JPH0930998A - m−置換−α−ヒドロキシメチルスチレン誘導体の製造法および3−クロロ−α−ブロモスチレン - Google Patents
m−置換−α−ヒドロキシメチルスチレン誘導体の製造法および3−クロロ−α−ブロモスチレンInfo
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Abstract
換−α−ヒロキシメチルスチレン誘導体を高収率で製造
する方法を提供する。 【構成】 3−クロロ−α−ブロモスチレン、および下
記一般式(2) 【化1】 で表されるm−置換−α−ブロモスチレン誘導体に金属
マグネシウムを反応させて、下記一般式(3) 【化2】 で表されるグリニャール試薬を得、次いで当該グリニャ
ール試薬をホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデ
ヒドと反応させることを特徴とする下記一般式(4) 【化3】 (上記式(2)〜(4)中、R1 は塩素原子、フッ素原
子、トリフルオロメチル基、炭素数1〜10のアルキル
基または炭素数1〜10のアルコキシル基を示す)で表
されるm−置換−α−ヒドロキシメチルスチレン誘導体
の製造法。
Description
に除草剤の中間体として有用なm−置換−α−ヒドロキ
シメチルスチレン誘導体の製造法に関する。
置換−α−ヒドロキシメチルスチレン誘導体、それらの
中で特に3−クロローα−ヒロキシメチルスチレンは、
特開平2−304043号公報に記載されている除草剤
の中間体として有用な化合物である。従来、3−クロロ
−(α−ヒドロキシメチル)スチレンの製造法として
は、テトラヒドロフラン中、1,3−ジクロロベンゼン
とマグネシウムからグリニャール試薬を得、当該グリニ
ャール試薬をさらにプロパルギルアルコールと、触媒量
のヨウ化銅存在下反応させる製造法が知られている。し
かしながら、上記製造法は収率が60%程度と低く、プ
ロパルギルアルコールに対し2当量以上のグリニャール
試薬が必要であるいった問題点があった。
を解決するために鋭意検討した結果、m−置換−α−ブ
ロモスチレン誘導体に金属マグネシウムを反応させてグ
リニヤール試薬とした後にホルムアルデヒド類を反応さ
せることにより高収率でm−置換−α−ヒドロキシメチ
ルスチレン誘導体が得られることを見いだし、本発明を
完成するに至った。すなわち、本発明の要旨は、下記式
(1)の3−クロロ−α−ブロモスチレン
ロメチル基、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜
10のアルコキシル基を示す)で表されるm−置換−α
−ブロモスチレン誘導体に金属マグネシウムを反応させ
て、下記一般式(3)
一の意義を有す)で表されるグリニャール試薬を得、次
いで当該グリニャール試薬をホルムアルデヒドあるいは
パラホルムアルデヒドと反応させることを特徴とする下
記一般式(4)
の意義を有す)で表されるm−置換−α−ヒドロキシメ
チルスチレン誘導体の製造法、および上記反応で出発原
料として用いられる下記式(2)で表されるm−置換−
α−ブロモスチレン誘導体の製造法に存する。
式(2)、(3)および(4)において、R1 は塩素原
子;フッ素原子;トリフロオロメチル基;メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、iso-プロ
ピル基、tert- ブチル基等の直鎖状またはこれらの基を
側鎖に有する分岐状の炭素数1〜10のアルキル基;メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、iso-プロポキシ
基、tert- ブトキシ基等の炭素数1〜10のアルコキシ
基を示す。これらの中でR1 としては塩素原子が最も好
ましい。本発明では、下記一般式(2)
義を有す)で表されるm−置換−α−ブロモスチレン誘
導体に対し、常法に従って金属マグネシウムを反応させ
て、下記一般式(3)
義を有す)で表されるグリニャール試薬を得、次いで当
該グリニャール試薬をホルムアルデヒドあるいはパラホ
ルムアルデヒドと反応させることにより、下記一般式
(4)
義を有す)で表されるm−置換−α−ヒドロキシメチル
スチレン誘導体を製造する。
スチレン誘導体の製造法において、金属マグネシウムは
m−置換−α−ブロモスチレンに対し、通常50〜15
0モル%、好ましくは80〜120モル%用いる。反応
は、通常溶媒を用いて行われ、用いる溶媒としては、ジ
エチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテ
ル等のエーテル系溶媒が好適である。溶媒の使用量は、
上記一般式(2)のm−置換−α−ブロモスチレンに対
して、通常1〜100倍量(重量)、好ましくは1〜1
5倍量である。
−α−ブロモスチレンをエーテル系溶媒とマグネシウム
の混合物中に徐々に滴下し、通常0〜100℃、好まし
くは20〜70℃で、滴下終了後5分〜2時間、マグネ
シウムと反応させる。反応の際、少量のヨウ素、ジブロ
ムエタン等を共存させてもよい。反応終了後、室温で放
置して反応を完結させた後、次いで得られたグリニャー
ル試薬にホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒ
ドを加え反応させる。ホルムアルデヒドあるいはパラホ
ルムアルデヒドの使用量は特に制限されるものではない
が、前記一般式(2)のm−置換−α−ブロモスチレン
に対して、50〜200モル%用いるのが良い。グリニ
ャール試薬とホルムアルデヒドあるいはパラホルムアル
デヒドとの反応における反応温度は、通常−10〜15
0℃、好ましくは0〜80℃の範囲で実施される。反応
終了後、反応液を酸性とし、有機溶媒と接触させ抽出を
行い、蒸留、カラムクロマトグラフィー等を行うことに
より、m−置換−α−ヒドロキシメチルスチレンを容易
に単離精製することができる。使用できる有機溶媒とし
ては、例えば、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、
酢酸エチル等のエステル系溶媒、ヘキサン等の脂肪族炭
化水素系溶媒、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒が挙
げられる。
スチレンの製造法において、原料として使用される、前
記一般式(2)のm−置換−α−ブロモスチレン誘導体
は、例えば、以下の3種の工業的に有利な方法によって
容易に製造することができる。すなわち、下記一般式
(7)
で表されるm−置換−α,β−ジブロモエチルベンゼン
誘導体に塩基を作用させることにより、前記一般式
(2)のm−置換−α−ブロモスチレン誘導体を製造す
ることができる。この脱臭化水素反応に用いられる塩基
としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カ
リウム、炭酸カルシウム等の無機塩基および、トリエチ
ルアミン、1,8−ジアザビシクロ[5・4・0]−7
−ウンデセン(DBU)、ピリジン等の有機塩基等が挙
げられる。反応に用いられる溶媒には特に制限は無く、
無溶媒あるいはヘキサン、ベンゼン等の炭化水素系溶
媒、メタノール、エタノール等のアルコール系溶媒、ジ
エチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶
媒等が用いられる。脱臭化水素反応は通常0〜120℃
で、5〜2時間行われる。
β−ジブロモエチルベンゼン誘導体は、m−置換−スチ
レン誘導体に臭素を反応させることにより、容易に製造
することができる。また、下記一般式(8)
で表されるm−置換−α−ジブロモエチルベンゼン誘導
体に塩基を作用させることにより式(2)のm−置換−
α−ブロモスチレン誘導体を製造することができる。こ
の脱臭化水素反応に用いられる塩基としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシ
ウム等の無機塩基および、トリエチルアミン、DBU、
ピリジン等の有機塩基等が挙げられる。反応に用いられ
る溶媒に特に制限はなく、無溶媒あるいはヘキサン、ベ
ンゼン等の炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール等
のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン等のエーテル系溶媒等が用いられる。本反応は、
通常0〜120℃で、5分〜2時間行われる。
ジブロモエチルベンゼン誘導体は、m−置換−エチルベ
ンゼン誘導体に適当なラジカル開始剤の存在下(例え
ば、光照射あるいは触媒量の過酸化物存在下)で臭素を
反応させることにより、容易に製造することができる。
さらに、下記式(9)
で表されるm−置換−アセトフェノン誘導体に三臭化リ
ンを作用させることにより式(2)のm−置換−α−ブ
ロモスチレン誘導体を製造することができる。この反応
は、無溶媒あるいは有機酸溶媒下で行われ、使用される
有機酸としては、例えば、酢酸、メタンスルホン酸、ト
リクロロ酢酸等が用いられる。溶媒の使用量は、特に制
限されるものではないが、通常0〜100倍量(重
量)、好ましくは0〜10倍量がとする。本反応に用い
られる三臭化リンの使用量は、式(9)のm−置換−ア
セトフェノン誘導体に対し、通常50〜2000モル
%、好ましくは80〜1000モル%が適当である。反
応は、通常0〜200℃、好ましくは20〜150℃の
範囲で、30分〜5時間程度行う。
−ブロモスチレン誘導体においてR 1 が塩素原子である
化合物,ずなわち3−クロロ−α−ブロモスチレンは新
規化合物であり、上記と同様の方法により製造すること
ができる。以上の3つの方法によって製造された式
(2)のm−置換−α−ブロモスチレン誘導体は、いず
れも常法にて後処理を行い、蒸留あるいはカラムクロマ
トグラフィー等を行うことにより、容易に単離、精製す
ることができる。
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。 実施例1 3−クロロ−α−ヒドロキシメチルスチレン
の合成 マグネシウム0.44g、テトラヒドロフラン10ml
の混合物に少量のヨウ素を加え、次いで3−クロロ−α
−ブロモスチレン4.0gをテトラヒドロフラン10m
lに溶解した溶液を、20℃で5分間かけて滴下した。
滴下終了後、20℃で1時間撹拌した後、氷浴で冷却し
た反応混合物中にホルムアルデヒド約0.8gを吹き込
み、そのまま1時間さらに撹拌した。反応混合物を氷冷
下、10%塩酸水50mlを加えて酸性とし、氷冷下さ
らに30分間撹拌した後、ジエチルエーテル50mlで
2回抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し濃
縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて単離精
製したところ、3−クロロ−(α−ヒドロキシメチル)
スチレン3.5gを得た。その収率は3−クロロ−α−
ブロモスチレンに対し80.0%であった。
チルスチレンの合成 テトラヒドロフラン85ml、マグネシウム8.2gの
混合物中に1,3−ジクロロベンゼン5gと、少量のヨ
ウ素を加えた。反応が始まり次第、1,3−ジクロロベ
ンゼン45gを内温を60〜65℃に保ちながらプロパ
ルギルアルコール9.5gを滴下した。60℃にて30
分間反応した後、氷冷下、塩酸水を加えて反応系を酸性
にし、室温にて30分間撹拌した。不溶物を濾別した
後、濾液に酢酸エチル、飽和食塩水を加えて分液し、有
機層を無水硫酸ナトリウムにて乾燥し濃縮した。得られ
た残渣を蒸留にて生成したところ、3−クロロ−(α−
ヒドロキシメチル)スチレン17.1gを得た。その収
率はプロパルギルアルコールに対し59.7%であっ
た。
ンの合成 3−クロロ−α、β−ジブロモエチルベンゼン20gに
水酸化カリウム20gのエタノール溶液200mlを室
温で滴下し、滴下終了後、さらに室温で1時間撹拌し
た。反応終了後、反応液を氷冷水300mlに注ぎ、エ
ーテル200mlで抽出を行い、抽出液を無水硫酸ナト
リウムで乾燥し濃縮したところ、3−クロロ−α−ブロ
モスチレン3.5gを得た。
ンの合成 3−クロロ−α−ジブロモエチルベンゼン20gに水酸
化カリウム20gのエタノール溶液200mlを室温で
滴下し、滴下終了後、60℃で1時間撹拌した。反応終
了後、反応液を氷冷水300mlに注ぎ、エーテル20
0mlで抽出を行い、抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾
燥し濃縮したところ、3−クロロ−α−ブロモスチレン
3.5gを得た。
ンの合成 3−クロロアセトフェノン20gと酢酸100mlの溶
液に三臭化リン100gを室温で加え、次いで70℃に
昇温し、3時間反応させた。反応液をガスクロマトグラ
フィーにより分析、定量したところ、3−クロロ−α−
ブロモスチレンが35%(3−クロロアセトフェノンに
対する収率として)生成していた。
ンの合成 3−クロロアセトフェノン20gと酢酸100mlの溶
液に三臭化リン100gを室温で加え、次いで150℃
に昇温し、6時間反応させた。反応液をガスクロマトグ
ラフィーにより分析、定量したところ、3−クロロ−α
−ブロモスチレンが35%(3−クロロアセトフェノン
に対する収率として)生成していた。
ンは除草剤等の中間体として有用であり、また本発明の
製造法によれば、m−置換−α−ヒドロキシメチルスチ
レンを高収率で容易に得ることができ、本発明の工業的
価値は高い。
Claims (9)
- 【請求項1】 下記式(1)の3−クロロ−α−ブロモ
スチレン。 【化1】 - 【請求項2】 下記一般式(2) 【化2】 (上記式中、R1 は塩素原子、フッ素原子、トリフルオ
ロメチル基、炭素数1〜10のアルキル基または炭素数
1〜10のアルコキシル基を示す)で表されるm−置換
−α−ブロモスチレン誘導体に金属マグネシウムを反応
させて、下記一般式(3) 【化3】 (上記式中、R1 は式(2)の定義と同一の意義を有
す)で表されるグリニャール試薬を得、次いで当該グリ
ニャール試薬をホルムアルデヒドあるいはパラホルムア
ルデヒドと反応させることを特徴とする下記一般式
(4) 【化4】 (上記式中、R1 は式(2)の定義と同一の意義を有
す)で表されるm−置換α−ヒドロキシメチルスチレン
誘導体の製造法。 - 【請求項3】 請求項1記載の3−クロロ−α−ブロモ
スチレンに金属マグネシウムを反応させて、下記式
(5) 【化5】 のグリニャール試薬を得、次いで当該グリニャール試薬
をホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒドと反
応させることを特徴とする下記式(6) 【化6】 の3−クロロ−α−ヒドロキシメチルスチレンの製造
法。 - 【請求項4】 下記一般式(7) 【化7】 (上記式中、R1 は式(2)の定義と同一の意義を有
す)で表されるm−置換−α,β−ジブロモエチルベン
ゼン誘導体に塩基を作用させることを特徴とする下記一
般式(2) 【化8】 (上記式中、R1 は式(2)の定義と同一の意義を有
す)で表されるm−置換−α−ジブロモエチルベンゼン
誘導体の製造法。 - 【請求項5】 下記一般式(8) 【化9】 (上記式中、R1 は式(2)の定義と同一の意義を有
す)で表されるm−置換−α−ジブロモエチルベンゼン
誘導体に塩基を作用させることを特徴とする下記一般式
(2) 【化10】 (上記式中、R1 は式(2)の定義と同一の意義を有
す)で表されるm−置換−α−ジブロモエチルベンゼン
誘導体の製造法。 - 【請求項6】 下記一般式(9) 【化11】 (上記式中、R1 は式(2)の定義と同一の意義を有
す)で表されるm−置換−アセトフェノンに三臭化リン
を作用させること特徴とする下記一般式(2) 【化12】 (上記式中、R1 は式(2)の定義と同一の意義を有
す)で表されるm−置換−α−ジブロモエチルベンゼン
誘導体の製造法。 - 【請求項7】 下記式(10) 【化13】 の3−クロロ−α、β−ジブロモエチルベンゼンに塩基
を作用させることを特徴とする下記式(1) 【化14】 の3−クロロ−α−ブロモスチレンの製造法。 - 【請求項8】 下記式(11) 【化15】 の3−クロロ−α−ジブロモエチルベンゼンに塩基を作
用させることを特徴とする下記式(1) 【化16】 の3−クロロ−α−ブロモスチレンの製造法。 - 【請求項9】 下記式(12) 【化17】 の3−クロロ−アセトフェノンに三臭化リンを作用させ
ることを特徴とする下記式(1) 【化18】 の3−クロロ−α−ブロモスチレンの製造法。
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|---|---|---|---|
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| US08/683,772 US5841004A (en) | 1995-07-18 | 1996-07-17 | 3-substituted-α, β-dibromoethylbenzene and process for preparing the same |
| DE0754665T DE754665T1 (de) | 1995-07-18 | 1996-07-18 | 3-Substituierte Alpha-beta-dibromethylbenzol und Verfahrn zu deren Herstellung |
| EP96401598A EP0754665B1 (en) | 1995-07-18 | 1996-07-18 | 3-substituted-alpha,beta-dibromoethylbenzene and process for preparing the same |
| DE69611330T DE69611330D1 (de) | 1995-07-18 | 1996-07-18 | 3-Substituierte Alpha-beta-dibromethylbenzol und Verfahren zu deren Herstellung |
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|---|---|---|---|
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1995
- 1995-07-18 JP JP18172995A patent/JP3569877B2/ja not_active Expired - Fee Related
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