JPH09320010A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 インダクタンス値を大きくすることなく、磁
束が磁気ヘッド内をスムーズに通過できる磁気ヘッドを
提供する。 【解決手段】 磁気ヘッド3は、一面が開口したコイル
巻線溝15を有する第１突き合わせ半体1と、該コイル巻
線溝15の開口に対向し、第１突き合わせ半体1に接合さ
れるべき第２突き合わせ半体2とから成る。第１突き合
わせ半体1は、前記コイル巻線溝15が開設された第１コ
ア半体13の第２突き合わせ半体2との対向面上に、コイ
ル巻線溝15を挟んで上下にギャップスペーサ4、40と第
２強磁性薄膜12、12を成膜して形成される。第１コア半
体13は、強磁性体からなり、コイル巻線溝15が開設され
たコア半体部材14を具え、該コア半体部材14の第２突き
合わせ半体2との対向面上で、記録媒体との対向面側
に、第１強磁性薄膜11を成膜して成る。更に、第２突き
合わせ半体2の記録媒体との対向面は非磁性材にて形成
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクド
ライブ等の磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッド及
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ等の外部記憶装置としての
ハードディスクドライブに於いては、記録密度の向上が
求められており、それに使用される磁気ヘッドにも高抗
磁力の記録媒体に対応できる電磁変換特性、高周波の記
録再生信号に対応できるような低インダクタンス特性、
短波長の記録再生信号に対応できるギャップ長精度が要
求されている。このような動向に対応するために、以前
から一対のコア半体間に幅狭のギャップを形成し、各コ
ア半体のギャップとの突き合わせ面に、夫々強磁性の金
属薄膜を形成した所謂ＭＩＧ（Metal In Gap）型の磁気
ヘッドが提案されている（特公平７−７８８５３号参
照）。出願人はこのＭＩＧ型の磁気ヘッドを改良したも
のとして、以前第４９図に示すものを開示している(特
開平６−２５９７１８号参照)。

【０００３】これは、何れもＭn−Ｚnフェライト等の磁
性材から形成された一対の第１、第２コア半体(13)(52)
を、ＳiＯ2等からなる非磁性のギャップスペーサ(４)を
介して突き合わせてなり、上面が記録媒体たるハードデ
ィスクに対向する。第２コア半体(52)の両側面には、補
強ガラス(54)(54)の層が配備され、ハードディスクとの
対向面上である上面に形成された凹部(55)(55)によりギ
ャップ幅Ｗが定められている。ギャップ幅Ｗはハードデ
ィスク上のトラック幅に略等しく設けられている。

【０００４】第５０図は第４９図をＱ−Ｑ線で切断した
破断図である。第１コア半体(13)には前面が開口したコ
イル巻線溝(15)が開設され、第１コア半体(13)の前面で
コイル巻線溝(15)の上側には、斜め内向きに傾いた下地
面(19)が形成されている。該下地面(19)上には、第１コ
ア半体(13)の上面に臨出した垂直面(11a)と、該垂直面
(11a)の下端から連続し、下地面(19)に平行な傾斜面(11
b)とを一体に具えた第１強磁性薄膜(11)が形成されてい
る。第２コア半体(52)の第１強磁性薄膜(11)との対向面
上には、第２強磁性薄膜(12)が形成され、前記ギャップ
スペーサ(４)を介して、第１ガラス(16)により両コア半
体(13)(52)が接合されている。第１、第２強磁性薄膜(1
1)(12)は、何れもＦeＡlＳi系の合金からなり、ハード
ディスク記録再生時に磁束は、第２強磁性薄膜(12)、コ
ア半体(13)(52)、第１強磁性薄膜(11)を周回通過する。

【０００５】第５０図に於いて、ギャップスペーサ(４)
の厚みtをギャップ長、第１コア半体(13)上面から第１
強磁性薄膜(11)の傾斜面(11b)上端までの深さdをギャッ
プデプスと夫々呼ぶ。またギャップスペーサ(４)及びギ
ャップスペーサ(４)を挟む磁性材を、合わせてギャップ
部と呼ぶ。磁気ヘッド(３)にギャップスペーサ(４)を形
成するには、所謂突き合わせギャップ法と呼ばれる方法
が用いられる。突き合わせギャップ法とは、第５１図に
示すように、コア半体(13)(52)となるべき一対の基板
(6)(8)を用意し、両基板(６)(８)の突き合わせ面上に予
めギャップスペーサ(４)となる非磁性層を形成してお
き、両基板(６)(８)を加圧して突き合わせ、ギャップス
ペーサ(４)を形成する方法である。接合された両基板
(６)(８)をスライスして磁気ヘッド(３)を得る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記磁気ヘッドについ
て、出願人は以下の改良すべき点を発見した。 １. 従来の磁気ヘッド(３)では、第２コア半体(52)上の
ギャップ部から離れた箇所でも、ハードディスクとの対
向面に磁性材が露出している。しかし、かかる箇所の磁
性材は記録再生には不要であり、却って、磁気ヘッド
(３)のインダクタンスが大きくなる要因となっている。
また、磁束が第２コア半体(52)内をスムーズに通過する
為には、第２コア半体(52)内部の磁気抵抗は小さくする
必要がある。 ２. ギャップスペーサ(４)を形成する上記何れの方法に
しても、両基板(６)(８)を押圧する際に、基板(６)(８)
の長手方向の全ての箇所を均一に密着させて、押圧する
のは困難である。従って、接合された基板(６)(８)をス
ライスして、磁気ヘッド(３)を形成した際に、ギャップ
スペーサ(４)の厚み、即ちギャップ長tがバラ付く。ギ
ャップ長のバラ付きは、磁気特性に与える影響が大きい
ことは言うまでもない。 ３. ギャップデプスdの深さは、磁気特性に大きな影響
を与える。従って、磁気ヘッド(３)製造中に、ギャップ
デプスdを容易に確認できるのが望ましい。本発明の目
的は、インダクタンス値を大きくすることなく、磁束が
磁気ヘッド内をスムーズに通過できる磁気ヘッドを提供
することにある。本発明の更なる目的は、ギャップ長の
バラ付きを小さくし、量産時に磁気特性がバラ付かない
磁気ヘッドを提供することにある。本発明の更なる目的
は、製造工程に於いてギャップデプスを容易に確認でき
る磁気ヘッドを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決する為の手段】磁気ヘッドは、一面が開口
したコイル巻線溝(15)を有する第１突き合わせ半体(１)
と、該コイル巻線溝(15)の開口に対向し、第１突き合わ
せ半体(１)に接合させるべき第２突き合わせ半体(２)と
を具え、前記第１突き合わせ半体(１)は、第１コア半体
(13)の一部を構成し、強磁性材からなる第１コア半体部
材(14)と第１コア半体(13)の残部を構成する第１強磁性
薄膜(11)と、第２コア半体(52)の一部を構成する第２強
磁性薄膜(12)と、第１強磁性薄膜(11)と第２強磁性薄膜
(12)との間に介在するギャップスペーサ(４)とを具え、
前記ギャップスペーサ(４)は第１強磁性薄膜(11)及び該
第１強磁性薄膜(11)の内側に形成された第１ガラス(16)
の層上に形成され、第２突き合わせ半体(２)は、第２強
磁性薄膜(12)に接合して磁束の周回通過を許し、第２コ
ア半体(52)の残部を構成する磁性材部分を具え、第２突
き合わせ半体(２)の記録媒体との対向面は、非磁性材に
て形成されている。また、第２強磁性薄膜(12)は、第２
突き合わせ半体(２)に接合する幅広部(12b)を具え、該
幅広部(12b)は第１突き合わせ半体(１)の側面に露出し
ている。更に、磁気ヘッド(３)は、第１突き合わせ半体
(１)の一部となるべき強磁性の大基板(６)を用意し、該
大基板(６)上にトラック幅方向に直交する第１予備加工
溝(60)(60)及び該第１予備加工溝(60)に直交するデプス
エンド溝(61)を形成する工程と、該大基板(６)の上面全
体に第１強磁性薄膜(11)を被着し、その上に第１ガラス
(16)を充填し、上面を研削、研磨して、第１強磁性薄膜
(11)の断面を上面に露出させる工程と、大基板(６)の上
面に、ギャップスペーサ(４)となる非磁性薄膜と第２強
磁性薄膜(12)を重ねて成膜した後に、エッチング処理を
施し、記録媒体のトラック幅に略等しい幅狭部(４a)(12
a)と、幅狭部(４a)(12a)の内端に連続した幅広部(４b)
(12b)を一体に形成し、かつ第１強磁性薄膜(11)を幅狭
部(４a)(12a)と同じ幅に形成する工程を経て、形成され
る。

【０００８】

【作用及び効果】本発明は以下の効果を有する。 １、ハードディスクとの対向面側に第１強磁性薄膜(1
1)、ギャップスペーサ(４)及び第２強磁性薄膜(12)から
なるギャップ部が露出した第１突き合わせ半体(１)に、
記録媒体との対向面を非磁性材で形成した第２突き合わ
せ半体(２)が突き合わせ接合される。第２突き合わせ半
体(２)の記録媒体との対向面上には、記録再生に不要な
磁性材が露出していないから、磁気ヘッド(３)のインダ
クタンス値は小さくなり、磁気特性が改善される。 ２、第２強磁性薄膜(12)とギャップスペーサ(４)は何れ
もスパッタリング等による成膜の後に、第１強磁性薄膜
(11)を含めてエッチング等により形成される。従って、
ギャップスペーサ(４)の厚みであるギャップ長t及びギ
ャップ幅はバラ付きが少なく、磁気ヘッド(３)の磁気特
性のバラ付きは小さくなる。 ３、第２強磁性薄膜(12)を磁気ヘッド(３)の側面に露出
させると、磁気ヘッド(３)を製造中にギャップデプスを
容易に確認することができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係わる磁気ヘッ
ドについて説明する。従来と同一の構成については、同
一符号を用い、説明を省略する。以下に示す磁気ヘッド
は、何れもハードディスクドライブ装置に使用されるも
のであり、ハードディスクドライブ装置は、第４７図に
示す如く、装置本体(７)内に複数のハードディスク(71)
(71)を上下に並列して、図示しない回転機構により回転
している。各ハードディスク(71)に対応して、先端部に
磁気ヘッドスライダ(９)を取り付けたヘッド支持機構(7
2)が装置本体(７)内に配備されており、磁気ヘッドスラ
イダ(９)は、ハードディスク(71)の高速回転に起因する
空気圧によって、数１０nm浮上し、ハードディスク(71)
への信号の記録再生が行なわれる。磁気ヘッドスライダ
(９)は、第４８図に示すように、上面にエアベアリング
部(91)を有するスライダ本体(90)に、嵌合溝(92)を開設
し、該嵌合溝(92)に以下に示す各磁気ヘッド(３)を嵌め
込み固定して形成される。以下の各実施例に於ける磁気
ヘッド(３)は何れもＭＩＧ型の磁気ヘッド(３)であり、
ギャップの近傍の構造に特徴がある。

【００１０】(第１実施例)第１図は、磁気ヘッド(３)の
斜視図であり、第２図は第１図をＡ−Ａ線で切断した破
断図、第３Ａ、Ｂ図は、夫々磁気ヘッド(３)をＢ−Ｂ線
で切断した左、右側面図である。磁気ヘッド(３)は、前
面が開口したコイル巻線溝(15)を有する第１突き合わせ
半体(１)に、上面に非磁性材を露出させた第２突き合わ
せ半体(２)を突き合わせてなり、コイル巻線溝(15)を通
って第２突き合わせ半体(２)にコイル(31)が巻かれる。
従来と同様に、磁気ヘッド(３)の上面は記録媒体である
ハードディスクに対向する。第１突き合わせ半体(１)
は、コイル巻線溝(15)を有する第１コア半体(13)の前面
に、非磁性のギャップスペーサ(４)(40)及びＦｅＡｌＳ
i合金やＦeＴaＮ合金等からなる第２強磁性薄膜(12)の
層をスパッタリング等で形成して成る。ギャップスペー
サは、コイル巻線溝(15)を挟んで、上部に位置する対向
面側ギャップスペーサ(４)と、下部に位置する奥部側ギ
ャップスペーサ(40)とに分離している。

【００１１】第１コア半体(13)は、Ｍｎ−Ｚｎフェライ
ト等の強磁性体からなるコア半体部材(14)の上部から突
出した突部(10)の前面に、ＦｅＡｌＳi合金やＦeＴaＮ
合金等からなる第１強磁性薄膜(11)の層を形成したもの
である。突部(10)の両側には、第１ガラス(16)が充填さ
れる切欠き(18)(18)が形成されている。該突部(10)の先
端面は、斜め内向きに傾き、該先端面上に形成された第
１強磁性薄膜(11)は、上端がハードディスクとの対向面
に露出した垂直面(11a)と、該垂直面(11a)下端から斜め
内向きに延びた傾斜面(11b)を一体に具えている。該傾
斜面(11b)上には、垂直面(11a)と前面が一致する第１ガ
ラス(16)の層が形成されている。

【００１２】第２突き合わせ半体(２)は、非磁性材から
なる基台(25)と、該基台(25)の第１突き合わせ半体(１)
との対向面内に設けられた第３強磁性薄膜(20)とからな
る。第３強磁性薄膜(20)はＦｅＡｌＳi合金やＦeＴaＮ
合金等からなり、該第３強磁性薄膜(20)の上下端部は第
２強磁性薄膜(12)に接合し、上端はハードディスクとの
対向面よりも内側に位置する。ここで、第２強磁性薄膜
(12)は、第３図に示すように、幅がトラック幅に略等し
い幅狭部(12a)と、第３強磁性薄膜(20)に接触する幅広
部(12b)を一体に具えてなる。従って、第３強磁性薄膜
(20)の上端部は、ギャップ部の近傍に於いて、ハードデ
ィスクとの対向面に露出せず、非磁性材である基台(25)
の上面が露出する。

【００１３】第１図に示すように、第１強磁性薄膜(1
1)、対向面側及び奥部側ギャップスぺーサ(４)(40)、第
２強磁性薄膜(12)、第１突き合わせ半体(１)の側面は、
第１ガラス(16)より低融点の第２ガラス(17)により覆わ
れる。尚、第３強磁性薄膜(20)の厚みは数μm、第２突
き合わせ半体(２)の厚みは百数十μmに設定される。以
下の記載に於いて、コア半体とは磁気ヘッド(３)の構成
部材のうち、ギャップスペーサ(４)を介して両側に配備
されるものを指し、本例に於ける第２突き合わせ半体
(２)の磁性材部分と第２強磁性薄膜(12)が、従来の第２
コア半体(52)に相当する。

【００１４】ハードディスク再生時に於いて、反時計方
向の磁束は、第２図に一点鎖線で示すように、第２強磁
性薄膜(12)、第３強磁性薄膜(20)を通過して、コア半体
部材(14)内を周回し、第１強磁性薄膜(11)からハードデ
ィスクに抜ける。対向面側ギャップスペーサ(４)を介し
て第２強磁性薄膜(12)に対向する第１強磁性薄膜(11)の
垂直面(11a)の面積が小さいので、磁気抵抗が大きく、
磁束は対向面側ギャップスペーサ(４)を通過しない。ま
た磁束は、第２強磁性薄膜(12)と第３強磁性薄膜(20)の
接触部である幅広部(12b)を通過するので、磁気抵抗が
少なく、磁束は第３強磁性薄膜(20)内をスムーズに通過
する。

【００１５】更に、奥部側ギャップスペーサ(40)と第２
強磁性薄膜(12)との対向面積が大きいから、磁気抵抗が
少なく、磁束は奥部側ギャップスペーサ(40)をスムーズ
に通過する。かかる磁束の通過による再生出力がコイル
(31)から取り出される。尚、第１図に於いて、第３強磁
性薄膜(20)、第１強磁性薄膜(11)の残り部分(200)(110)
が磁気ヘッド(３)の上面及び側面に露出しているのは、
磁気ヘッド(３)の製造上の都合によるものであり、本願
の技術的特徴をなすものではない。また、第１図に示す
磁気ヘッド(３)の上面、即ちハードディスクとの対向面
に、第３強磁性薄膜(20)の残り部分(200)が露出してい
るが、対向面側ギャップスペーサ(４)から離れているの
で、磁気ヘッド(３)の磁気特性に影響を与えない。

【００１６】かかる磁気ヘッド(３)は、以下のように製
造される。まず、第４図に示すように、Ｍｎ−Ｚｎフェ
ライトからなり、第１突き合わせ半体(１)となるべき大
基板(６)の上面に一定ピッチで第１予備加工溝(60)(60)
を形成した後、該第１予備加工溝(60)に直交するよう
に、断面三角形のデプスエンド溝(61)を形成する。次
に、大基板(６)の上面全体に第１強磁性薄膜(11)を被着
し、その上に第１ガラス(16)を充填する。ガラス充填後
に上面を研削、研磨して、第５図に示すように、第１強
磁性薄膜(11)の断面を第１ガラス(16)と同一面内に露出
させる。

【００１７】次に、大基板(６)の上面に、ギャップスペ
ーサ(４)(40)となる非磁性薄膜と第２強磁性薄膜(12)を
重ねてスパッタリング等により形成した後に、レジスト
パターンを形成してエッチング処理を施し、第６図に示
すように、対向面側ギャップスペーサ(４)と奥部側ギャ
ップスペーサ(40)となる部分を残す。エッチング処理に
は、イオンビームエッチング法を用いるのが一般的であ
る。奥部側ギャップスペーサ(40)は対向面側ギャップス
ペーサ(４)より面積が大きく、各ギャップスペーサ(４)
(40)は、その上に重なる第２強磁性薄膜(12)と同一形状
に形成される。即ち、対向面側ギャップスペーサ(４)
は、幅狭部(４a)と、該幅狭部(４a)よりも内側に位置す
る幅広部(４b)とを一体に具える。また、該エッチング
工程により、第１強磁性薄膜(11)の先端部が、幅狭部
(４a)(12a)と同じ幅に形成される(第７図参照)。

【００１８】ギャップスペーサ(４)及び第２強磁性薄膜
(12)の幅狭部(４a)(12a)を第１強磁性薄膜(11)と合わせ
てエッチング処理にて形成することにより、幅狭部(４
a)(12a)及び第１強磁性薄膜(11)の幅がトラック幅に合
わせて正確に定まる。また、第７図に一点鎖線で示すよ
うに、エッチング工程に於いて、幅狭部(12a)の先端に
幅狭部(12a)より広い冗長部(12c)を設け、後工程で、冗
長部(12c)を除去すれば、幅狭部(12a)の幅寸法を精度よ
く形成できることが確認されている。この後に、第８図
に示すように、対向面側、奥部側ギャップスペーサ(４)
(40)間に、コイル巻線溝(15)を開設する。

【００１９】一方、第１突き合わせ半体(１)と突き合わ
さるべき第２突き合わせ半体(２)は、以下の如く設けら
れる。第９図に示すように、アルミナ系セラミック等か
らなる小基板(８)の上面に、第３強磁性薄膜(20)が成膜
される凹溝(80)と、該凹溝(80)より深い第２予備加工溝
(81)を形成する。次に、第１０図に示すように、小基板
(８)の上面全体に第３強磁性薄膜(20)をスパッタリング
等により形成し、その上に第２ガラス(17)を充填する。
この後、上面を研削、研磨して平坦化し、第３強磁性薄
膜(20)の断面を第２ガラス(17)と同一面内に露出させ
る。この後に、大基板(６)と小基板(８)を、第１１図に
示すように突き合わせ、加熱して第２ガラス(17)のみを
溶融させる。第２予備加工溝(81)を充填した第２ガラス
(17)はギャップ部の側方に流れ込み、大基板(６)と小基
板(８)を接合する。しかる後に、各ブロック毎にＰ−Ｐ
線で切断する。第１２図は、切断した各ブロックの中心
断面図であり、この状態で、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線に沿っ
て、不要な箇所を切削し、磁気ヘッド(３)が作成され
る。

【００２０】上記工程を経て形成される磁気ヘッド(３)
は、第２突き合わせ半体(２)の非磁性面が、ハードディ
スクとの対向面に露出し、かつ第３強磁性薄膜(20)が、
ギャップ部近傍にて、ハードディスクとの対向面に露出
していないから、従来の磁気ヘッド(３)に比して、ハー
ドディスクとの対向面に露出した磁性体の面積は小さ
い。従って、第２突き合わせ半体(２)上では、記録再生
に不要な磁性材が記録媒体との対向面に露出せず、磁気
ヘッド(３)のインダクタンス値は小さくなる。即ち、磁
気特性が改善される。更に、第２突き合わせ半体(２)の
記録媒体との対向面は、非磁性材で形成されているの
で、第２突き合わせ半体(２)上のギャップ部近傍で、浮
遊磁束を生じることもない。ここで浮遊磁束とは磁気ヘ
ッド(３)内を回転通過する主磁束以外に発生する磁束で
ある(第３９図参照)。

【００２１】また、第２強磁性薄膜(12)とギャップスペ
ーサ(４)は何れもスパッタリング等による成膜の後に、
第１強磁性薄膜(11)を含めてエッチング等により形成さ
れる。従って、ギャップ長はバラ付きが少なく、磁気ヘ
ッド(３)の磁気特性のバラ付きは小さくなる。また、第
２強磁性薄膜(12)と第３強磁性薄膜(20)とはハードディ
スクとの対向面よりも内側で接合されているから、該接
合部の面積、即ち第２強磁性薄膜(12)の幅広部(12b)は
大きく設けることができる。従って、第２突き合わせ半
体(２)の磁気抵抗は増大せず、磁束は第２強磁性薄膜(1
2)から第３強磁性薄膜(20)にスムーズに流れる。更に、
第２突き合わせ半体(２)の厚みは、従来の第２コア半体
(52)に等しく、また第２突き合わせ半体(２)の基台(25)
がセラミック等からなるから、機械的強度が従来の磁気
ヘッド(３)から劣ることはない。

【００２２】尚、第３強磁性薄膜(20)と、第２強磁性薄
膜(12)の幅広部(12b)の接合を強固にするためには、第
１１図に示す接合工程の前工程に於いて、少なくとも一
方の薄膜(20)(12)の突き合わせ面上に、厚さが２０nm程
度のＳiＯ2からなる膜と、厚さが４５nm程度のガラスか
らなる膜を重ねて形成しておくとよい。この場合、膜を
形成することで、磁気抵抗の増大が考えられる。しか
し、第３強磁性薄膜(20)に接合する第２強磁性薄膜(12)
の幅広部(12b)が、幅狭部(12a)に対して十分広いので、
磁気抵抗はそれほど増大せず、実用上支障ないことが出
願人により確認されている。更に溶融した第２ガラス(1
7)によって、第１、第２強磁性薄膜(11)(12)の側面が浸
食されないために、上記ＳiＯ₂とガラスからなる膜と第
２強磁性薄膜(12)との間に、厚さ１０nm程度のＣr膜を
介在させてもよい。

【００２３】尚、出願人は本実施例に示す磁気ヘッド
(３)の応用例として、第４３図に示すものを提案してい
る。これは、第２突き合わせ半体(２)の上面を第２ガラ
ス(17)の層で覆ったものであり、かかる磁気ヘッド(３)
を製造するには、第４４図に示すように、非磁性材から
なる小基板(８)に第２予備加工溝(81)(81)を前後端部に
形成し、第４５図に示すように、第２予備加工溝(81)に
第２ガラス(17)を充填した後に、上面を研削・研磨し、
第３強磁性薄膜(20)をスパッタリングにより形成する。
この後に、エッチング処理を施して、第３強磁性薄膜(2
0)を露出させる。この小基板(８)をギャップスペーサ
(４)と第２強磁性薄膜(12)を形成した前記大基板(６)に
突き合わせ接合してスライスし、第４６図に示すよう
に、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線に沿って不要な箇所を切削し
て、第４３図に示す磁気ヘッド(３)を得る。

【００２４】(第２実施例)第１３図は、第１図に示す磁
気ヘッド(３)を一部変えたものであり、第１５図は第１
３図の磁気ヘッド(３)をＦ−Ｆ線で切断した右側面図で
ある。磁気ヘッド(３)をＦ−Ｆ線で切断した左側面図
は、第３Ａ図と同じである。第１図に示す磁気ヘッド
(３)と異なる点は第２強磁性薄膜(12)とギャップスペー
サ(４)の幅広部(12b)(４b)が磁気ヘッド(３)の側面に露
出している点であり、これにより磁気ヘッド(３)を製造
中にギャップデプスdを容易に確認できる。また、第１
強磁性薄膜(11)の垂直面(11a)と傾斜面(11b)の交線をデ
プスエンドラインと呼ぶが、該デプスエンドラインは、
磁気ヘッド(３)完成後にコイル巻線溝(15)の側面から直
接観測することはできない。しかし、第２強磁性薄膜(1
2)を形成する際に、コイル巻線溝(15)の側部に露出する
幅広部(12b)とデプスエンドラインとの相対位置を正確
に設定しておけば、完成後の磁気ヘッド(３)のコイル巻
線溝(15)側部から、幅広部(12b)を観測することで、該
磁気ヘッド(３)のデプスエンドラインを間接的に検知で
きる。

【００２５】該磁気ヘッド(３)の製造工程は、上記磁気
ヘッド(３)の製造工程とほぼ同様であるが、大基板(６)
のエッチング工程に於いて、第１４図に示すように、大
基板(６)上ひ並列して形成される対向面側ギャップスペ
ーサ(４)及び第２強磁性薄膜(12)の幅広部(４b)(12b)を
トラック幅方向に延長し、連結杆(41)で繋げる。この状
態で、コイル巻線溝(15)を形成した後に、第１６図に示
すように、大基板(６)と小基板(８)を突き合わせ、ガラ
ス溶着した後に、スライスする。この後上記と同様に不
要な部分を切断すると、第１３図に示す磁気ヘッド(３)
が得られる。

【００２６】(第３実施例)第１７図は、他の磁気ヘッド
(３)を示す斜視図、第１８図は、第１７図の磁気ヘッド
(３)をＧ−Ｇ線で切断した断面図である。磁気ヘッド
(３)は、第１実施例と同じように、第１突き合わせ半体
(１)の前面に、第２突き合わせ半体(２)を突き合わせて
成るが、第２突き合わせ半体(２)は磁性材からなる基体
(５)のハードディスクとの対向面を、非磁性材で第１ガ
ラス(16)よりも低融点の第２ガラス(17)で被覆してな
る。ハードディスクの再生時に於いて、反時計方向の磁
束は、第１８図に一点鎖線で示すように、第２強磁性薄
膜(12)、第２突き合わせ半体(２)、コア半体部材(14)、
第１強磁性薄膜(11)内を通過する。本例に於いては、第
２突き合わせ半体(２)の磁性材部分である基体(５)と第
２強磁性薄膜(12)が従来の第２コア半体(52)に相当す
る。第１実施例と異なるのは、第２突き合わせ半体(２)
の構造のみであり、第１突き合わせ半体(１)は第１実施
例の第１突き合わせ半体(１)と同じものであるから、第
１７図の磁気ヘッド(３)をＨ−Ｈ線で切断した右断面図
は、第３Ｂ図と同じである。第１突き合わせ半体(１)と
の対向面の中央部には、第２ガラス(17)が充填される充
填溝(50)が開設され、充填溝(50)内の第２ガラス(17)
は、溶融してギャップ部の側方に流れ込み、両突き合わ
せ半体(１)(２)を接合する。

【００２７】上記磁気ヘッド(３)の製造方法は、第１９
図乃至第２２図に示される。第１突き合わせ半体(１)は
第１実施例と同じものであり、製造方法も同じであるか
ら記載を省略する。第２突き合わせ半体(２)を作成する
には、まず第１９図に示すように、Ｍｎ−Ｚｎフェライ
ト等からなる強磁性小基板(８)を用意し、該強磁性小基
板(８)の上面中央部に充填溝(50)を、該充填溝(50)の両
側に、充填溝(50)より深い突き合わせ溝(83)(83)を夫々
開設する。突き合わせ溝(83)(83)は、夫々第１突き合わ
せ半体(１)の対向面側ギャップスペーサ(４)の上端部、
奥部側ギャップスペーサ(40)の下端部に対向する。次
に、第２０図に示すように、充填溝(50)、突き合わせ溝
(83)(83)に第２ガラス(17)を充填した後に、上面を研
削、研磨して第２ガラス(17)の上面と、強磁性小基板
(８)の上面を一致させる。

【００２８】次に、第２１図に示すように、強磁性小基
板(８)と第１突き合わせ半体(１)となる大基板(６)を突
き合わせて、加熱炉(図示せず)内で加熱し、第２ガラス
(17)のみを溶融させる。充填溝(50)から流れ出た第２ガ
ラス(17)は強磁性小基板(８)と大基板(６)を接合する。
尚、実際には強磁性小基板(８)を下側にして、加熱炉内
を所定の圧力に設定すれば、溶融した第２ガラス(17)は
表面張力により、ギャップ部の側方に流れ込む。この
後、第２２図に示すように、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ線に沿って
切断して、第１７図に示す磁気ヘッド(３)を得る。尚、
第１実施例で示したＳiＯ₂膜とガラス膜からなる膜を、
第２強磁性薄膜(12)又は第２突き合わせ半体(２)の突き
合わせ面の少なくとも一方に予め形成して、接合強度を
上げてもよい。

【００２９】第２突き合わせ半体(２)のハードディスク
との対向面は、非磁性材で覆われているから、第１実施
例と同様に、従来の磁気ヘッド(３)に比して、ハードデ
ィスクとの対向面に露出した磁性体の面積は小さい。従
って、磁気ヘッド(３)のインダクタンス値が小さくな
り、磁気特性が改善される。また、第２強磁性薄膜(12)
とギャップスペーサ(４)は何れもスパッタリング等によ
る成膜の後に、第１強磁性薄膜(11)を含めてエッチング
等により形成される。従って、ギャップ長はバラ付きが
少なく、磁気ヘッド(３)の磁気特性のバラ付きは小さく
なる。更に、第２強磁性薄膜(12)と第２突き合わせ半体
(２)の接合部は、ハードディスクの対向面から引っ込ん
でいるから、該接合部の面積は大きく設けることができ
る。従って、第２突き合わせ半体(２)内部の磁気抵抗は
増大せず、磁束は第２強磁性薄膜(12)から第２突き合わ
せ半体(２)へスムーズに通過できる。

【００３０】尚、大基板(６)に形成する第１予備加工溝
(60)の底面部を、第２３図に示すように、Ｖ字形に加工
すれば、大基板(６)に形成された第１強磁性薄膜(11)は
小基板(８)に対向した位置で、第２１図に点線で示すよ
うに露出するから、第２４図に示すように、磁気ヘッド
(３)の上面側部に露出する第１強磁性薄膜(11c)は、ギ
ャップ幅に対して傾いて形成される。これにより、磁気
ヘッド(３)をスライダ本体(90)に装填して、ハードディ
スクから信号を再生する際に、隣接トラックからのクロ
ストークを防止することができる。即ち、第２５図に示
すように、ハードディスク(71)上には、ディスク中心と
同心のトラック(73)が隙間なく形成されるが、磁気ヘッ
ド(３)全体の幅は、トラック幅より大きいから、隣接ト
ラック(73)からの信号のクロストーク成分を再生する虞
れがある。然るに、磁気ヘッド(３)の側部上面に露出す
る第１強磁性薄膜(11c)がトラック幅方向に対し傾いて
いれば、該第１強磁性薄膜(11c)が隣接するトラック(7
3)からクロストーク成分を再生することを防ぐことがで
きる。

【００３１】また、第６図に示すエッチング処理工程に
て、対向面側ギャップスペーサ(４)及び第２強磁性薄膜
(12)を、幅狭部と幅広部が一体となった形状に形成し、
かつ第１強磁性薄膜(11)を幅狭部と同じ幅に形成する際
には、所謂陰影効果により、第２６図に示すように、大
基板(６)の上面から対向面側ギャップスペーサ(４)に掛
けて、微小傾斜面(62)を形成することがある。この微小
傾斜面(62)は、磁気ヘッド(３)完成後に於いて、第２４
図に示す傾斜線(51)に現れるが、該傾斜線(51)が形成さ
れることによっても、隣接トラック(73)のクロストーク
を防止する効果がある。

【００３２】(第４実施例)第２７図は、第１７図に示す
磁気ヘッド(３)を一部変えたものである。第１７図に示
す磁気ヘッド(３)と異なる点は、第２実施例と同様に、
第２強磁性薄膜(12)とギャップスペーサ(４)の幅広部(1
2b)(４b)が磁気ヘッド(３)の側面に露出している点であ
る。これにより、第２実施例と同様に、磁気ヘッド(３)
を製造中にギャップデプスを容易に確認できる。該磁気
ヘッド(３)の製造工程は、上記第３実施例に於ける磁気
ヘッド(３)の製造工程とほぼ同様である。但し、エッチ
ング工程に於いて、第１４図に示すように、大基板(６)
上の対向面側ギャップスペーサ(４)及び第２強磁性薄膜
(12)の幅広部(４b)(12b)を連結杆(41)で繋げる点が異な
る。この状態で、コイル巻線溝(15)を形成した後に、大
基板(６)と小基板(８)を突き合わせ、ガラス溶着した後
にスライスすると、第２７図に示す磁気ヘッド(３)が得
られる。尚、第２４図に示すように、磁気ヘッド(３)の
上面側部に露出した第１強磁性薄膜(11c)がトラック幅
方向に対し傾いた磁気ヘッド(３)に於いて、第２強磁性
薄膜(12)と対向面側ギャップスペーサ(４)の幅広部(12
b)(４b)を、磁気ヘッド(３)の側面に露出させてもよ
い。

【００３３】(第５実施例)第２８図は、他の磁気ヘッド
(３)の斜視図であり、第２９図は第２８図をＪ−Ｊ線で
切断した破断図、第３０Ａ、Ｂ図は、磁気ヘッド(３)を
Ｉ−Ｉ線で切断し、夫々左、右側から見た図である。磁
気ヘッド(３)は、第４実施例で示したのと同様に、側面
に対向面側ギャップスペーサ(４)と第２強磁性薄膜(12)
を露出させた第１突き合わせ半体(１)に、ハードディス
クとの対向面を非磁性の第２ガラス(17)で覆った第２突
き合わせ半体(２)を突き合わせ接合したものである。第
２突き合わせ半体(２)は、磁性材からなる基体(５)の上
下面及び両側面を第２ガラス(17)で被覆し、これにより
第２突き合わせ半体(２)の機械的強度を向上させてい
る。

【００３４】第２９図に示すように、第２突き合わせ半
体(２)は、コイル巻線溝(15)に対向して充填溝(50)を開
設し、該充填溝(50)に、両突き合わせ半体(１)(２)を接
合する第２ガラス(17)が充填される。両突き合わせ半体
(１)(２)を接続する第２ガラス(17)の量が、第３実施例
の磁気ヘッド(第１８図参照)より少ないのは、磁気ヘッ
ド製造上の都合であり、技術的特徴ではない。第２８図
に示すように、ハードディスクとの対向面に露出した第
２強磁性薄膜(12)の上面は、第２突き合わせ半体(２)に
向かって、円弧状に湾曲しており、この点が後記するよ
うに、本実施例の特徴の１つである。

【００３５】上記磁気ヘッド(３)は、以下の工程を経て
作成される。まず、第５図に示すように、第１強磁性薄
膜(11)の断面を第１ガラス(16)と同一面内に露出させた
大基板(６)を用意する。ここまでの工程は、第１実施例
と同じである。次に、大基板(６)の上面に、ギャップス
ペーサ(４)(40)となる非磁性薄膜と第２強磁性薄膜(12)
を重ねてスパッタリング等により形成した後に、レジス
トパターンを形成してエッチング処理を施し、第３１図
に示すように、対向面側ギャップスペーサ(４)を含むギ
ャップ部と奥部側ギャップスペーサ(40)となる部分を残
す。第２強磁性薄膜(12)は、各ギャップスペーサ(４)(4
0)と同一形状に形成される。第２強磁性薄膜(12)及び対
向面側ギャップスペーサ(４)の幅広部(12b)(４b)及び奥
部側ギャップスペーサ(40)は横方向に延び、磁気ヘッド
(３)形成時に幅広部(４b)(12b)及び奥部側ギャップスペ
ーサ(40)が磁気ヘッド(３)側面から露出する。

【００３６】次に、大基板(６)の上面全域に感光性材料
からなるフォトレジスト(65)を塗付した後に、イオンビ
ームを照射する。第３２図は、第３１図の大基板(６)に
イオンビーム照射後、Ｚ方向から見た断面図であるが、
第２強磁性薄膜(12)の幅狭部(12a)は、大基板(６)の上
面から突出しているので、該幅狭部(12a)を覆うフォト
レジスト(65)は、他の箇所を覆うフォトレジスト(65)に
比して薄い。従って、イオンビームを照射し続けると、
他の箇所を覆うフォトレジスト(65)は残存しているにも
拘らず、幅狭部(12a)の先端部を覆うフォトレジスト(6
5)がなくなり、第２強磁性薄膜(12)が削られ始める。し
かる後にイオンビームの照射を停止し、フォトレジスト
(65)を除去すると、第３３図に示すように、第２強磁性
薄膜(12)の幅狭部(12a)の上面は膨らみを上側に向けた
円弧形に形成される。次に、上記各実施例と同様に、大
基板(６)上で、両ギャップスペーサ(４)(40)の間に、コ
イル巻線溝(15)を形成する(第３７図参照)。

【００３７】一方、第３４図に示すように、Ｍｎ−Ｚｎ
フェライト等からなる強磁性小基板(８)に突き合わせ溝
(83)(83)を形成するとともに、該突き合わせ溝(83)(83)
に直交して、凹み溝(84)を形成する。突き合わせ溝(83)
(83)は、夫々第１突き合わせ半体(１)の対向面側ギャッ
プスペーサ(４)、奥部側ギャップスペーサ(40)に対向す
る。この後、第３５図に示すように、突き合わせ溝(83)
(83)、凹み溝(84)を第２ガラス(17)で充填した後に、上
面を研削、研磨して平坦にする。次に、第３６図に示す
ように、大基板(６)のコイル巻線溝(15)に対向する調整
溝(85)を形成する。該調整溝(85)を形成するのは、両突
き合わせ半体(１)(２)を接合する第２ガラス(17)の量を
調整するためであり、磁気ヘッド(３)のインダクタンス
を小さくする為でもある。

【００３８】次に、第３７図に示すように、両基板(６)
(８)を突き合わせて加熱し、第２ガラス(17)を溶融させ
る。第２ガラス(17)は突き合わせ溝(83)及び凹み溝(84)
から流れ出して、両基板(６)(８)を接合する。このと
き、第３実施例と同様に、小基板(８)を下側にして、第
２ガラス(17)をギャップ部の側方に流し込む。最後に接
合された両基板(６)(８)をＰ−Ｐ線に沿ってブロック毎
に切断した後に、各ブロックを第３８図に示すＣ−Ｃ線
及びＤ−Ｄ線で切断して、第２８図に示す磁気ヘッド
(３)を得る。尚、第１実施例で示したＳiＯ₂膜とガラス
膜からなる膜を、第２強磁性薄膜(12)又は第２突き合わ
せ半体(２)の突き合わせ面の少なくとも一方に予め形成
して、接合強度を上げてもよい。上記工程を経て製造さ
れた磁気ヘッド(３)に於いては、上記各実施例に於ける
磁気ヘッド(３)と同様に、インダクタンス値を小さくす
る等の効果の他に、第２強磁性薄膜(12)の前面形状が、
円弧状に湾曲することによって、所謂コンター効果(con
tour effect)による再生出力波形の歪みを小さくする効
果がある。

【００３９】ここでコンター効果を説明する。第３９図
はハードディスク上の磁極と磁気ヘッド(３)の関係を示
す図である。一般に、ハードディスク回転時に於いて、
磁極と対向面側ギャップスペーサ(４)が対向したときに
は、磁気ヘッド(３)内を回転する主磁束φ1の他に、第
２強磁性薄膜(12)と第２ガラス(17)の境目部分に於いて
浮遊磁束φ2をも生じる。かかる磁束の重畳により再生
出力波形に歪みを生じることをコンタ−効果と言う。こ
こにおいて、浮遊磁束φ2の影響の大きさは、上記境目
部分と、ハードディスクの磁極とが対向する長さに比例
する。換言すれば、境目部分がトラック幅方向に沿って
直線状に延びていれば、浮遊磁束φ2の影響は大きい。
従って、第２強磁性薄膜(12)と第２ガラス(17)との境目
がトラック幅に対して、湾曲していれば、該境目上に
は、ハードディスクの同一磁極に対向する箇所と対向し
ない箇所があるので、第２強磁性薄膜(12)と第２ガラス
(17)の境目がトラック幅に沿って延びている場合より
も、浮遊磁束φ2の影響は小さくなる。従って、本実施
例による磁気ヘッド(３)では、コンター効果による再生
出力波形の歪みは小さくなる。

【００４０】第４０図は、このコンター効果により再生
出力波形歪みを少なくする別の磁気ヘッド(３)を示す斜
視図である。第２ガラス(17)に対向した第２強磁性薄膜
(12)の前面は、波状に湾曲している。この磁気ヘッド
(３)を作成するには、前記エッチング処理後のフォトレ
ジスト除去工程に於いて、第４１図に示すように、トラ
ック幅方向に直交して延びる複数のスリット(67)を有す
るフォトマスク(66)をフォトレジスト(65)の上方に配置
し、露光を行なう。第２強磁性薄膜(12)の幅狭部(12a)
を覆うフォトレジスト(65)は第４２図に示すように、波
状に湾曲する、この状態で、イオンビームを照射する
と、幅狭部(12a)の上面が波状に湾曲した形状に形成さ
れ、最終的に第４０図に示す磁気ヘッド(３)が得られ
る。尚、幅狭部(12a)の上面を波状に湾曲させるには、
エッチング処理工程の後に、第２強磁性薄膜(12)以外の
領域をフォトレジストで覆い、サンドブラスト加工を行
なって形成してもよい。

【００４１】また、第２８図に示す磁気ヘッド(３)につ
いても、第２４図に示すように、磁気ヘッド(３)の上面
側部に露出する第１強磁性薄膜(11)を、トラック幅方向
に対し斜めになるように形成してもよい。更に、第１図
に示した磁気ヘッド(３)について、第２強磁性薄膜(12)
の前端部を円弧形に形成しても、コンタ−効果による再
生出力波形の歪みを少なくすることができる。

【００４２】以上、各例の磁気ヘッド(３)に共通する効
果は、記録媒体であるハードディスクに対向する磁性体
の面積が従来のものより小さいので、インダクタンス値
が小さくなり、磁気特性が改善される点、及び対向面側
ギャップスペーサ(４)及び第２強磁性薄膜(12)がともに
第１コア半体(13)上に被膜された後に、第１強磁性薄膜
(11)とともにエッチング加工により形成されることによ
り、ギャップ長t精度が向上する点である。本発明は上
記例の構成に限定されることはなく、クレームに記載の
範囲で、種々の変形が可能である。

【００４３】上記実施例の説明は、本発明を説明するた
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の磁気ヘッドの斜視図である。

【図２】第１図をＡ−Ａ線で切断した破断図である。

【図３】Ａ図は、第１図をＢ−Ｂ線で切断した左側面
図、Ｂ図は同上の右側面図である。

【図４】第１予備加工溝とデプスエンド溝を形成した大
基板の斜視図である。

【図５】第４図の大基板に第１ガラスを充填した状態の
斜視図である。

【図６】エッチング工程後の大基板の斜視図である。

【図７】冗長部を形成した大基板の要部斜視図である。

【図８】第６図の大基板にコイル巻線溝を形成した状態
の斜視図である。

【図９】第２予備加工溝と凹溝を形成した小基板の斜視
図である。

【図１０】第９図の小基板に第２ガラスを充填した状態
の斜視図である。

【図１１】小基板と大基板の突き合わせ状態を示す斜視
図である。

【図１２】第１１図に示す大基板と小基板をＰ−Ｐ線で
切断したブロックの中心断面図である。

【図１３】第２実施例の磁気ヘッドの斜視図である。

【図１４】第１３図の磁気ヘッドに用いる大基板のエッ
チング加工後の斜視図である。

【図１５】第１３図の磁気ヘッドをＦ−Ｆ線で切断した
右側面図である。

【図１６】小基板と大基板の突き合わせ状態を示す斜視
図である。

【図１７】第３実施例の磁気ヘッドの斜視図である。

【図１８】第１７図の磁気ヘッドをＧ−Ｇ線で切断した
断面図である。

【図１９】突き合わせ溝と充填溝を形成した小基板の斜
視図である。

【図２０】第１９図の小基板に第２ガラスを充填した状
態の斜視図である。

【図２１】小基板と大基板の突き合わせ状態を示す斜視
図である。

【図２２】第２１図に示す大基板と小基板をＰ−Ｐ線で
切断したブロックの中心断面図である。

【図２３】底面をＶ字形に形成した第１予備加工溝に第
１ガラスを充填した大基板の斜視図である。

【図２４】第２３図の大基板を用いて形成される磁気ヘ
ッドの斜視図である。

【図２５】ハードディスクのトラックを示す平面図であ
る。

【図２６】微小傾斜面を設けた大基板を一部拡大した図
である。

【図２７】第４実施例の磁気ヘッドの斜視図である。

【図２８】第５実施例の磁気ヘッドの斜視図である。

【図２９】第２８図の磁気ヘッドをＪ−Ｊ線で切断した
断面図である。

【図３０】Ａ図は、第２８図の磁気ヘッドをＩ−Ｉ線で
切断した左側面図、Ｂ図は同上の右側面図である。

【図３１】第５実施例の磁気ヘッドに用いられる大基板
のエッチング工程後の斜視図である。

【図３２】第３１図の大基板にフォトレジストを塗付し
た状態をＺ方向から見た図である。

【図３３】イオンビーム照射後の大基板を示す図であ
る。

【図３４】第５実施例に用いられる小基板の斜視図であ
る。

【図３５】第３４図の小基板に第２ガラスを充填した状
態を示す斜視図である。

【図３６】第３５図の小基板に調整溝を形成した状態の
斜視図である。

【図３７】小基板と大基板の突き合わせ状態を示す斜視
図である。

【図３８】第３７図に示す大基板と小基板をＰ−Ｐ線で
切断したブロックの中心断面図である。

【図３９】ハードディスク再生時に於ける主磁束φ1と
浮遊磁束φ2を示す図である。

【図４０】第５実施例の応用例である磁気ヘッドを示す
斜視図である。

【図４１】フォトマスクをフォトレジストの上方に配置
した露光工程を示す図である。

【図４２】上面が波形に湾曲したフォトレジストを示す
図である。

【図４３】第１実施例の応用例である磁気ヘッドを示す
斜視図である。

【図４４】第４３図の磁気ヘッドに用いられる小基板の
斜視図である。

【図４５】第４４図の小基板に第２ガラスと第３強磁性
薄膜を充填した状態を示す斜視図である。

【図４６】第４５図の小基板を用いて磁気ヘッドを形成
する状態を示す断面図である。

【図４７】ハードディスクが設けられた装置本体内部を
示す斜視図である。

【図４８】スライダ本体の斜視図である。

【図４９】従来の磁気ヘッドの斜視図である。

【図５０】同上の磁気ヘッドをＱ−Ｑ線で破断した断面
図である。

【図５１】従来の磁気ヘッドに於けるギャップスペーサ
形成方法を示す図である。

【符号の説明】

(１) 第１突き合わせ半体 (２) 第２突き合わせ半体 (４) ギャップスペーサ (６) 大基板 (８) 小基板 (11) 第１強磁性薄膜 (12) 第２強磁性薄膜 (15) コイル巻線溝 (16) 第１ガラス (17) 第２ガラス (20) 第３強磁性薄膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平8−77377 (32)優先日 平８(1996)３月29日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 伊藤 清隆 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 石原 宏三 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 古閑 和彦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 福本 詳史 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 古澤 厚志 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 浦野 敏行 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小川 隆弘 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 奥田 裕之 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録媒体に対向して、記録再生を行な
   う磁気ヘッドであって、 一面が開口したコイル巻線溝(15)を有する第１突き合わ
   せ半体(１)と、該コイル巻線溝(15)の開口に対向し、第
   １突き合わせ半体(１)に接合させるべき第２突き合わせ
   半体(２)とを具え、 前記第１突き合わせ半体(１)は、第１コア半体(13)の一
   部を構成し、強磁性材からなる第１コア半体部材(14)と
   第１コア半体(13)の残部を構成する第１強磁性薄膜(11)
   と、第２コア半体(52)の一部を構成する第２強磁性薄膜
   (12)と、第１強磁性薄膜(11)と第２強磁性薄膜(12)との
   間に介在するギャップスペーサ(４)とを具え、 前記ギャップスペーサ(４)は第１強磁性薄膜(11)及び該
   第１強磁性薄膜(11)の内側に形成された第１ガラス(16)
   の層上に形成され、 第２突き合わせ半体(２)は、第２強磁性薄膜(12)に接合
   して磁束の周回通過を許し、第２コア半体(52)の残部を
   構成する磁性材部分を具え、 第２突き合わせ半体(２)の記録媒体との対向面は、非磁
   性材にて形成されたことを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 第２強磁性薄膜(12)は、先端が記録媒体
   との対向面に露出する幅狭部(12a)と、該幅狭部(12a)の
   内端に連続して第２突き合わせ半体(２)に接合する幅広
   部(12b)を一体に具えている請求項１に記載の磁気ヘッ
   ド。
3. 【請求項３】 第１強磁性薄膜(11)のギャップスペーサ
   (４)に接する部分は、第２強磁性薄膜(12)の幅狭部(12
   a)と同じ幅を有する請求項２に記載の磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 第２強磁性薄膜(12)の幅広部(12b)は第
   １突き合わせ半体(１)の側面に露出している請求項２に
   記載の磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 記録媒体との対向面に露出した第１強磁
   性薄膜(11)、ギャップスペーサ(４)、第２強磁性薄膜(1
   2)の側方には、第１ガラス(16)より低融点の第２ガラス
   (17)が配されている請求項３に記載の磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 第２突き合わせ半体(２)の磁性材部分は
   第３強磁性薄膜(20)からなる請求項１に記載の磁気ヘッ
   ド。
7. 【請求項７】 第３強磁性薄膜(20)は、非磁性の基台(2
   5)に埋め込まれている請求項６に記載の磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 第３強磁性薄膜(20)は、非磁性の基台(2
   5)上に形成され、第３強磁性薄膜(20)の記録媒体対向面
   側には第２ガラス(17)が配されている請求項６に記載の
   磁気ヘッド。
9. 【請求項９】 第２突き合わせ半体(２)の磁性材部分は
   強磁性体からなる基体(５)であり、第２突き合わせ半体
   (２)は該基体(５)の記録媒体との対向面を、非磁性の第
   ２ガラス(17)で被覆して成る請求項１に記載の磁気ヘッ
   ド。
10. 【請求項１０】 第２強磁性薄膜(12)の幅狭部(12a)の
    第２突き合わせ半体(２)との対向面は曲面形状を有する
    請求項２に記載の磁気ヘッド。
11. 【請求項１１】 記録媒体との対向面に露出した第１コ
    ア半体(13)と第２ガラス(17)との境界線は、トラック幅
    方向に対して傾斜した部分を有する請求項１に記載の磁
    気ヘッド。
12. 【請求項１２】 第１突き合わせ半体(１)の一部となる
    べき強磁性の大基板(６)と、第２突き合わせ半体(２)の
    一部となるべき小基板(８)を用意し、 該大基板(６)上に記録媒体のトラック幅方向に直交する
    第１予備加工溝(60)(60)及び該第１予備加工溝(60)に直
    交するデプスエンド溝(61)を形成する工程と、 該大基板(６)の上面全体に第１強磁性薄膜(11)を被着
    し、その上に第１ガラス(16)を充填し、上面を研削、研
    磨して、第１強磁性薄膜(11)の断面を上面に露出させる
    工程と、 大基板(６)の上面に、ギャップスペーサ(４)となる非磁
    性薄膜と第２強磁性薄膜(12)を重ねて成膜した後に、エ
    ッチング処理を施し、記録媒体のトラック幅に略等しい
    幅狭部(４a)(12a)と、幅狭部(４a)(12a)の内端に連続し
    た幅広部(４b)(12b)を一体に形成し、かつ第１強磁性薄
    膜(11)を幅狭部(４a)(12a)と同じ幅に形成する工程と、 小基板(８)に前記第１ガラス(16)より低融点の第２ガラ
    ス(17)を充填するとともに、大基板(６)との突き合せ面
    上に磁束の通過を許す磁性材を露出させる工程と、 大基板(６)と小基板(８)を突き合わせ接合し、小基板
    (８)から露出した磁性材と、大基板(６)の第２強磁性薄
    膜(12)を接触させ、トラック幅に直交する面に沿ってス
    ライスし、記録媒体との対向面にギャップスペーサ
    (４)、第２強磁性薄膜(12)及び第１強磁性薄膜(11)の断
    面を露出させ、小基板(８)の記録媒体との対向面には非
    磁性材を露出させる工程を有する磁気ヘッドの製造方
    法。
13. 【請求項１３】 大基板(６)と小基板(８)とは、第１ガ
    ラス(16)が融解せずに、第２ガラス(17)が融解する温度
    の下で突き合わせ接合される請求項１２に記載の磁気ヘ
    ッドの製造方法。
14. 【請求項１４】 小基板(８)は非磁性材から形成され、
    トラック幅方向に平行な凹溝(80)及び凹溝(80)に直交す
    る第２予備加工溝(81)が開設され、 小基板(８)の上面に、第２強磁性薄膜(12)に合わさるべ
    き第３強磁性薄膜(20)を形成した後に、第２ガラス(17)
    を充填して、上面を研磨して、第３強磁性薄膜(20)を露
    出させる請求項１２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
15. 【請求項１５】 小基板(８)は、非磁性材から形成さ
    れ、 トラック幅方向に沿って延びた第２予備加工溝(81)(81)
    を前後端部に形成し、該第２予備加工溝(81)(81)に第２
    ガラス(17)を充填し、上面を研磨する工程と、 第２予備加工溝(81)(81)の間で、小基板(８)上に、第２
    予備加工溝(81)に直交した第３強磁性薄膜(20)を形成す
    る工程を有する請求項１２に記載の磁気ヘッドの製造方
    法。
16. 【請求項１６】 小基板(８)は強磁性材から形成され、
    該小基板(８)の両端部には、トラック幅に平行な突き合
    わせ溝(83)(83)が開設され、 突き合わせ溝(83)(83)に、第２ガラス(17)が充填される
    請求項１２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
17. 【請求項１７】 エッチング工程では、幅広部(４b)(12
    b)は、トラック幅方向に延びて形成され、最終的に磁気
    ヘッド(３)の側面から露出する請求項１２に記載の磁気
    ヘッドの製造方法。
18. 【請求項１８】 エッチング工程の後に、大基板(６)上
    面全体にフォトレジストを塗付して、イオンビームを照
    射し、塗付厚みの薄い第２強磁性薄膜(12)の幅狭部(12
    a)の上面を曲面形状に加工する工程を設けた請求項１２
    に記載の磁気ヘッドの製造方法。
19. 【請求項１９】 フォトレジスト塗付後で、イオンビー
    ム照射工程前に、露光工程を設け、該露光工程はトラッ
    ク幅方向に直交して延びる複数のスリット(67)を有する
    フォトマスク(66)をフォトレジスト(65)の上方に配置し
    て行なう請求項１８に記載の磁気ヘッドの製造方法。