程の後半を示す工程図である。

【図９】第１実施例における上部コア層形成工程の前半
を示す工程図である。

【図１０】同上工程の後半を示す工程図である。

【図１１】第２実施例における上部コア層形成工程の前
半を示す工程図である。

【図１２】同上工程の後半を示す工程図である。

【図１３】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体に平
行な断面図である。

【図１４】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体に垂
直な断面図である。

【図１５】従来の上部コア層形成工程の前半を示す工程
図である。

【図１６】同上工程の後半を示す工程図である。

【符号の説明】

(１) 基板 (14) 保護層 (２) 下部シールド層 (３) 下部絶縁層 (31) 上部絶縁層 (32) 絶縁層 (33) ギャップスペーサ層 (４) ＭＲ素子層 (５) 電極層 (８) 下部コア層 (９) 上部コア層

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に磁気抵抗効果型ヘッド素子と誘
   導型ヘッド素子を積層して形成されている複合型薄膜磁
   気ヘッドにおいて、誘導型ヘッド素子は、ギャップスペ
   ーサ層を挟んで磁気抵抗効果型ヘッド素子側に下部コア
   層、その反対側に上部コア層を配置し、下部コア層は、
   上部コア層側に形成されて少なくとも記録媒体と対向す
   べき媒体対向面の近傍にて記録媒体上のトラック幅に応
   じた幅を有するコア部と、磁気抵抗効果型ヘッド素子側
   に形成されて少なくとも媒体対向面の近傍にてコア部よ
   りも大きな幅を有するシールド部とを具え、上部コア層
   は、少なくとも媒体対向面の近傍にて前記コア部よりも
   大きな幅を有していることを特徴とする複合型薄膜磁気
   ヘッド。
2. 【請求項２】 前記下部コア層は、絶縁層によって包囲
   され、該絶縁層の表面と前記下部コア層のコア部の表面
   は夫々平面に形成されて、互いに同一の平面上に揃って
   いる請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記上部コア層は、下部コア層側に、少
   なくとも媒体対向面の近傍にて前記下部コア層のコア部
   と同一幅を有する下層部を具えている請求項１に記載の
   複合型薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 基板上に磁気抵抗効果型ヘッド素子と誘
   導型ヘッド素子を積層して形成されている複合型薄膜磁
   気ヘッドにおいて、誘導型ヘッド素子は、ギャップスペ
   ーサ層を挟んで磁気抵抗効果型ヘッド素子側に下部コア
   層、その反対側に上部コア層を配置し、下部コア層は、
   上部コア層側に形成されて少なくとも記録媒体と対向す
   べき媒体対向面の近傍にて記録媒体上のトラック幅に応
   じた幅を有するコア部と、磁気抵抗効果型ヘッド素子側
   に形成されて少なくとも媒体対向面の近傍にてコア部よ
   りも大きな幅を有するシールド部とを具えると共に、コ
   ア部及びシールド部が絶縁層によって包囲され、該絶縁
   層の表面と前記下部コア層のコア部の表面は夫々平面に
   形成され、互いに同一の平面上に揃っていることを特徴
   とする複合型薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 下部コア層のシールド部とコア部の間
   に、非磁性膜が介在している請求項１乃至請求項４の何
   れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 基板上に磁気抵抗効果素子層を覆って上
   部絶縁層を形成する第１工程と、上部絶縁層上に下部コ
   ア層を形成する第２工程と、下部コア層上にギャップス
   ペーサ層を形成する第３工程と、ギャップスペーサ層上
   に上部コア層を形成する第４工程とを具えた複合型薄膜
   磁気ヘッドの製造方法において、前記第２工程は、 上部絶縁層の表面に下部コア層となる磁性層を形成する
   工程と、 磁性層の表面をレジストによって覆う工程と、 前記レジストをトラック幅と同一幅の平面形状を有する
   レジスト層に成形する工程と、 レジスト層を介して前記磁性層にイオンビームエッチン
   グを施して、前記磁性層の上層部を記録媒体上のトラッ
   ク幅に応じた幅を有するコア部に成形し、該コア部を具
   えた下部コア層を形成する工程と、 前記レジスト層を除去する工程とを具え、前記第４工程
   は、 ギャップスペーサ層の表面に上部コア層となる磁性層を
   形成する工程と、 磁性層の表面をレジストによって覆う工程と、 前記レジストを下部コア層のコア部よりもトラック幅方
   向の幅が大きい平面形状を有するレジスト層に成形する
   工程と、 レジスト層を介して前記磁性層にイオンビームエッチン
   グを施して、前記磁性層を上部コア層に成形する工程
   と、 前記レジスト層を除去する工程とを具えていることを特
   徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
7. 【請求項７】 前記第３工程は、 下部コア層の表面を覆って絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層の表面及び下部コア層のコア部の表面に平面
   加工を施して、前記絶縁層の表面と下部コア層のコア部
   の表面を同一平面に揃える工程と、 平面加工の施された下部コア層のコア部及び絶縁層の表
   面にギャップスペーサ層を形成する工程とから構成され
   る請求項６に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
8. 【請求項８】 前記第３工程は、 下部コア層の表面を覆って絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層の表面及び下部コア層のコア部の表面に平面
   加工を施して、前記絶縁層の表面と下部コア層のコア部
   の表面を同一平面に揃える工程と、 下部コア層のコア部及び絶縁層の表面に対し、選択性を
   有するエッチングを施して、コア部の表面を絶縁層の表
   面よりも低く加工する工程と、 下部コア層のコア部及び絶縁層の表面にギャップスペー
   サ層を形成する工程とから構成される請求項６に記載の
   複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
9. 【請求項９】 基板上に磁気抵抗効果素子層を覆って上
   部絶縁層を形成する第１工程と、上部絶縁層上に下部コ
   ア層を形成する第２工程と、下部コア層上にギャップス
   ペーサ層を形成する第３工程と、ギャップスペーサ層上
   に上部コア層を形成する第４工程とを具えた複合型薄膜
   磁気ヘッドの製造方法において、前記第２工程は、 上部絶縁層の表面に下部コア層となる磁性層を形成する
   工程と、 磁性層の表面をレジストによって覆う工程と、 前記レジストをトラック幅と同一幅の平面形状を有する
   レジスト層に成形する工程と、 レジスト層を介して前記磁性層にイオンビームエッチン
   グを施して、前記磁性層の上層部を記録媒体上のトラッ
   ク幅に応じた幅を有するコア部に成形し、該コア部を具
   えた下部コア層を形成する工程と、 前記レジスト層を除去する工程とを具え、前記第３工程
   は、 下部コア層の表面を覆って絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層の表面及び下部コア層のコア部の表面に平面
   加工を施して、前記絶縁層の表面と下部コア層のコア部
   の表面を同一平面に揃える工程と、 平面加工の施された下部コア層のコア部及び絶縁層の表
   面にギャップスペーサ層を形成する工程とから構成され
   ていることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
   法。